JPH119572A

JPH119572A - 磁気共鳴イメージング装置

Info

Publication number: JPH119572A
Application number: JP9187436A
Authority: JP
Inventors: Hirotaka Takeshima; 弘隆竹島; Takao Honna; 孝男本名; Hiroshi Tazaki; 寛田崎; Takeshi Yao; 武八尾
Original assignee: Hitachi Medical Corp
Current assignee: Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Priority date: 1997-06-27
Filing date: 1997-06-27
Publication date: 1999-01-19
Anticipated expiration: 2017-06-27
Also published as: JP3747981B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】開放型の静磁場発生用磁石を備えた磁気共鳴
イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置という）に適した
傾斜磁場コイル、及び高周波（以下、ＲＦと略称する）
照射コイルとＲＦシールドとの組合せ構造を提供する。【解決手段】均一磁場領域２を挾んで、対向して、上
下方向に配置された超電導磁石３０と、均一磁場領域２
に傾斜磁場を発生させる傾斜磁場コイル２４と、均一磁
場領域２に挿入された被検者にＲＦ磁場を照射するＲＦ
照射コイル２５と、このＲＦ照射コイル２５が超電導磁
石３０の側に発生させる漏洩磁場を遮蔽するＲＦシール
ド２６とを備え超電導磁石３０は、超電導コイル３１
と、冷却容器３２とから構成され、傾斜磁場コイル２４
は、主コイル３４と、シールドコイル３５とから構成さ
れる。ここで、ＲＦシールド２６は、傾斜磁場コイル２
４の主コイル３４とシールドコイル３５との間に配置さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気共鳴イメージ
ング装置（以下、ＭＲＩ装置という）に適した傾斜磁場
コイル及び高周波（以下、ＲＦと略す）照射コイルに係
り、特に、大きな開口を備えた開放型静磁場発生用磁石
と組み合わせて使用する傾斜磁場コイル及びＲＦ照射コ
イルにおいて、傾斜磁場の発生効率とＲＦ磁場の照射効
率を高めるとともに、開放感のあるＭＲＩ装置を実現可
能とする傾斜磁場コイル及びＲＦ照射コイルの構造に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＭＲＩ装置の第１の例を図７，図
８に示す。図７，図８は、水平磁場方式の超電導磁石を
使用したＭＲＩ装置の構成を示しており、図７は装置全
体の断面図、図８は傾斜磁場コイルの斜視図である。図
７において、静磁場発生用磁石（超電導磁石）１は、円
筒形状をしており、その内部の均一磁場領域（計測空間
に相当）２に水平方向（Ｚ軸方向）の静磁場Ｂ₀を発生
させている。超電導磁石１では、コイル３に超電導線材
を用いるために、所定の温度（例えば、合金系超電導体
の場合には液体ヘリウム温度（４．２Ｋ））にまで冷却
する必要があり、超電導コイル３は真空容器４や冷媒容
器（図では、液体ヘリウム容器）５などから構成される
冷却容器６の中に保持される。

【０００３】また、超電導磁石１の内径側には、１組の
傾斜磁場コイル７が配置されている。傾斜磁場コイル７
は、１組の円筒上に構成されており、３次元空間に合わ
せて、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸方向の傾斜磁場を発生させる。
最近では、傾斜磁場コイル７に近接した導電体（具体的
には、超電導磁石の真空容器や熱シールド材など）に発
生する渦電流を抑制するため、図８に示すように、傾斜
磁場コイル７は主コイル８とシールドコイル９とから構
成され、シールドコイル９が主コイル８の外周に、同軸
に配置されるのが一般的である。このとき、主コイル８
は主に均一磁場領域２に所定の傾斜磁場を発生させ、シ
ールドコイル９は主コイル８と逆方向の磁場を発生する
ことにより、傾斜磁場コイル７の外部に生じる磁場強度
を低減させる作用をする。この働きにより、上記の渦電
流の発生を効果的に抑制することができる。

【０００４】さらに、傾斜磁場コイル７の内径側には、
被検者にＲＦ磁場を照射するためのＲＦ照射コイル１０
と、ＲＦ照射１０と外部環境との干渉を防ぐためのＲＦ
シールド１１が配置されている。ＲＦシールド１１は、
図にも示されているように、ＲＦ照射コイル１０と傾斜
磁場コイル７との間に配置されていた。

【０００５】図７に示した構成の場合には、図から分か
るように、撮影のために被検者の入る計測空間（均一磁
場領域）２が狭く、周囲が完全に囲まれているために、
被検者は閉塞感を感じる。このため、時には、被検者に
装置内に入ることを拒否される場合もあった。また、装
置の外部から、術者が被検者へアクセスすることも困難
であった。

