JPH1184388A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH1184388A JPH1184388A JP24926997A JP24926997A JPH1184388A JP H1184388 A JPH1184388 A JP H1184388A JP 24926997 A JP24926997 A JP 24926997A JP 24926997 A JP24926997 A JP 24926997A JP H1184388 A JPH1184388 A JP H1184388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- electrodes
- information
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カイラルスメクチック液晶を用いた単純マト
リクス型の液晶素子において、電極間隙に発生し画素内
へと成長する逆ドメインによる駆動マージン低下を防止
する。 【解決手段】 一軸配向処理方向５と先に交差する側の
情報電極１端部に沿って、該端部に隣接する非駆動領域
４と該端部から画素内に１μｍ以上入り込んだ領域に垂
直配向処理を施し、当該垂直配向処理領域３の液晶をホ
メオトロピック配向させることにより、電極間隙におけ
る逆ドメインの発生を防止する。
リクス型の液晶素子において、電極間隙に発生し画素内
へと成長する逆ドメインによる駆動マージン低下を防止
する。 【解決手段】 一軸配向処理方向５と先に交差する側の
情報電極１端部に沿って、該端部に隣接する非駆動領域
４と該端部から画素内に１μｍ以上入り込んだ領域に垂
直配向処理を施し、当該垂直配向処理領域３の液晶をホ
メオトロピック配向させることにより、電極間隙におけ
る逆ドメインの発生を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス型電極
を備えた液晶素子に関し、特に双安定性を利用した液晶
素子に関する。
を備えた液晶素子に関し、特に双安定性を利用した液晶
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光
素子との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示
素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォル（Ｌａ
ｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（米国特許第４
３６７９３４号明細書、米国特許第４６３９０８９号明
細書等）。この表示素子で用いられる液晶は、一般に特
定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、上記素子は、この
状態において、加えられる電界に応答して第１の光学的
安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかをとり、且
つ電界の印加のない時はその状態を維持する性質、即ち
双安定性を有し、また、電界の変化に対する応答も速や
かである。従って、その表示素子は、高速並びに記憶型
の表示素子としての広い利用が期待されている。
素子との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示
素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォル（Ｌａ
ｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（米国特許第４
３６７９３４号明細書、米国特許第４６３９０８９号明
細書等）。この表示素子で用いられる液晶は、一般に特
定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、上記素子は、この
状態において、加えられる電界に応答して第１の光学的
安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかをとり、且
つ電界の印加のない時はその状態を維持する性質、即ち
双安定性を有し、また、電界の変化に対する応答も速や
かである。従って、その表示素子は、高速並びに記憶型
の表示素子としての広い利用が期待されている。
【０００３】上記表示素子は、走査電極と情報電極とで
構成したマトリクス電極間に液晶を保持し、走査電極に
は順次走査信号を印加し、該走査信号と同期して情報電
極には情報信号を印加するマルチプレクシング駆動によ
って駆動する。
構成したマトリクス電極間に液晶を保持し、走査電極に
は順次走査信号を印加し、該走査信号と同期して情報電
