JPH1187412A

JPH1187412A - 非接触タグ製造時のｉｃチップ電極接続方法

Info

Publication number: JPH1187412A
Application number: JP9238415A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kuromaru; 廣志黒丸; Satoshi Kiriyama; 聰桐山; Makio Atsumi; 真喜男厚見
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1997-09-03
Filing date: 1997-09-03
Publication date: 1999-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣチップのチップ電極部と、基板上に形成
された電極部とを電気的に接続するために、ＩＣチップ
のチップ電極部や基板上の電極部に予めバンプを形成し
ておかなくとも良好な電気的接続を得ることができ、更
に、電極の材質として、アルミニウム等の活性化して表
面に絶縁性が高い酸化膜を生成しやすい金属を使用する
際にも、その電極表面上に形成される酸化膜を破膜して
良好な電気的接続を得ることができるようにする。【解決手段】まず、チップ対向電極部４ａの酸化表面
層９を除去し、ついで、チップ電極部３と上記の酸化表
面層９を除去されたチップ対向電極部４ａとを接続する
よう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非接触ＩＤ（Iden
tification）タグ製造時におけるＩＣチップのチップ電
極と基板上に形成された電極との電気的接続に用いて好
適な非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】非接触ＩＤタグは、バーコードに代わる
物流の仕分け装置として重要な要素技術の一つであり、
この非接触ＩＤタグを用いることにより、バーコードで
は識別が困難な、荷物などの陰に隠れたタグの識別が可
能となる。この非接触ＩＤタグは、ＰＥＴ（ポリエチレ
ン・テレフタレート）等の熱可塑性プラスチック製の基
板上に、外部から与えられた交流磁場により励磁される
タグアンテナをそなえるとともに、タグ用ＩＣ（Integr
ated Circuit)等を備えて構成されている。

【０００３】図１０は非接触ＩＤタグシステムのハード
構成を示すブロック図であり、この図を使用して非接触
ＩＤタグについての説明を行なう。ここで、タグ用ＩＣ
１０１はチップ化された超小型のマイコンであり、ＩＤ
情報を記憶するメモリ１０１ａ、情報を通信用に変調・
復調する送・受信回路１０１ｂ、及び情報の暗号化，計
算等の処理を行なうマイクロプロセッサ（図示せず）等
から構成される。

【０００４】また、タグアンテナ１０２は、基板の表裏
面に形成されたシート状コイルであり、「受信アンテ
ナ」として受信した電波により誘導起電力を発生させる
ことにより、受信した電波を電気エネルギに変換して、
非接触ＩＤタグ１００内蔵のタグ用ＩＣ１０１を駆動す
るようになっている。即ち、このタグアンテナ１０２に
おいて、外部から与えられた交流磁場によりコイルが励
磁され、この励磁エネルギ（誘起電圧）を用いることに
よりタグ用ＩＣ１０１を駆動できるようになっており、
更に、受信した電波の情報をタグ用ＩＣ１０１に渡すよ
うになっている。

【０００５】さらに、このタグアンテナ１０２は、「送
信アンテナ」としてタグ用ＩＣ１０１に記憶されている
ＩＤ情報をタグの外に向け発信するようになっている。
即ち、タグ用ＩＤ１０１は、ＩＤ情報を記憶するメモリ
１０１ａ及びＩＤ情報を外部に無線信号として送信する
送受信回路１０１ｂを備えているので、非接触ＩＤタグ
１００が荷物の陰に隠れていても、外部から励磁するの
みでタグ用ＩＣ１０１が駆動されて、ＩＤ情報を送信で
きるようになっている。

【０００６】また、非接触ＩＤタグ１００からのＩＤ読
み取り、又は、非接触ＩＤタグ１００への書き込みに
は、専用のリーダ（READER: 読取器) ／ライタ(WRITER:
書込器) ２００を使用する。このリーダ／ライタ２００
は、非接触ＩＤタグ１００への非接触給電および非接触
ＩＤタグ１００へのＩＤ情報送信を行なう送信アンテナ
２０１と、非接触ＩＤタグ１００から送信されたＩＤを
受信する受信アンテナ２０２とを有しており、更に、情
報を通信用に変調するための変調器２０７や、発振器２
０５、増幅器２０６、フィルタ２０３、及び受信したデ
ータを復調する復調器２０４等を有している。又、この
リーダ／ライタ２００は、非接触ＩＤタグから得た情報
を処理する上位計算機（図示せず）とも接続されてい
る。

【０００７】ここで、リーダ／ライタ２００の送信アン
テナ２０１から出力する電波によって、タグアンテナ１
０２に誘導起電力を発生させて、非接触ＩＤタグ１００
に設けられているタグ用ＩＣ１０１を起動し、このタグ
用ＩＣ１０１のデータを、タグアンテナ１０２からリー
ダ／ライタ２００へ返送するようになっている。また、
リーダ／ライタ２００の受信アンテナ２０２で受信され
た信号は、フィルタ２０３や復調器２０４を介して、シ
ステム使用可能な受信データに変更され、上位計算機
（図示せず）へ送られる。なお、タグ用ＩＣ１０１への
書き込みは、リーダ／ライタ２００から発生された電波
を、非接触ＩＤタグ１００側の変調器（図示せず）にお
いて変調することによって可能とする。

【０００８】このような構成により、例えば空港での荷
物の運搬／仕分けシステムにおいて、荷物が積載される
便名，行き先等の情報をＩＤ情報として記憶された非接
触ＩＤタグを、各荷物に付しておき、荷物の仕分けを行
なう際に、外部から交流磁場を与えるだけで、上述のＩ
Ｄ情報を受信することができ、バーコードのように、荷
物の陰に隠れたタグを識別するような手間を省くことが
できる。

【０００９】さて、このような非接触タグを製造するに
あたって、ＩＣチップのチップ電極部と基板上に形成さ
れている電極部との間において確実な電気的接続を得る
ことが重要となるのである。ところで、一般的な半導体
製品製造技術では、ＩＣチップのチップ電極部と、基板
上に形成されている電極部とを電気的に接続する方法と
して、ＩＣチップのチップ電極部もしくは、プリント基
板上に形成された電極部に、バンプと呼ばれる突起を形
成して、ＩＣチップと基板とを圧着または、導電性接着
剤を介在させて接合することにより、電極間の食いつき
を良くして、良好な伝導性を得る方法が知られている。

【００１０】ここで、既知のバンプの形成方法として
は、プリント基板の表面に形成された電極部やＩＣチッ
プのチップ電極部に、ボールボンディング法を用いてボ
ールを固着させた後、ボールのネック部で金属ワイヤを
引きちぎることによりバンプを形成する方法が知られて
いる（特公平４−４１５１９号公報参照）。また、プリ
ント基板の表面に形成された電極部やＩＣチップのチッ
プ電極部に、ボールボンディング法を用いてボールを固
着することによりバンプの底部を形成した後、そのボー
ルの上部に金属ワイヤをルーピングし、その金属ワイヤ
の端部を前記入出力電極パッド上に固着して切断するこ
とにより、金属ワイヤからなる高さの揃った逆Ｕ字型の
バンプの頂部を底部と一体に形成し、それにより固着し
たボールの先端部を均一な高さに揃え、且つ、２段状に
突出したバンプを形成する方法も知られている（特許第
２５０６８６１号参照）。

【００１１】さらに、上記の様なワイヤーボンディング
法を利用した作成方法の他に、バンプの作成方法とし
て、ステンシルマスク等を通して導電性の良い金属を電
極上に蒸着して堆積させることにより、ピラミッド状の
金属の突起（すなわちバンプ）を形成する方法が知られ
ている。さらに、ＩＣチップのシリコン表面に異方性エ
ッチングにより凹凸を形成し、その凹凸の表面上に導電
性の良い金属を蒸着させることによりバンプを形成する
方法も知られている。

【００１２】上記のような種々の方法によってプリント
基板の表面に形成された電極部もしくはＩＣチップの電
極部にバンプを形成した後に、そのバンプと電極が着接
するように位置を合わせて配設してから、ＩＣチップと
基板とを導電性接着剤等を利用して接着するのである。
なお、電極に使用する材質としては、メッキ等で成膜し
易い事、並びに表面に酸化膜が比較的生成しづらく、銅
配線成膜後、特別の処置をしなくとも電子部品との電気
的接合が容易に行なうことができることから、銅が使用
されることが多い。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法で
は、基板上の電極部とＩＣチップのチップ電極部との間
に良好な導通を得るために、基板上の電極部やＩＣチッ
プのチップ電極部にバンプを形成するのであるが、この
バンプを形成するために、バンプ作成専用の工程を設け
なければならず、又、その工程は煩雑であり、これによ
り、コストがかかるという課題がある。

【００１４】また、従来、基板上に形成する電極の材質
として使用される銅は高価であるため、コスト削減のた
めには、安価なアルミニウムの利用が必要とされる。し
かしながら、アルミニウムは活性化して表面に酸化物を
生成しやすい上、その酸化物である酸化アルミニウム
（Ａｌ₂Ｏ₃）は絶縁性が高いという性質を有する。こ
のため、アルミニウムを電極の材質として使用しようと
する際には、電極間において良好な電気的接続を得るた
めに、その電極の表面に形成される酸化アルミニウム
（Ａｌ₂Ｏ₃）膜をいかに破膜するかという課題があ
る。

【００１５】本発明は、このような課題に鑑み創案され
たもので、ＩＣチップのチップ電極部と、基板上に形成
された電極部とを電気的に接続するために、ＩＣチップ
のチップ電極部や基板上の電極部に予めバンプを形成し
ておかなくとも良好な電気的接続を得ることができ、更
に、電極の材質として、アルミニウム等の活性化して表
面に絶縁性が高い酸化膜を生成しやすい金属を使用する
際にも、その電極表面上に形成される酸化膜を破膜して
良好な電気的接続を得ることができるようにした、非接
触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法を提供すること
を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】このため、請求項１記載
の本発明の非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法
は、チップ電極部を有するＩＣチップと、該ＩＣチップ
と対向して該チップ電極部と接続されるとともに活性化
して表面に酸化物を生成しやすい金属からなるチップ対
向電極部を含む金属箔パターン部を形成されたフィルム
状絶縁基板とをそなえてなる非接触タグを製造する際
に、まず、該チップ対向電極部の酸化表面層を除去し、
ついで、該チップ電極部と上記の酸化表面層を除去され
たチップ対向電極部とを接続することを特徴としてい
る。

【００１７】なお、請求項１記載の非接触タグ製造時の
ＩＣチップ電極接続方法において、該チップ電極部と上
記の酸化表面層を除去されたチップ対向電極部との接続
を、不活性ガス雰囲気下で行なってもよい（請求項
２）。さらに、請求項１記載の非接触タグ製造時のＩＣ
チップ電極接続方法において、ノズル部材から研磨要素
入りの不活性ガスを該チップ対向電極部の酸化表面層に
噴射して、該チップ対向電極部の酸化表面層を除去し、
その後、該ノズル部材から不活性ガスのみを該チップ対
向電極部の酸化表面層を除去した部分に噴射してから、
該チップ電極部と該チップ対向電極部とを接続してもよ
い（請求項３）。

【００１８】さらに、請求項１〜請求項３記載の非接触
タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法において、該チッ
プ対向電極部がアルミニウム箔電極部として構成されて
もよい（請求項４）。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面により、本発明の一実
施形態としての非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続
方法について説明すると、図１（ａ）〜（ｃ）は本ＩＣ
チップ電極接続方法を説明するための模式図であるが、
この図１（ａ）〜（ｃ）を用いて、ＩＣチップ電極接続
要領を概略的に説明する。

【００２０】さて、フィルム状絶縁基板としてのＰＥＴ
（ポリエチレン・テレフタレート）基板２の表面には、
コイル状のアルミ箔を貼着することにより、シート状コ
イル部４ｂ（図３（ｂ）参照）とチップ対向電極部４ａ
とからなるアルミ箔コイル（金属箔パターン部）４が形
成されているが、電極どうしを接続するにあたっては、
まず、このＰＥＴ基板２が、その表面（ＰＥＴ基板２に
おけるチップ対向電極部４ａが形成されている面）を上
に向けて載置される。

【００２１】そして、このチップ対向電極部４ａに、Ｉ
Ｃチップ１のチップ電極部３が貼着されるのであるが、
この際、チップ対向電極部４ａの表面には、既に、絶縁
性が高い酸化アルミニウム膜９（酸化表面層）が形成さ
れているのである。また、チップ対向電極部４ａの上方
には、ノズル部材である小口径のサンドブラストノズル
７が、その先端部をチップ対向電極部４ａに向けて配設
されており、このサンドブラストノズル７の先端部か
ら、研磨要素であるポリマー粒子のサンド１０（例えば
粒径２μｍ〜１０数μｍ程度）が入った、圧縮窒素ガス
１１（不活性ガス）が噴射されるようになっている。
又、サンドブラストノズル７は、圧縮窒素ガス１１のみ
を噴射することもできるようになっている。

【００２２】ここで、まず、図１（ａ）に示すように、
ノズル部材である小口径のサンドブラストノズル７か
ら、サンド１０入りの圧縮窒素ガス１１をチップ対向電
極部４ａの表面に形成されている酸化アルミニウム膜９
に噴射することによって、チップ対向電極部４ａの表面
に形成されている酸化アルミニウム膜９を除去する。つ
いで、図１（ｂ）に示すように、サンドブラストノズル
７から圧縮窒素ガス１１のみを、チップ対向電極部４ａ
の酸化アルミニウム膜９を除去した部分に引き続き噴射
することによって、チップ対向電極部４ａ上に残存して
いるサンド１０を吹き飛ばすとともに、チップ対向電極
部４ａの周囲に窒素ガスを充満させ、更に、この窒素雰
囲気下において、図１（ｃ）に示すように、ＩＣチップ
１のチップ電極部３と、表面に形成された酸化アルミニ
ウム膜９を除去されたチップ対向電極部４ａとを接続し
た後、図示しないチップ接着手段によってＩＣチップ１
をチップ対向電極部４ａに固定する。

【００２３】この際、チップ対向電極部４ａと、ＩＣチ
ップ１のチップ電極部３との接続を、不活性ガスである
窒素雰囲気下で行なうことにより、酸化アルミニウム膜
９を除去されたチップ対向電極部４ａは酸素に触れるこ
とがなく、チップ対向電極部４ａの表面には、チップ電
極部３と接続されるまでの間に、再度、酸化アルミニウ
ム膜９が形成されることがない。

【００２４】すなわち、サンド１０入りの圧縮窒素ガス
１１の噴射によってその表面に形成された酸化アルミニ
ウム膜９を除去されたチップ対向電極部４ａと、ＩＣチ
ップ１のチップ電極部３とを窒素雰囲気下で接続するこ
とにより、このチップ電極部３とチップ対向電極部４ａ
とを、酸化アルミニウム膜９を介在させることなく接続
することができ、チップ電極部３とチップ対向電極部４
ａとの間に良好な電気的接続を得ることができる。

【００２５】さらに、本発明の一実施形態としての非接
触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法について、図２
〜図７を用いて説明する。ここで、図２は、本発明の一
実施形態としてのＩＣチップ電極接続方法による非接触
タグの製造工程を説明するフローチャートであり、又、
図３〜図５は、図２に示すフローチャートの各工程にお
ける非接触タグを説明するための図であり、図６，図７
の側断面図等を示すものであるが、説明の便宜上、模式
的に示されている。更に、図６，図７は、図２に示すフ
ローチャートの各工程における非接触タグの構造を上面
（ＩＣチップ１が接着される側）から見た図であり、説
明の便宜上、一部を省略して示されている。

【００２６】まず、非接触タグを製造するにあたって、
長尺ＰＥＴ基板２′の表裏面の全面にわたってアルミ箔
４′を貼着する（図２のステップＳ１）。この状態にお
ける非接触タグの側断面図を図３（ａ）に、上面図を図
６（ａ）に示す。次に、所定数の非接触タグが得られる
ように、長尺ＰＥＴ基板２′の表裏面に形成されたアル
ミ箔４′にエッチングを施すことにより、アルミ箔４′
をコイル状に成形して、チップ対向電極部４ａ及びシー
ト状コイル部４ｂからなるアルミ箔コイル４を形成する
（図２のステップＳ２）。この状態における非接触タグ
の側断面図を図３（ｂ）、上面図を図６（ｂ）に示す。

【００２７】さらに、長尺ＰＥＴ基板２′の表面に形成
された複数のアルミ箔コイル４のチップ対向電極部４ａ
に、サンドブラストノズル７によってサンド１０入りの
圧縮窒素ガス１１を噴出して、チップ対向電極部４ａの
表面に形成されている酸化アルミニウム膜９を除去す
る。（図２のステップＳ３）。この状態における非接触
タグの側断面図を図４（ａ）、上面図を図７（ａ）に示
す。

【００２８】なお、図４（ｂ）に示すように、本実施形
態において、ＩＣチップ１は２つのチップ電極部３を有
して構成されており、又、それらのチップ電極部３と接
続されるアルミ箔コイル４も２つのチップ対向電極部４
ａを有して構成されている。また、サンドブラスト（サ
ンド１０入りの圧縮窒素ガス１１の噴射）は、一つのサ
ンドブラストノズル７によって行なわれるようになって
おり、これによって、チップ対向電極部４ａの表面に形
成された酸化アルミニウム膜９を、均一な深さで除去す
ることができるようになっている。

【００２９】ここで、チップ対向電極部４ａの表面に形
成されている酸化アルミニウム膜９を除去する工程につ
いて詳細に説明すると、先ず、サンドブラストノズル７
を第１のチップ対向電極部４ａ〔図４（ａ）中左側のチ
ップ対向電極部４ａ〕の上方に移動し、サンドブラスト
ノズル７の先端部を第１のチップ対向電極部４ａの上面
に向け、サンド１０入りの圧縮窒素ガス１１を噴射する
ことによって、第１のチップ対向電極部４ａの表面に形
成された酸化アルミニウム膜９を除去する。

【００３０】次に、サンドブラストノズル７を第２のチ
ップ対向電極部４ａ〔図４（ａ）中右側のチップ対向電
極部４ａ〕の上方に移動し、サンドブラストノズル７の
先端部を第２のチップ対向電極部４ａの上面に向け、サ
ンド１０入りの圧縮窒素ガス１１を噴射することによっ
て、第２のチップ対向電極部４ａの表面に形成された酸
化アルミニウム膜９を除去するのである。

【００３１】さらに、チップ対向電極部４ａの酸化アル
ミニウム膜９を除去した部分に、サンドブラストノズル
７から圧縮窒素ガス１１のみを噴射し、チップ対向電極
部４ａの上面に残存するサンド１０を吹き飛ばすととも
に、チップ対向電極部４ａのの周囲に圧縮窒素ガス１１
を充満させる。次に、チップ対向電極部４ａの周囲に窒
素ガスが残留しており、チップ対向電極部４ａの酸化ア
ルミニウム膜９が除去された部分が窒素ガス雰囲気下に
おかれている状態で、ＩＣチップ１のチップ対向電極部
３をチップ対向電極部４ａの表面に形成された酸化アル
ミニウム膜９が除去された面に接続し（図４（ｂ）参
照）、更に、接着剤５によりＩＣチップ１をアルミ箔コ
イル４上に固定する（図２のステップＳ４参照）。この
状態における非接触タグの側断面図を図４（ｃ）、上面
図を図７（ｂ）に示す。

【００３２】これによって、ＩＣチップ１のチップ電極
部３とチップ対向電極部４ａとの間に、絶縁性が高い酸
化アルミニウム膜９が介在せず、チップ電極部３とチッ
プ対向電極部４ａとの間に良好な電気的接続を得ること
ができる。次に、ラミネート加工を施して（図２のステ
ップＳ５）、ＩＣチップ１やアルミ箔コイル４が形成さ
れた長尺ＰＥＴ基板２′全体をラミネート８によって覆
う。この状態における非接触タグの側断面図を図５
（ａ）に示す。

【００３３】さらに、このようにして長尺ＰＥＴ基板
２′上に形成された複数の非接触タグを裁断することに
よって、個々の非接触タグ１５０に分割する（図２のス
テップＳ６）。この状態における非接触タグを模式的に
示す側面図を図５（ｂ）に示す。最後に、出来上がった
非接触タグ１５０を印字紙１６０に接着する（図２のス
テップＳ７）。なお、この状態における非接触タグを模
式的に示す側面図を図５（ｃ）、上面図を図７（ｃ）に
示す。なお、図７（ｃ）において符号１５０は非接触タ
グ、１６０は印字紙、１６０ａは印字紙１６０の印刷
面、１７０はバーコード、１８０は印刷面１６０ａ上に
印刷される文字を示す。

【００３４】なお、上記実施形態では、２つのチップ対
向電極部４ａに対して、一つのサンドブラストノズル７
によってサンド１０入りの圧縮窒素ガス１１の噴射を行
なっているが、それに限定されるものではなく、複数個
サンドブラストノズル７を設けてもよく、又、サンド１
０入りの圧縮窒素ガス１１の噴射を行なうチップ対向電
極部４ａの数だけ、サンドブラストノズル７を設けても
よい。

【００３５】すなわち、複数のサンドブラストノズル７
から、一斉に、チップ対向電極部４ａに対して、サンド
１０入りの圧縮窒素ガス１１を噴射することによって、
酸化アルミニウム膜９の除去のための所要時間を短縮す
ることができ、生産性を上げることができる。ここで、
図９に示すように、複数（本実施形態では２つ）のサン
ドブラストノズル７Ａ，７Ｂによってチップ対向電極部
４ａ，４ａ′の表面に形成されている酸化アルミニウム
膜９を一度に除去し、ＩＣチップ１をアルミ箔コイル４
に接続する際の、サンドブラストノズル７の動作を制御
する様子を図８（ａ）〜（ｄ）に示すタイムチャートに
よって詳細に説明する。

【００３６】図８（ａ）は時間経過に対して、サンドブ
ラストノズル７Ａ，７Ｂの「位置合わせ」のタイミング
を示す図である。なお、ここでの「位置合わせ」とは、
「サンドブラスト前の位置合わせ」，「サンドブラスト
中における位置固定」，「サンドブラスト後の一時的な
位置の保持」の全ての動作を合わせたものである。ま
た、図８（ｂ）は、時間経過に対して、サンドブラスト
ノズル７Ａ，７Ｂからの、サンド１０および圧縮窒素１
１の噴出をそれぞれ制御するための信号の様子を示すも
のである。

【００３７】さらに、図８（ｃ）は、時間経過に対し
て、チップ対向電極部４ａへのＩＣチップ１のチップ電
極３の「位置合わせ」のタイミングを示す図である。な
お、ここでの「位置合わせ」とは、「ＩＣチップ１とア
ルミ箔コイル４との接続前の位置合わせ」，「ＩＣチッ
プ１とアルミ箔コイル４との接続中における位置固
定」，「ＩＣチップ１とアルミ箔コイル４との接続後の
一時的な位置の保持」の全ての動作を合わせたものであ
る。

【００３８】またさらに、図８（ｄ）は、ＩＣチップ１
とアルミ箔コイル４との接続を制御するための信号の様
子を示すものである。また、図９（ａ）は複数のサンド
ブラストノズルによってサンドブラストした場合におけ
る非接触タグの側断面図であり、又、図９（ｂ）はその
上面から見た図である。

【００３９】まず、図８（ａ）中のＡ１点に示すよう
に、サンドブラストノズル７Ａ，７Ｂのチップ対向電極
部４ａ，４ａ′に対する位置合わせを行なう。即ち、ア
ルミ箔コイル４の上方に、その先端部をそれぞれチップ
対向電極部４ａ，４ａ′に向けてサンドブラストノズル
７Ａ，７Ｂを配設するのである。次に、サンドブラスト
ノズル７Ａ，７Ｂの位置合わせ後、微少時間経過後に、
図８（ｂ）中のＡ２点に示すように、サンドブラストノ
ズル７Ａ，７Ｂの先端を、それぞれチップ対向電極部４
ａに向けて、圧縮窒素ガス（Ｎ₂）１１のみの噴射を行
ない、更に、微少時間経過後に、図８（ｂ）中のＡ３点
に示すように、圧縮窒素ガス１１にサンド１０を混入さ
せ、サンド１１入りの圧縮窒素ガス１１を所定時間噴射
することによって、各チップ対向電極部４ａ，４ａ′の
表面に形成されている酸化アルミニウム膜９を除去す
る。

【００４０】サンド１０入りの圧縮窒素ガス１１を各チ
ップ対向電極部４ａ，４ａ′に所定時間噴射した後、図
８（ｂ）中のＡ４点に示すように、サンド１０の圧縮窒
素ガス１１への混入を停止し、圧縮窒素ガス１１のみを
各チップ対向電極部４ａ，４ａ′に噴射することによ
り、各チップ対向電極部４ａ，４ａ′上のサンド１０を
吹き飛ばして、チップ対向電極部４ａ上に非導電性粒子
であるサンド１０が残存しないようにするとともに、各
チップ対向電極部４ａ，４ａ′の周囲に窒素ガスを充満
させる。

【００４１】次に、圧縮窒素ガス１１の噴射を停止する
とともに（図８（ｂ）のＡ５点参照）、ＩＣチップ１の
位置合わせを行ない（図８（ｃ）のＡ６点参照）、ＩＣ
チップ１のチップ電極部３をチップ対向電極部４ａの上
方に配置する。ここで、チップ対向電極部４ａ，４ａ′
の周囲に窒素ガスが残留しており、チップ対向電極部４
ａの周囲が窒素ガス雰囲気下におかれている状態で、チ
ップ電極部３をチップ対向電極部４ａ，４ａ′の表面に
形成された酸化アルミニウム膜９が除去された面に接続
し、図示しないＩＣチップ接着手段によって、ＩＣチッ
プ１をアルミ箔コイル４上に固定する（図８（ｄ）のＡ
８参照）。なお、この際、サンドブラストノズル７Ａ，
７Ｂは、図８（ａ）のＡ７点に示すように、位置合わせ
を解除し、ＩＣチップ１とアルミ箔コイル４との接続を
妨げないようになっている。

【００４２】なお、以下サンドブラストノズルというと
きは、符号７で示すサンドブラストノズルのほか、符号
７Ａ，７Ｂで示すサンドブラストノズルも含むが、代表
してサンドブラストノズル７として表記する。また、以
下チップ対向電極部というときは、符号４ａで示すチッ
プ対向電極部のほか、符号４ａ′で示すチップ対向電極
部も含むが、代表してチップ対向電極部４ａとして表記
する。

【００４３】このように、ＩＣチップ１とアルミ箔コイ
ル４との接続が終了した後、図８（ｃ）のＡ９点に示す
ように、ＩＣチップ１の位置合わせを解除し、更に、図
８（ａ）のＡ１０点に示すように、長尺ＰＥＴ基板２′
（非接触タグ）を搬送して、次のアルミ箔コイル〔非接
触タグ（Ｎ＋１）〕の位置合わせを行なうのである。

【００４４】このように、本発明の一実施形態としての
非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法によれば、
サンドブラストノズル７から、サンド１０入りの圧縮窒
素ガス１１をチップ対向電極部４ａに噴射することによ
って、このチップ対向電極部４ａの表面に形成された酸
化アルミニウム膜９を除去した後、チップ対向電極部４
ａの表面に、再度、酸化アルミニウム膜９が形成される
前に、ＩＣチップ１のチップ対向電極部３を接続するこ
とによって、チップ電極部３と、チップ対向電極部４ａ
との間に、絶縁性が高い酸化アルミニウム膜９が介在せ
ず、チップ電極部３とチップ対向電極部４ａとの間で良
好な電気的接続を得ることができ、バンプを利用する場
合と同様な効果を得ることができる。

【００４５】すなわち、事前に電極部にバンプを形成す
る必要がないことから、バンプを作成するための煩雑な
工程を省くことができ、バンプ作成工程のための時間を
節約できるとともに経済的である。また、絶縁性が高い
酸化物が表面に生成し易いが安価であるアルミニウムを
電極の材質として使用することができ、コストを削減す
ることができる。

【００４６】さらに、上述した実施形態では、フィルム
状絶縁基板の材質としてＰＥＴ（ポリエチレン・テレフ
タレート）を使用しているが、それに限定されるもので
はなく、ＰＥ（ポリエチレン）等の熱可塑性プラスチッ
クを使用してもよい。また、上記実施形態では、チップ
対向電極部４ａの表面に形成された酸化アルミニウム膜
９を除去した後、ＩＣチップ１のチップ電極部をチップ
対向電極部４ａに接続した後に、接着剤５によりＩＣチ
ップ１をアルミ箔コイル４に固定しているが、それに限
定されるものではなく、チップ対向電極部４ａの表面に
形成された酸化アルミニウム膜９を除去した後、チップ
対向電極部４ａもしくはチップ電極部３に導電性接着剤
を塗布し、この導電性接着剤を介してチップ電極部３と
チップ対向電極部４ａとを貼着することによって、チッ
プ電極部３とチップ対向電極部４ａとを接続してもよ
い。

【００４７】さらに、上記実施形態では、不活性ガスと
して窒素ガスを用いているが、それに限定されるもので
はなく、二酸化炭素等、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施することができる。なお、この際、
窒素や二酸化炭素等の、大気よりも比重の重い不活性ガ
スを用いることにより、これらの不活性ガスがチップ対
向電極部４ａの周囲に滞留し易くなり、チップ対向電極
部４ａの表面に酸化アルミニウム膜９が形成し難くな
り、チップ電極部３とチップ対向電極部４ａとの間にお
いて、より確実な電気的接続を得ることができる。

【００４８】また、上記実施形態では、サンド１０とし
て、ポリマーからなる粒子を用いているが、それに限定
されるものではなく、セラミックや酸化シリコン等から
なる非導電性の粒子を、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施することができる。さらに、上記実
施形態では、サンド１０の粒径として、例えば粒径２μ
ｍ〜１０数μｍ程度としているが、それに限定されるも
のではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。

【００４９】なお、上記実施形態では、チップ対向電極
部４ａの表面に形成された酸化アルミニウム膜９を、サ
ンド１０入りの圧縮窒素ガス１１によって除去している
が、それに限定されるものではなく、超音波等を用いて
チップ対向電極部４ａの表面に形成された酸化アルミニ
ウム膜９を破膜したり、金属ブラシ等を擦り付けること
によってチップ対向電極部４ａの表面に形成された酸化
アルミニウム膜９を除去してもよく、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の本
発明の非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法によ
れば、ＩＣチップのチップ電極部とチップ対向電極部と
を電気的に接続する過程において、チップ対向電極部に
形成された酸化表面層を除去した後に、チップ電極部
と、酸化表面層を除去されたチップ対向電極部を接続す
ることにより、ＩＣチップのチップ電極部とチップ対向
電極部との間において良好な電気的接続を得ることがで
き、バンプを利用した場合と同様の効果を得ることがで
きる。すなわち、事前に電極部にバンプを形成する必要
がないことから、バンプを作成するための煩雑な工程を
省くことができ、バンプ作成工程のための時間を節約で
きるとともに経済的であるという利点がある。

【００５１】また、この際、チップ電極部とチップ対向
電極部との接続を、不活性ガス雰囲気下で行なうことに
より、チップ対向電極部に酸化表面層が形成されること
がなく、より確実に、チップ電極部とチップ対向電極部
とを電気的に接続することができる（請求項２）。ま
た、ノズル部材から研磨要素入りの不活性ガスをチップ
対向電極部の酸化表面層に噴射して、チップ対向電極部
の酸化表面層を除去した後、ノズル部材から不活性ガス
のみをチップ対向電極部の酸化表面層を除去した部分に
噴射することによって、チップ対向電極部の酸化表面層
を除去した部分は、常に不活性雰囲気下におかれ、チッ
プ電極部と接続されるまでの間に、再度、酸化表面層が
形成されることがなく、より確実に、チップ電極部とチ
ップ対向電極部とを電気的に接続することができる（請
求項３）。

【００５２】さらに、チップ対向電極部上に残存してい
た研磨要素が、不活性ガスのみの噴射により吹き飛ばさ
れることにより、同様に、より確実に、チップ電極部と
チップ対向電極部とを電気的に接続することができる
（請求項３）。またさらに、チップ対向電極部がアルミ
ニウム箔電極部として構成されていることにより、コス
トの削減を行なうことができるという利点がある（請求
項４）。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施形態としての
非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法を説明する
ための模式図である。

【図２】非接触タグの製造工程を説明するフローチャー
トである。

【図３】（ａ），（ｂ）は図２に示すフローチャートの
各工程における非接触タグの側断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は図２に示すフローチャートの
各工程における非接触タグの側断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は図２に示すフローチャートの
各工程を説明するための図である。

【図６】（ａ），（ｂ）は図２に示すフローチャートの
各工程における非接触タグの構造を上面から見た図であ
る。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は図２に示すフローチャートの
各工程における非接触タグの構造を上面から見た図であ
る。

【図８】（ａ）〜（ｄ）はサンドブラストする際のタイ
ミングチャートである。

【図９】（ａ），（ｂ）はサンドブラストする際の工程
を説明するための図である。

【図１０】非接触ＩＤタグシステムのハード構成を示す
ブロック図である。

【符号の説明】

１ＩＣチップ２ＰＥＴ基板（フィルム状絶縁基板）２′ 長尺ＰＥＴ基板（フィルム状絶縁基板）３チップ電極部４アルミ箔コイル部（金属箔パターン部）４′ アルミ箔４ａ，４ａ′ チップ対向電極部４ｂシート状コイル部５接着剤７，７Ａ，７Ｂサンドブラストノズル（ノズル部材）８ラミネート９酸化アルミニウム膜（酸化表面層）１０サンド（研磨要素）１１圧縮窒素ガス（不活性ガス）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チップ電極部を有するＩＣチップと、該
ＩＣチップと対向して該チップ電極部と接続されるとと
もに活性化して表面に酸化物を生成しやすい金属からな
るチップ対向電極部を含む金属箔パターン部を形成され
たフィルム状絶縁基板とをそなえてなる非接触タグを製
造する際に、まず、該チップ対向電極部の酸化表面層を除去し、ついで、該チップ電極部と上記の酸化表面層を除去され
たチップ対向電極部とを接続することを特徴とする、非
接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法。
【請求項２】該チップ電極部と上記の酸化表面層を除
去されたチップ対向電極部との接続を、不活性ガス雰囲
気下で行なうことを特徴とする請求項１記載の非接触タ
グ製造時のＩＣチップ電極接続方法。
【請求項３】ノズル部材から研磨要素入りの不活性ガ
スを該チップ対向電極部の酸化表面層に噴射して、該チ
ップ対向電極部の酸化表面層を除去し、その後、該ノズル部材から不活性ガスのみを該チップ対
向電極部の酸化表面層を除去した部分に噴射してから、
該チップ電極部と該チップ対向電極部とを接続すること
を特徴とする、請求項１記載の非接触タグ製造時のＩＣ
チップ電極接続方法。
【請求項４】該チップ対向電極部がアルミニウム箔電
極部として構成されていることを特徴とする、請求項１
〜請求項３のいずれかに記載の非接触タグ製造時のＩＣ
チップ電極接続方法。