JPH1184405A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH1184405A JPH1184405A JP24926797A JP24926797A JPH1184405A JP H1184405 A JPH1184405 A JP H1184405A JP 24926797 A JP24926797 A JP 24926797A JP 24926797 A JP24926797 A JP 24926797A JP H1184405 A JPH1184405 A JP H1184405A
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- electrode
- slit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 双安定性を有しマルチプレクシング駆動する
液晶素子において、画素間隙から成長する逆ドメインに
よる駆動マージンの低下を防止する。 【解決手段】 配向制御膜に施した一軸配向処理方向に
先に交差する情報電極２１のエッジ近傍に、該エッジに
沿ってスリット２２を形成する。
液晶素子において、画素間隙から成長する逆ドメインに
よる駆動マージンの低下を防止する。 【解決手段】 配向制御膜に施した一軸配向処理方向に
先に交差する情報電極２１のエッジ近傍に、該エッジに
沿ってスリット２２を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、マトリクス型電極
を備えた液晶素子に関し、特に双安定性を利用した液晶
素子に関する。
を備えた液晶素子に関し、特に双安定性を利用した液晶
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光
素子との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示
素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォル（Ｌａ
ｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（米国特許第４
３６７９３４号明細書、米国特許第４６３９０８９号明
細書等）。この表示素子で用いられる液晶は、一般に特
定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、上記素子は、この
状態において、加えられる電界に応答して第１の光学的
安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかをとり、且
つ電界の印加のない時はその状態を維持する性質、即ち
双安定性を有し、また、電界の変化に対する応答も速や
かである。従って、その表示素子は、高速並びに記憶型
の表示素子としての広い利用が期待されている。
素子との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示
素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォル（Ｌａ
ｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（米国特許第４
３６７９３４号明細書、米国特許第４６３９０８９号明
細書等）。この表示素子で用いられる液晶は、一般に特
定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、上記素子は、この
状態において、加えられる電界に応答して第１の光学的
安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかをとり、且
つ電界の印加のない時はその状態を維持する性質、即ち
双安定性を有し、また、電界の変化に対する応答も速や
かである。従って、その表示素子は、高速並びに記憶型
の表示素子としての広い利用が期待されている。
【０００３】上記表示素子は、走査電極と情報電極とで
構成したマトリクス電極間に液晶を保持し、走査電極に
は順次走査信号を印加し、該走査信号と同期して情報電
極には情報信号を印加するマルチプレクシング駆動によ