極には情報信号を印加するマルチプレクシング駆動によ
って駆動する。
【０００４】上記表示素子に用いられる液晶は、強誘電
性を有するカイラルスメクチック液晶であるが、セル厚
に対するヘリカルピッチを調整したカイラルネマチック
液晶素子も双安定性を示し、同様にマルチプレクシング
駆動を行うことができる。
性を有するカイラルスメクチック液晶であるが、セル厚
に対するヘリカルピッチを調整したカイラルネマチック
液晶素子も双安定性を示し、同様にマルチプレクシング
駆動を行うことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記双安定性を利用し
た液晶素子においてマルチプレクシング駆動を行った場
合、画素内のスイッチングは良好であるが、隣接する画
素間隙の液晶分子はある条件下でその配列が動いてしま
い、結果的に分子配列が不揃いになる、或いは、もとも
と不揃いに配向されていることにより、表示画面上にざ
らつきや特定のパターンが残るなどの問題を有してい
た。
た液晶素子においてマルチプレクシング駆動を行った場
合、画素内のスイッチングは良好であるが、隣接する画
素間隙の液晶分子はある条件下でその配列が動いてしま
い、結果的に分子配列が不揃いになる、或いは、もとも
と不揃いに配向されていることにより、表示画面上にざ
らつきや特定のパターンが残るなどの問題を有してい
た。
【０００６】このような問題に関しては、カラーフィル
タの各色フィルタ間を遮光するブラックマトリクス（遮
光膜）や、走査電極及び情報電極に形成される金属補助
配線で画素間隙を遮光することで対応することが可能で
ある。
タの各色フィルタ間を遮光するブラックマトリクス（遮
光膜）や、走査電極及び情報電極に形成される金属補助
配線で画素間隙を遮光することで対応することが可能で
ある。
【０００７】しかしながら、さらなる課題として、画素
内の光学的安定状態が、液晶の種類によっては、当該画
素の非選択期間（非書込み期間）の間保持できなくなる
という問題があった。
内の光学的安定状態が、液晶の種類によっては、当該画
素の非選択期間（非書込み期間）の間保持できなくなる
という問題があった。
【０００８】図５に一般的な強誘電性液晶素子の駆動波
形を示す。本図は任意の走査電極の画素に印加される駆
動波形を示し、図中（ａ）は走査信号波形、（ｂ）は白
書込みの情報信号、（ｃ）は黒書込みの情報信号、
（ｄ）は白表示画素に印加される信号波形〔（ａ）と
（ｂ）の合成波形〕、（ｅ）は黒表示画素に印加される
信号波形〔（ａ）と（ｃ）の合成波形〕である。尚、点
線は基準電位であり、ここでは非走査信号（非選択期間
中の走査信号）である。
形を示す。本図は任意の走査電極の画素に印加される駆
動波形を示し、図中（ａ）は走査信号波形、（ｂ）は白
書込みの情報信号、（ｃ）は黒書込みの情報信号、
（ｄ）は白表示画素に印加される信号波形〔（ａ）と
（ｂ）の合成波形〕、（ｅ）は黒表示画素に印加される
信号波形〔（ａ）と（ｃ）の合成波形〕である。尚、点
線は基準電位であり、ここでは非走査信号（非選択期間
中の走査信号）である。
【０００９】マルチプレクシング駆動においては、選択
期間において走査電極には走査選択信号を、情報電極に
は白（或いは黒）書込み情報信号を印加し、これらの合
成波形を画素の液晶に印加することによって、液晶分子
を第１或いは第２の光学的安定状態にスイッチングさせ
る。この状態で異なる極性の電界が全くかからなければ
次の選択時まで上記光学的安定状態が保持される（即ち
双安定性）。
期間において走査電極には走査選択信号を、情報電極に
は白（或いは黒）書込み情報信号を印加し、これらの合
成波形を画素の液晶に印加することによって、液晶分子
を第１或いは第２の光学的安定状態にスイッチングさせ
る。この状態で異なる極性の電界が全くかからなければ
次の選択時まで上記光学的安定状態が保持される（即ち
双安定性）。
【００１０】しかしながら、情報電極には順次次行の選
択画素への情報信号が印加されるため、図５の（ｄ）及
び（ｅ）に示されるように、非選択期間においても、画
素には信号が印加される。当該信号の印加により液晶分
子は振動し、動き易い状態となっている。この振動自体
は視認できず、表示上は全く問題がないが、動き易い状
態となっている液晶分子が、画素間隙の液晶の分子配列
の影響を受けて反転してしまうという現象が生じる。当
該現象を図６〜図８により説明する。
択画素への情報信号が印加されるため、図５の（ｄ）及
び（ｅ）に示されるように、非選択期間においても、画
素には信号が印加される。当該信号の印加により液晶分
子は振動し、動き易い状態となっている。この振動自体
は視認できず、表示上は全く問題がないが、動き易い状
態となっている液晶分子が、画素間隙の液晶の分子配列
の影響を受けて反転してしまうという現象が生じる。当
該現象を図６〜図８により説明する。
【００１１】マルチプレクシング駆動を行う素子のマト
リクス電極は図６に示すように構成されている。即ち、
一方の基板にはストライプ状の複数の走査電極２を、他
方の基板にはストライプ状の複数の情報電極１をそれぞ
れ間隙４を介して形成し、これら電極が互いに交差する
ように基板を貼り合わせて該電極間に液晶を保持してい
る。図７は上記構成により白表示を行った場合の、図８
は黒表示を行った場合の、それぞれの表示状態を示した
図である。それぞれ（ａ）は選択期間、（ｂ）は非選択
期間を示す。
リクス電極は図６に示すように構成されている。即ち、
一方の基板にはストライプ状の複数の走査電極２を、他
方の基板にはストライプ状の複数の情報電極１をそれぞ
れ間隙４を介して形成し、これら電極が互いに交差する
ように基板を貼り合わせて該電極間に液晶を保持してい
る。図７は上記構成により白表示を行った場合の、図８
は黒表示を行った場合の、それぞれの表示状態を示した
図である。それぞれ（ａ）は選択期間、（ｂ）は非選択
期間を示す。
【００１２】図７（ａ）に示されるように、白表示を行
った場合にも、反転した黒ドメイン７１が電極間隙（画
素間隙）４に存在し、この黒ドメインが非選択期間に画
素内に成長し（ｂ）、透過率を低下させる。一方、黒表
示を行った場合には、図８（ａ）に示されるように、反
転した白ドメイン８１が電極間隙４に存在し、同様に非
選択期間に画素内に成長する。その結果、駆動マージン
が低下するという駆動上の問題を生じてしまう。
った場合にも、反転した黒ドメイン７１が電極間隙（画
素間隙）４に存在し、この黒ドメインが非選択期間に画
素内に成長し（ｂ）、透過率を低下させる。一方、黒表
示を行った場合には、図８（ａ）に示されるように、反
転した白ドメイン８１が電極間隙４に存在し、同様に非
選択期間に画素内に成長する。その結果、駆動マージン
が低下するという駆動上の問題を生じてしまう。
【００１３】また、上記逆ドメインの成長現象は、前記
したカイラルネマチック液晶素子の駆動時にも発生し、
問題となっている。
したカイラルネマチック液晶素子の駆動時にも発生し、
問題となっている。
【００１４】本発明の目的は、上記した双安定性を利用
したマルチプレクシング駆動の液晶素子において、画素
間隙に発生した逆ドメインの画素内への成長を抑制し、
これによる駆動マージンの低下を防止することにある。
したマルチプレクシング駆動の液晶素子において、画素
間隙に発生した逆ドメインの画素内への成長を抑制し、
これによる駆動マージンの低下を防止することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、ストラ
イプ状の走査電極と情報電極からなるマトリクス電極を
有する一対の基板間に液晶を挟持してなる単純マトリク
ス型の液晶素子であって、該素子が双安定性を有し、上
記走査電極と情報電極の交差部である画素の少なくとも
１辺の端部より１μｍ以上の領域と、該端部に隣接する
非駆動領域において、液晶の配向がホメオトロピック配
向であることを特徴とする液晶素子である。
イプ状の走査電極と情報電極からなるマトリクス電極を
有する一対の基板間に液晶を挟持してなる単純マトリク
ス型の液晶素子であって、該素子が双安定性を有し、上
記走査電極と情報電極の交差部である画素の少なくとも
１辺の端部より１μｍ以上の領域と、該端部に隣接する
非駆動領域において、液晶の配向がホメオトロピック配
向であることを特徴とする液晶素子である。
【００１６】また、本発明の第二は、ストライプ状の走
査電極と情報電極からなるマトリクス電極を有する一対
の基板間に液晶を挟持してなる単純マトリクス型の液晶
素子であって、該素子が双安定性を有し、上記走査電極
と情報電極の交差部である画素の少なくとも１辺の端部
より１μｍ以上の領域と、該端部に隣接する非駆動領域
において、液晶の配向がハイブリット配向であることを
特徴とする液晶素子である。
査電極と情報電極からなるマトリクス電極を有する一対
の基板間に液晶を挟持してなる単純マトリクス型の液晶
素子であって、該素子が双安定性を有し、上記走査電極
と情報電極の交差部である画素の少なくとも１辺の端部
より１μｍ以上の領域と、該端部に隣接する非駆動領域
において、液晶の配向がハイブリット配向であることを
特徴とする液晶素子である。
【００１７】本発明は、双安定性を示すカイラルスメク
チック液晶やカイラルネマチック液晶をマルチプレクシ
ング駆動する液晶素子において、逆ドメインの発生部で
ある画素と画素外の非駆動領域（電界部と無電界部の境
界）をホメオトロピック配向或いはハイブリット配向と
することにより、非選択期間に画素内に成長する逆ドメ
インの発生を防止し、その影響を防止するものである。
尚、本発明において非駆動領域は、電極間隙及び最外周
の画素の外側に位置する、情報電極と走査電極が対向し
ていない領域を指す。
チック液晶やカイラルネマチック液晶をマルチプレクシ
ング駆動する液晶素子において、逆ドメインの発生部で
ある画素と画素外の非駆動領域（電界部と無電界部の境
界）をホメオトロピック配向或いはハイブリット配向と
することにより、非選択期間に画素内に成長する逆ドメ
インの発生を防止し、その影響を防止するものである。
尚、本発明において非駆動領域は、電極間隙及び最外周
の画素の外側に位置する、情報電極と走査電極が対向し
ていない領域を指す。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の液晶素子は、その特徴で
ある特定領域の液晶をホメオトロピック配向或いはハイ
ブリット配向させる処理が基板に施してあれば、他の部
材及びその製法は従来の液晶素子のものをそのまま適用
することができる。
ある特定領域の液晶をホメオトロピック配向或いはハイ
ブリット配向させる処理が基板に施してあれば、他の部
材及びその製法は従来の液晶素子のものをそのまま適用
することができる。
【００１９】図１に本発明の液晶素子の一実施形態の電
極構造を模式的に示す。図中１は情報電極、２は走査電
極であり、これら電極が交差する部分が画素である。図
中３で示される領域が本発明にかかるホメオトロピック
配向或いはハイブリット配向領域である。
極構造を模式的に示す。図中１は情報電極、２は走査電
極であり、これら電極が交差する部分が画素である。図
中３で示される領域が本発明にかかるホメオトロピック
配向或いはハイブリット配向領域である。
【００２０】本発明において、上記ホメオトロピック配
向或いはハイブリット配向領域は、図１に示される電極
間隙及び最外周の画素の外側領域である非駆動領域（情
報電極と走査電極が対向していない領域）のうち、上記
逆ドメインが成長する側の電極端部に隣接する領域と、
該電極端部より画素内に１μｍ以上入り込んだ領域であ
る。即ち、図１に示した電極構造においては、一軸配向
処理方向５と交差する情報電極１の、該処理方向５と先
に交差する側の端部に沿って設けられる。また、一軸配
向処理方向が情報電極１及び走査電極２のいずれにも交
差する場合には、図９に示すように走査電極２の端部に
も沿って該領域を形成する。さらに、一軸配向処理方向
が上下基板で反平行になるように設定される場合には、
該処理方向と交差する電極の両側の非駆動領域及び該電
極の両端部より画素内に１μｍ以上入り込んだ領域を上
記ホメオトロピック配向或いはハイブリット配向領域と
する。上記特定の領域３が画素内に入り込む距離が１μ
ｍ未満であると本発明の効果が得られにくく、また、該
距離が長すぎると実質的に画素領域が狭くなるため好ま
しくない。好ましくは１〜１０μｍの範囲である。尚、
本発明が適用される液晶素子のストライプ状電極の幅は
一般に５０〜３００μｍである。
向或いはハイブリット配向領域は、図１に示される電極
間隙及び最外周の画素の外側領域である非駆動領域（情
報電極と走査電極が対向していない領域）のうち、上記
逆ドメインが成長する側の電極端部に隣接する領域と、
該電極端部より画素内に１μｍ以上入り込んだ領域であ
る。即ち、図１に示した電極構造においては、一軸配向
処理方向５と交差する情報電極１の、該処理方向５と先
に交差する側の端部に沿って設けられる。また、一軸配
向処理方向が情報電極１及び走査電極２のいずれにも交
差する場合には、図９に示すように走査電極２の端部に
も沿って該領域を形成する。さらに、一軸配向処理方向
が上下基板で反平行になるように設定される場合には、
該処理方向と交差する電極の両側の非駆動領域及び該電
極の両端部より画素内に１μｍ以上入り込んだ領域を上
記ホメオトロピック配向或いはハイブリット配向領域と
する。上記特定の領域３が画素内に入り込む距離が１μ
ｍ未満であると本発明の効果が得られにくく、また、該
距離が長すぎると実質的に画素領域が狭くなるため好ま
しくない。好ましくは１〜１０μｍの範囲である。尚、
本発明が適用される液晶素子のストライプ状電極の幅は
一般に５０〜３００μｍである。
【００２１】本発明においては、上記特定の配向領域
は、他の要因によって一軸配向処理方向とは関係なく成
長する逆ドメインを抑制するために、一軸配向処理方向
と交差しない電極や後に交差する側の電極端部に沿って
形成しても構わない。
は、他の要因によって一軸配向処理方向とは関係なく成
長する逆ドメインを抑制するために、一軸配向処理方向
と交差しない電極や後に交差する側の電極端部に沿って
形成しても構わない。
【００２２】図２に、上記図１の領域３をホメオトロピ
ック配向させた場合の液晶素子の一実施形態の断面図を
示す。図中、１１ａ，１１ｂは透明基板、１２ａ，１２
ｂはショート防止層、１３ａ，１３ｂは配向制御膜、１
４は封止材、１５は液晶、１６ａ，１６ｂは垂直配向膜
である。図中、５ａは配向制御膜１３ａの一軸配向処理
方向、５ｂは配向制御膜１３ｂの一軸配向処理方向を示
している。
ック配向させた場合の液晶素子の一実施形態の断面図を
示す。図中、１１ａ，１１ｂは透明基板、１２ａ，１２
ｂはショート防止層、１３ａ，１３ｂは配向制御膜、１
４は封止材、１５は液晶、１６ａ，１６ｂは垂直配向膜
である。図中、５ａは配向制御膜１３ａの一軸配向処理
方向、５ｂは配向制御膜１３ｂの一軸配向処理方向を示
している。
【００２３】本実施形態の液晶素子においては、垂直配
向膜３ａ、３ｂに挟まれた領域では液晶がホメオロトピ
ック配向となり、図７、図８に示した黒ドメイン７１や
白ドメイン８１が当該領域には発生しない。そのため、
配向制御膜１３ａ、１３ｂより一軸配向規制力を受ける
画素内に逆ドメインが成長することがなく、該逆ドメイ
ンによるコントラスト低下が防止される。
向膜３ａ、３ｂに挟まれた領域では液晶がホメオロトピ
ック配向となり、図７、図８に示した黒ドメイン７１や
白ドメイン８１が当該領域には発生しない。そのため、
配向制御膜１３ａ、１３ｂより一軸配向規制力を受ける
画素内に逆ドメインが成長することがなく、該逆ドメイ
ンによるコントラスト低下が防止される。
【００２４】本実施形態の液晶素子の各基板を図３に示
す。図中（ａ）は走査電極側基板、（ｂ）は情報電極側
基板で、それぞれ一軸配向した配向制御膜の上に垂直配
向膜３ａ又は３ｂが形成する。
す。図中（ａ）は走査電極側基板、（ｂ）は情報電極側
基板で、それぞれ一軸配向した配向制御膜の上に垂直配
向膜３ａ又は３ｂが形成する。
【００２５】上記垂直配向膜の形成工程例を図４に示
す。先ず、配向制御膜１３ａまで作り込んだ基板上にレ
ジスト４１を塗布してパターニングし（ａ）、垂直配向
膜材を全面に塗布した後（ｂ）、上記レジスト４１を剥
離することにより所定の領域に垂直配向膜１６ａを形成
することができる（ｃ）。該垂直配向膜材としては、従
来垂直配向膜の形成に用いられていた素材が適用される
が、例えば、水溶性フッ素系界面活性剤メガファックＦ
１１０，Ｆ１６０，１７７（大日本インキ化学社製）等
のフッ素樹脂コーティング剤などが好ましく用いられ
る。また、図４に示した以外の製法によっても好ましく
形成することができる。
す。先ず、配向制御膜１３ａまで作り込んだ基板上にレ
ジスト４１を塗布してパターニングし（ａ）、垂直配向
膜材を全面に塗布した後（ｂ）、上記レジスト４１を剥
離することにより所定の領域に垂直配向膜１６ａを形成
することができる（ｃ）。該垂直配向膜材としては、従
来垂直配向膜の形成に用いられていた素材が適用される
が、例えば、水溶性フッ素系界面活性剤メガファックＦ
１１０，Ｆ１６０，１７７（大日本インキ化学社製）等
のフッ素樹脂コーティング剤などが好ましく用いられ
る。また、図４に示した以外の製法によっても好ましく
形成することができる。
【００２６】さらに、本発明においては液晶の垂直配向
を垂直配向膜以外の垂直配向処理によるものでも良く、
当該処理としては従来用いられている手段が好ましく適
用される。
を垂直配向膜以外の垂直配向処理によるものでも良く、
当該処理としては従来用いられている手段が好ましく適
用される。
【００２７】本発明の液晶素子には、双安定性を発現す
るカイラルスメクチック液晶、特に強誘電性を示すカイ
ラルスメクチック液晶や、カイラルネマチック液晶が好
ましく用いられる。
るカイラルスメクチック液晶、特に強誘電性を示すカイ
ラルスメクチック液晶や、カイラルネマチック液晶が好
ましく用いられる。
【００２８】
［実施例１］図３に示す構成の液晶素子を作製した。具
体的には、ガラス基板上にＩＴＯからなる厚さ０．０７
μｍ、幅２００μｍのストライプ状電極を１０μｍの間
隔を介して形成し、その上にショート防止層として厚さ
０．０９μｍのＴａ2Ｏ5膜を形成し、さらにその上に配
向制御膜として厚さ０．０２μｍのポリイミド膜を形成
し、ラビング処理を施した。上記配向制御膜の上にフォ
トレジストを塗布形成し、パターニングした。さらにフ
ッ素樹脂コーティング剤（メガファックＦ１１０）の１
％水溶液をスピンコートにて全面の塗布した後、１００
℃で１０分間仮乾燥し、上記レジストを剥離し、図１に
示す領域５に膜厚０．０２μｍの垂直配向膜を形成し
た。該領域は画素内には２μｍ入り込んでいる。
体的には、ガラス基板上にＩＴＯからなる厚さ０．０７
μｍ、幅２００μｍのストライプ状電極を１０μｍの間
隔を介して形成し、その上にショート防止層として厚さ
０．０９μｍのＴａ2Ｏ5膜を形成し、さらにその上に配
向制御膜として厚さ０．０２μｍのポリイミド膜を形成
し、ラビング処理を施した。上記配向制御膜の上にフォ
トレジストを塗布形成し、パターニングした。さらにフ
ッ素樹脂コーティング剤（メガファックＦ１１０）の１
％水溶液をスピンコートにて全面の塗布した後、１００
℃で１０分間仮乾燥し、上記レジストを剥離し、図１に
示す領域５に膜厚０．０２μｍの垂直配向膜を形成し
た。該領域は画素内には２μｍ入り込んでいる。
【００２９】上記のようにして作製した基板を上下基板
のラビング処理方向が平行となるようにしてスペーサー
を介して貼り合わせ、セル厚２μｍのセルを作製し、強
誘電性液晶（キヤノン（株）製ピリミジン系混合液晶）
を注入して液晶素子とした。
のラビング処理方向が平行となるようにしてスペーサー
を介して貼り合わせ、セル厚２μｍのセルを作製し、強
誘電性液晶（キヤノン（株）製ピリミジン系混合液晶）
を注入して液晶素子とした。
【００３０】本実施例の液晶素子の駆動特性を評価し
た。評価は、図５に示した波形を、電圧は一定で選択期
間（１Ｈ）の長さを変えて印加し、顕微鏡下で観察しな
がら書込みができる１Ｈの長さを確認し、マージンを求
めることで行なった。尚、黒リセット後に白書込みがで
きる１Ｈの長さ（閾値）をｈ１とし、画素間隙から反転
ドメインが画素領域に侵入する１Ｈの長さをｈ２とする
と、マージンは（ｈ２−ｈ１）／（ｈ２＋ｈ１）で求め
た。書込みができる１Ｈの幅が広い方がマージンの値が
大きくなり、優れたパネルと言える。比較例１としてホ
メオトロピック領域を設けない液晶素子を作製して評価
した。本実施例の液晶素子は比較例１に比べてｈ２ の
値が高くなり、マージンが大きく取れるようになった。
た。評価は、図５に示した波形を、電圧は一定で選択期
間（１Ｈ）の長さを変えて印加し、顕微鏡下で観察しな
がら書込みができる１Ｈの長さを確認し、マージンを求
めることで行なった。尚、黒リセット後に白書込みがで
きる１Ｈの長さ（閾値）をｈ１とし、画素間隙から反転
ドメインが画素領域に侵入する１Ｈの長さをｈ２とする
と、マージンは（ｈ２−ｈ１）／（ｈ２＋ｈ１）で求め
た。書込みができる１Ｈの幅が広い方がマージンの値が
大きくなり、優れたパネルと言える。比較例１としてホ
メオトロピック領域を設けない液晶素子を作製して評価
した。本実施例の液晶素子は比較例１に比べてｈ２ の
値が高くなり、マージンが大きく取れるようになった。
【００３１】
【表１】
【００３２】［実施例２］情報電極側にのみ垂直配向膜
を形成する以外は実施例１と同様にして液晶素子を形成
したところ、上記垂直配向膜の形成された領域がハイブ
リット配向となり、実施例１と同様に非選択期間におい
て画素内の光学的安定状態が乱れることがなく、広いマ
ージンで駆動できることが確認された。
を形成する以外は実施例１と同様にして液晶素子を形成
したところ、上記垂直配向膜の形成された領域がハイブ
リット配向となり、実施例１と同様に非選択期間におい
て画素内の光学的安定状態が乱れることがなく、広いマ
ージンで駆動できることが確認された。
【００３３】［実施例３］実施例１と同様にして上下基
板にストライプ状電極を形成し、配向制御膜としてポリ
イミド膜（ＳＥ−３１４０，日産化学社製）を形成して
ラビング処理を施した上に、情報電極を形成した基板の
配向制御膜上に、情報電極の両側から２μｍ入り込んだ
領域まで垂直配向するようにフッ素樹脂コーティング剤
の垂直配向膜を実施例１と同様にして形成し、ラビング
処理の方向が反平行になるように両基板を貼り合わせて
セル厚２．０μｍのセルを作製した。このセルに、ネマ
チック液晶組成物（ＫＮ−４００，チッソ社製）に光学
活性剤を添加して得られたヘリカルピッチ３．４μｍの
カイラルネマチック液晶を注入して液晶素子を得、さら
に、２枚の偏光板を該素子の両側に配置した。この時の
プレチルト角はα＝４であり、初期配向はπツイスト配
向であった。
板にストライプ状電極を形成し、配向制御膜としてポリ
イミド膜（ＳＥ−３１４０，日産化学社製）を形成して
ラビング処理を施した上に、情報電極を形成した基板の
配向制御膜上に、情報電極の両側から２μｍ入り込んだ
領域まで垂直配向するようにフッ素樹脂コーティング剤
の垂直配向膜を実施例１と同様にして形成し、ラビング
処理の方向が反平行になるように両基板を貼り合わせて
セル厚２．０μｍのセルを作製した。このセルに、ネマ
チック液晶組成物（ＫＮ−４００，チッソ社製）に光学
活性剤を添加して得られたヘリカルピッチ３．４μｍの
カイラルネマチック液晶を注入して液晶素子を得、さら
に、２枚の偏光板を該素子の両側に配置した。この時の
プレチルト角はα＝４であり、初期配向はπツイスト配
向であった。
【００３４】この素子に図１０に示した駆動波形を次の
条件で印加した。即ち、Ｖｒｅｓｅｔ＝±１５Ｖ、Ｖ
ｓｅｌｅｃｔ−Ｖｎｏｎ−ｓｅｌｅｃｔ＝±２Ｖ、パル
ス幅Δｔ＝２ｍｓｅｃの駆動条件で、１／１００デュー
ティのリフレッシュ走査とした。その結果、０ツイスト
のユニフォーム配向が形成され、「明」表示となった。
また、Ｖｓｅｌｅｃｔ＝０Ｖとした以外は同じ条件で駆
動したところ、２πツイスト配向が形成され、「暗」表
示となった。
条件で印加した。即ち、Ｖｒｅｓｅｔ＝±１５Ｖ、Ｖ
ｓｅｌｅｃｔ−Ｖｎｏｎ−ｓｅｌｅｃｔ＝±２Ｖ、パル
ス幅Δｔ＝２ｍｓｅｃの駆動条件で、１／１００デュー
ティのリフレッシュ走査とした。その結果、０ツイスト
のユニフォーム配向が形成され、「明」表示となった。
また、Ｖｓｅｌｅｃｔ＝０Ｖとした以外は同じ条件で駆
動したところ、２πツイスト配向が形成され、「暗」表
示となった。
【００３５】本実施例の液晶素子をマルチプレクシング
駆動して駆動特性評価を行ったところ、上記垂直配向膜
で挟まれた領域がホメオトロピック配向し、非選択期間
において画素内の光学的安定状態が乱れることがなく、
駆動マージンが広くとれるようになったことが確認され
た。
駆動して駆動特性評価を行ったところ、上記垂直配向膜
で挟まれた領域がホメオトロピック配向し、非選択期間
において画素内の光学的安定状態が乱れることがなく、
駆動マージンが広くとれるようになったことが確認され
た。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
双安定性を有する液晶素子をマルチプレクシング駆動し
た際の問題点である、非選択期間に画素間隙より成長す
る逆ドメインの発生が防止され、画素内に発生する逆ド
メインによる駆動マージンの低下が防止され、広い駆動
条件で良好な駆動を行うことができる。
双安定性を有する液晶素子をマルチプレクシング駆動し
た際の問題点である、非選択期間に画素間隙より成長す
る逆ドメインの発生が防止され、画素内に発生する逆ド
メインによる駆動マージンの低下が防止され、広い駆動
条件で良好な駆動を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の電極構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】図１に示した液晶素子の断面図である。
【図３】図１に示した液晶素子の各基板を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明にかかる垂直配向膜の製造例を示す工程
図である。
図である。
【図５】従来の強誘電性液晶素子の駆動波形を示す図で
ある。
ある。
【図６】従来の液晶素子の電極構成を示す模式図であ
る。
る。
【図７】図６に示した液晶素子の表示状態を示す図であ
る。
る。
【図８】図６に示した液晶素子の表示状態を示す図であ
る。
る。
【図９】本発明の他の実施形態の電極構成を示す模式図
である。
である。
【図１０】本発明の実施例３で用いた駆動波形を示す図
である。
である。
１ 情報電極 ２ 走査電極 ３ 垂直配向膜 ４ 電極間隙 ５，５ａ，５ｂ 一軸配向処理方向 １１ａ，１１ｂ 基板 １２ａ，１２ｂ ショート防止層 １３ａ，１３ｂ 配向制御膜 １４ 封止材 １５ 液晶 １６ 垂直配向膜 ４１ レジスト ７１ 黒ドメイン ８１ 白ドメイン
Claims (10)
- 【請求項１】 ストライプ状の走査電極と情報電極から
なるマトリクス電極を有する一対の基板間に液晶を挟持
してなる単純マトリクス型の液晶素子であって、該素子
が双安定性を有し、上記走査電極と情報電極の交差部で
ある画素の少なくとも１辺の端部より１μｍ以上の領域
と、該端部に隣接する非駆動領域において、液晶の配向
がホメオトロピック配向であることを特徴とする液晶素
子。 - 【請求項２】 上記基板の少なくとも一方が一軸配向処
理を施された配向制御膜を有し、上記ホメオトロピック
配向領域が、上記一軸配向処理の方向と交差する上記走
査電極及び／又は情報電極の、該一軸配向処理の方向と
先に交差する側の電極端部に沿って形成されている請求
項１記載の液晶素子。 - 【請求項３】 上記液晶がカイラルスメクチック液晶で
ある請求項１又は２記載の液晶素子。 - 【請求項４】 上記液晶が強誘電性液晶である請求項３
記載の液晶素子。 - 【請求項５】 上記液晶がカイラルネマチック液晶であ
る請求項１又は２記載の液晶素子。 - 【請求項６】 ストライプ状の走査電極と情報電極から
なるマトリクス電極を有する一対の基板間に液晶を挟持
してなる単純マトリクス型の液晶素子であって、該素子
が双安定性を有し、上記走査電極と情報電極の交差部で
ある画素の少なくとも１辺の端部より１μｍ以上の領域
と、該端部に隣接する非駆動領域において、液晶の配向
がハイブリット配向であることを特徴とする液晶素子。 - 【請求項７】 上記基板の少なくとも一方が一軸配向処
理を施された配向制御膜を有し、上記ハイブリット配向
領域が、上記一軸配向処理の方向と交差する上記走査電
極及び／又は情報電極の、該一軸配向処理の方向と先に
交差する側の電極端部に沿って形成されている請求項６
記載の液晶素子。 - 【請求項８】 上記液晶がカイラルスメクチック液晶で
ある請求項６又は７記載の液晶素子。 - 【請求項９】 上記液晶が強誘電性液晶である請求項８
記載の液晶素子。 - 【請求項１０】 上記液晶がカイラルネマチック液晶で
ある請求項６又は７記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926997A JPH1184388A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926997A JPH1184388A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184388A true JPH1184388A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17190463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24926997A Withdrawn JPH1184388A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013396A1 (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP24926997A patent/JPH1184388A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013396A1 (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2320103A (en) | Liquid crystal devices | |
| JP2612503B2 (ja) | 液晶素子 | |
| US5276542A (en) | Ferroelectric liquid crystal apparatus having temperature compensation control circuit | |
| JPH0225834A (ja) | 液晶装置の駆動法 | |
| US5999157A (en) | Suppressing liquid crystal movement based on the relationship between a display pattern and a driving waveform | |
| JP2003005223A (ja) | 高コントラスト比非対称電気光学特性液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2507784B2 (ja) | 液晶装置及びその駆動法 | |
| US5568299A (en) | Ferroelectric liquid crystal with pitch 1-2 times layer thickness and graduation by bistable/monostable ratio | |
| JPH1184388A (ja) | 液晶素子 | |
| US5956010A (en) | Liquid crystal apparatus and driving method | |
| JPH1184431A (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| JPH1184405A (ja) | 液晶素子 | |
| JP3365587B2 (ja) | 液晶装置 | |
| KR19980024333A (ko) | 액정소자의 구동방법 | |
| JPH06194623A (ja) | 反強誘電性液晶表示素子の駆動方法 | |
| JP2614347B2 (ja) | 液晶素子及び液晶表示装置 | |
| JP2505744B2 (ja) | 電極基板及び光学変調素子の製造法 | |
| JPH05224168A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JP3219709B2 (ja) | 液晶素子、液晶装置、及び液晶素子の駆動方法 | |
| JPH09218410A (ja) | 液晶装置及びこの液晶装置を備えた情報伝達装置 | |
| JP2612504B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JPH0335217A (ja) | 液晶表示装置の駆動方式 | |
| JP3094013B2 (ja) | 強誘電性液晶表示装置 | |
| JP3182405B2 (ja) | 強誘電性液晶表示装置 | |
| JPS62231940A (ja) | 光学変調素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |