JPH1167637A - 電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光方法Info
- Publication number
- JPH1167637A JPH1167637A JP22243397A JP22243397A JPH1167637A JP H1167637 A JPH1167637 A JP H1167637A JP 22243397 A JP22243397 A JP 22243397A JP 22243397 A JP22243397 A JP 22243397A JP H1167637 A JPH1167637 A JP H1167637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- beam exposure
- electrode pattern
- wafer
- needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特別な工程を追加することなく、配線層間を
絶縁する層間絶縁膜を有する多層化された厚いデバイス
を製造対象としても電子線露光時にチャージアップ防止
を適確に計り得る電子線露光方法を提供すること。 【解決手段】 この電子線露光方法では、電極パターン
形成工程においてウェハ１１の端部にコンタクトホー
ル，配線，スルーホール等の通常の素子製造工程でウェ
ハ１１と電気的に接続された電極パターン１３を１箇所
形成し、アース針接触工程において電子線露光時に電極
パターン１３にアース針１４を接触させる。ここではウ
ェハ１１表面に層間絶縁膜１６が成膜されている場合で
も、電極パターン１３上の層間絶縁膜１６の薄い部分を
突き破ってアース針１４が電極パターン１３と接触する
ため、ウェハ１１を確実に接地することが可能となる。
従って電子線露光時のチャージアップが防止され、高い
重ね合せ精度が得られる。
絶縁する層間絶縁膜を有する多層化された厚いデバイス
を製造対象としても電子線露光時にチャージアップ防止
を適確に計り得る電子線露光方法を提供すること。 【解決手段】 この電子線露光方法では、電極パターン
形成工程においてウェハ１１の端部にコンタクトホー
ル，配線，スルーホール等の通常の素子製造工程でウェ
ハ１１と電気的に接続された電極パターン１３を１箇所
形成し、アース針接触工程において電子線露光時に電極
パターン１３にアース針１４を接触させる。ここではウ
ェハ１１表面に層間絶縁膜１６が成膜されている場合で
も、電極パターン１３上の層間絶縁膜１６の薄い部分を
突き破ってアース針１４が電極パターン１３と接触する
ため、ウェハ１１を確実に接地することが可能となる。
従って電子線露光時のチャージアップが防止され、高い
重ね合せ精度が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として大規模集
積回路（ＬＳＩ）製造分野のリソグラフィ技術に適用さ
れる電子線露光方法であって、詳しくは電子線によるパ
ターン描画の際にウェハのチャージアップを防止する電
子線露光方法に関する。
積回路（ＬＳＩ）製造分野のリソグラフィ技術に適用さ
れる電子線露光方法であって、詳しくは電子線によるパ
ターン描画の際にウェハのチャージアップを防止する電
子線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの設計ルールとして、パ
ターンの最小線幅は微細化の一途を辿っており、既存の
紫外光を用いた縮小投影露光法等によっては形成が困難
になりつつある。このようなパターンの微細化の問題に
対する解決方法として、電子線直後描画法が提案されて
いる。
ターンの最小線幅は微細化の一途を辿っており、既存の
紫外光を用いた縮小投影露光法等によっては形成が困難
になりつつある。このようなパターンの微細化の問題に
対する解決方法として、電子線直後描画法が提案されて
いる。
【０００３】この電子線直後描画法は、電子線露光を行
うものであるが、電子線露光全般における問題点の一つ
として、チャージアップの問題が挙げられる。このチャ
ージアップは、露光時やマーク検出時にウェハに入射し
た電子によってウェハのチャージアップが生じ、その反
発力により入射される電子ビームの軌道が予期しない変
化を受け、結果として描画パターンの位置ズレが生じる
状態を示す。描画パターンの位置ズレが生じた場合、当
然下地パターンとの重ね合わせ精度が大幅に劣化するこ
とになる。このため、電子線露光では一般的に露光時に
ウェハ表面にアース針を接触させ、ウェハに入射した電
子をアース針を通してアースに逃がすことにより、ウェ
ハのチャージアップを防止するようにしている。
うものであるが、電子線露光全般における問題点の一つ
として、チャージアップの問題が挙げられる。このチャ
ージアップは、露光時やマーク検出時にウェハに入射し
た電子によってウェハのチャージアップが生じ、その反
発力により入射される電子ビームの軌道が予期しない変
化を受け、結果として描画パターンの位置ズレが生じる
状態を示す。描画パターンの位置ズレが生じた場合、当
然下地パターンとの重ね合わせ精度が大幅に劣化するこ
とになる。このため、電子線露光では一般的に露光時に
ウェハ表面にアース針を接触させ、ウェハに入射した電
