JP3116071B2 - 過電流保護装置 - Google Patents
過電流保護装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、負荷である回路を過電
流から保護する過電流保護装置に関するものである。
流から保護する過電流保護装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】負荷に直列に接続して、過電流から負荷
を保護する装置として、ヒューズやブレーカ等が使用さ
れている。
を保護する装置として、ヒューズやブレーカ等が使用さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ヒューズやブレーカ
は、電源投入時のラッシュカレントを、そのまま負荷に
流す。また、負荷回路の１部分が故障して、過電流が流
れる場合、短時間であっても、過電流が負荷回路を流れ
る。ラッシュカレントや過電流が流れると、その度に、
正常な回路部品にストレスを与え、部品を劣化させる。
それが、新たな負荷回路の故障の原因になるという問題
点があった。
は、電源投入時のラッシュカレントを、そのまま負荷に
流す。また、負荷回路の１部分が故障して、過電流が流
れる場合、短時間であっても、過電流が負荷回路を流れ
る。ラッシュカレントや過電流が流れると、その度に、
正常な回路部品にストレスを与え、部品を劣化させる。
それが、新たな負荷回路の故障の原因になるという問題
点があった。
【０００４】本発明は、ラッシュカレントが流れようと
する場合、電源投入時のラッシュカレント状態が終わる
まで、定常電流の１．５倍程度にラッシュカレントを抑
え、その後、定常電流を流し、そして、また、過電流が
流れようとする場合、ある時間、定常電流の１．５倍程
度に過電流を抑え、短時間で過電流状態が終われば、そ
の後、定常電流を流し、まだ過電流状態が続く時は、回
路を遮断する過電流保護装置を提供することを目的とす
る。
する場合、電源投入時のラッシュカレント状態が終わる
まで、定常電流の１．５倍程度にラッシュカレントを抑
え、その後、定常電流を流し、そして、また、過電流が
流れようとする場合、ある時間、定常電流の１．５倍程
度に過電流を抑え、短時間で過電流状態が終われば、そ
の後、定常電流を流し、まだ過電流状態が続く時は、回
路を遮断する過電流保護装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の過電流保護装置は、エンハンスメント形絶
縁ゲート形半導体のドレインとゲート間に過電流遮断回
路を接続し、該半導体のソースにコイルを接続し、該コ
イルの該半導体のソースと反対側の端と該半導体のゲー
トを抵抗で接続したものである。
に、本発明の過電流保護装置は、エンハンスメント形絶
縁ゲート形半導体のドレインとゲート間に過電流遮断回
路を接続し、該半導体のソースにコイルを接続し、該コ
イルの該半導体のソースと反対側の端と該半導体のゲー
トを抵抗で接続したものである。
【０００６】上記過電流遮断回路は、Ｎ型とＰ型のディ
プレッション形ＭＯＳ（絶縁ゲート形電界効果半導体）
で構成したものであるので、該過電流遮断回路の両端に
電圧がかかると電流は流れはじめ、ある決められた大き
さの電流が流れると遮断するものである。
プレッション形ＭＯＳ（絶縁ゲート形電界効果半導体）
で構成したものであるので、該過電流遮断回路の両端に
電圧がかかると電流は流れはじめ、ある決められた大き
さの電流が流れると遮断するものである。
【０００７】
【作用】上記のように構成された過電流保護装置は、急
に過電流が流れようとすると、コイルの両端に電圧が発
生し、該電圧のために、エンハンスメント形ＭＯＳ（絶
縁ゲート形電界効果半導体）のソース・ゲート間電圧が
下げられて、該半導体が過電流を定常電流の１．５倍程
度に抑え、ある時間後、過電流が終われば、定常電流を
流し、また、過電流が続いていれば、過電流を遮断す
る。
に過電流が流れようとすると、コイルの両端に電圧が発
生し、該電圧のために、エンハンスメント形ＭＯＳ（絶
縁ゲート形電界効果半導体）のソース・ゲート間電圧が
下げられて、該半導体が過電流を定常電流の１．５倍程
度に抑え、ある時間後、過電流が終われば、定常電流を
流し、また、過電流が続いていれば、過電流を遮断す
る。
【０００８】
【実施例】本発明の過電流保護装置の実施例について、
図１により説明する。先ず、Ｎ型エンハンスメント形Ｍ
ＯＳ（絶縁ゲート形電界効果半導体）（以下、Ｎ型ＥＭ
ＯＳと略す）のドレインとゲートの間に接続する過電流
遮断回路について説明する。過電流遮断回路は、破線で
四角に囲ったところである。説明がしやすいように、過
電流遮断回路と他の回路とを結ぶための３つの端子Ｕ，
Ｖ，Ｗを、過電流遮断回路に設る。Ｎ型ディプレッショ
ン形ＭＯＳ（絶縁ゲート形電界効果半導体）（以下、Ｎ
型ＤＭＯＳと略す）13のドレインを端子Ｕとし、Ｎ型Ｄ
ＭＯＳ13のソースとＰ型ディプレッション形絶縁ゲート
形電界効果半導体（以下、Ｐ型ＤＭＯＳと略す）14のソ
ースとを接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ14のドレインとＮ型ＤＭ
ＯＳ15のドレインとを接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ15のソース
とＰ型ＤＭＯＳ16のドレインとを接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ
16のソースとＮ型ＤＭＯＳ17のソースとを接続し、Ｎ型
ＤＭＯＳ17のドレインを端子Ｖとし、Ｎ型ＤＭＯＳ13の
ゲートを端子Ｖに接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ14のゲートをダ
イオード20のカソードに接続し、ダイオード20のアノー
ドをＮ型ＤＭＯＳ19のソースに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ19
のドレインを端子Ｕに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ19のゲート
を端子Ｖに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ15のゲートとＰ型ＤＭ
ＯＳ16のゲートは、端子Ｗに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ17の
ゲートはＮ型ＤＭＯＳ13のソースに接続する。
図１により説明する。先ず、Ｎ型エンハンスメント形Ｍ
ＯＳ（絶縁ゲート形電界効果半導体）（以下、Ｎ型ＥＭ
ＯＳと略す）のドレインとゲートの間に接続する過電流
遮断回路について説明する。過電流遮断回路は、破線で
四角に囲ったところである。説明がしやすいように、過
電流遮断回路と他の回路とを結ぶための３つの端子Ｕ，
Ｖ，Ｗを、過電流遮断回路に設る。Ｎ型ディプレッショ
ン形ＭＯＳ（絶縁ゲート形電界効果半導体）（以下、Ｎ
型ＤＭＯＳと略す）13のドレインを端子Ｕとし、Ｎ型Ｄ
ＭＯＳ13のソースとＰ型ディプレッション形絶縁ゲート
形電界効果半導体（以下、Ｐ型ＤＭＯＳと略す）14のソ
ースとを接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ14のドレインとＮ型ＤＭ
ＯＳ15のドレインとを接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ15のソース
とＰ型ＤＭＯＳ16のドレインとを接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ
16のソースとＮ型ＤＭＯＳ17のソースとを接続し、Ｎ型
ＤＭＯＳ17のドレインを端子Ｖとし、Ｎ型ＤＭＯＳ13の
ゲートを端子Ｖに接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ14のゲートをダ
イオード20のカソードに接続し、ダイオード20のアノー
ドをＮ型ＤＭＯＳ19のソースに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ19
のドレインを端子Ｕに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ19のゲート
を端子Ｖに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ15のゲートとＰ型ＤＭ
ＯＳ16のゲートは、端子Ｗに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ17の
ゲートはＮ型ＤＭＯＳ13のソースに接続する。
【０００９】 Ｎ型ＥＭＯＳ11のドレインは端子Ｄと
し、ソースはコイル12に接続し、ソースと接続していな
い反対側のコイル12の端を端子Ｔとし、ゲートは抵抗18
を通じて端子Ｔに接続する。過電流遮断回路の端子Ｕは
端子Ｄに接続し、端子ＶはＮ型ＥＭＯＳ11のゲートと接
続し、端子Ｗは端子Ｔに接続する。そして、端子Ｄある
いは端子Ｔに負荷を接続し、端子Ｄから端子Ｔに流れる
過電流を遮断する過電流保護装置である。また、過電流
遮断回路において、端子Ｕは、Ｎ型ＥＭＯＳ11のドレイ
ンに接続するプラス端子であり、端子Ｖは、Ｎ型ＥＭＯ
Ｓ11のゲートに接続するマイナス端子であり、端子Ｗ
は、端子Ｔに接続してコイル12に発生する電圧を検出す
る電圧検出端子である。
し、ソースはコイル12に接続し、ソースと接続していな
い反対側のコイル12の端を端子Ｔとし、ゲートは抵抗18
を通じて端子Ｔに接続する。過電流遮断回路の端子Ｕは
端子Ｄに接続し、端子ＶはＮ型ＥＭＯＳ11のゲートと接
続し、端子Ｗは端子Ｔに接続する。そして、端子Ｄある
いは端子Ｔに負荷を接続し、端子Ｄから端子Ｔに流れる
過電流を遮断する過電流保護装置である。また、過電流
遮断回路において、端子Ｕは、Ｎ型ＥＭＯＳ11のドレイ
ンに接続するプラス端子であり、端子Ｖは、Ｎ型ＥＭＯ
Ｓ11のゲートに接続するマイナス端子であり、端子Ｗ
は、端子Ｔに接続してコイル12に発生する電圧を検出す
る電圧検出端子である。
【００１０】各部のはたらきを説明する。端子Ｄがプラ
ス、端子Ｔがマイナスの電圧ＶDTがかかり、その電圧Ｖ
DTが０Ｖ（ボルト）から徐々に大きくなると、最初は、
過電流遮断回路はディプレッション形ＭＯＳで構成され
ているので、電流ＩUVが端子Ｕから端子Ｖに流れ、そし
て、抵抗18を通じて端子Ｔに流れる。抵抗18における電
圧降下がＮ型ＥＭＯＳ11の正のゲート電圧になるので、
抵抗18を流れる電流ＩUVが大きくなって、抵抗18におけ
る電圧降下がＮ型ＥＭＯＳ11のシュレッショルド電圧以
上になると、Ｎ型ＥＭＯＳ11がＯＮ状態になり、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ11のドレイン電流ＩDが、端子Ｄからソースへ、
そして、コイル12を通じて、端子Ｔに流れる。
ス、端子Ｔがマイナスの電圧ＶDTがかかり、その電圧Ｖ
DTが０Ｖ（ボルト）から徐々に大きくなると、最初は、
過電流遮断回路はディプレッション形ＭＯＳで構成され
ているので、電流ＩUVが端子Ｕから端子Ｖに流れ、そし
て、抵抗18を通じて端子Ｔに流れる。抵抗18における電
圧降下がＮ型ＥＭＯＳ11の正のゲート電圧になるので、
抵抗18を流れる電流ＩUVが大きくなって、抵抗18におけ
る電圧降下がＮ型ＥＭＯＳ11のシュレッショルド電圧以
上になると、Ｎ型ＥＭＯＳ11がＯＮ状態になり、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ11のドレイン電流ＩDが、端子Ｄからソースへ、
そして、コイル12を通じて、端子Ｔに流れる。
【００１１】電圧ＶDTが大きくなるにしたがって、過電
流遮断回路を流れる電流ＩUVは大きくなり、そして、抵
抗18における電圧降下が大きくなるために、Ｎ型ＥＭＯ
Ｓ11のゲート電圧が高くなって、ドレイン電流ＩDも大
きくなる。
流遮断回路を流れる電流ＩUVは大きくなり、そして、抵
抗18における電圧降下が大きくなるために、Ｎ型ＥＭＯ
Ｓ11のゲート電圧が高くなって、ドレイン電流ＩDも大
きくなる。
【００１２】電圧ＶDTがもっと大きくなると、過電流遮
断回路の電流ＩUVとＮ型ＥＭＯＳ11のドレイン電流ＩD
は大きくなるが、Ｎ型ＤＭＯＳ13における電圧降下はＰ
型ＤＭＯＳ14の正のゲート電圧になり、Ｐ型ＤＭＯＳ1
4，16とＮ型ＤＭＯＳ15，17における電圧降下はＮ型Ｄ
ＭＯＳ13の負のゲート電圧になるために、Ｎ型ＤＭＯＳ
13における電圧降下がＰ型ＤＭＯＳ14のシュレッショル
