JP2777548B2 - エッジ・バイアス式磁気抵抗センサ - Google Patents

エッジ・バイアス式磁気抵抗センサ

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JP2777548B2 JP6326113A JP32611394A JP2777548B2 JP 2777548 B2 JP2777548 B2 JP 2777548B2 JP 6326113 A JP6326113 A JP 6326113A JP 32611394 A JP32611394 A JP 32611394A JP 2777548 B2 JP2777548 B2 JP 2777548B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的には磁気記憶装
置からデータを読み取るための薄膜磁気ヘッドに使用す
るための磁気抵抗(MR)読取りセンサに関し、具体的
には、形状の異方性を利用し、MR感知要素エッジの磁
化を事前に定義され、対称で線形の出力を得るために製
造中に事前に選択された角度にMR感知要素の磁化容易
軸が傾けられることを特徴とする、MR読取りセンサに
関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録システムでのMRセンサの動作
原理の全般的な説明は、Tsang著、"Magnetics of Small
Magnetoresistive Sensors", Journal of Applied Phy
sics,Vol. 55(6), Mar. 15, 1984, pp. 2226-2231にあ
る。本質的に、MRセンサは、磁気抵抗読取り要素によ
って感知される磁束の量と向きの関数としての磁気抵抗
読取り要素の抵抗変化を介して、磁界信号を検出する。
MRセンサは、主に3つの理由、すなわち、磁気媒体に
記録された磁束変化を検出する時の電圧出力が高く、印
加された感知電流に比例することと、良好な線形の密度
分解能を得ることができることと、およびMRセンサの
出力が、センサと媒体の間の相対速度から独立であるこ
とから、関心を持たれている。
【0003】MRセンサには、通常、低い飽和保磁力の
磁化容易軸に沿って磁化された、たとえばニッケル−鉄
(NiFe)合金などの強磁性体の薄いストリップが含
まれる。MRストリップは、ストライプと称する場合も
あるが、通常は磁気変換器またはヘッドに取り付けら
れ、磁化容易軸が磁気ディスク記録媒体の回転方向に対
して横向きで、ディスクの平面に平行になるようにされ
ている。記録されたデータ・ビットに関連するディスク
からの磁束は、MRストリップの磁化ベクトルの回転を
引き起こし、これがMR材料の抵抗率の変化を引き起こ
す。この抵抗率の変化は、横方向の接点の間でMRスト
リップを通って流れる電流によって感知される。抵抗率
は、おおむね磁化ベクトルと電流ベクトルの間の角度の
コサインの二乗に従って変化する。このコサイン二乗の
関係により、磁化ベクトルと電流ベクトルが当初は整列
されている場合に、ディスク磁束に起因する当初の抵抗
率の変化は低く、単一方向である。したがって、通常、
磁化容易軸の磁化ベクトルまたは電流ベクトルを、約4
5°のバイアスを与えて、磁化の角度変化に対する応答
性を高め、センサ出力を線形化する。
【0004】MRセンサが最適に動作するためには、2
つのバイアス場が必要であることが従来技術で周知であ
る。上で述べたように、MR感知要素にバイアスを与
え、その結果、磁束場に対する応答が線形になるように
するために、通常は横バイアス場を与える。このバイア
ス場は、磁気媒体の平面に垂直であり、平面状のMR要
素の表面に平行である。通常MR要素と共に使用される
第2のバイアス場を、縦バイアス場(longitudinal bia
s field)と称し、これは、磁気媒体の表面に平行で、
MR要素の縦方向に平行に延びる。縦バイアスの主目的
は、印加される場の存在の下で不可避的な磁区の移動に
よって引き起こされるバルクハウゼン雑音、すなわち、
磁化ベクトルのコヒーレントな回転が不均一になり、抑
止され、磁壁移動に依存することを抑止することであ
る。縦バイアス場は、MR感知要素の活性領域内に単一
の磁区を維持し、これがこの雑音機構を除去する。縦バ
イアス場の二次的な目的は、高磁界励起の存在の下で磁
気的な安定性を高めることである。縦バイアス場は、通
常は硬磁性材料または反強磁性/強磁性交換結合バイア
スによって与えられる。
【0005】通常、横バイアス場は、MR要素に隣接し
て付着され、薄い磁気絶縁層によって分離された軟磁性
体の層を通る電流によって与えられる。この横バイアス
場をもたらす方法には、MR要素感知電流のかなりの部
分が、センサ要素に隣接する導通層を介して分流すると
いう大きな短所がある。その結果、全体的な磁気抵抗
(ΔR/R)が低下し、したがって、感度が低下する。
感知電流と磁化容易軸磁化ベクトルの間に角度を設ける
ためのもう1つの方法を、「バーバー・ポール(barber
pole)」と称するが、この方法では、MRストリップ
を横切って磁化容易軸に関して傾けて形成され、これに
よって磁化容易軸磁化ベクトルに関する電流ベクトルの
方向を傾ける、導電ストライプを使用する。しかし、こ
のバーバー・ポール設計には、感知電流の分流は存在し
ないが、MRセンサ要素の有効長がセンサ・リード接点
間の縦方向の距離未満になるという短所がある。バーバ
ー・ポール設計では、傾いた導電ストライプを形成する
ために正確なリソグラフィ処理も必要である。
【0006】米国特許第4841398号明細書に、特
定の活性領域で安定した単一の磁区をもたらす形状感知
要素を有するMRセンサが開示されている。好ましい実
施例の1つでは、横バイアスを使用せず、したがって、
バーバー・ポール構成が除去されて、感知要素磁化ベク
トルが感知電流ベクトルと平行になり、非線形応答モー
ドで動作するMRセンサがもたらされる。もう1つの実
施例では、中央活性領域の両端で感知要素に接続された
傾いた電気接点またはリードが、感知電流ベクトルの方
向を傾けて、センサの線形動作をもたらす。その代わり
に、同明細書では、傾いた電気リードと組み合わせて傾
いた磁化容易軸を設けて線形動作をもたらすように感知
要素を形成することが開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主目的は、感度を高めた磁気抵抗(MR)読取りセンサ
を提供することである。
【0008】本発明のもう1つの目的は、横バイアス層
とその磁気絶縁層とが、MRセンサの安定した線形動作
のために必要でないことを特徴とする、MR読取りセン
サを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の原理によれば、
MR読取りセンサに、MR感知要素を形成する磁気抵抗
材料の層が含まれ、MRストライプの一軸異方性と感知
要素の活性領域の形状異方性だけを利用することによっ
てMRセンサにバイアスが与えられる。MR要素の活性
領域は、全般的に正方形の幾何形状を有して、所望の形
状異方性をもたらす。MRセンサは、MRセンサの製造
中に、感知要素活性領域の4つのエッジで、その形状異
方性を利用して磁化を画定し、磁化容易軸を適切な角度
に傾けることによって、約45°のバイアスを与えられ
る。バルクハウゼン雑音を最小にするために、センサの
活性領域寸法すなわち、ストライプ高さとトラック幅
を、特性磁壁、すなわち磁区ネール壁、の厚さ未満に縮
小して、閉じた複数磁区の形成が、最早、磁気エネルギ
ー的には有利でなくなるようにすることによって、単一
磁区構成を達成する。
【0010】本発明のMRセンサでは、対称で線形の応
答を得るための適切なバイアスが、横バイアス層に分流
する電流を使用せずに達成される。したがって、感知電
流のすべてが、MR感知要素を通り、MRセンサに関す
る最大の感度が得られる。
【0011】
【実施例】ここで図1を参照するが、図1に示されるよ
うに磁気ディスク記憶装置内で実施されるものとして本
発明を説明するが、本発明は、たとえば磁気テープ記録
システムなど、他の磁気記録システムにも適用可能であ
ることが明白である。少なくとも1つの回転可能な磁気
ディスク(以下、ディスクと呼称する)12が、スピン
ドル14上に支持され、ディスク駆動モータ18によっ
て回転される。各ディスク上の磁気記録媒体は、ディス
ク12上の同心円状のデータ・トラック(図示せず)の
環状のパターンという形式になっている。
【0012】少なくとも1つのスライダ13が、ディス
ク12上で位置決めされ、各スライダ13は、通常は読
み書きヘッドと称する1つまたは複数の磁気読み書き変
換器(以下、ヘッドと呼称する)21を支持する。ディ
スクが回転する際に、スライダ13は、ディスク表面2
2の上で半径方向に内外に移動され、その結果、ヘッド
21が、所望のデータが記録されるディスクの異なる部
分をアクセスできるようになる。各スライダ13は、サ
スペンション15によってアクチュエータ・アーム19
に取り付けられる。サスペンション15は、スライダ1
3をディスク表面22に向けて偏向させるわずかなばね
力をもたらす。各アクチュエータ・アーム19は、アク
チュエータ手段27に取り付けられる。図1に示される
ように、アクチュエータ手段は、たとえばボイス・コイ
ル・モータ(VCM)とすることができる。VCMに
は、固定された磁界の中で移動可能なコイルが含まれ、
コイルの移動の向きと速度は、コントローラによって供
給されるモータ電流信号によって制御される。
【0013】ディスク記憶システムの動作中には、ディ
スク12の回転によって、スライダ13とディスク表面
22の間にエア・ベアリングが生成され、これがスライ
ダに上向きの力を働かせる。したがって、このエア・ベ
アリングは、サスペンション15のわずかなばね力と平
衡し、動作中にスライダ13をディスク表面から離し、
ディスク表面からわずかに上で実質的に一定の小さな間
隔だけ離れた位置に支持する。
【0014】ディスク記憶システムのさまざまな構成要
素は、動作中に、アクセス制御信号や内部クロック信号
など、制御ユニット29によって生成される制御信号に
よって制御される。通常、制御ユニット29には、たと
えば論理制御回路、記憶手段およびマイクロプロセッサ
が含まれる。制御ユニット29は、線23上の駆動モー
タ制御信号や線28上のヘッド位置・シーク制御信号な
ど、さまざまなシステム動作を制御するための制御信号
を生成する。線28上の制御信号は、選択されたスライ
ダ13を関連するディスク12の所望のデータ・トラッ
クへ最適に移動し位置決めするために望まれる電流プロ
ファイルを供給する。読取り信号と書込み信号は、記録
チャネル25によって、ヘッド21との間で通信され
る。
【0015】典型的な磁気ディスク記憶システムの上の
説明と、図1の添付図は、代表例を示すことだけが目的
である。ディスク記憶システムに、大量のディスクとア
クチュエータを含めることができ、各アクチュエータが
複数のスライダを支持できることは明白である。
【0016】ここで図2を参照すると、たとえば米国特
許第4663685号明細書に記載されたタイプの従来
技術の薄膜MRセンサ30には、受動端である端部領域
36および38を分離する中央活性領域34が含まれ
る。1層の軟磁性体を基板32の上に堆積して、横バイ
アス層31を形成する。スペーサ層33、MR層35お
よび反強磁性層39が、横バイアス層31の上に連続的
に堆積され、反強磁性層39は、端部領域36および3
8でのみMR層35に重なり、これと接触するようにパ
ターン形成されている。導電リード41が、端部領域3
6および38でのみ反強磁性層39に重なり、これと接
触するようにパターン形成される。端部領域36および
38の導電リード間に接続される電流源43が、中央活
性領域34に感知電流を供給し、その一部が、MRセン
サ内で線形応答を生じるための横バイアス場を生成す
る。MR層35は、たとえばNi81Fe19などの強磁性
体から形成されるが、記録チャネル25内の別々の感知
回路がMR層内の抵抗変化を判定できるようにする出力
電流を供給する。この抵抗変化は、ディスク表面22に
記録されたデータを表す、MR層35によって遮られる
磁場の変化の関数である。
【0017】MR層35が確実に一軸異方性を有するよ
うにするために、反強磁性層39をMR層35の上に形
成する。反強磁性層39には、整然としたCuAu−I
型構造すなわち面心四面体(fct)構造を有する、反
強磁性θ相Mn合金、好ましくはNiMnが含まれる。
反強磁性層39は、強磁性のMR層35との界面交換結
合を生じる。これが、MR層内の縦方向の交換バイアス
場(HUA)をもたらし、MR層35内に単一磁区を生じ
る。MR層内の単一磁区状態の存在は、複数磁区状態を
示すMR材料に関連するバルクハウゼン雑音を抑止する
ために必要不可欠である。
【0018】横バイアス層31は、MR層35内の磁場
をディスク表面22に平行でない方向にわずかに偏向さ
せるために、ディスク表面22に対しておおむね垂直の
向きの磁場をもたらす。この横バイアス場が、MR層3
5を線形応答モードに維持し、その電流出力が基本的に
抵抗変化の線形関数になるようにする。横バイアス層3
1は、たとえばタンタル(Ta)などの薄い非磁性スペ
ーサ層によって、MR層35から分離される。
【0019】上で述べたように、感知電流の一部は、M
Rセンサのために横バイアス場を生成する目的のため、
横バイアス層31を介して分流する。さらに、スペーサ
層33は、通常はTaの高抵抗率相などの比較的高抵抗
率の材料であるが、感知電流の一部が、このスペーサ層
にも分流する。したがって、感知電流の一部だけが、M
R層35の活性領域を通って流れ、低い出力信号と感度
の低下をもたらす。
【0020】ここで図3、図4および図5を参照する
と、本発明の原理に従うエッジ・バイアス式MRセンサ
は、適当な一軸異方性Hkと共にMRセンサの活性部分
のエッジでの磁化を定義することによって達成される。
図3は、矢印53によって示される一軸異方性Hkと、
全般的に正方形の幾何形状とを有するエッジ・バイアス
式のMR感知要素50を示す図である。活性領域が実質
的に正方形の幾何形状を有するMRセンサの場合、結果
的に異方性場が、MRセンサに約45°のバイアスを与
え、センサの活性領域に横バイアス場をもたらすための
追加の磁性層の必要がなくなる。異方性場を45°また
は他の好ましい向きに向ける傾向を強めるために、セン
サ製造中に、MR感知要素50の磁化容易軸も、センサ
の縦軸(longitudinal axis)に関して45°にセット
することができる。たとえば、付着の後に、MR感知要
素50を、所望の向きを有する磁場の存在の下で焼きな
ますか、当技術分野で既知の他の適当な技法を用いるこ
とができる。したがって、横バイアス層31とスペーサ
層33を通って分流する電流も除去され、MRセンサ層
のΔR/Rの完全な利用が実現される。
【0021】単一磁区構成を達成するために、MR感知
要素50の幾何形状(すなわち、図10のストライプ高
さ(h)とトラック幅(TW))は、閉じた複数磁区の
形成が最早磁気エネルギー的には有利でなくなるよう
に、特性磁壁厚さより小さくなるように選択される。た
とえば約200Å未満の厚さを有する膜など、極薄膜で
は、磁気モーメントが薄膜の平面内で回転するネール壁
だけが観察される。図4は、S. Middlehoek著、"Domain
Walls in Thin Ni-Fe Films", Journal of Applied Ph
ysics, April 1964, Vol. 34, No. 4, page 1054-1059
によって報告された計算と測定に基づく、Ni20Fe80
合金薄膜の、ネール壁厚さ対NiFe薄膜厚さのプロッ
トである。図5は、さまざまなデータ記録密度に関し
て、図4に示されたデータから抽出されたネール壁厚さ
とMRセンサ(活性領域)の幾何形状パラメータを比較
した表である。図5から、記録密度が高まる際に、MR
センサの幾何形状が、ネール壁厚さ以内に十分に収まる
ことがわかる。
【0022】ここで図6、図7および図8を参照する
と、本発明によるMRセンサの好ましい実施例が示され
ている。MRセンサ60には、強磁性体のMR層61
と、MR層の両端に形成される導電リード63が含まれ
る。このセンサの活性領域62は、MR層61上の導電
リード63構造のオーバーレイによって画定される。こ
の好ましい実施例では、MR層61が、Ta(50Å)
/NiFe(150Å)/Ta(50Å)の構造を有す
る多層薄膜であり、このTa層は、後続処理と使用によ
る腐食その他の望ましくない影響からNiFe層を保護
する。しかし、従来技術で既知のとおり、MR感知層
は、Fe、Ni、Coまたはそれらの磁性合金など、適
当な強磁性体からなるものとすることができる。同様
に、導電リードには、Ta(200Å)/AuNi(6
00Å)/Ta(200Å)の構造を有する多層薄膜が
含まれるが、これは、たとえばAuやCuなど、適当な
導電材料からなるものとすることができる。MR層の活
性領域62の寸法は、MR層の磁気結晶異方性が、追加
の縦または横のバイアス機構を使用せずに、縦軸に関し
て約45°傾いた所望のバイアス場をもたらすように選
択される。
【0023】図6に示された構造を有する、さまざまな
寸法の磁気抵抗センサを製造し、テストして、磁区の安
定性とバイアス場の角度に対するセンサ幾何形状の影響
を判定した。150Åの厚さを有するNiFeのMR層
に関して、1.4μmまたは2.3μmのMRストライ
プ高さと、1.0μm、2.0μm、4.0μmまたは
10μmのトラック幅を有するシールド付きMRセンサ
の2×4行列(8通りの組み合わせ)に対して、ウエハ
・レベルのテストを行った。図7に、1.4μmのMR
ストライプ高さを有するセンサの、トラック幅に対する
MRストライプ高さの比の関数としてのバイアス場の角
度(MRセンサ60の水平軸に関する)を示す。センサ
の活性領域62が実質的に正方形になるにつれて、すな
わち、トラック幅を10μmから1.0μmに減らすに
つれて、センサは、バイアスなしから約45°のバイア
ス場角度へ変化する。図7からは、特に所望のバイアス
場角度である45°の付近で、MRセンサの幾何形状比
に伴ってバイアス場の向きが急激に変化することもわか
る。
【0024】図8に、1.2μmのMRストライプ高
さ、1.0μmのトラック幅、150ÅのMR層厚さを
有する、ラップ加工されたエッジ・バイアス式のMRセ
ンサ60に関する、準静的応答曲線のプロットを示す。
MRセンサに印加された感知電流は、6mAである。応
答は線形であり、センサに正しいバイアスが与えられて
いることが示されている。この応答曲線には、曲線の一
部にわずかなヒステリシスがあり、残存磁区構造が存在
する可能性も示されている。ヒステリシスを最少にし、
バイアス場の安定性を高めるために、図示の場合のよう
にMRセンサの活性領域寸法がネール壁厚さより大きい
時には、センサの導電リード63内に交換バイアス層ま
たは硬質バイアス層を含めることによって、活性領域6
2内に弱い縦バイアス場を設けることができる。
【0025】ここで図9および図10を参照すると、本
発明によるエッジ・バイアス式MRセンサの第2の好ま
しい実施例が示されている。MRセンサ90には、たと
えばNi80Fe20などの強磁性体のMR層91、MRセ
ンサ受動領域またはセンサ端部領域94だけをカバーす
るようにパターン形成された、たとえばMnFeやNi
Mnなどの反強磁性体のピン止め層93、および、セン
サ端部領域94でピン止め層の上に形成された、たとえ
ばAuやCuなどの適当な導電材料の導電リード95が
含まれる。その代わりに、ピン止め層93を、たとえば
CoNi、CoPtまたはそれらのCrを含む合金など
の硬質磁気材料からなるものとすることができる。MR
センサ90は、たとえばSiやセラミック材料などの基
板98の上に、基板の上でMR層91の下にたとえばT
aなどの所望の材料の絶縁層またはシード層96を形成
された状態で形成される。製造中に、MR層91は、M
R層の磁化容易軸を所望の向きに向けるために、所望の
向きを有する磁場の存在下で付着される。その代わり
に、当技術分野で既知のとおり、たとえば磁場の存在下
での焼きなましなどの他の適当な方法を使用して、磁化
容易軸の向きをセットすることができる。当技術分野で
既知のとおり、磁気シールド層などの追加材料層を、M
R層91と基板98の間に挿入することも可能である。
【0026】センサの活性領域92の寸法は、そのMR
センサがそれに合わせて設計される磁気記憶システムの
データ記憶密度の関数である。たとえば、図5に示され
るように、約0.00310GB/mm2(2GB/平
方インチ)の記録密度の場合、MR層91の活性部分
は、約1.0μmのトラック幅TWと、約0.6μmの
ストライプ高さhと、約120Åの厚さを有する。反強
磁性のピン止め層93の厚さは、約50Åから約300
Åまでの範囲内にある。
【0027】MRセンサ90は、導電リード95および
101を介して、電流源99と信号検出・処理回路97
に結合される。電流源99は、MR層91の活性領域9
2に感知電流を供給する。図1および図2に関連して説
明したように、印加された磁気信号に応答してMRセン
サによって生成された出力信号は、信号検出・処理回路
97内で処理される。
【0028】活性領域またはトラックのエッジ103で
のMR層の磁化は、反強磁性のピン止め層93への交換
結合によって固定または「ピン止め」されて、エッジ1
03での磁気モーメントの切替えまたは回転が発生しな
いようになっている。角や他の幾何的な不連続点での磁
気的な特異性を最少化または除去するために、MR層9
1は、活性領域92とセンサ端部領域94にまたがる連
続的な薄膜として延びる。
【0029】本発明の好ましい実施例に関して具体的に
本発明を図示し、説明してきたが、当業者であれば、本
発明の主旨、範囲および教示から逸脱せずに形態と詳細
をさまざまに変更できることを理解するであろう。した
がって、本明細書に開示された発明は、単なる例示とみ
なされるべきであり、請求の範囲で指定される範囲にの
み制限される。
【0030】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0031】(1)ほぼ正方形の形状を画定する平面寸
法を有する強磁性体の層を含み、前記強磁性体の層の磁
化が、そのエッジで事前に定義された向きを有し、その
異方性磁軸が、前記強磁性層の縦軸に関して約45°に
向いた、磁気抵抗センサ。 (2)前記強磁性体の平面寸法が、前記強磁性層内の磁
区ネール壁の厚さ未満であることを特徴とする、上記
(1)に記載の磁気抵抗センサ。 (3)前記強磁性体が、鉄、ニッケル、コバルト、およ
び、鉄、ニッケルまたはコバルトの合金からなるグルー
プから選択されることを特徴とする、上記(2)に記載
の磁気抵抗センサ。 (4)前記強磁性体が、ニッケルおよび鉄を含む合金で
あることを特徴とする、上記(3)に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 (5)中央活性領域によって分離された端部領域を有す
る磁気抵抗センサであって、前記中央活性領域が、前記
中央活性領域内での抵抗変化を表す信号を生成するため
に、遮られた磁界に応答し、基板上に付着され、少なく
とも前記中央活性領域の上に延びる強磁性体の層であっ
て、前記中央活性領域内の前記強磁性体が、ほぼ正方形
の形状を画定する平面寸法を有し、前記強磁性体の層の
磁化が、前記中央活性領域のエッジで事前に定義された
向きを有し、異方性磁軸が、前記強磁性層の縦軸に関し
て約45°に向いた、強磁性体の層と、前記磁気抵抗セ
ンサの前記端部領域の上に付着され、前記強磁性体の層
と接触し、前記中央活性領域の対向するエッジまで延び
る導電リードであって、前記中央活性領域の水平寸法が
前記導電リードのエッジによって決定される、導電リー
ドとを含む、磁気抵抗センサ。 (6)前記強磁性体の平面寸法が、前記強磁性体の層内
の磁区ネール壁の厚さ未満であることを特徴とする、上
記(5)に記載の磁気抵抗センサ。 (7)前記強磁性体が、鉄、ニッケル、コバルト、およ
び、鉄、ニッケルまたはコバルトの合金からなるグルー
プから選択されることを特徴とする、上記(6)に記載
の磁気抵抗センサ。 (8)前記強磁性体が、ニッケルおよび鉄を含む合金で
あることを特徴とする、上記(7)に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 (9)前記導電リードが、金、銀、銅、タンタル、およ
びそれらの導電合金を含むグループから選択された導電
材料からなることを特徴とする、上記(6)に記載の磁
気抵抗センサ。 (10)前記導電リードのそれぞれに、タンタルの下
層、前記下層の上に形成された金−ニッケル合金の導電
層および、前記導電層の上に形成されたタンタルの上層
が含まれることを特徴とする、上記(6)に記載の磁気
抵抗センサ。 (11)さらに、前記端部領域の上だけに延びる磁気バ
イアス材料の層を含む、上記(5)に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 (12)中央活性領域によって分離された端部領域を有
する磁気抵抗センサであって、前記中央活性領域が、前
記中央活性領域内での抵抗変化を表す信号を生成するた
めに、遮られた磁界に応答し、基板上に付着され、少な
くとも前記中央活性領域の上に延びる強磁性体の層であ
って、前記中央活性領域内の前記強磁性体が、全般的に
正方形の形状を画定する平面寸法を有し、前記強磁性体
の層の磁化が、前記中央活性領域のエッジで事前に定義
された向きを有し、異方性磁軸が、前記強磁性体の層の
縦軸に関して約45°に向いた、強磁性体の層と、前記
基板上で前記端部領域内だけに付着され、少なくとも前
記中央活性領域のエッジで前記強磁性体の層と接触す
る、前記中央活性領域のエッジで前記強磁性体の層の磁
化を前記事前に定義された向きに維持するための磁気バ
イアス材料の層とを含む、磁気抵抗センサ。 (13)さらに、前記磁気抵抗センサの前記端部領域の
上に付着され、前記磁気バイアス層の上に横たわる導電
リードを含み、前記導電リードが、前記中央活性領域の
対向するエッジまで延び、前記中央活性領域の水平寸法
が、前記導電リードのエッジによって決定される、上記
(12)に記載の磁気抵抗センサ。 (14)前記磁気抵抗センサに感知電流を供給するため
前記導電リードに結合された電流手段と、前記信号を受
け取り、処理するため、前記電流手段および前記導電リ
ードに結合された回路手段とをさらに含む、上記(1
3)に記載の磁気抵抗センサ。 (15)前記強磁性体の平面寸法が、前記強磁性体の層
内の磁区ネール壁の厚さ未満であることを特徴とする、
上記(12)に記載の磁気抵抗センサ。 (16)前記強磁性体が、鉄、ニッケル、コバルトおよ
び、鉄、ニッケルまたはコバルトの合金からなるグルー
プから選択されることを特徴とする、上記(12)に記
載の磁気抵抗センサ。 (17)前記強磁性体が、ニッケルおよび鉄を含む合金
であることを特徴とする、上記(16)に記載の磁気抵
抗センサ。 (18)前記導電リードが、金、銀、銅、タンタルおよ
びそれらの導電合金を含むグループから選択された導電
材料からなることを特徴とする、上記(13)に記載の
磁気抵抗センサ。 (19)前記導電リードのそれぞれに、タンタルの下
層、前記下層の上に形成された金−ニッケル合金の導電
層および、前記導電層の上に形成されたタンタルの上層
が含まれることを特徴とする、上記(13)に記載の磁
気抵抗センサ。 (20)前記磁気バイアス層が、反強磁性体からなるこ
とを特徴とする、上記(12)に記載の磁気抵抗セン
サ。 (21)前記反強磁性体が、マンガン−鉄およびニッケ
ル−マンガンからなるグループから選択されることを特
徴とする、上記(20)に記載の磁気抵抗センサ。 (22)前記磁気バイアス層が、硬磁性材料からなるこ
とを特徴とする、上記(12)に記載の磁気抵抗セン
サ。 (23)前記硬磁性材料が、コバルト−ニッケル、コバ
ルト−白金、コバルト−ニッケル−クロムおよびコバル
ト−白金−クロムからなるグループから選択されること
を特徴とする、上記(22)に記載の磁気抵抗センサ。 (24)データを記録するための複数のトラックを有す
る磁気記憶媒体と、磁気変換器と前記磁気記憶媒体との
間の相対運動の間に前記磁気記憶媒体に対して狭い間隔
の位置に維持される磁気変換器であって、中央活性領域
によって分離された受動端部領域を有し基板上に形成さ
れた磁気抵抗センサを含み、少なくとも前記中央活性領
域の上に延び、前記中央活性領域内でほぼ正方形の形状
を画定する平面寸法を有し、前記平面寸法が、前記強磁
性体の層の磁区ネール壁の厚さ未満であり、前記中央活
性領域のエッジで事前に定義された向きの磁化を有し、
異方性磁軸が強磁性体の層の縦軸に関して約45°に向
いた、強磁性体の層と、前記基板上で前記端部領域内だ
けに付着され、少なくとも前記中央活性領域のエッジで
前記強磁性体の層と接触する、前記中央活性領域のエッ
ジで前記強磁性体の層の磁化を前記事前に定義された向
きに維持するための磁気バイアス材料の層と、前記磁気
抵抗センサの前記端部領域の上に堆積され、前記磁気バ
イアス層の上に横たわり、前記中央活性領域の対向する
エッジまで延び、前記中央活性領域の水平寸法が導電リ
ードのエッジによって決定される、導電リードとを含む
磁気変換器と、前記磁気変換器に結合された、前記磁気
変換器を前記磁気記憶媒体上の選択されたトラックに移
動するためのアクチュエータ手段と、前記磁気抵抗セン
サに結合された、前記磁気抵抗センサによって遮られる
前記磁気記憶媒体内に記録されたデータ・ビットを表す
磁界に応答して前記磁気抵抗材料内の抵抗変化を検出す
るための手段とを含む、磁気記憶システム。 (25)前記強磁性体が、鉄、ニッケル、コバルトおよ
び、鉄、ニッケルまたはコバルトの合金からなるグルー
プから選択されることを特徴とする、上記(24)に記
載の磁気抵抗センサ。 (26)前記強磁性体が、ニッケルおよび鉄を含む合金
であることを特徴とする、上記(25)に記載の磁気抵
抗センサ。 (27)前記導電リードが、金、銀、銅、タンタルおよ
びそれらの導電合金を含むグループから選択された導電
材料からなることを特徴とする、上記(24)に記載の
磁気抵抗センサ。 (28)前記導電リードのそれぞれに、タンタルの下
層、前記下層の上に形成された金−ニッケル合金の導電
層および、前記導電層の上に形成されたタンタルの上層
が含まれることを特徴とする、上記(24)に記載の磁
気抵抗センサ。 (29)前記磁気バイアス層が、反強磁性体からなるこ
とを特徴とする、上記(24)に記載の磁気抵抗セン
サ。 (30)前記反強磁性体が、マンガン−鉄およびニッケ
ル−マンガンからなるグループから選択されることを特
徴とする、上記(29)に記載の磁気抵抗センサ。 (31)前記磁気バイアス層が、硬磁性材料からなるこ
とを特徴とする、上記(24)に記載の磁気抵抗セン
サ。 (32)前記硬磁性材料が、コバルト−ニッケル、コバ
ルト−白金、コバルト−ニッケル−クロムおよびコバル
ト−白金−クロムからなるグループから選択されること
を特徴とする、上記(31)に記載の磁気抵抗センサ。 (33)中央活性領域によって分離された受動端を有
し、前記中央活性領域が、前記中央活性領域内の抵抗変
化を表す信号を生成するため、遮られた磁界に応答する
タイプの磁気抵抗センサを製造する方法であって、前記
中央活性領域内の磁気抵抗強磁性体の層が、全般的に正
方形の形状を画定する平面寸法を有し、前記強磁性体の
平面寸法が、前記強磁性体の層内の磁区ネール壁の厚さ
未満であり、前記強磁性体の層の磁化が、前記中央活性
領域のエッジで事前に定義された向きを有するように、
基板上で少なくとも前記中央活性領域の上に前記磁気抵
抗強磁性体の層を付着するステップと、少なくとも前記
中央活性領域の対向するエッジで前記磁気抵抗層と直接
接触する反強磁性体の層を、前記基板上で前記端部領域
の上だけに付着するステップと、前記強磁性体の層の磁
化容易軸を事前に定義された向きに向けるため、前記付
着された強磁性体の層および反強磁性層を磁界の存在下
で焼きなますステップとを含む方法。
【0032】
