JPH1189075A - 過電流保護回路 - Google Patents
過電流保護回路Info
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- JPH1189075A JPH1189075A JP25776297A JP25776297A JPH1189075A JP H1189075 A JPH1189075 A JP H1189075A JP 25776297 A JP25776297 A JP 25776297A JP 25776297 A JP25776297 A JP 25776297A JP H1189075 A JPH1189075 A JP H1189075A
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- Japan
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- drain
- resistor
- type dmos
- dmos
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 保護される負荷回路に合わせた遅延特性をも
ち、短絡電流のような極めて大きな過電流を瞬時に遮断
できる超速断特性をもつ。 【解決手段】 Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートをコンデンサー
４に接続し、コンデンサー４を小さい抵抗値の抵抗３に
接続し、抵抗３をＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、
Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートは、大きい抵抗値の抵抗５に接
続し、抵抗５をＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続し、Ｐ
型ＤＭＯＳ２のゲートは抵抗６に接続し、抵抗６をＮ型
ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、ツェナーダイオード７
のアノードはＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに、ツェナーダ
イオードのカソードは小さい抵抗値の抵抗３とコンデン
サー４の接続箇所に接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレイン
をプラスの端子Ａとし、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインをマ
イナスの端子Ｂとする。
ち、短絡電流のような極めて大きな過電流を瞬時に遮断
できる超速断特性をもつ。 【解決手段】 Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートをコンデンサー
４に接続し、コンデンサー４を小さい抵抗値の抵抗３に
接続し、抵抗３をＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、
Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートは、大きい抵抗値の抵抗５に接
続し、抵抗５をＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続し、Ｐ
型ＤＭＯＳ２のゲートは抵抗６に接続し、抵抗６をＮ型
ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、ツェナーダイオード７
のアノードはＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに、ツェナーダ
イオードのカソードは小さい抵抗値の抵抗３とコンデン
サー４の接続箇所に接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレイン
をプラスの端子Ａとし、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインをマ
イナスの端子Ｂとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、過電流が流れた時、過
電流を遮断して、負荷回路を保護する過電流保護回路に
関する。
電流を遮断して、負荷回路を保護する過電流保護回路に
関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】過電流保護回路には、
保護される負荷回路が許容する程度の大きさの短時間の
過電流は、流すことが出来る遅延特性が必要である。そ
して、その遅延特性は、コンデンサーと抵抗を直列に接
続して、その時定数によって、調整している。
保護される負荷回路が許容する程度の大きさの短時間の
過電流は、流すことが出来る遅延特性が必要である。そ
して、その遅延特性は、コンデンサーと抵抗を直列に接
続して、その時定数によって、調整している。
【０００３】しかし、短絡電流のような非常に大きい過
電流が流れた時には、過電流保護回路は、遅延特性では
なく、瞬時に過電流を遮断しなければならない。
電流が流れた時には、過電流保護回路は、遅延特性では
なく、瞬時に過電流を遮断しなければならない。
【０００４】本発明は、保護される負荷回路に合わせた
遅延特性をもち、短絡電流のような非常に大きい過電流
に対しては、瞬時に遮断することが出来る超速断特性を
もつ過電流保護回路を提供することを目的としている。
遅延特性をもち、短絡電流のような非常に大きい過電流
に対しては、瞬時に遮断することが出来る超速断特性を
もつ過電流保護回路を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】過電流保護回路は、Ｎ型
ディプレッション形ＭＯＳ（以下、Ｎ型ＤＭＯＳと略
す）とＰ型ディプレッション形ＭＯＳ（以下、Ｐ型ＤＭ
ＯＳと略す）を組み合わせ、Ｎ型ＤＭＯＳのゲートに、
コンデンサーと抵抗を直列に接続して遅延特性を調整し
ているが、上記目的を達成するために、本発明の過電流
保護回路は、Ｎ型ＤＭＯＳのゲートに小さい抵抗値の抵
抗とコンデンサーと大きい抵抗値の抵抗を直列に接続
し、小さい抵抗値の抵抗とコンデンサーの接続箇所に、
ツェナーダイオードのカソードを接続することによっ
て、非常に大きい過電流が流れた時は、コンデンサーの
基準電位になるところの小さい抵抗値の抵抗とコンデン
サーの接続箇所の電位を、瞬時に下げ、そして、Ｎ型Ｄ
ＭＯＳのゲート電圧も同時に下げて、遮断するものであ
る。
ディプレッション形ＭＯＳ（以下、Ｎ型ＤＭＯＳと略
す）とＰ型ディプレッション形ＭＯＳ（以下、Ｐ型ＤＭ
ＯＳと略す）を組み合わせ、Ｎ型ＤＭＯＳのゲートに、
コンデンサーと抵抗を直列に接続して遅延特性を調整し
ているが、上記目的を達成するために、本発明の過電流
保護回路は、Ｎ型ＤＭＯＳのゲートに小さい抵抗値の抵
抗とコンデンサーと大きい抵抗値の抵抗を直列に接続
し、小さい抵抗値の抵抗とコンデンサーの接続箇所に、
ツェナーダイオードのカソードを接続することによっ
て、非常に大きい過電流が流れた時は、コンデンサーの
基準電位になるところの小さい抵抗値の抵抗とコンデン
サーの接続箇所の電位を、瞬時に下げ、そして、Ｎ型Ｄ
ＭＯＳのゲート電圧も同時に下げて、遮断するものであ
る。
【０００６】
【実施例】実施例について、図１により説明する。本発
明の過電流保護回路は、Ｎ型ＤＭＯＳ１のソースとＰ型
ＤＭＯＳ２のソースを接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート
は、コンデンサー４に接続し、コンデンサー４のＮ型Ｄ
ＭＯＳ１のゲートに接続していない方の端を小さい抵抗
値の抵抗３に接続し、抵抗３のコンデンサー４に接続し
ていない方の端をＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、
同時に、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートは、大きい抵抗値の抵
抗５に接続し、抵抗５のＮ型ＤＭＯＳ１のゲートに接続
していない方の端をＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続
し、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲートは、抵抗６に接続し、抵抗
６のＰ型ＤＭＯＳ２に接続していない方の端をＮ型ＤＭ
ＯＳ１のドレインに接続し、ツェナーダイオード７のア
ノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続し、ツェナ
ーダイオード７のカソードは、小さい抵抗値の抵抗３と
コンデンサー４の接続箇所に接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１の
ドレインをプラスの端子Ａとし、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレ
インをマイナスの端子Ｂとするものである。
明の過電流保護回路は、Ｎ型ＤＭＯＳ１のソースとＰ型
ＤＭＯＳ２のソースを接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート
は、コンデンサー４に接続し、コンデンサー４のＮ型Ｄ
ＭＯＳ１のゲートに接続していない方の端を小さい抵抗
値の抵抗３に接続し、抵抗３のコンデンサー４に接続し
ていない方の端をＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、
同時に、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートは、大きい抵抗値の抵
抗５に接続し、抵抗５のＮ型ＤＭＯＳ１のゲートに接続
していない方の端をＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続
し、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲートは、抵抗６に接続し、抵抗
６のＰ型ＤＭＯＳ２に接続していない方の端をＮ型ＤＭ
ＯＳ１のドレインに接続し、ツェナーダイオード７のア
ノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続し、ツェナ
ーダイオード７のカソードは、小さい抵抗値の抵抗３と
コンデンサー４の接続箇所に接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１の
ドレインをプラスの端子Ａとし、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレ
インをマイナスの端子Ｂとするものである。
【０００７】各部のはたらきを、以下に説明する。この
接続により、端子Ａにプラス、端子Ｂにマイナスの電圧
ＶABがかかる時、Ｐ型ＤＭＯＳ２における電位差は、Ｎ
型ＤＭＯＳ１のゲート電圧になり、Ｎ型ＤＭＯＳ１にお
ける電位差は、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧になる。こ
のために、電圧ＶABが徐々に大きくなると、Ｎ型ＤＭＯ
Ｓ１とＰ型ＤＭＯＳ２を流れる電流ＩABは、徐々に大き
くなる。しかし、Ｎ型ＤＭＯＳ１における電位差が大き
くなると、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧が大きくなり、
同様に、Ｐ型ＤＭＯＳ２における電位差が大きくなる
と、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧が大きくなる。そのた
めに、電圧ＶABが大きくなり、電流ＩABが大きくなる
と、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２における電位差が
大きくなり、そして、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２
のゲート電圧も大きくなる。
接続により、端子Ａにプラス、端子Ｂにマイナスの電圧
ＶABがかかる時、Ｐ型ＤＭＯＳ２における電位差は、Ｎ
型ＤＭＯＳ１のゲート電圧になり、Ｎ型ＤＭＯＳ１にお
ける電位差は、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧になる。こ
のために、電圧ＶABが徐々に大きくなると、Ｎ型ＤＭＯ
Ｓ１とＰ型ＤＭＯＳ２を流れる電流ＩABは、徐々に大き
くなる。しかし、Ｎ型ＤＭＯＳ１における電位差が大き
くなると、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧が大きくなり、
同様に、Ｐ型ＤＭＯＳ２における電位差が大きくなる
と、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧が大きくなる。そのた
めに、電圧ＶABが大きくなり、電流ＩABが大きくなる
と、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２における電位差が
大きくなり、そして、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２
のゲート電圧も大きくなる。
【０００８】電圧ＶABがもっと大きくなっていくと、電
流ＩABはさらに大きくなるが、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型Ｄ
ＭＯＳ２における電位差がもっと大きくなり、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧がもっと大きくな
るために、電流ＩABが、回路設計上あらかじめ保護動作
点とされる値に達すると、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯ
Ｓ２は電流ＩABが大きくなるのを抑えるようになり、そ
して、次に、電流ＩABを減らすようになる。その後、Ｎ
型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２はピンチオフ状態に達し
て、電流ＩAB（過電流）を遮断する。
流ＩABはさらに大きくなるが、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型Ｄ
ＭＯＳ２における電位差がもっと大きくなり、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧がもっと大きくな
るために、電流ＩABが、回路設計上あらかじめ保護動作
点とされる値に達すると、Ｎ型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯ
Ｓ２は電流ＩABが大きくなるのを抑えるようになり、そ
して、次に、電流ＩABを減らすようになる。その後、Ｎ
型ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２はピンチオフ状態に達し
て、電流ＩAB（過電流）を遮断する。
【０００９】このように、電流ＩABはある程度の大きさ
までは流れるが、それ以上大きな電流が流れると、Ｎ型
ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２は、電流ＩAB（過電流）を
遮断し、過電流保護のはたらきをする。この過電流保護
回路の遮断の静特性を表すＩ−Ｖ特性を、図３に示す。
までは流れるが、それ以上大きな電流が流れると、Ｎ型
ＤＭＯＳ１とＰ型ＤＭＯＳ２は、電流ＩAB（過電流）を
遮断し、過電流保護のはたらきをする。この過電流保護
回路の遮断の静特性を表すＩ−Ｖ特性を、図３に示す。
【００１０】この過電流保護回路の遮断の動特性を説明
する。今、抵抗３，５の抵抗値の比が、１：１０、ある
いは、それ以上とすると、過電流保護回路に、保護され
る負荷回路が許容する程度の大きさの短時間の過電流が
流れる時、端子ＡＢ間にかかる電圧ＶABと、コンデンサ
ー４と抵抗５の時定数によって、遮断時間は決まり、遅
延特性を調整することが出来る。
する。今、抵抗３，５の抵抗値の比が、１：１０、ある
いは、それ以上とすると、過電流保護回路に、保護され
る負荷回路が許容する程度の大きさの短時間の過電流が
流れる時、端子ＡＢ間にかかる電圧ＶABと、コンデンサ
ー４と抵抗５の時定数によって、遮断時間は決まり、遅
延特性を調整することが出来る。
【００１１】次に、短絡電流のような非常に大きな過電
流が流れる時の遮断について説明する。先ず、過電流保
護回路におけるツェナーダイオードの従来の接続方法に
ついて、図２により説明する。ツェナーダイオード８の
アノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続し、ツェ
ナーダイオード８のカソードは、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲー
トに接続する。そして、この場合、コンデンサーのＮ型
ＤＭＯＳ１のゲートに接続していない方の端は、直接Ｎ
型ＤＭＯＳ１のドレインに接続する。抵抗３は接続しな
い。過電流保護回路の他の部分については、図１の過電
流保護回路と同じである。非常に大きな過電流が流れ、
端子ＡＢ間に、ツェナーダイオード７のツェナー電圧以
上の大きな電圧がかかと、ツェナーダイオード７は導通
して、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧を急速に下げようと
するが、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレインとゲート間にコンデ
ンサー４が接続されているために、コンデンサー４が充
電される時間分だけ遅れて、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電
圧は下がり、Ｎ型ＤＭＯＳ１は遮断し、そして、その時
間分だけ遅れて、過電流保護回路は過電流を遮断する。
流が流れる時の遮断について説明する。先ず、過電流保
護回路におけるツェナーダイオードの従来の接続方法に
ついて、図２により説明する。ツェナーダイオード８の
アノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインに接続し、ツェ
ナーダイオード８のカソードは、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲー
トに接続する。そして、この場合、コンデンサーのＮ型
ＤＭＯＳ１のゲートに接続していない方の端は、直接Ｎ
型ＤＭＯＳ１のドレインに接続する。抵抗３は接続しな
い。過電流保護回路の他の部分については、図１の過電
流保護回路と同じである。非常に大きな過電流が流れ、
端子ＡＢ間に、ツェナーダイオード７のツェナー電圧以
上の大きな電圧がかかと、ツェナーダイオード７は導通
して、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧を急速に下げようと
するが、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレインとゲート間にコンデ
ンサー４が接続されているために、コンデンサー４が充
電される時間分だけ遅れて、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電
圧は下がり、Ｎ型ＤＭＯＳ１は遮断し、そして、その時
間分だけ遅れて、過電流保護回路は過電流を遮断する。
【００１２】過電流保護回路におけるツェナーダイオー
ドの本発明の接続方法について、図１により説明する。
ツェナーダイオード７のアノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２の
ドレインに接続し、ツェナーダイオード７のカソード
は、小さい抵抗値の抵抗３とコンデンサー４の接続箇所
に接続する。非常に大きな過電流が流れ、端子ＡＢ間
に、ツェナーダイオード７のツェナー電圧以上の大きな
電圧がかかと、ツェナーダイオード７は導通して、ツェ
ナー電流は、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレインから、抵抗３、
ツェナーダイオード７を通ってＰ型ＤＭＯＳ２のドレイ
ンに流れる。ツェナー電流が、抵抗３を流れることによ
り、抵抗３に電圧降下が発生するが、その電圧降下によ
って、コンデンサー４の基準電位になるところの小さい
抵抗値の抵抗３とコンデンサー４の接続箇所の電位が、
瞬時にその電圧降下分だけ下がることになる。
ドの本発明の接続方法について、図１により説明する。
ツェナーダイオード７のアノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２の
ドレインに接続し、ツェナーダイオード７のカソード
は、小さい抵抗値の抵抗３とコンデンサー４の接続箇所
に接続する。非常に大きな過電流が流れ、端子ＡＢ間
に、ツェナーダイオード７のツェナー電圧以上の大きな
電圧がかかと、ツェナーダイオード７は導通して、ツェ
ナー電流は、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレインから、抵抗３、
ツェナーダイオード７を通ってＰ型ＤＭＯＳ２のドレイ
ンに流れる。ツェナー電流が、抵抗３を流れることによ
り、抵抗３に電圧降下が発生するが、その電圧降下によ
って、コンデンサー４の基準電位になるところの小さい
抵抗値の抵抗３とコンデンサー４の接続箇所の電位が、
瞬時にその電圧降下分だけ下がることになる。
【００１３】このことにより、コンデンサー４の基準電
位が、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電位より下がるために、
Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧は、瞬時に下がり、Ｎ型Ｄ
ＭＯＳ１は遮断する。そして、過電流保護回路は、コン
デンサー４による遅れがなく、過電流を遮断することが
できる。
位が、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電位より下がるために、
Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧は、瞬時に下がり、Ｎ型Ｄ
ＭＯＳ１は遮断する。そして、過電流保護回路は、コン
デンサー４による遅れがなく、過電流を遮断することが
できる。
【発明の効果】本発明の過電流保護回路は、ツェナーダ
イオード７が、以上説明したように接続されているの
で、保護される負荷回路が許容する程度の大きさの短時
間の過電流は、流すことが出来る遅延特性をもち、短絡
電流のような非常に大きい過電流が流れた時には、瞬時
に過電流を遮断することが出来る超速断特性をもつこと
ができる。それにより、非常に大きい過電流から、小さ
い過電流までの広い範囲にわたって、負荷回路に合わせ
て、過電流保護を行うことができる。
イオード７が、以上説明したように接続されているの
で、保護される負荷回路が許容する程度の大きさの短時
間の過電流は、流すことが出来る遅延特性をもち、短絡
電流のような非常に大きい過電流が流れた時には、瞬時
に過電流を遮断することが出来る超速断特性をもつこと
ができる。それにより、非常に大きい過電流から、小さ
い過電流までの広い範囲にわたって、負荷回路に合わせ
て、過電流保護を行うことができる。
【図１】本発明の過電流保護回路の回路図である。
【図２】従来の過電流保護回路の回路図である。
【図３】過電流保護回路の遮断の静特性である。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ（Ｎ型ＤＭ
ＯＳ）１のソースとＰ型ディプレッション形ＭＯＳ（Ｐ
型ＤＭＯＳ）２のソースを接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲ
ートは、コンデンサー４に接続し、コンデンサー４のＮ
型ＤＭＯＳ１のゲートに接続していない方の端を小さい
抵抗値の抵抗３に接続し、抵抗３のコンデンサー４に接
続していない方の端をＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続
し、同時に、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートは、大きい抵抗値
の抵抗５に接続し、抵抗５のＮ型ＤＭＯＳ１のゲートに
接続していない方の端をＰ型ＤＭＯＳ２のドレインに接
続し、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲートは、抵抗６に接続し、抵
抗６のＰ型ＤＭＯＳ２に接続していない方の端をＮ型Ｄ
ＭＯＳ１のドレインに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレイ
ンをプラスの端子Ａとし、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレインを
マイナスの端子Ｂとする過電流保護回路において、ツェ
ナーダイオード７のアノードは、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレ
インに接続し、ツェナーダイオード７のカソードは、小
さい抵抗値の抵抗３とコンデンサー４の接続箇所に接続
したことを特徴とする過電流保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25776297A JP3542703B2 (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | 過電流保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25776297A JP3542703B2 (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | 過電流保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1189075A true JPH1189075A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3542703B2 JP3542703B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=17310752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25776297A Expired - Fee Related JP3542703B2 (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | 過電流保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3542703B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007116653A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-05-10 | Denso Corp | スイッチ回路 |
| CN111562522A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-08-21 | 邓云 | 一种短路保护检测装置 |
-
1997
- 1997-09-05 JP JP25776297A patent/JP3542703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007116653A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-05-10 | Denso Corp | スイッチ回路 |
| CN111562522A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-08-21 | 邓云 | 一种短路保护检测装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3542703B2 (ja) | 2004-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Effective date: 20040305 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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Effective date: 20040316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100409 Year of fee payment: 6 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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