ド電圧の大きさになり、Ｐ型ＤＭＯＳ14，16とＮ型ＤＭ
ＯＳ15，17における電圧降下がＮ型ＤＭＯＳ13のシュレ
ッショルド電圧の大きさになると、Ｎ型ＤＭＯＳ13とＰ
型ＤＭＯＳ14は電流ＩUVを遮断し、そのために、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ11のゲート電圧が０Ｖ（ボルト）に下がり、Ｎ型
ＥＭＯＳ11はＯＦＦになり、電流ＩDを遮断する。
断回路の電流ＩUVとＮ型ＥＭＯＳ11のドレイン電流ＩD
は大きくなるが、Ｎ型ＤＭＯＳ13における電圧降下はＰ
型ＤＭＯＳ14の正のゲート電圧になり、Ｐ型ＤＭＯＳ1
4，16とＮ型ＤＭＯＳ15，17における電圧降下はＮ型Ｄ
ＭＯＳ13の負のゲート電圧になるために、Ｎ型ＤＭＯＳ
13における電圧降下がＰ型ＤＭＯＳ14のシュレッショル
ド電圧の大きさになり、Ｐ型ＤＭＯＳ14，16とＮ型ＤＭ
ＯＳ15，17における電圧降下がＮ型ＤＭＯＳ13のシュレ
ッショルド電圧の大きさになると、Ｎ型ＤＭＯＳ13とＰ
型ＤＭＯＳ14は電流ＩUVを遮断し、そのために、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ11のゲート電圧が０Ｖ（ボルト）に下がり、Ｎ型
ＥＭＯＳ11はＯＦＦになり、電流ＩDを遮断する。
【００１３】この実施例の静遮断特性を図２に示す。電
圧ＶDTが０．６Ｖから電流ＩDは流れ始め、電圧ＶDTが
２Ｖで電流ＩDは１．５Ａ（アンペアー）になり、電圧
ＶDTが２．３Ｖで遮断が始まり、電圧ＶDTが２．６Ｖで
電流ＩDは遮断される。従って、この過電流保護装置
は、定格電流値は１Ａで、１．５Ａを最大不遮断電流と
し、１．５Ａを越える過電流を遮断するものとする。
圧ＶDTが０．６Ｖから電流ＩDは流れ始め、電圧ＶDTが
２Ｖで電流ＩDは１．５Ａ（アンペアー）になり、電圧
ＶDTが２．３Ｖで遮断が始まり、電圧ＶDTが２．６Ｖで
電流ＩDは遮断される。従って、この過電流保護装置
は、定格電流値は１Ａで、１．５Ａを最大不遮断電流と
し、１．５Ａを越える過電流を遮断するものとする。
【００１４】また、過電流保護装置には、ラッシュカレ
ント等の負荷が許容する短時間の過電流を流すことがで
きるだけの遅延特性が必要である。Ｐ型ＤＭＯＳ14のゲ
ートには、ダイオード20とＮ型ＤＭＯＳ19を接続し、そ
して、Ｎ型ＤＭＯＳ19のゲートは端子Ｖに接続してい
る。過電流ＩUVが流れて、Ｎ型ＤＭＯＳ15，17とＰ型Ｄ
ＭＯＳ16における電圧降下が大きくなると、Ｎ型ＤＭＯ
Ｓ13，19のゲート電圧が下がって、Ｎ型ＤＭＯＳ13にお
ける電圧降下が大きくなる時、Ｎ型ＤＭＯＳ19における
電圧降下も大きくなる。そのために、Ｐ型ＤＭＯＳ14の
ゲートに高抵抗の抵抗を接続したことになり、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ13における電圧降下が急に大きくなっても、Ｐ型Ｄ
ＭＯＳ14のゲート電圧は徐々にしか大きくならないの
で、この過電流保護装置は負荷が許容する短時間の過電
流を最大不遮断電流に抑えて流すことができる。過電流
が長時間続く場合、Ｐ型ＤＭＯＳ14のゲート電圧が大き
くなって、Ｐ型ＤＭＯＳ14における電圧降下が大きくな
り、Ｎ型ＤＭＯＳ13とＰ型ＤＭＯＳ14が過電流ＩUVを遮
断して、過電流ＩDを遮断する。そして、過電流ＩUVを
遮断した時のＰ型ＤＭＯＳ14のゲート電圧は、ダイオー
ド20により保持されるので、Ｐ型ＤＭＯＳ14の遮断状態
は長く保持され、周期的な過電流が流れる場合でも、周
期ごとに尖頭状の過電流を流すことがなく、この過電流
保護装置は過電流を遮断することができる。
ント等の負荷が許容する短時間の過電流を流すことがで
きるだけの遅延特性が必要である。Ｐ型ＤＭＯＳ14のゲ
ートには、ダイオード20とＮ型ＤＭＯＳ19を接続し、そ
して、Ｎ型ＤＭＯＳ19のゲートは端子Ｖに接続してい
る。過電流ＩUVが流れて、Ｎ型ＤＭＯＳ15，17とＰ型Ｄ
ＭＯＳ16における電圧降下が大きくなると、Ｎ型ＤＭＯ
Ｓ13，19のゲート電圧が下がって、Ｎ型ＤＭＯＳ13にお
ける電圧降下が大きくなる時、Ｎ型ＤＭＯＳ19における
電圧降下も大きくなる。そのために、Ｐ型ＤＭＯＳ14の
ゲートに高抵抗の抵抗を接続したことになり、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ13における電圧降下が急に大きくなっても、Ｐ型Ｄ
ＭＯＳ14のゲート電圧は徐々にしか大きくならないの
で、この過電流保護装置は負荷が許容する短時間の過電
流を最大不遮断電流に抑えて流すことができる。過電流
が長時間続く場合、Ｐ型ＤＭＯＳ14のゲート電圧が大き
くなって、Ｐ型ＤＭＯＳ14における電圧降下が大きくな
り、Ｎ型ＤＭＯＳ13とＰ型ＤＭＯＳ14が過電流ＩUVを遮
断して、過電流ＩDを遮断する。そして、過電流ＩUVを
遮断した時のＰ型ＤＭＯＳ14のゲート電圧は、ダイオー
ド20により保持されるので、Ｐ型ＤＭＯＳ14の遮断状態
は長く保持され、周期的な過電流が流れる場合でも、周
期ごとに尖頭状の過電流を流すことがなく、この過電流
保護装置は過電流を遮断することができる。
【００１５】Ｐ型ＤＭＯＳ16とＮ型ＤＭＯＳ17は、端子
Ｖから端子Ｕに流れる電流を遮断するためのものであ
る。図１の実施例は、端子Ｄがプラス、端子Ｔがマイナ
スの直流用の過電流保護装置であるが、この過電流保護
装置を２個、逆向き直列に接続して、交流用の過電流保
護装置を構成すると、端子Ｔがプラス、端子Ｄがマイナ
スの周期の時、端子Ｖから端子Ｕに電流が流れるが、そ
の電流をＰ型ＤＭＯＳ16とＮ型ＤＭＯＳ17が遮断する。
Ｖから端子Ｕに流れる電流を遮断するためのものであ
る。図１の実施例は、端子Ｄがプラス、端子Ｔがマイナ
スの直流用の過電流保護装置であるが、この過電流保護
装置を２個、逆向き直列に接続して、交流用の過電流保
護装置を構成すると、端子Ｔがプラス、端子Ｄがマイナ
スの周期の時、端子Ｖから端子Ｕに電流が流れるが、そ
の電流をＰ型ＤＭＯＳ16とＮ型ＤＭＯＳ17が遮断する。
【００１６】次に、この過電流保護装置に、電源投入時
のラッシュカレントが流れる場合を説明する。この過電
流保護装置を接続していない時、負荷には、最高値５
Ａ、時間１ｍＳＥＣのラッシュカレントが流れるとす
る。この過電流保護装置を負荷に直列に接続した時、急
にラッシュカレントがこの過電流保護装置に流れ始める
と、コイル12のインダクタンスが急激な電流変化を阻止
して、コイル12の両端に一瞬大きな電圧が発生する。過
電流遮断回路のＮ型ＤＭＯＳ15のゲートは端子Ｗを通じ
て端子Ｔに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ13のゲートは端子Ｖに
接続しているので、コイル12の両端に大きな電圧が発生
すると、Ｎ型ＤＭＯＳ15のゲート電圧が下がって、Ｎ型
ＤＭＯＳ15における電圧降下が大きくなり、それによ
り、Ｎ型ＤＭＯＳ13のゲート電圧が下がって、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ13における電圧降下も大きくなる。コイル12の両端
に大きな電圧が発生すると、端子ＤＴ間に大きな電圧が
かかり、過電流遮断回路に大きな電流ＩUVが流れようと
するが、ゲート電圧の下がったＮ型ＤＭＯＳ13，15の内
部抵抗が急に大きくなって、電流ＩUVの増加を抑えるの
で、Ｎ型ＥＭＯＳ11のゲート電圧は抑制されて、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ11は、最大不遮断電流１．５Ａを流す状態に保持
される。
のラッシュカレントが流れる場合を説明する。この過電
流保護装置を接続していない時、負荷には、最高値５
Ａ、時間１ｍＳＥＣのラッシュカレントが流れるとす
る。この過電流保護装置を負荷に直列に接続した時、急
にラッシュカレントがこの過電流保護装置に流れ始める
と、コイル12のインダクタンスが急激な電流変化を阻止
して、コイル12の両端に一瞬大きな電圧が発生する。過
電流遮断回路のＮ型ＤＭＯＳ15のゲートは端子Ｗを通じ
て端子Ｔに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ13のゲートは端子Ｖに
接続しているので、コイル12の両端に大きな電圧が発生
すると、Ｎ型ＤＭＯＳ15のゲート電圧が下がって、Ｎ型
ＤＭＯＳ15における電圧降下が大きくなり、それによ
り、Ｎ型ＤＭＯＳ13のゲート電圧が下がって、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ13における電圧降下も大きくなる。コイル12の両端
に大きな電圧が発生すると、端子ＤＴ間に大きな電圧が
かかり、過電流遮断回路に大きな電流ＩUVが流れようと
するが、ゲート電圧の下がったＮ型ＤＭＯＳ13，15の内
部抵抗が急に大きくなって、電流ＩUVの増加を抑えるの
で、Ｎ型ＥＭＯＳ11のゲート電圧は抑制されて、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ11は、最大不遮断電流１．５Ａを流す状態に保持
される。
【００１７】図３に実施例の過電流保護装置にラッシュ
カレントが流れた時の電流を示す。点線は過電流保護装
置を接続していない負荷のラッシュカレントである。実
線が過電流保護装置を接続した負荷のラッシュカレント
である。過電流保護装置を接続していない場合、電源投
入時、電流は５Ａまで立ち上がり、その後、徐々に下が
り、１ｍＳＥＣ後に定常電流の１Ａになるラッシュカレ
ントが流れる負荷に、過電流保護装置を接続すると、電
源投入時、電流は一瞬約２Ａまで立ち上がるが、その
後、すぐに最大不遮断電流の１．５Ａに下がり、そのま
ま１．５Ａを流し、約２ｍＳＥＣ後に、ラッシュカレン
ト状態が終わると、定格電流の１Ａが流れる。
カレントが流れた時の電流を示す。点線は過電流保護装
置を接続していない負荷のラッシュカレントである。実
線が過電流保護装置を接続した負荷のラッシュカレント
である。過電流保護装置を接続していない場合、電源投
入時、電流は５Ａまで立ち上がり、その後、徐々に下が
り、１ｍＳＥＣ後に定常電流の１Ａになるラッシュカレ
ントが流れる負荷に、過電流保護装置を接続すると、電
源投入時、電流は一瞬約２Ａまで立ち上がるが、その
後、すぐに最大不遮断電流の１．５Ａに下がり、そのま
ま１．５Ａを流し、約２ｍＳＥＣ後に、ラッシュカレン
ト状態が終わると、定格電流の１Ａが流れる。
【００１８】図４に負荷の内部が故障して、過電流が流
れた時の電流を示す。点線はヒューズ、あるいは、ブレ
ーカを保護装置として負荷に接続した場合の過電流であ
る。実線は実施例の過電流保護装置を負荷に接続した場
合の過電流である。負荷が故障して、５Ａの過電流が流
れる場合、ヒューズやブレーカは、点線のように、ある
時間５Ａの過電流を流し、４ｍＳＥＣ後、過電流を遮断
する。実施例の過電流保護装置は、ラッシュカレントの
時と同じように、過電流が流れ始めた時、電流は一瞬約
２Ａまで立ち上がるが、その後、すぐに最大不遮断電流
の１．５Ａに下がり、そのまま１．５Ａを流し、前もっ
て決められた時間以上に過電流が続くと、過電流遮断回
路のＮ型ＤＭＯＳ13とＰ型ＤＭＯＳ14が電流ＩUVを遮断
し、そして、Ｎ型ＥＭＯＳ11がＯＦＦして、過電流ＩD
を遮断する。
れた時の電流を示す。点線はヒューズ、あるいは、ブレ
ーカを保護装置として負荷に接続した場合の過電流であ
る。実線は実施例の過電流保護装置を負荷に接続した場
合の過電流である。負荷が故障して、５Ａの過電流が流
れる場合、ヒューズやブレーカは、点線のように、ある
時間５Ａの過電流を流し、４ｍＳＥＣ後、過電流を遮断
する。実施例の過電流保護装置は、ラッシュカレントの
時と同じように、過電流が流れ始めた時、電流は一瞬約
２Ａまで立ち上がるが、その後、すぐに最大不遮断電流
の１．５Ａに下がり、そのまま１．５Ａを流し、前もっ
て決められた時間以上に過電流が続くと、過電流遮断回
路のＮ型ＤＭＯＳ13とＰ型ＤＭＯＳ14が電流ＩUVを遮断
し、そして、Ｎ型ＥＭＯＳ11がＯＦＦして、過電流ＩD
を遮断する。
【００１９】以下、過電流遮断回路を点線の四角とＵ，
Ｖ，Ｗの３端子のみで図５のように簡単に表示する。そ
して、この表示方法を用いて、図１の過電流保護装置
を、Ｎ型ＥＭＯＳ１のドレインを端子Ｄ１とし、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ１のソースとコイルＬ１の一方の端を接続し、コ
イルＬ１の他方の端を端子Ｔ１とし、Ｎ型ＥＭＯＳ１の
ゲートは抵抗Ｒ１を通じて端子Ｔ１に接続し、過電流遮
断回路１の端子Ｕ１は、端子Ｄ１と接続し、端子Ｖ１は
Ｎ型ＥＭＯＳ１のゲートと接続し、端子Ｗ１は端子Ｔ１
と接続すると、表すこととする。他の実施例の過電流保
護装置をこの表示方法で説明する。
Ｖ，Ｗの３端子のみで図５のように簡単に表示する。そ
して、この表示方法を用いて、図１の過電流保護装置
を、Ｎ型ＥＭＯＳ１のドレインを端子Ｄ１とし、Ｎ型Ｅ
ＭＯＳ１のソースとコイルＬ１の一方の端を接続し、コ
イルＬ１の他方の端を端子Ｔ１とし、Ｎ型ＥＭＯＳ１の
ゲートは抵抗Ｒ１を通じて端子Ｔ１に接続し、過電流遮
断回路１の端子Ｕ１は、端子Ｄ１と接続し、端子Ｖ１は
Ｎ型ＥＭＯＳ１のゲートと接続し、端子Ｗ１は端子Ｔ１
と接続すると、表すこととする。他の実施例の過電流保
護装置をこの表示方法で説明する。
【００２０】 次に、絶縁ゲートバイポーラトランジス
ター（以下、ＩＧＢＴと略す）による直流用の過電流保
護装置の実施例を図６により説明する。ＩＧＢＴ２のコ
レクターを端子Ｃ２とし、ＩＧＢＴ２のエミッターとコ
イルＬ２の一方の端を接続し、コイルＬ２の他方の端を
端子Ｔ２とし、ＩＧＢＴ２のゲートは抵抗Ｒ２を通じて
端子Ｔ２に接続し、過電流遮断回路２の端子Ｕ２は、端
子Ｃ２と接続し、端子Ｖ２はＩＧＢＴ２のゲートと接続
し、端子Ｗ２は端子Ｔ２と接続する。端子Ｃ２あるいは
端子Ｔ２に負荷を接続し、端子Ｃ２から端子Ｔ２に流れ
る過電流を遮断する過電流保護装置である。また、過電
流遮断回路２において、端子Ｕ２は、ＩＧＢＴ２のコレ
クターに接続するプラス端子であり、端子Ｖ２は、ＩＧ
ＢＴ２のエミッターに接続するマイナス端子であり、端
子Ｗ２は、端子Ｔ２に接続してコイルＬ２に発生する電
圧を検出する電圧検出端子である。ＩＧＢＴは、基本的
にはＭＯＳと同じ構造であるので、このＩＧＢＴ２によ
る過電流保護装置は、上記の図１の過電流保護装置とほ
ぼ同じ特性を示す。
ター（以下、ＩＧＢＴと略す）による直流用の過電流保
護装置の実施例を図６により説明する。ＩＧＢＴ２のコ
レクターを端子Ｃ２とし、ＩＧＢＴ２のエミッターとコ
イルＬ２の一方の端を接続し、コイルＬ２の他方の端を
端子Ｔ２とし、ＩＧＢＴ２のゲートは抵抗Ｒ２を通じて
端子Ｔ２に接続し、過電流遮断回路２の端子Ｕ２は、端
子Ｃ２と接続し、端子Ｖ２はＩＧＢＴ２のゲートと接続
し、端子Ｗ２は端子Ｔ２と接続する。端子Ｃ２あるいは
端子Ｔ２に負荷を接続し、端子Ｃ２から端子Ｔ２に流れ
る過電流を遮断する過電流保護装置である。また、過電
流遮断回路２において、端子Ｕ２は、ＩＧＢＴ２のコレ
クターに接続するプラス端子であり、端子Ｖ２は、ＩＧ
ＢＴ２のエミッターに接続するマイナス端子であり、端
子Ｗ２は、端子Ｔ２に接続してコイルＬ２に発生する電
圧を検出する電圧検出端子である。ＩＧＢＴは、基本的
にはＭＯＳと同じ構造であるので、このＩＧＢＴ２によ
る過電流保護装置は、上記の図１の過電流保護装置とほ
ぼ同じ特性を示す。
【００２１】 次に、交流用の過電流保護装置の実施例
を図７により説明する。Ｎ型ＥＭＯＳ３のドレインとＮ
型ＥＭＯＳ４のドレインとを接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ３の
ソースとコイルＬ３の一方の端を接続し、コイルＬ３の
他方の端を端子Ｔ３とし、Ｎ型ＥＭＯＳ４のソースとコ
イルＬ４の一方の端を接続し、コイルＬ４の他方の端を
端子Ｔ４とし、Ｎ型ＥＭＯＳ３のゲートは抵抗Ｒ３を通
じて端子Ｔ３に接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ４のゲートは抵抗
Ｒ４を通じて端子Ｔ４に接続し、過電流遮断回路３のプ
ラス端子Ｕ３は、Ｎ型ＥＭＯＳ４のソースに接続し、マ
イナス端子Ｖ３はＮ型ＥＭＯＳ３のゲートに接続し、電
圧検出端子Ｗ３は端子Ｔ３に接続し、過電流遮断回路４
のプラス端子Ｕ４は、Ｎ型ＥＭＯＳ３のソースに接続
し、マイナス端子Ｖ４はＮ型ＥＭＯＳ４のゲートに接続
し、電圧検出端子W４は端子Ｔ４に接続する。そして、
端子Ｔ３またはＴ４の一方を電源に接続し、他方を負荷
に接続し、負荷の他方の端を反対側の電源に接続する。
を図７により説明する。Ｎ型ＥＭＯＳ３のドレインとＮ
型ＥＭＯＳ４のドレインとを接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ３の
ソースとコイルＬ３の一方の端を接続し、コイルＬ３の
他方の端を端子Ｔ３とし、Ｎ型ＥＭＯＳ４のソースとコ
イルＬ４の一方の端を接続し、コイルＬ４の他方の端を
端子Ｔ４とし、Ｎ型ＥＭＯＳ３のゲートは抵抗Ｒ３を通
じて端子Ｔ３に接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ４のゲートは抵抗
Ｒ４を通じて端子Ｔ４に接続し、過電流遮断回路３のプ
ラス端子Ｕ３は、Ｎ型ＥＭＯＳ４のソースに接続し、マ
イナス端子Ｖ３はＮ型ＥＭＯＳ３のゲートに接続し、電
圧検出端子Ｗ３は端子Ｔ３に接続し、過電流遮断回路４
のプラス端子Ｕ４は、Ｎ型ＥＭＯＳ３のソースに接続
し、マイナス端子Ｖ４はＮ型ＥＭＯＳ４のゲートに接続
し、電圧検出端子W４は端子Ｔ４に接続する。そして、
端子Ｔ３またはＴ４の一方を電源に接続し、他方を負荷
に接続し、負荷の他方の端を反対側の電源に接続する。
【００２２】 図７の交流用の過電流保護装置は、端子
Ｔ４から端子Ｔ３に流れる過電流に対しては、過電流遮
断回路３がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ３が過電流を遮断
し、端子Ｔ３から端子Ｔ４に流れる過電流に対しては、
過電流遮断回路４がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ４が過電
流を遮断する。
Ｔ４から端子Ｔ３に流れる過電流に対しては、過電流遮
断回路３がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ３が過電流を遮断
し、端子Ｔ３から端子Ｔ４に流れる過電流に対しては、
過電流遮断回路４がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ４が過電
流を遮断する。
【００２３】 交流用の過電流保護装置の別の実施例を
図８により説明する。Ｎ型ＥＭＯＳ５のドレインを端子
Ｄ５とし、Ｎ型ＥＭＯＳ５のソースをコイルＬ56の一方
の端と接続し、コイルＬ56の他方の端とＮ型ＥＭＯＳ６
