JPH118277A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH118277A
JPH118277A JP9172819A JP17281997A JPH118277A JP H118277 A JPH118277 A JP H118277A JP 9172819 A JP9172819 A JP 9172819A JP 17281997 A JP17281997 A JP 17281997A JP H118277 A JPH118277 A JP H118277A
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semiconductor integrated
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Abstract

(57)【要約】 【課題】メモリ(SRAM、DRAM、フラッシュ等)
混載ロジック製品において、同時に評価できるチップ数
を増加して、テスティングの効率を向上するとともに、
レイアウト設計を容易化する半導体装置の提供。 【解決手段】メモリ(SRAM、DRAM、フラッシュ
等)混載ロジック製品において、メモリ部101のの周
辺にメモリテスト専用のテストパッド103を配置する
ことによって、テスティングの効率を上げ、かつレイア
ウト設計を容易にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
関し、特にメモリ(SRAM、DRAM、フラッシュメ
モリ等)混載ロジックの半導体集積回路のテストに用い
て好適な半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、メモリ(SRAM、DRAM、フ
ラッシュメモリ等)混載ロジック製品では、各製品ごと
の仕様によってパッド配置は異なっており、テストピン
は、例えば図5に示すように、チップの4辺に、任意に
配置されていた。図5において、501はメモリ部、5
03はメモリ部501の外部パッド、502はロジック
部を示している。
【0003】このため、メモリ部のみを評価する時も、
テストパッドは4辺に分散されていることが多かった。
【0004】しかし、ウェハ状態でメモリ部のテストを
行う場合、メモリテスト用のテストパッドが4辺に散ら
ばっていると、プローブカード上では、図7に示すよう
に、2個しか並べることができない。図7において、7
01はプローブカード、702はテスト対象のチップ、
703はプローブを示してる。
【0005】ところが、メモリテスト用のテストパッド
を、図6に示すように、2辺に集中させると、プローブ
カード上では、図8に示すように、テスト対象チップ6
02を多数並べることができる。図6において、601
はメモリ部、603は図で上下2辺に配置されたメモリ
部の外部パッド、602はロジック部を示している。
【0006】プローブカードに多数並べることができる
ということは、同時に測定できるチップの数が増えるこ
とになりテスティングの効率が上がる。
【0007】また、この時、メモリテスト用のテストパ
ッドを各製品ごとに決定するのではなく、共通化するこ
とによってより、テスティングの効率を一層向上するこ
とができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際
に、テストパッドを、図6に示したように、2辺の外部
パッド603にまとめるためには、あらかじめメモリテ
スト用のテストパッドを固定しておく必要があり、レイ
アウト設計時の大きな制約となり、配線の引き回しによ
る遅延も大きな問題となってくる。まして、パッドの共
通化にいたっては、各製品の仕様を制限することになっ
てしまうため、実際上は極めて困難である。
【0009】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、テストパッドを
2辺にまとめてもレイアウトが容易にできる半導体集積
回路を提供することにある。
【0010】本発明の他の目的は、メモリテスト用のテ
ストパッドの共通化が容易にできる半導体集積回路を提
供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体集積回路は、メモリ部とロジック部
をあわせ持ち、前記メモリ部の周辺に、前記メモリ部の
テスト専用パッドを有することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明の半導体装置は、その好ましい実施の形態
において、メモリ部とロジック部をあわせ持ち、メモリ
部の相対する2辺の周辺に、メモリテスト専用のパッド
を持つことによって、メモリテストのためにテストパッ
ドを2辺にまとめて同時に評価できるチップ数を増加し
てテスティングの効率を上げるようにしたものである。
また、本発明の実施の形態においては、メモリテストの
ための専用パッドを備えたことにより、レイアウトを容
易化し、かつ同じメモリを用いる製品ならば、メモリテ
スト用のテストパッドの共通化を容易にできるようにし
たものである。
【0013】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して以下
に説明する。
【0014】[実施例1]図1は、本発明の一実施例の
構成を示す図であり、SRAMを混載したロジックのチ
ップの平面図である。図1において、101はメモリ
部、102はロジック部、103はメモリテスト専用パ
ッドであり、104は外部パッドである。メモリ部10
1の、図で上下2辺の両側にメモリテスト専用パッド1
03が配置されている。
【0015】図2は、図1におけるメモリ部101及び
メモリテスト専用パッド103を部分的に拡大して示し
た平面図である。図2を参照して、A0〜A7はアドレ
ス端子、D0〜D7はデータ端子、CLKはクロック入
力端子、MODE0〜1はモード信号端子、UASはア
ドレス信号切替端子である。なお、図2に示した構成は
あくまで説明のためのものであり、本発明において、メ
モリ部がこのような構成に限定されるものでないことは
勿論である。
【0016】図2を参照して、実際のテスト方法につい
て説明する。アドレスはUAS信号によって、上位ビッ
トと下位ビットを選択する。上位ビット選択時には、A
16も同時に選択される。アドレス端子はメモリの容量
によって異なる。図2に示した例では、128KByt
eのメモリを想定している。
【0017】テストモードは、MODE0−1信号で制
御される。例えば、MODE0、MODE1が、“0
0”の時には、データのダンプを行うように設定してお
く。MODE端子の数は、使用するテストモードの数に
応じて変わる。その他の端子としてD1からD7は8ビ
ットのデータ端子、CLKはクロック端子、RESET
はリセット端子、GNDはグランド端子、VDDは電源
端子である。
【0018】上記のような設定を行うことによって、メ
モリ部101のみのテストを効率よくテストできる。
【0019】[実施例2]本発明の第2の実施例につい
て説明する。本実施例においては、図3に示すように、
メモリテスト専用パッド703を、メモリ部701の片
側に配置することによって、図4に示すように、プロー
ブカード801上での並列数を増やし、テスティングの
効率を上げることができる。すなわち、図4を参照し
て、図で上側のテスト対象のチップ列はメモリテスト専
用パッド703を図の上側となるように配置し、図で下
側のテスト対象のチップ列はメモリテスト専用パッド7
03を図の下側となるように配置している。
【0020】上記した本発明の実施例によれば、メモリ
部にテスト専用パッドを持たせることによって、メモリ
部のマクロとしてレイアウトが行え、このため、メモリ
テストのために端子を2辺にまとめ、テスト時の同測数
(同時測定数)を増加させると共に、レイアウトを容易
に行うことができる。
【0021】またメモリ部に、上記実施例で説明したテ
スト専用パッドを持たせた状態で、メモリのマクロとし
て供給することによって、同じメモリを用いる製品での
テストの共通化をはかることができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
【0023】本発明の第一の効果は、メモリ部にテスト
専用端子(パッド)を持たせることによって、メモリ部
のマクロとしてレイアウトが行えるため、メモリテスト
のために端子を2辺にまとめ、テスト時の同測数(同時
測定数)を増加させると共に、レイアウトを容易に行う
ことができる、ということである。
【0024】本発明の第二の効果は、メモリ部にテスト
専用端子を持たせた状態で、メモリのマクロとして供給
することによって、同じメモリを用いる製品でのテスト
の共通化をはかることができる、ということである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例に係る半導体集積回路の
構成を示す平面図である。
【図2】本発明の第1の実施例に係る半導体集積回路の
メモリ部の平面図である。
【図3】本発明の第2の実施例に係る半導体集積回路の
構成を示す平面図である。
【図4】本発明の第2の実施例におけるプローブカード
の例を示す図である。
【図5】従来の半導体集積回路(テストパッド4辺)を
示す平面図である。
【図6】従来の半導体集積回路(テストパッド2辺)を
示す平面図である。
【図7】従来の半導体集積回路を使用するプローブカー
ドを示す図である。
【図8】本発明の半導体集積回路を使用するプローブカ
ードを示す図である。
【符号の説明】
101、201 メモリ部 102 ロジック部 103、202 メモリテスト専用パッド(端子) 104 外部パッド

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】メモリ部とロジック部をあわせ持ち、 前記メモリ部の周辺に、前記メモリ部のテスト専用パッ
    ドを有することを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】メモリ部とロジック部を同一チップ上に含
    む半導体集積回路において、 前記メモリ部のテストパッドとして外部パッドを用い
    ず、前記メモリ部の4辺のうち、相対する2辺の周辺に
    前記メモリ部のテスト専用パッド群を整列配置してな
    る、ことを特徴とする半導体集積回路。
  3. 【請求項3】メモリ部とロジック部を同一チップ上に含
    む半導体集積回路において、 前記メモリ部の4辺のうち、外部パッド列に対向する辺
    と前記外部パッド列との間に前記メモリ部のテスト専用
    パッド群を整列配置してなる、ことを特徴とする半導体
    集積回路。
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