JPH1164389A - バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法 - Google Patents
バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法Info
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- JPH1164389A JPH1164389A JP24478297A JP24478297A JPH1164389A JP H1164389 A JPH1164389 A JP H1164389A JP 24478297 A JP24478297 A JP 24478297A JP 24478297 A JP24478297 A JP 24478297A JP H1164389 A JPH1164389 A JP H1164389A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のバンプ型コンタクタの場合には、図５
に示すようにバンプ端子３は配線パターン２と材質が異
なる上に、単に配線パターン２上に付着しているだけで
あるため、バンプ端子３と配線パターン２の付着力が弱
い。そのため、検査時に図６に示すようにメインチャッ
クをＸ方向またはＹ方向に往復移動させて電極パッドＰ
の酸化膜Ｏを削り取る際に、バンプ端子３と配線パター
ン２の境界面にせん断力が集中的に作用し、検査を繰り
返し受ける間にバンプ端子３が配線パターン２から剥離
し易くなり、ひいてはバンプ型コンタクタの寿命が短く
なる。 【解決手段】 本発明のバンプ型コンタクタ１０は、メ
ンブレン１１の表面に形成された配線パターン１２と、
この配線パターン１２上に形成されたバンプ端子１３と
を備え、バンプ端子１３はその基部１３Ａが配線パター
ン１２内に埋設されてなることを特徴とする。
に示すようにバンプ端子３は配線パターン２と材質が異
なる上に、単に配線パターン２上に付着しているだけで
あるため、バンプ端子３と配線パターン２の付着力が弱
い。そのため、検査時に図６に示すようにメインチャッ
クをＸ方向またはＹ方向に往復移動させて電極パッドＰ
の酸化膜Ｏを削り取る際に、バンプ端子３と配線パター
ン２の境界面にせん断力が集中的に作用し、検査を繰り
返し受ける間にバンプ端子３が配線パターン２から剥離
し易くなり、ひいてはバンプ型コンタクタの寿命が短く
なる。 【解決手段】 本発明のバンプ型コンタクタ１０は、メ
ンブレン１１の表面に形成された配線パターン１２と、
この配線パターン１２上に形成されたバンプ端子１３と
を備え、バンプ端子１３はその基部１３Ａが配線パター
ン１２内に埋設されてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ（以
下、単に「ウエハ」と称す。）に形成されたＩＣチップ
の電気的特性検査を行うバンプ型コンタクタ及びバンプ
型コンタクタ用接触子の製造方法に関し、更に詳しく
は、バンプ型コンタクタの接触端子の寿命を延長できる
バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の
製造方法に関する。
下、単に「ウエハ」と称す。）に形成されたＩＣチップ
の電気的特性検査を行うバンプ型コンタクタ及びバンプ
型コンタクタ用接触子の製造方法に関し、更に詳しく
は、バンプ型コンタクタの接触端子の寿命を延長できる
バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程は、ウエハに形成された
ＩＣチップをパッケージングする前にウエハ状態で各Ｉ
Ｃチップの電気的特性検査を行い、予め良品ＩＣチップ
をスクリーニングする検査工程を有している。この検査
工程では例えばプローブ装置が用いられる。プローブ装
置は、一般に、ウエハを搬送するローダ室と、これに隣
接し、ローダ室から搬送されて来たウエハの電気的特性
検査を行うプローバ室とを備えている。プローバ室内に
はＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向で移動可能なメインチャックが
配設され、ローダ室の上面にはメインチャックと対向さ
せてプローブカードが固定されている。
ＩＣチップをパッケージングする前にウエハ状態で各Ｉ
Ｃチップの電気的特性検査を行い、予め良品ＩＣチップ
をスクリーニングする検査工程を有している。この検査
工程では例えばプローブ装置が用いられる。プローブ装
置は、一般に、ウエハを搬送するローダ室と、これに隣
接し、ローダ室から搬送されて来たウエハの電気的特性
検査を行うプローバ室とを備えている。プローバ室内に
はＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向で移動可能なメインチャックが
配設され、ローダ室の上面にはメインチャックと対向さ
せてプローブカードが固定されている。
【０００３】そして、プローブ装置を用いて検査する時
には、ローダ室から移載されたウエハをメインチャック
上で真空吸着した状態で、メインチャックがＸ、Ｙ、Ｚ
及びθ方向に移動してウエハの各ＩＣチップの電極パッ
ド（例えば、アルミニウムによって形成されている）と
プローブカードの接触子とを位置合わせした後、メイン
チャックがＺ方向に上昇してＩＣチップの各電極パッド
と各接触子とが接触し、更にオーバドライブしてそれぞ
れが互いに電気的に接触し、各ＩＣチップの電気的特性
検査を行う。
には、ローダ室から移載されたウエハをメインチャック
上で真空吸着した状態で、メインチャックがＸ、Ｙ、Ｚ
及びθ方向に移動してウエハの各ＩＣチップの電極パッ
ド（例えば、アルミニウムによって形成されている）と
プローブカードの接触子とを位置合わせした後、メイン
チャックがＺ方向に上昇してＩＣチップの各電極パッド
と各接触子とが接触し、更にオーバドライブしてそれぞ
れが互いに電気的に接触し、各ＩＣチップの電気的特性
検査を行う。
【０００４】さて、最近、ウエハが大口径化すると共に
ＩＣチップの集積度が急激に高まり、ＩＣチップの配線
構造が超微細化し、電極パッドの配列が益々狭ピッチ化
している。これに伴ってプローブカードのプローブ針も
狭ピッチ化する。そのため、電極パッドの狭ピッチ化に
柔軟に対応できるプローブカードとして例えばメンブレ
ンタイプのバンプ型コンタクタが用いられる。
ＩＣチップの集積度が急激に高まり、ＩＣチップの配線
構造が超微細化し、電極パッドの配列が益々狭ピッチ化
している。これに伴ってプローブカードのプローブ針も
狭ピッチ化する。そのため、電極パッドの狭ピッチ化に
柔軟に対応できるプローブカードとして例えばメンブレ
ンタイプのバンプ型コンタクタが用いられる。
【０００５】バンプ型コンタクタは、例えば図５に示す
ように、基材となるポリイミド系樹脂等の合成樹脂から
なるメンブレン１と、このメンブレン１に形成された銅
等の良導性金属からなる配線パターン２と、この配線パ
ターン２の端部に設けられた良導性金属（例えば、金、
金合金等）の突起状接触子（以下、「バンプ」と称
す。）３と、配線パターン２を保護する保護膜４とを備
えたものである。このタイプのバンプ型コンタクタは、
ウエハの電極パッドが狭ピッチ化しても、電極パッドに
即したバンプ端子３を作ることができ、しかも、電極パ
ッドの凹凸が不揃いであってもメンブレンがその形状に
追随して比較的安定した接触圧を確保することができ
る。
ように、基材となるポリイミド系樹脂等の合成樹脂から
なるメンブレン１と、このメンブレン１に形成された銅
等の良導性金属からなる配線パターン２と、この配線パ
ターン２の端部に設けられた良導性金属（例えば、金、
金合金等）の突起状接触子（以下、「バンプ」と称
す。）３と、配線パターン２を保護する保護膜４とを備
えたものである。このタイプのバンプ型コンタクタは、
ウエハの電極パッドが狭ピッチ化しても、電極パッドに
即したバンプ端子３を作ることができ、しかも、電極パ
ッドの凹凸が不揃いであってもメンブレンがその形状に
追随して比較的安定した接触圧を確保することができ
る。
【０００６】ところが、ウエハの電極パッドは例えばア
ルミニウムによって形成されているため、電極パッドが
極めて酸化され易く、ウエハの製造過程あるいは搬送過
程等で電極パッドが酸化して絶縁性の酸化膜が形成され
る。この酸化膜は例えば９００〜１２００オングストロ
ームの膜厚に達する。そのため、ウエハの検査を行う時
には電極パッドの酸化膜を削り取り、バンプ端子３と電
極パッド間の導通を図る必要がある。
ルミニウムによって形成されているため、電極パッドが
極めて酸化され易く、ウエハの製造過程あるいは搬送過
程等で電極パッドが酸化して絶縁性の酸化膜が形成され
る。この酸化膜は例えば９００〜１２００オングストロ
ームの膜厚に達する。そのため、ウエハの検査を行う時
には電極パッドの酸化膜を削り取り、バンプ端子３と電
極パッド間の導通を図る必要がある。
【０００７】上述したバンプ型コンタクタを用いて検査
を行う時には、例えば図６に示すように、メインチャッ
クをＺ方向にオーバードライブさせてウエハＷの電極パ
ッドＰとバンプ端子３との接触圧を高めると共にメイン
チャックをＸまたはＹ方向に移動させてバンプ端子３に
よって酸化膜Ｏを削り取り、バンプ端子３と電極パッド
Ｐとの導通を図るようにしている。
を行う時には、例えば図６に示すように、メインチャッ
クをＺ方向にオーバードライブさせてウエハＷの電極パ
ッドＰとバンプ端子３との接触圧を高めると共にメイン
チャックをＸまたはＹ方向に移動させてバンプ端子３に
よって酸化膜Ｏを削り取り、バンプ端子３と電極パッド
Ｐとの導通を図るようにしている。
【０００８】ところで、従来のバンプ型コンタクタのバ
ンプ端子３を製造する場合には例えば図７の（ａ）〜
（ｆ）に示す工程に従って製造している。まず、同図の
（ａ）に示すように例えば銅等の配線用金属をスパッタ
リング処理してメンブレン１上に金属膜２Ａを形成す
る。引き続き、金属膜２Ａ上にレジスト膜を塗布した
後、露光、現像処理により同図の（ｂ）に示すように配
線パターン２に即したレジストパターン５を形成する。
次いで、レジストパターン５Ａで被覆された金属膜５Ａ
以外をエッチング処理により除去した後、アッシング処
理を施してレジストパターン５を除去し、同図の（ｄ）
に示すように配線パターン２を形成する。その後、メン
ブレン１上にレジスト処理し、バンプ端子３に即した部
分を開口したレジストパターン６を形成した後、ＣＶＤ
処理によりＮｉ、Ｃｒ等の金属を開口部内で成長させ、
同図の（ｅ）に示すようにバンプ端子３を形成し、更
に、アッシング処理によりレジストパターン６を除去し
て同図の（ｆ）に示すようにバンプ端子３を配線パター
ン２上に形成する。