のソースと接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ６のドレインを端子Ｄ
６とし、Ｎ型ＥＭＯＳ５のゲートは、抵抗Ｒ５を通じて
Ｎ型ＥＭＯＳ６のソースと接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ６のゲ
ートは、抵抗Ｒ６を通じてＮ型ＥＭＯＳ５のソースと接
続し、過電流遮断回路５のプラス端子Ｕ５は、端子Ｄ５
と接続し、マイナス端子Ｖ５はＮ型ＥＭＯＳ５のゲート
と接続し、電圧検出端子Ｗ５はＮ型ＥＭＯＳ６のソース
と接続し、過電流遮断回路６のプラス端子Ｕ６は、端子
Ｄ６と接続し、マイナス端子Ｖ６はＮ型ＥＭＯＳ６のゲ
ートと接続し、電圧検出端子Ｗ６は、Ｎ型ＥＭＯＳ５の
ソースに接続する。そして、端子Ｄ５またはＤ６の一方
を電源に接続し、他方を負荷に接続し、負荷の他方の端
を反対側の電源に接続する。
図８により説明する。Ｎ型ＥＭＯＳ５のドレインを端子
Ｄ５とし、Ｎ型ＥＭＯＳ５のソースをコイルＬ56の一方
の端と接続し、コイルＬ56の他方の端とＮ型ＥＭＯＳ６
のソースと接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ６のドレインを端子Ｄ
６とし、Ｎ型ＥＭＯＳ５のゲートは、抵抗Ｒ５を通じて
Ｎ型ＥＭＯＳ６のソースと接続し、Ｎ型ＥＭＯＳ６のゲ
ートは、抵抗Ｒ６を通じてＮ型ＥＭＯＳ５のソースと接
続し、過電流遮断回路５のプラス端子Ｕ５は、端子Ｄ５
と接続し、マイナス端子Ｖ５はＮ型ＥＭＯＳ５のゲート
と接続し、電圧検出端子Ｗ５はＮ型ＥＭＯＳ６のソース
と接続し、過電流遮断回路６のプラス端子Ｕ６は、端子
Ｄ６と接続し、マイナス端子Ｖ６はＮ型ＥＭＯＳ６のゲ
ートと接続し、電圧検出端子Ｗ６は、Ｎ型ＥＭＯＳ５の
ソースに接続する。そして、端子Ｄ５またはＤ６の一方
を電源に接続し、他方を負荷に接続し、負荷の他方の端
を反対側の電源に接続する。
【００２４】 図８の交流用の過電流保護装置は、端子
Ｄ５から端子Ｄ６に流れる過電流に対しては、過電流遮
断回路５がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ５が過電流を遮断
し、端子Ｄ６から端子Ｄ５に流れる過電流に対しては、
過電流遮断回路６がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ６が過電
流を遮断する。
Ｄ５から端子Ｄ６に流れる過電流に対しては、過電流遮
断回路５がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ５が過電流を遮断
し、端子Ｄ６から端子Ｄ５に流れる過電流に対しては、
過電流遮断回路６がはたらいて、Ｎ型ＥＭＯＳ６が過電
流を遮断する。
【００２５】本発明の過電流保護装置は、過電流遮断回
路を１個のチップに形成し、それとディスクリートのエ
ンハンスメント形ＭＯＳ、そして、コイルとを組み合わ
せて構成することができる。また、過電流遮断回路とエ
ンハンスメント形ＭＯＳを１個のチップに形成し、それ
とコイルとを組み合わせて構成することもできる。
路を１個のチップに形成し、それとディスクリートのエ
ンハンスメント形ＭＯＳ、そして、コイルとを組み合わ
せて構成することができる。また、過電流遮断回路とエ
ンハンスメント形ＭＯＳを１個のチップに形成し、それ
とコイルとを組み合わせて構成することもできる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、以上に説明したように構成さ
れているので、以下に記載するような効果を示す。この
過電流保護装置は、定格電流の５倍、１０倍の大きな過
電流を、定格電流の１．５倍程度に抑え、そして、ラッ
シュカレント等の負荷が許容する過電流に対しては、あ
る時間後定格電流を流すが、負荷の異常による過電流に
対しては、ある時間後その過電流を遮断するので、負荷
の正常な回路部品にストレスを与えず、部品を劣化させ
ることがなく、負荷回路の信頼性を高めることができ
る。
れているので、以下に記載するような効果を示す。この
過電流保護装置は、定格電流の５倍、１０倍の大きな過
電流を、定格電流の１．５倍程度に抑え、そして、ラッ
シュカレント等の負荷が許容する過電流に対しては、あ
る時間後定格電流を流すが、負荷の異常による過電流に
対しては、ある時間後その過電流を遮断するので、負荷
の正常な回路部品にストレスを与えず、部品を劣化させ
ることがなく、負荷回路の信頼性を高めることができ
る。
【００２７】この過電流保護装置を構成するＭＯＳやＩ
ＧＢＴの電圧容量、電流容量を大きくすれば、定格電圧
６００Ｖまた１０００Ｖ、定格電流３０Ａまた５０Ａの
大きな容量の過電流保護装置を形成することもできる。
ＧＢＴの電圧容量、電流容量を大きくすれば、定格電圧
６００Ｖまた１０００Ｖ、定格電流３０Ａまた５０Ａの
大きな容量の過電流保護装置を形成することもできる。
【図１】直流用の過電流保護装置の実施例を示す回路図
である。
である。
【図２】図１の過電流保護装置の静遮断特性を示す図で
ある。
ある。
【図３】図１の過電流保護装置にラッシュカレントが流
れた時の特性を示す図である。
れた時の特性を示す図である。
【図４】図１の過電流保護装置に過電流が流れた時の遮
断特性を示す図である。
断特性を示す図である。
【図５】図１の過電流保護装置を簡単に表示した図であ
る。
る。
【図６】ＩＧＢＴによる過電流保護装置の実施例を示す
図である。
図である。
【図７】交流用の過電流保護装置の実施例を示す図であ
る。
る。
【図８】交流用の過電流保護装置の別の実施例を示す図
である。
である。
11 Ｎ型ＥＭＯＳ 12 コイル 13，15，17，19 Ｎ型ＤＭＯＳ 14，16 Ｐ型ＤＭＯＳ 18 抵抗 20 ダイオード
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 27/06 - 27/06 101 H01L 27/08 - 27/08 101 H02H 3/08 - 3/253 H02H 7/20 H02H 9/00 - 9/08 H03K 17/00 - 17/70
Claims (4)
- 【請求項１】 プラス端子（Ｕ）、マイナス端子（Ｖ）
及び電圧検出端子（Ｗ）を備える過電流遮断回路にあっ
て、マイナス端子（Ｖ）と電圧検出端子（Ｗ）が抵抗
（18）を通して接続されている前記過電流遮断回路と、
Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（11）にあって、前記過
電流遮断回路のプラス端子（Ｕ）にドレインを接続し、
前記過電流遮断回路のマイナス端子（Ｖ）にゲートを接
続したＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ（11）と、Ｎ型エ
ンハンスメント形ＭＯＳ（11）のソースに接続されたコ
イル（12）からなり、 Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（11）のドレインと、Ｎ
型エンハンスメント形ＭＯＳ（11）のドレインと反対側
のコイル（12）の端を外部回路に接続して用いる２端子
の過電流保護装置において、 前記過電流遮断回路の電圧検出端子（Ｗ）を、Ｎ型エン
ハンスメント形ＭＯＳ（11）のドレインと反対側のコイ
ル（12）の端に接続し、Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ
（11）のドレインからコイル（12）に過渡的な急激な過
電流が流れるときにコイル（12）の両端に発生する過渡
電圧によりＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ（11）のゲー
ト電圧を下げ、Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（11）に
より過電流を抑え、Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（1
1）のドレインからコイル（12）に過電流が継続して流
れる場合は前記過電流遮断回路がＮ型エンハンスメント
形ＭＯＳ（11）のゲート電流を遮断することによりＮ型
エンハンスメント形ＭＯＳ（11）が過電流を遮断するこ
とを特徴とした過電流保護装置。 - 【請求項２】 Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ（13）の
ドレインをプラス端子（Ｕ）とし、Ｎ型ディプレッショ
ン形ＭＯＳ（13）のソースとＰ型ディプレッション形Ｍ
ＯＳ（14）のソースを接続し、Ｐ型ディプレッション形
ＭＯＳ（14）のドレインとＮ型ディプレッション形ＭＯ
Ｓ（15）のドレインを接続し、Ｎ型ディプレッション形
ＭＯＳ（15）のソースとＰ型ディプレッション形ＭＯＳ
（16）のドレインを接続し、Ｐ型ディプレッション形Ｍ
ＯＳ（16）のソースとＮ型ディプレッション形ＭＯＳ
（17）のソースを接続し、Ｎ型ディプレッション形ＭＯ
Ｓ（17）のドレインをマイナス端子（Ｖ）とし、Ｎ型デ
ィプレッション形ＭＯＳ（13）のゲートをマイナス端子
（Ｖ）に接続し、Ｐ型ディプレッション形ＭＯＳ（14）
のゲートをダイオード（20）のカソードに接続し、ダイ
オード（20）のアノードをＮ型ディプレッション形ＭＯ
Ｓ（19）のソースに接続し、Ｎ型ディプレッション形Ｍ
ＯＳ（19）のドレインをプラス端子（Ｕ）に接続し、Ｎ
型ディプレッション形ＭＯＳ（19）のゲートをマイナス
端子（Ｖ）に接続し、Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ
（15）のゲートとＰ型ディプレッション形ＭＯＳ（16）
のゲートは、電圧検出端子（Ｗ）に接続し、Ｎ型ディプ
レッション形ＭＯＳ（17）のゲートはＮ型ディプレッシ
ョン形ＭＯＳ（13）のソースに接続したものを過電流遮
断回路とする請求項１記載の過電流保護装置。 - 【請求項３】 プラス端子（Ｕ２）、マイナス端子（Ｖ
２）及び電圧検出端子（Ｗ２）を備える過電流遮断回路
２にあって、マイナス端子（Ｖ２）と電圧検出端子（Ｗ
２）が抵抗（Ｒ２）を通して接続されている過電流遮断
回路２と、絶縁ゲートバイポーラトランジスター（２）
にあって、過電流遮断回路２のプラス端子（Ｕ２）にコ
レクターを接続し、過電流遮断回路２のマイナス端子
（Ｖ２）にゲートを接続した絶縁ゲートバイポーラトラ
ンジスター（２）と、絶縁ゲートバイポーラトランジス
ター（２）のエミッターに接続されたコイル（Ｌ２）か
らなり、 絶縁ゲートバイポーラトランジスター（２）のコレクタ
ーと、絶縁ゲートバイポーラトランジスター（２）のコ
レクターと反対側のコイル（Ｌ２）の端を外部回路に接
続して用いる２端子の過電流保護装置において、 過電流遮断回路２の電圧検出端子（Ｗ２）を、絶縁ゲー
トバイポーラトランジスター（２）のコレクターと反対
側のコイル（Ｌ２）の端に接続し、絶縁ゲートバイポー
ラトランジスター（２）のコレクターからコイル（Ｌ
２）に過渡的な急激な過電流が流れるときにコイル（Ｌ
２）の両端に発生する過渡電圧により絶縁ゲートバイポ
ーラトランジスター（２）のゲート電圧を下げ、絶縁ゲ
ートバイポーラトランジスター（２）により過電流を抑
え、絶縁ゲートバイポーラトランジスター（２）のコレ
クターからコイル（Ｌ２）に過電流が継続して流れる場
合は過電流遮断回路２が絶縁ゲートバイポーラトランジ
スター（２）のゲート電流を遮断することにより絶縁ゲ
ートバイポーラトランジスター（２）が過電流を遮断す
ることを特徴とした過電流保護装置。 - 【請求項４】 プラス端子（Ｕ５）、マイナス端子（Ｖ
５）及び電圧検出端子（Ｗ５）を備える過電流遮断回路
５にあって、マイナス端子（Ｖ５）と電圧検出端子（Ｗ
５）が抵抗（Ｒ５）を通して接続されている過電流遮断
回路５と、Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（５）にあっ
て、過電流遮断回路５のプラス端子（Ｕ５）にドレイン
を接続し、過電流遮断回路５のマイナス端子（Ｖ５）に
ゲートを接続したＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ（５）
と、 プラス端子（Ｕ６）、マイナス端子（Ｖ６）及び電圧検
出端子（Ｗ６）を備える過電流遮断回路６にあって、マ
イナス端子（Ｖ６）と電圧検出端子（Ｗ６）が抵抗（Ｒ
６）を通して接続されている過電流遮断回路６と、Ｎ型
エンハンスメント形ＭＯＳ（６）にあって、過電流遮断
回路６のプラス端子（Ｕ６）にドレインを接続し、過電
流遮断回路６のマイナス端子（Ｖ６）にゲートを接続し
たＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ（６）と、 Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（５）のソースとＮ型エ
ンハンスメント形ＭＯＳ（６）のソースの間に接続され
たコイル（Ｌ56）からなり、 Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（５）のドレインとＮ型
エンハンスメント形ＭＯＳ（６）のドレインを外部回路
に接続して用いる２端子の交流用の過電流保護装置にお
いて、 過電流遮断回路５の電圧検出端子（Ｗ５）をＮ型エンハ
ンスメント形ＭＯＳ（６）のソースに接続し、過電流遮
断回路６の電圧検出端子（Ｗ６）をＮ型エンハンスメン
ト形ＭＯＳ（５）のソースに接続し、 Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（５）のドレインからＮ
型エンハンスメント形ＭＯＳ（６）のドレインに過渡的
な急激な過電流が流れるときにコイル（Ｌ56）の両端に
発生する過渡電圧によりＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ
（５）のゲート電圧を下げ、Ｎ型エンハンスメント形Ｍ
ＯＳ（５）により過電流を抑え、Ｎ型エンハンスメント
形ＭＯＳ（５）のドレインからＮ型エンハンスメント形
ＭＯＳ（６）のドレインに過電流が継続して流れる場合
は過電流遮断回路５がＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ
（５）のゲート電流を遮断することによりＮ型エンハン
スメント形ＭＯＳ（５）が過電流を遮断し、 Ｎ型エンハンスメント形ＭＯＳ（６）のドレインからＮ
型エンハンスメント形ＭＯＳ（５）のドレインに過渡的
な急激な過電流が流れるときにコイル（Ｌ56）の両端に
発生する過渡電圧によりＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ
（６）のゲート電圧を下げ、Ｎ型エンハンスメント形Ｍ
ＯＳ（６）により過電流を抑え、Ｎ型エンハンスメント
形ＭＯＳ（６）のドレインからＮ型エンハンスメント形
ＭＯＳ（５）のドレインに過電流が継続して流れる場合
は過電流遮断回路６がＮ型エンハンスメント形ＭＯＳ
（６）のゲート電流を遮断することによりＮ型エンハン
スメント形ＭＯＳ（６）が過電流を遮断することを特徴
とした交流用の過電流保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04098351A JP3116071B2 (ja) | 1992-04-18 | 1992-04-18 | 過電流保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04098351A JP3116071B2 (ja) | 1992-04-18 | 1992-04-18 | 過電流保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05300637A JPH05300637A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3116071B2 true JP3116071B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=14217478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04098351A Expired - Fee Related JP3116071B2 (ja) | 1992-04-18 | 1992-04-18 | 過電流保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116071B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022065980A1 (ko) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 한국전기연구원 | 고속 단락검출회로 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3096260B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2000-10-10 | エス・オー・シー株式会社 | リセッタブル過電流保護回路素子 |
-
1992
- 1992-04-18 JP JP04098351A patent/JP3116071B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022065980A1 (ko) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 한국전기연구원 | 고속 단락검출회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05300637A (ja) | 1993-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| S804 | Written request for registration of cancellation of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314805 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081006 Year of fee payment: 8 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081006 Year of fee payment: 8 |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081006 Year of fee payment: 8 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |