JP2007109216A

JP2007109216A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2007109216A
Application number: JP2006241019A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Shionoiri; 豊塩野入; Kiyoshi Kato; 清加藤; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-09-13
Filing date: 2006-09-06
Publication date: 2007-04-26

Abstract

【課題】多くの情報を処理することができ、多機能化にも対応することができる非接触で情報処理が可能であり、信頼性の高い半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】入出力手段としてアンテナを共有する複数の集積回路を備えた半導体装置である。集積回路には、通信回路と論理回路と記憶回路とを含んでいる。通信回路には、高周波回路、変調回路、復調回路が含まれている。記憶回路は、不揮発性メモリ、読み出し専用メモリが含まれている。この複数の集積回路は、通信周波数を同じものとすることができ、通信プロトコルを異ならせたものとすることができる。この半導体装置は、絶縁基材の一面に形成されたループ若しくはスパイラル状のアンテナと、アンテナに接続し、該アンテナの一部と重なる、若しくは重ならないように配置された集積回路を複数有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、非接触で情報の入出力が可能（無線通信で情報の入出力が可能）な半導体装置に関する。

電波又は電磁波を利用して非接触で情報の読み出しと書き込みを行う認証システム（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ、「ＲＦＩＤシステム」、「ＲＦＩＤ」ともいう）は、産業界においてバーコードに代わる識別・認証技術として研究が進められている。近年では、このような用途に限定されず、スーパーマーケットにおける商品管理や、航空旅客の預入手荷物管理など、新たなサービスの提供が展開されつつある。

ＲＦＩＤ技術で用いる無線ＩＣ（無線通信可能な集積回路）は、アンテナを含めると数十ミリメートルの大きさで、無線通信によりリーダライタ機器と情報の送受信を行う。その形状は、ラベル型、タグ型、カード型、コイン型、スティック型など様々なものがある。

このような無線ＩＣは、これまでに培ったシリコンウエハーに集積回路を形成する微細化技術を利用して製造されている。ＲＦＩＤを普及させるには、そのコアデバイスとなる無線ＩＣのコストを下げる必要があり、そのためにチップサイズの縮小化が進められている。さらに、シリコンウエハーを分断して微小な半導体チップを実装する方法の開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−１４９５６号公報

しかしながら、アンテナとＩＣチップを組み合わせた従来の無線ＩＣは、広く普及させるために、小型化や低コスト化の努力がされていた。そして、従来の無線ＩＣには一つのＩＣチップしか配設されていないので、情報を記憶する容量が小さく、高機能化や多機能化に障害があった。

本発明は、このような状況に鑑み、多くの情報を処理することができ、多機能化にも対応することができる非接触で情報処理が可能な半導体装置の提供を目的とする。また、非接触で情報処理が可能な半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。

本発明は、入出力手段としてアンテナを共有する複数の集積回路を備えた半導体装置である。ＩＣは無線通信可能な集積回路であって、集積回路には、通信回路と論理回路と記憶回路とを含ませることができる。通信回路には、高周波回路と変調回路と復調回路を含ませることもできる。記憶回路は、不揮発性メモリと読み出し専用メモリを含ませることもできる。この複数の集積回路は、通信周波数を同じものとすることができる。また、この複数の集積回路は、通信周波数を同じものとし、通信プロトコルを異ならせたものであっても良い。

本発明の一は、アンテナと、当該アンテナに接続された複数の集積回路を有し、複数の集積回路は、それぞれ、識別符号と集積回路の動作を制御するプログラムが記憶された記憶回路を有し、識別符号は複数の集積回路のぞれぞれで異なり、プログラムは複数の集積回路のそれぞれで異なることを特徴とする半導体装置である。

本発明の一は、アンテナと、当該アンテナに接続された複数の集積回路を有し、複数の集積回路は、それぞれ、識別符号と集積回路の動作を制御するプログラムが記憶された記憶回路を有し、複数の集積回路から選択された少なくとも２つの集積回路は、同じ識別符号と同じプログラムを有することを特徴とする半導体装置である。

本発明の一は、アンテナと、アンテナに接続された複数の集積回路と、集積回路に接続された多数決回路を有し、複数の集積回路は、それぞれ、識別符号と集積回路の動作を制御するプログラムが記憶された記憶回路を有し、複数の集積回路から選択された少なくとも２つの集積回路は、同じ識別符号と同じプログラムを有し、多数決回路は、当該集積回路の通信に応じた複数の識別符号より、識別符号の多数決値である識別符号を出力し、アンテナは、多数決値である識別符号を基に変調された搬送波を出力することを特徴とする半導体装置である。

アンテナは、複数の集積回路と異なる基板上に形成される構成であってもよく、複数の集積回路のそれぞれは、異なる基板上に形成される構成でもよい。

本発明におけるアンテナの形状は、ループ状またはスパイラル状であってもよい。

本発明における複数の集積回路は、アンテナと重なるように配置された構成であってもよい。

また、本発明における複数の集積回路は、アンテナと重ならない構成であってもよく、また、当該アンテナの内側に配置される構成であってもよい。

本発明におけるアンテナと重ならない構成は、アンテナと集積回路の接続部は含まない。

本明細書において、識別符号は個体情報を識別するための信号である。また、個体情報の識別符号は、識別情報、識別符号、識別データともよぶ。

なお本明細書において、接続されているとは電気的に接続されていることと同義である。したがって、一方の接続端と他方の接続端の間に、他の素子などが配置されていてもよい。

本発明は、アンテナを共通とする複数の集積回路を有し、当該集積回路のメモリに記憶させるプログラムを異ならせることにより、本発明の半導体装置は複数の用途に対して同時に使用することができる、非接触で情報の入出力が可能（無線通信で情報の入出力が可能）な半導体装置を提供することができる。

本発明は、同じ識別情報を記憶した複数の集積回路を備えることにより、集積回路の故障や破壊に対して、冗長性を持たせることができ、より高い耐性を持たせることができる。

以下、本発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態は、アンテナと複数の集積回路を有する半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。特に、同じ回路構成を有する複数の集積回路（例えば、ＩＣチップ若しくはＬＳＩチップ。）を備えた半導体装置について説明する。

図１は、アンテナに、非接触で情報の入出力が可能（無線通信で情報の入出力が可能）な複数の集積回路が接続される半導体装置の構成を示している。図１では、アンテナ１０２に第１集積回路１０４、第２集積回路１０６、第３集積回路１０８が接続された構成を例示している。

図２は、図１の構成を具体化したものであり、アンテナ１０２と第１集積回路１０４、第２集積回路１０６、第３集積回路１０８が接続部１０９ａ〜１０９ｆを介してそれぞれ接続されている半導体装置１００を示している。アンテナ１０２は、無線通信の周波数によりその形態を異ならせることができる。図２のアンテナ１０２は、ＨＦ帯からＵＨＦ帯（代表的には１３．５６ＭＨｚ）に対応できる磁界型アンテナとして、スパイラルアンテナを示している。磁界型アンテナとしては、この他にもループアンテナやヘリカルアンテナを用いることができる。また、マイクロ波帯の通信周波数を用いる場合は、ダイポールアンテナやパッチアンテナを用いることができる。

スパイラルアンテナはアンテナの巻きの回数や、アンテナの内側部分の面積により、アンテナのインピーダンスが異なるので、アンテナ１０２に接続する第１集積回路１０４、第２集積回路１０６、第３集積回路１０８のそれぞれで、実効的なアンテナ長が等しくなるように配置することが好ましい。

なお、アンテナは、コイルの中心軸に概略平行な方向から観察した場合に、円形、方形、三角形、及び多角形のいずれの形状を有するものであってもよい。なお、図２ではアンテナの角部（凹曲部）全てが約９０度となる構成を示したがこれに限定されない。アンテナの角部（凹曲部）は、丸みを帯びた形状であっても良い。また、図２に示したアンテナの角部（凹曲部）において、直角三角形を切り取るように面取りした形状であっても良い。

アンテナ１０２と接続する集積回路は、半導体基板（シリコンウエハー）に形成される集積回路、絶縁表面上の単結晶半導体層若しくは多結晶半導体層で形成される集積回路などを適用することができる。例えば、厚さ２００ｎｍ以下の単結晶若しくは多結晶の半導体層を用いた集積回路で、当該集積回路を可撓性基板にアンテナと共に固定することで、半導体装置に柔軟性を持たせることができる。

アンテナ１０２に接続する集積回路は図２で示すように、第１集積回路１０４、第２集積回路１０６、第３集積回路１０８として、互いに分離独立しているものを組み合わせても良いし、機能が独立していれば一体形成されているものであっても良い。製造歩留まりを考慮すると、集積回路の一つ当たりの面積が小さいものを複数個組み合わせて配設するものが好ましい。

第１集積回路１０４、第２集積回路１０６、第３集積回路１０８は、それぞれアンテナ１０２に接続することで、無線ＩＣとして機能する構成を有し、例えば、第１集積回路１０４、第２集積回路１０６、第３集積回路１０８は図３に示す構成を有する。図３において、集積回路は、アンテナに接続される高周波回路１１０（ＲＦ回路）、電源回路１１２、クロック及びリセット信号発生回路１１４、復調回路１１６、変調回路１１８、ＣＰＵ１２０（セントラルプロセッシングユニット）などの論理回路、ワーク領域としての揮発性メモリ１２２（代表的にはＳＲＡＭ）、ＣＰＵのプログラムを格納する書き込み可能な不揮発性メモリ１２４（代表的にはＥＥＰＲＯＭ）を有する。このような構成の半導体装置により、プログラムを異ならせることで、複数の用途に対して同時に使用可能な無線ＩＣを構成することができる。

プログラムは集積回路を作製した後に書き込むことで、用途によらずに同じ回路構成のチップを生産することができ、低コストを実現することができる。つまり、多品種少量生産に適した構成である。

例えば、複数の暗号に適用可能な無線ＩＣを構成することができる。例えば、第１集積回路１０４の不揮発性メモリには暗号化を行わない通信に関するプログラムを格納し、第２集積回路１０６の不揮発性メモリには暗号方式ａを用いた通信に関するプログラムを格納し、第３集積回路１０８の不揮発性メモリには暗号方式ｂを用いた通信に関するプログラムを格納した構成を有する無線ＩＣとすることができる。

このような構成とすることで、通常の暗号化されない通信は、第１集積回路１０４が命令を解読し応答する。一方、暗号方式ａを採用した通信は、第２集積回路１０６が命令を解読し応答する。また、暗号方式ｂを採用した通信は、第３集積回路１０８が命令を解読し応答する。なお、各集積回路は、サポートしない命令を受信しても応答しないようにすることで、これらの集積回路間で通信の衝突は起こらない。

また、無線ＩＣは複数の通信方式に対応することも可能である。例えば、図３に示すように、復調回路１１６と変調回路１１８にＣＰＵ１２０によって制御されるレジスタ１１７、レジスタ１１９を設け、復調信号からデータに変換する処理、およびデータの符号化処理をＣＰＵ１２０によって制御する構成とする。その上で、第１集積回路１０４には、チップの受信方式として位置変調を、応答方式としてマンチェスター符号化を用いる規格（例えばＩＳＯ１５６９３など）を用いた通信に関するプログラムを不揮発性メモリに格納し、第２集積回路１０６には、他の独自通信方式を用いた通信に関するプログラムを不揮発性メモリに格納した半導体装置とすることができる。

このような無線ＩＣはアンテナを集積回路と同じ基板上に形成する場合に有効である。これは、通信性能を確保するためにアンテナサイズがチップより大きい場合が多いためである。また、チップは可撓性を有することが好ましい。これは複数の集積回路を形成しチップサイズが大きくなるためである。この場合、単結晶シリコン基板やガラス基板に対し、チップは割れにくいという利点を有する。

（実施の形態２）
本実施の形態は、アンテナと複数の集積回路を有する半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。

図４（Ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置２００を示す。この半導体装置２００は、アンテナ２０１に複数の集積回路が接続されている。図４（Ａ）では、アンテナ２０１に複数の集積回路として、第１集積回路２０２と第２集積回路２０３が接続部２０４ａ〜２０４ｄを介してそれぞれ接続されている場合を示している。ここで、第１集積回路２０２、第２集積回路２０３は同じ識別符号が記憶されているものとする。つまり、第１集積回路２０２、第２集積回路２０３の識別符号が、半導体装置２００の識別符号となる。

リーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１から無線信号が出力される。当該無線信号は伝送する命令に応じて変調された電磁波である。命令を伝送するための電磁波を搬送波と呼び、無線信号を命令に応じて変調された搬送波とも呼ぶ。無線信号（命令に応じて変調された搬送波）は、半導体装置２００が有するアンテナ２０１によって受信される。受信された無線信号の命令を第１集積回路２０２および第２集積回路２０３が処理する。処理した命令に応じて、第１集積回路２０２および第２集積回路２０３は、記憶されていた識別符号を出力する。そして、識別符号に応じて変調された搬送波は、半導体装置２００のアンテナ２０１から、リーダライタ２１０のアンテナ２１１送信される。こうして、識別符号に応じて変調された搬送波は、アンテナ２１１によって受信される。そして、アンテナ２１１が接続されているリーダライタ２１０によって本発明の半導体装置２００の固有識別符号が確認され制御用端末２１２に蓄積される。

半導体装置２００において集積回路が１個の場合、故障や破損によって固有識別符号を認識できなくなるといった故障が発生する。しかし、本実施の形態のように、同じ識別符号を記憶した複数の集積回路を半導体装置２００が備えることにより、一つの集積回路が何らかの原因で故障したり破損した場合でも、他の集積回路が正常に動作していれば、半導体装置の固有識別符号を認識することができる。

なお、本実施の形態では、半導体装置２００が同じ識別符号が記憶された第１集積回路２０２と第２集積回路２０３を有する場合を示したが、本実施の形態はそれに限定されず、複数の集積回路を備えるようにしても良い。装備する集積回路の数を増やせば、集積回路の故障や破壊に対して、冗長性を持たせることができ、より高い耐性を持つことができる。

また、図４（Ａ）において、半導体装置２００のアンテナ２０１と、第１集積回路２０２及び第２集積回路２０３とが重なるように配置しているが、本実施の形態はこれに限定されず、アンテナと集積回路が重なっていなくともよい。ただし、ここでの重ならない構成とは、アンテナ２０１と、第１集積回路２０２、第２集積回路２０３の接続部２０４ａ〜２０４ｄは含まないものとする。アンテナ２０１と第１集積回路２０２、第２集積回路２０３を重ねて配置する場合、半導体装置２００の中でこれらが重ならない領域Ａ（図４、概略点線で囲む領域）が大きくなる。半導体装置２００において、領域Ａが大きい場合は、リーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１が発生する交流磁界が通りやすくなり、起電力が発生しやすくなる。半導体装置２００とリーダライタ２１０のアンテナ２１１の距離が離れていても、半導体装置はアンテナ２１１が発生する交流磁界の影響を受けやすくなるため、半導体装置は長距離での識別が必要な場合に適している。

一方、図４（Ｂ）のように、半導体装置２００が有するアンテナ２０１と第１集積回路２０２、第２集積回路２０３が、接続部２０４ａ〜２０４ｄを除いて重ならない場合、半導体装置２００の中で、アンテナ２０１、第１集積回路２０２、第２集積回路２０３以外の面積（領域Ａ）が小さくなる。半導体装置２００において、領域Ａが小さい場合は、リーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１が発生する交流磁界が通りにくくなる。つまり、半導体装置２００とリーダライタ２１０のアンテナ２１１の距離が近くなると、半導体装置２００を認識させやすくなるので、他人に容易に情報が漏れることを防止することができ、情報が漏れてしまうと困る個人認証、個人情報の識別等の秘密情報の認識に適している。

（実施の形態３）
本実施の形態は、アンテナと複数の集積回路を有する半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。

本実施の形態に係る半導体装置は、一つのアンテナに対し、複数の集積回路及び多数決回路を有している。この半導体図５（Ａ）では、半導体装置３００として、アンテナ３０１と、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４が接続部３０７ａ〜接続部３０７ｃを介してそれぞれ接続され、アンテナ３０１と変調回路３０６が接続部３０７ｄを介して接続され、さらに第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４に多数決回路３０５が、図中に示す接続線を介して接続されている一例を示している。ここで、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４は、同じ識別符号を記憶しているものとする。つまり、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４の識別符号が、半導体装置３００の固有識別符号となる。

リーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１から無線信号が出力される。当該無線信号は伝送する命令に応じて変調された電磁波である。命令を伝送するための電磁波を搬送波と呼び、無線信号を命令に応じて変調された搬送波とも呼ぶ。無線信号（命令に応じて変調された搬送波）は、アンテナ３０１によって受信される。受信された無線信号の命令は、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４が処理する。処理した命令に応じて、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４は、記憶していた識別符号を出力する。出力された識別符号は多数決回路３０５を通してから変調回路３０６に送られる。

多数決回路３０５の回路図を図５（Ｃ）に、真理値表を表１に示す。本実施の形態においては、三つの入力があることから、三変数の多数決回路となっている。多数決回路は三つのＡＮＤ回路、すなわち第１ＡＮＤ回路３２０、第２ＡＮＤ回路３２１、第３ＡＮＤ回路３２２と、一つのＯＲ回路３２３を含んでいる。

なお、多数決回路３０５は、図５（Ｃ）に示すように、複数個の信号（ここでは識別符号）に対する入力端（Ａ〜Ｃ）を有し、その複数の入力信号に対し、多数決をとって入力数の多い信号（ここでは識別符号）を出力する出力端（Ｘ）を有する論理回路である。多数決回路３０５は、図５（Ｃ）において示した回路構成に限定されず、同様な機能を有するものであればどのような回路構成を用いても良い。

変調回路３０６に送られた識別符号は、識別符号に応じて変調された搬送波に変換される。そして、識別符号に応じて変調された搬送波は、アンテナ３０１からリーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１へ送信される。こうして、識別符号に応じて変調された搬送波は、アンテナ２１１によって受信される。そして、アンテナ２１１が接続されているリーダライタ２１０によって半導体装置３００の固有識別符号が確認され、制御用端末２１２に蓄積される。

本実施の形態では、何らかの要因で、同じ識別符号を記憶した三つの集積回路、すなわち、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４のうち、一つが動作不良を起こして異なる識別符号を出力したとしても、多数決回路により排除できるため、集積回路の誤動作に対して半導体装置の冗長性を持たせることができる。

また、図５（Ａ）において、半導体装置３００のアンテナ３０１と、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４とが重なるように配置しているが、本実施の形態はこれに限定されず、アンテナと集積回路が重なっていなくともよい。ただし、ここでの重ならない構成とは、アンテナ３０１と、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４の接続部３０７ａ〜３０７ｄは含まないものとする。アンテナ３０１と第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４を重ねて配置する場合、半導体装置３００の中でこれらが重ならない領域Ａ（図５、概略点線で囲む領域）が大きくなる。半導体装置３００において、領域Ａが大きい場合は、リーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１が発生する交流磁界が通りやすくなり、起電力が発生しやすくなる。半導体装置２００とリーダライタ２１０のアンテナ２１１の距離が離れていても、半導体装置はアンテナ２１１が発生する交流磁界の影響を受けやすくなるため、半導体装置は長距離での識別が必要な場合に適している。

一方、図５（Ｂ）のように、半導体装置３００が有するアンテナ３０１と第１集積回路３０２、第２集積回路３０３、第３集積回路３０４が、接続部３０７ａ〜接続部３０７ｄを除いて重ならない場合、半導体装置３００の中で、アンテナ３０１、第１集積回路３０２、第２集積回路３０３，第３集積回路３０４、多数決回路３０５、変調回路３０６以外の面積（領域Ａ）が小さくなる。半導体装置３００において、領域Ａが小さい場合は、リーダライタ２１０に接続されたアンテナ２１１が発生する交流磁界が通りにくくなる。つまり、半導体装置３００とリーダライタ２１０のアンテナ２１１の距離が近くなると、半導体装置３００を認識させやすくなるので、他人に容易に情報が漏れることを防止することができ、情報が漏れてしまうと困る個人認証、個人情報の識別等の秘密情報の認識に適している。

なお、本実施の形態では、半導体装置が三個の同じ識別符号を記憶した集積回路および多数決回路を有する場合を示したが、三個以上の集積回路を有していても良い。その場合は、複数の入力の多数決回路を使用する。半導体装置が三個以上の複数の同じ識別符号を記憶した半導体集積回路および多数決回路を有している場合は、半導体集積回路の故障や破壊に対して、より高い冗長性を持たせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態は、アンテナと集積回路の構成について図面を参照して説明する。

図６にアンテナと集積回路と、その接続部の構成を示す。基板６００上にトランジスタを含む素子群６０１が形成されている。素子群６０１には複数のトランジスタが含まれ、配線６６６で回路が形成されている。さらに素子群６０１と電気的な接続関係にある端子部６０２が基板６００に形成されている。そして、当該端子部６０２に接続するように、基板６００とは別の基板６０５上に設けられたアンテナ６０６を接続する。また、アンテナ６０６と電気的に接続された端子部６０７が基板６０５上に形成されている。端子部６０７は、導電性粒子６０３を介して端子部６０２に接続されている。アンテナ６０６と素子群６０１（集積回路ともいう）に電気的に接続された接続部は、端子部６０２と端子部６０７、または、端子部６０２、端子部６０７及び導電性粒子６０３を含む。

図６に示す構成では、素子群６０１のトランジスタを接続する配線の一部を端子部６０２として用いている。そして、アンテナ６０６の端子部６０７が、端子部６０２に接続するように、基板６００と、アンテナ６０６が設けられた基板６０５とを貼り合わせている。基板６００と基板６０５の間には、導電性粒子６０３と樹脂６０４が設けられている。導電性粒子６０３によって、アンテナ６０６の端子部６０７と端子部６０２とは電気的に接続されている。

素子群６０１の構成及び作製方法について説明する。素子群６０１は、大面積の基板上に複数形成し、その後、分断することで完成させれば、安価なものを提供することができる。基板６００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いても良い。基板の表面を、ＣＭＰ法などの研磨により平坦化しておいても良い。また、ガラス基板、石英基板や、半導体基板を研磨して薄くした基板を用いてもよい。

基板６００上に設けられている下地層６６１としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地層６６１によって、基板６００に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層６６２に拡散しトランジスタの特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図６では、下地層６６１を単層の構造としているが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地層６６１を必ずしも設ける必要はない。

なお、高密度プラズマによって基板６００の表面を直接処理してもよい。高密度プラズマは、マイクロ波、例えば２．４５ＧＨｚを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が１０^１１〜１０^１３／ｃｍ^３かつ電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下であるものを用いる。このように低電子温度が特徴である高密度プラズマは、活性種の運動エネルギーが低いため、従来のプラズマ処理に比べプラズマダメージが少なく欠陥が少ない膜を形成することができる。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いたマイクロ波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。マイクロ波を発生するアンテナから基板６００までの距離を２０〜８０ｍｍ（好ましくは２０〜６０ｍｍ）とする。窒化性雰囲気、例えば、窒素（Ｎ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、または窒素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、またはアンモニア（ＮＨ_３）と希ガス雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を行うことによって、基板６００表面を窒化することができる。基板６００としてガラスや石英、シリコンウエハー等を用いた場合、基板６００の表面に形成された窒化物層は窒化珪素を主成分とするので、基板６００側から拡散してくる不純物のブロッキング層として利用することができる。この窒化物層の上に酸化珪素膜または酸窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成して下地層６６１としても良い。

また、酸化珪素や酸窒化珪素などからなる下地層６６１の表面に対し同様な高密度プラズマ処理を行うことにより、その表面及び表面から１〜１０ｎｍの深さを窒化処理することができる。このきわめて薄い窒化珪素の層は、ブロッキング層として機能し、且つその上に形成する半導体層６６２へ与える応力の影響が少ないので好ましい。

半導体層６６２としては、単結晶半導体層や多結晶半導体層を用いることができる。多結晶半導体層は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層６６２は、チャネル形成領域６６２ａと、導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域６６２ｂとを有する。なお、チャネル形成領域６６２ａと一対の不純物領域６６２ｂとの間に、不純物領域６６２ｂよりも低濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域６６２ｃを有する構成を示したがこれに限定されない。低濃度不純物領域６６２ｃを設けない構成であってもよい。トランジスタのチャネル形成領域６６２ａにおいて、導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。こうして、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。

第１の絶縁層６６３としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。この場合において、第１の絶縁層６６３の表面を酸化雰囲気又は窒化雰囲気で高密度プラズマによって処理し、酸化又は窒化処理して緻密化しても良い。高密度プラズマは、前述と同様に、マイクロ波、例えば２．４５ＧＨｚを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が１０^１１〜１０^１３／ｃｍ^３かつ電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下であるものを用いる。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いたマイクロ波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。

第１の絶縁層６６３を成膜する前に、半導体層６６２の表面に対して上記高密度プラズマ処理を行って、半導体層の表面を酸化又は窒化処理してもよい。このとき、基板６００の温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気又は窒化雰囲気で処理することにより、その上に堆積する第１の絶縁層６６３と良好な界面を形成することができる。窒化雰囲気としては、窒素（Ｎ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、または窒素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、またはアンモニア（ＮＨ_３）と希ガス雰囲気を用いることができる。酸化雰囲気としては、酸素（Ｏ）と希ガス雰囲気下、または酸素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、または一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガス雰囲気を用いることができる。

ゲート電極６６４としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金若しくは化合物からなる、単層または積層構造を用いることができる。図６では、２層構造のゲート電極６６４を示す。

トランジスタは、半導体層６６２と、ゲート電極６６４と、半導体層６６２とゲート電極６６４との間のゲート絶縁膜として機能する第１の絶縁層６６３とによって構成される。図６では、トランジスタをトップゲート型のトランジスタとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のトランジスタであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のトランジスタであっても良い。

第２の絶縁層６６７は窒化珪素膜などイオン性不純物をブロッキングするバリア性の絶縁膜であることが望ましい。第２の絶縁層６６７は窒化珪素または酸窒化珪素で形成する。この第２の絶縁層６６７は、半導体層６６２の汚染を防ぐ保護膜としての機能を有している。第２の絶縁層６６７を堆積した後に、水素ガスを導入して前述のような高密度プラズマ処理をすることで、第２の絶縁層６６７の水素化を行っても良い。または、アンモニア（ＮＨ_３）ガスを導入して、第２の絶縁層６６７の窒化と水素化を行っても良い。または、酸素、一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスなどと水素ガスを導入して、酸化窒化処理と水素化処理を行っても良い。この方法により、窒化処理、酸化処置若しくは酸化窒化処理を行うことにより第２の絶縁層６６７の表面を緻密化することができる。こうして第２の絶縁層６６７の保護膜としての機能を強化することができる。第２の絶縁層６６７に導入された水素は、その後４００〜４５０℃の熱処理をすることにより放出されて、半導体層６６２の水素化をすることができる。なお当該水素化処理は、第１の絶縁層６６３に導入された水素を用いた水素化処理と組み合わせてもよい。

第３の絶縁層６６５としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜の単層または積層構造を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜や、ＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｌａｓｓ）法により塗布された酸化珪素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、第３の絶縁層６６５として、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることもできる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

配線６６６としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金からなる、単層または積層構造を用いることができる。配線６６６は、トランジスタのソースやドレインと接続される配線となると共に、端子部６０２となる。

アンテナ６０６は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどのナノ粒子を含む導電性ペーストを用いて、インクジェット印刷法やスクリーン印刷法などの印刷技術を用いて形成することもできる。また、ディスペンサ方式等の液滴を吐出してパターンを形成することができる。このような方法により、材料の利用効率の向上等の利点を有する。

また、素子群６０１は基板６００上に形成されたもの（図７（Ａ）参照）をそのまま使用してもよいが、基板６００上の素子群６０１を剥離し（図７（Ｂ）参照）、当該素子群６０１をフレキシブル基板７０１に貼り合わせてもよい（図７（Ｃ）参照）。フレキシブル基板７０１は、柔軟性を有し、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチック基板またはセラミック基板等を用いることができる。

基板６００からの素子群６０１の剥離は、（Ａ）あらかじめ基板６００と素子群６０１との間に剥離層を設けておいて、剥離層をエッチング剤により除去することで行う方法か、（Ｂ）剥離層をエッチング剤により部分的に除去し、その後、基板６００と素子群６０１とを物理的に剥離する方法か、（Ｃ）素子群６０１が形成された耐熱性の高い基板６００を機械的に削除又は溶液やガスによるエッチングで除去することで、当該素子群６０１を切り離す方法を用いることができる。なお、物理的手段によって剥離されるとは、外部からストレスが与えられて剥離されることを指し、例えば、ノズルから吹き付けられるガスの風圧や超音波等からストレスを与えられて剥離することである。

上記（Ａ）や（Ｂ）のより具体的な方法としては、耐熱性の高い基板６００と素子群６０１の間に金属酸化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、当該素子群６０１を剥離する方法や、耐熱性の高い基板６００と素子群６０１の間に水素を含む非晶質珪素膜を設け、レーザ−光の照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、当該素子群６０１を剥離する方法が挙げられる。剥離した素子群６０１のフレキシブル基板７０１への貼り付けは、市販の接着剤を用いればよく、例えば、エポキシ樹脂系接着剤や樹脂添加剤等の接着材を用いればよい。

素子群６０１をアンテナが形成されたフレキシブル基板７０１に貼り合わせ当該アンテナとの電気的接続をとると、厚さが薄く、軽く、落下しても割れにくい半導体装置が完成する（図７（Ｃ）参照）。安価なフレキシブル基板７０１を用いると、安価な半導体装置を提供することができる。さらに、フレキシブル基板７０１は可撓性を有するため、曲面や異形の形状上に貼り合わせることが可能となり、多種多様の用途が実現する。例えば、薬の瓶のような曲面上に、本発明の半導体装置の一形態である集積回路を密着して貼り合わせることができる（図７（Ｄ）参照）。さらに、基板６００を再利用すれば、低コストで半導体装置を作製することができる。

素子群６０１は、フィルムで覆うことによって封止することができる。当該フィルムの表面は、二酸化珪素（シリカ）の粉末により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。つまり、耐湿性の機能を持たせることができる。また、当該フィルムの表面に帯電防止の機能を持たせてもよい。また、当該フィルムの表面は、炭素を主成分とする材料（例えば、ダイヤモンドライクカーボン）によりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、半導体装置の劣化や破壊を抑制することができる。また、フィルムは、基材の材料（例えば樹脂）と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混ぜ合わせた材料により形成してもよい。また、フィルムに界面活性剤を表面に塗布する、もしくは界面活性剤を直接練り込むことで帯電防止の機能を持たせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、集積回路が形成された薄片を可撓性基板と組み合わせる半導体装置の構成について図面を参照して説明する。

図８（Ａ）において、本発明の半導体装置は、可撓性を有する保護層９０１と、アンテナ９０２を含む可撓性を有する保護層９０３と、剥離プロセスや基板の薄膜化により形成された素子群９０４とを有する。素子群９０４は、実施の形態３で素子群６０１として示した構成と同様の構成とすることができる。保護層９０３上に形成されたアンテナ９０２は、素子群９０４と電気的に接続する。図８（Ａ）では、アンテナ９０２は保護層９０３上にのみ形成されているが、本発明はこの構成に制約されず、アンテナ９０２を保護層９０１上にも形成してもよい。なお、素子群９０４と、保護層９０１及び保護層９０３との間には、窒化珪素膜等からなるバリア膜を形成するとよい。そうすると、素子群９０４が汚染されることなく、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。

アンテナ９０２は、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらでメッキされた金属で形成することができる。素子群９０４とアンテナ９０２とは、異方性導電膜を用い、紫外線処理又は超音波処理を行うことで接続することができる。なお、素子群９０４とアンテナ９０２とは、導電性ペースト等を用いて接着してもよい。保護層９０１及び保護層９０３によって素子群９０４を挟むことによって半導体装置が完成する（図８（Ａ）中、矢印参照）。

こうして形成された半導体装置の断面構造を図８（Ｂ）に示す。挟まれた素子群９０４の厚さは、５μｍ以下、好ましくは０．１μｍ〜３μｍの厚さを有するように形成するとよい。また、保護層９０１及び保護層９０３を重ねたときの厚さをｄとしたとき、保護層９０１及び保護層９０３の厚さは、好ましくは（ｄ／２）±３０μｍ、さらに好ましくは（ｄ／２）±１０μｍとする。また、保護層９０１及び保護層９０３の厚さは１０μｍ〜２００μｍであることが望ましい。さらに、素子群９０４の面積は１０ｍｍ角（１００ｍｍ^２）以下であり、望ましくは０．３ｍｍ角〜４ｍｍ角（０．０９ｍｍ^２〜１６ｍｍ^２）の面積とするとよい。

保護層９０１及び保護層９０３は、有機樹脂材料で形成されているため、折り曲げに対して強い特性を有する。また、剥離プロセスや基板の薄膜化により形成した素子群９０４自体も、単結晶半導体に比べて、折り曲げに対して強い特性を有する。そして、素子群９０４と、保護層９０１及び保護層９０３とは空隙がないように、密着させることができるため、完成した半導体装置自体も折り曲げに対して強い特性を有する。このような保護層９０１及び保護層９０３で囲われた素子群９０４は、他の個体物の表面または内部に配置しても良いし、紙の中に埋め込んでも良い。

素子群９０４を有する半導体装置を曲面を有する基板に貼る場合について説明する。説明には図８（Ｃ）を用いる。図８（Ｃ）では、素子群９０４から選択された１つのトランジスタ９８１を図示する。トランジスタ９８１は、ゲート電極９０７の電位に応じて、ソースまたはドレインの一方９０５からソースまたはドレインの他方９０６に電流を流す。トランジスタ９８１の電流が流れる方向（キャリアの移動方向）と、基板９８０が弧を描く方向が直交するように、トランジスタ９８１は配置される。このような配置にすれば、基板９８０が折り曲げられて弧を描いても、トランジスタ９８１に与えられる応力の影響が少なく、素子群９０４が含むトランジスタ９８１の特性の変動を抑制することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、非接触で情報の送受信が可能な半導体装置（無線ＩＣともいう）の用途について図９及び図１０を用いて説明する。無線ＩＣ７００は、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１０（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１０（Ｂ）参照）、ＤＶＤソフトやＣＤやビデオテープ等の記録媒体（図１０（Ｃ）参照）、車やバイクや自転車等の乗物類（図１０（Ｄ）参照）、鞄や眼鏡等の身の回り品（図１０（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、テレビジョン装置（単にテレビまたはテレビ受像器とも呼ぶ）および携帯電話機等を指す。

無線ＩＣ７００は、物品の表面に貼り付けたり、物品に埋め込んだりして物品に固定することができる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に無線ＩＣ７００を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に無線ＩＣ７００を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に無線ＩＣ７００を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に無線ＩＣを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。

以上のように、本発明の無線ＩＣ７００は物品（生物を含む）であればどのようなものにでも設けて使用することができ、無線ＩＣ７００を有する物品が壊れやすい環境においても有効である。

無線ＩＣ７００は、無線通信によるデータの送受信が可能である点、様々な形状に加工可能である点、選択する周波数によっては、指向性が広く、認識範囲が広い点等の様々な利点を有する。

次に、無線ＩＣ７００を用いたシステムの一形態について、図９を用いて説明する。表示部９５２１を含む携帯端末の側面には、リーダライタ９５２０が設けられ、物品Ａ９５２２の側面には本発明の半導体装置９５２３（無線ＩＣ７００）が設けられ、物品Ｂ９５３２の上面には本発明の半導体装置９５３１が設けられている（図９（Ａ）参照）。物品Ａ９５２２が含む半導体装置９５２３にリーダライタ９５２０をかざすと、表示部９５２１に物品Ａ９５２２の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴、商品の説明等の商品に関する情報が表示される。物品Ｂ９５３２が含む半導体装置９５３１にリーダライタ９５２０をかざすと、表示部９５２１に物品Ｂ９５３２の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴、商品の説明等の商品に関する情報が表示される。

図９（Ａ）に示すシステムを利用したビジネスモデルの一例を示す。説明には図９（Ｂ）のフローチャートを用いる。携帯端末において、アレルギーの情報を入力しておく（ステップ１）。アレルギーの情報とは、所定の人物がアレルギー反応を起こす医薬品またはその成分等の情報である。携帯端末に設けられたリーダライタ９５２０によって、前述のとおり物品Ａ９５２２の情報を取得する（ステップ２）。ここで、物品Ａ９５２２は医薬品であるとする。物品Ａ９５２２の情報には物品Ａ９５２２の成分等の情報が含まれる。アレルギーの情報と取得した物品Ａ９５２２の成分等の情報とを比較し、一致するか否かを判断する（ステップ３）。一致する場合、所定の人物は物品Ａに対してアレルギー反応を起こす危険性があるとし、携帯端末の使用者に注意を呼びかける（ステップ４）。一致しない場合、所定の人物は物品Ａに対してアレルギー反応を起こす危険性が少ないとし、携帯端末の使用者にその旨（安全である旨）を知らせる（ステップ５）。ステップ４やステップ５において、携帯端末の使用者に情報を知らせる方法は、携帯端末の表示部９５２１に表示を行う方法であっても良いし、携帯端末のアラーム等を鳴らす方法であっても良い。

また、別のビジネスモデルの例として、端末に、同時に使用すると危険な医薬品または同時に使用すると危険な医薬品の成分の組み合わせの情報（以下、組み合わせ情報という）を入力しておく（ステップ１）。端末に設けられたリーダライタによって、前述のとおり物品Ａの情報を取得する（ステップ２）。ここで、物品Ａは医薬品であるとする。物品Ａの情報には物品Ａの成分等の情報が含まれる。次いで、端末に設けられたリーダライタによって、前述のとおり物品Ｂの情報を取得する（ステップ２’）。ここで、物品Ｂも医薬品であるとする。物品Ｂの情報には物品Ｂの成分等の情報が含まれる。こうして、複数の医薬品の情報を取得する。組み合わせ情報と取得した複数の物品の情報とを比較し、一致するか否か、即ち、同時に使用すると危険な医薬品の成分の組み合わせが有るか否かを判断する（ステップ３）。一致する場合、端末の使用者に注意を呼びかける（ステップ４）。一致しない場合、端末の使用者にその旨（安全である旨）を知らせる（ステップ５）。ステップ４やステップ５において、端末の使用者に情報を知らせる方法は、端末の表示部に表示を行う方法であっても良いし、携帯端末のアラーム等を鳴らす方法であっても良い。

このように、システムに本発明の半導体装置を活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現したシステムを提供することができる。

実施の形態１に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態１に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態１に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態２に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態３に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態４に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態４に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態５に係る半導体装置の構成を説明する図。実施の形態６に係る半導体装置の応用例とそのフローチャートを説明する図。実施の形態６に係る半導体装置の応用例を説明する図。

符号の説明

１００半導体装置
１０２アンテナ
１０４第１集積回路
１０６第２集積回路
１０８第３集積回路
１０９ａ接続部
１０９ｂ接続部
１０９ｃ接続部
１０９ｄ接続部
１０９ｅ接続部
１０９ｆ接続部
１１０高周波回路
１１２電源回路
１１４クロック及びリセット信号発生回路
１１６復調回路
１１７レジスタ
１１８変調回路
１１９レジスタ
１２０ＣＰＵ
１２２揮発性メモリ
１２４不揮発性メモリ
２００半導体装置
２０１アンテナ
２０２第１集積回路
２０３第２集積回路
２０４ａ接続部
２０４ｂ接続部
２０４ｃ接続部
２０４ｄ接続部
２１０リーダライタ
２１１アンテナ
２１２制御用端末
３００半導体装置
３０１アンテナ
３０２第１集積回路
３０３第２集積回路
３０４第３集積回路
３０５多数決回路
３０６変調回路
３０７ａ接続部
３０７ｂ接続部
３０７ｃ接続部
３０７ｄ接続部
３２０第１ＡＮＤ回路
３２１第２ＡＮＤ回路
３２２第３ＡＮＤ回路
３２３ＯＲ回路
６００基板
６０１素子群
６０２端子部
６０３導電性粒子
６０４樹脂
６０５基板
６０６アンテナ
６０７端子部
６６１下地層
６６２半導体層
６６２ａチャネル形成領域
６６２ｂ不純物領域
６６２ｃ低濃度不純物領域
６６３第１の絶縁層
６６４ゲート電極
６６５第３の絶縁層
６６６配線
６６７第２の絶縁層
７００無線ＩＣ
７０１フレキシブル基板
９０１保護層
９０２アンテナ
９０３保護層
９０４素子群
９０５ソースまたはドレインの一方
９０６ソースまたはドレインの他方
９０７ゲート電極
９８０基板
９８１トランジスタ
９５２０リーダライタ
９５２１表示部
９５２２物品Ａ
９５２３半導体装置
９５３１半導体装置
９５３２物品Ｂ

Claims

アンテナと、
前記アンテナに接続された複数の集積回路を有し、
前記複数の集積回路は、それぞれ、識別符号と集積回路の動作を制御するプログラムが記憶された記憶回路を有し、
前記識別符号は、前記複数の集積回路のぞれぞれで異なり、
前記プログラムは、前記複数の集積回路のそれぞれで異なることを特徴とする半導体装置。
アンテナと、
前記アンテナに接続された複数の集積回路を有し、
前記複数の集積回路は、それぞれ、識別符号と集積回路の動作を制御するプログラムが記憶された記憶回路を有し、
前記複数の集積回路から選択された少なくとも２つの集積回路は、同じ識別符号と同じプログラムを有することを特徴とする半導体装置。
アンテナと、
前記アンテナに接続された複数の集積回路と、
前記複数の集積回路に接続された多数決回路を有し、
前記複数の集積回路は、それぞれ、識別符号と集積回路の動作を制御するプログラムが記憶された記憶回路を有し、
前記複数の集積回路から選択された少なくとも２つの集積回路は、同じ識別符号と同じプログラムを有し、
前記多数決回路は、前記複数の集積回路の通信に応じた複数の個体情報の識別符号より、当該識別符号の多数決値である識別符号を出力し、
前記アンテナは、前記多数決値である識別符号を基に変調された搬送波を出力することを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記アンテナは、前記複数の集積回路とは異なる基板上に形成されることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記アンテナの形状は、ループ状またはスパイラル状であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記複数の集積回路は、前記アンテナと重なるように配置されることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記複数の集積回路は、前記アンテナと重ならないように配置されることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記複数の集積回路は、前記アンテナと重ならず、且つ、当該アンテナの内側に配置されることを特徴とすることを特徴とする半導体装置。