JPH1183497A

JPH1183497A - 角速度センサ

Info

Publication number: JPH1183497A
Application number: JP9248698A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Takada; 英一高田; Shinji Kobayashi; 真司小林
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-09-12
Filing date: 1997-09-12
Publication date: 1999-03-26

Abstract

(57)【要約】【課題】片持梁振動体または音片型振動体の上下面に圧
電体薄膜を形成して、圧電体薄膜の残留応力による振動
体の反りを防止し、圧電体薄膜の膜厚を最適化して、駆
動変位および検出変位を大きくし、検出感度を向上した
角速度センサを提供する。【解決手段】片持梁振動体２の上面に第１圧電体薄膜４
が形成され、この第１圧電体薄膜４の上に、片持梁振動
体２の梁幅方向に２分割されて該梁軸方向に長く、か
つ、片持梁振動体２に対向する一対の検出電極５、６が
形成され、片持梁振動体２の下面に第２圧電体薄膜７が
形成され、この第２圧電体薄膜７の上に、片持梁振動体
２に対向する駆動電極８が形成され、一対の検出電極
４、５および駆動電極８からは基体１の基部１ａまで引
出電極２ａが導出されている角速度センサ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車などの移動
体に搭載して、その回転角速度を検出する圧電型の角速
度センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の従来の角速度センサとして、特
開平７−１１３６４３号公報に開示されている片持梁振
動体の構造を図１９に示す。シリコン基体３１から一方
向に伸びる片持梁振動体３２を形成する。この片持梁振
動体３２及び基体３１の上には酸化シリコン層３３が形
成される。この片持梁振動体３２上の酸化シリコン層３
３の上には、３つの細長い分割電極３６ａ、３７ａ、３
８ａが、長手方向に形成されている。これらの分割電極
３６ａ、３７ａ、３８ａなどの上には、圧電体薄膜３４
が形成されている。また、この圧電体薄膜３４の上には
共通電極３５が形成されている。そして、圧電体薄膜３
４を介在して、共通電極３５と分割電極３６ａ、３７
ａ、３８ａとにより、それぞれ検出振動部３６、駆動振
動部３７、検出振動部３８が構成される。

【０００３】従来の角速度センサは以上のような構造よ
りなり、つぎに動作について説明する。中央の駆動振動
部３７の下部の分割電極３７ａと上部の共通電極３５と
の間に交流電圧を印加して、片持梁振動体３２をＺ軸方
向に振動させる。このように片持梁振動体３２が振動し
ているときに、角速度センサがＸ軸回りに回転すると、
コリオリ力により片持梁振動体３２はＹ軸方向にも振動
するようになる。そして、両側の検出振動部３６と３８
に、圧縮応力と引っ張り応力が交互に発生して、検出振
動部３６と３８には、それぞれ逆極性の電圧が発生す
る。この発生電圧を差動増幅することにより、回転角速
度を求めるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１９
に示す従来の角速度センサは、片持梁振動体３２の上面
にのみ圧電体薄膜３４をスパッタ法で形成し、この圧電
体薄膜３４の下に一対の検出電極と駆動電極よりなる３
つの電極を形成している。

【０００５】前記スパッタ法で形成した圧電体薄膜３４
は、応力が大きく、またシリコンよりなる片持梁振動体
３２と熱膨脹率が異なる。これらの２つの原因により片
持梁振動体３２が片一方に反り、破壊する危惧がある。

【０００６】また、前記３つの電極を梁幅１００μｍ程
度の片持梁振動体３２の上に形成することは困難であ
り、かつ、狭い電極により駆動変位および検出変位を共
に大きくすることはできず、角速度センサの検出感度
（１゜／ｓに対する出力電圧）を低下させていた。