って駆動する。
構成したマトリクス電極間に液晶を保持し、走査電極に
は順次走査信号を印加し、該走査信号と同期して情報電
極には情報信号を印加するマルチプレクシング駆動によ
って駆動する。
【０００４】上記表示素子に用いられる液晶は、強誘電
性を有するカイラルスメクチック液晶であるが、セル厚
に対するヘリカルピッチを調整したカイラルネマチック
液晶素子も双安定性を示し、同様にマルチプレクシング
駆動を行うことができる。
性を有するカイラルスメクチック液晶であるが、セル厚
に対するヘリカルピッチを調整したカイラルネマチック
液晶素子も双安定性を示し、同様にマルチプレクシング
駆動を行うことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記双安定性を利用し
た液晶素子においてマルチプレクシング駆動を行った場
合、画素内のスイッチングは良好であるが、隣接する画
素間隙の液晶分子はある条件下でその配列が動いてしま
い、結果的に分子配列が不揃いになる、或いは、もとも
と不揃いに配向されていることにより、表示画面上にざ
らつきや特定のパターンが残るなどの問題を有してい
た。
た液晶素子においてマルチプレクシング駆動を行った場
合、画素内のスイッチングは良好であるが、隣接する画
素間隙の液晶分子はある条件下でその配列が動いてしま
い、結果的に分子配列が不揃いになる、或いは、もとも
と不揃いに配向されていることにより、表示画面上にざ
らつきや特定のパターンが残るなどの問題を有してい
た。
【０００６】このような問題に関しては、カラーフィル
タの各色フィルタ間を遮光するブラックマトリクス（遮
光膜）や、走査電極及び情報電極に形成される金属補助
配線で画素間隙を遮光することで対応することが可能で
ある。
タの各色フィルタ間を遮光するブラックマトリクス（遮
光膜）や、走査電極及び情報電極に形成される金属補助
配線で画素間隙を遮光することで対応することが可能で
ある。
【０００７】しかしながら、さらなる課題として、画素
内の光学的安定状態が、液晶の種類によっては当該画素
の非選択期間（非書込み期間）の間保持できなくなると
いう問題があった。
内の光学的安定状態が、液晶の種類によっては当該画素
の非選択期間（非書込み期間）の間保持できなくなると
いう問題があった。
【０００８】図１に一般的な強誘電性液晶素子の駆動波
形を示す。本図は任意の走査電極の画素に印加される駆
動波形を示し、図中（ａ）は走査信号波形、（ｂ）は白
書込みの情報信号、（ｃ）は黒書込みの情報信号、
（ｄ）は白表示画素に印加される信号波形〔（ａ）と
（ｂ）の合成波形〕、（ｅ）は黒表示画素に印加される
信号波形〔（ａ）と（ｃ）の合成波形〕である。尚、点
線は基準電位であり、ここでは非走査信号（非選択期間
中の走査信号）である。
形を示す。本図は任意の走査電極の画素に印加される駆
動波形を示し、図中（ａ）は走査信号波形、（ｂ）は白
書込みの情報信号、（ｃ）は黒書込みの情報信号、
（ｄ）は白表示画素に印加される信号波形〔（ａ）と
（ｂ）の合成波形〕、（ｅ）は黒表示画素に印加される
信号波形〔（ａ）と（ｃ）の合成波形〕である。尚、点
線は基準電位であり、ここでは非走査信号（非選択期間
中の走査信号）である。
【０００９】マルチプレクシング駆動においては、選択
期間において走査電極には走査選択信号を、情報電極に
は白（或いは黒）書込み情報信号を印加し、これらの合
成波形を画素の液晶に印加することによって、液晶分子
を第１或いは第２の光学的安定状態にスイッチングさせ
る。この状態で異なる極性の電界が全くかからなければ
次の選択時まで上記光学的安定状態が保持される（即ち
双安定性）。
期間において走査電極には走査選択信号を、情報電極に
は白（或いは黒）書込み情報信号を印加し、これらの合
成波形を画素の液晶に印加することによって、液晶分子
を第１或いは第２の光学的安定状態にスイッチングさせ
る。この状態で異なる極性の電界が全くかからなければ
次の選択時まで上記光学的安定状態が保持される（即ち
双安定性）。
【００１０】しかしながら、情報電極には順次次行の選
択画素への情報信号が印加されるため、図１の（ｄ）及
び（ｅ）に示されるように、非選択期間においても、画
素には信号が印加される。当該信号の印加により液晶分
子は振動し、動き易い状態となっている。この振動自体