【０００６】図９，図１０には、従来のＭＲＩ装置の第
２の例を示す。この例では、静磁場発生用磁石として永
久磁石等を用いた対向型の磁気回路が採用されている。
図９は、ＭＲＩ装置全体の斜視図，図１０はＭＲＩ装置
の下側部分の外観斜視図と断面図である。図９におい
て、装置の静磁場発生部分は、上下方向に対向して配置
された静磁場発生用磁石としての永久磁石２０と、永久
磁石２０を支持する継鉄板２１と、上下の継鉄板２１を
間隔を保持して支持する柱状継鉄２２と、永久磁石２０
の対向面に取り付けられたポールピース２３とから構成
される。磁気回路は、上側の永久磁石２０，上側のポー
ルピース２３，均一磁場領域２，下側のポールピース２
３，下側の永久磁石２０，下側の継鉄板２１，柱状継鉄
２２，上側の継鉄板２１の経路で形成され、均一磁場領
域２に上下方向の均一な垂直磁場が発生する。

【０００７】この磁気回路に使用される傾斜磁場コイル
２４は、図１０（ｂ）に示す如く、平板形状をしてお
り、磁気回路を構成するポールピース２３に設けられた
凹部２７内に収容されるのが一般的である。このように
すると、上下に配置されたポールピース２３の間の距離
をできるだけ縮めることができるので、磁気回路の製造
原価を抑制するのに効果がある。

【０００８】また、本例の場合、傾斜磁場コイルによる
渦電流発生対策技術として、特開平６−２５１９３０号
公報に開示されているポールピースの素材に電気抵抗の
高い材料を採用することにより、傾斜磁場コイルを駆動
した時でも渦電流の発生は非常に少なかった。このた
め、第１の従来例の場合と異なり、傾斜磁場コイルに
は、シールドコイルを含まないのが通例であった。

【０００９】一方、ＲＦ照射コイル２５は、ポールピー
ス２３と均一磁場領域２との間に配置されており、ＲＦ
照射コイル２５によるＲＦ磁場を遮蔽するためのＲＦシ
ールド２６はＲＦ照射コイル２５を覆うように、ＲＦ照
射コイル２５と傾斜磁場コイル２４との間に配置される
のが通例であった。この技術については、特開平８−６
６３７９号公報にも開示されている。

【００１０】図９から明らかのように、永久磁石等を用
いた対向型の磁気回路を含むＭＲＩ装置では、四方が開
放されているために、第１の従来例で述べた被検者に閉
塞感を与えるという問題点は解消されている。一方、Ｍ
ＲＩ装置での画質は静磁場発生用磁石の静磁場強度に大
きく依存し、画質を向上するためにはできるだけ高い静
磁場強度を得ることが望ましい。しかしながら、永久磁
石や常伝導磁石を用いた磁気回路の場合には、高い静磁
場強度を得ることが難しく、０．３テラス程度が上限で
あった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】被検者が開放感を得る
ことができ、かつ、高い静磁場強度を得られる静磁場発
生用磁石として、本発明者等は開放型の超電導磁石装置
を考案している（特願平７−３３６０２３号）。この磁
石装置は、超電導磁石を静磁場発生用磁石として用いる
ことにより、高い静磁場強度を得るとともに、その外形
を開放的な形状としたことに特徴がある。しかし、静磁
場強度が高くなったことにより、傾斜磁場コイルによる
渦電流の抑制が困難になり、静磁場の均一度に関しても
より高い精度が必要となった。

【００１２】また、この超電導磁石装置では、ポールピ
ースを使用していないので、従来例の如くポールピース
材質として電気抵抗の高い材料を選択するという方法を
採用することもできない。このため、渦電流の影響を大
幅に低減するためには、シールドコイルを備えた平板型
の傾斜磁場コイルを使用する必要がある。しかし、この
構成においては、第２の従来例に示した傾斜磁場コイル
に比べて厚さが増加する。

【００１３】一方、静磁場発生用磁石の内側（均一磁場
空間側）には、傾斜磁場コイル，ＲＦ照射コイル，ＲＦ
シールドを配置する必要がある。また、場合によって
は、静磁場を補正するためシミング部材を配置するため
の領域も必要となる。大きな開放感を得るためには、被
検者の入る計測空間をできるだけ広く確保する必要があ
る。このため、傾斜磁場コイル，ＲＦ照射コイル，ＲＦ
シールドを計測空間と静磁場発生用磁石の内壁との間の
狭い空間に配置する必要が生じた。

【００１４】しかし、ＲＦ照射コイルとＲＦシールドと
の間隔を狭くすると、ＲＦ磁場の照射効率が低下してし
まう。また、傾斜磁場コイルにおいても、シールドコイ
ルを使用する場合、主コイルとシールドコイルとの間隔
を狭くすると、傾斜磁場の発生効率が低下してしまう。
このような事情から、従来技術においては、傾斜磁場コ
イル、及びＲＦ照射コイルとＲＦシールドとの組合せの
配置に、広い空間が必要となるため、開放型の静磁場発
生用磁石が提供する開放空間を広いままで活用すること
ができなかった。

【００１５】従って、本発明では、上記課題を解決し、
開放型の静磁場発生用磁石を備えたＭＲＩ装置に適した
傾斜磁場コイル、及びＲＦ照射コイルとＲＦシールドと
の組合せ構造を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＭＲＩ装置は、静磁場発生領域に均一な静
磁場を発生させる静磁場発生手段と、前記静磁場発生領
域に傾斜磁場を発生させる傾斜磁場発生手段と、前記静
磁場発生領域に挿入された被検者にＲＦ磁場を照射する
ＲＦ照射手段と、該ＲＦ照射手段からの外部へのＲＦ磁
場を遮蔽するＲＦシールド手段とを含むＭＲＩ装置にお
いて、前記傾斜磁場発生手段が前記静磁場発生領域に傾
斜磁場を発生する主コイルと該主コイルがその外側に発
生する漏洩磁場を打ち消すための磁場を発生するシール
ドコイルとから構成され、前記ＲＦシールド手段が前記
主コイルよりも前記静磁場発生手段に近い側に配置され
ている（請求項１）。

【００１７】この構成では、ＲＦ照射手段とＲＦシール
ド手段との間隔及び傾斜磁場コイルの主コイルとシール
ドコイルとの間隔を一定値以上に広げることが可能とな
り、ＲＦ磁場の照射効率及び傾斜磁場の発生効率を向上
させることができる。更に、均一磁場領域と静磁場発生
手段との間の狭い空間についても有効に利用できるの
で、計測空間を広くすることも可能となる。

【００１８】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記ＲＦシ
ールド手段が前記主コイルと前記シールドコイルとの間
に配置されている（請求項２）。この構成では、ＲＦシ
ールド手段が傾斜磁場コイルの主コイルとシールドコイ
ルの間にあるので、ＲＦ照射手段とＲＦシールド手段と
の間隔と、主コイルとシールドコイルとの間隔が同程度
になるので、ＲＦ磁場の照射効率と傾斜磁場の発生効率
は同等程度の向上が期待できる。

【００１９】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記ＲＦシ
ールド手段が前記シールドコイルよりも前記静磁場発生
手段に近い側に配置されている（請求項３）。この構成
では、ＲＦ照射手段とＲＦシールド手段との間隔が、主
コイルとシールドコイルとの間隔より広くなるので、Ｒ
Ｆ磁場の照射効率の向上がより大きくなる。

【００２０】本発明のＭＲＩ装置では更に、静磁場発生
領域に均一な静磁場を発生させる静磁場発生手段と、前
記静磁場発生領域に傾斜磁場を発生させる傾斜磁場発生
手段と、前記静磁場発生領域に挿入された被検者にＲＦ
磁場を照射するＲＦ照射手段と、該ＲＦ照射手段からの
外部へのＲＦ磁場を遮蔽するＲＦシールド手段とを含む
磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生
手段が積層された複数個の傾斜磁場コイル素子から構成
され、前記ＲＦシールド手段が隣接する前記傾斜磁場コ
イル素子の間に配置されている（請求項４）。

【００２１】傾斜磁場コイルは通常数ｍｍの厚さで作ら
れているので、ＲＦシールド手段を傾斜磁場コイルの間
に配置することにより、ＲＦ照射手段とＲＦシールドと
の間隔を少なくとも数ｍｍ広げることが可能となるの
で、ＲＦ磁場の照射効率の向上に寄与する。

【００２２】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記複数個
の傾斜磁場コイル素子がそれぞれＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向
の傾斜磁場を発生させるコイルである（請求項５）。こ
の構成は、請求項４をＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向の傾斜磁場
コイルに適用したものであり、請求項４と同様の効果が
期待できる。

【００２３】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記傾斜磁
場発生手段を構成する複数個の傾斜磁場コイル素子のう
ち、少なくとも前記ＲＦシールド手段よりも前記静磁場
発生領域に近い側に配置された傾斜磁場コイル素子の電
流路を形成する導電体が、前記ＲＦ照射手段が発生する
ＲＦ磁場を実質的に透過させる（請求項６）。この構成
では、ＲＦ磁場を実質的に透過させる傾斜磁場コイルが
ＲＦシールド手段より静磁場発生領域に近い側にあって
も、ＲＦ磁場との干渉の問題はないので、それらの傾斜
磁場コイルの厚さ分だけ、ＲＦ照射手段とＲＦシールド
手段との間隔を広げることが可能である。

【００２４】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記傾斜磁
場発生手段を構成する複数個の傾斜磁場コイル素子のう
ち、少なくとも前記ＲＦシールド手段よりも前記静磁場
発生領域に近い側に配置された傾斜磁場コイル素子の電
流路を形成する導電体の幅が、遠い側に配置された傾斜
磁場コイル素子のものより狭くなっている（請求項
７）。この構成では、傾斜磁場コイルの導電体の幅を
狭くしたことにより、ＲＦ磁場を実質的に透過するの
で、請求項６と同様な効果が期待できる。

【００２５】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記静磁場
発生手段が前記静磁場発生領域を挾んで、対向して、ほ
ぼ平行に配置された２個の静磁場発生用磁石で構成され
ている（請求項８）。この構成では、静磁場発生用磁石
が対向型の垂直磁場方式となるので、計測空間の周囲が
開放された構造となり、被検者の開放感が大幅に改善さ
れる。

【００２６】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記静磁場
発生用磁石の前記静磁場発生領域に対向する面側の中央
部に凹部が設けられ、該凹部に少なくとも前記傾斜磁場
発生手段のうちのシールドコイル及び前記ＲＦシールド
の中央部が収容されている（請求項９）。この構成で
は、静磁場発生用磁石の中央部に凹部が設けられたこと
により、凹部の深さ分だけ計測空間と静磁場発生用磁石
の内壁面との実質的な間隔が広がったことになるので、
ＲＦ照射手段とＲＦシールド手段との間隔及び傾斜磁場
発生手段の主コイルとシールドコイルとの間隔を大幅に
広げることが可能となる。

【００２７】本発明のＭＲＩ装置では更に、前記静磁場
発生手段が超電導磁石である（請求項１０）。この構成
では、静磁場発生手段に超電導磁石を使用しているの
で、高い静磁場強度を実現することができ、画質の向上
を図ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付図面
に基づいて説明する。なお、図面の符号に関しては、従
来の技術の欄の説明で使用した図面に図示したものと同
じ機能のものは同じ符号を付すことにした。

【００２９】図１及び図２は、本発明のＭＲＩ装置の第
１の実施例を示す。図１は縦断面図、図２は外観斜視図
である。本実施例においては、静磁場発生用磁石が超電
導磁石である場合について説明する。図１において、超
電導磁石３０は、本発明者等が先に考案した垂直磁場方
式のもの（特願平７−３３６０２３号）である。そのた
め、この装置では従来の水平磁場方式の超電導磁石と比
較して、被検者にとっての開放感が大幅に増加してい
る。

【００３０】超電導磁石３０の基本的構成は、均一磁場
領域２に垂直方向の均一な静磁場Ｂ₀を発生するための
超電導コイル３１と、超電導コイル３１を所定の超電導
特性が得られる温度に冷却・保持するための冷却容器３
２とから成る。図では簡単のため最も外側にあり、熱の
対流による放熱を防ぐために全体を内包している真空容
器のみを冷却容器３２として示した。冷却容器３２は、
真空容器の他に、超電導コイル３１を浸す液体ヘリウム
容器や、熱の輻射を防ぐための熱シールドなどから構成
されている。

【００３１】超電導コイル３１は、装置中央の均一磁場
領域２を挾んで上下対称に配置されている。それに対応
して、冷却容器３２も円筒状のものが上下対称に配置さ
れている。２個の冷却容器３２は、図２に示す如く、そ
の間にある支柱３３によって所定の間隔を維持して支持
される。この支柱３３は、上下の冷却容器３２を機械的
に支える働きをしている。超電導磁石３０を上述の如く
構成することにより、高い磁場均一度と広い開口を有す
る開放感のある静磁場発生用磁石を得ることができる。

【００３２】冷却容器３２を支持する支柱３３には、必
要によっては、上下の冷却容器３２に内包される液体ヘ
リウム容器を熱的に接続する働きを持たせてもよい。そ
のように構成すると、液体ヘリウム容器を冷却する冷凍
機を上下１台ずつ設ける必要はなくなり、装置全体に対
し１台の冷凍機で間に合わせることが可能となる。ま
た、支柱３３の本数も図示の２本に限定する必要はな
く、３本，４本と増やすこともできるし、開放感を更に
増すためには、片持ちの１本の支柱としてもよい。

【００３３】一方、傾斜磁場コイル２４も、均一磁場領
域（計測空間）２を挾んで、上下対称に配置されてい
る。上下の傾斜磁場コイル２４は、それぞれ平板状の主
コイル３４とシールドコイル３５とから構成されてい
る。主コイル３４は主に均一磁場領域２内に所定の傾斜
磁場を発生させる働きを行い、シールドコイル３５は、
主コイル３４が均一磁場領域２の側とは逆方向の側に発
生する磁場を打ち消すための磁場を発生させることによ
り、超電導磁石３０の側に磁場を漏らさないようにする
働きを行う。この働きにより、超電導磁石３０における
渦電流の発生を抑制することができる。このとき、シー
ルドコイル３５も均一磁場領域２に磁場を発生するの
で、所定の傾斜磁場を均一磁場領域２に発生させるため
には、シールドコイル３５による磁場の寄与分も考慮す
る必要がある。

【００３４】傾斜磁場コイル２４の主コイル３４とシー
ルドコイル３５との位置関係に関しては、先ず、シール
ドコイル３５の外径は通常図示の如く主コイル３４の外
径よりも少し大きくしてある（通常、少なくとも小さく
ならないようにしている）。これは、傾斜磁場コイル２
４の外側への漏洩磁場量を抑制するためである。また、
傾斜磁場の発生効率を考えた場合、主コイル３４とシー
ルドコイル３５との間に適当な間隔をとる必要がある。
これは、傾斜磁場コイル２４の外側の導電体（超電導磁
石３０の内壁面３６など）に渦電流を発生させないよう
にするために、主コイル３４とシールドコイル３５に逆
方向の電流を流すことに起因する。すなわち、両コイル
に流す電流を一定にした場合、両コイル間の距離が近付
くほど、計測空間２に発生できる傾斜磁場強度が低下
し、両コイル間の距離が離れるほど、計測空間２に発生
できる傾斜磁場強度が上昇する。従って、両コイル間の
間隔は広いほど、傾斜磁場の発生効率は向上する。この
ため、主コイル３４とシールドコイル３５の間の距離
は、必要とする傾斜磁場強度と、傾斜磁場コイル２４を
駆動する電源容量とによって決まる一定値以上にとる必
要がある。

【００３５】図示では、傾斜磁場コイル２４の主コイル
３４もシールドコイル３５も、１枚の円板として表わさ
れているが、実際には、両コイルともＸ，Ｙ，Ｚの３軸
方向に対応した３組の傾斜磁場コイル素子から成る。そ
れぞれのコイルの電流分布（パターン）は、上述の如
く、計測空間２に所定の傾斜磁場を発生させ、かつ、超
電導磁石３０の側に漏れる磁場量を抑制するように選択
される。この電流分布の選択は、計測空間２に発生させ
る傾斜磁場の直線性を最良にし、外側への漏洩する磁場
量を最小にし、傾斜磁場コイル２４に通電する単位電流
当りに発生する傾斜磁場強度を最大にし、傾斜磁場コイ
ル２４のインダクタンスを最小にするように行われる。

【００３６】傾斜磁場コイル２４として、図示の如き円
板状の主コイル３４とシールドコイル３５を用いること
によって、計測空間２の周辺を遮ることがないので、超
電導磁石３０のもつ開放性も損なわれることはなく、高
性能の傾斜磁場を発生させることができる。このような
傾斜磁場コイル２４の構成については、本発明者等が既
に特許出願している（特願平８−９９６７０号）。

【００３７】また、本実施例では、超電導磁石３０の内
側にはＲＦ照射コイル２５とＲＦシールド２６が配置さ
れる。ＲＦ照射コイル２５は均一磁場領域２に挿入され
た被検者にＲＦ磁場を照射し、ＲＦシールド２６はＲＦ
照射コイル２５が超電導磁石３０の側に発生させる漏洩
磁場を遮蔽する働きをしている。ＲＦ照射コイル２５は
傾斜磁場コイル２４を構成する主コイル３４の内側に配
置されるが、ＲＦシールド２６は主コイル３４とシール
ドコイル３５との間に配置されている。このＲＦシール
ド２６は、平板形状をしていて、材料としては通常銅箔
が用いられている。主コイル３４とシールドコイル３５
との間は、上述の如く、必ず一定値以上の距離を離すこ
とになるので、両コイル間にＲＦシールド２６を配置す
ることは、計測空間２と超電導磁石３０の内壁面３６と
の間の狭い空間を有効に利用することになる。従来技術
では、ＲＦシールド２６は傾斜磁場コイル２４の外側に
配置されていたので、本実施例のようにＲＦシールド２
６を両コイル間に配置することにより、ＲＦシールド２
６を配置するのに必要な分のスペースを削減することが
可能となる。この結果、被検者の入る計測空間２をより
広く確保することができるので、開放感のあるＭＲＩ装
置を提供することができる。

【００３８】一方、ＲＦ照射コイル２５とＲＦシールド
２６との間の距離に関しても、傾斜磁場コイル２４の場
合と同様、両者の間隔が広いほど、ＲＦ磁場の照射効率
は向上するので、ＲＦ磁場の照射効率として一定値以上
の値を確保するためには、両者の間の距離を一定値以上
にする必要がある。従って、図示の如く、ＲＦシールド
２６を傾斜磁場コイル２４の２つのコイルの間に挾み込
むことにより、ＲＦ照射コイル２５とＲＦシールド２６
との間隔を広げることが可能となり、両者間の距離を一
定値以上にすることができる。この結果、ＲＦ照射コイ
ル２５と傾斜磁場コイル２４との実質的な寸法（厚さ）
を薄くすることができるので、被検者の入る空間を広く
確保することができる。

【００３９】さらに、本実施例を図３により詳しく説明
する。本実施例の装置の基本構成は上下対称になってい
るので、図３には装置の下側部分のみの断面図を示す。
当然予想されるように、ＲＦ照射コイル２５と傾斜磁場
コイル２４の主コイル３４との間にも干渉が発生する。
しかし、発明者逹は、傾斜磁場コイル２４を構成する電
流路の幅を一定値以下にすることにより、両コイル間に
は実質的な干渉が発生しないことを実験的に確認してい
る。このことから、傾斜磁場コイル２４の主コイル３４
とＲＦ照射コイル２５との間にＲＦシールド２６を設置
する必然性がなくなり、本実施例の配置が可能となっ
た。

【００４０】一方、ＲＦシールド２６は、ＲＦ磁場と外
部環境との干渉を打ち切るために設けられるものである
ことから、ＲＦシールド２６のカバーする領域として
は、ＲＦ磁場の干渉の程度が十分に弱まる範囲まで覆う
必要がある。従って、必要な場合には、図示の如く、超
電導磁石３０の外周まで覆うような形状にすると効果が
ある。

【００４１】また、図３では、理解しやすいように、Ｒ
Ｆシールド２６を傾斜磁場コイル２４の主コイル３４と
シールドコイル３５との間の中央部付近に位置するよう
に配置したが、主コイル３４またはシールドコイル３５
のどちらか一方に寄せた位置に配置することもでき、そ
の方が製作は容易となる。

【００４２】本発明のＭＲＩ装置の第２の実施例を図４
に示す。図４も、装置の下側部分のみの断面図である
（以後の実施例についても同様である）。本実施例で
は、ＲＦシールド２６を傾斜磁場コイル２４のシールド
コイル３５の外側で、静磁場発生用磁石（超電導磁石な
ど）４０に近い側に配置している。このようにＲＦシー
ルド２６を配置した場合、ＲＦ照射コイル２５とＲＦシ
ールド２６との間隔を広げることができるので、ＲＦ磁
場の照射効率を更に向上させることが可能となる。

【００４３】本発明のＭＲＩ装置の第３の実施例を図５
に示す。本実施例では、ＲＦシールド２６を傾斜磁場コ
イル２４の主コイル３４を構成する３つの傾斜磁場コイ
ル素子３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃの間に配置している。図
５では傾斜磁場コイル素子３４Ｂと３４Ｃの間に配置し
ている。他に、傾斜磁場コイル素子３４Ａと３４Ｂの間
に配置してもよい。このような構成を採用した理由は、
上述した如く、ＲＦ照射コイル２５と傾斜磁場コイル２
４との間の干渉を避けるためには、傾斜磁場コイル２４
の導電体の幅を一定値以下とする必要があることによ
る。傾斜磁場コイル２４の導電体の幅を狭くすると低抗
値が増加するために、傾斜磁場を発生したときに、コイ
ルでの発熱量が大きくなる。従って、この発熱量を低減
しようとすると、ある程度以上の導電体の幅寸法が必要
となる。このことから、特に、導電体の幅を広くする必
要のある傾斜磁場コイル素子をＲＦシールド２６の後方
（静磁場発生用磁石４０に近接した例）に配置し、導電
体の幅の狭い傾斜磁場コイル素子をＲＦシールド２６の
前方に配置したものである。この場合、傾斜磁場コイル
素子は１枚当りにつき３〜７ｍｍ程度の厚さを必要とす
るので、その分だけＲＦ照射コイル２５とＲＦシールド
２６との距離を広げることができる。ＲＦ磁場の周波数
にも依存するが、ＲＦ照射コイル２５とＲＦシールド２
６との距離としては、２０〜４０ｍｍ程度であるので、
上記程度の距離の短縮でも効果は大きくなる。

【００４４】本発明のＭＲＩ装置の第４の実施例を図６
に示す。図６において、静磁場発生用磁石４１の均一磁
場領域２に対向する内壁面３６側のほぼ中央部に凹部４
２が設けられている。この凹部４２は、超電導磁石の冷
却容器や、第２の従来例で紹介した永久磁石を用いた対
向型磁石におけるポールピースなどの中央部に設けられ
た凹部に相当する。本実施例においては、ＲＦ照射コイ
ル２５を磁石４１の前方に、傾斜磁場コイル２４の主コ
イル３４とシールドコイル３５を磁石４１の凹部４２の
中に配置し、ＲＦシールド２６の中央部を主コイル３４
とシールドコイル３５との間に配置したものである。凹
部４２の深さ寸法が十分にとれない場合などには、凹部
４２の中には、シールドコイル３５とＲＦシールド２６
のみを配置することでも効果がある。また、磁石４１の
凹部４２の外部においては、ＲＦシールド２６はＲＦ照
射コイル２５と磁石４１の内壁面３６との間に配置され
ている。場合によっては、他の実施例と同様に、ＲＦシ
ールド２６が磁石４１の外周を覆うような構成にしても
よい。

【００４５】上述の如く、傾斜磁場コイル２４の主コイ
ル３４及びシールドコイル３５、又はシールドコイル３
５のみ、とＲＦシールド２６の中央部とを、磁石４１の
凹部４２の内部に配置することにより、主コイル３４と
シールドコイル３５を一定値以上の間隔を確保して配置
することができると共に、ＲＦシールド２６も両コイル
の間に配置することが可能となる。その結果、傾斜磁場
の発生効率及びＲＦ磁場の照射効率の向上を図ることが
できると共に、静磁場発生用磁石４１の内壁面３６と計
測空間２との間の狭い空間を有効に利用することができ
るので、広い計測空間２を確保することができる。

【００４６】また、上記の説明では、本発明における静
磁場発生用磁石として超電導磁石を例に上げて説明して
来たが、これに限定されることなく、常伝導磁石，永久
磁石の場合でも、磁石が上記実施例と相似の形状を有す
る場合には、本発明の適用が可能である。

【００４７】また、上記の説明では、本発明の静磁場発
生用磁石としては、垂直磁場方式の対向型の磁石を例に
上げて説明して来たが、本発明は水平磁場方式の場合に
も適用可能である。円筒型の磁石を使用した水平磁場方
式のＭＲＩ装置の場合には、傾斜磁場コイル，ＲＦ照射
コイル，ＲＦシールドなども円筒型の構造のものが適当
である。

【００４８】

【発明の効果】以上説明した如く、静磁場発生用磁石と
の組合せにおいて、傾斜磁場コイル及びＲＦシールドの
配置の適正化をはかることにより、ＭＲＩ装置の傾斜磁
場の発生効率及びＲＦ磁場の照射効率が向上すると共
に、計測空間を広くすることができる。これを垂直磁場
方式の静磁場発生用磁石を備えたＭＲＩ装置に適用する
ことにより、画質の良い、大きな開放感を有し、かつ、
術者が被検者に容易にアクセスできるＭＲＩ装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＭＲＩ装置の第１の実施例の縦断面
図。

【図２】本発明のＭＲＩ装置の第１の実施例の外観斜視
図。

【図３】本発明のＭＲＩ装置の第１の実施例の下側部分
の断面図。

【図４】本発明のＭＲＩ装置の第２の実施例の下側部分
の断面図。

【図５】本発明のＭＲＩ装置の第３の実施例の下側部分
の断面図。

【図６】本発明のＭＲＩ装置の第４の実施例の下側部分
の断面図。

【図７】従来のＭＲＩ装置の第１の例の装置全体の断面
図。

【図８】従来のＭＲＩ装置の第１の例の傾斜磁場コイル
の斜視図。

【図９】従来のＭＲＩ装置の第２の例の装置全体の斜視
図。

【図１０】従来のＭＲＩ装置の第２の例の装置下側部分
を示す図。

【符号の説明】

１，３０，４０，４１静磁場発生用磁石（超電導磁
石）２均一磁場領域（計測空間）３，３１超電導コイル４真空容器５冷媒容器６，３２冷却容器７，２４傾斜磁場コイル８，３４主コイル９，３５シールドコイル１０，２５ＲＦ照射コイル１１，２６ＲＦシールド２０永久磁石２１継鉄板２２柱状継鉄２３ポールピース２７，４２凹部３３支柱３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ傾斜磁場コイル素子３６内壁面

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年９月１１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１１

【補正方法】削除

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者八尾武東京都千代田区内神田一丁目１番14号株式会社日立メディコ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】静磁場発生領域に均一な静磁場を発生さ
せる静磁場発生手段と、前記静磁場発生領域に傾斜磁場
を発生させる傾斜磁場発生手段と、前記静磁場発生領域
に挿入された被検者に高周波（以下、ＲＦと略称する）
磁場を照射するＲＦ照射手段と、該ＲＦ照射手段からの
外部へのＲＦ磁場を遮蔽するＲＦシールド手段とを含む
磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生
手段が前記静磁場発生領域に傾斜磁場を発生する主コイ
ルと該主コイルがその外側に発生する漏洩磁場を打ち消
すための磁場を発生するシールドコイルとから構成さ
れ、前記ＲＦシールド手段が前記主コイルよりも前記静
磁場発生手段に近い側に配置されていることを特徴とす
る磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】請求項１記載の磁気共鳴イメージング装
置において、前記ＲＦシールド手段が前記主コイルと前
記シールドコイルとの間に配置されていることを特徴と
する磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】請求項１記載の磁気共鳴イメージング装
置において、前記ＲＦシールド手段が前記シールドコイ
ルよりも前記静磁場発生手段に近い側に配置されている
ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】静磁場発生領域に均一な静磁場を発生さ
せる静磁場発生手段と、前記静磁場発生領域に傾斜磁場
を発生させる傾斜磁場発生手段と、前記静磁場発生領域
に挿入された被検者にＲＦ磁場を照射するＲＦ照射手段
と、該ＲＦ照射手段からの外部へのＲＦ磁場を遮蔽する
ＲＦシールド手段とを含む磁気共鳴イメージング装置に
おいて、前記傾斜磁場発生手段が積層された複数個の傾
斜磁場コイル素子から構成され、前記ＲＦシールド手段
が隣接する前記傾斜磁場コイル素子の間に配置されてい
ることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】請求項４記載の磁気共鳴イメージング装
置において、前記複数個の傾斜磁場コイル素子がそれぞ
れＸ、Ｙ、Ｚの３軸方向の傾斜磁場を発生させるコイル
であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】請求項１乃至５記載の磁気共鳴イメージ
ング装置において、前記傾斜磁場発生手段を構成する複
数個の傾斜磁場コイル素子のうち、少なくとも前記ＲＦ
シールド手段よりも前記静磁場発生領域に近い側に配置
された傾斜磁場コイル素子の電流路を形成する導電体
が、前記ＲＦ照射手段が発生するＲＦ磁場を実質的に透
過させることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】請求項１乃至５記載の磁気共鳴イメージ
ング装置において、前記傾斜磁場発生手段を構成する複
数個の傾斜磁場コイル素子のうち、少なくとも前記ＲＦ
シールド手段よりも前記静磁場発生領域に近い側に配置
された傾斜磁場コイル素子の電流路を形成する導電体の
幅が、遠い側に配置された傾斜磁場コイル素子のものよ
り狭くなっていることを特徴とする磁気共鳴イメージン
グ装置。
【請求項８】請求項１乃至７記載の磁気共鳴イメージ
ング装置において、前記静磁場発生手段が前記静磁場発
生領域を挾んで、対向して、ほぼ平行に配置された２個
の静磁場発生用磁石で構成されていることを特徴とする
磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】請求項８記載の磁気共鳴イメージング装
置において、前記静磁場発生用磁石の前記静磁場発生領
域に対向する面側の中央部に凹部が設けられ、該凹部に
少なくとも前記傾斜磁場発生手段のうちのシールドコイ
ル及び前記ＲＦシールドの中央部が収容されていること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】請求項１乃至９記載の磁気共鳴イメー
ジング装置において、前記静磁場発生手段が超電導磁石
であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。