【発明の効果】本発明のMRセンサは、横バイアス層を
有さないため、感知電流が分流することなく効率よくM
R要素を通り、高い感度を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施する磁気ディスク記憶システムを
単純化したブロック図である。
【図2】従来技術の薄膜MRセンサの構成を示す概略図
である。
【図3】本発明の原理に従うMR感知要素の磁化を示す
図である。
【図4】NiFe層厚さの関数として磁壁厚さを示すグ
ラフである。
【図5】記録密度の関数としてエッジ・バイアス式MR
センサの幾何形状パラメータを示す表である。
【図6】本発明の原理に従うMRセンサの好ましい実施
例を示す図である。
【図7】1.4μmのストライプ高さを有するセンサに
対するMRストライプ幾何形状の比の関数としてMRバ
イアス角度を示すグラフである。
【図8】1.2μmのストライプ高さと1.0μmのト
ラック幅を有するエッジ・バイアス式MRセンサの応答
を示すグラフである。
【図9】本発明の原理に従うエッジ・バイアス式MRセ
ンサのもう1つの好ましい実施例を示す、エア・ベアリ
ング面での横断面図である。
【図10】図9に示されたMRセンサの端部領域と中央
領域での磁化を示す上面図である。
【符号の説明】
60 MRセンサ 61 MR層 62 活性領域 63 導電リード 90 MRセンサ 91 MR層 92 活性領域 93 ピン止め層 94 センサ端部領域 95 導電リード 96 シード層 97 信号検出・処理回路 98 基板 99 電流源 101 導電リード 103 エッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポー=カン・ワン アメリカ合衆国95120 カリフォルニア 州サンノゼ シャドウ・ブルック・ドラ イブ 1007 (56)参考文献 特開 昭61−243922(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/39 G11B 5/127 H01F 10/00

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】活性領域を規定する所定の長さおよび高さ
    の平面寸法を有し、該活性領域の縁部における磁化が予
    め定めた向きに配向されている強磁性体の層を含み、該
    強磁性体層の異方性磁軸が該強磁性体層の長さ方向に関
    して約45°に配向されるように前記平面寸法の長さお
    よび高さがほぼ等しく選択されていることを特徴とする
    磁気抵抗センサ。
  2. 【請求項2】実質的に正方形状の活性領域の縁部におけ
    る磁化が予め定めた向きに配向され、かつ、異方性磁軸
    が強磁性体層の長さ方向に関して約45°に配向されて
    いる強磁性体層を含み、前記活性領域の各辺寸法は、バ
    ルクハウゼン雑音を減少させるように、前記強磁性体層
    内の磁区ネール壁の厚さよりも小さい寸法に選択されて
    いることを特徴とする磁気抵抗センサ。
  3. 【請求項3】前記強磁性体が鉄、ニッケル、コバルト、
    および、鉄、ニッケルまたはコバルトの合金からなるグ
    ループから選択されることを特徴とする請求項1または
    2に記載の磁気抵抗センサ。
  4. 【請求項4】前記強磁性体がニッケルおよび鉄を含む合
    金であることを特徴とする請求項3に記載の磁気抵抗セ
    ンサ。
  5. 【請求項5】中央活性領域によって分離された端部領域
    を有し、該中央活性領域が記憶データの磁界に応答し
    て、該中央活性領域内での抵抗変化を表す信号を生成す
    るための磁気抵抗センサであって、 基板上に付着され少なくとも前記中央活性領域を越えて
    前記端部領域へ延びている強磁性体の層であって、前記
    中央活性領域内に位置している前記強磁性体層がほぼ正
    方形の形状を規定する平面寸法を有し、該平面寸法がそ
    の強磁性体層内の磁区ネール壁の厚さよりも小さい寸法
    に選択され、前記強磁性体層の磁化が前記正方形の縁部
    において予め定めた向きに配向され、異方性磁軸が前記
    強磁性層の縦軸に関して約45°に配向されている前記
    強磁性体層と、 前記端部領域の位置で前記強磁性体層と接触するように
    付着され、前記中央活性領域の対向する縁部にまで延び
    ている導電リードであって、前記中央活性領域の長さ
    法が前記導電リード端部によって規定されている前記導
    電リードと、 を含む磁気抵抗センサ。
  6. 【請求項6】さらに、前記端部領域の位置にだけ延びる
    磁気材料のバイアス層を含む請求項5に記載の磁気抵抗
    センサ。
  7. 【請求項7】中央活性領域によって分離された端部領域
    を有し、該中央活性領域が記憶データの磁界に応答し
    て、該中央活性領域内での抵抗変化を表す信号を生成す
    るための磁気抵抗センサであって、 基板上に付着され少なくとも前記中央活性領域を越えて
    前記端部領域へ延びている強磁性体の層であって、該中
    央活性領域内に位置している前記強磁性体層が全般的に
    正方形の形状を規定する平面寸法を有し、該平面寸法が
    前記強磁性体層内の磁区ネール壁の厚さよりも小さい寸
    法に選択され、前記強磁性体層の磁化が前記正方形の縁
    部において予め定めた向きに配向され、異方性磁軸が前
    記強磁性層の縦軸に関して約45°に配向されている前
    強磁性体層と、 前記基板上で前記端部領域内だけに付着され少なくとも
    前記中央活性領域の縁部で前記強磁性体層と接触する
    気材料のバイアス層であって、前記中央活性領域縁部
    おいて前記強磁性体層の磁化を前記予め定めた配向に維
    持するための前記磁気バイアス層と、 を含む磁気抵抗センサ。
  8. 【請求項8】さらに、前記磁気バイアス層の上に横たわ
    るように前記磁気抵抗センサの前記端部領域の位置に付
    着されている導電リードを含み、該導電リードが前記中
    央活性領域の対向する縁部にまで延び、前記中央活性領
    域の長さ寸法が前記導電リードの端部によって決定され
    る請求項7に記載の磁気抵抗センサ。
  9. 【請求項9】前記磁気抵抗センサに感知電流を供給する
    ため前記導電リードに結合された電流手段と、 前記信号を受け取り、処理するため、前記電流手段およ
    び前記導電リードに結合された回路手段と、 をさらに含む請求項7に記載の磁気抵抗センサ。
  10. 【請求項10】前記強磁性体が鉄、ニッケル、コバルト
    および、鉄、ニッケルまたはコバルトの合金からなるグ
    ループから選択されることを特徴とする請求項5または
    7に記載の磁気抵抗センサ。
  11. 【請求項11】前記強磁性体がニッケルおよび鉄を含む
    合金であることを特徴とする請求項10に記載の磁気抵
    抗センサ。
  12. 【請求項12】前記導電リードが金、銀、銅、タンタル
    およびそれらの導電合金を含むグループから選択された
    導電材料からなることを特徴とする請求項5または8に
    記載の磁気抵抗センサ。
  13. 【請求項13】前記導電リードのそれぞれに、タンタル
    の下層、該タンタル下層の上に形成された金−ニッケル
    合金の導電層および、該導電層の上に形成されたタンタ
    ルの上層が含まれることを特徴とする請求項5または8
    に記載の磁気抵抗センサ。
  14. 【請求項14】前記磁気バイアス層が反強磁性体からな
    ることを特徴とする請求項7に記載の磁気抵抗センサ。
  15. 【請求項15】前記反強磁性体がマンガン−鉄およびニ
    ッケル−マンガンからなるグループから選択されること
    を特徴とする請求項14に記載の磁気抵抗センサ。
  16. 【請求項16】前記磁気バイアス層が硬磁性材料からな
    ることを特徴とする請求項6または7に記載の磁気抵抗
    センサ。
  17. 【請求項17】前記硬磁性材料がコバルト−ニッケル、
    コバルト−白金、コバルト−ニッケル−クロムおよびコ
    バルト−白金−クロムからなるグループから選択される
    ことを特徴とする請求項16に記載の磁気抵抗センサ。
  18. 【請求項18】データを記録するための複数のトラック
    を有する磁気記憶媒体と、 磁気変換器と前記磁気記憶媒体との間の相対運動の間に
    前記磁気記憶媒体に対して狭い間隔の位置に維持される
    磁気変換器であって、中央活性領域によって分離された
    受動端部領域を有し基板上に形成された磁気抵抗センサ
    を含む前記磁気変換器と、 前記磁気変換器に結合され、前記磁気変換器を前記磁気
    記憶媒体上の選択されたトラックに移動するためのアク
    チュエータ手段と、 前記磁気抵抗センサに結合され、前記磁気記憶媒体内に
    記録されたデータ・ビットを表す磁界に応答して前記磁
    気抵抗材料内の抵抗変化を検出するための手段と、 からなる磁気記憶システムにおいて、前記磁気抵抗セン
    サは、 少なくとも前記中央活性領域を越えて前記受動端部領域
    まで延び、該中央活性領域内でほぼ正方形の形状を規定
    する平面寸法を有し、該平面寸法が前記強磁性体層の磁
    区ネール壁の厚さ未満であり、前記正方形の縁部におけ
    磁化が予め定めた配向に選択され、異方性磁軸が強磁
    性体の層の縦軸に関して約45°に配向されている強磁
    性体層と、 前記基板上で前記受動端部領域にだけ付着され少なくと
    も前記中央活性領域の縁部で前記強磁性体層と接触する
    磁気材料のバイアス層であって、前記中央活性領域の
    で前記強磁性体層の磁化を前記予め定めた配向に維持
    するための前記磁気バイアス層と、前記基板上で 前記端部領域内の位置に堆積され、前記磁
    気バイアス層の上に横たわり、前記中央活性領域の対向
    する縁部にまで延び、前記中央活性領域の長さ寸法が導
    電リード端部によって規定される導電リードと、を含む 磁気記憶システム。
  19. 【請求項19】中央活性領域によって分離された受動領
    域を有し、該中央活性領域が記憶データの磁界に応答し
    て該中央活性領域内の抵抗変化を表す信号を生成するた
    めのタイプの磁気抵抗センサを製造する方法であって、 前記中央活性領域内の磁気抵抗強磁性体の層が全般的に
    正方形の形状を規定する平面寸法を有し、前記強磁性体
    層の平面寸法が前記強磁性体層内の磁区ネール壁の厚さ
    未満であり、前記強磁性体層の磁化が前記正方形の縁部
    において予め定めた向きに配向するように、少なくとも
    前記中央活性領域の位置の基板上に前記強磁性体層を付
    着するステップと、 少なくとも前記受動領域で前記強磁性体層と直接接触す
    る反強磁性体の層を、前記受動端部領域の位置の前記基
    板上にだけ、付着するステップと、 前記強磁性体層の磁化容易軸を予め定めた向きに配向す
    るため、前記付着された強磁性体層および反強磁性層を
    磁界の存在下で焼きなますステップと、 を含む方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5991125A (en) * 1994-09-16 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head
JPH1098220A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 磁気抵抗効果素子
US6230390B1 (en) 1998-10-30 2001-05-15 Headway Technologies, Inc. Canted longitudinal patterned exchange biased dual-stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element and method for fabrication thereof
JP3382866B2 (ja) * 1998-12-18 2003-03-04 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
US6193584B1 (en) 1999-05-27 2001-02-27 Read-Rite Corporation Apparatus and method of device stripe height control
US6469877B1 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Read-Rite Corporation Spin valve device with improved exchange layer defined track width and method of fabrication
EP1129366B1 (en) * 1999-09-10 2005-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetoresistive sensor or memory elements with decreased magnetic switch field
US6344953B1 (en) 2000-03-08 2002-02-05 Seagate Technology, Llc Magnetoresistive read sensor using overlaid leads with insulating current guide layer
US6594124B2 (en) 2001-11-06 2003-07-15 Headway Technologies, Inc. Canted adjacent layer stabilized SV heads
US7211339B1 (en) * 2002-08-22 2007-05-01 Western Digital (Fremont), Inc. Highly conductive lead adjoining MR stripe and extending beyond stripe height at junction
US7180715B2 (en) * 2004-02-26 2007-02-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Canted easy axis in self-pinned layers
JP5362188B2 (ja) * 2007-03-29 2013-12-11 キヤノン電子株式会社 磁性体検出センサ
CN104766924A (zh) * 2014-01-08 2015-07-08 上海矽睿科技有限公司 一种磁性材料退火工艺
CN111490156A (zh) * 2020-04-21 2020-08-04 浙江驰拓科技有限公司 自旋轨道力矩磁存储器件及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4103315A (en) * 1977-06-24 1978-07-25 International Business Machines Corporation Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films
GB2016788A (en) * 1978-01-30 1979-09-26 Secretary Industry Brit Improvements in or Relating to Magneto-Resistive Readout Elements
DE3390321T1 (de) * 1982-11-11 1985-01-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Dünnfilm-Magnetkopf
JPS61243922A (ja) * 1985-04-19 1986-10-30 Sanyo Electric Co Ltd 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
US4663685A (en) * 1985-08-15 1987-05-05 International Business Machines Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias
US4841398A (en) * 1987-02-17 1989-06-20 Magnetic Peripherals Inc. Non linear magnetoresistive sensor
US4785366A (en) * 1987-07-09 1988-11-15 International Business Machine Corporation Magnetoresistive read transducer having patterned orientation of longitudinal bias
JPH01133213A (ja) * 1987-11-18 1989-05-25 Sharp Corp ヨーク型薄膜磁気ヘッド
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5285339A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer having improved bias profile
US5315468A (en) * 1992-07-28 1994-05-24 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5325253A (en) * 1993-02-17 1994-06-28 International Business Machines Corporation Stabilization of magnetoresistive transducer using canted exchange bias
US5343422A (en) * 1993-02-23 1994-08-30 International Business Machines Corporation Nonvolatile magnetoresistive storage device using spin valve effect

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07262533A (ja) 1995-10-13
CN1269577A (zh) 2000-10-11
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US5680281A (en) 1997-10-21
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KR0162119B1 (ko) 1998-12-15

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