は視認できず、表示上は全く問題がないが、動き易い状
態となっている液晶分子が、画素間隙の液晶の分子配列
の影響を受けて反転してしまうという現象が生じる。当
該現象を図９〜図１１により説明する。
択画素への情報信号が印加されるため、図１の（ｄ）及
び（ｅ）に示されるように、非選択期間においても、画
素には信号が印加される。当該信号の印加により液晶分
子は振動し、動き易い状態となっている。この振動自体
は視認できず、表示上は全く問題がないが、動き易い状
態となっている液晶分子が、画素間隙の液晶の分子配列
の影響を受けて反転してしまうという現象が生じる。当
該現象を図９〜図１１により説明する。
【００１１】マルチプレクシング駆動を行う素子のマト
リクス電極は図９に示すように構成されている。即ち、
一方の基板にはストライプ状の複数の走査電極２３を、
他方の基板にはストライプ状の複数の情報電極２１をそ
れぞれ間隙３１を介して形成し、これら電極が互いに交
差するように基板を貼り合わせて該電極間に液晶を保持
している。図１０は上記構成により白表示を行った場合
の、図１１は黒表示を行った場合の、それぞれの表示状
態を示した図である。それぞれ（ａ）は選択期間、
（ｂ）は非選択期間を示す。
リクス電極は図９に示すように構成されている。即ち、
一方の基板にはストライプ状の複数の走査電極２３を、
他方の基板にはストライプ状の複数の情報電極２１をそ
れぞれ間隙３１を介して形成し、これら電極が互いに交
差するように基板を貼り合わせて該電極間に液晶を保持
している。図１０は上記構成により白表示を行った場合
の、図１１は黒表示を行った場合の、それぞれの表示状
態を示した図である。それぞれ（ａ）は選択期間、
（ｂ）は非選択期間を示す。
【００１２】図１０（ａ）に示されるように、白表示を
行った場合にも、反転した黒ドメイン３２が画素間隙３
１に存在し、この黒ドメインが非選択期間に画素内に成
長し（ｂ）、透過率を低下させる。一方、黒表示を行っ
た場合には、図１１（ａ）に示されるように、反転した
白ドメイン４２が電極間隙（画素間隙）３１に存在し、
同様に非選択期間に画素内に成長する。その結果、駆動
マージンが低下するという駆動上の問題を生じてしま
う。この画素間隙３１に発生した逆ドメインの画素内へ
の成長は、基板上に形成した配向制御膜に施された一軸
配向処理方向に沿って進行することがわかっている。
行った場合にも、反転した黒ドメイン３２が画素間隙３
１に存在し、この黒ドメインが非選択期間に画素内に成
長し（ｂ）、透過率を低下させる。一方、黒表示を行っ
た場合には、図１１（ａ）に示されるように、反転した
白ドメイン４２が電極間隙（画素間隙）３１に存在し、
同様に非選択期間に画素内に成長する。その結果、駆動
マージンが低下するという駆動上の問題を生じてしま
う。この画素間隙３１に発生した逆ドメインの画素内へ
の成長は、基板上に形成した配向制御膜に施された一軸
配向処理方向に沿って進行することがわかっている。
【００１３】また、上記逆ドメインの成長現象は、前記
したカイラルネマチック液晶素子の駆動時にも発生し、
問題となっている。
したカイラルネマチック液晶素子の駆動時にも発生し、
問題となっている。
【００１４】本発明の目的は、上記した双安定性を利用
したマルチプレクシング駆動の液晶素子において、画素
間隙に発生した逆ドメインの画素内への成長を抑制し、
これによる駆動マージンの低下を防止することにある。
したマルチプレクシング駆動の液晶素子において、画素
間隙に発生した逆ドメインの画素内への成長を抑制し、
これによる駆動マージンの低下を防止することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ストライプ状
の走査電極と情報電極からなるマトリクス電極を有する
一対の基板間に液晶を挟持してなる単純マトリクス型の
液晶素子であって、上記液晶素子が双安定性を示し、上
記電極の少なくとも一方の電極のエッジの少なくとも一
方の近傍に、該エッジに沿って、液晶に電界を印加しな
い領域を設けたことを特徴とする液晶素子である。
の走査電極と情報電極からなるマトリクス電極を有する
一対の基板間に液晶を挟持してなる単純マトリクス型の
液晶素子であって、上記液晶素子が双安定性を示し、上