子をアース針を通してアースに逃がすことにより、ウェ
ハのチャージアップを防止するようにしている。
【０００４】図３は、従来のチャージアップ防止式電子
線露光方法を説明するために示した試料台１５上の一例
に係る大規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ
１１の部分側面断面図である。ここでは、ウェハ１１を
設置する試料台１５の表面が静電吸着によるウェハ１１
保持の必要性により、ウェハ１１の接する表面をセラミ
ック等の絶縁体で形成しており、ウェハ１１が試料台１
５上に電気的に絶縁されて設置されるようになってい
る。
線露光方法を説明するために示した試料台１５上の一例
に係る大規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ
１１の部分側面断面図である。ここでは、ウェハ１１を
設置する試料台１５の表面が静電吸着によるウェハ１１
保持の必要性により、ウェハ１１の接する表面をセラミ
ック等の絶縁体で形成しており、ウェハ１１が試料台１
５上に電気的に絶縁されて設置されるようになってい
る。
【０００５】ウェハ１１を試料台１２上に設置後、アー
ス針１４をコイルスプリング等の機械的圧力によりウェ
ハ１１端部の素子１２領域を避けて１ケ所或いは複数個
所に設けたパターンに接触させる。アース針１４は通常
先端を鋭利に研磨した金属針を用いており、配線によっ
てアースと接続されている。従って、ウェハ１１はアー
ス針１４を通して接地され、入射した電子によるウェハ
１１のチャージアップが防止される。
ス針１４をコイルスプリング等の機械的圧力によりウェ
ハ１１端部の素子１２領域を避けて１ケ所或いは複数個
所に設けたパターンに接触させる。アース針１４は通常
先端を鋭利に研磨した金属針を用いており、配線によっ
てアースと接続されている。従って、ウェハ１１はアー
ス針１４を通して接地され、入射した電子によるウェハ
１１のチャージアップが防止される。
【０００６】ところで、最近ではデバイスの高機能化の
要求に応えるべく、デバイスの配線層を多層化する傾向
にある。これに伴い、配線層間を絶縁する層間絶縁膜の
膜厚も、複数層の配線パターンが形成された状態では数
μｍもの膜厚になっている。こうしたデバイスの製造に
際して電子線露光を行う場合にもチャージアップを防止
するため、上述した通りにアース針がウェハと電気的に
接触していることが必要となる。
要求に応えるべく、デバイスの配線層を多層化する傾向
にある。これに伴い、配線層間を絶縁する層間絶縁膜の
膜厚も、複数層の配線パターンが形成された状態では数
μｍもの膜厚になっている。こうしたデバイスの製造に
際して電子線露光を行う場合にもチャージアップを防止
するため、上述した通りにアース針がウェハと電気的に
接触していることが必要となる。
【０００７】図４は、従来のチャージアップ防止式電子
線露光方法を説明するために示した試料台１５上の他例
に係る大規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ
１１及び層間絶縁膜１６の部分側面断面図である。
線露光方法を説明するために示した試料台１５上の他例
に係る大規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ
１１及び層間絶縁膜１６の部分側面断面図である。
【０００８】ここでは、数μｍの厚さの素子１２を含む
層間絶縁膜１６がウェハ１１上に堆積された状態で電子
線露光を行うが、アース針１４は厚い層間絶縁膜１６に
阻害されてウェハ１１表面に達しないため、電気的接触
が取れずに露光時にウェハ１１のチャージアップが生じ
て重ね合わせ精度が劣化してしまう。こうした劣化は厚
い層間絶縁膜１６上で直接パターン露光を行う必要のあ
るコンタクトホールやスルーホール層で顕著となる。
層間絶縁膜１６がウェハ１１上に堆積された状態で電子
線露光を行うが、アース針１４は厚い層間絶縁膜１６に
阻害されてウェハ１１表面に達しないため、電気的接触
が取れずに露光時にウェハ１１のチャージアップが生じ
て重ね合わせ精度が劣化してしまう。こうした劣化は厚
い層間絶縁膜１６上で直接パターン露光を行う必要のあ
るコンタクトホールやスルーホール層で顕著となる。
【０００９】そこで、こうした問題を解決する方法とし
て、特開昭６１−２７６２７７号公報に開示された金属
薄膜の微細加工法では、電子線露光時に層間絶縁膜が露
出する領域の表面上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜
によりチャージアップを防止している。
て、特開昭６１−２７６２７７号公報に開示された金属
薄膜の微細加工法では、電子線露光時に層間絶縁膜が露
出する領域の表面上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜
によりチャージアップを防止している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した金属薄膜の微
細加工法の場合、配線層間を絶縁する層間絶縁膜を有す
る多層化された厚いデバイスを製造対象としても電子線
露光時にチャージアップ防止を有効に計り得るが、その
反面、チャージアップ防止のためだけに用いる金属薄膜
