JPH1186228A - スピンバルブ磁気ヘッドおよびその製造方法、磁化制御方法 - Google Patents
スピンバルブ磁気ヘッドおよびその製造方法、磁化制御方法Info
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- JPH1186228A JPH1186228A JP9247267A JP24726797A JPH1186228A JP H1186228 A JPH1186228 A JP H1186228A JP 9247267 A JP9247267 A JP 9247267A JP 24726797 A JP24726797 A JP 24726797A JP H1186228 A JPH1186228 A JP H1186228A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
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- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気記録媒体上の磁化に応じて抵抗値を対称
的に増減させる、スピンバルブ構造の磁気ヘッドを、磁
気ヘッドの他の部分の特性を劣化させることなく形成す
る。 【解決手段】 スピンバルブ構造の磁気ヘッドのピンド
層の磁化方向を熱処理により、９０°回転させる際、フ
リー層の磁化容易軸が実質的に回転しないような温度で
熱処理を行い、その際、熱処理を、印加される外部磁場
の方向を変化させながら複数回にわけて実行する。
的に増減させる、スピンバルブ構造の磁気ヘッドを、磁
気ヘッドの他の部分の特性を劣化させることなく形成す
る。 【解決手段】 スピンバルブ構造の磁気ヘッドのピンド
層の磁化方向を熱処理により、９０°回転させる際、フ
リー層の磁化容易軸が実質的に回転しないような温度で
熱処理を行い、その際、熱処理を、印加される外部磁場
の方向を変化させながら複数回にわけて実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に磁気ヘッドに
関し、特にいわゆるスピンバルブ（spin valve）構造を
有するＧＭＲ（giant magnetic resistance ）ヘッドの
改良に関する。ＧＭＲヘッドは、非常に微小な外部磁界
の方向に応じて生じる磁性層の抵抗値の変化を検出する
高感度な磁気ヘッドであり、高密度磁気記録装置におい
て、高分解能、高感度な再生ヘッドとして有望である。
関し、特にいわゆるスピンバルブ（spin valve）構造を
有するＧＭＲ（giant magnetic resistance ）ヘッドの
改良に関する。ＧＭＲヘッドは、非常に微小な外部磁界
の方向に応じて生じる磁性層の抵抗値の変化を検出する
高感度な磁気ヘッドであり、高密度磁気記録装置におい
て、高分解能、高感度な再生ヘッドとして有望である。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の典型的なスピンバルブヘ
ッドを使った磁気記録再生ヘッド１０の全体構成を、ま
た図７は図６の構成中において使われるスピンバルブヘ
ッド１４の構成を示す。図６を参照するに、磁気記録再
生ヘッド１０は、Ａｌ2 ＴｉＣ等の基板１１上に形成さ
れたＦｅＮｉ、ＣｏＦｅあるいはＦｅＮ等の磁性材料よ
りなる下側磁気シールド層１２を含む。前記下側シール
ド層１２上には、Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性材料よりなるス
ペーサ層１３が形成され、前記スペーサ層１３上にはス
ピンバルブ構造を有する磁気センサ１４が形成される。
磁気センサ１４はさらに同様な非磁性材料よりなる別の
スペーサ層１５により覆われ、前記スペーサ層１５上に
はＦｅＮｉあるいはＣｏＦｅ等の軟磁性材料よりなる上
側磁気シールド層１６が形成される。その際スペーサ層
１３、磁気センサ１４およびスペーサ層１５は、上下の
磁気シールド層１２，１６の間で幅が約２００ｎｍの読
み取りギャップを形成する。
ッドを使った磁気記録再生ヘッド１０の全体構成を、ま
た図７は図６の構成中において使われるスピンバルブヘ
ッド１４の構成を示す。図６を参照するに、磁気記録再
生ヘッド１０は、Ａｌ2 ＴｉＣ等の基板１１上に形成さ
れたＦｅＮｉ、ＣｏＦｅあるいはＦｅＮ等の磁性材料よ
りなる下側磁気シールド層１２を含む。前記下側シール
ド層１２上には、Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性材料よりなるス
ペーサ層１３が形成され、前記スペーサ層１３上にはス
ピンバルブ構造を有する磁気センサ１４が形成される。
磁気センサ１４はさらに同様な非磁性材料よりなる別の
スペーサ層１５により覆われ、前記スペーサ層１５上に
はＦｅＮｉあるいはＣｏＦｅ等の軟磁性材料よりなる上
側磁気シールド層１６が形成される。その際スペーサ層
１３、磁気センサ１４およびスペーサ層１５は、上下の
磁気シールド層１２，１６の間で幅が約２００ｎｍの読
み取りギャップを形成する。
【０００３】さらに、前記上側シールド層１６上には厚
さが約３５０ｎｍの非磁性材料よりなる別のスペーサ層
１７が形成され、前記別のスペーサ層１７上には、磁気
ヘッド前端面１０Ａに向かって厚さが連続的に減少する
絶縁層１８を介して、コイルパターン１９が形成され
る。前記コイルパターン１９は別の絶縁層１９により覆
われ、さらに前記別の絶縁層１９上には、ＦｅＮｉある
いはＣｏＦｅ等の磁性材料よりなる磁極２１が形成され
る。前記絶縁層２０も前記磁気ヘッド前端面１０Ａに向
かって厚さが減少し、その結果、前記前端面１０Ａ近傍
においては、前記磁極２１は前記スペーサ層１７に直接
に接する。その結果、前記上側磁気シールド１６と磁極
２１との間に書込みギャップが形成される。磁気シール
ド１６と磁極２１とは、図示しない磁気ヘッド１０の後
部において連続し、磁気回路を形成する。
さが約３５０ｎｍの非磁性材料よりなる別のスペーサ層
１７が形成され、前記別のスペーサ層１７上には、磁気
ヘッド前端面１０Ａに向かって厚さが連続的に減少する
絶縁層１８を介して、コイルパターン１９が形成され
る。前記コイルパターン１９は別の絶縁層１９により覆
われ、さらに前記別の絶縁層１９上には、ＦｅＮｉある
いはＣｏＦｅ等の磁性材料よりなる磁極２１が形成され
る。前記絶縁層２０も前記磁気ヘッド前端面１０Ａに向
かって厚さが減少し、その結果、前記前端面１０Ａ近傍
においては、前記磁極２１は前記スペーサ層１７に直接
に接する。その結果、前記上側磁気シールド１６と磁極
２１との間に書込みギャップが形成される。磁気シール
ド１６と磁極２１とは、図示しない磁気ヘッド１０の後
部において連続し、磁気回路を形成する。
【０００４】磁気ヘッド１０は、前記前端面１０Ａにお
いて磁気ディスク等の磁気記録媒体（図示せず）表面を
走査し、前記磁気センサ１４が、前記読み取りギャップ
において、記録媒体表面に記録された磁化を検出する。
一方、前記コイル１９に駆動信号を供給することによ
り、前記書込みギャップにおいて、記録信号が磁化の形
で前記磁気記録媒体に記録される。
いて磁気ディスク等の磁気記録媒体（図示せず）表面を
走査し、前記磁気センサ１４が、前記読み取りギャップ
において、記録媒体表面に記録された磁化を検出する。
一方、前記コイル１９に駆動信号を供給することによ
り、前記書込みギャップにおいて、記録信号が磁化の形
で前記磁気記録媒体に記録される。
【０００５】図７は、前記磁気センサ１４の構成を示
す。ただし、図７中、図６で説明した部分には同一の参
照符号を付し、説明を省略する。図７を参照するに、磁
気センサ１４は、前記スペーサ層１３上に形成され、前
記磁気記録媒体上の磁化に応じて磁化方向を変化させる
ＣｏＦｅあるいはＮｉＦｅ等の軟磁性材料よりなる磁気
感知層（以下フリー層と称する）１４Ａと、前記フリー
層１４Ａ上に形成された、Ｃｕ等の非磁性材料よりなる
中間層１４Ｂと、前記中間層１４Ｂ上に形成され、フリ
ー層１４Ａと同様なＣｏＦｅあるいはＮｉＦｅ等の軟磁
性材料よりなり、所定方向の磁化を保持する固定磁化層
（以下ピンド層と称する）１４Ｃと、前記ピンド層１４
Ｃ上に形成され、ＦｅＭｎあるいはＰｄＰｔＭｎ等の反
強磁性体よりなり、前記ピンド層１４Ｃの磁化方向を前
記所定方向に、スピン交換相互作用により固定する磁化
固定層（以下ピニング層と称する）１４Ｄとにより構成
され、前記フリー層１４Ａの磁化方向の変化に伴う電気
抵抗の変化を検出することにより、記録媒体上の磁化を
検出する。ただし、図６，７中、前記フリー層の電気抵
抗変化を検出するための電極等の構成は省略してある。
前記ピニング層１４Ｄは自発磁化を持たない反強磁性材
料より構成されるため、外部磁界により影響されにく
い。
す。ただし、図７中、図６で説明した部分には同一の参
照符号を付し、説明を省略する。図７を参照するに、磁
気センサ１４は、前記スペーサ層１３上に形成され、前
記磁気記録媒体上の磁化に応じて磁化方向を変化させる
ＣｏＦｅあるいはＮｉＦｅ等の軟磁性材料よりなる磁気
感知層（以下フリー層と称する）１４Ａと、前記フリー
層１４Ａ上に形成された、Ｃｕ等の非磁性材料よりなる
中間層１４Ｂと、前記中間層１４Ｂ上に形成され、フリ
ー層１４Ａと同様なＣｏＦｅあるいはＮｉＦｅ等の軟磁
性材料よりなり、所定方向の磁化を保持する固定磁化層
（以下ピンド層と称する）１４Ｃと、前記ピンド層１４
Ｃ上に形成され、ＦｅＭｎあるいはＰｄＰｔＭｎ等の反
強磁性体よりなり、前記ピンド層１４Ｃの磁化方向を前
記所定方向に、スピン交換相互作用により固定する磁化
固定層（以下ピニング層と称する）１４Ｄとにより構成
され、前記フリー層１４Ａの磁化方向の変化に伴う電気
抵抗の変化を検出することにより、記録媒体上の磁化を
検出する。ただし、図６，７中、前記フリー層の電気抵
抗変化を検出するための電極等の構成は省略してある。
前記ピニング層１４Ｄは自発磁化を持たない反強磁性材
料より構成されるため、外部磁界により影響されにく
い。
【０００６】かかるスピンバルブ構成の磁気センサ１４
では、前記フリー層１４Ａの磁化方向が、前記磁気記録
媒体上の磁化方向により変化するが、層１４Ａ中の磁化
方向が前記ピンド層１４Ｃの磁化方向に平行な場合に、
層１４Ａの抵抗値は最小になる。一方、前記層１４Ａ中
の磁化方向がピンド層１４Ｃの磁化方向に反平行な場合
に層１４Ａの抵抗値は最大になる。
では、前記フリー層１４Ａの磁化方向が、前記磁気記録
媒体上の磁化方向により変化するが、層１４Ａ中の磁化
方向が前記ピンド層１４Ｃの磁化方向に平行な場合に、
層１４Ａの抵抗値は最小になる。一方、前記層１４Ａ中
の磁化方向がピンド層１４Ｃの磁化方向に反平行な場合
に層１４Ａの抵抗値は最大になる。
【０００７】これに対し、前記磁気センサ１４を磁気ヘ
ッド１０に使う場合には、ピンド層１４Ｃの磁化方向
を、図８（Ａ）に示すようにフリー層１４Ａの自由状
態、すなわち外部磁界が印加されていない状態における
磁化方向に対して直交するように設定するのが有利であ
る。このようにすることにより、図８（Ｂ）に示すよう
に、磁気センサ１４の磁気抵抗を、磁気記録媒体上の磁
化が前記ピンド層１４Ｃの磁化と反平行であるか平行で
あるかにより、略対称的に増減させることができる。か
かる略対称的な信号は、磁気記録再生装置の信号処理を
容易にする。
ッド１０に使う場合には、ピンド層１４Ｃの磁化方向
を、図８（Ａ）に示すようにフリー層１４Ａの自由状
態、すなわち外部磁界が印加されていない状態における
磁化方向に対して直交するように設定するのが有利であ
る。このようにすることにより、図８（Ｂ）に示すよう
に、磁気センサ１４の磁気抵抗を、磁気記録媒体上の磁
化が前記ピンド層１４Ｃの磁化と反平行であるか平行で
あるかにより、略対称的に増減させることができる。か
かる略対称的な信号は、磁気記録再生装置の信号処理を
容易にする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般に、磁性体の磁化
方向の制御は、加熱条件下において行われる。図９は、
スピンバルブ膜構造の形成において従来行われていた熱
処理工程を示す。図９を参照するに、ステップ１の工程
において、図７のスピンバルブ構造が、所定の初期方向
（これを０°方向とする）の磁場の存在下において層１
４Ａ〜１４Ｄを堆積することにより形成され、その結
果、形成されるフリー層１４Ａは前記０°方向に磁化容
易軸を有する。
方向の制御は、加熱条件下において行われる。図９は、
スピンバルブ膜構造の形成において従来行われていた熱
処理工程を示す。図９を参照するに、ステップ１の工程
において、図７のスピンバルブ構造が、所定の初期方向
（これを０°方向とする）の磁場の存在下において層１
４Ａ〜１４Ｄを堆積することにより形成され、その結
果、形成されるフリー層１４Ａは前記０°方向に磁化容
易軸を有する。
【０００９】次に、ステップ２の工程において、図７の
スピンバルブ構造は、前記ピニング層１４Ｄのブロッキ
ング温度近傍の温度まで加熱され、矢印で示したように
前記０°方向の磁場を印加することにより、前記ピンド
層１４Ｃの磁化方向を、前記０°方向に整列させる。図
１０（Ａ），（Ｂ）はブロッキング温度を説明する図で
ある。
スピンバルブ構造は、前記ピニング層１４Ｄのブロッキ
ング温度近傍の温度まで加熱され、矢印で示したように
前記０°方向の磁場を印加することにより、前記ピンド
層１４Ｃの磁化方向を、前記０°方向に整列させる。図
１０（Ａ），（Ｂ）はブロッキング温度を説明する図で
ある。
【００１０】図１０（Ａ）を参照するに、図７のスピン
バルブ構造のような、反強磁性層と軟磁性層とが交換結
合した系では、軟磁性層、例えばピンド層１４、におけ
る反強磁性ピニング層１４Ｄによる磁化のピニングの結
果、磁化ヒステリシス特性は、量Ｈｕａだけ磁界軸方向
にずれる。これは、このような反強磁性層を含む系にお
いては、磁化を反転させるためには、反強磁性層を含ま
ない通常の強磁性層の磁化を反転させることができる磁
場を印加したのでは不十分で、それよりも量Ｈｕａだけ
余分に磁場の強度を増大させなければならないこと、換
言すると、磁化のピニング現象そのものを示している。
バルブ構造のような、反強磁性層と軟磁性層とが交換結
合した系では、軟磁性層、例えばピンド層１４、におけ
る反強磁性ピニング層１４Ｄによる磁化のピニングの結
果、磁化ヒステリシス特性は、量Ｈｕａだけ磁界軸方向
にずれる。これは、このような反強磁性層を含む系にお
いては、磁化を反転させるためには、反強磁性層を含ま
ない通常の強磁性層の磁化を反転させることができる磁
場を印加したのでは不十分で、それよりも量Ｈｕａだけ
余分に磁場の強度を増大させなければならないこと、換
言すると、磁化のピニング現象そのものを示している。
【００１１】図１０（Ｂ）は、かかる量Ｈｕａの温度依
存性を示す。図１０（Ｂ）よりわかるように、量Ｈｕａ
は温度と共に減少し、ブロッキング温度ＴB においてゼ
ロになる。換言すると、図７のスピンバルブ構造では、
ブロッキング温度ＴB の近傍、あるいはそれ以上の温度
に加熱することにより、外部磁場による磁化の自在な制
御が可能になる。すなわち、かかる交換結合系では、磁
化のピニングは、系をブロッキング温度近傍、あるいは
それ以上の温度に加熱することにより、解除することが
できる。
存性を示す。図１０（Ｂ）よりわかるように、量Ｈｕａ
は温度と共に減少し、ブロッキング温度ＴB においてゼ
ロになる。換言すると、図７のスピンバルブ構造では、
ブロッキング温度ＴB の近傍、あるいはそれ以上の温度
に加熱することにより、外部磁場による磁化の自在な制
御が可能になる。すなわち、かかる交換結合系では、磁
化のピニングは、系をブロッキング温度近傍、あるいは
それ以上の温度に加熱することにより、解除することが
できる。
【００１２】図９を再び参照するに、ステップ２におけ
る、ブロッキング温度ＴB 近傍での熱処理の結果、ピン
ド層１４Ｃが前記０°方向に磁化され、反強磁性ピニン
グ層１４Ｄが、ピンド層１４Ｃに交換結合する。かかる
構造を室温に冷却することにより、ステップ３におい
て、ピンド層１４Ｃが０°方向に磁化された構造が得ら
れる。ステップ３の構造においては、ピンド層１４Ｃの
磁化はピニング層１４Ｄによりピニングされている。ま
た、ステップ２の熱処理の結果、ステップ３において
は、図６に示す磁気ヘッドの磁気シールド１２，１５あ
るいは磁極２１も、磁化方向が前記０°方向に初期化さ
れる。
る、ブロッキング温度ＴB 近傍での熱処理の結果、ピン
ド層１４Ｃが前記０°方向に磁化され、反強磁性ピニン
グ層１４Ｄが、ピンド層１４Ｃに交換結合する。かかる
構造を室温に冷却することにより、ステップ３におい
て、ピンド層１４Ｃが０°方向に磁化された構造が得ら
れる。ステップ３の構造においては、ピンド層１４Ｃの
磁化はピニング層１４Ｄによりピニングされている。ま
た、ステップ２の熱処理の結果、ステップ３において
は、図６に示す磁気ヘッドの磁気シールド１２，１５あ
るいは磁極２１も、磁化方向が前記０°方向に初期化さ
れる。
【００１３】次に、ステップ４において、ステップ３の
構造は再びブロッキング温度ＴB 近傍の温度に昇温さ
れ、さらに、矢印で示す前記ステップ２で印加された０
°方向の外部磁界に対して直交する９０°方向の外部磁
界が、スピンバルブ構造に印加される。その結果、ピン
ド層１４Ｃの磁化方向は９０°回転し、ステップ５に示
すような、ピンド層１４Ｃの磁化方向がフリー層１４Ａ
の磁化容易軸方向に直交した構造が得られる。
構造は再びブロッキング温度ＴB 近傍の温度に昇温さ
れ、さらに、矢印で示す前記ステップ２で印加された０
°方向の外部磁界に対して直交する９０°方向の外部磁
界が、スピンバルブ構造に印加される。その結果、ピン
ド層１４Ｃの磁化方向は９０°回転し、ステップ５に示
すような、ピンド層１４Ｃの磁化方向がフリー層１４Ａ
の磁化容易軸方向に直交した構造が得られる。
【００１４】しかし、図９の方法では、ステップ４にお
いて、再びスピンバルブ磁気センサ１４を含む磁気ヘッ
ド全体を、ブロッキング温度ＴB 近傍の温度まで加熱す
る必要があり、このため、ステップ２で初期化した磁気
シールド１２，１６あるいは磁極２１の磁化方向が変化
してしまうおそれがある。また、このようなブロッキン
グ温度近傍での熱処理および磁化の結果、フリー層１４
Ａの磁化容易軸も、図９のステップ５に破線で示すよう
に、所望の０°方向から９０°方向に回転してしまうお
それがある。この場合、磁気センサ１４による磁化の検
出は、図８（Ａ），（Ｂ）に示したようにはならず、磁
気センサ１４は、磁気記録媒体上の磁化の方向により非
対称な出力を発生してしまう。
いて、再びスピンバルブ磁気センサ１４を含む磁気ヘッ
ド全体を、ブロッキング温度ＴB 近傍の温度まで加熱す
る必要があり、このため、ステップ２で初期化した磁気
シールド１２，１６あるいは磁極２１の磁化方向が変化
してしまうおそれがある。また、このようなブロッキン
グ温度近傍での熱処理および磁化の結果、フリー層１４
Ａの磁化容易軸も、図９のステップ５に破線で示すよう
に、所望の０°方向から９０°方向に回転してしまうお
それがある。この場合、磁気センサ１４による磁化の検
出は、図８（Ａ），（Ｂ）に示したようにはならず、磁
気センサ１４は、磁気記録媒体上の磁化の方向により非
対称な出力を発生してしまう。
【００１５】そこで、本発明は上記の課題を解決した新
規で有用な磁気ヘッドおよびその製造方法、さらに磁性
膜の磁化制御方法を提供することを概括的課題とする。
本発明のより具体的な課題は、スピンバルブ構造の磁気
センサを含む磁気ヘッドにおいて、フリー層の磁化容易
軸の方向を、ピンド層の磁化方向に対して直交させた磁
気ヘッドを提供することにある。
規で有用な磁気ヘッドおよびその製造方法、さらに磁性
膜の磁化制御方法を提供することを概括的課題とする。
本発明のより具体的な課題は、スピンバルブ構造の磁気
センサを含む磁気ヘッドにおいて、フリー層の磁化容易
軸の方向を、ピンド層の磁化方向に対して直交させた磁
気ヘッドを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題
を、請求項１に記載したように、第１の方向に延在する
第１の磁化容易軸を有する第１の強磁性層と、前記第１
の強磁性層上に、前記第１の強磁性層から離間して形成
され、前記第１の磁化容易軸に対して実質的に直交する
第２の方向に磁化された第２の強磁性層と、前記第２の
強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層と交換結合
する反強磁性層とよりなり、前記第２の強磁性層は、前
記第２の方向に対して交差する方向に延在する第２の磁
化容易軸を有することを特徴とするスピンバルブ磁気ヘ
ッドにより、または請求項２に記載したように、前記第
２の磁化容易軸は、前記第２の方向に対して斜めに延在
することを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ磁気
ヘッドにより、または請求項３に記載したように、前記
反強磁性層は、ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ，ＰｄＭｎ，ＩｒＭ
ｎ，ＲｈＭｎ，およびこれらの合金よりなる群より選択
されることを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ磁
気ヘッドにより、または請求項４に記載したように、第
１の方向に延在する磁化容易軸を有する第１の強磁性層
と、前記第１の強磁性層上に形成された非磁性層と、前
記非磁性上に形成された第２の強磁性層と、前記第２の
強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層と交換結合
する反強磁性層とよりなる積層体を含むスピンバルブ磁
気ヘッドの製造方法において、前記積層体を第１の加熱
状態に加熱し、前記第１の加熱状態において、前記第１
の方向と異なった第２の方向に磁場を印加する第１の熱
処理工程と、前記第１の熱処理工程の後、前記積層体を
第２の加熱状態に加熱し、前記第２の加熱状態におい
て、前記第２の方向と異なった第３の方向に磁場を印加
する第２の熱処理工程とよりなることを特徴とするスピ
ンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項５
に記載したように、前記第２の方向は、前記第１の方向
に対して第１の角方向に回転しており、前記第３の方向
は、前記第２の方向に対して前記第１の角方向にさらに
回転していることを特徴とする請求項４記載のスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項６に記
載したように、前記第２の熱処理工程において、前記第
３の方向は前記第１の方向に対して約１８０°回転して
いることを特徴とする請求項４または５記載のスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項７に記
載したように、前記第１の熱処理工程において、前記第
２の方向は前記第１の方向に対して約９０°回転してい
ることを特徴とする請求項４〜６のうち、いずれか一項
記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、また
は請求項８に記載したように、前記第１および第２の熱
処理工程は、前記反強磁性層のブロッキング温度よりも
低い温度において実行されることを特徴とする請求項４
〜７のうち、いずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッ
ドの製造方法により、または請求項９に記載したよう
に、前記第１の熱処理工程は、前記第１の強磁性層にお
いて磁化容易軸が実質的に回転しないような温度で実行
されることを特徴とする請求項４〜８のうち、いずれか
一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、
または請求項１０に記載したように、前記第１および第
２の熱処理工程は、前記第１の強磁性層において磁化容
易軸が実質的に回転しないような温度で実行されること
を特徴とする請求項８記載のスピンバルブ磁気ヘッドの
製造方法により、または請求項１１に記載したように、
第１の方向に延在する磁化容易軸を有する第１の強磁性
層と、前記第１の強磁性層上に形成された非磁性層と、
前記非磁性上に形成された第２の強磁性層と、前記第２
の強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層と交換結
合する反強磁性層とよりなる積層体を含むスピンバルブ
磁気ヘッドの製造方法において、前記積層体を加熱状態
に加熱し、加熱状態において、前記第１の方向と異なっ
た第２の方向に磁場を印加する熱処理工程を含み、前記
熱処理工程において、前記第２の方向は前記第１の方向
に対して９０°を超える角度で交差することを特徴とす
るスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請
求項１２に記載したように、前記第２の方向は、前記第
２の強磁性層が、前記第１の方向に対して実質的に直交
する方向に磁化を有するように選ばれることを特徴とす
る請求項１１記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法
により、または請求項１３に記載したように、前記熱処
理工程は、前記反強磁性層のブロッキング温度よりも低
い温度において実行されることを特徴とする請求項１１
または１２記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法に
より、または請求項１４に記載したように、前記熱処理
工程は、前記第１の強磁性層において磁化容易軸が実質
的に回転しないような温度で実行されることを特徴とす
る請求項１１〜１３のうち、いずれか一項記載のスピン
バルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項１５
に記載したように、第１の方向に磁化された強磁性層
と、前記強磁性層上に形成され、これと交換結合する反
強磁性層とよりなる系における磁化制御方法において、
前記系を第１の加熱状態に加熱し、前記第１の加熱状態
において、第１の方向と異なった第２の方向に磁場を印
加する第１の熱処理工程と、前記第１の熱処理工程の
後、前記系体を第２の加熱状態に加熱し、前記第２の加
熱状態において、前記第２の方向と異なった第３の方向
に磁場を印加する第２の熱処理工程とよりなることを特
徴とする磁化制御方法により、または請求項１６に記載
したように、前記第２の方向は、前記第１の方向に対し
て第１の角方向に回転しており、前記第３の方向は、前
記第２の方向に対して前記第１の角方向にさらに回転し
ていることを特徴とする請求項１５記載の磁化制御方法
により、または請求項１７に記載したように、前記第２
の熱処理工程において、前記第３の方向は前記第１の方
向に対して約１８０°回転していることを特徴とする請
求項１５または１６記載の磁化制御方法により、または
請求項１８に記載したように、前記第１の熱処理工程に
おいて、前記第２の方向は前記第１の方向に対して約９
０°回転していることを特徴とする請求項１５〜１７の
うち、いずれか一項記載の磁化制御方法により、または
請求項１９に記載したように、前記第１および第２の熱
処理工程は、前記反強磁性層のブロッキング温度よりも
低い温度において実行されることを特徴とする請求項１
５〜１８のうち、いずれか一項記載の磁化制御方法によ
り、または請求項２０に記載したように、前記第１およ
び第２の熱処理工程は、前記強磁性層において磁化容易
軸が実質的に回転しないような温度で実行されることを
特徴とする請求項１５〜１９記載の磁化制御方法によ
り、または請求項２１に記載したように、第１の方向に
磁化された強磁性層と、前記強磁性層上に形成され、こ
れと交換結合する反強磁性層とよりなる系における磁化
制御方法において、前記系を加熱状態に加熱し、加熱状
態において、前記第１の方向と異なった第２の方向に磁
場を印加し、前記強磁性層の方向を、所望の方向に回転
させる熱処理工程を含み、前記熱処理工程において、前
記第２の方向は、前記第１の方向に対して、前記所望の
方向を超える角度で交差することを特徴とするスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項２２に
記載したように、前記第２の方向は、前記強磁性層が、
前記第１の方向に対して実質的に直交する方向に磁化を
有するように選ばれることを特徴とする請求項２１記載
のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請
求項２３に記載したように、前記熱処理工程は、前記反
強磁性層のブロッキング温度よりも低い温度において実
行されることを特徴とする請求項２１または２２記載の
スピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求
項２４に記載したように、前記熱処理工程は、前記強磁
性層において磁化容易軸が実質的に回転しないような温
度で実行されることを特徴とする請求項２１〜３３のう
ち、いずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造
方法により、解決する。 ［作用］本発明では、スピンバルブ構造を構成するピン
ド層の磁化方向を、成膜直後の初期磁化方向から所望の
方向に、ピニング層を構成する反強磁性層のブロッキン
グ温度よりも実質的に低い温度の熱処理により、回転さ
せる。熱処理温度が低いため、本発明では、熱処理を複
数回に分けて行い、磁化方向を段階的に回転させる。あ
るいは熱処理の際に、所望の角度よりも大きく回転させ
た方向に磁場を印加する。熱処理は低い温度で実行され
るため、前記ピンド層あるいはフリー層の磁化容易軸、
あるいは磁気ヘッドの他の磁性層の磁化方向が実質的に
回転することがなく、熱処理に伴うヘッド特性の劣化の
問題を回避できる。かかる低温で熱処理したスピンバル
ブ磁気ヘッドでは、ピンド層の磁化方向が磁化容易軸の
方向と一致しないことが特徴的である。
を、請求項１に記載したように、第１の方向に延在する
第１の磁化容易軸を有する第１の強磁性層と、前記第１
の強磁性層上に、前記第１の強磁性層から離間して形成
され、前記第１の磁化容易軸に対して実質的に直交する
第２の方向に磁化された第２の強磁性層と、前記第２の
強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層と交換結合
する反強磁性層とよりなり、前記第２の強磁性層は、前
記第２の方向に対して交差する方向に延在する第２の磁
化容易軸を有することを特徴とするスピンバルブ磁気ヘ
ッドにより、または請求項２に記載したように、前記第
２の磁化容易軸は、前記第２の方向に対して斜めに延在
することを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ磁気
ヘッドにより、または請求項３に記載したように、前記
反強磁性層は、ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ，ＰｄＭｎ，ＩｒＭ
ｎ，ＲｈＭｎ，およびこれらの合金よりなる群より選択
されることを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ磁
気ヘッドにより、または請求項４に記載したように、第
１の方向に延在する磁化容易軸を有する第１の強磁性層
と、前記第１の強磁性層上に形成された非磁性層と、前
記非磁性上に形成された第２の強磁性層と、前記第２の
強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層と交換結合
する反強磁性層とよりなる積層体を含むスピンバルブ磁
気ヘッドの製造方法において、前記積層体を第１の加熱
状態に加熱し、前記第１の加熱状態において、前記第１
の方向と異なった第２の方向に磁場を印加する第１の熱
処理工程と、前記第１の熱処理工程の後、前記積層体を
第２の加熱状態に加熱し、前記第２の加熱状態におい
て、前記第２の方向と異なった第３の方向に磁場を印加
する第２の熱処理工程とよりなることを特徴とするスピ
ンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項５
に記載したように、前記第２の方向は、前記第１の方向
に対して第１の角方向に回転しており、前記第３の方向
は、前記第２の方向に対して前記第１の角方向にさらに
回転していることを特徴とする請求項４記載のスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項６に記
載したように、前記第２の熱処理工程において、前記第
３の方向は前記第１の方向に対して約１８０°回転して
いることを特徴とする請求項４または５記載のスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項７に記
載したように、前記第１の熱処理工程において、前記第
２の方向は前記第１の方向に対して約９０°回転してい
ることを特徴とする請求項４〜６のうち、いずれか一項
記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、また
は請求項８に記載したように、前記第１および第２の熱
処理工程は、前記反強磁性層のブロッキング温度よりも
低い温度において実行されることを特徴とする請求項４
〜７のうち、いずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッ
ドの製造方法により、または請求項９に記載したよう
に、前記第１の熱処理工程は、前記第１の強磁性層にお
いて磁化容易軸が実質的に回転しないような温度で実行
されることを特徴とする請求項４〜８のうち、いずれか
一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、
または請求項１０に記載したように、前記第１および第
２の熱処理工程は、前記第１の強磁性層において磁化容
易軸が実質的に回転しないような温度で実行されること
を特徴とする請求項８記載のスピンバルブ磁気ヘッドの
製造方法により、または請求項１１に記載したように、
第１の方向に延在する磁化容易軸を有する第１の強磁性
層と、前記第１の強磁性層上に形成された非磁性層と、
前記非磁性上に形成された第２の強磁性層と、前記第２
の強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層と交換結
合する反強磁性層とよりなる積層体を含むスピンバルブ
磁気ヘッドの製造方法において、前記積層体を加熱状態
に加熱し、加熱状態において、前記第１の方向と異なっ
た第２の方向に磁場を印加する熱処理工程を含み、前記
熱処理工程において、前記第２の方向は前記第１の方向
に対して９０°を超える角度で交差することを特徴とす
るスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請
求項１２に記載したように、前記第２の方向は、前記第
２の強磁性層が、前記第１の方向に対して実質的に直交
する方向に磁化を有するように選ばれることを特徴とす
る請求項１１記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法
により、または請求項１３に記載したように、前記熱処
理工程は、前記反強磁性層のブロッキング温度よりも低
い温度において実行されることを特徴とする請求項１１
または１２記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法に
より、または請求項１４に記載したように、前記熱処理
工程は、前記第１の強磁性層において磁化容易軸が実質
的に回転しないような温度で実行されることを特徴とす
る請求項１１〜１３のうち、いずれか一項記載のスピン
バルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項１５
に記載したように、第１の方向に磁化された強磁性層
と、前記強磁性層上に形成され、これと交換結合する反
強磁性層とよりなる系における磁化制御方法において、
前記系を第１の加熱状態に加熱し、前記第１の加熱状態
において、第１の方向と異なった第２の方向に磁場を印
加する第１の熱処理工程と、前記第１の熱処理工程の
後、前記系体を第２の加熱状態に加熱し、前記第２の加
熱状態において、前記第２の方向と異なった第３の方向
に磁場を印加する第２の熱処理工程とよりなることを特
徴とする磁化制御方法により、または請求項１６に記載
したように、前記第２の方向は、前記第１の方向に対し
て第１の角方向に回転しており、前記第３の方向は、前
記第２の方向に対して前記第１の角方向にさらに回転し
ていることを特徴とする請求項１５記載の磁化制御方法
により、または請求項１７に記載したように、前記第２
の熱処理工程において、前記第３の方向は前記第１の方
向に対して約１８０°回転していることを特徴とする請
求項１５または１６記載の磁化制御方法により、または
請求項１８に記載したように、前記第１の熱処理工程に
おいて、前記第２の方向は前記第１の方向に対して約９
０°回転していることを特徴とする請求項１５〜１７の
うち、いずれか一項記載の磁化制御方法により、または
請求項１９に記載したように、前記第１および第２の熱
処理工程は、前記反強磁性層のブロッキング温度よりも
低い温度において実行されることを特徴とする請求項１
５〜１８のうち、いずれか一項記載の磁化制御方法によ
り、または請求項２０に記載したように、前記第１およ
び第２の熱処理工程は、前記強磁性層において磁化容易
軸が実質的に回転しないような温度で実行されることを
特徴とする請求項１５〜１９記載の磁化制御方法によ
り、または請求項２１に記載したように、第１の方向に
磁化された強磁性層と、前記強磁性層上に形成され、こ
れと交換結合する反強磁性層とよりなる系における磁化
制御方法において、前記系を加熱状態に加熱し、加熱状
態において、前記第１の方向と異なった第２の方向に磁
場を印加し、前記強磁性層の方向を、所望の方向に回転
させる熱処理工程を含み、前記熱処理工程において、前
記第２の方向は、前記第１の方向に対して、前記所望の
方向を超える角度で交差することを特徴とするスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求項２２に
記載したように、前記第２の方向は、前記強磁性層が、
前記第１の方向に対して実質的に直交する方向に磁化を
有するように選ばれることを特徴とする請求項２１記載
のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請
求項２３に記載したように、前記熱処理工程は、前記反
強磁性層のブロッキング温度よりも低い温度において実
行されることを特徴とする請求項２１または２２記載の
スピンバルブ磁気ヘッドの製造方法により、または請求
項２４に記載したように、前記熱処理工程は、前記強磁
性層において磁化容易軸が実質的に回転しないような温
度で実行されることを特徴とする請求項２１〜３３のう
ち、いずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造
方法により、解決する。 ［作用］本発明では、スピンバルブ構造を構成するピン
ド層の磁化方向を、成膜直後の初期磁化方向から所望の
方向に、ピニング層を構成する反強磁性層のブロッキン
グ温度よりも実質的に低い温度の熱処理により、回転さ
せる。熱処理温度が低いため、本発明では、熱処理を複
数回に分けて行い、磁化方向を段階的に回転させる。あ
るいは熱処理の際に、所望の角度よりも大きく回転させ
た方向に磁場を印加する。熱処理は低い温度で実行され
るため、前記ピンド層あるいはフリー層の磁化容易軸、
あるいは磁気ヘッドの他の磁性層の磁化方向が実質的に
回転することがなく、熱処理に伴うヘッド特性の劣化の
問題を回避できる。かかる低温で熱処理したスピンバル
ブ磁気ヘッドでは、ピンド層の磁化方向が磁化容易軸の
方向と一致しないことが特徴的である。
【００１７】
［第１実施例］図１は、図６の磁気ヘッド１０において
スピンバルブ磁気センサ１４の代わりに使われる本発明
の第１実施例によるスピンバルブ磁気センサ３０の構成
を示す。
スピンバルブ磁気センサ１４の代わりに使われる本発明
の第１実施例によるスピンバルブ磁気センサ３０の構成
を示す。
【００１８】図１を参照するに、スピンバルブ磁気セン
サ３０は、磁気シールド１３上に形成された、厚さが約
１０ｎｍのＴａ膜３１と、前記Ｔａ膜３１上に形成され
た厚さが約２ｎｍのＮｉＦｅ膜３２ａと、前記ＮｉＦｅ
膜３２ａ上にさらに約５．５ｎｍの厚さに形成されたＣ
ｏＦｅ膜３２ｂとを含み、膜３２ａおよび３２ｂは、図
７の層１４Ａに対応する強磁性フリー層３２を構成す
る。
サ３０は、磁気シールド１３上に形成された、厚さが約
１０ｎｍのＴａ膜３１と、前記Ｔａ膜３１上に形成され
た厚さが約２ｎｍのＮｉＦｅ膜３２ａと、前記ＮｉＦｅ
膜３２ａ上にさらに約５．５ｎｍの厚さに形成されたＣ
ｏＦｅ膜３２ｂとを含み、膜３２ａおよび３２ｂは、図
７の層１４Ａに対応する強磁性フリー層３２を構成す
る。
【００１９】前記フリー層３２上には、Ｃｕよりなる非
磁性層３３が、図７の非磁性層１４Ｂに対応して約３．
５ｎｍの厚さに形成され、さらに前記非磁性層３３上に
は、図７の強磁性ピンド層２４に対応して、ＣｏＦｅよ
りなるピンド層３４が、約３．５ｎｍの厚さに形成され
る。また、前記ピンド層３４上には、前記ピニング層１
４Ｄに対応して、ＰｄＰｔＭｎよりなるピニング層３５
が、約２５ｎｍの厚さに形成される。ピニング層３５は
ピンド層３４上に直接形成され、層３５と交換結合を生
じる。ピニング層３５のブロッキング温度は約３００°
Ｃである。
磁性層３３が、図７の非磁性層１４Ｂに対応して約３．
５ｎｍの厚さに形成され、さらに前記非磁性層３３上に
は、図７の強磁性ピンド層２４に対応して、ＣｏＦｅよ
りなるピンド層３４が、約３．５ｎｍの厚さに形成され
る。また、前記ピンド層３４上には、前記ピニング層１
４Ｄに対応して、ＰｄＰｔＭｎよりなるピニング層３５
が、約２５ｎｍの厚さに形成される。ピニング層３５は
ピンド層３４上に直接形成され、層３５と交換結合を生
じる。ピニング層３５のブロッキング温度は約３００°
Ｃである。
【００２０】図２は、図１の構造に対してなされる本発
明の第１実施例による熱処理工程を示す。ただし、図２
の熱処理工程は、前記スピンバルブ磁気センサ３０が、
図６の磁気ヘッド１０中に含まれた状態で行われる。図
２を参照するに、ステップ１において、所定方向の磁場
を印加しながら図１の構造が形成され、その結果、フリ
ー層３２はステップ１に矢印で示す方向に磁化および磁
化容易軸を有する。以下、ステップ１におけるフリー層
３２の磁化方向を０°方向と規定する。
明の第１実施例による熱処理工程を示す。ただし、図２
の熱処理工程は、前記スピンバルブ磁気センサ３０が、
図６の磁気ヘッド１０中に含まれた状態で行われる。図
２を参照するに、ステップ１において、所定方向の磁場
を印加しながら図１の構造が形成され、その結果、フリ
ー層３２はステップ１に矢印で示す方向に磁化および磁
化容易軸を有する。以下、ステップ１におけるフリー層
３２の磁化方向を０°方向と規定する。
【００２１】次に、ステップ２において、スピンバルブ
磁気センサ３０は、前記０°方向に作用する強さが２．
５ｋＯｅの直流磁場中において、約２５０°Ｃの温度で
約３時間熱処理され、その結果、ステップ３に矢印で示
すように、ピンド層３４の磁化方向および磁化容易軸が
０°方向に揃う。ただし、ステップ２の熱処理は、１．
５×１０-5Ｐａ以下の高真空下において行う。ステップ
３の状態を初期状態とする。また、ステップ２の熱処理
工程に伴い、磁気ヘッド１０の磁気シールド１２，１
６、あるいは磁極２１の磁化方向も、前記０°方向に初
期化される。
磁気センサ３０は、前記０°方向に作用する強さが２．
５ｋＯｅの直流磁場中において、約２５０°Ｃの温度で
約３時間熱処理され、その結果、ステップ３に矢印で示
すように、ピンド層３４の磁化方向および磁化容易軸が
０°方向に揃う。ただし、ステップ２の熱処理は、１．
５×１０-5Ｐａ以下の高真空下において行う。ステップ
３の状態を初期状態とする。また、ステップ２の熱処理
工程に伴い、磁気ヘッド１０の磁気シールド１２，１
６、あるいは磁極２１の磁化方向も、前記０°方向に初
期化される。
【００２２】次に、図２のステップ４において、前記ス
ピンバルブ磁気センサ３０は、前記０°方向に直交する
９０°方向の磁場を印加され、前記ステップ２の熱処理
温度よりも低い約２１０°Ｃの温度で約２時間加熱され
る。ただし、磁場の大きさは、ステップ２の処理工程と
同じく２．５ｋＯｅとし、熱処理は１．５×１０-5Ｐａ
以下の高真空下において行う。
ピンバルブ磁気センサ３０は、前記０°方向に直交する
９０°方向の磁場を印加され、前記ステップ２の熱処理
温度よりも低い約２１０°Ｃの温度で約２時間加熱され
る。ただし、磁場の大きさは、ステップ２の処理工程と
同じく２．５ｋＯｅとし、熱処理は１．５×１０-5Ｐａ
以下の高真空下において行う。
【００２３】図３（Ａ）は、前記スピンバルブ磁気セン
サ３０において、ステップ４の工程の熱処理温度を２１
０°Ｃ〜２５０°Ｃの間で変化させた場合の、ピンド層
３４の磁化方向の変化を示す。ただし、先にも説明した
ように、ステップ４の熱処理工程では、初期磁化方向に
実質的に直交する方向に磁場が印加される。また、熱処
理時間は、図２のステップ４よりも長い３時間としてい
る。
サ３０において、ステップ４の工程の熱処理温度を２１
０°Ｃ〜２５０°Ｃの間で変化させた場合の、ピンド層
３４の磁化方向の変化を示す。ただし、先にも説明した
ように、ステップ４の熱処理工程では、初期磁化方向に
実質的に直交する方向に磁場が印加される。また、熱処
理時間は、図２のステップ４よりも長い３時間としてい
る。
【００２４】図３（Ａ）を参照するに、熱処理温度をス
テップ２の熱処理工程におけるように２５０°Ｃに設定
した場合、かかる熱処理工程により、ピンド層３４の磁
化方向は約８４°位まで回転するが、熱処理温度が２３
０°Ｃだと磁化方向の回転量は約７７°位まで減少し、
熱処理温度が、ステップ４におけるように２１０°Ｃだ
と、磁化方向の回転量は約６６°位までさらに減少す
る。このため、ステップ４のような、初期磁化方向に直
交する磁界のもとで行う低温熱処理では、一度の熱処理
では、３時間の熱処理でもピンド層３４の磁化方向を９
０°回転させることはできない。すなわち、ステップ４
の熱処理工程により得られるピンド層３４の磁化方向
は、図２のステップ５に示すように、前記０°方向と９
０°方向の中間的な方向になる。また、ステップ４の熱
処理の結果、フリー層３２の磁化方向も多少回転する。
テップ２の熱処理工程におけるように２５０°Ｃに設定
した場合、かかる熱処理工程により、ピンド層３４の磁
化方向は約８４°位まで回転するが、熱処理温度が２３
０°Ｃだと磁化方向の回転量は約７７°位まで減少し、
熱処理温度が、ステップ４におけるように２１０°Ｃだ
と、磁化方向の回転量は約６６°位までさらに減少す
る。このため、ステップ４のような、初期磁化方向に直
交する磁界のもとで行う低温熱処理では、一度の熱処理
では、３時間の熱処理でもピンド層３４の磁化方向を９
０°回転させることはできない。すなわち、ステップ４
の熱処理工程により得られるピンド層３４の磁化方向
は、図２のステップ５に示すように、前記０°方向と９
０°方向の中間的な方向になる。また、ステップ４の熱
処理の結果、フリー層３２の磁化方向も多少回転する。
【００２５】そこで、本実施例では、前記スピンバルブ
磁気センサ３０は図２のステップ６において、さらに前
記０°方向に対して実質的に対向する約１８０°方向の
磁場を印加され、この状態でステップ４と同様に約２１
０°Ｃの熱処理を約２時間行われる。かかる熱処理の結
果、ステップ７に示すように、得られたスピンバルブ磁
気センサ３０では、前記ピンド層３４の磁化方向は初期
の０°方向に対して実質的に直交し、また、ステップ７
の段階では、ステップ６における１８０°方向の磁場中
における熱処理の結果、ステップ５において０°方向か
ら多少回転していたフリー層３２の磁化方向が、当初の
０°方向に戻される。
磁気センサ３０は図２のステップ６において、さらに前
記０°方向に対して実質的に対向する約１８０°方向の
磁場を印加され、この状態でステップ４と同様に約２１
０°Ｃの熱処理を約２時間行われる。かかる熱処理の結
果、ステップ７に示すように、得られたスピンバルブ磁
気センサ３０では、前記ピンド層３４の磁化方向は初期
の０°方向に対して実質的に直交し、また、ステップ７
の段階では、ステップ６における１８０°方向の磁場中
における熱処理の結果、ステップ５において０°方向か
ら多少回転していたフリー層３２の磁化方向が、当初の
０°方向に戻される。
【００２６】図３（Ｂ）は、上記ステップ２，ステップ
４，ステップ６による、ピンド層３４の磁化方向の回転
を示す。図３（Ｂ）中、ステップ４における回転量は、
熱処理時間が２時間であるため、図３（Ａ）における２
１０°Ｃでの回転量よりもやや小さいが、ステップ６の
熱処理を行うことにより、所望の９０°に到達すること
がわかる。
４，ステップ６による、ピンド層３４の磁化方向の回転
を示す。図３（Ｂ）中、ステップ４における回転量は、
熱処理時間が２時間であるため、図３（Ａ）における２
１０°Ｃでの回転量よりもやや小さいが、ステップ６の
熱処理を行うことにより、所望の９０°に到達すること
がわかる。
【００２７】本実施例によるスピンバルブ磁気センサ３
０は、先に説明した図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、
感知する磁気記録媒体上の磁化の方向によって、略対称
的に抵抗値を増減させる。図３（Ｃ）は、図２のステッ
プ４における熱処理工程の温度を変化させた場合の、フ
リー層３２の磁化容易軸の回転を示す。
０は、先に説明した図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、
感知する磁気記録媒体上の磁化の方向によって、略対称
的に抵抗値を増減させる。図３（Ｃ）は、図２のステッ
プ４における熱処理工程の温度を変化させた場合の、フ
リー層３２の磁化容易軸の回転を示す。
【００２８】図３（Ｃ）を参照するに、ステップ４の熱
処理工程を、従来使われている約２５０°Ｃの温度で行
った場合には、フリー層３２の磁化容易軸は大きく回転
してしまうが、本実施例のように熱処理工程を約２１０
°Ｃで行った場合には、磁化容易軸の回転は、ほどんど
生じないことがわかる。また、その際の回転量は１０°
以下と考えられる。また、熱処理を２３０°Ｃで行った
場合も同様である。
処理工程を、従来使われている約２５０°Ｃの温度で行
った場合には、フリー層３２の磁化容易軸は大きく回転
してしまうが、本実施例のように熱処理工程を約２１０
°Ｃで行った場合には、磁化容易軸の回転は、ほどんど
生じないことがわかる。また、その際の回転量は１０°
以下と考えられる。また、熱処理を２３０°Ｃで行った
場合も同様である。
【００２９】また、これに関連して、フリー層３２と実
質的に同一の組成を有するピンド層３４においても、前
記２１０°での熱処理は、図２のステップ７に破線で示
すように、磁化容易軸の回転を殆ど生じない。換言する
と、このような低温熱処理によりピンド層の磁化方向を
回転させたスピンバルブ磁気ヘッド３０では、ピンド層
３４中において、磁化方向と磁化容易軸の方向が一致し
ない。
質的に同一の組成を有するピンド層３４においても、前
記２１０°での熱処理は、図２のステップ７に破線で示
すように、磁化容易軸の回転を殆ど生じない。換言する
と、このような低温熱処理によりピンド層の磁化方向を
回転させたスピンバルブ磁気ヘッド３０では、ピンド層
３４中において、磁化方向と磁化容易軸の方向が一致し
ない。
【００３０】本実施例では、図２の工程において、ステ
ップ４の工程を短時間ずつ、複数回行うようにしてもよ
い。 ［第２実施例］図４は、前記スピンバルブ磁気ヘッド３
０の、本発明の第２実施例による製造工程を示す。ただ
し、スピンバルブ磁気ヘッド３０自体は図１に示したの
と同じ構成を有し、従って、構成の説明は省略する。
ップ４の工程を短時間ずつ、複数回行うようにしてもよ
い。 ［第２実施例］図４は、前記スピンバルブ磁気ヘッド３
０の、本発明の第２実施例による製造工程を示す。ただ
し、スピンバルブ磁気ヘッド３０自体は図１に示したの
と同じ構成を有し、従って、構成の説明は省略する。
【００３１】図４を参照するに、図２のステップ１〜ス
テップ３に対応するステップ１〜ステップ３の工程の
後、ステップ４において、スピンバルブ磁気ヘッドは、
高真空環境下、約２１０°Ｃの温度において外部磁場を
印加されながら熱処理をされる。その際、外部磁場の方
向は、ステップ４の後、ステップ５においてピンド層３
４の磁化方向が、ステップ３の初期磁化方向に対して直
交するように設定される。
テップ３に対応するステップ１〜ステップ３の工程の
後、ステップ４において、スピンバルブ磁気ヘッドは、
高真空環境下、約２１０°Ｃの温度において外部磁場を
印加されながら熱処理をされる。その際、外部磁場の方
向は、ステップ４の後、ステップ５においてピンド層３
４の磁化方向が、ステップ３の初期磁化方向に対して直
交するように設定される。
【００３２】先に図２で説明したように、ステップ４の
熱処理において、外部磁界の方向を所望の初期磁化の方
向に直交する方向に設定した場合、ピンド層３４の磁化
方向が初期磁化方向に対してなす角は９０°よりも小さ
くなる。このため、本実施例では、図４のステップ４に
おいて、前記外部磁界の方向を、前記初期磁化に対して
９０°以上の角度に設定する。
熱処理において、外部磁界の方向を所望の初期磁化の方
向に直交する方向に設定した場合、ピンド層３４の磁化
方向が初期磁化方向に対してなす角は９０°よりも小さ
くなる。このため、本実施例では、図４のステップ４に
おいて、前記外部磁界の方向を、前記初期磁化に対して
９０°以上の角度に設定する。
【００３３】図５（Ａ）は、図４のステップ４における
外部磁場の方向と、ピンド層３４の実際の磁化方向との
関係を示す。ただし、図５（Ａ）中、外部磁場の強さは
１．５ｋＯｅ、熱処理時間は３時間としている。図５
（Ａ）を参照するに、熱処理温度を２１０°Ｃとした場
合、ピンド層３４の磁化方向を初期磁化方向に対して直
交させるには、外部磁場を約１１５°の角度だけ回転さ
せて、すなわち約２５°だけ余計に回転させて印加すれ
ばよいことがわかる。また、熱処理温度が２３０°Ｃま
で増加すれば、このオフセット回転角は１０°程度まで
減少する。
外部磁場の方向と、ピンド層３４の実際の磁化方向との
関係を示す。ただし、図５（Ａ）中、外部磁場の強さは
１．５ｋＯｅ、熱処理時間は３時間としている。図５
（Ａ）を参照するに、熱処理温度を２１０°Ｃとした場
合、ピンド層３４の磁化方向を初期磁化方向に対して直
交させるには、外部磁場を約１１５°の角度だけ回転さ
せて、すなわち約２５°だけ余計に回転させて印加すれ
ばよいことがわかる。また、熱処理温度が２３０°Ｃま
で増加すれば、このオフセット回転角は１０°程度まで
減少する。
【００３４】このように、ステップ４における熱処理温
度を増大すれば、オフセット回転角を減少させることが
できるが、先にも説明したように、磁気ヘッド１０を構
成する場合、磁気シールド１２，１６あるいは磁極２１
の磁化に悪影響を与えないためには、熱処理温度は、先
に図３（Ｃ）に関連して説明したように、フリー層３２
の磁化容易軸の回転が実質的に生じない約２１０°Ｃ以
下の温度に設定するのが好ましい。
度を増大すれば、オフセット回転角を減少させることが
できるが、先にも説明したように、磁気ヘッド１０を構
成する場合、磁気シールド１２，１６あるいは磁極２１
の磁化に悪影響を与えないためには、熱処理温度は、先
に図３（Ｃ）に関連して説明したように、フリー層３２
の磁化容易軸の回転が実質的に生じない約２１０°Ｃ以
下の温度に設定するのが好ましい。
【００３５】図５（Ｂ）は、図４のステップ４における
加熱処理時間を変化させた場合のピンド層３４の磁化方
向の回転を示す。図５（Ｂ）よりわかるように、３時間
程度までは、熱処理時間と共に回転角は増加する傾向が
あるが、これば、換言すると前記オフセット回転角を大
きめに設定することにより、熱処理時間を短縮すること
が出来ることをも示している。
加熱処理時間を変化させた場合のピンド層３４の磁化方
向の回転を示す。図５（Ｂ）よりわかるように、３時間
程度までは、熱処理時間と共に回転角は増加する傾向が
あるが、これば、換言すると前記オフセット回転角を大
きめに設定することにより、熱処理時間を短縮すること
が出来ることをも示している。
【００３６】本実施例および先の実施例において、フリ
ー層３２ａ，３２ｂ，非磁性層３３，ピンド層３４およ
びピニング層３５の組成および厚さは先に説明したもの
に限定されるものではなく、他の材料を使うこともでき
る。特に、ピニング層３５としては、先に説明したＰｄ
ＰｔＭｎ以外にも、ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ，ＰｄＭｎ，Ｉ
ｒＭｎ，ＲｈＭｎおよびこれらの合金を使うことができ
る。
ー層３２ａ，３２ｂ，非磁性層３３，ピンド層３４およ
びピニング層３５の組成および厚さは先に説明したもの
に限定されるものではなく、他の材料を使うこともでき
る。特に、ピニング層３５としては、先に説明したＰｄ
ＰｔＭｎ以外にも、ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ，ＰｄＭｎ，Ｉ
ｒＭｎ，ＲｈＭｎおよびこれらの合金を使うことができ
る。
【００３７】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれらの特定の実施例に限定される
ものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内におい
て様々な変形・変更が可能である。
明したが、本発明はこれらの特定の実施例に限定される
ものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内におい
て様々な変形・変更が可能である。
【００３８】
【発明の効果】請求項１〜２４記載の本発明の特徴によ
れば、スピンバルブ磁気ヘッドにおいて、第１の方向に
延在する磁化容易軸を有する第１の強磁性層と、前記第
１の強磁性層上に形成された非磁性層と、前記非磁性上
に形成された第２の強磁性層と、前記第２の強磁性層上
に形成され、前記第２の強磁性層と交換結合する反強磁
性層とよりなる積層体を含むスピンバルブ磁気ヘッドに
おいて、前記積層体を加熱して、前記第２の強磁性層の
磁化方向を前記第１の強磁性層の磁化方向に直交するよ
うに回転させる際、加熱温度を前記第１の強磁性層にお
いて磁化容易軸の回転が実質的に生じないような低い温
度に設定することにより、磁気ヘッドのその他の部分に
悪影響を及ぼすことなく、記録媒体上の磁化の方向に応
じて抵抗値が対称的に増減する、使いやすい磁気ヘッド
が得られる。
れば、スピンバルブ磁気ヘッドにおいて、第１の方向に
延在する磁化容易軸を有する第１の強磁性層と、前記第
１の強磁性層上に形成された非磁性層と、前記非磁性上
に形成された第２の強磁性層と、前記第２の強磁性層上
に形成され、前記第２の強磁性層と交換結合する反強磁
性層とよりなる積層体を含むスピンバルブ磁気ヘッドに
おいて、前記積層体を加熱して、前記第２の強磁性層の
磁化方向を前記第１の強磁性層の磁化方向に直交するよ
うに回転させる際、加熱温度を前記第１の強磁性層にお
いて磁化容易軸の回転が実質的に生じないような低い温
度に設定することにより、磁気ヘッドのその他の部分に
悪影響を及ぼすことなく、記録媒体上の磁化の方向に応
じて抵抗値が対称的に増減する、使いやすい磁気ヘッド
が得られる。
【００３９】本発明では熱処理温度が低いため、熱処理
を外部磁場の方向を変化させながら、複数回にわたって
実行する。この場合、特に最終回の熱処理において、外
部磁場の方向を初期磁化方向に対向する方向に設定する
ことにより、前記第１の強磁性層中の磁化容易軸が、熱
処理の結果多少ずれていても、この最終回の熱処理によ
り、当初の状態に戻すことができる。また、低温熱処理
工程を１回の熱処理で済ませ、その際、外部磁界の方向
を、前記第２の強磁性層の所望の磁化方向に対してオフ
セットを見込んて余計に回転させておいてもよい。ま
た、本発明の磁気ヘッドでは、低温で熱処理を行う結
果、第２の強磁性層の磁化方向が、磁化容易軸の方向と
一致しない。
を外部磁場の方向を変化させながら、複数回にわたって
実行する。この場合、特に最終回の熱処理において、外
部磁場の方向を初期磁化方向に対向する方向に設定する
ことにより、前記第１の強磁性層中の磁化容易軸が、熱
処理の結果多少ずれていても、この最終回の熱処理によ
り、当初の状態に戻すことができる。また、低温熱処理
工程を１回の熱処理で済ませ、その際、外部磁界の方向
を、前記第２の強磁性層の所望の磁化方向に対してオフ
セットを見込んて余計に回転させておいてもよい。ま
た、本発明の磁気ヘッドでは、低温で熱処理を行う結
果、第２の強磁性層の磁化方向が、磁化容易軸の方向と
一致しない。
【図１】本発明で使うスピンバルブ磁気センサの構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の第１実施例による磁気ヘッドの製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、図２で使われる熱処理に伴
う磁性層の磁化方向あるいは磁化容易軸の回転を説明す
る図である。
う磁性層の磁化方向あるいは磁化容易軸の回転を説明す
る図である。
【図４】本発明の第２実施例による磁気ヘッドの製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は、図４で使われる熱処理に伴
う磁性層の磁化方向の回転を説明する図である。
う磁性層の磁化方向の回転を説明する図である。
【図６】スピンバルブ磁気センサを使った従来の磁気ヘ
ッドの構成を示す図である。
ッドの構成を示す図である。
【図７】従来のスピンバルブ磁気センサの構成を示す図
である。
である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は、記録媒体上の磁化方向に応
じて対称的に抵抗値を増減させるスピンバルブ磁気セン
サの原理を説明する図である。
じて対称的に抵抗値を増減させるスピンバルブ磁気セン
サの原理を説明する図である。
【図９】図８に示したスピンバルブ磁気センサを形成す
る従来の工程を説明する図である。
る従来の工程を説明する図である。
【図１０】（Ａ），（Ｂ）はブロッキング温度を説明す
る図である。
る図である。
１０ 磁気ヘッド １１ 基板 １２ 下側磁気シールド １３，１５ 読み取りギャップ １４ スピンバルブ磁気センサ １４Ａ，３２，３２ａ，３２ｂ，３３，３４，３５ フ
リー層 １４Ｂ 非磁性層 １４Ｃ ピンド層 １４Ｄ ピニング層 １６ 上側磁気シールド １７ 書込みギャップ １８，２０ 絶縁層 １９ コイル ２１ 磁極 ３１ スペーサ層
リー層 １４Ｂ 非磁性層 １４Ｃ ピンド層 １４Ｄ ピニング層 １６ 上側磁気シールド １７ 書込みギャップ １８，２０ 絶縁層 １９ コイル ２１ 磁極 ３１ スペーサ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 均 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田中 厚志 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (24)
- 【請求項１】 第１の方向に延在する第１の磁化容易軸
を有する第１の強磁性層と、 前記第１の強磁性層上に、前記第１の強磁性層から離間
して形成され、前記第１の磁化容易軸に対して実質的に
直交する第２の方向に磁化された第２の強磁性層と、 前記第２の強磁性層上に形成され、前記第２の強磁性層
と交換結合する反強磁性層とよりなり、 前記第２の強磁性層は、前記第２の方向に対して交差す
る方向に延在する第２の磁化容易軸を有することを特徴
とするスピンバルブ磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記第２の磁化容易軸は、前記第２の方
向に対して斜めに延在することを特徴とする請求項１記
載のスピンバルブ磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記反強磁性層は、ＮｉＭｎ，ＰｔＭ
ｎ，ＰｄＭｎ，ＩｒＭｎ，ＲｈＭｎ，およびこれらの合
金よりなる群より選択されることを特徴とする請求項１
記載のスピンバルブ磁気ヘッド。 - 【請求項４】 第１の方向に延在する磁化容易軸を有す
る第１の強磁性層と、前記第１の強磁性層上に形成され
た非磁性層と、前記非磁性上に形成された第２の強磁性
層と、前記第２の強磁性層上に形成され、前記第２の強
磁性層と交換結合する反強磁性層とよりなる積層体を含
むスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法において、 前記積層体を第１の加熱状態に加熱し、前記第１の加熱
状態において、前記第１の方向と異なった第２の方向に
磁場を印加する第１の熱処理工程と、 前記第１の熱処理工程の後、前記積層体を第２の加熱状
態に加熱し、前記第２の加熱状態において、前記第２の
方向と異なった第３の方向に磁場を印加する第２の熱処
理工程とよりなることを特徴とするスピンバルブ磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記第２の方向は、前記第１の方向に対
して第１の角方向に回転しており、前記第３の方向は、
前記第２の方向に対して前記第１の角方向にさらに回転
していることを特徴とする請求項４記載のスピンバルブ
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記第２の熱処理工程において、前記第
３の方向は前記第１の方向に対して約１８０°回転して
いることを特徴とする請求項４または５記載のスピンバ
ルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の熱処理工程において、前記第
２の方向は前記第１の方向に対して約９０°回転してい
ることを特徴とする請求項４〜６のうち、いずれか一項
記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記第１および第２の熱処理工程は、前
記反強磁性層のブロッキング温度よりも低い温度におい
て実行されることを特徴とする請求項４〜７のうち、い
ずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記第１の熱処理工程は、前記第１の強
磁性層において磁化容易軸が実質的に回転しないような
温度で実行されることを特徴とする請求項４〜８のう
ち、いずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の熱処理工程は、
前記第１の強磁性層において磁化容易軸が実質的に回転
しないような温度で実行されることを特徴とする請求項
８記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 第１の方向に延在する磁化容易軸を有
する第１の強磁性層と、前記第１の強磁性層上に形成さ
れた非磁性層と、前記非磁性上に形成された第２の強磁
性層と、前記第２の強磁性層上に形成され、前記第２の
強磁性層と交換結合する反強磁性層とよりなる積層体を
含むスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法において、 前記積層体を加熱状態に加熱し、加熱状態において、前
記第１の方向と異なった第２の方向に磁場を印加する熱
処理工程を含み、 前記熱処理工程において、前記第２の方向は前記第１の
方向に対して９０°を超える角度で交差することを特徴
とするスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第２の方向は、前記第２の強磁性
層が、前記第１の方向に対して実質的に直交する方向に
磁化を有するように選ばれることを特徴とする請求項１
１記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記熱処理工程は、前記反強磁性層の
ブロッキング温度よりも低い温度において実行されるこ
とを特徴とする請求項１１または１２記載のスピンバル
ブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記熱処理工程は、前記第１の強磁性
層において磁化容易軸が実質的に回転しないような温度
で実行されることを特徴とする請求項１１〜１３のう
ち、いずれか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１５】 第１の方向に磁化された強磁性層と、
前記強磁性層上に形成され、これと交換結合する反強磁
性層とよりなる系における磁化制御方法において、 前記系を第１の加熱状態に加熱し、前記第１の加熱状態
において、第１の方向と異なった第２の方向に磁場を印
加する第１の熱処理工程と、 前記第１の熱処理工程の後、前記系体を第２の加熱状態
に加熱し、前記第２の加熱状態において、前記第２の方
向と異なった第３の方向に磁場を印加する第２の熱処理
工程とよりなることを特徴とする磁化制御方法。 - 【請求項１６】 前記第２の方向は、前記第１の方向に
対して第１の角方向に回転しており、前記第３の方向
は、前記第２の方向に対して前記第１の角方向にさらに
回転していることを特徴とする請求項１５記載の磁化制
御方法。 - 【請求項１７】 前記第２の熱処理工程において、前記
第３の方向は前記第１の方向に対して約１８０°回転し
ていることを特徴とする請求項１５または１６記載の磁
化制御方法。 - 【請求項１８】 前記第１の熱処理工程において、前記
第２の方向は前記第１の方向に対して約９０°回転して
いることを特徴とする請求項１５〜１７のうち、いずれ
か一項記載の磁化制御方法。 - 【請求項１９】 前記第１および第２の熱処理工程は、
前記反強磁性層のブロッキング温度よりも低い温度にお
いて実行されることを特徴とする請求項１５〜１８のう
ち、いずれか一項記載の磁化制御方法。 - 【請求項２０】 前記第１および第２の熱処理工程は、
前記強磁性層において磁化容易軸が実質的に回転しない
ような温度で実行されることを特徴とする請求項１５〜
１９記載の磁化制御方法。 - 【請求項２１】 第１の方向に磁化された強磁性層と、
前記強磁性層上に形成され、これと交換結合する反強磁
性層とよりなる系における磁化制御方法において、 前記系を加熱状態に加熱し、加熱状態において、前記第
１の方向と異なった第２の方向に磁場を印加し、前記強
磁性層の方向を、所望の方向に回転させる熱処理工程を
含み、 前記熱処理工程において、前記第２の方向は、前記第１
の方向に対して、前記所望の方向を超える角度で交差す
ることを特徴とするスピンバルブ磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２２】 前記第２の方向は、前記強磁性層が、
前記第１の方向に対して実質的に直交する方向に磁化を
有するように選ばれることを特徴とする請求項２１記載
のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２３】 前記熱処理工程は、前記反強磁性層の
ブロッキング温度よりも低い温度において実行されるこ
とを特徴とする請求項２１または２２記載のスピンバル
ブ磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２４】 前記熱処理工程は、前記強磁性層にお
いて磁化容易軸が実質的に回転しないような温度で実行
されることを特徴とする請求項２１〜３３のうち、いず
れか一項記載のスピンバルブ磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247267A JPH1186228A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | スピンバルブ磁気ヘッドおよびその製造方法、磁化制御方法 |
| US09/024,074 US6034845A (en) | 1997-09-11 | 1998-02-17 | Spin-valve magnetic head with the pinned layer having different directions for its magnetization axis and its easy axis |
| US09/434,094 US6355115B1 (en) | 1997-09-11 | 1999-11-05 | Spin-valve magnetic head with the pinned layer having different directions for its magnetization axis and its easy axis |
| US09/434,989 US6364961B1 (en) | 1997-09-11 | 1999-11-05 | Spin-valve magnetic head with the pinned layer having different directions for its magnetization axis and its easy axis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247267A JPH1186228A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | スピンバルブ磁気ヘッドおよびその製造方法、磁化制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186228A true JPH1186228A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17160939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9247267A Withdrawn JPH1186228A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | スピンバルブ磁気ヘッドおよびその製造方法、磁化制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6034845A (ja) |
| JP (1) | JPH1186228A (ja) |
Cited By (4)
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| KR100379981B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2003-04-11 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 스핀밸브형 자기저항효과 소자 및 그것을 구비한박막자기헤드와 그들의 제조방법 |
| US6728055B1 (en) | 2000-03-21 | 2004-04-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for performing spin valve combined pinned layer reset and hard bias initialization at the HGA level |
| US7089650B2 (en) * | 2000-10-26 | 2006-08-15 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing integrated spin valve head |
| WO2008139930A1 (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気抵抗効果素子を用いた位置検知装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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