記電極の少なくとも一方の電極のエッジの少なくとも一
方の近傍に、該エッジに沿って、液晶に電界を印加しな
い領域を設けたことを特徴とする液晶素子である。
【００１６】本発明は、双安定性を示すカイラルスメク
チック液晶やカイラルネマチック液晶をマルチプレクシ
ング駆動する液晶素子において、液晶に電界を印加しな
い領域を電極に設けることにより、非選択期間に実質画
素に電界が印加されない領域を液晶内に形成し、該領域
において、画素間隙より成長してきた逆ドメインの成長
を遮断し、その影響を抑制するものである。
チック液晶やカイラルネマチック液晶をマルチプレクシ
ング駆動する液晶素子において、液晶に電界を印加しな
い領域を電極に設けることにより、非選択期間に実質画
素に電界が印加されない領域を液晶内に形成し、該領域
において、画素間隙より成長してきた逆ドメインの成長
を遮断し、その影響を抑制するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】図３に本発明の液晶素子の一実施
形態の電極構造を示す。図３（ａ）は上面図で、（ｂ）
は情報電極側の基板断面図である。
形態の電極構造を示す。図３（ａ）は上面図で、（ｂ）
は情報電極側の基板断面図である。
【００１８】図中、２１は情報電極、２３は走査電極、
２２はスリット、２５は基板、２６はショート防止層、
２７は配向制御膜、２５は配向制御膜２７に施された一
軸配向処理の方向、３１は電極間隙である。
２２はスリット、２５は基板、２６はショート防止層、
２７は配向制御膜、２５は配向制御膜２７に施された一
軸配向処理の方向、３１は電極間隙である。
【００１９】本発明において、上記電極２２、２３、基
板２５、ショート防止層２６、配向制御膜２７の素材や
厚み、製法は従来の液晶素子のものをそのまま適用する
ことができる。
板２５、ショート防止層２６、配向制御膜２７の素材や
厚み、製法は従来の液晶素子のものをそのまま適用する
ことができる。
【００２０】本発明の特徴は、液晶に電界を印加しない
領域を電極に設けたことにあり、当該領域の好ましい形
態は、図１に示したスリット２２である。スリット２２
の内側に位置する液晶にはいずれの場合も電界が印加さ
れないが、スリット２２の幅を４μｍ以下で形成してお
くと、選択期間における書込みの際に、スリットの両側
の液晶分子の影響や漏れ電界によってスリット内の液晶
分子も追従して良好にスイッチングするため好ましい。
領域を電極に設けたことにあり、当該領域の好ましい形
態は、図１に示したスリット２２である。スリット２２
の内側に位置する液晶にはいずれの場合も電界が印加さ
れないが、スリット２２の幅を４μｍ以下で形成してお
くと、選択期間における書込みの際に、スリットの両側
の液晶分子の影響や漏れ電界によってスリット内の液晶
分子も追従して良好にスイッチングするため好ましい。
【００２１】図３及び図４に本実施形態における表示状
態を示す。図３は白書込み画素、図４は黒書込み画素を
示し、いずれも（ａ）は選択期間、（ｂ）は非選択期間
を示す。
態を示す。図３は白書込み画素、図４は黒書込み画素を
示し、いずれも（ａ）は選択期間、（ｂ）は非選択期間
を示す。
【００２２】本実施形態において、スリット２２の内側
に位置する液晶には電界が印加されない。しかしなが
ら、上記したように、当該スリットを画素内で充分に狭
く形成しておけば、選択期間においてスリット２２の両
側の液晶分子の影響や漏れ電界によって所望の安定状態
にスイッチングする（ａ）。次に、非選択期間に情報電
極２１には情報信号が印加され、情報電極２１と走査電
極２３に挟まれた領域の液晶には電界が印加され、電極
間隙３１に存在した逆ドメイン（３２，４２）が画素内
に成長してくるが、スリット２２の内側には電界が印加
されていないため、当該領域の液晶分子は振動しておら
ず、電極に挟持された領域の液晶分子に比較して動きに
くいため、スリット２２において上記逆ドメインの成長
が止まり、これ以上の液晶分子の反転が防止される。
に位置する液晶には電界が印加されない。しかしなが
ら、上記したように、当該スリットを画素内で充分に狭
く形成しておけば、選択期間においてスリット２２の両
側の液晶分子の影響や漏れ電界によって所望の安定状態
にスイッチングする（ａ）。次に、非選択期間に情報電
極２１には情報信号が印加され、情報電極２１と走査電