を形成したり、或いは除去する必要があるため、こうし
た余分な工程が追加されて全体の工数が複雑となり、素
子製造の応答時間（ＴＡＴ）が低下してしまうという問
題がある。
細加工法の場合、配線層間を絶縁する層間絶縁膜を有す
る多層化された厚いデバイスを製造対象としても電子線
露光時にチャージアップ防止を有効に計り得るが、その
反面、チャージアップ防止のためだけに用いる金属薄膜
を形成したり、或いは除去する必要があるため、こうし
た余分な工程が追加されて全体の工数が複雑となり、素
子製造の応答時間（ＴＡＴ）が低下してしまうという問
題がある。
【００１１】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、特別な工程を追加
することなく、配線層間を絶縁する層間絶縁膜を有する
多層化された厚いデバイスを製造対象としても電子線露
光時にチャージアップ防止を適確に計り得る電子線露光
方法を提供することにある。
なされたもので、その技術的課題は、特別な工程を追加
することなく、配線層間を絶縁する層間絶縁膜を有する
多層化された厚いデバイスを製造対象としても電子線露
光時にチャージアップ防止を適確に計り得る電子線露光
方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板端
部のアース針が接触する領域に該基板と電気的に接続の
取れた電極パターンを形成する電極パターン形成工程
と、電子線露光時に電極パターンにアース針を接触させ
るアース針接触工程とを有する電子線露光方法が得られ
る。
部のアース針が接触する領域に該基板と電気的に接続の
取れた電極パターンを形成する電極パターン形成工程
と、電子線露光時に電極パターンにアース針を接触させ
るアース針接触工程とを有する電子線露光方法が得られ
る。
【００１３】又、本発明によれば、上記電子線露光方法
において、電極パターン形成工程では、電極パターンを
基板端部の素子領域と重ならない領域に１個所形成する
電子線露光方法が得られる。
において、電極パターン形成工程では、電極パターンを
基板端部の素子領域と重ならない領域に１個所形成する
電子線露光方法が得られる。
【００１４】更に、本発明によれば、上記電子線露光方
法において、電極パターン形成工程では、電極パターン
を基板端部の素子領域と重ならない領域に複数個所形成
し、アース針接触工程では、複数個所の電極パターンに
アース針を接触させる電子線露光方法が得られる。
法において、電極パターン形成工程では、電極パターン
を基板端部の素子領域と重ならない領域に複数個所形成
し、アース針接触工程では、複数個所の電極パターンに
アース針を接触させる電子線露光方法が得られる。
【００１５】加えて、本発明によれば、上記電子線露光
方法において、電極パターン形成工程では、複数個所の
電極パターンとして、素子のコンタクトホールパター
ン，スルーホールパターン，及び配線パターンを同時に
形成する電子線露光方法が得られる。
方法において、電極パターン形成工程では、複数個所の
電極パターンとして、素子のコンタクトホールパター
ン，スルーホールパターン，及び配線パターンを同時に
形成する電子線露光方法が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明の電
子線露光方法について、図面を参照して詳細に説明す
る。
子線露光方法について、図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１７】図１は、本発明の実施例１に係るチャージ
アップ防止式電子線露光方法を説明するために示した大
規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ１１及び
層間絶縁膜１６を示したもので、同図（ａ）はウェハ１
１の上面図に関するもの，同図（ｂ）は試料台１５上の
ウェハ１１及び層間絶縁膜１６の部分側面断面図に関す
るものである。
アップ防止式電子線露光方法を説明するために示した大
規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ１１及び
層間絶縁膜１６を示したもので、同図（ａ）はウェハ１
１の上面図に関するもの，同図（ｂ）は試料台１５上の
ウェハ１１及び層間絶縁膜１６の部分側面断面図に関す
るものである。
【００１８】この電子線露光方法では、ウェハ１１及び
層間絶縁膜１６端部の素子１２領域と重ならない（素子
１２が配置されていない）アース針１４が接触する領域
にウェハ１１及び層間絶縁膜１６と電気的に接続の取れ
た電極パターン１３を１個所形成する電極パターン形成
工程と、電子線露光時に電極パターン１３にアース針１
４を接触させるアース針接触工程とを実行する。
層間絶縁膜１６端部の素子１２領域と重ならない（素子
１２が配置されていない）アース針１４が接触する領域
にウェハ１１及び層間絶縁膜１６と電気的に接続の取れ
た電極パターン１３を１個所形成する電極パターン形成
工程と、電子線露光時に電極パターン１３にアース針１
４を接触させるアース針接触工程とを実行する。
【００１９】具体的に云えば、先ず電極パターン形成工
程として、図１（ａ）に示されるように、素子１２の配
置されていないウェハ１１の端部に電極パターン１３を
形成する。電極パターン１３を配置する場所は、ウェハ
１１を試料台１５上に設置したときにアース針１４が接
触する場所としてウェハ１１の右下側の端部とした。電
極パターン１３は幅４ｍｍ，長さ８ｍｍの矩形であり、
ウェハ１１の外周部に沿って４５度回転させた位置とし
た。使用するアース針１４の径は１ｍｍであるが、電極
パターン１３の大きさを４ｍｍ×８ｍｍとしたことで、
試料台１５及び図示されないステージ上でウェハ１１が
設置位置ズレを起こした場合でも、アース針１４と電極
パターン１３とを確実に接触させることが可能となる。
程として、図１（ａ）に示されるように、素子１２の配
置されていないウェハ１１の端部に電極パターン１３を
形成する。電極パターン１３を配置する場所は、ウェハ
１１を試料台１５上に設置したときにアース針１４が接
触する場所としてウェハ１１の右下側の端部とした。電
極パターン１３は幅４ｍｍ，長さ８ｍｍの矩形であり、
ウェハ１１の外周部に沿って４５度回転させた位置とし
た。使用するアース針１４の径は１ｍｍであるが、電極
パターン１３の大きさを４ｍｍ×８ｍｍとしたことで、
試料台１５及び図示されないステージ上でウェハ１１が
設置位置ズレを起こした場合でも、アース針１４と電極
パターン１３とを確実に接触させることが可能となる。
【００２０】次に、電極パターン形成工程では、図１
（ｂ）に示されるように、層間絶縁膜１６端部における
電極パターン１３を通常の素子製造工程のコンタクトホ
ール，第１配線，第１スルーホール，第２配線の各ＰＲ
工程時に素子１２のパターンと同時に露光し、エッチン
グ，成膜等の通常の素子製造工程により素子１２と同時
に形成する。
（ｂ）に示されるように、層間絶縁膜１６端部における
電極パターン１３を通常の素子製造工程のコンタクトホ
ール，第１配線，第１スルーホール，第２配線の各ＰＲ
工程時に素子１２のパターンと同時に露光し、エッチン
グ，成膜等の通常の素子製造工程により素子１２と同時
に形成する。
【００２１】ここでは、配線層に厚さ０．８μｍのＡｌ
Ｃｕを用い、コンタクトホール及びスルーホールにはＷ
埋め込みプラグを用いた。配線層で形成した電極パター
ン１３は上述の通り４ｍｍ×８ｍｍの矩形パターンと
し、コンタクトホール及びスルーホールでは１μｍ径の
パターンを電極パターン１３の領域にホール対スペース
比が１：１となるようにアレイ状に配置した。配線層間
の絶縁膜の厚さは各層間とも約０．７μｍとなってい
る。コンタクトホールのＷプラグはウェハ１１表面とオ
ーミック接合しており、従って最上層の第２配線とウェ
ハ１１とは電気的に接続されている。
Ｃｕを用い、コンタクトホール及びスルーホールにはＷ
埋め込みプラグを用いた。配線層で形成した電極パター
ン１３は上述の通り４ｍｍ×８ｍｍの矩形パターンと
し、コンタクトホール及びスルーホールでは１μｍ径の
パターンを電極パターン１３の領域にホール対スペース
比が１：１となるようにアレイ状に配置した。配線層間
の絶縁膜の厚さは各層間とも約０．７μｍとなってい
る。コンタクトホールのＷプラグはウェハ１１表面とオ
ーミック接合しており、従って最上層の第２配線とウェ
ハ１１とは電気的に接続されている。
【００２２】更に、アース針接触工程では、図１（ｂ）
に示されるように、電子線露光時として第２スルーホー
ル露光時にアース針１４が厚さ０．７μｍの第２スルー
ホール層の層間絶縁膜１６を突き破り、第２配線層で形
成した電極パターン１３に接する。
に示されるように、電子線露光時として第２スルーホー
ル露光時にアース針１４が厚さ０．７μｍの第２スルー
ホール層の層間絶縁膜１６を突き破り、第２配線層で形
成した電極パターン１３に接する。
【００２３】即ち、従来のチャージアップ防止式電子線
露光方法であれば、第２スルーホール層露光時には厚さ
約３．７μｍの層間絶縁膜１６となっており、アース針
１４をウェハ１１に接触させることが困難であるため、
ウェハ１１のチャージアップが発生して重ね合わせ精度
の劣化を招いていたが、実施例１の方法では第２配線層
上の層間絶縁膜１６は厚さ０．７μｍであるので、アー
ス針１４を確実に電極パターン１３に接触させることが
可能となる。これにより、電子線露光時にウェハ１１に
入射した電子は電極パターン１３及びアース針１４を通
りアースに流れるため、ウェハ１１のチャージアップは
確実に防止され、高い重ね合わせ精度が得られる。
露光方法であれば、第２スルーホール層露光時には厚さ
約３．７μｍの層間絶縁膜１６となっており、アース針
１４をウェハ１１に接触させることが困難であるため、
ウェハ１１のチャージアップが発生して重ね合わせ精度
の劣化を招いていたが、実施例１の方法では第２配線層
上の層間絶縁膜１６は厚さ０．７μｍであるので、アー
ス針１４を確実に電極パターン１３に接触させることが
可能となる。これにより、電子線露光時にウェハ１１に
入射した電子は電極パターン１３及びアース針１４を通
りアースに流れるため、ウェハ１１のチャージアップは
確実に防止され、高い重ね合わせ精度が得られる。
【００２４】従って、実施例１の方法を適用すれば、配
線層間を絶縁する層間絶縁膜１６を有する多層化された
厚いデバイス（大規模集積回路）を製造対象としても電
子線露光時にチャージアップ防止を適確に計り得るもの
となる。
線層間を絶縁する層間絶縁膜１６を有する多層化された
厚いデバイス（大規模集積回路）を製造対象としても電
子線露光時にチャージアップ防止を適確に計り得るもの
となる。
【００２５】図２は、本発明の実施例２に係るチャージ
アップ防止式電子線露光方法を説明するために示した大
規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ１１及び
層間絶縁膜１６を示したもので、同図（ａ）はウェハ１
１の上面図に関するもの，同図（ｂ）は（ａ）に示され
るＡ−Ａ´方向における試料台１５上のウェハ１１及び
層間絶縁膜１６の部分側面断面図に関するものである。
アップ防止式電子線露光方法を説明するために示した大
規模集積回路中間製品（基板）としてのウェハ１１及び
層間絶縁膜１６を示したもので、同図（ａ）はウェハ１
１の上面図に関するもの，同図（ｂ）は（ａ）に示され
るＡ−Ａ´方向における試料台１５上のウェハ１１及び
層間絶縁膜１６の部分側面断面図に関するものである。
【００２６】この電子線露光方法では、ウェハ１１及び
層間絶縁膜１６端部の素子１２領域と重ならない（素子
１２が配置されていない）アース針１４が接触する領域
にウェハ１１及び層間絶縁膜１６と電気的に接続の取れ
た電極パターンを複数個所形成する電極パターン形成工
程と、電子線露光時に複数個所の電極パターンにアース
針１４を接触させるアース針接触工程とを実行する。但
し、電極パターン形成工程では、複数個所の電極パター
ンとして、素子のコンタクトホールパターン，スルーホ
ールパターン，及び配線パターンを同時に形成する。
層間絶縁膜１６端部の素子１２領域と重ならない（素子
１２が配置されていない）アース針１４が接触する領域
にウェハ１１及び層間絶縁膜１６と電気的に接続の取れ
た電極パターンを複数個所形成する電極パターン形成工
程と、電子線露光時に複数個所の電極パターンにアース
針１４を接触させるアース針接触工程とを実行する。但
し、電極パターン形成工程では、複数個所の電極パター
ンとして、素子のコンタクトホールパターン，スルーホ
ールパターン，及び配線パターンを同時に形成する。
【００２７】具体的に云えば、先ず電極パターン形成工
程として、図２（ａ）に示されるように、ウェハ１１の
オリフラ付近であって、且つ素子１２が配置されていな
い領域に３個所の電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
を配置する。電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそ
れぞれ５ｍｍ×５ｍｍの大きさの正方形とし、これらの
間隔を１ｃｍで配置した。電極パターン１３ａ，１３
ｂ，１３ｃを５ｍｍ×５ｍｍの正方形とした理由は、実
施例１の場合と同様に、試料台１５及び図示されないス
テージ上でウェハ１１が設置位置ズレを起こした場合で
も、アース針１４と電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３
ｃとを確実に接触させるためである。
程として、図２（ａ）に示されるように、ウェハ１１の
オリフラ付近であって、且つ素子１２が配置されていな
い領域に３個所の電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
を配置する。電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃはそ
れぞれ５ｍｍ×５ｍｍの大きさの正方形とし、これらの
間隔を１ｃｍで配置した。電極パターン１３ａ，１３
ｂ，１３ｃを５ｍｍ×５ｍｍの正方形とした理由は、実
施例１の場合と同様に、試料台１５及び図示されないス
テージ上でウェハ１１が設置位置ズレを起こした場合で
も、アース針１４と電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３
ｃとを確実に接触させるためである。
【００２８】次に、電極パターン形成工程では、図２
（ｂ）に示されるように、層間絶縁膜１６端部における
電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃを通常の素子製造
工程のコンタクトホール，第１配線，第１スルーホー
ル，第２配線の各ＰＲ工程時に素子１２のパターンと同
時に露光し、エッチング，成膜等の通常の素子製造工程
により素子１２と同時に形成する。
（ｂ）に示されるように、層間絶縁膜１６端部における
電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃを通常の素子製造
工程のコンタクトホール，第１配線，第１スルーホー
ル，第２配線の各ＰＲ工程時に素子１２のパターンと同
時に露光し、エッチング，成膜等の通常の素子製造工程
により素子１２と同時に形成する。
【００２９】更に、アース針接触工程では、図２（ｂ）
に示されるように、電極パターン１３ａをコンタクトホ
ール層及び第１配線層を形成した段階で第１スルーホー
ル層の電子線露光時にアース針１４を接触させるために
用い、以降の層では電極パターンを形成せず、同様に電
極パターン１３ｂをコンタクトホール，第１配線，第１
スルーホール，第２配線の各層で形成した段階で第２ス
ルーホール層の電子線露光機にアース針１４を接触させ
るために用い、以降の層では電極パターンを形成しな
い。又、電極パターン１３ｃをコンタクトホール，第１
配線，第１スルーホール，第２配線，第２スルーホー
ル，第３配線の各層で形成した段階で第３スルーホール
層の電子線露光時にアース針１４を接触させるために用
いた。
に示されるように、電極パターン１３ａをコンタクトホ
ール層及び第１配線層を形成した段階で第１スルーホー
ル層の電子線露光時にアース針１４を接触させるために
用い、以降の層では電極パターンを形成せず、同様に電
極パターン１３ｂをコンタクトホール，第１配線，第１
スルーホール，第２配線の各層で形成した段階で第２ス
ルーホール層の電子線露光機にアース針１４を接触させ
るために用い、以降の層では電極パターンを形成しな
い。又、電極パターン１３ｃをコンタクトホール，第１
配線，第１スルーホール，第２配線，第２スルーホー
ル，第３配線の各層で形成した段階で第３スルーホール
層の電子線露光時にアース針１４を接触させるために用
いた。
【００３０】実施例２の方法を用いれば、実施例１の方
法の場合と同様に、ウェハ１１のチャージアップを防止
でき、同等な効果が得られる。従って、実施例２の方法
を適用しても、配線層間を絶縁する層間絶縁膜１６を有
する多層化された厚いデバイス（大規模集積回路）を製
造対象としても電子線露光時にチャージアップ防止を適
確に計り得るものとなる。特に実施例２の方法の場合、
電子線露光時にアース針１４を接触させることにより、
複数の電極パターンの何れかが機械的に破壊された場合
でも、その電極パターンを再度用いることなく、他の電
極パターンを露光層順に順次使用することができるた
め、全ての層の電子線露光時に確実にアース針１４と電
極パターンとを接触させることが出来、チャージアップ
を防止することが可能となる。
法の場合と同様に、ウェハ１１のチャージアップを防止
でき、同等な効果が得られる。従って、実施例２の方法
を適用しても、配線層間を絶縁する層間絶縁膜１６を有
する多層化された厚いデバイス（大規模集積回路）を製
造対象としても電子線露光時にチャージアップ防止を適
確に計り得るものとなる。特に実施例２の方法の場合、
電子線露光時にアース針１４を接触させることにより、
複数の電極パターンの何れかが機械的に破壊された場合
でも、その電極パターンを再度用いることなく、他の電
極パターンを露光層順に順次使用することができるた
め、全ての層の電子線露光時に確実にアース針１４と電
極パターンとを接触させることが出来、チャージアップ
を防止することが可能となる。
【００３１】尚、本発明は上述した各実施例で製造対象
としたデバイスに限定されるものではなく、各種の変更
が可能である。例えば、各実施例で述べた電極パターン
の寸法及び形状は、用いるアース針１４の形状及びウェ
ハ１１上での配置の制約等により、適宜の寸法及び形状
に変更することが可能である。又、電極パターンを構成
する材料は、各実施例で用いた材料に限定されることな
く、製造する素子で用いる材料に合わせて適宜変更が可
能である。更に、各実施例では、電子線露光時にウェハ
１１の１個所の電極パターンにアース針１４を接触さ
せ、ウェハ１１を接地する場合について説明したが、ウ
ェハ１１上の複数個所の電極パターンと複数本のアース
針１４とを同時に用いてウェハ１１の接地を行っても良
い。
としたデバイスに限定されるものではなく、各種の変更
が可能である。例えば、各実施例で述べた電極パターン
の寸法及び形状は、用いるアース針１４の形状及びウェ
ハ１１上での配置の制約等により、適宜の寸法及び形状
に変更することが可能である。又、電極パターンを構成
する材料は、各実施例で用いた材料に限定されることな
く、製造する素子で用いる材料に合わせて適宜変更が可
能である。更に、各実施例では、電子線露光時にウェハ
１１の１個所の電極パターンにアース針１４を接触さ
せ、ウェハ１１を接地する場合について説明したが、ウ
ェハ１１上の複数個所の電極パターンと複数本のアース
針１４とを同時に用いてウェハ１１の接地を行っても良
い。
【００３２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の電子線
露光方法によれば、基板端部のアース針が接触する領域
に基板と電気的に接続の取れた電極パターンを形成し、
電子線露光時に電極パターンにアース針を接触させるこ
とにより、電子線露光において特別な工程を追加するこ
となく、確実にアース針によりウェハとの電気的接触を
計り得るため、電子線露光時のウェハのチャージアップ
を回避し、高い重ね合わせ精度を得ることが可能とな
る。これにより、チャージアップを確実に防止した上で
配線層間を絶縁する層間絶縁膜を有する多層化された厚
いデバイス（大規模集積回路）を製造可能になる。
露光方法によれば、基板端部のアース針が接触する領域
に基板と電気的に接続の取れた電極パターンを形成し、
電子線露光時に電極パターンにアース針を接触させるこ
とにより、電子線露光において特別な工程を追加するこ
となく、確実にアース針によりウェハとの電気的接触を
計り得るため、電子線露光時のウェハのチャージアップ
を回避し、高い重ね合わせ精度を得ることが可能とな
る。これにより、チャージアップを確実に防止した上で
配線層間を絶縁する層間絶縁膜を有する多層化された厚
いデバイス（大規模集積回路）を製造可能になる。
【図１】本発明の実施例１に係るチャージアップ防止式
電子線露光方法を説明するために示した大規模集積回路
中間製品（基板）としてのウェハ及び層間絶縁膜を示し
たもので、（ａ）はウェハの上面図に関するもの，
（ｂ）は試料台上のウェハ及び層間絶縁膜の部分側面断
面図に関するものである。
電子線露光方法を説明するために示した大規模集積回路
中間製品（基板）としてのウェハ及び層間絶縁膜を示し
たもので、（ａ）はウェハの上面図に関するもの，
（ｂ）は試料台上のウェハ及び層間絶縁膜の部分側面断
面図に関するものである。
【図２】本発明の実施例２に係るチャージアップ防止式
電子線露光方法を説明するために示した大規模集積回路
中間製品（基板）としてのウェハ及び層間絶縁膜を示し
たもので、（ａ）はウェハの上面図に関するもの，
（ｂ）は（ａ）に示されるＡ−Ａ´方向における試料台
上のウェハ及び層間絶縁膜の部分側面断面図に関するも
のである。
電子線露光方法を説明するために示した大規模集積回路
中間製品（基板）としてのウェハ及び層間絶縁膜を示し
たもので、（ａ）はウェハの上面図に関するもの，
（ｂ）は（ａ）に示されるＡ−Ａ´方向における試料台
上のウェハ及び層間絶縁膜の部分側面断面図に関するも
のである。
【図３】従来のチャージアップ防止式電子線露光方法を
説明するために示した試料台上の一例に係る大規模集積
回路中間製品（基板）としてのウェハの部分側面断面図
である。
説明するために示した試料台上の一例に係る大規模集積
回路中間製品（基板）としてのウェハの部分側面断面図
である。
【図４】従来のチャージアップ防止式電子線露光方法を
説明するために示した試料台上の他例に係る大規模集積
回路中間製品（基板）としてのウェハ及び層間絶縁膜の
部分側面断面図である。
説明するために示した試料台上の他例に係る大規模集積
回路中間製品（基板）としてのウェハ及び層間絶縁膜の
部分側面断面図である。
１１ ウェハ １２ 素子 １３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ 電極パターン １４ アース針 １５ 試料台 １６ 層間絶縁膜
Claims (6)
- 【請求項１】 基板端部のアース針が接触する領域に該
基板と電気的に接続の取れた電極パターンを形成する電
極パターン形成工程と、電子線露光時に前記電極パター
ンにアース針を接触させるアース針接触工程とを有する
ことを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子線露光方法におい
て、前記電極パターン形成工程では、前記電極パターン
を前記基板端部の素子領域と重ならない領域に１個所形
成することを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子線露光方法におい
て、前記電極パターン形成工程では、前記電極パターン
を前記基板端部の素子領域と重ならない領域に複数個所
形成し、前記アース針接触工程では、前記複数個所の電
極パターンに前記アース針を接触させることを特徴とす
る電子線露光方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の電子線露光方法におい
て、前記電極パターン形成工程では、前記複数個所の電
極パターンとして、素子のコンタクトホールパターン，
スルーホールパターン，及び配線パターンを同時に形成
することを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項５】 請求項１又は２記載の電子線露光方法を
適用して製造されたことを特徴とする大規模集積回路。 - 【請求項６】 請求項３又は４記載の電子線露光方法を
適用して製造されたことを特徴とする大規模集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09222433A JP3117004B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 電子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09222433A JP3117004B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 電子線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167637A true JPH1167637A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3117004B2 JP3117004B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=16782325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09222433A Expired - Fee Related JP3117004B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 電子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3117004B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2012497A (en) * | 2014-03-24 | 2015-12-10 | Mapper Lithography Ip Bv | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing. |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7276568B2 (ja) | 2018-04-25 | 2023-05-18 | 株式会社大林組 | 木質構造 |
-
1997
- 1997-08-19 JP JP09222433A patent/JP3117004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2012497A (en) * | 2014-03-24 | 2015-12-10 | Mapper Lithography Ip Bv | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3117004B2 (ja) | 2000-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6359541A (ja) | インクジェット・プリントヘッド | |
| US20100007035A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR950004455A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| CN1173734A (zh) | 用于制造半导体器件的接触掩模 | |
| KR950011555B1 (ko) | 반도체 접속장치 및 그 제조방법 | |
| JP3117004B2 (ja) | 電子線露光方法 | |
| US20080157384A1 (en) | Alignment Key of Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same | |
| US20100090353A1 (en) | Pad structure of semiconductor integrated circuit apparatus | |
| JPH0311630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08330250A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100356474B1 (ko) | 반도체 소자의 중첩 버니어 형성 방법 | |
| KR0158903B1 (ko) | 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법 | |
| JPH04287326A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100333652B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
| KR100576414B1 (ko) | 반도체 소자의 랜딩 비아 제조 방법 | |
| JPH01117026A (ja) | 半導体基板 | |
| KR0147716B1 (ko) | 자기정렬콘택 형성방법 | |
| JP3028279B2 (ja) | 半導体素子のビアコンタクト形成方法 | |
| KR100313942B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPS6245112A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0166488B1 (ko) | 반도체 소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR100632623B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR100419870B1 (ko) | 금속라인의 형성방법 | |
| JPH0462855A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR19980065743A (ko) | 안티 퓨즈를 구비하는 반도체장치 및 그 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000906 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081006 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006 Year of fee payment: 10 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111006 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131006 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |