JPH1197447A - 封止装置 - Google Patents
封止装置Info
- Publication number
- JPH1197447A JPH1197447A JP27525697A JP27525697A JPH1197447A JP H1197447 A JPH1197447 A JP H1197447A JP 27525697 A JP27525697 A JP 27525697A JP 27525697 A JP27525697 A JP 27525697A JP H1197447 A JPH1197447 A JP H1197447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- sealing
- pipe
- metal sheet
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高真空プロセスだけでなく、いわゆる微減圧
プロセスにおいても簡単な構成で高い封止効果を得る。 【解決手段】 内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気
とされる処理容器1における封止部19aの互いの対向
面20間を封止する装置である。対向面20間に、内周
側対向面20aを互に面接触させて封止する内周シール
部22と、外周側対向面20b間にメタルシート23を
挟んで封止する外周シール部24とを設ける。外周側対
向面20bに形成した環状溝部25にメタルシート23
を吸着する第1の排気手段26を接続し、内周シール部
22と外周シール部24との間に形成した環状空間部2
9に第2の排気手段30を接続する。第2の排気手段3
0は処理容器1内を排気管18により大気圧付近の圧力
となるように排気して処理を行う時に排気管18と環状
空間部29を接続する接続管33を有する。
プロセスにおいても簡単な構成で高い封止効果を得る。 【解決手段】 内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気
とされる処理容器1における封止部19aの互いの対向
面20間を封止する装置である。対向面20間に、内周
側対向面20aを互に面接触させて封止する内周シール
部22と、外周側対向面20b間にメタルシート23を
挟んで封止する外周シール部24とを設ける。外周側対
向面20bに形成した環状溝部25にメタルシート23
を吸着する第1の排気手段26を接続し、内周シール部
22と外周シール部24との間に形成した環状空間部2
9に第2の排気手段30を接続する。第2の排気手段3
0は処理容器1内を排気管18により大気圧付近の圧力
となるように排気して処理を行う時に排気管18と環状
空間部29を接続する接続管33を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、封止装置に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気
とされる処理容器を有し、この処理容器における封止部
の互いの対向面間を封止装置により封止するようにした
ものとしては、例えば半導体デバイスの製造工程で用い
られる熱処理装置がある。この熱処理装置は、被処理体
である半導体ウエハを収容する処理容器である反応管を
有しており、この反応管の周囲には反応管内を所定の温
度に加熱するヒータが設けられている。
とされる処理容器を有し、この処理容器における封止部
の互いの対向面間を封止装置により封止するようにした
ものとしては、例えば半導体デバイスの製造工程で用い
られる熱処理装置がある。この熱処理装置は、被処理体
である半導体ウエハを収容する処理容器である反応管を
有しており、この反応管の周囲には反応管内を所定の温
度に加熱するヒータが設けられている。
【0003】上記反応管の開口端には、処理ガス等の供
給、排気を行なうガス供給管部や排気管部を有するマニ
ホールドが接続されており、炉口として開口したマニホ
ールドの開口端は開閉可能な蓋体により閉じられるよう
になっている。また、上記マニホールドのガス供給管部
には、処理ガスや不活性ガスを供給するガス供給管が接
続され、排気管部には、反応管内を所定の減圧雰囲気に
するための真空ポンプ等を有する排気管が接続されてい
る。
給、排気を行なうガス供給管部や排気管部を有するマニ
ホールドが接続されており、炉口として開口したマニホ
ールドの開口端は開閉可能な蓋体により閉じられるよう
になっている。また、上記マニホールドのガス供給管部
には、処理ガスや不活性ガスを供給するガス供給管が接
続され、排気管部には、反応管内を所定の減圧雰囲気に
するための真空ポンプ等を有する排気管が接続されてい
る。
【0004】上記熱処理装置においては、反応管内を処
理ガス雰囲気および減圧雰囲気に保つために、上記反応
管とマニホールドの接続部、マニホールドと蓋体の当接
部等が、反応管内を気密に保つための封止部とされてお
り、これらの封止部に封止装置が設けられている。この
ような封止装置としては、種々のものが提案されている
(例えば、実開平1−12336号公報等参照。)。
理ガス雰囲気および減圧雰囲気に保つために、上記反応
管とマニホールドの接続部、マニホールドと蓋体の当接
部等が、反応管内を気密に保つための封止部とされてお
り、これらの封止部に封止装置が設けられている。この
ような封止装置としては、種々のものが提案されている
(例えば、実開平1−12336号公報等参照。)。
【0005】従来、一般的に用いられている封止装置
は、封止部の互いの対向面間をOリングを介して封止す
るようになっている。また、高耐熱性を有する封止装置
としては、封止部の互いの対向面間にメタルシートを挟
み、その対向面に形成された環状溝部を介して排気手段
によりメタルシートを対向面に吸着させるようにしたも
のなどがある。
は、封止部の互いの対向面間をOリングを介して封止す
るようになっている。また、高耐熱性を有する封止装置
としては、封止部の互いの対向面間にメタルシートを挟
み、その対向面に形成された環状溝部を介して排気手段
によりメタルシートを対向面に吸着させるようにしたも
のなどがある。
【0006】しかしながら、従来の封止装置において
は、反応管内が高真空の状態にされる場合、十分な封止
効果を得ることが困難となり、外部から容器内へリーク
が発生しやすくなる問題があった。また、Oリングやメ
タルシートが封止部の対向面間の隙間を通して反応管内
に露出する構造であったため、Oリングの場合には、O
リングからガスや含有水分の放出(脱ガスともいう)が
生じ、熱処理上の不具合が発生したり、あるいはメタル
シートの場合には、腐食性を有する処理ガスとの接触に
よりメタルシートが腐食したり、ウエハへの金属汚染が
発生しやすくなる問題があった。
は、反応管内が高真空の状態にされる場合、十分な封止
効果を得ることが困難となり、外部から容器内へリーク
が発生しやすくなる問題があった。また、Oリングやメ
タルシートが封止部の対向面間の隙間を通して反応管内
に露出する構造であったため、Oリングの場合には、O
リングからガスや含有水分の放出(脱ガスともいう)が
生じ、熱処理上の不具合が発生したり、あるいはメタル
シートの場合には、腐食性を有する処理ガスとの接触に
よりメタルシートが腐食したり、ウエハへの金属汚染が
発生しやすくなる問題があった。
【0007】そこで、本出願人は、上記問題点を解決す
るために、封止部の対向面間に、内周側対向面を互に面
接触させて封止する内周シール部と、外周側対向面間に
メタルシートを挟んで封止する外周シール部とを設け、
外周側対向面に形成した環状溝部にメタルシートを吸着
する第1の排気手段を接続し、内周シール部と外周シー
ル部との間に形成した環状空間部に第2の排気手段を接
続してなる封止装置を先に出願した(特願平9−541
54号、未公開)。この封止装置によれば、処理容器内
が高真空の状態にされる場合でも、高い封止効果が得ら
れ、リークを十分に抑制ないし防止することが可能とな
り、熱処理装置に適用した場合における金属汚染等の問
題も解消し得る。
るために、封止部の対向面間に、内周側対向面を互に面
接触させて封止する内周シール部と、外周側対向面間に
メタルシートを挟んで封止する外周シール部とを設け、
外周側対向面に形成した環状溝部にメタルシートを吸着
する第1の排気手段を接続し、内周シール部と外周シー
ル部との間に形成した環状空間部に第2の排気手段を接
続してなる封止装置を先に出願した(特願平9−541
54号、未公開)。この封止装置によれば、処理容器内
が高真空の状態にされる場合でも、高い封止効果が得ら
れ、リークを十分に抑制ないし防止することが可能とな
り、熱処理装置に適用した場合における金属汚染等の問
題も解消し得る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記封
止装置においては、高真空下での処理を想定して構成さ
れているため、処理容器内を大気圧付近の圧力となるよ
うに減圧排気して処理(これを微減圧プロセスともい
う。)を行う場合に、高真空下での処理と同様に環状空
間部を第2の排気手段により高真空で排気してしまう
と、その圧力差によって処理容器内側から環状空間部側
へ内周シール部を介して処理ガスを吸い出してしまうこ
とが考えられる。また、このような処理容器内からの処
理ガスの吸い出しが生じると、処理容器内のプロセス環
境に悪影響を及ぼすだけでなく、第2の排気手段を構成
する機器が処理ガスにさらされて腐食等の不具合が生じ
る。
止装置においては、高真空下での処理を想定して構成さ
れているため、処理容器内を大気圧付近の圧力となるよ
うに減圧排気して処理(これを微減圧プロセスともい
う。)を行う場合に、高真空下での処理と同様に環状空
間部を第2の排気手段により高真空で排気してしまう
と、その圧力差によって処理容器内側から環状空間部側
へ内周シール部を介して処理ガスを吸い出してしまうこ
とが考えられる。また、このような処理容器内からの処
理ガスの吸い出しが生じると、処理容器内のプロセス環
境に悪影響を及ぼすだけでなく、第2の排気手段を構成
する機器が処理ガスにさらされて腐食等の不具合が生じ
る。
【0009】そこで、本発明は、上記問題点を解決すべ
くなされたもので、高真空プロセスだけでなく、いわゆ
る微減圧プロセスにおいても簡単な構成で高い封止効果
が得られる封止装置を提供することを目的とする。
くなされたもので、高真空プロセスだけでなく、いわゆ
る微減圧プロセスにおいても簡単な構成で高い封止効果
が得られる封止装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のうち請求項1記載の封止装置は、内部が処理
ガス雰囲気および減圧雰囲気とされる処理容器の封止部
の対向面間を封止する装置において、上記対向面間に、
内周側対向面を互に面接触させて封止する内周シール部
と、外周側対向面間にメタルシートを挟んで封止する外
周シール部とを設け、外周側対向面に形成した環状溝部
にメタルシートを吸着する第1の排気手段を接続し、内
周シール部と外周シール部との間に形成した環状空間部
に第2の排気手段を接続し、この第2の排気手段は上記
処理容器内を排気管により大気圧付近の圧力となるよう
に排気して処理を行う時に排気管と環状空間部を接続す
る接続管を有することを特徴としている。
に本発明のうち請求項1記載の封止装置は、内部が処理
ガス雰囲気および減圧雰囲気とされる処理容器の封止部
の対向面間を封止する装置において、上記対向面間に、
内周側対向面を互に面接触させて封止する内周シール部
と、外周側対向面間にメタルシートを挟んで封止する外
周シール部とを設け、外周側対向面に形成した環状溝部
にメタルシートを吸着する第1の排気手段を接続し、内
周シール部と外周シール部との間に形成した環状空間部
に第2の排気手段を接続し、この第2の排気手段は上記
処理容器内を排気管により大気圧付近の圧力となるよう
に排気して処理を行う時に排気管と環状空間部を接続す
る接続管を有することを特徴としている。
【0011】請求項2記載の封止装置は、上記封止部が
処理容器とマニホールドの接続部およびマニホールドと
蓋体の当接部にそれぞれ設けられていることを特徴とし
ている。
処理容器とマニホールドの接続部およびマニホールドと
蓋体の当接部にそれぞれ設けられていることを特徴とし
ている。
【0012】請求項3記載の封止装置は、上記第2の排
気手段が接続管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給
管を有していることを特徴としている。
気手段が接続管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給
管を有していることを特徴としている。
【0013】
【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添付図面
に基づいて詳述する。図1は本発明の実施の形態を示す
封止装置の断面図、図2は同封止装置に用いられるメタ
ルシートを一部切欠状態で示す斜視図、図3は本発明を
縦型熱処理装置に適用した一例を示す縦断面図である。
に基づいて詳述する。図1は本発明の実施の形態を示す
封止装置の断面図、図2は同封止装置に用いられるメタ
ルシートを一部切欠状態で示す斜視図、図3は本発明を
縦型熱処理装置に適用した一例を示す縦断面図である。
【0014】先ず、本発明を半導体デバイスの製造工程
で用いられる処理装置の一つである縦型熱処理装置に適
用した一例について図3を参照して説明する。この縦型
熱処理装置は、処理容器として、耐熱性および耐食性を
有する材料例えば石英ガラスからなる反応管1を有して
いる。この反応管1の外部は、大気圧側となる。上記反
応管1は、縦長の円筒状で、その上端が閉塞され、下端
が開口されている。この反応管1の開口端には、処理ガ
ス等の供給、排気を行なうガス供給管部2および排気管
部3を側壁に有する円筒状のマニホールド4が接続され
ている。
で用いられる処理装置の一つである縦型熱処理装置に適
用した一例について図3を参照して説明する。この縦型
熱処理装置は、処理容器として、耐熱性および耐食性を
有する材料例えば石英ガラスからなる反応管1を有して
いる。この反応管1の外部は、大気圧側となる。上記反
応管1は、縦長の円筒状で、その上端が閉塞され、下端
が開口されている。この反応管1の開口端には、処理ガ
ス等の供給、排気を行なうガス供給管部2および排気管
部3を側壁に有する円筒状のマニホールド4が接続され
ている。
【0015】このマニホールド4は、一般に、耐熱性お
よび耐食性を有する材料例えばステンレスにより形成さ
れている。マニホールド4は、更に高耐食性とするため
に、例えば炭化ケイ素(SiC)により形成されていて
もよい。上記マニホールド4は、上方に水平に配置され
たベースプレート5に図示しない取付部材を介して取付
けられており、そのマニホールド4上に上記反応管1を
設置した構成がとられる。
よび耐食性を有する材料例えばステンレスにより形成さ
れている。マニホールド4は、更に高耐食性とするため
に、例えば炭化ケイ素(SiC)により形成されていて
もよい。上記マニホールド4は、上方に水平に配置され
たベースプレート5に図示しない取付部材を介して取付
けられており、そのマニホールド4上に上記反応管1を
設置した構成がとられる。
【0016】上記マニホールド4の内側には、石英ガラ
スからなる円筒状の内管6が起立した状態で取付けら
れ、この内管6と外管である反応管1とにより反応管1
は二重管構造とされていることが好ましい。上記ガス供
給管部2は、上記内管6の内側に沿って上方へ処理ガス
等を供給するように設けられ、上記排気管部3は、上記
内管6と反応管1との間の環状通路7から処理後の排ガ
スを排気するように設けられている。
スからなる円筒状の内管6が起立した状態で取付けら
れ、この内管6と外管である反応管1とにより反応管1
は二重管構造とされていることが好ましい。上記ガス供
給管部2は、上記内管6の内側に沿って上方へ処理ガス
等を供給するように設けられ、上記排気管部3は、上記
内管6と反応管1との間の環状通路7から処理後の排ガ
スを排気するように設けられている。
【0017】上記反応管1の周囲には、反応管1内を所
定の温度、例えば500〜1200℃に加熱するため
に、ヒータ8が配置されている。このヒータ8は、ヒー
タ線(発熱抵抗線)9をコイル状等に形成し、このヒー
タ線9の外側を断熱材10で覆い、更にこの断熱材10
の外側を冷却ジャケット等のアウターシェル11で覆っ
た構造になっている。このヒータ8は、上記ベースプレ
ート5上に設置されている。
定の温度、例えば500〜1200℃に加熱するため
に、ヒータ8が配置されている。このヒータ8は、ヒー
タ線(発熱抵抗線)9をコイル状等に形成し、このヒー
タ線9の外側を断熱材10で覆い、更にこの断熱材10
の外側を冷却ジャケット等のアウターシェル11で覆っ
た構造になっている。このヒータ8は、上記ベースプレ
ート5上に設置されている。
【0018】上記マニホールド4の下端の開口端は、蓋
体12で開閉可能に閉じられるようになっている。この
蓋体12は、耐熱性および耐食性を有する材料、例えば
ステンレスにより形成されている。この蓋体12上に
は、例えば石英製の保温筒13を介して被処理体保持具
である例えば石英製のボート14が載置される。ボート
14には、被処理体であるウエハWが水平状態で高さ方
向に所定の間隔で多数枚、例えば150枚程度保持され
る。
体12で開閉可能に閉じられるようになっている。この
蓋体12は、耐熱性および耐食性を有する材料、例えば
ステンレスにより形成されている。この蓋体12上に
は、例えば石英製の保温筒13を介して被処理体保持具
である例えば石英製のボート14が載置される。ボート
14には、被処理体であるウエハWが水平状態で高さ方
向に所定の間隔で多数枚、例えば150枚程度保持され
る。
【0019】上記蓋体12は、昇降機構15の昇降アー
ム16に取付けられており、この昇降機構15により蓋
体12の開閉と共に、反応管1に対するボート14の搬
入、搬出が行なわれるようになっている。上記蓋体12
には、保温筒13を介してボート14を軸廻りに回転さ
せるための回転機構(図示省略)が設けられていること
が好ましい。上記マニホールド4の側壁に設けられたガ
ス供給管部2には、処理ガス等の供給源に通じるガス供
給管17が接続され、排気管部3には、排気系に通じる
排気管18が接続されている。排気管18には、反応管
1内を所定の減圧雰囲気ないし真空度、例えば大気圧付
近から10-8Torr程度まで減圧排気することができ
る図示しない真空ポンプ等を有する減圧制御装置(図示
省略)が設けられている。
ム16に取付けられており、この昇降機構15により蓋
体12の開閉と共に、反応管1に対するボート14の搬
入、搬出が行なわれるようになっている。上記蓋体12
には、保温筒13を介してボート14を軸廻りに回転さ
せるための回転機構(図示省略)が設けられていること
が好ましい。上記マニホールド4の側壁に設けられたガ
ス供給管部2には、処理ガス等の供給源に通じるガス供
給管17が接続され、排気管部3には、排気系に通じる
排気管18が接続されている。排気管18には、反応管
1内を所定の減圧雰囲気ないし真空度、例えば大気圧付
近から10-8Torr程度まで減圧排気することができ
る図示しない真空ポンプ等を有する減圧制御装置(図示
省略)が設けられている。
【0020】以上のように構成された縦型熱処理装置に
おいては、反応管1内を所定の処理ガス雰囲気および減
圧雰囲気に保つために、上記反応管1とマニホールド4
の接続部およびマニホールド4と蓋体11の当接部に、
反応管1内を気密に保つための封止部19a,19bが
設けられており、これらの封止部19a、19bに封止
装置が設けられている。
おいては、反応管1内を所定の処理ガス雰囲気および減
圧雰囲気に保つために、上記反応管1とマニホールド4
の接続部およびマニホールド4と蓋体11の当接部に、
反応管1内を気密に保つための封止部19a,19bが
設けられており、これらの封止部19a、19bに封止
装置が設けられている。
【0021】次に、上記封止装置について図1を参照し
て説明する。図1は、反応管1とマニホールド4の間の
封止部19aに封止装置を適用した一例を示している。
なお、マニホールド4と蓋体12の間の封止部19bに
設けられる封止装置も同様の構成である。封止部18a
は、互に対向する広い対向面20を有するように、フラ
ンジ21a,21bにより形成されていることが好まし
い。この場合、反応管1の開口端とマニホールド4の開
口端に、相対向するフランジ21a,21bが形成され
ている。なお、マニホールド4が炭化ケイ素製である場
合、マニホールド4の肉厚を厚くすれば、必ずしもフラ
ンジ部21bが形成されていなくてもよい。
て説明する。図1は、反応管1とマニホールド4の間の
封止部19aに封止装置を適用した一例を示している。
なお、マニホールド4と蓋体12の間の封止部19bに
設けられる封止装置も同様の構成である。封止部18a
は、互に対向する広い対向面20を有するように、フラ
ンジ21a,21bにより形成されていることが好まし
い。この場合、反応管1の開口端とマニホールド4の開
口端に、相対向するフランジ21a,21bが形成され
ている。なお、マニホールド4が炭化ケイ素製である場
合、マニホールド4の肉厚を厚くすれば、必ずしもフラ
ンジ部21bが形成されていなくてもよい。
【0022】上記反応管1とマニホールド4の対向面2
0間に、内周側対向面20aを互に面接触させて封止す
る内周シール部22と、外周側対向面20b間にメタル
シート23を挟んで封止する外周シール部24とが設け
られている。内周シール部22を形成する内周側対向面
20aは、互に面接触で密着して高いシール効果が得ら
れるように、鏡面仕上げにされていることが好ましい。
0間に、内周側対向面20aを互に面接触させて封止す
る内周シール部22と、外周側対向面20b間にメタル
シート23を挟んで封止する外周シール部24とが設け
られている。内周シール部22を形成する内周側対向面
20aは、互に面接触で密着して高いシール効果が得ら
れるように、鏡面仕上げにされていることが好ましい。
【0023】上記外周側対向面20bには、環状溝部2
5が形成され、これら環状溝部25にはメタルシート2
3を外周側対向面20bに吸着させるための第1の排気
手段26が接続されている。上記メタルシート23は、
図2に示すように、耐食性を有する材料例えばステンレ
ス製の環状の二枚の薄板23a,23bを重ね合わせ、
両薄板23a,23bを内周部にて溶接23cにより接
合してなる。
5が形成され、これら環状溝部25にはメタルシート2
3を外周側対向面20bに吸着させるための第1の排気
手段26が接続されている。上記メタルシート23は、
図2に示すように、耐食性を有する材料例えばステンレ
ス製の環状の二枚の薄板23a,23bを重ね合わせ、
両薄板23a,23bを内周部にて溶接23cにより接
合してなる。
【0024】上記メタルシート23は、両薄板23a,
23bの外周側が大気側に開口していることにより、両
薄板23a,23b間に大気圧が作用し、各薄板23
a,23bが減圧排気される環状溝部25を有する外周
側対向面20bにそれぞれ十分に吸着されて外周側対向
面20b間をシールすることができるようになってい
る。上記第1の排気手段26は、上記両フランジ21
a,21bに各環状溝部25と連通するようにそれぞれ
設けられた配管27a,27bと、これら配管27a,
27bの共通の排気系に設けられた第1の減圧排気装置
28とにより構成されている。この第1の減圧排気装置
28は、例えばドライポンプにより構成されていること
が好ましい。
23bの外周側が大気側に開口していることにより、両
薄板23a,23b間に大気圧が作用し、各薄板23
a,23bが減圧排気される環状溝部25を有する外周
側対向面20bにそれぞれ十分に吸着されて外周側対向
面20b間をシールすることができるようになってい
る。上記第1の排気手段26は、上記両フランジ21
a,21bに各環状溝部25と連通するようにそれぞれ
設けられた配管27a,27bと、これら配管27a,
27bの共通の排気系に設けられた第1の減圧排気装置
28とにより構成されている。この第1の減圧排気装置
28は、例えばドライポンプにより構成されていること
が好ましい。
【0025】上記内周シール部22と外周シール部24
との間には、環状空間部29が形成されており、この環
状空間部29には第2の排気手段30が接続されてい
る。この第2の排気手段30は、上記フランジ21a,
21bのうちのいずれか一方のフランジ、例えば反応管
1側のフランジ20aに上記環状空間部29と連通する
ように設けられた配管31と、この配管31に設けられ
た第2の減圧排気装置32とにより構成されている。こ
の第2の減圧排気装置32は、例えばターボ分子ポンプ
により構成されていることが好ましい。
との間には、環状空間部29が形成されており、この環
状空間部29には第2の排気手段30が接続されてい
る。この第2の排気手段30は、上記フランジ21a,
21bのうちのいずれか一方のフランジ、例えば反応管
1側のフランジ20aに上記環状空間部29と連通する
ように設けられた配管31と、この配管31に設けられ
た第2の減圧排気装置32とにより構成されている。こ
の第2の減圧排気装置32は、例えばターボ分子ポンプ
により構成されていることが好ましい。
【0026】反応管1内が高真空、例えば10-7Tor
rとされる高真空プロセスを行う場合、上記内周シール
部22におけるリークが極めて少ない値、例えば10-2
〜10-4Torr・l/sec以下のリークレートとな
るように内周の対向面20a同士が密着されるように、
上記環状空間部29は、第2の減圧排気装置32により
所定の高い真空度、例えば10-4〜10-7TorrTo
rrに減圧排気されることが好ましい。また、上記外周
シール部24の環状溝部25は、第1の減圧排気装置2
8により所定の低い真空度、例えば10〜10-2Tor
rに減圧排気されることが好ましい。
rとされる高真空プロセスを行う場合、上記内周シール
部22におけるリークが極めて少ない値、例えば10-2
〜10-4Torr・l/sec以下のリークレートとな
るように内周の対向面20a同士が密着されるように、
上記環状空間部29は、第2の減圧排気装置32により
所定の高い真空度、例えば10-4〜10-7TorrTo
rrに減圧排気されることが好ましい。また、上記外周
シール部24の環状溝部25は、第1の減圧排気装置2
8により所定の低い真空度、例えば10〜10-2Tor
rに減圧排気されることが好ましい。
【0027】一方、上記第2の排気手段30は、反応管
1内を大気圧付近の圧力となるように排気管18により
排気して処理(微減圧プロセス)を行う時にその排気管
18と上記環状空間部29を接続する接続管(バイパス
管ともいう)33を有している。この場合、接続管33
は、第2の排気手段30の配管31に一端が接続され、
排気管18に他端が接続されている。第2の排気手段3
0を構成する第2の減圧排気装置32による減圧排気ま
たは排気管18を利用した減圧排気の何れかに切り換え
るために、上記配管31と接続管33には弁34,35
が設けられている。上記弁34は、配管31における接
続管33の接続部と第2の減圧排気装置32との間に設
けられている。
1内を大気圧付近の圧力となるように排気管18により
排気して処理(微減圧プロセス)を行う時にその排気管
18と上記環状空間部29を接続する接続管(バイパス
管ともいう)33を有している。この場合、接続管33
は、第2の排気手段30の配管31に一端が接続され、
排気管18に他端が接続されている。第2の排気手段3
0を構成する第2の減圧排気装置32による減圧排気ま
たは排気管18を利用した減圧排気の何れかに切り換え
るために、上記配管31と接続管33には弁34,35
が設けられている。上記弁34は、配管31における接
続管33の接続部と第2の減圧排気装置32との間に設
けられている。
【0028】上記微減圧プロセスは、反応管内を大気圧
付近の圧力例えば100〜760Torrに排気して行
われるため、環状空間部29と排気管18を接続管33
で連通接続することにより、環状空間部29を反応管1
内とほぼ同じ圧力にすることができ、反応管1内から環
状空間部29への内周シール部22を介した処理ガスの
吸い出しを極めて簡単な構成で防止することができる。
この微減圧プロセスの場合においても、高真空プロセス
の場合と同様に、上記外周シール部24の環状溝部25
は、第1の減圧排気装置28により所定の低い真空度、
例えば10〜10-2Torrに減圧排気されることが好
ましい。
付近の圧力例えば100〜760Torrに排気して行
われるため、環状空間部29と排気管18を接続管33
で連通接続することにより、環状空間部29を反応管1
内とほぼ同じ圧力にすることができ、反応管1内から環
状空間部29への内周シール部22を介した処理ガスの
吸い出しを極めて簡単な構成で防止することができる。
この微減圧プロセスの場合においても、高真空プロセス
の場合と同様に、上記外周シール部24の環状溝部25
は、第1の減圧排気装置28により所定の低い真空度、
例えば10〜10-2Torrに減圧排気されることが好
ましい。
【0029】また、上記第2の排気手段30は、排気管
18から環状空間部29への接続管33を介しての排気
ガスの逆侵入を防止するために、上記接続管33に不活
性ガス(パージガスともいう)を供給する不活性ガス供
給管36を有している。この不活性ガス供給管36に
は、弁37が設けられている。不活性ガスとしては、例
えば窒素(N2)ガスが好ましい。不活性ガス供給管3
6は、図示例では配管31と接続管33の接続部に接続
されているが、配管31上に接続されていてもよく、あ
るいは接続管33上に接続されていてもよい。
18から環状空間部29への接続管33を介しての排気
ガスの逆侵入を防止するために、上記接続管33に不活
性ガス(パージガスともいう)を供給する不活性ガス供
給管36を有している。この不活性ガス供給管36に
は、弁37が設けられている。不活性ガスとしては、例
えば窒素(N2)ガスが好ましい。不活性ガス供給管3
6は、図示例では配管31と接続管33の接続部に接続
されているが、配管31上に接続されていてもよく、あ
るいは接続管33上に接続されていてもよい。
【0030】以上のように構成された封止装置によれ
ば、内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気とされる反
応管1の封止部19a,19bの対向面20間を封止す
る装置において、上記対向面20間に、内周側対向面2
0aを互に面接触させて封止する内周シール部22と、
外周側対向面間20bにメタルシート23を挟んで封止
する外周シール部24とを設け、外周側対向面20bに
形成した環状溝部25にメタルシート23を吸着する第
1の排気手段26を接続し、内周シール部22と外周シ
ール部24との間に形成した環状空間部29に第2の排
気手段30を接続している。
ば、内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気とされる反
応管1の封止部19a,19bの対向面20間を封止す
る装置において、上記対向面20間に、内周側対向面2
0aを互に面接触させて封止する内周シール部22と、
外周側対向面間20bにメタルシート23を挟んで封止
する外周シール部24とを設け、外周側対向面20bに
形成した環状溝部25にメタルシート23を吸着する第
1の排気手段26を接続し、内周シール部22と外周シ
ール部24との間に形成した環状空間部29に第2の排
気手段30を接続している。
【0031】このため、反応管1内を高真空にする高真
空プロセスを行う場合、上記内周シール部22を境とす
る内外の圧力差が小さくなるように環状空間部29を第
2の排気手段30により減圧排気することにより、高い
封止効果が得られ、リークを十分に抑制ないし防止する
ことが可能となり、熱処理装置に適用した場合における
金属汚染や耐熱性等の問題も解消し得る。上記高真空プ
ロセスを行う場合には、接続管33の弁35および不活
性ガス供給管36の弁37を閉にし、第2の排気手段3
0の配管31の弁34を開にすればよい。
空プロセスを行う場合、上記内周シール部22を境とす
る内外の圧力差が小さくなるように環状空間部29を第
2の排気手段30により減圧排気することにより、高い
封止効果が得られ、リークを十分に抑制ないし防止する
ことが可能となり、熱処理装置に適用した場合における
金属汚染や耐熱性等の問題も解消し得る。上記高真空プ
ロセスを行う場合には、接続管33の弁35および不活
性ガス供給管36の弁37を閉にし、第2の排気手段3
0の配管31の弁34を開にすればよい。
【0032】上記メタルシート23は、耐食性を有する
材料により形成されているといえども腐食性を有する処
理ガスと接触した場合には腐食が生じ、また、金属製で
あることから、ウエハWに対して汚染源にもなる。とこ
ろが、封止部19aには内周シール部22が設けられて
いるため、メタルシート23が反応管1内に露出するこ
とがなく、しかも、環状空間部29を真空引きすること
により、上記内周シール部22を境とする内外の圧力差
を小さくして、内周シール部22におけるリークを抑制
ないし防止しているため、腐食性を有する処理ガスを使
用したとしても、メタルシート23が腐食することがな
く、また、メタルシート23がウエハWの汚染源となる
こともない。
材料により形成されているといえども腐食性を有する処
理ガスと接触した場合には腐食が生じ、また、金属製で
あることから、ウエハWに対して汚染源にもなる。とこ
ろが、封止部19aには内周シール部22が設けられて
いるため、メタルシート23が反応管1内に露出するこ
とがなく、しかも、環状空間部29を真空引きすること
により、上記内周シール部22を境とする内外の圧力差
を小さくして、内周シール部22におけるリークを抑制
ないし防止しているため、腐食性を有する処理ガスを使
用したとしても、メタルシート23が腐食することがな
く、また、メタルシート23がウエハWの汚染源となる
こともない。
【0033】そして、特に、上記第2の排気手段30
が、上記反応管1内を排気管18により大気圧付近の圧
力となるように排気して処理を行う時にその排気管18
と上記環状空間部29を接続する接続管33を有してい
るため、いわゆる微減圧プロセスを行う場合、排気管1
8を利用した簡単な構成で上記環状空間部29を反応管
1内とほぼ同じ圧力にすることができ、反応管1内から
環状空間部29への内周シール部22を介した吸い出し
を防止することができ、高い封止効果が得られる。従っ
て、反応管1内のプロセス環境を最適な状態に維持でき
ると共に、第2の排気手段30を構成する機器が処理ガ
スにさらされて腐食等を生じることもない。上記微減圧
プロセスを行う場合には、第2の排気手段30の配管3
1の弁34を閉にし、接続管33の弁35および不活性
ガス供給管36の弁37を開にすればよい。
が、上記反応管1内を排気管18により大気圧付近の圧
力となるように排気して処理を行う時にその排気管18
と上記環状空間部29を接続する接続管33を有してい
るため、いわゆる微減圧プロセスを行う場合、排気管1
8を利用した簡単な構成で上記環状空間部29を反応管
1内とほぼ同じ圧力にすることができ、反応管1内から
環状空間部29への内周シール部22を介した吸い出し
を防止することができ、高い封止効果が得られる。従っ
て、反応管1内のプロセス環境を最適な状態に維持でき
ると共に、第2の排気手段30を構成する機器が処理ガ
スにさらされて腐食等を生じることもない。上記微減圧
プロセスを行う場合には、第2の排気手段30の配管3
1の弁34を閉にし、接続管33の弁35および不活性
ガス供給管36の弁37を開にすればよい。
【0034】このように上記封止装置によれば、高真空
プロセスだけでなく、いわゆる微減圧プロセスにおいて
も簡単な構成で高い封止効果が得られる。また、上記第
2の排気手段30が、接続管33に不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給管36を有しているため、上記微減圧
プロセス時に、接続管33に少量の不活性ガスを流すこ
とにより、排気管18から環状空間部29への接続管3
3を介した排気ガスの逆浸入を防止することができ、腐
食性を有する排ガスからメタルシート23等を保護する
ことができる。
プロセスだけでなく、いわゆる微減圧プロセスにおいて
も簡単な構成で高い封止効果が得られる。また、上記第
2の排気手段30が、接続管33に不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給管36を有しているため、上記微減圧
プロセス時に、接続管33に少量の不活性ガスを流すこ
とにより、排気管18から環状空間部29への接続管3
3を介した排気ガスの逆浸入を防止することができ、腐
食性を有する排ガスからメタルシート23等を保護する
ことができる。
【0035】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明の封止装置
は、高耐熱性を有するため、反応管1とマニホールド4
の接続部(封止部)19aおよびマニホールド4と蓋体
12の当接部(封止部)19bに好適に適用されるが、
マニホールド4のガス供給管部2とガス供給管17の接
続部(封止部)19cおよび排気管部3と排気管18の
接続部(封止部)19dにも適用可能である。上記実施
の形態では、縦型熱処理装置を例にとって説明されてい
るが、拡散炉や常圧CVD装置等の熱処理装置に応用し
てもよく、縦型装置に限られず、横型装置にも適用可能
である。また、熱処理装置に限られず、封止部を有する
ものであれば、エッチング装置やイオン注入装置等の処
理装置にも適用可能である。
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明の封止装置
は、高耐熱性を有するため、反応管1とマニホールド4
の接続部(封止部)19aおよびマニホールド4と蓋体
12の当接部(封止部)19bに好適に適用されるが、
マニホールド4のガス供給管部2とガス供給管17の接
続部(封止部)19cおよび排気管部3と排気管18の
接続部(封止部)19dにも適用可能である。上記実施
の形態では、縦型熱処理装置を例にとって説明されてい
るが、拡散炉や常圧CVD装置等の熱処理装置に応用し
てもよく、縦型装置に限られず、横型装置にも適用可能
である。また、熱処理装置に限られず、封止部を有する
ものであれば、エッチング装置やイオン注入装置等の処
理装置にも適用可能である。
【0036】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【0037】(1)請求項1記載の封止装置によれば、
内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気とされる処理容
器の封止部の対向面間を封止する装置において、上記対
向面間に、内周側対向面を互に面接触させて封止する内
周シール部と、外周側対向面間にメタルシートを挟んで
封止する外周シール部とを設け、外周側対向面に形成し
た環状溝部にメタルシートを吸着する第1の排気手段を
接続し、内周シール部と外周シール部との間に形成した
環状空間部に第2の排気手段を接続し、この第2の排気
手段は上記処理容器内を排気管により大気圧付近の圧力
となるように排気して処理を行う時に排気管と環状空間
部を接続する接続管を有するため、高真空プロセスだけ
でなく、いわゆる微減圧プロセスにおいても簡単な構成
で高い封止効果が得られる。
内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気とされる処理容
器の封止部の対向面間を封止する装置において、上記対
向面間に、内周側対向面を互に面接触させて封止する内
周シール部と、外周側対向面間にメタルシートを挟んで
封止する外周シール部とを設け、外周側対向面に形成し
た環状溝部にメタルシートを吸着する第1の排気手段を
接続し、内周シール部と外周シール部との間に形成した
環状空間部に第2の排気手段を接続し、この第2の排気
手段は上記処理容器内を排気管により大気圧付近の圧力
となるように排気して処理を行う時に排気管と環状空間
部を接続する接続管を有するため、高真空プロセスだけ
でなく、いわゆる微減圧プロセスにおいても簡単な構成
で高い封止効果が得られる。
【0038】(2)請求項2記載の封止装置によれば、
上記封止部が処理容器とマニホールドの接続部およびマ
ニホールドと蓋体の当接部にそれぞれ設けられているた
め、処理容器の気密性を著しく高めることができる。
上記封止部が処理容器とマニホールドの接続部およびマ
ニホールドと蓋体の当接部にそれぞれ設けられているた
め、処理容器の気密性を著しく高めることができる。
【0039】(3)請求項3記載の封止装置によれば、
上記第2の排気手段が接続管に不活性ガスを供給する不
活性ガス供給管を有しているため、接続管に少量の不活
性ガスを流すことにより、排気管から環状空間部への接
続管を介した排気ガスの逆浸入を防止することができ
る。
上記第2の排気手段が接続管に不活性ガスを供給する不
活性ガス供給管を有しているため、接続管に少量の不活
性ガスを流すことにより、排気管から環状空間部への接
続管を介した排気ガスの逆浸入を防止することができ
る。
【図1】本発明の実施の形態を示す封止装置の断面図で
ある。
ある。
【図2】同封止装置に用いられるメタルシートを一部切
欠状態で示す斜視図である。
欠状態で示す斜視図である。
【図3】本発明を縦型熱処理装置に適用した一例を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
1 反応管(処理容器) 4 マニホールド 12 蓋体 18 排気管 18a,18b 封止部 20 対向面 20a 内周側対向面 20b 外周側対向面 22 内周シール部 23 メタルシート 24 外周シール部 25 環状溝部 26 第1の排気手段 29 環状空間部 30 第2の排気手段 33 接続管 36 不活性ガス供給管
Claims (3)
- 【請求項1】 内部が処理ガス雰囲気および減圧雰囲気
とされる処理容器の封止部の対向面間を封止する装置に
おいて、上記対向面間に、内周側対向面を互に面接触さ
せて封止する内周シール部と、外周側対向面間にメタル
シートを挟んで封止する外周シール部とを設け、外周側
対向面に形成した環状溝部にメタルシートを吸着する第
1の排気手段を接続し、内周シール部と外周シール部と
の間に形成した環状空間部に第2の排気手段を接続し、
この第2の排気手段は上記処理容器内を排気管により大
気圧付近の圧力となるように排気して処理を行う時に排
気管と環状空間部を接続する接続管を有することを特徴
とする封止装置。 - 【請求項2】 上記封止部が処理容器とマニホールドの
接続部およびマニホールドと蓋体の当接部にそれぞれ設
けられていることを特徴とする請求項1記載の封止装
置。 - 【請求項3】 上記第2の排気手段が接続管に不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給管を有していることを特徴
とする請求項1記載の封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27525697A JP3463785B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 封止装置および処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27525697A JP3463785B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 封止装置および処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1197447A true JPH1197447A (ja) | 1999-04-09 |
JP3463785B2 JP3463785B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=17552886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27525697A Expired - Fee Related JP3463785B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 封止装置および処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3463785B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7674336B2 (en) | 2003-10-24 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
JP2021534071A (ja) * | 2018-10-16 | 2021-12-09 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | チャンバーシールアセンブリ及び成長炉 |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP27525697A patent/JP3463785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7674336B2 (en) | 2003-10-24 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
JP2021534071A (ja) * | 2018-10-16 | 2021-12-09 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | チャンバーシールアセンブリ及び成長炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3463785B2 (ja) | 2003-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100330130B1 (ko) | 열처리 방법 및 그 장치 | |
JP3556804B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
US6283175B1 (en) | Enveloping device and vertical heat-treating apparatus for semiconductor process system | |
JP3106172B2 (ja) | 熱処理装置の封止構造 | |
US5884917A (en) | Thermal processing apparatus | |
TWI697037B (zh) | 處理裝置 | |
JP3278011B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2001015440A (ja) | 半導体製造方法及び装置 | |
JP4204588B2 (ja) | 耐圧筐体、基板処理装置、半導体装置の製造方法および耐圧筐体の溶接方法 | |
JP3181308B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3173697B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP3463785B2 (ja) | 封止装置および処理装置 | |
JP3256037B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2691159B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JPH10231932A (ja) | 封止装置 | |
JP2004286165A (ja) | 容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4212753B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JPH11145072A (ja) | 熱処理装置 | |
JP3129480B2 (ja) | ガスシールド装置及び熱処理装置 | |
JP2849772B2 (ja) | 封止装置及び封止方法 | |
JP4364962B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3594079B2 (ja) | 弁装置および熱処理装置 | |
JPH1116846A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3276495B2 (ja) | 常圧高温処理装置及びその気体置換方法 | |
JPH11135447A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150822 Year of fee payment: 12 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |