JPH1192579A - 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 - Google Patents
有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法Info
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- JPH1192579A JPH1192579A JP25460897A JP25460897A JPH1192579A JP H1192579 A JPH1192579 A JP H1192579A JP 25460897 A JP25460897 A JP 25460897A JP 25460897 A JP25460897 A JP 25460897A JP H1192579 A JPH1192579 A JP H1192579A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラ
ズマ処理する方法において、プラズマ用電極の材料がス
パッタリングされて有機基材に付着するのを防止し、例
えば、プラズマ処理の後で、真空蒸着により金属層を形
成した場合、有機基材と金属層の密着性を向上させる。 【解決手段】 プラズマ用電極の放電面にカーボンを設
置する。
ズマ処理する方法において、プラズマ用電極の材料がス
パッタリングされて有機基材に付着するのを防止し、例
えば、プラズマ処理の後で、真空蒸着により金属層を形
成した場合、有機基材と金属層の密着性を向上させる。 【解決手段】 プラズマ用電極の放電面にカーボンを設
置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機基材のプラズマ
処理方法及びこのプラズマ処理後に有機基材に真空蒸着
により金属層を形成する方法に関する。
処理方法及びこのプラズマ処理後に有機基材に真空蒸着
により金属層を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機基材に金属層を形成する方法とし
て、真空蒸着が従来から行われている。この真空蒸着に
おいては、通常、有機基材と金属層の密着性を向上させ
るために、有機基材の前処理として、減圧下でのグロー
放電によるプラズマ処理を行い、その後、真空蒸着によ
り金属層を形成している。
て、真空蒸着が従来から行われている。この真空蒸着に
おいては、通常、有機基材と金属層の密着性を向上させ
るために、有機基材の前処理として、減圧下でのグロー
放電によるプラズマ処理を行い、その後、真空蒸着によ
り金属層を形成している。
【０００３】通常、上記プラズマ処理においては、雰囲
気ガスとしてアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等のガ
スが用いられており、プラズマを発生させるための電極
としては、銅、アルミニウム、鉄、または、ステンレス
製の平板状、棒状、コイル状等の電極が用いられてい
る。
気ガスとしてアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等のガ
スが用いられており、プラズマを発生させるための電極
としては、銅、アルミニウム、鉄、または、ステンレス
製の平板状、棒状、コイル状等の電極が用いられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プラズ
マ処理においては、プラズマ用電極を構成する材料の一
部がスパッタリングにより有機基材表面に付着し、金属
層の密着性が低下するという問題がある。しかも、この
問題は、プラズマ処理時間を短くするために、放電電力
を大きくした場合に特に顕著であり、プラズマ処理の効
率を向上させる妨げとなっている。
マ処理においては、プラズマ用電極を構成する材料の一
部がスパッタリングにより有機基材表面に付着し、金属
層の密着性が低下するという問題がある。しかも、この
問題は、プラズマ処理時間を短くするために、放電電力
を大きくした場合に特に顕著であり、プラズマ処理の効
率を向上させる妨げとなっている。
【０００５】また、プラズマ処理と真空蒸着は、一般
に、雰囲気ガス、圧力、放電電力、あるいは、処理時間
等の処理条件が異なるために、同じ装置内でプラズマ処
理と真空蒸着を連続して行うことができず、それぞれ、
別々の独立した工程で行う必要があり、処理効率が悪い
という問題がある。
に、雰囲気ガス、圧力、放電電力、あるいは、処理時間
等の処理条件が異なるために、同じ装置内でプラズマ処
理と真空蒸着を連続して行うことができず、それぞれ、
別々の独立した工程で行う必要があり、処理効率が悪い
という問題がある。
【０００６】また、別々の工程で上記２つの処理を行っ
た場合、折角プラズマ処理により活性化された表面が工
程間で汚染されて、金属層の密着性が低下する危険性が
ある。
た場合、折角プラズマ処理により活性化された表面が工
程間で汚染されて、金属層の密着性が低下する危険性が
ある。
【０００７】本発明は、上記のような問題を克服するた