極２３に挟まれた領域の液晶には電界が印加され、電極
間隙３１に存在した逆ドメイン（３２，４２）が画素内
に成長してくるが、スリット２２の内側には電界が印加
されていないため、当該領域の液晶分子は振動しておら
ず、電極に挟持された領域の液晶分子に比較して動きに
くいため、スリット２２において上記逆ドメインの成長
が止まり、これ以上の液晶分子の反転が防止される。
【００２３】本発明において、当該スリット２２の作用
は逆ドメインの成長を遮断することにあるため、なるべ
く電極エッジに近い位置に形成することが好ましく、エ
ッジより２０μｍ以内に設けることが望ましい。
は逆ドメインの成長を遮断することにあるため、なるべ
く電極エッジに近い位置に形成することが好ましく、エ
ッジより２０μｍ以内に設けることが望ましい。
【００２４】また、前記した通り、上記逆ドメインの成
長は一軸配向処理方向に沿って進行するため、図３、４
に２４で示すように走査電極２３に平行に一軸配向処理
を施した場合には、該一軸配向処理方向２４に交差する
情報電極２１の、先に該一軸配向処理方向２４と交差す
るエッジ側にスリット２２を形成するのが好ましい。従
って、一軸配向処理方向が情報電極２１、走査電極２３
のいずれにも交差している場合には、図５に示すように
それぞれにスリット２２、５１を、また、上下配向制御
膜で反平行に処理されているような場合には、図６に示
すようにエッジの両側にスリット２２ａ、２２ｂ、５１
ａ、５１ｂをそれぞれ形成すれば良い。
長は一軸配向処理方向に沿って進行するため、図３、４
に２４で示すように走査電極２３に平行に一軸配向処理
を施した場合には、該一軸配向処理方向２４に交差する
情報電極２１の、先に該一軸配向処理方向２４と交差す
るエッジ側にスリット２２を形成するのが好ましい。従
って、一軸配向処理方向が情報電極２１、走査電極２３
のいずれにも交差している場合には、図５に示すように
それぞれにスリット２２、５１を、また、上下配向制御
膜で反平行に処理されているような場合には、図６に示
すようにエッジの両側にスリット２２ａ、２２ｂ、５１
ａ、５１ｂをそれぞれ形成すれば良い。
【００２５】また、一軸配向処理方向とは交差していな
くても、他の要因によって一軸配向処理方向とは関係な
く成長する逆ドメインを抑制するために、スリットを形
成しても構わない。
くても、他の要因によって一軸配向処理方向とは関係な
く成長する逆ドメインを抑制するために、スリットを形
成しても構わない。
【００２６】また本発明においては、図７に示されるよ
うに、電極の低抵抗化のために設けた金属電極７１内に
スリット２２ａ，２２ｂを設ける形態も好ましい。
うに、電極の低抵抗化のために設けた金属電極７１内に
スリット２２ａ，２２ｂを設ける形態も好ましい。
【００２７】本発明の液晶素子において、電極間隙に発
生する逆ドメインは表示上好ましくないため、遮光膜等
により遮光して表示に影響を与えないようにすることが
好ましい。図８はカラー表示の液晶素子に本発明を適用
した場合の断面図であり、図中２５ａ，２５ｂは基板、
２７ａ，２７ｂは配向制御膜、８１はカラーフィルタ、
８２は遮光膜、８３は平坦化層、８４は封止材、８５は
液晶である。本実施形態では、遮光膜８２により、表示
に不適な画素間隙及びスリットを遮光している。
生する逆ドメインは表示上好ましくないため、遮光膜等
により遮光して表示に影響を与えないようにすることが
好ましい。図８はカラー表示の液晶素子に本発明を適用
した場合の断面図であり、図中２５ａ，２５ｂは基板、
２７ａ，２７ｂは配向制御膜、８１はカラーフィルタ、
８２は遮光膜、８３は平坦化層、８４は封止材、８５は
液晶である。本実施形態では、遮光膜８２により、表示
に不適な画素間隙及びスリットを遮光している。
【００２８】
［実施例１］１．１ｍｍ厚のガラス基板上に、幅２７０
μｍ、厚み０．０７μｍのストライプ状電極をＩＴＯに
て作製した。図２に示すように、情報電極の一方のエッ
ジより６μｍ離れて幅３μｍのスリットを形成した。こ
の電極上にＴａＯx を２０００Åの厚みにスパッタにて
成膜し、ショート防止層を形成し、さらに、配向制御膜
としてポリイミド膜〔ＬＱ−１８００，日立化成（株）
製〕をフレキソ印刷にて形成した後、３００℃で焼成
し、４００Åの膜厚とした。上記情報電極に形成したス
リットが処理方向と交差する（スリットを形成した電極
エッジが先に該方向と交差する）ように両基板の配向制
御膜にラビング処理を施し、該ラビング処理方向が平行
となるようにスペーサーを介して両基板を貼り合わせ、
セル厚１．５μｍのセルを形成した。このセルに強誘電
性液晶〔ＣＳ−１０１４，チッソ（株）製〕を封入して
液晶素子とした。
μｍ、厚み０．０７μｍのストライプ状電極をＩＴＯに
て作製した。図２に示すように、情報電極の一方のエッ
ジより６μｍ離れて幅３μｍのスリットを形成した。こ
の電極上にＴａＯx を２０００Åの厚みにスパッタにて
成膜し、ショート防止層を形成し、さらに、配向制御膜
としてポリイミド膜〔ＬＱ−１８００，日立化成（株）
製〕をフレキソ印刷にて形成した後、３００℃で焼成
し、４００Åの膜厚とした。上記情報電極に形成したス
リットが処理方向と交差する（スリットを形成した電極
エッジが先に該方向と交差する）ように両基板の配向制
御膜にラビング処理を施し、該ラビング処理方向が平行
となるようにスペーサーを介して両基板を貼り合わせ、
セル厚１．５μｍのセルを形成した。このセルに強誘電
性液晶〔ＣＳ−１０１４，チッソ（株）製〕を封入して
液晶素子とした。
【００２９】本実施例の液晶素子の駆動特性を評価し
た。評価は、図１に示した波形を、電圧は一定で選択期
間（１Ｈ）の長さを変えて印加し、顕微鏡下で観察しな
がら書込みができる１Ｈの長さを確認し、マージンを求
めることで行なった。尚、黒リセット後に白書込みがで
きる１Ｈの長さ（閾値）をｈ１とし、画素間隙から反転
ドメインが画素領域に侵入する１Ｈの長さをｈ２とする
と、マージンは（ｈ２−ｈ１）／（ｈ２＋ｈ１）で求め
た。書込みができる１Ｈの幅が広い方がマージンの値が
大きくなり、優れたパネルと言える。比較例１として電
極にスリットを設けない液晶素子を作製して評価した。
本実施例の液晶素子は比較例１に比べてｈ２ の値が高
くなり、マージンが大きく取れるようになった。
た。評価は、図１に示した波形を、電圧は一定で選択期
間（１Ｈ）の長さを変えて印加し、顕微鏡下で観察しな
がら書込みができる１Ｈの長さを確認し、マージンを求
めることで行なった。尚、黒リセット後に白書込みがで
きる１Ｈの長さ（閾値）をｈ１とし、画素間隙から反転
ドメインが画素領域に侵入する１Ｈの長さをｈ２とする
と、マージンは（ｈ２−ｈ１）／（ｈ２＋ｈ１）で求め
た。書込みができる１Ｈの幅が広い方がマージンの値が
大きくなり、優れたパネルと言える。比較例１として電
極にスリットを設けない液晶素子を作製して評価した。
本実施例の液晶素子は比較例１に比べてｈ２ の値が高
くなり、マージンが大きく取れるようになった。
【００３０】
【表１】
【００３１】［実施例２］実施例１と同様にして、図５
に示すように走査電極にも同様のスリットを設け、処理
方向が該スリットと交差する（スリットを形成した電極
エッジが先に該方向と交差する）ように配向制御膜にラ
ビング処理を施し、該ラビング処理方向が平行となるよ
うに両基板を貼り合わせて液晶素子を作製した。
に示すように走査電極にも同様のスリットを設け、処理
方向が該スリットと交差する（スリットを形成した電極
エッジが先に該方向と交差する）ように配向制御膜にラ
ビング処理を施し、該ラビング処理方向が平行となるよ
うに両基板を貼り合わせて液晶素子を作製した。
【００３２】本実施例の液晶素子を、実施例１と同様に
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、マージンが大きく、広い駆
動条件で良好な画質による表示が行われることが確認さ
れた。
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、マージンが大きく、広い駆
動条件で良好な画質による表示が行われることが確認さ
れた。
【００３３】［実施例３］実施例１と同様にして、図６
に示すように情報電極、走査電極のいずれにも両エッジ
近傍にスリットを設け、該スリットと交差する方向に配
向制御膜にラビング処理を施し、該ラビング処理方向が
上下基板で反平行になるように両基板を貼り合わせて液
晶素子を作製した。
に示すように情報電極、走査電極のいずれにも両エッジ
近傍にスリットを設け、該スリットと交差する方向に配
向制御膜にラビング処理を施し、該ラビング処理方向が
上下基板で反平行になるように両基板を貼り合わせて液
晶素子を作製した。
【００３４】本実施例の液晶素子を、実施例１と同様に
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、広い駆動条件で良好な画質
による表示が行われることが確認された。
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、広い駆動条件で良好な画質
による表示が行われることが確認された。
【００３５】［実施例４］実施例１と同様にして基板上
にストライプ状電極を形成した後、幅２０μｍの金属電
極を上記ストライプ状電極のエッジに形成し、図７に示
す構造の電極を形成し、さらに該金属電極内に幅２μｍ
のスリットを形成した。他は実施例３と同様にして液晶
素子を作製した。
にストライプ状電極を形成した後、幅２０μｍの金属電
極を上記ストライプ状電極のエッジに形成し、図７に示
す構造の電極を形成し、さらに該金属電極内に幅２μｍ
のスリットを形成した。他は実施例３と同様にして液晶
素子を作製した。
【００３６】本実施例の液晶素子を、実施例１と同様に
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、広い駆動条件で良好な画質
による表示が行われることが確認された。
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、広い駆動条件で良好な画質
による表示が行われることが確認された。
【００３７】［実施例５］スリットを情報電極の両側に
形成し、配向制御膜としてポリイミド膜（ＳＥ−３１４
０，日産化学社製）を形成する以外は実施例１と同様に
して、両基板を作製し、ラビング処理の方向が反平行に
なるように両基板を貼り合わせてセル厚２．０μｍのセ
ルを作製した。このセルに、ネマチック液晶組成物（Ｋ
Ｎ−４００，チッソ社製）に光学活性剤を添加して得ら
れたヘリカルピッチ３．４μｍのカイラルネマチック液
晶を注入し、液晶素子とした。
形成し、配向制御膜としてポリイミド膜（ＳＥ−３１４
０，日産化学社製）を形成する以外は実施例１と同様に
して、両基板を作製し、ラビング処理の方向が反平行に
なるように両基板を貼り合わせてセル厚２．０μｍのセ
ルを作製した。このセルに、ネマチック液晶組成物（Ｋ
Ｎ−４００，チッソ社製）に光学活性剤を添加して得ら
れたヘリカルピッチ３．４μｍのカイラルネマチック液
晶を注入し、液晶素子とした。
【００３８】本実施例の液晶素子をマルチプレクシング
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、広い駆動条件で良好な画質
による表示が行われることが確認された。
駆動したところ、非選択期間において画素内の光学的安
定状態が乱れることがなく、広い駆動条件で良好な画質
による表示が行われることが確認された。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
双安定性を有する液晶素子をマルチプレクシング駆動し
た際の問題点である、非選択期間に画素間隙より成長す
る逆ドメインが最小限に抑制されるため、画素内に発生
する逆ドメインによる駆動マージン低下が防止され、広
い駆動条件で良好な駆動を行うことができる。
双安定性を有する液晶素子をマルチプレクシング駆動し
た際の問題点である、非選択期間に画素間隙より成長す
る逆ドメインが最小限に抑制されるため、画素内に発生
する逆ドメインによる駆動マージン低下が防止され、広
い駆動条件で良好な駆動を行うことができる。
【図１】本発明にかかる強誘電性液晶素子のマルチプレ
ックス駆動波形を示す図である。
ックス駆動波形を示す図である。
【図２】本発明の液晶素子の一実施形態の電極構成を示
す図である。
す図である。
【図３】図２に示した液晶素子の表示状態を示す図であ
る。
る。
【図４】図２に示した液晶素子の表示状態を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明の他の実施形態の電極構成を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明の他の実施形態の電極構成を示す図であ
る。
る。
【図７】本発明の他の実施形態の電極構成を示す図であ
る。
る。
【図８】本発明の他の実施形態の電極構成を示す図であ
る。
る。
【図９】従来の液晶素子の電極構成を示す図である。
【図１０】図９に示した液晶素子の表示状態を示す図で
ある。
ある。
【図１１】図９に示した液晶素子の表示状態を示す図で
ある。
ある。
２１ 情報電極 ２２，２２ａ，２２ｂ スリット ２３ 走査電極 ２４ 一軸配向処理方向 ２５，２５ａ，２５ｂ 基板 ２６ ショート防止層 ２７，２７ａ，２７ｂ 配向制御膜 ３１ 電極間隙 ３２ 黒ドメイン ４２ 白ドメイン ５１，５１ａ，５１ｂ スリット ７２ 金属電極 ８１ カラーフィルタ ８２ 遮光膜 ８３ 平坦化膜 ８４ 封止材 ８５ 液晶
Claims (11)
- 【請求項１】 ストライプ状の走査電極と情報電極から
なるマトリクス電極を有する一対の基板間に液晶を挟持
してなる単純マトリクス型の液晶素子であって、上記液
晶素子が双安定性を示し、上記電極の少なくとも一方の
電極のエッジの少なくとも一方の近傍に、該エッジに沿
って、液晶に電界を印加しない領域を設けたことを特徴
とする液晶素子。 - 【請求項２】 上記一対の基板の少なくとも一方が一軸
配向処理を施された配向制御膜を有し、上記液晶に電界
を印加しない領域が、上記一軸配向処理方向と交差する
電極の該一軸配向処理方向と先に交差する電極エッジ側
に形成されている請求項１記載の液晶素子。 - 【請求項３】 上記液晶に電界を印加しない領域が、電
極に設けたスリットである請求項１又は２記載の液晶素
子。 - 【請求項４】 上記スリットの幅が４μｍ以下である請
求項３記載の液晶素子。 - 【請求項５】 上記スリットが電極エッジより２０μｍ
以内に形成されている請求項３記載の液晶素子。 - 【請求項６】 上記電極のエッジが金属電極で覆われて
おり、上記スリットが該金属電極内に形成されている請
求項３記載の液晶素子。 - 【請求項７】 上記画素間隙及びスリットを遮光膜によ
り遮光した請求項３記載の液晶素子。 - 【請求項８】 上記金属電極及び画素間隙を遮光膜によ
り遮光した請求項６記載の液晶素子。 - 【請求項９】 上記液晶がカイラルスメクチック液晶で
ある請求項１記載の液晶素子。 - 【請求項１０】 上記液晶が強誘電性液晶である請求項
９記載の液晶素子。 - 【請求項１１】 上記液晶がカイラルネマチック液晶で
ある請求項１記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926797A JPH1184405A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926797A JPH1184405A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184405A true JPH1184405A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17190432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24926797A Withdrawn JPH1184405A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184405A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011203650A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2014146033A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP24926797A patent/JPH1184405A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011203650A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2014146033A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |