JP2004247021A5 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置 - Google Patents

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子としてスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、並びにそのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて磁気テープに対する信号の再生動作を行う磁気テープ装置に関する。
そこで、本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、優れた耐食性を示し且つ高い磁気抵抗変化率を維持したスピンバルブ膜を備えることによって、磁気録媒体に対する適切な再生動作を行うことを可能とした磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、スピンバルブ膜は、濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ １ ），ａ １ （ａ １ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ １ ＜１００であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、Ａｕからなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ ３ ），ａ ３ （ａ ３ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ３ ≦２５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ ４ ），ａ ４ （ａ ４ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ４ ≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ ５ ），ａ ５ （ａ ５ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ ５ ≦１５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ ６ ），ａ ６ （ａ ６ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ ６ ≦５０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ ７ ），ａ ７ （ａ ７ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ ７ ≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、スピンバルブ膜は、濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ １ ），ａ １ （ａ １ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ １ ＜１００であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、Ａｕからなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ ３ ），ａ ３ （ａ ３ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ３ ≦２５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ ４ ），ａ ４ （ａ ４ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ４ ≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ ５ ），ａ ５ （ａ ５ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ ５ ≦１５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ ６ ），ａ ６ （ａ ６ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ ６ ≦５０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ ７ ），ａ ７ （ａ ７ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ ７ ≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図２２に示した高い耐食性の示すＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅのうち、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成範囲が、０≦ｂ≦３５、６０≦ｃ≦９５、５≦ｄ≦４０となる、すなわちＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成比が、図２３中、点Ａ（Ｃｏ＝０原子％、Ｎｉ＝９５原子％、Ｆｅ＝５原子％）、点Ｂ（Ｃｏ＝０原子％、Ｎｉ＝６０原子％、Ｆｅ＝４０原子％）、点Ｉ（Ｃｏ＝３５原子％、Ｎｉ＝６０原子％、Ｆｅ＝５原子％）の３点で囲まれた領域、又は、ＣｏＮｉＦｅのうち、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成範囲が、２０≦ｂ≦７５、１５≦ｃ≦４０、５≦ｄ≦４０となる、すなわちＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成比が、図２３中、点Ｃ（Ｃｏ＝４５原子％、Ｎｉ＝１５原子％、Ｆｅ＝４０原子％）、点Ｄ（Ｃｏ＝７５原子％、Ｎｉ＝１５原子％、Ｆｅ＝１０原子％）、点Ｅ（Ｃｏ＝７５原子％、Ｎｉ＝２０原子％、Ｆｅ＝５原子％）、点Ｊ（Ｃｏ＝６５原子％、Ｎｉ＝３０原子％、Ｆｅ＝５原子％）、点Ｇ（Ｃｏ＝２０原子％、Ｎｉ＝４０原子％、Ｆｅ＝４０原子％）の６点で囲まれた実線の範囲内にあれば磁歪が＋１．０×１０−５以下となる。
上述した耐食性と磁歪の検討結果から、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅの組成範囲が０≦ｂ≦３５、６０≦ｃ≦９５、５≦ｄ≦４０、又は、ＣｏＮｉＦｅの組成範囲が２０≦ｂ≦７５、１５≦ｃ≦４０、５≦ｄ≦４０であれば、耐食性に優れ、かつ磁歪が小さくノイズの低減化を図ることが可能である。
【０１０７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明では、スピンバルブ膜の標準水素電極に対する腐食電位を特定し、優れた耐食性を示し、かつ高い磁気抵抗変化率を維持することによって、磁気記録媒体と摺接される面に保護膜を形成しない場合においても、高温高湿下や海水雰囲気中等の厳しい使用条件下においても腐食の発生を防止することが可能であり、磁気記録媒体に対する適切な再生動作を行うことが可能である。
また、本発明では、スピンバルブ膜を構成する各層の材料及びその組成を適切に選定することによって、腐食の発生を回避すると共に、優れた耐食性を得ることが可能である。
また、本発明では、スピンバルブ膜を構成する磁化固定層及び磁化自由層の材料組成を適切に選定することによって、ノイズの低減化を図ることが可能である。

Claims (46)

  1. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記スピンバルブ膜は、濃度０．１ mol ／ L のＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔 V vs SHE 〕以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  2. 上記スピンバルブ膜を構成する上記反強磁性層、上記磁化固定層、上記磁化自由層、上記非磁性層の各単層膜が、それぞれ濃度０．１ mol ／ L のＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔 V vs SHE 〕以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  3. 上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ １ ），ａ １ （ａ １ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ １ ＜１００であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  4. 上記非磁性層は、Ａｕからなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  5. 上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ ３ ），ａ ３ （ａ ３ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ３ ≦２５であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  6. 上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ ４ ），ａ ４ （ａ ４ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ４ ≦２０であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  7. 上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ ５ ），ａ ５ （ａ ５ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ ５ ≦１５であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  8. 上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ ６ ），ａ ６ （ａ ６ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ ６ ≦５０であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  9. 上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ ７ ），ａ ７ （ａ ７ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ ７ ≦２０であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  10. 上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
    ド。
  11. 上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  12. 上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  13. 回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により磁気テープと摺動しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  14. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ １ ），ａ １ （ａ １ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ １ ＜１００であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  15. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、Ａｕからなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  16. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ ３ ），ａ ３ （ａ ３ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ３ ≦２５であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  17. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ ４ ），ａ ４ （ａ ４ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ４ ≦２０であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  18. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ ５ ），ａ ５ （ａ ５ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ ５ ≦１５であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  19. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ ６ ），ａ ６ （ａ ６ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ ６ ≦５０であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  20. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ ７ ），ａ ７ （ａ ７ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ ７ ≦２０であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎ ｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  21. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  22. 磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
    上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  23. 回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により磁気テープと摺動しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項１４から２２のうち何れか一項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  24. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記スピンバルブ膜は、濃度０．１ mol ／ L のＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔 V vs SHE 〕以上であることを特徴とする磁気テープ装置。
  25. 上記スピンバルブ膜を構成する上記反強磁性層、上記磁化固定層、上記磁化自由層、上記非磁性層の各単層膜が、それぞれ濃度０．１ mol ／ L のＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔 V vs SHE 〕以上であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  26. 上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ １ ），ａ １ （ａ １ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ １ ＜１０ ０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  27. 上記非磁性層は、Ａｕからなることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  28. 上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ ３ ），ａ ３ （ａ ３ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ３ ≦２５であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  29. 上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ ４ ），ａ ４ （ａ ４ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ４ ≦２０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  30. 上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ ５ ），ａ ５ （ａ ５ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ ５ ≦１５であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  31. 上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ ６ ），ａ ６ （ａ ６ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ ６ ≦５０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  32. 上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ ７ ），ａ ７ （ａ ７ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ ７ ≦２０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  33. 上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
    ド。
  34. 上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項３３記載の磁気テープ装置。
  35. 上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項３３記載の磁気テープ装置。
  36. 回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により磁気テープと摺動しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
  37. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が 変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ １ ），ａ １ （ａ １ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ １ ＜１００であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  38. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、Ａｕからなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  39. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ ３ ），ａ ３ （ａ ３ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ３ ≦２５であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  40. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ ４ ），ａ ４ （ａ ４ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ ４ ≦２０であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）と したときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  41. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ ５ ），ａ ５ （ａ ５ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ ５ ≦１５であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  42. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ ６ ），ａ ６ （ａ ６ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ ６ ≦５０であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  43. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ ７ ），ａ ７ （ａ ７ は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ ７ ≦２０であり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  44. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  45. 磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
    上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
    上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
    上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
    上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
  46. 上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により上記磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項３７から４５のうち何れか一項記載の磁気テープ装置。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243090A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Sony Corp 磁気ヘッド装置及び磁気ヘッド装置を有するドライブ装置
JP4179260B2 (ja) * 2004-09-29 2008-11-12 ソニー株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置
JP2006128410A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子及びその製造方法
US20060151615A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Taiwan Name Plate Co., Ltd. Radio identifiable mark
JP2006245275A (ja) 2005-03-03 2006-09-14 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子
US7525763B2 (en) * 2005-07-27 2009-04-28 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Head gimbal assembly with particle filter device, and disk drive unit with the same
JP2007189069A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Tdk Corp 軟磁性膜およびその製造方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドアームアセンブリならびに磁気ディスク装置
US8072711B1 (en) * 2006-08-02 2011-12-06 Jian-Qing Wang System and method for the fabrication, characterization and use of magnetic corrosion and chemical sensors
US7764470B2 (en) * 2007-03-06 2010-07-27 Tdk Corporation Magneto-resistance effect element and thin-film magnetic head having non-magnetic spacer layer composed of one semiconductor layer and two metal layers
US7764471B2 (en) * 2007-03-12 2010-07-27 Tdk Corporation Magneto-resistance effect element having diffusion blocking layer and thin-film magnetic head
US7672087B2 (en) * 2007-03-27 2010-03-02 Tdk Corporation Magnetoresistive effect element having bias layer with internal stress controlled
US8120353B2 (en) 2008-04-28 2012-02-21 International Business Machines Corporation Methods for detecting damage to magnetoresistive sensors
US8018226B2 (en) 2008-04-28 2011-09-13 International Business Machines Corporation Methods for detecting damage to magnetoresistive sensors
WO2010143718A1 (ja) 2009-06-12 2010-12-16 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
WO2011111648A1 (ja) 2010-03-12 2011-09-15 アルプス電気株式会社 磁気センサ及びそれを用いた磁気平衡式電流センサ
WO2011111493A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 アルプス・グリーンデバイス株式会社 電流センサ
JP5487402B2 (ja) 2010-08-23 2014-05-07 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279117A (ja) * 1995-04-03 1996-10-22 Alps Electric Co Ltd 巨大磁気抵抗効果材料膜およびその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド
JP2778626B2 (ja) * 1995-06-02 1998-07-23 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子
US6764778B2 (en) * 2000-11-01 2004-07-20 Alps Electric Co., Ltd. Thin film magnetic element with accurately controllable track width and method of manufacturing the same

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