めになされたものであり、プラズマ処理の放電電力を大
きくしてもプラズマ用電極がスパッタリングされず、有
機基材表面が該電極材料のスパッタリングにより汚染さ
れない有機基材のプラズマ処理方法を提供することを第
一の目的とする。また、本発明は、有機基材と金属層間
の大きな密着力を得ることができる有機基材への金属層
形成方法、さらには、前処理としてのプラズマ処理と真
空蒸着を同じ工程で連続して行うことができる有機基材
への金属層形成方法を提供することを第二の目的とす
る。
めになされたものであり、プラズマ処理の放電電力を大
きくしてもプラズマ用電極がスパッタリングされず、有
機基材表面が該電極材料のスパッタリングにより汚染さ
れない有機基材のプラズマ処理方法を提供することを第
一の目的とする。また、本発明は、有機基材と金属層間
の大きな密着力を得ることができる有機基材への金属層
形成方法、さらには、前処理としてのプラズマ処理と真
空蒸着を同じ工程で連続して行うことができる有機基材
への金属層形成方法を提供することを第二の目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、本発明の有機基材のプラズマ処理方法は、有
機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理する
方法において、放電面にカーボンを設置した電極を用い
てプラズマ処理を行うことを特徴とする。
るために、本発明の有機基材のプラズマ処理方法は、有
機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理する
方法において、放電面にカーボンを設置した電極を用い
てプラズマ処理を行うことを特徴とする。
【０００９】また、上記第二の目的を達成するために、
本発明の有機基材への金属層形成方法は、有機基材の表
面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理した後、真空蒸
着にて有機基材の表面に金属層を形成する方法におい
て、プラズマ処理を放電面にカーボンを設置した電極を
用いて行うことを特徴とする。
本発明の有機基材への金属層形成方法は、有機基材の表
面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理した後、真空蒸
着にて有機基材の表面に金属層を形成する方法におい
て、プラズマ処理を放電面にカーボンを設置した電極を
用いて行うことを特徴とする。
【００１０】さらに、上記第二の目的を達成するため
に、 また、本発明の有機基材への金属層形成方法は、
有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理し
た後、同一装置内で連続して、真空蒸着にて有機基材の
表面に金属層を形成する方法であって、放電面にカーボ
ンを設置した電極を用いてプラズマ処理を行うことを特
徴とする。
に、 また、本発明の有機基材への金属層形成方法は、
有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理し
た後、同一装置内で連続して、真空蒸着にて有機基材の
表面に金属層を形成する方法であって、放電面にカーボ
ンを設置した電極を用いてプラズマ処理を行うことを特
徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の有機基材のプラズマ処理
方法において、有機基材としては、ポリイミドフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
エーテルサルフォン、ポリサルフォン等の高分子フィル
ム及びこれらの高分子フィルムと金属箔の積層体や、金
属箔上に有機重合体の被膜が部分的に形成されたもの等
が挙げられるが、特に、回路基材として良く用いられる
ポリイミドフィルムあるいは金属箔上に形成されたポリ
イミド被膜に対して、本発明の方法は好適に用いられ
る。
方法において、有機基材としては、ポリイミドフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
エーテルサルフォン、ポリサルフォン等の高分子フィル
ム及びこれらの高分子フィルムと金属箔の積層体や、金
属箔上に有機重合体の被膜が部分的に形成されたもの等
が挙げられるが、特に、回路基材として良く用いられる
ポリイミドフィルムあるいは金属箔上に形成されたポリ
イミド被膜に対して、本発明の方法は好適に用いられ
る。
【００１２】また、本発明を工業的に製造プロセスとし
て利用する場合は、上記有機基材は長尺有機基材である
ことが好ましい。また、枚葉型の有機基材の場合でも、
何らかの長尺基材の上に貼付することにより、長尺有機
基材と同様に処理することができる。
て利用する場合は、上記有機基材は長尺有機基材である
ことが好ましい。また、枚葉型の有機基材の場合でも、
何らかの長尺基材の上に貼付することにより、長尺有機
基材と同様に処理することができる。
【００１３】本発明の有機基材のプラズマ処理方法によ
る長尺有機基材の処理は、例えば、図２に示したような
装置で行うことができる。図２において、１は真空容
器、２は長尺有機基材で、この長尺有機基材は真空容器
１内に設けられた巻出軸４より巻出され、案内ロール
６、７を経て電極ロール３上で、プラズマ処理がなさ
れ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸５に巻き取
られる。１０は、プラズマ用電極、１６はマッチング回
路、１７は高周波電源である。
る長尺有機基材の処理は、例えば、図２に示したような
装置で行うことができる。図２において、１は真空容
器、２は長尺有機基材で、この長尺有機基材は真空容器
１内に設けられた巻出軸４より巻出され、案内ロール
６、７を経て電極ロール３上で、プラズマ処理がなさ
れ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸５に巻き取
られる。１０は、プラズマ用電極、１６はマッチング回
路、１７は高周波電源である。
【００１４】そして、本発明においては、プラズマ用電
極の放電面にカーボンが設置される。カーボンの設置形
態は、従来の電極（銅、アルミニウム、鉄、ステンレス
等から成る）の表面をカーボンでコーティングしても良
いし、カーボンのスラブを放電面に装着するだけでも良
く、例えば、上記図２に示した装置においては、カーボ
ンのスラブ１３が、プラズマ用電極１０の放電面に設置
されている。
極の放電面にカーボンが設置される。カーボンの設置形
態は、従来の電極（銅、アルミニウム、鉄、ステンレス
等から成る）の表面をカーボンでコーティングしても良
いし、カーボンのスラブを放電面に装着するだけでも良
く、例えば、上記図２に示した装置においては、カーボ
ンのスラブ１３が、プラズマ用電極１０の放電面に設置
されている。
【００１５】本発明において、プラズマ処理の雰囲気ガ
スとしてはアルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等
の不活性ガスが用いられ、また、圧力は、通常１０-1〜
１０Ｐａ、好ましくは２×１０-1〜６Ｐａに設定され
る。
スとしてはアルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等
の不活性ガスが用いられ、また、圧力は、通常１０-1〜
１０Ｐａ、好ましくは２×１０-1〜６Ｐａに設定され
る。
【００１６】カーボンは上記不活性ガスに対して非常に
スパッタリングされにくいので、プラズマ処理により、
電極の材料が有機基材に付着することがなく、例えば、
プラズマ処理の後で、真空蒸着により金属層を形成した
場合、有機基材と金属層の密着性が非常に良好となる。
スパッタリングされにくいので、プラズマ処理により、
電極の材料が有機基材に付着することがなく、例えば、
プラズマ処理の後で、真空蒸着により金属層を形成した
場合、有機基材と金属層の密着性が非常に良好となる。
【００１７】しかも、放電電力を大きくしても、カーボ
ンは上記不活性ガスに対して非常にスパッタリングされ
にくいので、プラズマ処理時間を従来よりも短くするこ
とができる。
ンは上記不活性ガスに対して非常にスパッタリングされ
にくいので、プラズマ処理時間を従来よりも短くするこ
とができる。
【００１８】本発明において、プラズマ用電極の形状
は、平板状、棒状、コイル状等のいずれでもよいが、特
に、平板状が、放電面にカーボンのスラブを装着するの
が容易であるため、好ましい。また、前記図２に示した
ような装置を用いて、長尺有機基材をプラズマ処理する
場合は、プラズマ用電極は平板状のものが好ましく用い
られる。なぜなら、長尺基材の幅方向のプラズマの均一
性が得られやすいからであり、なかでも、プレーナーマ
グネトロン型のカソード電極を用いることにより、イオ
ンやラジカル密度を高めることができ、プラズマ処理効
率が向上する。
は、平板状、棒状、コイル状等のいずれでもよいが、特
に、平板状が、放電面にカーボンのスラブを装着するの
が容易であるため、好ましい。また、前記図２に示した
ような装置を用いて、長尺有機基材をプラズマ処理する
場合は、プラズマ用電極は平板状のものが好ましく用い
られる。なぜなら、長尺基材の幅方向のプラズマの均一
性が得られやすいからであり、なかでも、プレーナーマ
グネトロン型のカソード電極を用いることにより、イオ
ンやラジカル密度を高めることができ、プラズマ処理効
率が向上する。
【００１９】以上のような本発明の有機基材のプラズマ
処理方法は、本発明の有機基材への金属層形成方法にお
いて、有機基材表面に金属層を真空蒸着する前に行う、
有機基材の前処理に利用できる。
処理方法は、本発明の有機基材への金属層形成方法にお
いて、有機基材表面に金属層を真空蒸着する前に行う、
有機基材の前処理に利用できる。
【００２０】本発明においては、上記プラズマ処理をし
た後、好ましくは、処理直後に真空蒸着を行うのが一般
的である。この真空蒸着とは、主に、スパッタリングを
意味するものであり、通常の直流及び高周波スパッタリ
ングでも良いが、マグネトロン型のスパッタリングが、
蒸着速度を速くできるので、特に好ましい。
た後、好ましくは、処理直後に真空蒸着を行うのが一般
的である。この真空蒸着とは、主に、スパッタリングを
意味するものであり、通常の直流及び高周波スパッタリ
ングでも良いが、マグネトロン型のスパッタリングが、
蒸着速度を速くできるので、特に好ましい。
【００２１】真空蒸着における雰囲気ガスとしては、ア
ルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガス
が好ましく用いられるが、中でも、工業的にはアルゴン
が特に好ましい。また、圧力は、通常、１０-1〜１．３
Ｐａ、好ましくは、１．５×１０-1〜８×１０-1Ｐａに
設定される。
ルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガス
が好ましく用いられるが、中でも、工業的にはアルゴン
が特に好ましい。また、圧力は、通常、１０-1〜１．３
Ｐａ、好ましくは、１．５×１０-1〜８×１０-1Ｐａに
設定される。
【００２２】本発明において、真空蒸着により形成され
る金属層は銅、クロム、ニッケル、銀、金、チタン、
錫、インジウム等から成り、金属層の厚みは、通常４〜
５００ｎｍである。 また、金属層の上に、さらに別種
の金属を真空蒸着をすることにより、２種類以上の金属
層を積層することもできる。有機基材により密着性の高
い金属層を有機基材側に形成することで、全体の金属層
の密着性向上を図ることができる。
る金属層は銅、クロム、ニッケル、銀、金、チタン、
錫、インジウム等から成り、金属層の厚みは、通常４〜
５００ｎｍである。 また、金属層の上に、さらに別種
の金属を真空蒸着をすることにより、２種類以上の金属
層を積層することもできる。有機基材により密着性の高
い金属層を有機基材側に形成することで、全体の金属層
の密着性向上を図ることができる。
【００２３】ところで、前述した本発明の有機基材のプ
ラズマ処理方法によれば、プラズマ用電極の放電面にカ
ーボンを設置することにより、放電電力を大きくして、
プラズマ処理時間を短くすることができるので、これに
より、プラズマ処理を真空蒸着と同じ時間で処理するこ
とが可能である。（従来は、プラズマ処理の方が真空蒸
着よりも長い処理時間が必要であった。）
ラズマ処理方法によれば、プラズマ用電極の放電面にカ
ーボンを設置することにより、放電電力を大きくして、
プラズマ処理時間を短くすることができるので、これに
より、プラズマ処理を真空蒸着と同じ時間で処理するこ
とが可能である。（従来は、プラズマ処理の方が真空蒸
着よりも長い処理時間が必要であった。）
【００２４】しかも、前述のように、本発明に係るプラ
ズマ処理は、真空蒸着と同様に、不活性ガス雰囲気下で
行うことができるので、プラズマ処理による前処理と真
空蒸着による金属層の形成を、同じ装置で連続して行う
ことができる。
ズマ処理は、真空蒸着と同様に、不活性ガス雰囲気下で
行うことができるので、プラズマ処理による前処理と真
空蒸着による金属層の形成を、同じ装置で連続して行う
ことができる。
【００２５】このような方法は、具体的には、例えば図
１に示したような装置を用いて行うことができる。図１
において、１は真空容器、２は長尺有機基材で、この長
尺有機基材は真空容器１内に設けられた巻出軸４より巻
出され、案内ロール６、７を経て電極ロール３上で、プ
ラズマ処理及び金属層の形成が順次なされ、再び案内ロ
ール８、９を経由して巻取軸５に巻き取られる。１７は
プラズマ処理用の高周波電源、１６はマッチング回路、
１８及び１９はスパッタ蒸着用の直流電源である。（ス
パッタ蒸着とは真空蒸着に含まれるものである。）１０
は、プラズマ用電極であり、その放電面には、カーボン
のスラブ１３が設置されている。１１及び１２はいずれ
もスパッタ蒸着用電極であり、それぞれの放電面には金
属のインゴット１４、１５が設置されている。このよう
に、２つのスパッタ蒸着用電極を設置することによっ
て、２種の金属層を連続的に積層することができる。な
お、スパッタ蒸着用電極は、１つだけでも良いし、３つ
以上でも良いが、通常、真空容器１のスペースを考慮し
て、１つまたは２つ設置される。
１に示したような装置を用いて行うことができる。図１
において、１は真空容器、２は長尺有機基材で、この長
尺有機基材は真空容器１内に設けられた巻出軸４より巻
出され、案内ロール６、７を経て電極ロール３上で、プ
ラズマ処理及び金属層の形成が順次なされ、再び案内ロ
ール８、９を経由して巻取軸５に巻き取られる。１７は
プラズマ処理用の高周波電源、１６はマッチング回路、
１８及び１９はスパッタ蒸着用の直流電源である。（ス
パッタ蒸着とは真空蒸着に含まれるものである。）１０
は、プラズマ用電極であり、その放電面には、カーボン
のスラブ１３が設置されている。１１及び１２はいずれ
もスパッタ蒸着用電極であり、それぞれの放電面には金
属のインゴット１４、１５が設置されている。このよう
に、２つのスパッタ蒸着用電極を設置することによっ
て、２種の金属層を連続的に積層することができる。な
お、スパッタ蒸着用電極は、１つだけでも良いし、３つ
以上でも良いが、通常、真空容器１のスペースを考慮し
て、１つまたは２つ設置される。
【００２６】また、プラズマ用電極も、長尺有機基材が
プラズマ処理される領域を長くするために、複数個設置
しても良いが、通常、装置内にスペースがないため、１
つだけ設置される。その点、本発明の方法は、前述のよ
うに、放電電力を大きくしてプラズマ処理の効率をあげ
ることができるのでプラズマ用電極は１つだけで十分で
ある。
プラズマ処理される領域を長くするために、複数個設置
しても良いが、通常、装置内にスペースがないため、１
つだけ設置される。その点、本発明の方法は、前述のよ
うに、放電電力を大きくしてプラズマ処理の効率をあげ
ることができるのでプラズマ用電極は１つだけで十分で
ある。
【００２７】また、上記のように、プラズマ処理による
前処理とスパッタ蒸着による金属層の形成を、同じ装置
で連続して行う場合、長尺基材の走行速度は、通常、
０．１〜３ｍ／分である。
前処理とスパッタ蒸着による金属層の形成を、同じ装置
で連続して行う場合、長尺基材の走行速度は、通常、
０．１〜３ｍ／分である。
【００２８】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
（実施例１）図１に示した装置を用いて、長尺有機基材
としてのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製
カプトンＨ）に、プラズマ処理による前処理、スパッタ
蒸着によるクロム層及び銅層の形成を連続的に行った。
としてのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製
カプトンＨ）に、プラズマ処理による前処理、スパッタ
蒸着によるクロム層及び銅層の形成を連続的に行った。
【００２９】以下、実施例１に係る図１の装置に関して
説明する。プラズマ用電極１０およびスパッタ蒸着用電
極１１、１２は、いずれも、プレーナーマグネトロンス
パッタ電極であり、プラズマ用電極１０の放電面にはカ
ーボンのスラブ１３（５インチ×１５インチ）が装着し
てある。また、スパッタ蒸着用電極１１、１２には、そ
れぞれ、クロムのインゴット１４（５インチ×１５イン
チ）及び銅のインゴット１５（５インチ×１５インチ）
が、スパッタリングのターゲットとして装着されてい
る。 ポリイミドフィルムの原反（幅：３５０ｍｍ）を
巻出軸４に装着した後、真空ポンプ（図示していない）
にて、１×１０ -3Ｐａまで排気し、その後、アルゴンガ
スを導入し、圧力を４×１０-1Ｐａに保った。そして、
プラズマ用電極１０に１３．５６Ｍｈｚの高周波電圧
（放電電力は１．１Ｗ／ｃｍ2 ）を、スパッタ蒸着用電
極１１、１２にそれぞれ１．３ｋＷと３ｋＷの直流電力
を印加して放電させ、ポリイミドフィルムを巻取軸５で
巻取りながら１ｍ／ｍｉｎで走行させて、プラズマ処理
及びスパッタ蒸着を連続して行った。
説明する。プラズマ用電極１０およびスパッタ蒸着用電
極１１、１２は、いずれも、プレーナーマグネトロンス
パッタ電極であり、プラズマ用電極１０の放電面にはカ
ーボンのスラブ１３（５インチ×１５インチ）が装着し
てある。また、スパッタ蒸着用電極１１、１２には、そ
れぞれ、クロムのインゴット１４（５インチ×１５イン
チ）及び銅のインゴット１５（５インチ×１５インチ）
が、スパッタリングのターゲットとして装着されてい
る。 ポリイミドフィルムの原反（幅：３５０ｍｍ）を
巻出軸４に装着した後、真空ポンプ（図示していない）
にて、１×１０ -3Ｐａまで排気し、その後、アルゴンガ
スを導入し、圧力を４×１０-1Ｐａに保った。そして、
プラズマ用電極１０に１３．５６Ｍｈｚの高周波電圧
（放電電力は１．１Ｗ／ｃｍ2 ）を、スパッタ蒸着用電
極１１、１２にそれぞれ１．３ｋＷと３ｋＷの直流電力
を印加して放電させ、ポリイミドフィルムを巻取軸５で
巻取りながら１ｍ／ｍｉｎで走行させて、プラズマ処理
及びスパッタ蒸着を連続して行った。
【００３０】形成した金属層の厚みは、クロム層の厚み
が２０ｎｍで、その上に積層した銅層の厚みが７０ｎｍ
であった。
が２０ｎｍで、その上に積層した銅層の厚みが７０ｎｍ
であった。
【００３１】上記のようにしてポリイミドフィルムに形
成した金属層の上に、さらに、別工程で、電気メッキに
て銅を１０μm まで形成し、金属層（クロム層）のポリ
イミドフィルムに対する密着力を９０°ピール剥離試験
により測定した。測定サンプルの形状は２ｍｍ×１００
ｍｍとし、測定サンプルの切り出し位置は、図３に示し
たように、原反幅の中心及び両端から５０ｍｍの位置の
計３点として、３点の測定値の平均値を密着力とした。
その結果、密着力は８００ｇ／ｃｍであった。
成した金属層の上に、さらに、別工程で、電気メッキに
て銅を１０μm まで形成し、金属層（クロム層）のポリ
イミドフィルムに対する密着力を９０°ピール剥離試験
により測定した。測定サンプルの形状は２ｍｍ×１００
ｍｍとし、測定サンプルの切り出し位置は、図３に示し
たように、原反幅の中心及び両端から５０ｍｍの位置の
計３点として、３点の測定値の平均値を密着力とした。
その結果、密着力は８００ｇ／ｃｍであった。
【００３２】（比較例１）実施例１において、プラズマ
用電極１０（アルミニウム製）の放電面にアルミニウム
のインゴットを装着して、放電電力を０．３２Ｗ／ｃｍ
2 にした以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィ
ルム上にクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
放電電力を実施例１（１．１Ｗ／ｃｍ2 ）より小さく、
０．３２Ｗ／ｃｍ2 としたのは、１．１Ｗ／ｃｍ2 では
アルミニウムが、スパッタリングされてポリイミドフィ
ルム上に明らかに蒸着されるからである。
用電極１０（アルミニウム製）の放電面にアルミニウム
のインゴットを装着して、放電電力を０．３２Ｗ／ｃｍ
2 にした以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィ
ルム上にクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
放電電力を実施例１（１．１Ｗ／ｃｍ2 ）より小さく、
０．３２Ｗ／ｃｍ2 としたのは、１．１Ｗ／ｃｍ2 では
アルミニウムが、スパッタリングされてポリイミドフィ
ルム上に明らかに蒸着されるからである。
【００３３】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、密着力
は３５０ｇ／ｃｍであり、実施例１に比較して小さかっ
た。
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、密着力
は３５０ｇ／ｃｍであり、実施例１に比較して小さかっ
た。
【００３４】（実施例２）まず、有機基材として、長尺
ステンレス箔上にポリイミド被膜を形成したものを、以
下のようにして作製した。
ステンレス箔上にポリイミド被膜を形成したものを、以
下のようにして作製した。
【００３５】ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
４，４−ジアミノジフェニルエーテルを重縮合して得ら
れたポリアミド酸の被膜を長尺ステンレス箔上に形成し
た後、加熱によりイミド化して、ポリイミド被膜を得
た。
４，４−ジアミノジフェニルエーテルを重縮合して得ら
れたポリアミド酸の被膜を長尺ステンレス箔上に形成し
た後、加熱によりイミド化して、ポリイミド被膜を得
た。
【００３６】次に、上記有機基材上に実施例１と同様の
方法でクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
方法でクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
【００３７】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）の上記有機基材に対する密着力を９０°ピ
ール剥離試験により測定した。その結果、密着力は８０
０ｇ／ｃｍであった。
（クロム層）の上記有機基材に対する密着力を９０°ピ
ール剥離試験により測定した。その結果、密着力は８０
０ｇ／ｃｍであった。
【００３８】（比較例２）実施例２において、プラズマ
用電極１０の放電面にアルミニウムのインゴットを装着
し、放電電力を０．３２Ｗ／ｃｍ2 にした以外は、実施
例２と同様にして有機基材上にクロム層及び銅層から成
る金属層を形成した。放電電力を実施例１（１．１Ｗ／
ｃｍ2 ）より小さく、０．３２Ｗ／ｃｍ2 としたのは、
１．１Ｗ／ｃｍ2 ではアルミニウムが、スパッタリング
されて有機基材上に明らかに蒸着されるからである。
用電極１０の放電面にアルミニウムのインゴットを装着
し、放電電力を０．３２Ｗ／ｃｍ2 にした以外は、実施
例２と同様にして有機基材上にクロム層及び銅層から成
る金属層を形成した。放電電力を実施例１（１．１Ｗ／
ｃｍ2 ）より小さく、０．３２Ｗ／ｃｍ2 としたのは、
１．１Ｗ／ｃｍ2 ではアルミニウムが、スパッタリング
されて有機基材上に明らかに蒸着されるからである。
【００３９】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）の上記有機基材に対する密着力を９０°ピ
ール剥離試験により測定した。その結果、密着力は３０
０ｇ／ｃｍであり、実施例２に比較して小さかった。
（クロム層）の上記有機基材に対する密着力を９０°ピ
ール剥離試験により測定した。その結果、密着力は３０
０ｇ／ｃｍであり、実施例２に比較して小さかった。
【００４０】
【発明の効果】本発明の有機基材のプラズマ処理方法
は、プラズマ用電極の放電面にカーボンを設置している
ため、該電極の材料がスパッタリングされて有機基材に
付着することがなく、例えば、プラズマ処理の後で、真
空蒸着により金属層を形成した場合、有機基材と金属層
の密着性が非常に良好となる。
は、プラズマ用電極の放電面にカーボンを設置している
ため、該電極の材料がスパッタリングされて有機基材に
付着することがなく、例えば、プラズマ処理の後で、真
空蒸着により金属層を形成した場合、有機基材と金属層
の密着性が非常に良好となる。
【００４１】本発明の有機基材への金属層の形成方法
は、有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処
理した後、真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成
する方法において、該プラズマ処理を上記本発明の有機
基材のプラズマ処理方法により行うので、有機基材と金
属層の密着性が非常に良好となる。
は、有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処
理した後、真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成
する方法において、該プラズマ処理を上記本発明の有機
基材のプラズマ処理方法により行うので、有機基材と金
属層の密着性が非常に良好となる。
【００４２】そして、前述した本発明の有機基材のプラ
ズマ処理方法によれば、プラズマ用電極の放電面にカー
ボンを設置することにより、放電電力を大きくして、プ
ラズマ処理時間を短くすることができるので、これによ
り、プラズマ処理を真空蒸着と同じ時間で処理すること
が可能である。（従来は、プラズマ処理の方が真空蒸着
よりも長い処理時間が必要であった。）
ズマ処理方法によれば、プラズマ用電極の放電面にカー
ボンを設置することにより、放電電力を大きくして、プ
ラズマ処理時間を短くすることができるので、これによ
り、プラズマ処理を真空蒸着と同じ時間で処理すること
が可能である。（従来は、プラズマ処理の方が真空蒸着
よりも長い処理時間が必要であった。）
【００４３】しかも、本発明に係るプラズマ処理は、真
空蒸着と同様に、不活性ガス雰囲気下で行うことができ
るので、本発明の有機基材への金属層の形成方法によれ
ば、例えば、図１に示したような装置を用いて、長尺有
機基材での、プラズマ処理による前処理とスパッタ蒸着
による金属層の形成を、同じ装置で連続して行うことが
できる。
空蒸着と同様に、不活性ガス雰囲気下で行うことができ
るので、本発明の有機基材への金属層の形成方法によれ
ば、例えば、図１に示したような装置を用いて、長尺有
機基材での、プラズマ処理による前処理とスパッタ蒸着
による金属層の形成を、同じ装置で連続して行うことが
できる。
【００４４】なお、このような方法で作製される有機基
材と金属層の積層体は、液晶ディスプレイの透明電極、
透明タッチパネル、電磁波シールド、あるいは、回路基
板等として利用することができる。
材と金属層の積層体は、液晶ディスプレイの透明電極、
透明タッチパネル、電磁波シールド、あるいは、回路基
板等として利用することができる。
【図１】プラズマ処理及びスパッタ蒸着を連続的に行う
装置を示した概略図である。
装置を示した概略図である。
【図２】プラズマ処理を行う装置を示した概略図であ
る。
る。
【図３】ピール剥離試験の測定サンプルのサンプリング
位置を示す図である。
位置を示す図である。
２ 長尺有機基材 １０ プラズマ用電極 １１、１２ スパッタ蒸着用電極 １３ カーボンのスラブ １４ クロムのインゴット １５ 銅のインゴット
Claims (5)
- 【請求項１】 有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下で
プラズマ処理する方法において、放電面にカーボンを設
置した電極を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とす
る有機基材のプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 電極がプレーナーマグネトロンスパッタ
蒸着用カソード電極であることを特徴とする請求項１に
記載の有機基材のプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下で
プラズマ処理した後、真空蒸着にて有機基材の表面に金
属層を形成する方法において、放電面にカーボンを設置
した電極を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする
有機基材への金属層形成方法。 - 【請求項４】 有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下で
プラズマ処理した後、同一装置内で連続して、真空蒸着
にて有機基材の表面に金属層を形成する方法であって、
放電面にカーボンを設置した電極を用いてプラズマ処理
を行うことを特徴とする有機基材への金属層形成方法。 - 【請求項５】 電極がプレーナーマグネトロンスパッタ
蒸着用カソード電極であることを特徴とする請求項３ま
たは４に記載の有機基材への金属層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460897A JPH1192579A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460897A JPH1192579A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192579A true JPH1192579A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17267406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25460897A Pending JPH1192579A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192579A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032175A1 (de) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Vorrichtung zur behandlung eines bandförmigen materials in einem plasma-unterstützten prozess |
| US7417316B2 (en) | 2004-06-17 | 2008-08-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit forming board, wired circuit board, and thin metal layer forming method |
| JP2010059525A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-18 | Jeol Ltd | カーボン蒸着装置 |
| US20120132531A1 (en) * | 2007-10-18 | 2012-05-31 | Jx Nippon Mining And Metals Corporation | Process and Apparatus for Producing a Metal Covered Polyimide Composite |
| JP5285189B1 (ja) * | 2013-03-08 | 2013-09-11 | 尾池工業株式会社 | 積層フィルムの製造方法及び積層フィルム |
| CN107710889A (zh) * | 2015-05-06 | 2018-02-16 | 哈钦森技术股份有限公司 | 用于硬盘驱动器的挠曲部的等离子体处理 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25460897A patent/JPH1192579A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032175A1 (de) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Vorrichtung zur behandlung eines bandförmigen materials in einem plasma-unterstützten prozess |
| JP2006501366A (ja) * | 2002-10-03 | 2006-01-12 | テトゥラ・ラバル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニム | プラズマ強化プロセスにおいてウェブ材料を処理するための装置 |
| CH696013A5 (de) * | 2002-10-03 | 2006-11-15 | Tetra Laval Holdings & Finance | Vorrichtung zur Behandlung eines bandförmigen Materials in einem Plasma-unterstützten Prozess. |
| CN100466154C (zh) * | 2002-10-03 | 2009-03-04 | 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 | 以等离子体支持工艺处理带形材料的装置 |
| US7417316B2 (en) | 2004-06-17 | 2008-08-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit forming board, wired circuit board, and thin metal layer forming method |
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| US8721864B2 (en) * | 2007-10-18 | 2014-05-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Process and apparatus for producing a metal covered polyimide composite |
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