ンプ端子３を製造する場合には例えば図７の（ａ）〜
（ｆ）に示す工程に従って製造している。まず、同図の
（ａ）に示すように例えば銅等の配線用金属をスパッタ
リング処理してメンブレン１上に金属膜２Ａを形成す
る。引き続き、金属膜２Ａ上にレジスト膜を塗布した
後、露光、現像処理により同図の（ｂ）に示すように配
線パターン２に即したレジストパターン５を形成する。
次いで、レジストパターン５Ａで被覆された金属膜５Ａ
以外をエッチング処理により除去した後、アッシング処
理を施してレジストパターン５を除去し、同図の（ｄ）
に示すように配線パターン２を形成する。その後、メン
ブレン１上にレジスト処理し、バンプ端子３に即した部
分を開口したレジストパターン６を形成した後、ＣＶＤ
処理によりＮｉ、Ｃｒ等の金属を開口部内で成長させ、
同図の（ｅ）に示すようにバンプ端子３を形成し、更
に、アッシング処理によりレジストパターン６を除去し
て同図の（ｆ）に示すようにバンプ端子３を配線パター
ン２上に形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バンプ型コンタクタの場合には、図５、図７の（ｆ）に
示すようにバンプ端子３は配線パターン２と材質が異な
る上に、単に配線パターン２上に付着しているだけであ
るため、バンプ端子３と配線パターン２の付着力が弱
い。そのため、検査時に図６に示すようにメインチャッ
クをＸ方向またはＹ方向に往復移動させて電極パッドＰ
の酸化膜Ｏを削り取る際に、バンプ端子３と配線パター
ン２の境界面にせん断力が集中的に作用し、検査を繰り
返し受ける間にバンプ端子３が配線パターン２から剥離
し易くなり、ひいてはバンプ型コンタクタの寿命が短く
なる虞があった。
バンプ型コンタクタの場合には、図５、図７の（ｆ）に
示すようにバンプ端子３は配線パターン２と材質が異な
る上に、単に配線パターン２上に付着しているだけであ
るため、バンプ端子３と配線パターン２の付着力が弱
い。そのため、検査時に図６に示すようにメインチャッ
クをＸ方向またはＹ方向に往復移動させて電極パッドＰ
の酸化膜Ｏを削り取る際に、バンプ端子３と配線パター
ン２の境界面にせん断力が集中的に作用し、検査を繰り
返し受ける間にバンプ端子３が配線パターン２から剥離
し易くなり、ひいてはバンプ型コンタクタの寿命が短く
なる虞があった。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、突起状接触子が剥離し難く、寿命を延長す
ることができるバンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタ
クタ用接触子の製造方法を提供することを目的としてい
る。
れたもので、突起状接触子が剥離し難く、寿命を延長す
ることができるバンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタ
クタ用接触子の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のバンプ型コンタクタは、基材の表面に形成された配線
パターンと、この配線パターン上に形成された突起状接
触子とを備え、上記突起状接触子と被検査体の電極とが
電気的に接触して上記被検査体の電気的特性検査を行う
バンプ型コンタクタにおいて、上記突起状接触子はその
基部が上記配線パターン内に埋設されてなることを特徴
とするものである。
のバンプ型コンタクタは、基材の表面に形成された配線
パターンと、この配線パターン上に形成された突起状接
触子とを備え、上記突起状接触子と被検査体の電極とが
電気的に接触して上記被検査体の電気的特性検査を行う
バンプ型コンタクタにおいて、上記突起状接触子はその
基部が上記配線パターン内に埋設されてなることを特徴
とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項２に記載のバンプ型
コンタクタは、請求項１に記載の発明において、上記接
触子は基端部から先端部に渡って段階的に細くなる複数
段の突起からなり、先端寄りの後段突起の基部がその前
段突起内に埋設されてなることを特徴とするものであ
る。
コンタクタは、請求項１に記載の発明において、上記接
触子は基端部から先端部に渡って段階的に細くなる複数
段の突起からなり、先端寄りの後段突起の基部がその前
段突起内に埋設されてなることを特徴とするものであ
る。
【００１３】また、本発明の請求項３に記載のバンプ型
コンタクタ用接触子の製造方法は、バンプ型コンタクタ
の突起状接触子を製造する方法において、配線パターン
に上記接触子用の凹部を形成する第１工程と、上記凹部
内で導電性物質を成長させて上記接触子の基部を形成
し、引き続き上記基部から上記導電性物質を連続的に成
長させて上記接触子用突起を形成する第２工程とを備え
たことを特徴とするものである。
コンタクタ用接触子の製造方法は、バンプ型コンタクタ
の突起状接触子を製造する方法において、配線パターン
に上記接触子用の凹部を形成する第１工程と、上記凹部
内で導電性物質を成長させて上記接触子の基部を形成
し、引き続き上記基部から上記導電性物質を連続的に成
長させて上記接触子用突起を形成する第２工程とを備え
たことを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明の請求項４に記載のバンプ型
コンタクタ用接触子の製造方法は、請求項３に記載の発
明において、上記接触子用突起の略中央に凹部を形成す
る第３工程と、上記凹部内で導電性物質を成長させて基
部を形成し、引き続き上記基部から上記導電性物質を連
続的に成長させて後段の接触子用突起を形成する第４工
程とを備えたことを特徴とするものである。
コンタクタ用接触子の製造方法は、請求項３に記載の発
明において、上記接触子用突起の略中央に凹部を形成す
る第３工程と、上記凹部内で導電性物質を成長させて基
部を形成し、引き続き上記基部から上記導電性物質を連
続的に成長させて後段の接触子用突起を形成する第４工
程とを備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のバンプ型コ
ンタクタ１０は、例えば図１、図２に示すように、ポリ
イミド系樹脂、シリコン系樹脂等の合成樹脂からなるメ
ンブレン１１と、このメンブレン１１の表面にＣｕ、Ａ
ｌ、Ｗ等の良導性金属によって形成された配線パターン
１２と、この配線パターン１２の端部にウエハ上の１個
または複数個のＩＣチップの電極パッドの配列に合わせ
て形成された複数のバンプ端子１３と、上記配線パター
ン１２を保護するポリイミド系樹脂等の合成樹脂からな
る保護膜１４とを備え、１個または複数個のＩＣチップ
の電気的検査を行うようにしてある。また、配線パター
ン１２は、バンプ端子１３の数が多くなれば複数層に渡
って形成されている。そして、各層の配線パターン１２
とバンプ端子１３とはスルーホール等を介して接続され
ている。尚、メンブレン１１と保護膜１４は同一材料に
よって形成しても良いし、異なる材料で形成しても良
い。
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のバンプ型コ
ンタクタ１０は、例えば図１、図２に示すように、ポリ
イミド系樹脂、シリコン系樹脂等の合成樹脂からなるメ
ンブレン１１と、このメンブレン１１の表面にＣｕ、Ａ
ｌ、Ｗ等の良導性金属によって形成された配線パターン
１２と、この配線パターン１２の端部にウエハ上の１個
または複数個のＩＣチップの電極パッドの配列に合わせ
て形成された複数のバンプ端子１３と、上記配線パター
ン１２を保護するポリイミド系樹脂等の合成樹脂からな
る保護膜１４とを備え、１個または複数個のＩＣチップ
の電気的検査を行うようにしてある。また、配線パター
ン１２は、バンプ端子１３の数が多くなれば複数層に渡
って形成されている。そして、各層の配線パターン１２
とバンプ端子１３とはスルーホール等を介して接続され
ている。尚、メンブレン１１と保護膜１４は同一材料に
よって形成しても良いし、異なる材料で形成しても良
い。
【００１６】更に、図示してないが、このバンプ型コン
タクタ１０はプリント配線基板と支持部材とを備えてい
る。そして、メンブレン１１はプリント配線基板の中央
開口部に張設され、配線パターン１２がプリント配線基
板の配線パターンと接続されている。この中央開口には
支持部材が装着され、メンブレン１１を裏面から支持す
ると共に、メンブレン１１に接触圧を付与するようにし
てある。
タクタ１０はプリント配線基板と支持部材とを備えてい
る。そして、メンブレン１１はプリント配線基板の中央
開口部に張設され、配線パターン１２がプリント配線基
板の配線パターンと接続されている。この中央開口には
支持部材が装着され、メンブレン１１を裏面から支持す
ると共に、メンブレン１１に接触圧を付与するようにし
てある。
【００１７】さて、本実施形態のバンプ端子１３は、図
１、図２に示すように、略円柱状を呈し、その基部１３
Ａが配線パターン１２内に埋設され、配線パターン１２
に対して植設された状態になっている。つまり、バンプ
端子１３は基部１３Ａの底面及び周面が配線パターン１
２の凹部１２Ａの内周面と密着し、配線パターン１２に
よって強固に固定されている。また、バンプ端子１３は
電極パッドより硬度が高く、耐摩耗性に優れた材料、例
えばＮｉ、Ｃｒ、Ｗ等の金属によって外径が１０〜５０
μｍの大きさに形成されている。また、バンプ端子１３
の配線パターン１２からの高さは例えば１２０〜２５０
μｍに形成されている。そして、バンプ端子１３の表面
には金等の良導性金属によるメッキが施され、電極パッ
ドとの接触抵抗を小さくしてある。従って、検査時にバ
ンプ端子１３に対してせん断力が繰り返し作用しても、
バンプ端子１３の基部１３Ａが配線パターン１２内に埋
設されているため、せん断力がバンプ端子１３と配線パ
ターン１２の境界面に直接作用することはなく、バンプ
端子１３が配線パターン１２から剥離することはない。
１、図２に示すように、略円柱状を呈し、その基部１３
Ａが配線パターン１２内に埋設され、配線パターン１２
に対して植設された状態になっている。つまり、バンプ
端子１３は基部１３Ａの底面及び周面が配線パターン１
２の凹部１２Ａの内周面と密着し、配線パターン１２に
よって強固に固定されている。また、バンプ端子１３は
電極パッドより硬度が高く、耐摩耗性に優れた材料、例
えばＮｉ、Ｃｒ、Ｗ等の金属によって外径が１０〜５０
μｍの大きさに形成されている。また、バンプ端子１３
の配線パターン１２からの高さは例えば１２０〜２５０
μｍに形成されている。そして、バンプ端子１３の表面
には金等の良導性金属によるメッキが施され、電極パッ
ドとの接触抵抗を小さくしてある。従って、検査時にバ
ンプ端子１３に対してせん断力が繰り返し作用しても、
バンプ端子１３の基部１３Ａが配線パターン１２内に埋
設されているため、せん断力がバンプ端子１３と配線パ
ターン１２の境界面に直接作用することはなく、バンプ
端子１３が配線パターン１２から剥離することはない。
【００１８】また、本発明のバンプ型コンタクタのバン
プ端子は複数段からなるバンプ端子として形成すること
もできる。例えば図３は２段構成のバンプ端子の一例を
示す図である。このバンプ端子１３は、略円柱状の第１
段突起１３１と、略円柱状の第２段突起１３２とからな
り、第１段突起１３１の外径が第２段突起１３２の外径
より大きく形成されている。第１段突起１３１は例えば
Ｃｕ、Ａｌ等の配線材料と同種の材料によって形成さ
れ、第２段突起１３２は配線パターン１２及び電極パッ
ドより硬度が高く、耐摩耗性に優れた材料、例えばＮ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ等の金属によって形成されている。そし
て、例えば、第１段突起１３１の外径は２０〜１００μ
ｍの大きさで、第２段突起１３２の外径は１０〜５０μ
ｍの大きさに形成されている。また、バンプ端子１３の
配線パターン１２からの高さは例えば１２０〜２５０μ
ｍに形成されている。第１段突起１３１の基部１３１Ａ
は配線パターン１２に埋設され、第２段突起１３２の基
部１３２Ａは第１段突起１３１の略中央に埋設されてい
る。そして、第１、第２段突起１３１、１３２の表面に
は金等の良導性金属によるメッキが施されている。従っ
て、第１、第２段突起１３１、１３２はいずれも検査時
にせん断力を繰り返し受けても、第１段突起１３１は配
線パターン１２から、第２段突起１３２は第１段突起１
３１から脱離したり、剥離したりすることはない。
プ端子は複数段からなるバンプ端子として形成すること
もできる。例えば図３は２段構成のバンプ端子の一例を
示す図である。このバンプ端子１３は、略円柱状の第１
段突起１３１と、略円柱状の第２段突起１３２とからな
り、第１段突起１３１の外径が第２段突起１３２の外径
より大きく形成されている。第１段突起１３１は例えば
Ｃｕ、Ａｌ等の配線材料と同種の材料によって形成さ
れ、第２段突起１３２は配線パターン１２及び電極パッ
ドより硬度が高く、耐摩耗性に優れた材料、例えばＮ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ等の金属によって形成されている。そし
て、例えば、第１段突起１３１の外径は２０〜１００μ
ｍの大きさで、第２段突起１３２の外径は１０〜５０μ
ｍの大きさに形成されている。また、バンプ端子１３の
配線パターン１２からの高さは例えば１２０〜２５０μ
ｍに形成されている。第１段突起１３１の基部１３１Ａ
は配線パターン１２に埋設され、第２段突起１３２の基
部１３２Ａは第１段突起１３１の略中央に埋設されてい
る。そして、第１、第２段突起１３１、１３２の表面に
は金等の良導性金属によるメッキが施されている。従っ
て、第１、第２段突起１３１、１３２はいずれも検査時
にせん断力を繰り返し受けても、第１段突起１３１は配
線パターン１２から、第２段突起１３２は第１段突起１
３１から脱離したり、剥離したりすることはない。
【００１９】次に、図１に示すバンプ端子１３の製造方
法について図４の（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明す
る。まず、従来と同様に例えばＣｕ、Ａｌ等の配線用金
属をスパッタリング処理してメンブレン１１上に金属膜
を形成し、その後金属膜上にレジスト膜を塗布した後、
露光、現像処理により配線パターン１２に即したレジス
トパターンを形成する。次いで、同図の（ａ）に示すよ
うにレジストパターン１５で被覆された金属膜以外の部
分をエッチング処理により除去して配線パターン１２を
形成した後、アッシング処理によりレジストパターン１
５を除去し、同図の（ｂ）に示すように配線パターン１
２を形成する。その後、メンブレン１１上にレジスト処
理を施した後、レジスト膜に露光、現像処理を施し、同
図の（ｃ）に示すようにバンプ端子に即した部分１６Ａ
を開口したレジストパターン１６を形成する。その後、
開口部１６Ａで露呈した配線パターン１２にエッチング
処理を施し、同図の（ｄ）に示すように配線パターン１
２に対してバンプ端子用の凹部１２Ａを形成する。引き
続き、ＣＶＤ処理を施してＮｉ、Ｃｒ、Ｗ等の金属を開
口部１２Ａで成長させ、同図の（ｅ）に示すように凹部
１２Ａ内で金属を成長させて基部１３Ａを形成し、更に
ＣＶＤ処理を連続的に施してレジストパターン１６の開
口部１６Ａで同一金属を成長させてバンプ端子１３を形
成する。次いで、アッシング処理によりレジストパター
ン１６を除去して同図の（ｆ）に示すようにバンプ端子
１３を配線パターン１２に形成する。その後、バンプ端
子１３の表面に金メッキ等を施し、バンプ端子１３の接
触抵抗を小さくする。
法について図４の（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明す
る。まず、従来と同様に例えばＣｕ、Ａｌ等の配線用金
属をスパッタリング処理してメンブレン１１上に金属膜
を形成し、その後金属膜上にレジスト膜を塗布した後、
露光、現像処理により配線パターン１２に即したレジス
トパターンを形成する。次いで、同図の（ａ）に示すよ
うにレジストパターン１５で被覆された金属膜以外の部
分をエッチング処理により除去して配線パターン１２を
形成した後、アッシング処理によりレジストパターン１
５を除去し、同図の（ｂ）に示すように配線パターン１
２を形成する。その後、メンブレン１１上にレジスト処
理を施した後、レジスト膜に露光、現像処理を施し、同
図の（ｃ）に示すようにバンプ端子に即した部分１６Ａ
を開口したレジストパターン１６を形成する。その後、
開口部１６Ａで露呈した配線パターン１２にエッチング
処理を施し、同図の（ｄ）に示すように配線パターン１
２に対してバンプ端子用の凹部１２Ａを形成する。引き
続き、ＣＶＤ処理を施してＮｉ、Ｃｒ、Ｗ等の金属を開
口部１２Ａで成長させ、同図の（ｅ）に示すように凹部
１２Ａ内で金属を成長させて基部１３Ａを形成し、更に
ＣＶＤ処理を連続的に施してレジストパターン１６の開
口部１６Ａで同一金属を成長させてバンプ端子１３を形
成する。次いで、アッシング処理によりレジストパター
ン１６を除去して同図の（ｆ）に示すようにバンプ端子
１３を配線パターン１２に形成する。その後、バンプ端
子１３の表面に金メッキ等を施し、バンプ端子１３の接
触抵抗を小さくする。
【００２０】また、図３に示すバンプ端子１３を製造す
る場合には、図４の（ｃ）〜（ｆ）の各工程を繰り返
す。即ち、最初の同図の（ａ）〜（ｆ）に示す工程で第
１段突起１３１を形成し、第１段突起１３１の基部１３
１Ａを配線パターン１２内に埋設する。次いで、同図の
（ｃ）〜（ｆ）を繰り返すことにより第１段突起１３１
の略中央に第２段突起１３２を形成し、第２段突起１３
２の基部を第１段突起１３１内に埋設し、バンプ端子１
３を形成する。
る場合には、図４の（ｃ）〜（ｆ）の各工程を繰り返
す。即ち、最初の同図の（ａ）〜（ｆ）に示す工程で第
１段突起１３１を形成し、第１段突起１３１の基部１３
１Ａを配線パターン１２内に埋設する。次いで、同図の
（ｃ）〜（ｆ）を繰り返すことにより第１段突起１３１
の略中央に第２段突起１３２を形成し、第２段突起１３
２の基部を第１段突起１３１内に埋設し、バンプ端子１
３を形成する。
【００２１】従って、図１、図２に示すバンプ端子１３
を有するバンプ型コンタクタ１０を用いてウエハの検査
を行う際に、メインチャックをオーバドライブした状態
でメインチャックをＸ方向またはＹ方向に往復移動さ
せ、バンプ端子１３にせん断力が作用しても、バンプ端
子１３の基部１３Ａが配線パターン１２内に埋設されて
いるため、このせん断力はむしろ配線パターン１２の上
面に位置する部分に作用する。ところが、せん断力が作
用する部分は同一材質で完全に一体化しているため、バ
ンプ端子１３が配線パターン１２から剥離する現象は起
こり得ない。図３に示すバンプ端子１３を有するバンプ
型コンタクタ１０を用いてウエハの検査を行っても同様
のことが云える。
を有するバンプ型コンタクタ１０を用いてウエハの検査
を行う際に、メインチャックをオーバドライブした状態
でメインチャックをＸ方向またはＹ方向に往復移動さ
せ、バンプ端子１３にせん断力が作用しても、バンプ端
子１３の基部１３Ａが配線パターン１２内に埋設されて
いるため、このせん断力はむしろ配線パターン１２の上
面に位置する部分に作用する。ところが、せん断力が作
用する部分は同一材質で完全に一体化しているため、バ
ンプ端子１３が配線パターン１２から剥離する現象は起
こり得ない。図３に示すバンプ端子１３を有するバンプ
型コンタクタ１０を用いてウエハの検査を行っても同様
のことが云える。
【００２２】以上説明したように本実施形態によれば、
図１に示すバンプ端子１３はその基部１３Ａが配線パタ
ーン１２内に埋設されているため、バンプ端子１３と配
線パターン１２の材質が異なり、検査時にバンプ端子１
３にせん断力が作用してもバンプ端子１３と配線パター
ン１２の境界面に直接せん断力が作用せず、むしろ配線
パターン１２の上面に位置する部分にせん断力が作用
し、バンプ端子１３が配線パターン１２から剥離するこ
とはなく、ひいてはバンプ型コンタクタ１０の寿命を延
長することができる。図３に示すバンプ端子１３につい
ても同様の作用効果を期することができる。
図１に示すバンプ端子１３はその基部１３Ａが配線パタ
ーン１２内に埋設されているため、バンプ端子１３と配
線パターン１２の材質が異なり、検査時にバンプ端子１
３にせん断力が作用してもバンプ端子１３と配線パター
ン１２の境界面に直接せん断力が作用せず、むしろ配線
パターン１２の上面に位置する部分にせん断力が作用
し、バンプ端子１３が配線パターン１２から剥離するこ
とはなく、ひいてはバンプ型コンタクタ１０の寿命を延
長することができる。図３に示すバンプ端子１３につい
ても同様の作用効果を期することができる。
【００２３】尚、上記各実施形態ではメンブレンタイプ
のバンプ型コンタクタについて説明したが、バンプ端子
を設ける基材はメンブレンでなくても良い。例えば、ウ
エハを高温下で検査する場合には基材としてウエハと熱
膨張率が等しいシリコン基板を用いることができる。こ
の場合には、高温下でウエハの電極パッドの間隔が変動
しても、バンプ型コンタクタのバンプ端子の間隔も電極
パッドに追随して変動するため、常に正確且つ確実な検
査を行うことができる。
のバンプ型コンタクタについて説明したが、バンプ端子
を設ける基材はメンブレンでなくても良い。例えば、ウ
エハを高温下で検査する場合には基材としてウエハと熱
膨張率が等しいシリコン基板を用いることができる。こ
の場合には、高温下でウエハの電極パッドの間隔が変動
しても、バンプ型コンタクタのバンプ端子の間隔も電極
パッドに追随して変動するため、常に正確且つ確実な検
査を行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１〜
請求項４に記載の発明によれば、突起状接触子が剥離し
難く、寿命を延長することができるバンプ型コンタクタ
及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法を提供する
ことができる。
請求項４に記載の発明によれば、突起状接触子が剥離し
難く、寿命を延長することができるバンプ型コンタクタ
及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明のバンプ型コンタクタの一実施形態の一
部を拡大して示す断面図である。
部を拡大して示す断面図である。
【図２】図１に示す突起状接触子を示す斜視図である。
【図３】本発明のバンプ型コンタクタの他の実施形態の
一部を拡大して示す斜視図である。
一部を拡大して示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明のバンプ型コ
ンタクタ用接触子の製造方法を用いて図１に示すバンプ
型コンタクタの突起状接触子を製造する時の工程を示す
工程説明図である。
ンタクタ用接触子の製造方法を用いて図１に示すバンプ
型コンタクタの突起状接触子を製造する時の工程を示す
工程説明図である。
【図５】従来のバンプ型コンタクタの一例を拡大して示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】バンプ型コンタクタを用いてウエハの検査を行
う時の動作説明図である。
う時の動作説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ図５に示す従来のバ
ンプ型コンタクタ用接触子を製造する時の工程を示す工
程説明図である。
ンプ型コンタクタ用接触子を製造する時の工程を示す工
程説明図である。
１０ バンプ型コンタクタ １１ メンブレン（基材） １２ 配線パターン １３ バンプ端子（突起状接触子） １３Ａ 基部 １３１ 第１段突起（前段の接触子用突起） １３１Ａ 基部 １３２ 第２段突起（後段の接触子用突起） １３２Ａ 基部
Claims (4)
- 【請求項１】 基材の表面に形成された配線パターン
と、この配線パターン上に形成された突起状接触子とを
備え、上記突起状接触子と被検査体の電極とが電気的に
接触して上記被検査体の電気的特性検査を行うバンプ型
コンタクタにおいて、上記突起状接触子はその基部が上
記配線パターン内に埋設されてなることを特徴とするバ
ンプ型コンタクタ。 - 【請求項２】 上記接触子は基端部から先端部に渡って
段階的に細くなる複数段の突起からなり、先端寄りの後
段突起の基部がその前段突起内に埋設されてなることを
特徴とする請求項１に記載のバンプ型コンタクタ。 - 【請求項３】 バンプ型コンタクタの突起状接触子を製
造する方法において、配線パターンに上記接触子用の凹
部を形成する第１工程と、上記凹部内で導電性物質で成
長させて上記接触子の基部を形成し、引き続き上記基部
から上記導電性物質を連続的に成長させて上記接触子用
突起を形成する第２工程とを備えたことを特徴とするバ
ンプ型コンタクタ用接触子の製造方法。 - 【請求項４】 上記接触子用突起の略中央に凹部を形成
する第３工程と、上記凹部内で上記導電性物質を成長さ
せて基部を形成し、引き続き上記基部から上記導電性物
質を連続的に成長させて後段の接触子用突起を形成する
第４工程とを備えたことを特徴とする請求項３に記載の
バンプ型コンタクタ用接触子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24478297A JPH1164389A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24478297A JPH1164389A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164389A true JPH1164389A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=17123851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24478297A Pending JPH1164389A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | バンプ型コンタクタ及びバンプ型コンタクタ用接触子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1164389A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002174645A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具の製造方法 |
| JP2003066068A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体回路検査治具及びその製造方法 |
| WO2003046976A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Tokyo Electron Limited | Appareil d'essai d'evaluation de la fiabilite, systeme d'essai d'evaluation de la fiabilite, contacteur et procede d'essai d'evaluation de la fiabilite |
| JP2006234511A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Seiko Instruments Inc | マイクロプローブの製造方法 |
| US7145250B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | LSI package, LSI element testing method, and semiconductor device manufacturing method |
| KR100980666B1 (ko) | 2010-07-08 | 2010-09-07 | (주)유비프리시젼 | Ｌｃｄ 점등용 프로브 블록의 컨텍터 필름 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP24478297A patent/JPH1164389A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002174645A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具の製造方法 |
| JP4552317B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2010-09-29 | 凸版印刷株式会社 | 検査治具の製造方法 |
| JP2003066068A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体回路検査治具及びその製造方法 |
| JP4635395B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2011-02-23 | 凸版印刷株式会社 | 半導体回路検査治具の製造方法 |
| WO2003046976A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Tokyo Electron Limited | Appareil d'essai d'evaluation de la fiabilite, systeme d'essai d'evaluation de la fiabilite, contacteur et procede d'essai d'evaluation de la fiabilite |
| US7091733B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-08-15 | Tokyo Electron Limited | Reliability evaluation test apparatus, reliability evaluation test system, contactor, and reliability evaluation test method |
| US7242206B2 (en) | 2001-11-30 | 2007-07-10 | Tokyo Electron Limited | Reliability evaluation test apparatus, reliability evaluation test system, contactor, and reliability evaluation test method |
| US8456186B2 (en) * | 2001-11-30 | 2013-06-04 | Tokyo Electron Limited | Reliability evaluation test apparatus, reliability evaluation test system, contactor, and reliability evaluation test method |
| US7145250B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | LSI package, LSI element testing method, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006234511A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Seiko Instruments Inc | マイクロプローブの製造方法 |
| KR100980666B1 (ko) | 2010-07-08 | 2010-09-07 | (주)유비프리시젼 | Ｌｃｄ 점등용 프로브 블록의 컨텍터 필름 |
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