JPH10241124A - スピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方法及び該素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法 - Google Patents
スピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方法及び該素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法Info
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- JPH10241124A JPH10241124A JP9060180A JP6018097A JPH10241124A JP H10241124 A JPH10241124 A JP H10241124A JP 9060180 A JP9060180 A JP 9060180A JP 6018097 A JP6018097 A JP 6018097A JP H10241124 A JPH10241124 A JP H10241124A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンバルブ磁気抵抗素子のピンド方向の制
御を、新たな工程を付加することなくかつ磁気ヘッドを
各単体に分離した後にも極めて容易にかつ確実に行うこ
とができるスピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方
法を提供する。 【解決手段】 スピンバルブ磁気抵抗素子に対して、所
定方向に磁界が発生するように直流電流を通電し、発生
する磁界とこの電流により発生するジュール熱とによっ
てスピンバルブ磁気抵抗素子の交換結合による磁化方向
を制御する。
御を、新たな工程を付加することなくかつ磁気ヘッドを
各単体に分離した後にも極めて容易にかつ確実に行うこ
とができるスピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方
法を提供する。 【解決手段】 スピンバルブ磁気抵抗素子に対して、所
定方向に磁界が発生するように直流電流を通電し、発生
する磁界とこの電流により発生するジュール熱とによっ
てスピンバルブ磁気抵抗素子の交換結合による磁化方向
を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピンバルブを利
用した磁気抵抗（ＭＲ）素子の磁気特性を制御する方
法、及びこのＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性を
制御する方法に関する。
用した磁気抵抗（ＭＲ）素子の磁気特性を制御する方
法、及びこのＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性を
制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置（ＨＤＤ）の
高密度化に伴って高感度及び高出力の磁気ヘッドが要求
されており、このような要求に答えるものとして、巨大
磁気抵抗効果を呈する素子の１つであるスピンバルブを
利用したＭＲ素子を備えた磁気ヘッドが提案されている
（特公平８−２１１６６号公報、特開平６−２３６５２
７号公報）。スピンバルブは、２つの強磁性薄膜層を非
磁性薄膜層で磁気的に分離してサンドイッチ構造とし、
その一方の強磁性薄膜層に反強磁性層を積層することに
よってその界面で生じる交換バイアス磁界をこの一方の
強磁性薄膜層（ピンニングされる層、以下ピンド（ｐｉ
ｎｎｅｄ）層と称する）に印加するようにしたものであ
る。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受けない他方
の強磁性薄膜層（以下フリー層と称する）とでは磁化反
転する磁界が異なるので、非磁性薄膜層を挟むこれら２
つの強磁性薄膜層の磁化の向きが平行、反平行と変化
し、これにより電気抵抗率が大きく変化するので巨大磁
気抵抗効果が得られる。
高密度化に伴って高感度及び高出力の磁気ヘッドが要求
されており、このような要求に答えるものとして、巨大
磁気抵抗効果を呈する素子の１つであるスピンバルブを
利用したＭＲ素子を備えた磁気ヘッドが提案されている
（特公平８−２１１６６号公報、特開平６−２３６５２
７号公報）。スピンバルブは、２つの強磁性薄膜層を非
磁性薄膜層で磁気的に分離してサンドイッチ構造とし、
その一方の強磁性薄膜層に反強磁性層を積層することに
よってその界面で生じる交換バイアス磁界をこの一方の
強磁性薄膜層（ピンニングされる層、以下ピンド（ｐｉ
ｎｎｅｄ）層と称する）に印加するようにしたものであ
る。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受けない他方
の強磁性薄膜層（以下フリー層と称する）とでは磁化反
転する磁界が異なるので、非磁性薄膜層を挟むこれら２
つの強磁性薄膜層の磁化の向きが平行、反平行と変化
し、これにより電気抵抗率が大きく変化するので巨大磁
気抵抗効果が得られる。
【０００３】スピンバルブＭＲ素子の出力特性等は、非
磁性薄膜層を挟むこれら２つの強磁性薄膜層（ピンド層
及びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリ
ー層の磁化方向は磁気媒体からの磁界の方向に従って容
易に磁化し、一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性層と
の交換結合により一方向（ピンニングされる方向、以下
ピンド方向と称する）に制御される。
磁性薄膜層を挟むこれら２つの強磁性薄膜層（ピンド層
及びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリ
ー層の磁化方向は磁気媒体からの磁界の方向に従って容
易に磁化し、一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性層と
の交換結合により一方向（ピンニングされる方向、以下
ピンド方向と称する）に制御される。
【０００４】反強磁性層と強磁性薄膜層（ピンド層）と
の間に交換結合を持たせるために、従来は、磁気ヘッド
の製造工程中に外部磁界を印加しつつ加熱する磁界中熱
処理工程が設けている。即ち、この磁界中熱処理工程に
おいて、スピンバルブＭＲ素子をその反強磁性体の磁気
的秩序が消失する温度（ネール温度）まで加熱した状態
で交換結合を与えたい方向に外部磁界を印加した後、冷
却する処理がなされていた。
の間に交換結合を持たせるために、従来は、磁気ヘッド
の製造工程中に外部磁界を印加しつつ加熱する磁界中熱
処理工程が設けている。即ち、この磁界中熱処理工程に
おいて、スピンバルブＭＲ素子をその反強磁性体の磁気
的秩序が消失する温度（ネール温度）まで加熱した状態
で交換結合を与えたい方向に外部磁界を印加した後、冷
却する処理がなされていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、反強磁性
層と強磁性薄膜層との間に交換結合を持たせるため、従
来技術では、磁界中熱処理工程を付加的に設ける必要が
あり、その分、製造工程が複雑となるのみならず製造コ
ストも増大する。
層と強磁性薄膜層との間に交換結合を持たせるため、従
来技術では、磁界中熱処理工程を付加的に設ける必要が
あり、その分、製造工程が複雑となるのみならず製造コ
ストも増大する。
【０００６】また、複数の磁気ヘッドに対して同様の磁
化処理を同時に行うためには、磁気ヘッドに印加される
外部磁界の方向を一様にそろえておく必要があるので、
磁界中熱処理工程は、通常、磁気ヘッドのウエハプロセ
ス段階か又はウエハをバー状に切断したバー段階で行わ
れる。これは、磁気ヘッドを各単体に切り離した後にこ
のような磁界中熱処理を行うのは、その磁化方向を規定
するのに手間がかかり非能率的となるからである。しか
しながら、磁気ヘッドを各単体に切り離した後をも含め
磁気ヘッドがどのような状態であっても、反強磁性層と
強磁性薄膜層との間に交換結合を持たせるための処理が
容易にできる方が当然に望ましい。
化処理を同時に行うためには、磁気ヘッドに印加される
外部磁界の方向を一様にそろえておく必要があるので、
磁界中熱処理工程は、通常、磁気ヘッドのウエハプロセ
ス段階か又はウエハをバー状に切断したバー段階で行わ
れる。これは、磁気ヘッドを各単体に切り離した後にこ
のような磁界中熱処理を行うのは、その磁化方向を規定
するのに手間がかかり非能率的となるからである。しか
しながら、磁気ヘッドを各単体に切り離した後をも含め
磁気ヘッドがどのような状態であっても、反強磁性層と
強磁性薄膜層との間に交換結合を持たせるための処理が
容易にできる方が当然に望ましい。
【０００７】さらにまた、磁気ヘッドのウエハプロセス
や加工プロセス等の製造工程中や製造したヘッドのＨＤ
Ｄへのアセンブリング工程中において、ヘッドの端子サ
イドへ何らかの理由で電荷が飛び込むと、スピンバルブ
ＭＲ素子のピンド方向が変化してしまってヘッドの諸特
性が変化し記録信号を正確に再生できない場合がある。
これは、飛び込んだ電荷により発生する熱及び電流が引
き起こす磁界によってピンド方向が変化してしまうため
と考えられる。ピンド方向が変化してしまうと、ピンド
層及びフリー層の磁化のなす角度が変化することから出
力特性等も変わってしまう。このように、スピンバルブ
ＭＲ素子を有する磁気ヘッドにおいては、ピンド方向が
正しく制御されていることが非常に重要であるが、磁気
ヘッドを各単体に切り離した後にピンド方向が変化して
しまった場合、反強磁性層と強磁性薄膜層（ピンド層）
との間の交換結合を再度与えてそのピンド方向を正しい
方向に戻すことは、前述したように非常に非能率的であ
るため、従来はこのような処理は行われず、その磁気ヘ
ッドは不良品として扱われていた。
や加工プロセス等の製造工程中や製造したヘッドのＨＤ
Ｄへのアセンブリング工程中において、ヘッドの端子サ
イドへ何らかの理由で電荷が飛び込むと、スピンバルブ
ＭＲ素子のピンド方向が変化してしまってヘッドの諸特
性が変化し記録信号を正確に再生できない場合がある。
これは、飛び込んだ電荷により発生する熱及び電流が引
き起こす磁界によってピンド方向が変化してしまうため
と考えられる。ピンド方向が変化してしまうと、ピンド
層及びフリー層の磁化のなす角度が変化することから出
力特性等も変わってしまう。このように、スピンバルブ
ＭＲ素子を有する磁気ヘッドにおいては、ピンド方向が
正しく制御されていることが非常に重要であるが、磁気
ヘッドを各単体に切り離した後にピンド方向が変化して
しまった場合、反強磁性層と強磁性薄膜層（ピンド層）
との間の交換結合を再度与えてそのピンド方向を正しい
方向に戻すことは、前述したように非常に非能率的であ
るため、従来はこのような処理は行われず、その磁気ヘ
ッドは不良品として扱われていた。
【０００８】従って本発明は、従来技術の上述した問題
点を解消するものであり、その目的は、スピンバルブＭ
Ｒ素子のピンド方向の制御を新たな工程を付加すること
なく極めて容易に行うことができるスピンバルブＭＲ素
子の磁気特性制御方法及びこのＭＲ素子を備えた磁気ヘ
ッドの磁気特性制御方法を提供することにある。
点を解消するものであり、その目的は、スピンバルブＭ
Ｒ素子のピンド方向の制御を新たな工程を付加すること
なく極めて容易に行うことができるスピンバルブＭＲ素
子の磁気特性制御方法及びこのＭＲ素子を備えた磁気ヘ
ッドの磁気特性制御方法を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、磁気ヘッドを各単体
に分離した後にも、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向
の制御を極めて容易にかつ確実に行うことができるスピ
ンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方
法を提供することにある。
に分離した後にも、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向
の制御を極めて容易にかつ確実に行うことができるスピ
ンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、スピン
バルブＭＲ素子に対して、所定方向に磁界が発生するよ
うに直流電流を通電し、発生する磁界とこの電流により
発生するジュール熱とによってスピンバルブＭＲ素子の
交換結合による磁化方向を制御するスピンバルブＭＲ素
子の磁気特性制御方法及びこの方法によって磁気特性制
御されるスピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁
気特性制御方法が提供される。
バルブＭＲ素子に対して、所定方向に磁界が発生するよ
うに直流電流を通電し、発生する磁界とこの電流により
発生するジュール熱とによってスピンバルブＭＲ素子の
交換結合による磁化方向を制御するスピンバルブＭＲ素
子の磁気特性制御方法及びこの方法によって磁気特性制
御されるスピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの磁
気特性制御方法が提供される。
【００１１】さらに、本発明によれば、非磁性金属層、
非磁性金属層により磁気的に分離された第１及び第２の
強磁性薄膜層、並びに第２の強磁性薄膜層に積層された
反強磁性薄膜層を含むスピンバルブＭＲ素子に直流電流
を通電し、この電流により発生するジュール熱によって
反強磁性薄膜層をネール温度以上に加熱すると共にこの
電流により発生する磁界によって第２の強磁性薄膜層を
所定方向に磁化すると共に反強磁性薄膜層に磁界を印加
するスピンバルブＭＲ素子の磁気特性制御方法及びこの
方法によって磁気特性制御されるスピンバルブＭＲ素子
を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法が提供される。
非磁性金属層により磁気的に分離された第１及び第２の
強磁性薄膜層、並びに第２の強磁性薄膜層に積層された
反強磁性薄膜層を含むスピンバルブＭＲ素子に直流電流
を通電し、この電流により発生するジュール熱によって
反強磁性薄膜層をネール温度以上に加熱すると共にこの
電流により発生する磁界によって第２の強磁性薄膜層を
所定方向に磁化すると共に反強磁性薄膜層に磁界を印加
するスピンバルブＭＲ素子の磁気特性制御方法及びこの
方法によって磁気特性制御されるスピンバルブＭＲ素子
を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法が提供される。
【００１２】スピンバルブＭＲ素子に直流電流を通電す
ることのみによって、交換結合のための加熱処理及び磁
化処理を同時に行うという、全く新規な磁気特性制御方
法である。スピンバルブＭＲ素子にそのセンス電流と同
じ手法で直流電流を通電するだけでよいので、新たな工
程を付加することなく極めて容易に行うことができるの
みならず、磁気ヘッドを各単体に分離した後であって
も、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の制御を極めて
容易にかつ確実に行うことができる。その結果、従来は
不良品として扱われていた各単体に分離した後の磁気ヘ
ッドについても、ピンド方向を正常な方向に復帰させて
良品とすることができる。この制御は、磁気ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んだ後のドライブ動作中におい
ても実施することができ、その場合には、スピンバルブ
ＭＲ素子のピンド方向を常に正しい状態に維持すること
ができる。
ることのみによって、交換結合のための加熱処理及び磁
化処理を同時に行うという、全く新規な磁気特性制御方
法である。スピンバルブＭＲ素子にそのセンス電流と同
じ手法で直流電流を通電するだけでよいので、新たな工
程を付加することなく極めて容易に行うことができるの
みならず、磁気ヘッドを各単体に分離した後であって
も、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の制御を極めて
容易にかつ確実に行うことができる。その結果、従来は
不良品として扱われていた各単体に分離した後の磁気ヘ
ッドについても、ピンド方向を正常な方向に復帰させて
良品とすることができる。この制御は、磁気ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んだ後のドライブ動作中におい
ても実施することができ、その場合には、スピンバルブ
ＭＲ素子のピンド方向を常に正しい状態に維持すること
ができる。
【００１３】加熱及び磁化の後、通電される直流電流の
値を所定時間低減させるか又は直流電流の通電を停止さ
せてスピンバルブＭＲ素子を冷却することが望ましい。
値を所定時間低減させるか又は直流電流の通電を停止さ
せてスピンバルブＭＲ素子を冷却することが望ましい。
【００１４】直流電流が、スピンバルブＭＲ素子のセン
ス電流端子から通電されることが好ましい。
ス電流端子から通電されることが好ましい。
【００１５】直流電流の通電時間が、あらかじめ定めら
れた一定時間であることが好ましい。
れた一定時間であることが好ましい。
【００１６】通電される直流電流の値が、スピンバルブ
ＭＲ素子の抵抗値に応じて決定されることが好ましい。
ＭＲ素子の抵抗値に応じて決定されることが好ましい。
【００１７】スピンバルブＭＲ素子に基準電流値（Ｉ
REF ）を通電した際のスピンバルブＭＲ素子の抵抗値
（ＲREF ）を測定し、通電される直流電流の値が、測定
した抵抗値（ＲREF ）に応じて決定されることが好まし
い。
REF ）を通電した際のスピンバルブＭＲ素子の抵抗値
（ＲREF ）を測定し、通電される直流電流の値が、測定
した抵抗値（ＲREF ）に応じて決定されることが好まし
い。
【００１８】通電される直流電流の値が、スピンバルブ
ＭＲ素子に基準電流値（ＩREF ）を通電した際のスピン
バルブＭＲ素子の温度（ＴREF ）と、スピンバルブＭＲ
素子の加熱すべき温度（Ｔ）と、測定した抵抗値（Ｒ
REF ）とに応じて決定されるも好ましい。
ＭＲ素子に基準電流値（ＩREF ）を通電した際のスピン
バルブＭＲ素子の温度（ＴREF ）と、スピンバルブＭＲ
素子の加熱すべき温度（Ｔ）と、測定した抵抗値（Ｒ
REF ）とに応じて決定されるも好ましい。
【００１９】この場合、通電される直流電流の値Ｉ
CAが、基準電流値（ＩREF ）を通電した際のスピンバル
ブＭＲ素子の温度（ＴREF ）とスピンバルブＭＲ素子の
加熱すべき温度（Ｔ）との温度差をΔＴ（＝Ｔ−Ｔ
REF ）とし、測定した抵抗値をＲREFとすると、 ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋
１．０８４５ で表わされる実験式から決定されるかもしれない。
CAが、基準電流値（ＩREF ）を通電した際のスピンバル
ブＭＲ素子の温度（ＴREF ）とスピンバルブＭＲ素子の
加熱すべき温度（Ｔ）との温度差をΔＴ（＝Ｔ−Ｔ
REF ）とし、測定した抵抗値をＲREFとすると、 ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋
１．０８４５ で表わされる実験式から決定されるかもしれない。
【００２０】磁気特性の制御を、磁気ヘッドの製造工程
中又は磁気ヘッドの特性評価工程中に少なくとも１回行
うこと、磁気ヘッドの製造工程後の磁気ディスク装置の
組立工程中又は磁気ディスク装置の特性評価工程中に少
なくとも１回行うこと、及び／又はこの磁気ディスク装
置の電源を投入した際の自己診断中に少なくとも１回行
うことが好ましい。
中又は磁気ヘッドの特性評価工程中に少なくとも１回行
うこと、磁気ヘッドの製造工程後の磁気ディスク装置の
組立工程中又は磁気ディスク装置の特性評価工程中に少
なくとも１回行うこと、及び／又はこの磁気ディスク装
置の電源を投入した際の自己診断中に少なくとも１回行
うことが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施形態により本発明の説明を行
う前に、本発明の基本原理を説明する。
う前に、本発明の基本原理を説明する。
【００２２】図１は、スピンバルブ積層体の基本構造を
示す断面図であり、同図において、１０及び１２は２つ
の強磁性薄膜層であり、この強磁性薄膜層１０及び１２
は非磁性金属層１１で磁気的に分離してサンドイッチ構
造とされている。強磁性薄膜層１２上には反強磁性薄膜
層１３が積層されており、その界面で生じる交換バイア
ス磁界がこの強磁性薄膜層（ピンド層）１２に印加され
てピンニングされる。強磁性薄膜層１０は交換バイアス
磁界が印加されないフリー層である。
示す断面図であり、同図において、１０及び１２は２つ
の強磁性薄膜層であり、この強磁性薄膜層１０及び１２
は非磁性金属層１１で磁気的に分離してサンドイッチ構
造とされている。強磁性薄膜層１２上には反強磁性薄膜
層１３が積層されており、その界面で生じる交換バイア
ス磁界がこの強磁性薄膜層（ピンド層）１２に印加され
てピンニングされる。強磁性薄膜層１０は交換バイアス
磁界が印加されないフリー層である。
【００２３】図２は、このようなスピンバルブ積層体の
ピンド方向の制御原理を説明する図である。同図（Ａ）
に示すように、何らかの原因により、反強磁性薄膜層１
３に与えられている異方性の方向が矢印という誤った方
向であり、これにより強磁性薄膜層１２のピンド方向が
矢印Ｂに示す誤った方向となっているとする。本発明で
は、このようなスピンバルブ積層体に対して、同図
（Ｂ）に示すような方向に値（通電量）がＩCAの直流電
流を流す。この直流電流のジュール熱により、スピンバ
ルブ積層体は加熱される。反強磁性薄膜層１３の温度が
ネール温度以上となると、その磁気的秩序が消失する。
これにより、ピンニングされなくなった強磁性薄膜層１
２は、この直流電流のつくる磁界Ｃに対して容易に磁化
され、同図（Ｃ）に示すような方向Ｂ′に磁化される。
強磁性薄膜層１２の磁化方向は、この直流電流の流れる
方向を調整することによって自由に制御可能である。直
流電流の通電量ＩCAを低減するか通電自体を停止するこ
とによって、反強磁性薄膜層１３の温度がネール温度よ
り低下すると、この反強磁性薄膜層１３には、同図
（Ｄ）に示すように、強磁性薄膜層１２の磁化方向（矢
印Ｂ′）又は低減された直流電流ＩCAによる印加磁界方
向に依存する方向Ａ′に異方性が発生する。反強磁性薄
膜層１３に磁気的秩序が戻ると、強磁性薄膜層１２はこ
の方向Ｂ′にピンニングされる。
ピンド方向の制御原理を説明する図である。同図（Ａ）
に示すように、何らかの原因により、反強磁性薄膜層１
３に与えられている異方性の方向が矢印という誤った方
向であり、これにより強磁性薄膜層１２のピンド方向が
矢印Ｂに示す誤った方向となっているとする。本発明で
は、このようなスピンバルブ積層体に対して、同図
（Ｂ）に示すような方向に値（通電量）がＩCAの直流電
流を流す。この直流電流のジュール熱により、スピンバ
ルブ積層体は加熱される。反強磁性薄膜層１３の温度が
ネール温度以上となると、その磁気的秩序が消失する。
これにより、ピンニングされなくなった強磁性薄膜層１
２は、この直流電流のつくる磁界Ｃに対して容易に磁化
され、同図（Ｃ）に示すような方向Ｂ′に磁化される。
強磁性薄膜層１２の磁化方向は、この直流電流の流れる
方向を調整することによって自由に制御可能である。直
流電流の通電量ＩCAを低減するか通電自体を停止するこ
とによって、反強磁性薄膜層１３の温度がネール温度よ
り低下すると、この反強磁性薄膜層１３には、同図
（Ｄ）に示すように、強磁性薄膜層１２の磁化方向（矢
印Ｂ′）又は低減された直流電流ＩCAによる印加磁界方
向に依存する方向Ａ′に異方性が発生する。反強磁性薄
膜層１３に磁気的秩序が戻ると、強磁性薄膜層１２はこ
の方向Ｂ′にピンニングされる。
【００２４】図３は、本発明による磁気ヘッドの磁気特
性制御方法の一実施形態の概略構成を示すブロック図で
ある。この実施形態は、ウエハプロセスにおいてスピン
バルブＭＲ素子に接続される出力電極端子が形成された
後、そのスピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドアセ
ンブリがＨＤＤ内に実装されて実際に動作するまでの間
に実施される電磁変換特性の評価工程中に、磁気特性を
制御する場合である。即ち、磁気ヘッド及びこれに続く
ＨＤＤの量産工程中の小さなダメージによって、磁気ヘ
ッドの電磁変換特性評価、ρ−Ｈ特性評価では確認でき
ない程度にスピンバルブＭＲ素子のピンド方向が変化す
る可能性がある。そのようなスピンバルブＭＲ素子は、
特性が本来の状態に比して劣化してしまう。そこで本実
施形態では、各磁気ヘッドの端子電極に評価装置を接続
して電磁変換特性の評価を行う工程中に、本来のピンド
方向と同じ方向に磁界が発生するように直流電流を流す
処理を実施し、その電流により発生する熱と磁界とによ
りピンド方向を本来の方向に復帰させるものである。
性制御方法の一実施形態の概略構成を示すブロック図で
ある。この実施形態は、ウエハプロセスにおいてスピン
バルブＭＲ素子に接続される出力電極端子が形成された
後、そのスピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドアセ
ンブリがＨＤＤ内に実装されて実際に動作するまでの間
に実施される電磁変換特性の評価工程中に、磁気特性を
制御する場合である。即ち、磁気ヘッド及びこれに続く
ＨＤＤの量産工程中の小さなダメージによって、磁気ヘ
ッドの電磁変換特性評価、ρ−Ｈ特性評価では確認でき
ない程度にスピンバルブＭＲ素子のピンド方向が変化す
る可能性がある。そのようなスピンバルブＭＲ素子は、
特性が本来の状態に比して劣化してしまう。そこで本実
施形態では、各磁気ヘッドの端子電極に評価装置を接続
して電磁変換特性の評価を行う工程中に、本来のピンド
方向と同じ方向に磁界が発生するように直流電流を流す
処理を実施し、その電流により発生する熱と磁界とによ
りピンド方向を本来の方向に復帰させるものである。
【００２５】図３において、３０及び３１は複合型磁気
ヘッドにおける書き込み用インダクティブ素子及び読み
出し用スピンバルブＭＲ素子をそれぞれ示している。イ
ンダクティブ素子３０の端子電極には書き込み用のヘッ
ドアンプ３２が接続されており、スピンバルブＭＲ素子
３１の端子電極には、コンデンサを介して読み出し用の
ヘッドアンプ３３が接続されている。これらヘッドアン
プ３２及び３３は、電磁変換特性を測定するための測定
部３４に接続されている。以上は、公知の電磁変換特性
評価装置の構成である。
ヘッドにおける書き込み用インダクティブ素子及び読み
出し用スピンバルブＭＲ素子をそれぞれ示している。イ
ンダクティブ素子３０の端子電極には書き込み用のヘッ
ドアンプ３２が接続されており、スピンバルブＭＲ素子
３１の端子電極には、コンデンサを介して読み出し用の
ヘッドアンプ３３が接続されている。これらヘッドアン
プ３２及び３３は、電磁変換特性を測定するための測定
部３４に接続されている。以上は、公知の電磁変換特性
評価装置の構成である。
【００２６】図３において、さらに、３５はこの磁気ヘ
ッドの近傍に又は磁気ヘッドに接触して配置された温度
測定用ダミー抵抗を示しており、スピンバルブＭＲ素子
３１及びこのダミー抵抗３５の端子電極には、電圧検出
回路３６が並列接続されている。電圧検出回路３６に
は、マイクロコンピュータで構成される制御回路３８が
Ａ／Ｄ変換器３７を介して接続されている。スピンバル
ブＭＲ素子３１及びダミー抵抗３５は、切換スイッチ３
９を介して定電流源４０に接続されるように構成されて
おり、この定電流源４０には制御回路３８が接続されて
いる。
ッドの近傍に又は磁気ヘッドに接触して配置された温度
測定用ダミー抵抗を示しており、スピンバルブＭＲ素子
３１及びこのダミー抵抗３５の端子電極には、電圧検出
回路３６が並列接続されている。電圧検出回路３６に
は、マイクロコンピュータで構成される制御回路３８が
Ａ／Ｄ変換器３７を介して接続されている。スピンバル
ブＭＲ素子３１及びダミー抵抗３５は、切換スイッチ３
９を介して定電流源４０に接続されるように構成されて
おり、この定電流源４０には制御回路３８が接続されて
いる。
【００２７】切換スイッチ３９は、定電流源４０から供
給される制御回路３８によって指示された値を有する直
流電流をスピンバルブＭＲ素子３１又はダミー抵抗３５
のどちらか一方に選択的に供給する。電圧検出回路３６
は、スピンバルブＭＲ素子３１又はダミー抵抗３５の端
子電圧値を検出し、その検出値をＡ／Ｄ変換器３７を介
して制御回路３８に入力する。これにより制御回路３８
は、入力された端子電圧値及び指示した電流値からダミ
ー抵抗３５の抵抗値、即ち磁気ヘッドのその時の温度
と、スピンバルブＭＲ素子３１の抵抗値とを求め、これ
ら求めた温度及び抵抗値等からピンド方向制御のために
流すべき電流値を計算して定電流源４０に指示する。こ
れにより定電流源４０は、指示された期間、指示された
値ＩCAの直流電流をスピンバルブＭＲ素子３１に供給す
る。
給される制御回路３８によって指示された値を有する直
流電流をスピンバルブＭＲ素子３１又はダミー抵抗３５
のどちらか一方に選択的に供給する。電圧検出回路３６
は、スピンバルブＭＲ素子３１又はダミー抵抗３５の端
子電圧値を検出し、その検出値をＡ／Ｄ変換器３７を介
して制御回路３８に入力する。これにより制御回路３８
は、入力された端子電圧値及び指示した電流値からダミ
ー抵抗３５の抵抗値、即ち磁気ヘッドのその時の温度
と、スピンバルブＭＲ素子３１の抵抗値とを求め、これ
ら求めた温度及び抵抗値等からピンド方向制御のために
流すべき電流値を計算して定電流源４０に指示する。こ
れにより定電流源４０は、指示された期間、指示された
値ＩCAの直流電流をスピンバルブＭＲ素子３１に供給す
る。
【００２８】本実施形態における磁気特性（ピンド方
向）制御を行う前に、スピンバルブＭＲ素子３１の上昇
させるべき温度ΔＴと、スピンバルブＭＲ素子３１の抵
抗値Ｒと、流すべき直流電流の値ＩCAとの関係式を実験
的に求めておく。
向）制御を行う前に、スピンバルブＭＲ素子３１の上昇
させるべき温度ΔＴと、スピンバルブＭＲ素子３１の抵
抗値Ｒと、流すべき直流電流の値ＩCAとの関係式を実験
的に求めておく。
【００２９】多くの実験から、スピンバルブＭＲ素子を
温度Ｔに加熱した際の抵抗値Ｒ（Ω）とその温度Ｔ
（℃）と間には、Ｒ／ＲREF ＝０．００１３８７６Ｔ＋
０．９６３０３なる関係があることが確認されている。
ただし、ＲREF （Ω）は、スピンバルブＭＲ素子に基準
電流ＩREF （＝１ｍＡ）を流した際のそのスピンバルブ
ＭＲ素子の抵抗値である。従って、温度Ｔは、Ｔ＝（Ｒ
／ＲREF −０．９６３０３）／０．００１３８７６とな
る。ここで、ΔＴ＝Ｔ−ＴREF として、スピンバルブＭ
Ｒ素子の種々の固有抵抗（基準抵抗）を有するサンプル
について、通電量ＩCAと温度上昇量ΔＴとの関係を実験
により求めた。ただし、ＴREF は基準電流ＩREF （＝１
ｍＡ）を流した際のスピンバルブＭＲ素子の温度（以下
環境温度と称する）である。その実験結果の一部が表１
及び図４に示されている。ただし、図４は環境温度Ｔ
REF をＴREF ＝２５℃としたときの、通電量ＩCAと温度
Ｔとの関係を示している。
温度Ｔに加熱した際の抵抗値Ｒ（Ω）とその温度Ｔ
（℃）と間には、Ｒ／ＲREF ＝０．００１３８７６Ｔ＋
０．９６３０３なる関係があることが確認されている。
ただし、ＲREF （Ω）は、スピンバルブＭＲ素子に基準
電流ＩREF （＝１ｍＡ）を流した際のそのスピンバルブ
ＭＲ素子の抵抗値である。従って、温度Ｔは、Ｔ＝（Ｒ
／ＲREF −０．９６３０３）／０．００１３８７６とな
る。ここで、ΔＴ＝Ｔ−ＴREF として、スピンバルブＭ
Ｒ素子の種々の固有抵抗（基準抵抗）を有するサンプル
について、通電量ＩCAと温度上昇量ΔＴとの関係を実験
により求めた。ただし、ＴREF は基準電流ＩREF （＝１
ｍＡ）を流した際のスピンバルブＭＲ素子の温度（以下
環境温度と称する）である。その実験結果の一部が表１
及び図４に示されている。ただし、図４は環境温度Ｔ
REF をＴREF ＝２５℃としたときの、通電量ＩCAと温度
Ｔとの関係を示している。
【００３０】
【表１】
【００３１】この実験結果について、ΔＴをＩCA及びＲ
REF の関数で表わすと、次の表２のごとくなり、スピン
バルブＭＲ素子の固有抵抗が異なるにもかかわらず類似
した関係式が得られた。
REF の関数で表わすと、次の表２のごとくなり、スピン
バルブＭＲ素子の固有抵抗が異なるにもかかわらず類似
した関係式が得られた。
【００３２】
【表２】
【００３３】従って、これら関係式を平均することによ
り、スピンバルブＭＲ素子の温度上昇量ΔＴとスピンバ
ルブＭＲ素子の抵抗値ＲREF と通電量ＩCAとの間の以下
の関係式が導出できた。 ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋
１．０８４５
り、スピンバルブＭＲ素子の温度上昇量ΔＴとスピンバ
ルブＭＲ素子の抵抗値ＲREF と通電量ＩCAとの間の以下
の関係式が導出できた。 ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋
１．０８４５
【００３４】制御回路３８は、この関係式を用いて、ピ
ンド方向を制御するためにスピンバルブＭＲ素子３１に
流すべき直流電流の値ＩCAを次のようにして求める。図
５は、本実施形態におけるこのピンド方向制御の流れの
一例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１
において、スピンバルブＭＲ素子３１の基準抵抗ＲRE F
を測定する。この測定は、切換スイッチ３９をスピンバ
ルブＭＲ素子３１側に切り換えて、定電流源４０から１
ｍＡの基準電流ＩREF をスピンバルブＭＲ素子３１に供
給し、その端子電圧を電圧検出回路３６で検出すること
によって求める。
ンド方向を制御するためにスピンバルブＭＲ素子３１に
流すべき直流電流の値ＩCAを次のようにして求める。図
５は、本実施形態におけるこのピンド方向制御の流れの
一例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１
において、スピンバルブＭＲ素子３１の基準抵抗ＲRE F
を測定する。この測定は、切換スイッチ３９をスピンバ
ルブＭＲ素子３１側に切り換えて、定電流源４０から１
ｍＡの基準電流ＩREF をスピンバルブＭＲ素子３１に供
給し、その端子電圧を電圧検出回路３６で検出すること
によって求める。
【００３５】次いで、ステップＳ２において、スピンバ
ルブＭＲ素子３１の環境温度ＴREFを測定する。これ
は、基準電流ＩREF を流した直後のスピンバルブＭＲ素
子３１の温度をダミー抵抗３５によって測定するもので
ある。即ち、切換スイッチ３９をダミー抵抗３５側に切
り換えて、定電流源４０から１ｍＡの基準電流ＩREF を
このダミー抵抗３５に供給し、その端子電圧を電圧検出
回路３６で検出することによって求める。
ルブＭＲ素子３１の環境温度ＴREFを測定する。これ
は、基準電流ＩREF を流した直後のスピンバルブＭＲ素
子３１の温度をダミー抵抗３５によって測定するもので
ある。即ち、切換スイッチ３９をダミー抵抗３５側に切
り換えて、定電流源４０から１ｍＡの基準電流ＩREF を
このダミー抵抗３５に供給し、その端子電圧を電圧検出
回路３６で検出することによって求める。
【００３６】次いで、ステップＳ３において、スピンバ
ルブＭＲ素子３１の温度上昇量ΔＴを設定する。温度上
昇量ΔＴは、スピンバルブＭＲ素子３１の加熱すべき温
度Ｔと環境温度ＴREF との差であるから、ピンド方向を
制御するためにこのスピンバルブＭＲ素子３１の加熱す
べき温度Ｔを設定しておけば、測定した環境温度ＴRE F
から容易に求めることができる。
ルブＭＲ素子３１の温度上昇量ΔＴを設定する。温度上
昇量ΔＴは、スピンバルブＭＲ素子３１の加熱すべき温
度Ｔと環境温度ＴREF との差であるから、ピンド方向を
制御するためにこのスピンバルブＭＲ素子３１の加熱す
べき温度Ｔを設定しておけば、測定した環境温度ＴRE F
から容易に求めることができる。
【００３７】種々の固有抵抗を有するスピンバルブＭＲ
素子のサンプルについて実際に直流電流を流して温度上
昇させ、ピンド方向を制御した後にその出力電圧特性を
測定した結果が、図６に示されている。同図において、
横軸はスピンバルブＭＲ素子の温度Ｔ、縦軸はその温度
によって出力電圧が最大となったサンプルの数をそれぞ
れ示している。同図から明らかのように、温度Ｔは、Ｔ
＝８５℃〜１３５℃の範囲であることが好ましい。
素子のサンプルについて実際に直流電流を流して温度上
昇させ、ピンド方向を制御した後にその出力電圧特性を
測定した結果が、図６に示されている。同図において、
横軸はスピンバルブＭＲ素子の温度Ｔ、縦軸はその温度
によって出力電圧が最大となったサンプルの数をそれぞ
れ示している。同図から明らかのように、温度Ｔは、Ｔ
＝８５℃〜１３５℃の範囲であることが好ましい。
【００３８】次いで、ステップＳ４において、流すべき
直流電流の値ＩCAを、設定したΔＴ及び測定したＲREF
から、前述の関係式ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（Ｉ
CA・ＲREF ）2 ＋１．０８４５を用いて算出する。
直流電流の値ＩCAを、設定したΔＴ及び測定したＲREF
から、前述の関係式ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（Ｉ
CA・ＲREF ）2 ＋１．０８４５を用いて算出する。
【００３９】次のステップＳ５では、算出した通電量Ｉ
CAの直流電流をスピンバルブＭＲ素子３１に流す。即
ち、切換スイッチ３９をスピンバルブＭＲ素子３１側に
切り換えて、定電流源４０から値ＩCAの電流をスピンバ
ルブＭＲ素子３１に供給する。この電流の通電時間は、
約１秒程度の所定時間であることが好ましい。
CAの直流電流をスピンバルブＭＲ素子３１に流す。即
ち、切換スイッチ３９をスピンバルブＭＲ素子３１側に
切り換えて、定電流源４０から値ＩCAの電流をスピンバ
ルブＭＲ素子３１に供給する。この電流の通電時間は、
約１秒程度の所定時間であることが好ましい。
【００４０】図７は、通電時間とスピンバルブＭＲ素子
の温度との関係をシミュレーションで求めた特性図であ
る。通電量は６ｍＡ、ＭＲ素子の抵抗値は５０Ω、環境
温度は２５℃で計算を行っている。同図に示されている
ＭＲ素子温度の第１次の飽和は、ＭＲ素子自体の熱の飽
和であり、磁気ヘッドの、ＭＲ素子の外側に設けられて
いるギャップ層やシールド層に放熱している過程であ
る。第２次の飽和は、ＭＲ素子の全境界が断熱されてい
るか、ＭＲ素子のＡＢＳ（浮上面）側境界が断熱されて
いるか、ＭＲ素子のＡＢＳ側境界が断熱されておらず空
気が存在しているかによって特性が異なっている。実際
の磁気ヘッドのようにＭＲ素子のＡＢＳ側境界が非断熱
の場合は、通電後約１秒でＭＲ素子温度が飽和してい
る。従って、通電時間を約１秒程度とれば、ピンド方向
制御に充分な加熱効果が得られることとなる。
の温度との関係をシミュレーションで求めた特性図であ
る。通電量は６ｍＡ、ＭＲ素子の抵抗値は５０Ω、環境
温度は２５℃で計算を行っている。同図に示されている
ＭＲ素子温度の第１次の飽和は、ＭＲ素子自体の熱の飽
和であり、磁気ヘッドの、ＭＲ素子の外側に設けられて
いるギャップ層やシールド層に放熱している過程であ
る。第２次の飽和は、ＭＲ素子の全境界が断熱されてい
るか、ＭＲ素子のＡＢＳ（浮上面）側境界が断熱されて
いるか、ＭＲ素子のＡＢＳ側境界が断熱されておらず空
気が存在しているかによって特性が異なっている。実際
の磁気ヘッドのようにＭＲ素子のＡＢＳ側境界が非断熱
の場合は、通電後約１秒でＭＲ素子温度が飽和してい
る。従って、通電時間を約１秒程度とれば、ピンド方向
制御に充分な加熱効果が得られることとなる。
【００４１】値ＩCAの電流を上述の時間通電することに
より、そのジュール熱でスピンバルブＭＲ素子が加熱さ
れ、反強磁性薄膜層１３の温度がネール温度以上とな
る。これにより反強磁性薄膜層１３の磁気的秩序が消失
し、ピンニングされなくなった強磁性薄膜層１２は、こ
の直流電流のつくる磁界で容易に磁化される。
より、そのジュール熱でスピンバルブＭＲ素子が加熱さ
れ、反強磁性薄膜層１３の温度がネール温度以上とな
る。これにより反強磁性薄膜層１３の磁気的秩序が消失
し、ピンニングされなくなった強磁性薄膜層１２は、こ
の直流電流のつくる磁界で容易に磁化される。
【００４２】次いで、ステップＳ６において、通電され
る直流電流の値を所定時間低減させるか又は直流電流の
通電を所定時間停止させてスピンバルブＭＲ素子３１を
冷却する。これにより、反強磁性薄膜層１３の温度がネ
ール温度より低下すると、この反強磁性薄膜層１３には
強磁性薄膜層１２の磁化方向又は直流電流による印加磁
界方向に依存する方向に異方性が発生する。そして、反
強磁性薄膜層１３に磁気的秩序が戻ると、磁性薄膜層１
２はこの異方性の方向にピンニングされることとなる。
る直流電流の値を所定時間低減させるか又は直流電流の
通電を所定時間停止させてスピンバルブＭＲ素子３１を
冷却する。これにより、反強磁性薄膜層１３の温度がネ
ール温度より低下すると、この反強磁性薄膜層１３には
強磁性薄膜層１２の磁化方向又は直流電流による印加磁
界方向に依存する方向に異方性が発生する。そして、反
強磁性薄膜層１３に磁気的秩序が戻ると、磁性薄膜層１
２はこの異方性の方向にピンニングされることとなる。
【００４３】以上説明した実施形態では、ダミー抵抗３
５によりスピンバルブＭＲ素子３１の環境温度を測定し
ているが、環境温度の測定方法は、これ以外にも種々の
方法が存在しており、本発明はそのいかなる方法を用い
て温度測定してもよいことは明らかである。また、スピ
ンバルブＭＲ素子の使用環境温度が既知であり、その温
度が維持されるように構成されている場合（量産工程に
おいては、使用環境温度が一定に保たれることが多い）
には、環境温度の測定は不要である。その場合、図３の
回路構成において、ダミー抵抗３５及び切換スイッチ３
９は省略され、図５のフローチャートにおいてステップ
Ｓ２は省略される。
５によりスピンバルブＭＲ素子３１の環境温度を測定し
ているが、環境温度の測定方法は、これ以外にも種々の
方法が存在しており、本発明はそのいかなる方法を用い
て温度測定してもよいことは明らかである。また、スピ
ンバルブＭＲ素子の使用環境温度が既知であり、その温
度が維持されるように構成されている場合（量産工程に
おいては、使用環境温度が一定に保たれることが多い）
には、環境温度の測定は不要である。その場合、図３の
回路構成において、ダミー抵抗３５及び切換スイッチ３
９は省略され、図５のフローチャートにおいてステップ
Ｓ２は省略される。
【００４４】また、以上説明した実施形態では、複合型
磁気ヘッドの電磁変換特性の評価工程においてピンド方
向制御を行っているが、スピンバルブＭＲ素子のρ−Ｈ
特性の評価工程においてピンド方向制御を行ってもよい
ことは明らかである。その場合、図３の書き込み用イン
ダクティブ素子３０の代わりにヘルムホルツコイルが、
書き込み用のヘッドアンプ３２の代わりにヘルムホルツ
コイル用電源がそれぞれ設けられ、書き込みデータがヘ
ルムホルツコイルの交流磁界発生用の信号となる。
磁気ヘッドの電磁変換特性の評価工程においてピンド方
向制御を行っているが、スピンバルブＭＲ素子のρ−Ｈ
特性の評価工程においてピンド方向制御を行ってもよい
ことは明らかである。その場合、図３の書き込み用イン
ダクティブ素子３０の代わりにヘルムホルツコイルが、
書き込み用のヘッドアンプ３２の代わりにヘルムホルツ
コイル用電源がそれぞれ設けられ、書き込みデータがヘ
ルムホルツコイルの交流磁界発生用の信号となる。
【００４５】上述したように、本実施形態によるピンド
方向制御は、ウエハプロセスにおいてスピンバルブＭＲ
素子に接続される出力電極端子が形成された後、そのス
ピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドアセンブリがＨ
ＤＤ内に実装されて実際に動作するまでの間に実施され
る電磁変換特性の評価工程と共に行われている。しかし
ながら、本発明の磁気特性（ピンド方向）制御動作は、
電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程とは別個に行
ってもよい。即ち、スピンバルブＭＲ素子の磁気特性を
制御する必要がある場合であればいかなるときに実施し
てもよい。
方向制御は、ウエハプロセスにおいてスピンバルブＭＲ
素子に接続される出力電極端子が形成された後、そのス
ピンバルブＭＲ素子を備えた磁気ヘッドアセンブリがＨ
ＤＤ内に実装されて実際に動作するまでの間に実施され
る電磁変換特性の評価工程と共に行われている。しかし
ながら、本発明の磁気特性（ピンド方向）制御動作は、
電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程とは別個に行
ってもよい。即ち、スピンバルブＭＲ素子の磁気特性を
制御する必要がある場合であればいかなるときに実施し
てもよい。
【００４６】図８は、本発明のピンド方向制御動作を実
際にどの時点で実施するかという例を説明するフローチ
ャートである。同図におけるステップＳ１０は、基板上
に多数の磁気ヘッドを集積化技術で作成するウエハプロ
セスを示している。このウエハプロセスＳ１０が終了し
た後、従来行われていた磁気特性制御のための磁界中熱
処理工程に代えて、ステップＳ１１に示す本発明による
ピンド方向制御を実施する。これにより、磁界中熱処理
工程よりはるかに簡単な工程でピンド方向制御が可能と
なる。また、ウエハプロセスＳ１０が終了した後電磁変
換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程が実施される場合に
は、ステップＳ１２に示すように、電磁変換特性評価工
程中にピンド方向制御を実施してもよい。電磁変換特性
評価工程では、前述したように、各磁気ヘッドの電極端
子が評価装置に電気的に接続されているため、電流を流
すだけで済むこのようなピンド方向制御を非常に簡単に
実施することができる。
際にどの時点で実施するかという例を説明するフローチ
ャートである。同図におけるステップＳ１０は、基板上
に多数の磁気ヘッドを集積化技術で作成するウエハプロ
セスを示している。このウエハプロセスＳ１０が終了し
た後、従来行われていた磁気特性制御のための磁界中熱
処理工程に代えて、ステップＳ１１に示す本発明による
ピンド方向制御を実施する。これにより、磁界中熱処理
工程よりはるかに簡単な工程でピンド方向制御が可能と
なる。また、ウエハプロセスＳ１０が終了した後電磁変
換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程が実施される場合に
は、ステップＳ１２に示すように、電磁変換特性評価工
程中にピンド方向制御を実施してもよい。電磁変換特性
評価工程では、前述したように、各磁気ヘッドの電極端
子が評価装置に電気的に接続されているため、電流を流
すだけで済むこのようなピンド方向制御を非常に簡単に
実施することができる。
【００４７】次のステップＳ１３はウエハを磁気ヘッド
が一列に並ぶバーへの切断する工程、ステップＳ１４は
スロートハイト等の研磨工程、ステップＳ１５はＤＬＣ
（ダイアモンドライクカーボン）膜の成膜工程、ステッ
プＳ１６はレール形成工程をそれぞれ示している。この
レール形成工程Ｓ１６が終了した後、従来行われていた
磁気特性制御のための磁界中熱処理工程（ステップＳ１
０の後に磁気特性制御を行う場合には、ここでは磁気特
性制御を行わない）に代えて、ステップＳ１７に示す本
発明によるピンド方向制御を実施してもよいし、ステッ
プＳ１８に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工
程中にピンド方向制御を実施してもよい。
が一列に並ぶバーへの切断する工程、ステップＳ１４は
スロートハイト等の研磨工程、ステップＳ１５はＤＬＣ
（ダイアモンドライクカーボン）膜の成膜工程、ステッ
プＳ１６はレール形成工程をそれぞれ示している。この
レール形成工程Ｓ１６が終了した後、従来行われていた
磁気特性制御のための磁界中熱処理工程（ステップＳ１
０の後に磁気特性制御を行う場合には、ここでは磁気特
性制御を行わない）に代えて、ステップＳ１７に示す本
発明によるピンド方向制御を実施してもよいし、ステッ
プＳ１８に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工
程中にピンド方向制御を実施してもよい。
【００４８】次のステップＳ１９はバーから各磁気ヘッ
ドスライダに分離するピースへの切断工程である。この
ピースへの切断工程Ｓ１９が終了した後、ステップＳ２
０に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中に
ピンド方向制御を実施してもよい。次のステップＳ２１
は磁気ヘッドスライダをジンバルにアセンブリングする
ＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリ）加工工程である。
このＨＧＡ加工工程Ｓ２１が終了した後、ステップＳ２
２に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中に
ピンド方向制御を実施してもよい。
ドスライダに分離するピースへの切断工程である。この
ピースへの切断工程Ｓ１９が終了した後、ステップＳ２
０に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中に
ピンド方向制御を実施してもよい。次のステップＳ２１
は磁気ヘッドスライダをジンバルにアセンブリングする
ＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリ）加工工程である。
このＨＧＡ加工工程Ｓ２１が終了した後、ステップＳ２
２に示す電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工程中に
ピンド方向制御を実施してもよい。
【００４９】次のステップＳ２３は、磁気ヘッドアセン
ブリの最終的な電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工
程であり、この電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工
程Ｓ２３でピンド方向の変化による特性不良と評価され
た磁気ヘッドアセンブリについては、ステップＳ２４に
示す本発明によるピンド方向制御を実施して、本来のピ
ンド方向と同じ方向に磁界が発生するように直流電流を
流し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド
方向を本来の方向に復帰させる。
ブリの最終的な電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工
程であり、この電磁変換特性（又はρ−Ｈ特性）評価工
程Ｓ２３でピンド方向の変化による特性不良と評価され
た磁気ヘッドアセンブリについては、ステップＳ２４に
示す本発明によるピンド方向制御を実施して、本来のピ
ンド方向と同じ方向に磁界が発生するように直流電流を
流し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド
方向を本来の方向に復帰させる。
【００５０】次のステップＳ２５では、このようにして
製造された磁気ヘッドアセンブリをＨＤＤ内に実装する
工程である。このＨＤＤ内への実装工程Ｓ２５の後に、
必要に応じてステップＳ２６に示す本発明によるピンド
方向制御を実施してもよい。これにより、本来のピンド
方向と同じ方向に磁界が発生するように直流電流を流
し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド方
向を本来の方向に復帰させる。なお、以上述べた全ての
時点でピンド方向制御を行う必要はなく、最低限少なく
とも１つの時点でピンド方向制御を行えばよい。ただ
し、ピンド方向制御を行う時点が、製造工程、組立工程
の後の方であればあるほど、ピンド方向を正しい方向に
維持する確率が高くなるので好ましい。
製造された磁気ヘッドアセンブリをＨＤＤ内に実装する
工程である。このＨＤＤ内への実装工程Ｓ２５の後に、
必要に応じてステップＳ２６に示す本発明によるピンド
方向制御を実施してもよい。これにより、本来のピンド
方向と同じ方向に磁界が発生するように直流電流を流
し、その電流により発生する熱と磁界とによりピンド方
向を本来の方向に復帰させる。なお、以上述べた全ての
時点でピンド方向制御を行う必要はなく、最低限少なく
とも１つの時点でピンド方向制御を行えばよい。ただ
し、ピンド方向制御を行う時点が、製造工程、組立工程
の後の方であればあるほど、ピンド方向を正しい方向に
維持する確率が高くなるので好ましい。
【００５１】図９は、本発明による磁気ヘッドの磁気特
性制御方法の他の実施形態の概略構成を示すブロック図
である。この実施形態は、磁気ヘッドアセンブリがＨＤ
Ｄ内に実装された後、実際に使用する際に定期的に磁気
特性（ピンド方向）を制御する場合である。即ち、磁気
ヘッドアセンブリがＨＤＤ内に組み込まれた実際の使用
状態においても、何らかのダメージによってスピンバル
ブＭＲ素子のピンド方向が変化する可能性がある。その
ようなスピンバルブＭＲ素子は、特性が本来の状態に比
して劣化してしまう。そこで本実施形態では、ＨＤＤの
電源を投入した際の自己診断中に、本来のピンド方向と
同じ方向に磁界が発生するように直流電流を流す処理を
付加し、その電流により発生する熱と磁界とによりピン
ド方向を本来の方向に復帰させるものである。
性制御方法の他の実施形態の概略構成を示すブロック図
である。この実施形態は、磁気ヘッドアセンブリがＨＤ
Ｄ内に実装された後、実際に使用する際に定期的に磁気
特性（ピンド方向）を制御する場合である。即ち、磁気
ヘッドアセンブリがＨＤＤ内に組み込まれた実際の使用
状態においても、何らかのダメージによってスピンバル
ブＭＲ素子のピンド方向が変化する可能性がある。その
ようなスピンバルブＭＲ素子は、特性が本来の状態に比
して劣化してしまう。そこで本実施形態では、ＨＤＤの
電源を投入した際の自己診断中に、本来のピンド方向と
同じ方向に磁界が発生するように直流電流を流す処理を
付加し、その電流により発生する熱と磁界とによりピン
ド方向を本来の方向に復帰させるものである。
【００５２】図９において、９０は磁気ディスク、９１
は磁気ディスク駆動用のスピンドルモータ、９２ａ、９
２ｂ及び９２ｃは実装された磁気ヘッドアセンブリ、９
３は磁気ヘッドの近傍に又は磁気ヘッドに接触して配置
された温度測定用ダミー抵抗、９４はこれら磁気ヘッド
アセンブリ及びダミー抵抗が取り付けられた駆動アーム
を駆動するボイスコイルモータをそれぞれ示している。
磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、９２ｂ及び９２ｃはリー
ド／ライトＩＣ９５の各チャネルに電気的に接続されて
おり、この例ではダミー抵抗９３もその１つのチャネル
に電気的に接続されている。本実施形態において、リー
ド／ライトＩＣ９５は、磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、
９２ｂ及び９２ｃへアシスト方向の直流電流（センス電
流）が流せるように構成されている。リード／ライトＩ
Ｃ９５がアゲインスト方向のセンス電流を流すように構
成されている場合は、アシスト方向の直流電流を流すた
めの構成が必要となる。なお、アシスト方向の電流と
は、スピンバルブＭＲ素子に電流を流した場合、その電
流がつくる磁界によって正しいピンド方向へのピンニン
グが強められるような方向に流れる電流を意味してお
り、アゲインスト方向の電流とは、その電流がつくる磁
界によってピンド方向が反転してしまう方向に流れる電
流を意味している。また、ダミー抵抗９３は、本実施形
態のようにリード／ライトＩＣ９５の１つのチャネルに
接続する必要は必ずしもなく、同様の動作が行えるよう
に他の接続形態をとってよいことは明らかである。
は磁気ディスク駆動用のスピンドルモータ、９２ａ、９
２ｂ及び９２ｃは実装された磁気ヘッドアセンブリ、９
３は磁気ヘッドの近傍に又は磁気ヘッドに接触して配置
された温度測定用ダミー抵抗、９４はこれら磁気ヘッド
アセンブリ及びダミー抵抗が取り付けられた駆動アーム
を駆動するボイスコイルモータをそれぞれ示している。
磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、９２ｂ及び９２ｃはリー
ド／ライトＩＣ９５の各チャネルに電気的に接続されて
おり、この例ではダミー抵抗９３もその１つのチャネル
に電気的に接続されている。本実施形態において、リー
ド／ライトＩＣ９５は、磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、
９２ｂ及び９２ｃへアシスト方向の直流電流（センス電
流）が流せるように構成されている。リード／ライトＩ
Ｃ９５がアゲインスト方向のセンス電流を流すように構
成されている場合は、アシスト方向の直流電流を流すた
めの構成が必要となる。なお、アシスト方向の電流と
は、スピンバルブＭＲ素子に電流を流した場合、その電
流がつくる磁界によって正しいピンド方向へのピンニン
グが強められるような方向に流れる電流を意味してお
り、アゲインスト方向の電流とは、その電流がつくる磁
界によってピンド方向が反転してしまう方向に流れる電
流を意味している。また、ダミー抵抗９３は、本実施形
態のようにリード／ライトＩＣ９５の１つのチャネルに
接続する必要は必ずしもなく、同様の動作が行えるよう
に他の接続形態をとってよいことは明らかである。
【００５３】図９において、さらに、９６はリードチャ
ネルＩＣ、９７はＨＤＤコントローラ、９８はデータバ
ス、９９はＲＡＭ、１００はマイクロプロセッサ、１０
１はＩＣサーボタイミング回路、１０２はヘッド位置／
モータ速度制御ＩＣをそれぞれ示している。ダミー抵抗
９３を設けたこと、磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、９２
ｂ及び９２ｃへアシスト方向の直流電流が流せるように
構成されていること、並びにマイクロプロセッサ１００
内のソフトウエア構成が異なる点を除いて、このＨＤＤ
の構成及び動作は公知である。
ネルＩＣ、９７はＨＤＤコントローラ、９８はデータバ
ス、９９はＲＡＭ、１００はマイクロプロセッサ、１０
１はＩＣサーボタイミング回路、１０２はヘッド位置／
モータ速度制御ＩＣをそれぞれ示している。ダミー抵抗
９３を設けたこと、磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、９２
ｂ及び９２ｃへアシスト方向の直流電流が流せるように
構成されていること、並びにマイクロプロセッサ１００
内のソフトウエア構成が異なる点を除いて、このＨＤＤ
の構成及び動作は公知である。
【００５４】本実施形態においては、ＨＤＤの電源が投
入され、その起動時の自己診断の途中で、図５に示した
ものと同様の流れでピンド方向制御を行う。即ち、ま
ず、磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、９２ｂ及び９２ｃの
各々のスピンバルブＭＲ素子の基準抵抗ＲREF を測定す
る。この測定は、センス電流として１ｍＡの基準電流Ｉ
REF を各スピンバルブＭＲ素子に供給し、その端子電圧
を検出することによって求める。次いで、スピンバルブ
ＭＲ素子の環境温度ＴREF を測定する。これは、１ｍＡ
の基準電流ＩREF をダミー抵抗９３に供給し、その端子
電圧を検出することによって求める。次いで、各スピン
バルブＭＲ素子の温度上昇量ΔＴを設定する。温度上昇
量ΔＴは、スピンバルブＭＲ素子の加熱すべき温度Ｔと
環境温度ＴREF との差であるから、ピンド方向を制御す
るためにこのスピンバルブＭＲ素子の加熱すべき温度Ｔ
を設定しておけば、測定した環境温度ＴREF から容易に
求めることができる。その後、各スピンバルブＭＲ素子
に流すべき直流電流値ＩCAを、設定したΔＴ及び測定し
たＲREF から、図３の実施形態の場合と同様の関係式Δ
Ｔ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋１．
０８４５を用いて算出する。次いで、算出した直流電流
ＩCAを各スピンバルブＭＲ素子に所定時間（約１秒）通
電した後、図３の実施形態の場合と同様に冷却する。な
お、ＨＤＤ内では、磁気ヘッドの環境温度がかなり高く
なるため、通電量ＩCAを計算する際に測定した環境温度
を考慮することは非常に有効である。
入され、その起動時の自己診断の途中で、図５に示した
ものと同様の流れでピンド方向制御を行う。即ち、ま
ず、磁気ヘッドアセンブリ９２ａ、９２ｂ及び９２ｃの
各々のスピンバルブＭＲ素子の基準抵抗ＲREF を測定す
る。この測定は、センス電流として１ｍＡの基準電流Ｉ
REF を各スピンバルブＭＲ素子に供給し、その端子電圧
を検出することによって求める。次いで、スピンバルブ
ＭＲ素子の環境温度ＴREF を測定する。これは、１ｍＡ
の基準電流ＩREF をダミー抵抗９３に供給し、その端子
電圧を検出することによって求める。次いで、各スピン
バルブＭＲ素子の温度上昇量ΔＴを設定する。温度上昇
量ΔＴは、スピンバルブＭＲ素子の加熱すべき温度Ｔと
環境温度ＴREF との差であるから、ピンド方向を制御す
るためにこのスピンバルブＭＲ素子の加熱すべき温度Ｔ
を設定しておけば、測定した環境温度ＴREF から容易に
求めることができる。その後、各スピンバルブＭＲ素子
に流すべき直流電流値ＩCAを、設定したΔＴ及び測定し
たＲREF から、図３の実施形態の場合と同様の関係式Δ
Ｔ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋１．
０８４５を用いて算出する。次いで、算出した直流電流
ＩCAを各スピンバルブＭＲ素子に所定時間（約１秒）通
電した後、図３の実施形態の場合と同様に冷却する。な
お、ＨＤＤ内では、磁気ヘッドの環境温度がかなり高く
なるため、通電量ＩCAを計算する際に測定した環境温度
を考慮することは非常に有効である。
【００５５】本実施形態では、ＨＤＤの電源が投入され
た際の自己診断中でのみ、ピンド方向制御を行ってい
る。ＨＤＤがアシスト方向のセンス電流を流すように構
成されている場合は、起動後のＨＤＤの動作中はスピン
バルブＭＲ素子にアシスト方向の僅かな電流が常に流れ
ているのでピンド方向の反転が起こりにくいからこれは
特に有効である。このようにＨＤＤの起動時のみなら
ず、ＨＤＤの動作中又はＨＤＤの電源を切断する際に同
様のピンド方向制御を行ってもよいことは明らかであ
る。
た際の自己診断中でのみ、ピンド方向制御を行ってい
る。ＨＤＤがアシスト方向のセンス電流を流すように構
成されている場合は、起動後のＨＤＤの動作中はスピン
バルブＭＲ素子にアシスト方向の僅かな電流が常に流れ
ているのでピンド方向の反転が起こりにくいからこれは
特に有効である。このようにＨＤＤの起動時のみなら
ず、ＨＤＤの動作中又はＨＤＤの電源を切断する際に同
様のピンド方向制御を行ってもよいことは明らかであ
る。
【００５６】以上述べた実施例は全て本発明を例示的に
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
【００５７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、スピンバルブＭＲ素子に直流電流を通電すること
のみによって、交換結合のための加熱処理及び磁化処理
を同時に行うという、全く新規な磁気特性制御方法が提
供される。スピンバルブＭＲ素子にそのセンス電流と同
じ手法で直流電流を通電するだけでよいので、新たな工
程を付加することなく極めて容易に行うことができるの
みならず、磁気ヘッドを各単体に分離した後であって
も、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の制御を極めて
容易にかつ確実に行うことができる。その結果、従来は
不良品として扱われていた各単体に分離した後の磁気ヘ
ッドについても、ピンド方向を正常な方向に復帰させて
良品とすることができる。この制御は、磁気ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んだ後のドライブ動作中におい
ても実施することができ、その場合には、スピンバルブ
ＭＲ素子のピンド方向を常に正しい状態に維持すること
ができる。
れば、スピンバルブＭＲ素子に直流電流を通電すること
のみによって、交換結合のための加熱処理及び磁化処理
を同時に行うという、全く新規な磁気特性制御方法が提
供される。スピンバルブＭＲ素子にそのセンス電流と同
じ手法で直流電流を通電するだけでよいので、新たな工
程を付加することなく極めて容易に行うことができるの
みならず、磁気ヘッドを各単体に分離した後であって
も、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の制御を極めて
容易にかつ確実に行うことができる。その結果、従来は
不良品として扱われていた各単体に分離した後の磁気ヘ
ッドについても、ピンド方向を正常な方向に復帰させて
良品とすることができる。この制御は、磁気ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んだ後のドライブ動作中におい
ても実施することができ、その場合には、スピンバルブ
ＭＲ素子のピンド方向を常に正しい状態に維持すること
ができる。
【図１】スピンバルブ積層体の基本構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】スピンバルブ積層体のピンド方向の制御原理を
説明する図である。
説明する図である。
【図３】本発明による磁気ヘッドの磁気特性制御方法の
一実施形態の概略構成を示すブロック図である。
一実施形態の概略構成を示すブロック図である。
【図４】通電量ＩCAと温度上昇量ΔＴとの関係を求めた
実験結果を示す図である。
実験結果を示す図である。
【図５】図３の実施形態における磁気特性制御の流れの
一例を示すフローチャートである。
一例を示すフローチャートである。
【図６】スピンバルブＭＲ素子の温度とその温度への加
熱処理によって出力電圧が最大となったサンプルの数と
の関係を示す図である。
熱処理によって出力電圧が最大となったサンプルの数と
の関係を示す図である。
【図７】通電時間とスピンバルブＭＲ素子の温度との関
係をシミュレーションで求めた特性図である。
係をシミュレーションで求めた特性図である。
【図８】本発明のピンド方向制御動作を実際にどの時点
で実施するかの例を説明するフローチャートである。
で実施するかの例を説明するフローチャートである。
【図９】本発明による磁気ヘッドの磁気特性制御方法の
他の実施形態の概略構成を示すブロック図である。
他の実施形態の概略構成を示すブロック図である。
１０、１２ 強磁性薄膜層 １１ 非磁性金属層 １３ 反強磁性薄膜層 ３０ 書き込み用インダクティブ素子 ３１ 読み出し用スピンバルブＭＲ素子 ３２、３３ ヘッドアンプ ３４ 測定部 ３５、９３ ダミー抵抗 ３６ 電圧検出回路 ３７ Ａ／Ｄ変換器 ３８ 制御回路 ３９ 切換スイッチ ４０ 定電流源 ９０ 磁気ディスク ９１ スピンドルモータ ９２ａ、９２ｂ、９２ｃ 磁気ヘッドアセンブリ ９４ ボイスコイルモータ ９５ リード／ライトＩＣ ９６ リードチャネルＩＣ ９７ ＨＤＤコントローラ ９８ データバス ９９ ＲＡＭ １００ マイクロプロセッサ １０１ ＩＣサーボタイミング回路 １０２ ヘッド位置／モータ速度制御ＩＣ
Claims (14)
- 【請求項１】 スピンバルブ磁気抵抗素子に対して、所
定方向に磁界が発生するように直流電流を通電し、該発
生する磁界と該電流により発生するジュール熱とによっ
て該スピンバルブ磁気抵抗素子の交換結合による磁化方
向を制御することを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗素
子の磁気特性制御方法。 - 【請求項２】 非磁性金属層、該非磁性金属層により磁
気的に分離された第１及び第２の強磁性薄膜層、並びに
該第２の強磁性薄膜層に積層された反強磁性薄膜層を含
むスピンバルブ磁気抵抗素子に直流電流を通電し、該電
流により発生するジュール熱によって前記反強磁性薄膜
層をネール温度以上に加熱すると共に該電流により発生
する磁界によって前記第２の強磁性薄膜層を所定方向に
磁化すると共に前記反強磁性薄膜層に磁界を印加するこ
とを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制
御方法。 - 【請求項３】 前記加熱及び磁化の後、通電される前記
直流電流の値を所定時間低減させて前記スピンバルブ磁
気抵抗素子を冷却することを特徴とする請求項１又は２
に記載の方法。 - 【請求項４】 前記加熱及び磁化の後、前記直流電流の
通電を停止させて前記スピンバルブ磁気抵抗素子を冷却
することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記直流電流が、前記スピンバルブ磁気
抵抗素子のセンス電流端子から通電されることを特徴と
する請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 前記直流電流の通電時間が、あらかじめ
定められた一定時間であることを特徴とする請求項１か
ら５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 通電される前記直流電流の値が、前記ス
ピンバルブ磁気抵抗素子の抵抗値に応じて決定されるこ
とを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項８】 前記スピンバルブ磁気抵抗素子に基準電
流値（ＩREF ）を通電した際の該スピンバルブ磁気抵抗
素子の抵抗値（ＲREF ）を測定し、通電される前記直流
電流の値が、該測定した抵抗値（ＲREF ）に応じて決定
されることを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 通電される前記直流電流の値が、前記ス
ピンバルブ磁気抵抗素子に基準電流値（ＩREF ）を通電
した際の該スピンバルブ磁気抵抗素子の温度（ＴREF ）
と、該スピンバルブ磁気抵抗素子の加熱すべき温度
（Ｔ）と、前記測定した抵抗値（ＲREF ）とに応じて決
定されることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 通電される前記直流電流の値ＩCAが、
基準電流値（ＩREF）を通電した際の該スピンバルブ磁
気抵抗素子の温度（ＴREF ）と該スピンバルブ磁気抵抗
素子の加熱すべき温度（Ｔ）との差をΔＴ（＝Ｔ−Ｔ
REF ）とし、前記測定した抵抗値をＲREF とすると、 ΔＴ＝１．９４６９×１０-4×（ＩCA・ＲREF ）2 ＋
１．０８４５ で表わされる実験式から決定されることを特徴とする請
求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 請求項１から１０のいずれか１項に記
載の方法によってスピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性
を制御することを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗素子
を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法。 - 【請求項１２】 前記磁気特性の制御を、前記磁気ヘッ
ドの製造工程中、又は該磁気ヘッドの特性評価工程中に
少なくとも１回行うことを特徴とする請求項１１に記載
の方法。 - 【請求項１３】 前記磁気特性の制御を、前記磁気ヘッ
ドの製造工程後の磁気ディスク装置組立工程中、又は該
磁気ディスク装置の特性評価工程中に少なくとも１回行
うことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記磁気特性の制御を、前記磁気ヘッ
ドを用いた磁気ディスク装置の電源を投入した際の自己
診断中に少なくとも１回行うことを特徴とする請求項１
１から１３のいずれか１項に記載の方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9060180A JPH10241124A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | スピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方法及び該素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法 |
| US09/027,773 US6123781A (en) | 1997-02-28 | 1998-02-23 | Method of controlling magnetic characteristics of spin-valve magnetoresistive element and of magnetic head with the element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060180A JPH10241124A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | スピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方法及び該素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241124A true JPH10241124A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=13134712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9060180A Pending JPH10241124A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | スピンバルブ磁気抵抗素子の磁気特性制御方法及び該素子を備えた磁気ヘッドの磁気特性制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH10241124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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