【０００７】そこで、本発明は、片持梁振動体または音
片型振動体の上下面に圧電体薄膜を形成して、圧電体薄
膜の応力による振動体の反りを防止し、圧電体薄膜の膜
厚を最適化して、駆動変位および検出変位を大きくし、
検出感度を向上した角速度センサを提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基体から一方向に伸びて共通電極を兼ねる片持梁振
動体の一つの主面に第１圧電体薄膜が形成され、この第
１圧電体薄膜の上に、前記片持梁振動体の梁幅方向に２
分割されて梁軸方向に長い一対の検出電極が、前記共通
電極を兼ねる片持梁振動体に対向して形成され、前記片
持梁振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成され、こ
の第２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前記共通電極を兼
ねる片持梁振動体に対向して形成され、前記一対の検出
電極および駆動電極から基体の基部まで引出電極が導出
されているものである。

【０００９】この発明は、グランドとなる片持梁振動体
と駆動電極との間に、例えば、５〜５０ｋＨｚの交流電
圧を印加する。そして、片持梁振動体を上下方向に屈曲
振動させる。このように、片持梁振動体が屈曲振動して
いるときに、角速度センサがその片持梁振動体の軸回り
に回転したとすると、片持梁振動体はコリオリ力により
水平方向にも振動するようになる。この水平方向の振動
により、片持梁振動体と一対の検出電極との間には、そ
れぞれ逆極性の電圧が発生する。この逆極性の電圧を、
差動増幅することにより、コリオリ力に基づく回転角速
度を検出することができる。

【００１０】請求項２に記載の発明は、基体から一方向
に伸びて電極を兼ねる片持梁振動体の一つの主面に共通
電極が形成され、この共通電極の上に第１圧電体薄膜が
形成され、この第１圧電体薄膜の上に、前記片持梁振動
体の梁幅方向に２分割されて梁軸方向に長い一対の検出
電極が、前記共通電極に対向して形成され、前記片持梁
振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成され、この第
２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前記電極を兼ねる片持
梁振動体に対向して形成され、前記一対の検出電極、共
通電極および駆動電極から引出電極が基体の基部まで導
出されているものである。

【００１１】この発明は、請求項１に記載の発明と作用
を同一にする。ただ、一対の検出電極の対向する共通電
極が、請求項１に記載の発明は片持梁振動体であるのに
対し、この発明は片持梁振動体の上に形成した導電率の
大きい金属よりなる共通電極となっている点が異なる。
この共通電極は片持梁振動体より導電率が大きく、検出
感度を向上することができる。

【００１２】請求項３に記載の発明は、基体に４つの支
持梁を介して屈曲振動の２つの節部を支持されて共通電
極を兼ねる音片型振動体の一つの主面に第１圧電体薄膜
が形成され、この第１圧電体薄膜の上に、前記音片型振
動体の幅方向に２分割されて軸方向に長い一対の検出電
極が、前記共通電極を兼ねる音片型振動体に対向して形
成され、前記音片型振動体の他の主面に第２圧電体薄膜
が形成され、この第２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前
記共通電極を兼ねる音片型振動体に対向して形成され、
前記一対の検出電極および駆動電極から引出電極が前記
支持梁を介して基体まで導出されているものである。

【００１３】この発明は、グランドとなる音片型振動体
と駆動電極との間に、例えば、５〜５０ｋＨｚの交流電
圧を印加する。そして、音片型振動体を２つの節を支点
にして上下方向に屈曲振動させる。このように、音片型
振動体が屈曲振動しているときに、角速度センサがその
音片型振動体の軸回りに回転したとすると、音片型振動
体はコリオリ力により水平方向にも屈曲振動するように
なる。この水平方向の屈曲振動により、音片型振動体と
一対の検出電極との間には、それぞれ逆極性の電圧が発
生する。この逆極性の電圧を、差動増幅することによ
り、コリオリ力に基づく回転角速度を検出することがで
きる。

【００１４】請求項４に記載の発明は、基体に４つの支
持梁を介して屈曲振動の２つの節部を支持されて電極を
兼ねる音片型振動体の一つの主面に共通電極が形成さ
れ、この共通電極の上に、第１圧電体薄膜が形成され、
この第１圧電体薄膜の上に、前記音片型振動体の幅方向
に２分割されて軸方向に長い一対の検出電極が、前記共
通電極を兼ねる音片型振動体に対向して形成され、前記
音片型振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成され、
この第２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前記電極を兼ね
る音片型振動体に対向して形成され、前記一対の検出電
極、共通電極および駆動電極から引出電極が前記支持梁
を介して基体まで導出されているものである。

【００１５】この発明は、請求項３に記載の発明と作用
を同一にする。ただ、一対の検出電極の対向する電極
が、請求項３に記載の発明は音片型振動体であるのに対
し、この発明は音片型振動体の上に形成した導電率の大
きい金属よりなる共通電極になっている点が異なる。こ
の共通電極とすることにより、検出感度を向上させるこ
とができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に、図１〜図３を参照して、
本発明の第１実施例として片持梁振動体の構造よりなる
圧電型の角速度センサ１０について説明する。

【００１７】図１および図２において、１はシリコンな
どよりなる枠状の基体で、中空部１ｂを有する。この基
体１の中空部１ｂには、基体１の一部である基部１ａか
ら直角に伸びて共通電極を兼ねる片持梁振動体２が形成
されている。片持梁振動体２は、厚みが３００〜５００
μｍの枠状の基体１に結合して基体１と同一材料よりな
り、この基体１よりは、その厚みが薄く、５０〜１００
μｍに形成されている。一般にシリコン材料は、不純物
濃度によりその比抵抗が大きく異なるが、この基体１
は、電流を流すことができる程度に低い抵抗のシリコン
材料、所謂、低抵抗シリコン材料が用いられる。

【００１８】片持梁振動体２の上面と基部１ａのコーナ
ー部分の上面とには、圧電体薄膜、例えば酸化亜鉛薄膜
（ＺｎＯ）４が、２〜１０μｍの厚みに形成されてい
る。片持梁振動体２の酸化亜鉛薄膜４の上には、片持梁
振動体２の梁幅方向に２分割されて梁軸方向に長い一対
の検出電極５、６が、共通電極を兼ねる片持梁振動体２
に対向して形成される。この一対の検出電極５、６から
は、それぞれ引出電極５ａ、６ａが酸化亜鉛薄膜４の上
を基部１ａのコーナー部１ｃ、１ｄまで導出されてい
る。片持梁振動体２とこれに対向する一対の検出電極
５、６とは、酸化亜鉛薄膜４を介在させて、検出振動部
をそれぞれ形成することになる。また、基体１の基部１
ａの中央端部２ｂには基部１ａの露出表面にアルミニウ
ム（Ａｌ）または金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）等の金属
により引出端子２ａが形成される。この引出電極２ａ
は、片持梁振動体２のグランド端子となる。

【００１９】一方、図２および図３において、片持梁振
動体２と基体１の下面とには、基体１の一部を除いて、
酸化亜鉛薄膜７が形成される。片持梁振動体２の酸化亜
鉛薄膜７上には、駆動電極８が形成される。この駆動電
極８からは、引出端子８ａが酸化亜鉛薄膜４上を基部１
ａまで導出される。そして、駆動電極８と片持梁振動体
２とは、酸化亜鉛薄膜７を介在させて駆動振動部を形成
する。

【００２０】なお、圧電体薄膜としては、ＰＺＴ（チタ
ン酸ジルコン酸鉛）系材料も使用可能である。

【００２１】この実施例においては、片持梁振動体２の
上側に一対の検出電極５、６を形成し、下側に駆動電極
８を形成したが、これらを逆に設けてもよい。

【００２２】つぎに、図１〜図３に示す角速度センサ１
０の動作について説明する。引出端子２ａ（片持梁振動
体２）と引出端子８ａ（駆動電極８）との間に、５〜５
０ｋＨｚの交流電圧を印加する。すると、片持梁振動体
２は、その根元を支点にしてＺ軸方向に振動するように
なる。このように、片持梁振動体２が振動しているとき
に、角速度センサ１０がＸ軸回りに回転すると、片持梁
振動体２はコリオリ力により、Ｙ軸方向にも振動するよ
うになる。そして、一対の検出電極５と６の検出振動部
は引っ張り応力と圧縮応力を交互に受けて、一対の検出
電極５と６には互いに逆極性の電圧がそれぞれ発生し、
これらの逆極性の電圧を差動増幅することによりコリオ
リ力に基づく回転角速度を検出することができる。

【００２３】なお、上記実施例においては、図２に示す
ように、片持梁振動体２の上面に酸化亜鉛薄膜４を直接
設け、片持梁振動体２を一対の検出電極５、６が対向す
る共通の電極として利用した。しかし、片持梁振動体と
して比抵抗の高いシリコン材料を用いた結果、この片持
梁振動体２の抵抗が高くて検出感度が低下する場合に
は、図４および図５に示すように、片持梁振動体２の上
面に、一対の検出電極５、６に対向する共通電極３を、
片持梁振動体２よりは導電率の大きい金属、例えば、ア
ルミニウム、金／クロムなどで形成する。この共通電極
３は基部１ａに形成した引出端子３ａに導出される。

【００２４】つぎに、図６〜図８を参照して、本発明の
第２実施例として音片型振動体の構造よりなる圧電型の
角速度センサ２０について説明する。

【００２５】図６および図７において、１２はシリコン
などより形成されて共通電極を兼ねる音片型振動体であ
る。その屈曲振動の一つの節ｎ１が支持梁１２ａ、１２
ｂにより、もう一つの節ｎ２が支持梁１２ｃ、１２ｄに
よりそれぞれ支持される。４つの支持梁１２ａ〜１２ｄ
の先端は、枠状の基体１３の内側壁にそれぞれ結合して
いる。これらの音片型振動体１２と４つの支持梁１２ａ
〜１２ｄと後述する引出端子の形成される領域との上面
には、酸化亜鉛薄膜１４が形成される。なお、この実施
例で使用されるシリコンは、上記実施例と同様の低抵抗
シリコン材料である。

【００２６】音片型振動体１２の節ｎ１とｎ２間におい
て、酸化亜鉛薄膜１４の上には、音片型振動体１２の短
手方向に２分割されて長手方向に長い一対の検出電極１
５、１６が、共通電極を兼ねる音片型振動体１２に対向
して形成される。そして、酸化亜鉛薄膜１４を介在する
一対の検出電極１５、１６および音片型振動体１２とに
より、一対の検出振動部が構成される。一対の検出電極
１５、１６は、それぞれ支持梁１２ｃ、１２ｄの酸化亜
鉛薄膜１４上を経由して基体１３の酸化亜鉛薄膜１４上
に形成された引出端子１５ａ、１６ａに導出される。

【００２７】また、基体１２の上面の一部にはアルミニ
ウム（Ａｌ）または金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）等の金
属により引出端子１３ａが形成される。この引出端子１
３ａはグランドとなる音片型振動体１２のグランド端子
となる。

【００２８】図７および図８において、音片型振動体１
２と４つの支持梁１２ａ〜１２ｄと後述する引出端子の
形成される基体１３の一部領域との下面には、酸化亜鉛
薄膜１７が形成される。

【００２９】音片型振動体１２の酸化亜鉛薄膜１７上に
は、共通電極を兼ねる音片型振動体１２に対向する駆動
電極１８が形成される。そして、この駆動電極１８は、
支持梁１２ａの酸化亜鉛薄膜上を経由して基体１３の酸
化亜鉛薄膜１７上に形成した引出端子１８ａに導出され
る。

【００３０】音片型振動体１２は、一対の検出電極１
５、１６および駆動電極１８の共通のグランドとなり、
そして引出端子１３ａは音片型振動体１２のグランド端
子となる。

【００３１】つぎに、図６〜図８に示す角速度センサ２
０の動作について説明する。引出端子１８ａ（駆動電極
１８）と引出端子１３ａ（音片型振動体１３）との間に
５〜５０ｋＨｚの交流電圧を印加する。すると、音片型
振動体１３は２つの節ｎ１、ｎ２を支点にしてＺ軸方向
に屈曲振動をするようになる。このように、音片型振動
体１２が屈曲振動しているときに、角速度センサ２０が
Ｘ軸回りに回転すると、音片型振動体１２はコリオリ力
により、Ｙ軸方向にも屈曲振動するようになる。そし
て、検出電極１５と１６の検出振動部は引っ張り応力と
圧縮応力を交互に受けて、検出電極１５と１６には互い
に逆極性の電圧がそれぞれ発生し、これらの逆極性の電
圧を差動増幅することによりコリオリ力に基づく回転角
速度を検出することができる。

【００３２】なお、上記実施例においては、図７に示す
ように、音片型振動体１２の上面に酸化亜鉛薄膜１４を
直接設け、音片型振動体１２を一対の検出電極１５、１
６が対向する共通の電極として利用した。しかし、この
音片型振動体１２の抵抗が高く、検出感度が低下する場
合には、図９および図１０に示すように、音片型振動体
１２の上面に、一対の検出電極１５、１６に対向する共
通電極３ｂを、音片型振動体１２よりは導電率の大きい
金属、例えば、アルミニウム、金／クロムなどで形成
し、この共通電極３ｂから引出端子３ｃを基体１３まで
導出してもよい。つぎに、図１〜図３に示す角速度セン
サの製造方法について図１１〜図１８を参照して説明す
る。図１１において、厚みが３００〜５００μｍのシリ
コン基板１ｋの両面に、熱酸化、スパッタ、ＣＶＤ（化
学気相成長）などにより、シリコン酸化膜ｓ１、ｓ２を
それぞれ形成する。

【００３３】図１２において、フォトリソグラフィ技術
を用いて、酸化膜ｓ１、ｓ２の上にフォトレジストを塗
布し、上面の酸化膜ｓ１の全面にレジストマスクｍ１を
形成し、下面の酸化膜ｓ２の４辺にレジストマスクｍ２
を形成する。

【００３４】そして、レジストマスクｍ１、ｍ２を用
い、ＢＨＦ（バファ・フッ酸）のエッチング液にシリコ
ン基板１ｋを浸漬して、シリコン基板１ｋの下面中央部
の酸化膜ｓ２をエッチングして除去する。

【００３５】図１３において、レジストマスクｍ１、ｍ
２を剥離して、シリコン基板１ｋをＴＭＡＨ（テトラ・メチル・
アンモニウム・ハイト゛ロオキサイト゛）のエッチング液に浸漬し、シリコ
ン酸化膜ｓ１、ｓ２をマスクとして、シリコン基板１ｋ
の下面中央部を、シリコンのエッチング速度の遅い結晶
方位（１１１）を用いた異方性エッチングにより除去
し、厚みが５０〜１００μｍのメンブレン２ｆを形成す
る。

【００３６】図１４において、シリコン基板１ｋをＢＨ
Ｆのエッチング液に浸漬して、シリコン酸化膜ｓ１、ｓ
２を除去する。そして、ＲＦマグネトロンスパッタ法を
用いて、メンブレン２ｆを含むシリコン基板１ｋの下面
にメタルマスクを用いて２〜１０μｍの酸化亜鉛薄膜層
（ＺｎＯ）７ｆを形成する。

【００３７】図１５において、ＲＦマグネトロンスパッ
タ法を用いて、シリコン基板１ｋの上面に２〜１０μｍ
の酸化亜鉛薄膜層（ＺｎＯ）４ｆを形成する。ついで、
酸化亜鉛薄膜層７ｆを含むシリコン基板１ｋの下面をフ
ォトレジストで覆い、またシリコン基板１ｋの上面にフ
ォトレジストマスクを形成し、酸化亜鉛薄膜層４ｆを塩
酸、硝酸などの酸性水などによるウエットエッチングま
たはドライエッチングを用いてパターニングし、酸化亜
鉛薄膜４を形成する。

【００３８】図１６において、酸化亜鉛薄膜４の上にお
いて一対の検出電極５、６、引出電極５ａ、６ａおよび
基部１ａの上において引出電極２ａの対応箇所以外の全
面にレジストマスクを形成し、アルミニウム（Ａｌ）ま
たは金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）等の金属を蒸着する。
ついで、このレジストマスクをアセトンなどで除去する
ことにより、一対の検出電極５、６および引出電極５
ａ、６ａ、及び引出電極２ａを形成する。

【００３９】図１７において、一対の検出電極５、６を
含むシリコン基板１ｋの上にレジストマスクを形成す
る。このマスクを用いて、シリコン基板１ｋのメンブレ
ン２ｆをドライエッチングにより垂直加工して、不要部
分を除去し、かつ、酸化亜鉛薄膜層７ｆをパターニング
して酸化亜鉛薄膜７とし、中空部１ｂの中に片持梁振動
体２を形成する。

【００４０】図１８において、メタルマスクを用いた蒸
着により、下面の酸化亜鉛薄膜７上にアルミニウム（Ａ
ｌ）または金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）などの金属より
なる駆動電極８を形成して、図１〜図３に示す角速度セ
ンサを製造する。

【００４１】

【発明の効果】請求項１に記載の発明は、片持梁振動体
の両面に圧電体薄膜を形成して圧電体薄膜による応力を
片持梁振動体の両面で均等にしているので、片持梁振動
体が圧電体薄膜の応力により破壊する懸念がなく、片持
梁振動体の厚みに対する圧電体薄膜の厚みを最適化して
高い検出感度を得ることができる。

【００４２】また、駆動電極と一対の検出電極とを、片
持梁振動体の両面にそれぞれ分離して形成するので、駆
動変位が大きく取れるため検出変位が大きくなり、検出
感度が向上する。

【００４３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明の効果に加えるに、一対の検出電極の対向する電
極を、片持梁振動体でなく、この片持梁振動体よりは導
電率の大きい金属からなる共通電極で構成しているの
で、検出感度が更に向上する。請求項３に記載の発明
は、音片型振動体および支持梁の両面に圧電体薄膜を形
成して圧電体薄膜による応力を音片型振動体および支持
梁の両面で均等にしているので、音片型振動体および支
持梁が圧電体薄膜の応力により破壊する懸念がなく、音
片型振動体の厚みに対する圧電体薄膜の厚みを最適化し
て高い検出感度を得ることができる。

【００４４】また、駆動電極と一対の検出電極とを、音
片型振動体の両面にそれぞれ分離して形成するので、駆
動変位が大きく取れるため検出変位が大きくなり、検出
感度が向上する。

【００４５】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明の効果に加えるに、一対の検出電極の対向する電
極を、音片型振動体でなく、この音片型振動体よりは導
電率の大きい金属からなる共通電極で構成しているの
で、検出感度が更に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の角速度センサの第１実施例の平面図

【図２】図１のＡ−Ａ線断面形態図

【図３】図１の裏面形態図

【図４】第１実施例の変形例を示すもので、共通電極
を設けた平面図

【図５】図４のＢ−Ｂ線断図面形態図

【図６】本発明の角速度センサの第２実施例の平面図

【図７】図６のＣ−Ｃ線断面形態図

【図８】図６の裏面形態図

【図９】第２実施例の変形例を示すもので、共通電極
を設けた平面図

【図１０】図９のＤ−Ｄ線断面形態図

【図１１】本発明の角速度センサの第１実施例の製造
方法を示すもので、シリコン基板の両面にシリコン酸化
膜を形成する工程図

【図１２】シリコン酸化膜によりエッチング用マスク
を形成する工程図

【図１３】シリコン基板をエッチングしてメンブレン
を形成する工程図

【図１４】シリコン基板の下面に酸化亜鉛膜を形成す
る工程図

【図１５】シリコン基板の上面に酸化亜鉛膜を形成
し、この酸化亜鉛膜をパターニングする工程図

【図１６】上側の酸化亜鉛薄膜とシリコン基板との上
に金属を蒸着し、この金属をパターニングして検出電極
および引出電極を形成する工程図

【図１７】シリコン基板のメンブレンをエッチング
し、かつ、下側の酸化亜鉛薄膜をパターニングして、片
持梁振動体を形成する工程図

【図１８】下側の酸化亜鉛薄膜上に駆動電極を形成す
る工程図

【図１９】従来の角速度センサの斜視図

【符号の説明】

１基体１ａ基部１ｂ中空部２片持梁振動体２ａ、３ａ、３ｃ、５ａ、６ａ、８ａ、１３ａ、１５
ａ、１６ａ、１８ａ引出電極３、３ｂ共通電極４酸化亜鉛薄膜５、６検出電極７酸化亜鉛薄膜８駆動電極１０、２０角速度センサ１２音片型振動体１２ａ〜１２ｄ支持梁１３基体１４、１７酸化亜鉛薄膜１５、１６検出電極１８駆動電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体から一方向に伸びて共通電極を兼ね
る片持梁振動体の一つの主面に第１圧電体薄膜が形成さ
れ、この第１圧電体薄膜の上に、前記片持梁振動体の梁幅方
向に２分割されて梁軸方向に長い一対の検出電極が、前
記共通電極を兼ねる片持梁振動体に対向して形成され、前記片持梁振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成さ
れ、この第２圧電体薄膜の上に駆動電極が前記共通電極
を兼ねる片持梁振動体に対向して形成され、前記一対の検出電極および駆動電極から基体の基部まで
引出電極が導出されている角速度センサ。
【請求項２】基体から一方向に伸びて電極を兼ねる片
持梁振動体の一つの主面に共通電極が形成され、この共
通電極の上に第１圧電体薄膜が形成され、この第１圧電体薄膜の上に、前記片持梁振動体の梁幅方
向に２分割されて梁軸方向に長い一対の検出電極が、前
記共通電極に対向して形成され、前記片持梁振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成さ
れ、この第２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前記電極を
兼ねる片持梁振動体に対向して形成され、前記一対の検出電極、共通電極および駆動電極から引出
電極が基体の基部まで導出されている角速度センサ。
【請求項３】基体に４つの支持梁を介して屈曲振動の
２つの節部を支持されて共通電極を兼ねる音片型振動体
の一つの主面に第１圧電体薄膜が形成され、この第１圧電体薄膜の上に、前記音片型振動体の幅方向
に２分割されて軸方向に長い一対の検出電極が、前記共
通電極を兼ねる音片型振動体に対向して形成され、前記音片型振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成さ
れ、この第２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前記共通電
極を兼ねる音片型振動体に対向して形成され、前記一対の検出電極および駆動電極から引出電極が前記
支持梁を介して基体まで導出されている角速度センサ。
【請求項４】基体に４つの支持梁を介して屈曲振動の
２つの節部を支持されて電極を兼ねる音片型振動体の一
つの主面に共通電極が形成され、この共通電極の上に、第１圧電体薄膜が形成され、この第１圧電体薄膜の上に、前記音片型振動体の幅方向
に２分割されて軸方向に長い一対の検出電極が、前記共
通電極を兼ねる音片型振動体に対向して形成され、前記音片型振動体の他の主面に第２圧電体薄膜が形成さ
れ、この第２圧電体薄膜の上に駆動電極が、前記電極を
兼ねる音片型振動体に対向して形成され、前記一対の検出電極、共通電極および駆動電極から引出
電極が前記支持梁を介して基体まで導出されている角速
度センサ。