JPH1149750A - ピロリジン−２，４−ジオン誘導体の製法 - Google Patents
ピロリジン−２，４−ジオン誘導体の製法Info
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- JPH1149750A JPH1149750A JP9206213A JP20621397A JPH1149750A JP H1149750 A JPH1149750 A JP H1149750A JP 9206213 A JP9206213 A JP 9206213A JP 20621397 A JP20621397 A JP 20621397A JP H1149750 A JPH1149750 A JP H1149750A
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- JP
- Japan
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- group
- formula
- compound
- hydrogen atom
- aralkyloxycarbonyl
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Pyrrole Compounds (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抗菌剤化合物の合成原料として有用な中間体
およびその製造方法を提供する。 【構成】 下記式で示される化合物（ＩＩＩ）の製造
法。また、その製造中間体。 【化１】 ［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。 【化２】
およびその製造方法を提供する。 【構成】 下記式で示される化合物（ＩＩＩ）の製造
法。また、その製造中間体。 【化１】 ［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。 【化２】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抗菌化合物の合成原料
として有用な化合物およびその製造法に関する。
として有用な化合物およびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】式（ＩＩＩ）
【０００３】
【化２９】
【０００４】［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味
し、Ｒ4 およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素
数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 お
よびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、また
は一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造とな
ってもよい。
し、Ｒ4 およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素
数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 お
よびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、また
は一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造とな
ってもよい。
【０００５】
【化３０】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物（以下、化合物（ＩＩＩ）として表し、他の番
号の式で表される化合物も同様とする。）は抗菌性化合
物の製造中間体として有用である（特開平５―１０７３
号公報および特開平５―２２１９４７号公報参照）。
る化合物（以下、化合物（ＩＩＩ）として表し、他の番
号の式で表される化合物も同様とする。）は抗菌性化合
物の製造中間体として有用である（特開平５―１０７３
号公報および特開平５―２２１９４７号公報参照）。
【０００６】その製法としては、アセト酢酸エチルエス
テルを原料とする方法（特開平３―９５１７６号公報）
があるが低収率であり、工業的製法としては不向きであ
った。また、ジケテンを原料とする方法（特開平５―２
２１９４７号公報）があるが多くの工程を要する等の問
題点があり、その工業的製造には未だ改良の余地があっ
た。
テルを原料とする方法（特開平３―９５１７６号公報）
があるが低収率であり、工業的製法としては不向きであ
った。また、ジケテンを原料とする方法（特開平５―２
２１９４７号公報）があるが多くの工程を要する等の問
題点があり、その工業的製造には未だ改良の余地があっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、これら従
来の技術の問題点を解決し、簡便に化合物（ＩＩＩ）を
得る製法を見い出すべく鋭意研究を行った。その結果、
化合物（ＩＩ）
来の技術の問題点を解決し、簡便に化合物（ＩＩＩ）を
得る製法を見い出すべく鋭意研究を行った。その結果、
化合物（ＩＩ）
【０００８】
【化３１】 ［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4
およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から
６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5
が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒に
なってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよ
い。
ル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4
およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から
６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5
が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒に
なってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよ
い。
【０００９】
【化３２】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］を製造中
間体として用いることにより、化合物（ＩＩＩ）が簡便
に得られることを見い出し、本発明を完成させた。
間体として用いることにより、化合物（ＩＩＩ）が簡便
に得られることを見い出し、本発明を完成させた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、式（Ｉ）
【００１１】
【化３３】 ［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ2 およびＲ3 は各々独立して水素原子
またはアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 およびＲ5 は各
々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基
を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時に水素原
子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチ
レン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
ル基を意味し、Ｒ2 およびＲ3 は各々独立して水素原子
またはアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 およびＲ5 は各
々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基
を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時に水素原
子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチ
レン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００１２】
【化３４】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物および式（ＩＩＩ−１）
る化合物および式（ＩＩＩ−１）
【００１３】
【化３５】 ［式中、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラルキルオ
キシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
キシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００１４】
【化３６】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物に関する。
る化合物に関する。
【００１５】また、式（ＩＶ）
【００１６】
【化３７】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（Ｖ）
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（Ｖ）
【００１７】
【化３８】Ｘ1 ―（ＣＨ2 ）n ―Ｘ2 （Ｖ） （式中、ｎは２から５の整数を意味し、Ｘ1 およびＸ2
は各々独立して求核置換反応において脱離する原子また
は基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に
処理することを特徴とする式（Ｉ−１）
は各々独立して求核置換反応において脱離する原子また
は基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に
処理することを特徴とする式（Ｉ−１）
【００１８】
【化３９】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、ｎは２から５の整数を意味する。）で表される化合
物の製造法に関する。
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、ｎは２から５の整数を意味する。）で表される化合
物の製造法に関する。
【００１９】さらに、式（ＩＶ）
【００２０】
【化４０】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ）
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【００２１】
【化４１】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−２）および／または式（Ｉ−
３）
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−２）および／または式（Ｉ−
３）
【００２２】
【化４２】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法に関する。
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法に関する。
【００２３】そして、式（ＩＶ）
【００２４】
【化４３】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ）
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【００２５】
【化４４】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−３）
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−３）
【００２６】
【化４５】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法に関する。
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法に関する。
【００２７】また、式（ＩＶ）
【００２８】
【化４６】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ）
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【００２９】
【化４７】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−２）
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−２）
【００３０】
【化４８】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法に関する。
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法に関する。
【００３１】さらに、式（ＩＶ）
【００３２】
【化４９】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＩＶ）の化合物に対して
１当量の式（ＶＩ）
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＩＶ）の化合物に対して
１当量の式（ＶＩ）
【００３３】
【化５０】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６の整数を意味し、Ｘ3 は
求核置換反応において脱離する原子または基を意味す
る。）で表される化合物を塩基の存在下に処理し、続い
て式（ＶＩＩ）
求核置換反応において脱離する原子または基を意味す
る。）で表される化合物を塩基の存在下に処理し、続い
て式（ＶＩＩ）
【００３４】
【化５１】Ｒ51―Ｘ4 （ＶＩＩ） （式中、Ｒ51は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ4 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−４）
Ｘ4 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−４）
【００３５】
【化５２】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ51
は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表され
る化合物の製造法に関する。
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ51
は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表され
る化合物の製造法に関する。
【００３６】あるいは、式（ＩＩ）
【００３７】
【化５３】 ［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4
およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から
６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5
が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒に
なってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよ
い。
ル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4
およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から
６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5
が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒に
なってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよ
い。
【００３８】
【化５４】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物を、塩基またはアルキルアルミニウム試薬の存
在下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ）
る化合物を、塩基またはアルキルアルミニウム試薬の存
在下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ）
【００３９】
【化５５】 ［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ５が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ５が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００４０】
【化５６】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物の製造法に関する。
る化合物の製造法に関する。
【００４１】さらに、式（ＩＩ）
【００４２】
【化５７】 ［式中、Ｒ１ は水素原子または炭素数１から６のアル
キル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ
4 およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１か
ら６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ
5 が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒
になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となっても
よい。
キル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ
4 およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１か
ら６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ
5 が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒
になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となっても
よい。
【００４３】
【化５８】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物を、加熱下処理することを特徴とする式（ＩＩ
Ｉ）
る化合物を、加熱下処理することを特徴とする式（ＩＩ
Ｉ）
【００４４】
【化５９】 ［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００４５】
【化６０】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物の製造法に関する。
る化合物の製造法に関する。
【００４６】本発明で用いる置換基等を以下に説明す
る。
る。
【００４７】アミノ基の保護基としては、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アラルキル基等を挙げることができる。
ルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アラルキル基等を挙げることができる。
【００４８】アシル基としては、例えば、ホルミル基、
アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチ
ロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、
ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロ
ロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等の脂肪族
若しくは芳香族アシル基を挙げることができる。
アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチ
ロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、
ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロ
ロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等の脂肪族
若しくは芳香族アシル基を挙げることができる。
【００４９】アルコキシカルボニル基としては、例え
ば、ｔ―ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエ
トキシカルボニル基を挙げることができる。
ば、ｔ―ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエ
トキシカルボニル基を挙げることができる。
【００５０】アラルキルオキシカルボニル基としては、
ベンジルオキシカルボニル基等を挙げることができ、該
フェニル基部分には、メチル基、エチル基等の低級アル
キル基、メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシル
基、ニトロ基、ハロゲン原子等が置換していてもよく、
例えば、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パ
ラニトロベンジルオキシカルボニル基を挙げることがで
きる。
ベンジルオキシカルボニル基等を挙げることができ、該
フェニル基部分には、メチル基、エチル基等の低級アル
キル基、メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシル
基、ニトロ基、ハロゲン原子等が置換していてもよく、
例えば、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パ
ラニトロベンジルオキシカルボニル基を挙げることがで
きる。
【００５１】アラルキル基としては、ベンジル基、α−
メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基等を
挙げることができ、該フェニル基部分には、メチル基、
エチル基等の低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基
等の低級アルコキシル基、ニトロ基、ハロゲン原子等が
置換していてもよく、例えば、パラニトロベンジル基、
パラメトキシベンジル基を挙げることができる。
メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基等を
挙げることができ、該フェニル基部分には、メチル基、
エチル基等の低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基
等の低級アルコキシル基、ニトロ基、ハロゲン原子等が
置換していてもよく、例えば、パラニトロベンジル基、
パラメトキシベンジル基を挙げることができる。
【００５２】求核置換反応において脱離する原子または
基としては、例えば、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハ
ロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニルオキシ、メタンス
ルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ
等のスルホニルオキシ基、またはジメチルスルホニウム
等のジアルキルスルホニウム基を挙げることができる。
なお、ジアルキルスルホニウム基の場合は、カウンター
アニオンとしてハロゲンの陰イオンを伴うことがある。
基としては、例えば、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハ
ロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニルオキシ、メタンス
ルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ
等のスルホニルオキシ基、またはジメチルスルホニウム
等のジアルキルスルホニウム基を挙げることができる。
なお、ジアルキルスルホニウム基の場合は、カウンター
アニオンとしてハロゲンの陰イオンを伴うことがある。
【００５３】本願明細書中の化合物の置換基について以
下に詳しく説明する。
下に詳しく説明する。
【００５４】まず、本発明化合物（Ｉ）の置換基Ｒ1 と
しては炭素数１から６のアルキル基が好ましく、特にメ
チル基およびエチル基が好ましい。置換基Ｒ2 およびＲ
3 のアミノ基の保護基としては、アラルキル基、アルコ
キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基およ
びアシル基が好ましく、特にホルミル基、アセチル基、
ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジル
オキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ4 およびＲ5
としては、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になってポリメチレン
鎖を形成し、次の構造
しては炭素数１から６のアルキル基が好ましく、特にメ
チル基およびエチル基が好ましい。置換基Ｒ2 およびＲ
3 のアミノ基の保護基としては、アラルキル基、アルコ
キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基およ
びアシル基が好ましく、特にホルミル基、アセチル基、
ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジル
オキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ4 およびＲ5
としては、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になってポリメチレン
鎖を形成し、次の構造
【００５５】
【化６１】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）を形成した
ものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さら
にはｎが２であるものが好ましい。
ものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さら
にはｎが２であるものが好ましい。
【００５６】本発明化合物（ＩＩＩ−１）の置換基Ｒ21
としては、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、
ブチロイル基、ｔ―ブチロイル基、メトキシアセチル
基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリ
フルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル
基、ベンゾイル基、ｔ―ブトキシカルボニル基、メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−
トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカル
ボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基お
よびパラニトロベンジルオキシカルボニル基が好まし
く、特にホルミル基、アセチル基、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基およびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。
置換基Ｒ4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 が一緒
になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造
としては、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、
ブチロイル基、ｔ―ブチロイル基、メトキシアセチル
基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリ
フルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル
基、ベンゾイル基、ｔ―ブトキシカルボニル基、メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−
トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカル
ボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基お
よびパラニトロベンジルオキシカルボニル基が好まし
く、特にホルミル基、アセチル基、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基およびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。
置換基Ｒ4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 が一緒
になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造
【００５７】
【化６２】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）を形成した
ものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さら
にはｎが２であるものが好ましい。
ものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さら
にはｎが２であるものが好ましい。
【００５８】化合物（ＩＶ）の置換基Ｒ1 としては炭素
数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およ
びエチル基が好ましい。置換基Ｒ21としては、アルコキ
シカルボニル基およびアラルキルオキシカルボニル基が
好ましく、特にｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジ
ルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ31として
は、水素原子およびアラルキル基が好ましく、特に水素
原子およびベンジル基が好ましい。
数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およ
びエチル基が好ましい。置換基Ｒ21としては、アルコキ
シカルボニル基およびアラルキルオキシカルボニル基が
好ましく、特にｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジ
ルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ31として
は、水素原子およびアラルキル基が好ましく、特に水素
原子およびベンジル基が好ましい。
【００５９】化合物（Ｖ）のｎとしては２または３、特
に２が好ましく、求核置換反応において脱離する原子ま
たは基を意味するＸ1 およびＸ2 としては、ハロゲン原
子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
に２が好ましく、求核置換反応において脱離する原子ま
たは基を意味するＸ1 およびＸ2 としては、ハロゲン原
子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
【００６０】化合物（ＶＩ）のＲ41としては、メチル基
またはエチル基が好ましく、求核置換反応において脱離
する原子または基を意味するＸ3 としては、ハロゲン原
子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
またはエチル基が好ましく、求核置換反応において脱離
する原子または基を意味するＸ3 としては、ハロゲン原
子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
【００６１】化合物（ＶＩＩ）のＲ51としては、メチル
基またはエチル基が好ましく、求核置換反応において脱
離する原子または基を意味するＸ4 としては、ハロゲン
原子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
基またはエチル基が好ましく、求核置換反応において脱
離する原子または基を意味するＸ4 としては、ハロゲン
原子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
【００６２】化合物（ＩＩ）の置換基Ｒ1 としては炭素
数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およ
びエチル基が好ましい。置換基Ｒ22としては、アラルキ
ル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基およびアシル基が好ましく、特にホルミル基、
アセチル基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基お
よびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ
4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 がポリメチレン
鎖を形成し、次の構造
数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およ
びエチル基が好ましい。置換基Ｒ22としては、アラルキ
ル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基およびアシル基が好ましく、特にホルミル基、
アセチル基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基お
よびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ
4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 がポリメチレン
鎖を形成し、次の構造
【００６３】
【化６３】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）を形成した
ものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さら
にはｎが２であるものが好ましい。
ものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さら
にはｎが２であるものが好ましい。
【００６４】次に本発明の製造方法を各工程ごとに説明
する。
する。
【００６５】まず、化合物（ＩＶ）と化合物（Ｖ）を反
応させ、化合物（Ｉ−１）を製造する工程について説明
する。
応させ、化合物（Ｉ−１）を製造する工程について説明
する。
【００６６】化合物（Ｉ−１）は、化合物（ＩＶ）およ
び化合物（Ｖ）を溶媒中、塩基存在下で処理することに
よって得ることができる。
び化合物（Ｖ）を溶媒中、塩基存在下で処理することに
よって得ることができる。
【００６７】反応溶媒としては、反応に不活性なもので
あれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好まし
いものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、
ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルス
ルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステ
ル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶
媒として使用することもできる。
あれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好まし
いものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、
ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルス
ルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステ
ル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶
媒として使用することもできる。
【００６８】これらの溶媒のうち、ジメチルホルムアミ
ド等のアミド系およびアセトンが好ましい。
ド等のアミド系およびアセトンが好ましい。
【００６９】反応温度は塩基の種類や使用する溶媒によ
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
【００７０】塩基としては、有機または無機のいずれで
あってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、
例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およ
びアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチ
ウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ
―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その
他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―
７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．
３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いる
ことができる。
あってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、
例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およ
びアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチ
ウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ
―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その
他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―
７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．
３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いる
ことができる。
【００７１】また、反応を促進させるためにテトラブチ
ルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウ
ム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ
土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下
で行うこともある。
ルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウ
ム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ
土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下
で行うこともある。
【００７２】これらの塩基のうち、炭酸カリウム、炭酸
ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化
カリウム等の金属水素化物が好ましい。
ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化
カリウム等の金属水素化物が好ましい。
【００７３】塩基の使用量は通常、化合物（ＩＶ）に対
して１から３０当量の範囲でよいが、過剰量を使用する
方が反応効率が高く、好ましくは２から１６当量程度で
ある。
して１から３０当量の範囲でよいが、過剰量を使用する
方が反応効率が高く、好ましくは２から１６当量程度で
ある。
【００７４】化合物（ＩＶ）は、市販のものあるいは、
アミノ基を保護したグリシンから導くことができる。
アミノ基を保護したグリシンから導くことができる。
【００７５】次に、化合物（ＩＶ）と化合物（ＶＩ）を
反応させ、化合物（Ｉ−２）および／または（Ｉ−３）
を製造する工程について説明する。
反応させ、化合物（Ｉ−２）および／または（Ｉ−３）
を製造する工程について説明する。
【００７６】化合物（Ｉ−２）および／または化合物
（Ｉ−３）は、化合物（ＩＶ）および化合物（ＶＩ）を
溶媒中、塩基存在下で処理することによって得ることが
できる。
（Ｉ−３）は、化合物（ＩＶ）および化合物（ＶＩ）を
溶媒中、塩基存在下で処理することによって得ることが
できる。
【００７７】反応溶媒としては、反応に不活性なもので
あれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好まし
いものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、
ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルス
ルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステ
ル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶
媒として使用することもできる。
あれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好まし
いものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、
ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルス
ルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステ
ル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶
媒として使用することもできる。
【００７８】反応温度は塩基の種類や使用する溶媒によ
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
【００７９】塩基としては、有機または無機のいずれで
あってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、
例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およ
びアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチ
ウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ
―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その
他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―
７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．
３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いる
ことができる。
あってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、
例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およ
びアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチ
ウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ
―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その
他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―
７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．
３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いる
ことができる。
【００８０】また、反応を促進させるためにテトラブチ
ルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウ
ム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ
土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下
で行うこともある。
ルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウ
ム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ
土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下
で行うこともある。
【００８１】これらの塩基のうち、炭酸カリウム、炭酸
ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化
カリウム等の金属水素化物が好ましい。
ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化
カリウム等の金属水素化物が好ましい。
【００８２】本工程では、目的とする化合物により、化
合物（ＶＩ）の使用量および／または塩基の使用量が異
なってくる。
合物（ＶＩ）の使用量および／または塩基の使用量が異
なってくる。
【００８３】すなわち、目的とする化合物が（Ｉ−３）
の場合は、化合物（ＶＩ）を１当量を使用して反応させ
るか、または塩基１から１．２当量の存在下で反応させ
ればよい。化合物（ＶＩ）を１当量使用する場合（理論
上は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過
剰に用いてもよい。）は、塩基の量は１当量以上であれ
ばよいが、１から１．２当量が好ましい。塩基を１から
１．２当量使用する場合は、化合物（ＶＩ）の量は１当
量以上であればよいが、１当量（理論上は１当量でよい
が、実際に反応を行う場合は、やや過剰に用いてもよ
い。）が好ましい。
の場合は、化合物（ＶＩ）を１当量を使用して反応させ
るか、または塩基１から１．２当量の存在下で反応させ
ればよい。化合物（ＶＩ）を１当量使用する場合（理論
上は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過
剰に用いてもよい。）は、塩基の量は１当量以上であれ
ばよいが、１から１．２当量が好ましい。塩基を１から
１．２当量使用する場合は、化合物（ＶＩ）の量は１当
量以上であればよいが、１当量（理論上は１当量でよい
が、実際に反応を行う場合は、やや過剰に用いてもよ
い。）が好ましい。
【００８４】目的とする化合物が（Ｉ−２）の場合は、
化合物（ＶＩ）および塩基を２当量以上使用すればよ
い。
化合物（ＶＩ）および塩基を２当量以上使用すればよ
い。
【００８５】次に、化合物（ＩＶ）と化合物（ＩＶ）に
対して１当量の化合物（ＶＩ）を反応させた後、化合物
（ＶＩＩ）を反応させ化合物（Ｉ−４）を製造する工程
について説明する。なお、化合物（ＶＩ）の量は理論上
は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過剰
に用いてもよい。
対して１当量の化合物（ＶＩ）を反応させた後、化合物
（ＶＩＩ）を反応させ化合物（Ｉ−４）を製造する工程
について説明する。なお、化合物（ＶＩ）の量は理論上
は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過剰
に用いてもよい。
【００８６】化合物（Ｉ−４）は、化合物（ＩＶ）およ
び化合物（ＩＶ）に対して１当量の化合物（ＶＩ）を溶
媒中、塩基存在下で処理し、その後、化合物（ＶＩＩ）
を加え、塩基存在下で処理することによって得ることが
できる。
び化合物（ＩＶ）に対して１当量の化合物（ＶＩ）を溶
媒中、塩基存在下で処理し、その後、化合物（ＶＩＩ）
を加え、塩基存在下で処理することによって得ることが
できる。
【００８７】反応溶媒としては、反応に不活性なもので
あれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好まし
いものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、
ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルス
ルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステ
ル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶
媒として使用することもできる。
あれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好まし
いものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、
ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルス
ルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステ
ル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶
媒として使用することもできる。
【００８８】反応温度は塩基の種類や使用する溶媒によ
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
【００８９】塩基としては、有機または無機のいずれで
あってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、
例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およ
びアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチ
ウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ
―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その
他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―
７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．
３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いる
ことができる。
あってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、
例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウ
ム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およ
びアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチ
ウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ
―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その
他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―
７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．
３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いる
ことができる。
【００９０】また、反応を促進させるためにテトラブチ
ルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウ
ム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ
土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下
で行うこともある。
ルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウ
ム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ
土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下
で行うこともある。
【００９１】これらの塩基のうち、炭酸カリウム、炭酸
ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化
カリウム等の金属水素化物が好ましい。
ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化
カリウム等の金属水素化物が好ましい。
【００９２】塩基は化合物（ＩＶ）に対して２から３０
当量、好ましくは２から１６当量程度を反応の始めから
使用してもよいが、化合物（ＶＩ）を反応させる段階と
化合物（ＶＩＩ）を反応させる段階の２回に分けて使用
してもよい。化合物（ＶＩ）を反応させる段階では１当
量以上、好ましくは１から１．２当量の塩基を使用し、
化合物（ＶＩＩ）を反応させる段階では１当量以上の塩
基を使用すればよい。
当量、好ましくは２から１６当量程度を反応の始めから
使用してもよいが、化合物（ＶＩ）を反応させる段階と
化合物（ＶＩＩ）を反応させる段階の２回に分けて使用
してもよい。化合物（ＶＩ）を反応させる段階では１当
量以上、好ましくは１から１．２当量の塩基を使用し、
化合物（ＶＩＩ）を反応させる段階では１当量以上の塩
基を使用すればよい。
【００９３】この化合物（Ｉ−４）を得る反応では、化
合物（ＶＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理して得られた
化合物を一度単離した後、該化合物と化合物（ＶＩＩ）
を溶媒中、塩基存在下で処理することによっても得るこ
とができる。
合物（ＶＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理して得られた
化合物を一度単離した後、該化合物と化合物（ＶＩＩ）
を溶媒中、塩基存在下で処理することによっても得るこ
とができる。
【００９４】この反応でＲ41とＲ51が異なる化合物を製
造する場合、炭素数が多い方（同じ場合は、分枝状の
方）をＲ41として反応させ、その後炭素数が小さい方
（同じ場合は、直鎖状の方）をＲ51として反応させるの
が好ましい。
造する場合、炭素数が多い方（同じ場合は、分枝状の
方）をＲ41として反応させ、その後炭素数が小さい方
（同じ場合は、直鎖状の方）をＲ51として反応させるの
が好ましい。
【００９５】化合物（ＩＩＩ）は、化合物（ＩＩ）を閉
環することにより得ることができる。具体的には、化合
物（ＩＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理することによっ
て得ることができる。また、化合物（ＩＩＩ）は、化合
物（ＩＩ）を溶媒中、アルキルアルミニウム試薬存在下
で処理することによっても得ることができる。
環することにより得ることができる。具体的には、化合
物（ＩＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理することによっ
て得ることができる。また、化合物（ＩＩＩ）は、化合
物（ＩＩ）を溶媒中、アルキルアルミニウム試薬存在下
で処理することによっても得ることができる。
【００９６】溶媒としては、反応に不活性なものであれ
ば特に制限はないが、用いる塩基、アルキルアルミニウ
ム試薬に応じて、好ましいものを選択すればよく、アル
コール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド
系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、アセ
トン、酢酸エステル、水等を用いることができる。ま
た、これらを混合溶媒として使用することもできる。
ば特に制限はないが、用いる塩基、アルキルアルミニウ
ム試薬に応じて、好ましいものを選択すればよく、アル
コール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド
系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、アセ
トン、酢酸エステル、水等を用いることができる。ま
た、これらを混合溶媒として使用することもできる。
【００９７】これらの溶媒のうち、テトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）等のエーテル系、塩化メチレン等のハロゲン
化炭素系およびトルエン等の芳香族炭化水素系が好まし
い。
（ＴＨＦ）等のエーテル系、塩化メチレン等のハロゲン
化炭素系およびトルエン等の芳香族炭化水素系が好まし
い。
【００９８】反応温度は塩基の種類や使用する溶媒によ
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは０℃から溶媒の沸点の範囲である。反応
は室温でも進行するが、加熱して反応を促進させてもよ
い。
り異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよ
く、好ましくは０℃から溶媒の沸点の範囲である。反応
は室温でも進行するが、加熱して反応を促進させてもよ
い。
【００９９】塩基の使用量は通常、化合物（ＩＩ）に対
して１から１５当量の範囲でよく、好ましくは１から５
当量程度である。
して１から１５当量の範囲でよく、好ましくは１から５
当量程度である。
【０１００】アルキルアルミニウム試薬としては、トリ
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリ
ド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウ
ムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等が例示
でき、特にトリメチルアルミニウムが好ましい。
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリ
ド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウ
ムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等が例示
でき、特にトリメチルアルミニウムが好ましい。
【０１０１】アルキルアルミニウム試薬の使用量は通
常、化合物（ＩＩ）に対して１から１５当量の範囲でよ
く、好ましくは１から５当量程度である。
常、化合物（ＩＩ）に対して１から１５当量の範囲でよ
く、好ましくは１から５当量程度である。
【０１０２】さらに、化合物（ＩＩＩ）は、化合物（Ｉ
Ｉ）を溶媒中、加熱下で処理することによっても得るこ
とができる。
Ｉ）を溶媒中、加熱下で処理することによっても得るこ
とができる。
【０１０３】溶媒としては、反応に不活性なものであれ
ば特に制限はないが、アルコール系、エーテル系、ハロ
ゲン化炭化水素系、アミド系、芳香族炭化水素系、その
他、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を
用いることができる。また、これらを混合溶媒として使
用することもできる。
ば特に制限はないが、アルコール系、エーテル系、ハロ
ゲン化炭化水素系、アミド系、芳香族炭化水素系、その
他、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を
用いることができる。また、これらを混合溶媒として使
用することもできる。
【０１０４】これらの溶媒のうち、テトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）等のエーテル系、塩化メチレン等のハロゲン
化炭素系およびトルエン等の芳香族炭化水素系が好まし
い。
（ＴＨＦ）等のエーテル系、塩化メチレン等のハロゲン
化炭素系およびトルエン等の芳香族炭化水素系が好まし
い。
【０１０５】反応温度は使用する溶媒により異なるが、
４０℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、加熱還流下
で行うのが好ましい。
４０℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、加熱還流下
で行うのが好ましい。
【０１０６】反応原料である化合物（ＩＩ）は、化合物
（Ｉ）のうちＲ2 がアミノ基の保護基でＲ3 が水素原子
のものを使用すればよいが、Ｒ2 およびＲ3 が共にアミ
ノ基の保護基である化合物（Ｉ）のアミノ基の保護基Ｒ
3 を常法（ティー．ダブリュウ．グリーン(T.W.Green)
等の「プロテクティブ グループ イン オルガニック
シンセシス(Protective Group in Organic Synthesi
s)」 ウィリイ(Wiley), 1991等を参照。）にて脱保護
することによっても得られる。例えば、Ｒ3 が、アシル
基である場合には加水分解により、アルコキシカルボニ
ル基またはアラルキルオキシカルボニル基である場合に
は無溶媒あるいは溶媒中カチオンスカベンジャーの存在
下あるいは非存在下、酸で処理することにより、また、
フェニル基部分がメチル、エチル等の低級アルキル、メ
トキシ、エトキシ等の低級アルコキシ、ニトロ、場合に
よってはハロゲンが置換していても良いベンジル基類で
は、溶媒中、触媒を用いて酸またはアルカリ存在下ある
いは非存在下、水素化分解することにより脱保護するこ
とができる。
（Ｉ）のうちＲ2 がアミノ基の保護基でＲ3 が水素原子
のものを使用すればよいが、Ｒ2 およびＲ3 が共にアミ
ノ基の保護基である化合物（Ｉ）のアミノ基の保護基Ｒ
3 を常法（ティー．ダブリュウ．グリーン(T.W.Green)
等の「プロテクティブ グループ イン オルガニック
シンセシス(Protective Group in Organic Synthesi
s)」 ウィリイ(Wiley), 1991等を参照。）にて脱保護
することによっても得られる。例えば、Ｒ3 が、アシル
基である場合には加水分解により、アルコキシカルボニ
ル基またはアラルキルオキシカルボニル基である場合に
は無溶媒あるいは溶媒中カチオンスカベンジャーの存在
下あるいは非存在下、酸で処理することにより、また、
フェニル基部分がメチル、エチル等の低級アルキル、メ
トキシ、エトキシ等の低級アルコキシ、ニトロ、場合に
よってはハロゲンが置換していても良いベンジル基類で
は、溶媒中、触媒を用いて酸またはアルカリ存在下ある
いは非存在下、水素化分解することにより脱保護するこ
とができる。
【０１０７】アミノ基の保護基がアシル基である場合に
は、酸またはアルカリを用いて行われ、酸性加水分解に
は塩酸、硫酸等の酸を、アルカリ性加水分解には水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムアルコラート
等のアルカリを用い、これら酸またはアルカリの水溶
液、もしくは、メタノール、エタノール等のアルコール
系有機溶媒、あるいは含水有機溶媒による溶液として脱
保護の反応に用いることができ、反応温度は室温から溶
媒の沸点において行われる。
は、酸またはアルカリを用いて行われ、酸性加水分解に
は塩酸、硫酸等の酸を、アルカリ性加水分解には水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムアルコラート
等のアルカリを用い、これら酸またはアルカリの水溶
液、もしくは、メタノール、エタノール等のアルコール
系有機溶媒、あるいは含水有機溶媒による溶液として脱
保護の反応に用いることができ、反応温度は室温から溶
媒の沸点において行われる。
【０１０８】アミノ基の保護基がアルコキシカルボニル
基またはアラルキルオキシカルボニル基の場合には、溶
媒として脱保護の反応に不活性なものであれば特に制限
はないが、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化
水素系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、
アセトン、酢酸エステル、水、酢酸等あるいはこれらを
混合溶媒等を用いることができ、カチオンスカベンジャ
ーとしては、たとえば、アニソール、チオアニソール等
が挙げられ、酸としては、たとえば、ｐ―トルエンスル
ホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸、トリフ
ルオロ酢酸等が挙げられる。反応温度は氷冷下から溶媒
の沸点において行われる。
基またはアラルキルオキシカルボニル基の場合には、溶
媒として脱保護の反応に不活性なものであれば特に制限
はないが、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化
水素系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、
アセトン、酢酸エステル、水、酢酸等あるいはこれらを
混合溶媒等を用いることができ、カチオンスカベンジャ
ーとしては、たとえば、アニソール、チオアニソール等
が挙げられ、酸としては、たとえば、ｐ―トルエンスル
ホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸、トリフ
ルオロ酢酸等が挙げられる。反応温度は氷冷下から溶媒
の沸点において行われる。
【０１０９】また、フェニル基部分がメチル、エチル等
の低級アルキル、メトキシ、エトキシ等の低級アルコキ
シ、ニトロ、場合によってはハロゲンが置換していても
良いベンジル基類の水素化分解では、溶媒として反応に
不活性なものであれば特に制限はないが、アルコール
系、アミド系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニト
リル、ギ酸、酢酸等を用いることができる。また、触媒
としては、５％パラジウム炭素、１０％パラジウム炭
素、２０％パラジウム炭素、ラネーニッケル等の含金属
化合物が挙げられ、酸またはアルカリとしては、塩酸、
臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸等の鉱
酸あるいは、ｐ―トルエンスルホン酸、メタンスルホン
酸等の有機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウム、アンモニア水等の無機塩基が挙げられ
る。反応温度は室温から２００℃の範囲で行えばよく、
水素圧は常圧から１５０気圧の範囲において行われる。
の低級アルキル、メトキシ、エトキシ等の低級アルコキ
シ、ニトロ、場合によってはハロゲンが置換していても
良いベンジル基類の水素化分解では、溶媒として反応に
不活性なものであれば特に制限はないが、アルコール
系、アミド系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニト
リル、ギ酸、酢酸等を用いることができる。また、触媒
としては、５％パラジウム炭素、１０％パラジウム炭
素、２０％パラジウム炭素、ラネーニッケル等の含金属
化合物が挙げられ、酸またはアルカリとしては、塩酸、
臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸等の鉱
酸あるいは、ｐ―トルエンスルホン酸、メタンスルホン
酸等の有機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウム、アンモニア水等の無機塩基が挙げられ
る。反応温度は室温から２００℃の範囲で行えばよく、
水素圧は常圧から１５０気圧の範囲において行われる。
【０１１０】本発明の各工程で用いられる溶媒について
説明する。
説明する。
【０１１１】芳香族炭化水素系としては、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等が挙げられる。アルコール系として
は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロ
パノール（ＩＰＡ）、ブタノール、ｔ―ブタノール等が
挙げられる。エーテル系としては、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン、
１、４―ジオキサン等が挙げられる。アミド系としては
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミ
ド（ＤＭＡｃ）等が挙げられる。ハロゲン化炭化水素系
としては、クロロホルム、塩化メチレン、１、２―ジク
ロロエタン（ＥＤＣ）等が挙げられる。
ルエン、キシレン等が挙げられる。アルコール系として
は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロ
パノール（ＩＰＡ）、ブタノール、ｔ―ブタノール等が
挙げられる。エーテル系としては、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン、
１、４―ジオキサン等が挙げられる。アミド系としては
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミ
ド（ＤＭＡｃ）等が挙げられる。ハロゲン化炭化水素系
としては、クロロホルム、塩化メチレン、１、２―ジク
ロロエタン（ＥＤＣ）等が挙げられる。
【０１１２】ここで得られた化合物（ＩＩＩ）は、特開
平３―９５１７６号公報、特開平４―１４９１７４号公
報記載の方法により抗菌剤の合成中間体へ導くことがで
きる。以下、実施例および参考例を挙げて本発明をさら
に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
平３―９５１７６号公報、特開平４―１４９１７４号公
報記載の方法により抗菌剤の合成中間体へ導くことがで
きる。以下、実施例および参考例を挙げて本発明をさら
に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
【０１１３】
【実施例】実施例１：エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−
オクソブチレート エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミ
ノ] −３−オクソブチレート（８２２．０ｍｇ）および
１，２−ジブロモエタン（１．８６ｇ）をアセトン（３
３ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリ
ウム（２．７４ｇ）を加え、反応液を９時間加熱還流し
た。溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチル
で抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成
物６５３．８ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマ
ルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物５４７．４ｍ
ｇを無色油状物として得た。
キシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−
オクソブチレート エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミ
ノ] −３−オクソブチレート（８２２．０ｍｇ）および
１，２−ジブロモエタン（１．８６ｇ）をアセトン（３
３ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリ
ウム（２．７４ｇ）を加え、反応液を９時間加熱還流し
た。溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチル
で抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成
物６５３．８ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマ
ルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物５４７．４ｍ
ｇを無色油状物として得た。
【０１１４】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２９
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．４５（９Ｈ，
ｓ），１．５７（４Ｈ，ｓ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ），４．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈ
ｚ），５．３０（１Ｈ，ｂｒｓ） ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７２，２１６，１７２，１７０，５
７
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．４５（９Ｈ，
ｓ），１．５７（４Ｈ，ｓ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ），４．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈ
ｚ），５．３０（１Ｈ，ｂｒｓ） ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７２，２１６，１７２，１７０，５
７
【０１１５】実施例２：エチル ４−[ （ベンジルオキ
シカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オ
クソブチレート エチル ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ]
−３−オクソブチレート（５５８．６ｍｇ）および１，
２−ジブロモエタン（１．１０ｇ）をアセトン（２０ｍ
ｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム
（１．６６ｇ）を加え、反応液を９時間加熱還流した。
溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチルで抽
出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物２
２７．７ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘ
キサン＝１：３）に付し、標題化合物１８９．９ｍｇを
無色油状物として得た。
シカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オ
クソブチレート エチル ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ]
−３−オクソブチレート（５５８．６ｍｇ）および１，
２−ジブロモエタン（１．１０ｇ）をアセトン（２０ｍ
ｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム
（１．６６ｇ）を加え、反応液を９時間加熱還流した。
溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチルで抽
出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物２
２７．７ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘ
キサン＝１：３）に付し、標題化合物１８９．９ｍｇを
無色油状物として得た。
【０１１６】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２９
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．５８（４Ｈ，
ｓ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），４．５
９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．１２（２Ｈ，
ｓ），５．４６（１Ｈ，ｂｒｓ），７．４６〜７．３９
（５Ｈ，ｍ） ＭＳ（ｍ／ｚ）：３０６，２６２，９１
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．５８（４Ｈ，
ｓ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），４．５
９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．１２（２Ｈ，
ｓ），５．４６（１Ｈ，ｂｒｓ），７．４６〜７．３９
（５Ｈ，ｍ） ＭＳ（ｍ／ｚ）：３０６，２６２，９１
【０１１７】実施例３：エチル ４−[ ベンジル（ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ]−２−シクロプロ
ピル−３−オクソブチレート エチル ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）アミノ] −３−オクソブチレート（１００．０ｍ
ｇ）および１，２−ジブロモエタン（６９．８ｍｇ）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）に溶解した。
室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム（９８．６ｍｇ）
を加え、そのままの温度で１５時間３０分攪拌した。反
応液に氷水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽
和塩化アンモニウム水溶液、水および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物７５．２ｍｇ
を得た。さらに、この粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：
３）に付し、標題化合物５５．７ｍｇを無色油状物とし
て得た。
ｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ]−２−シクロプロ
ピル−３−オクソブチレート エチル ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）アミノ] −３−オクソブチレート（１００．０ｍ
ｇ）および１，２−ジブロモエタン（６９．８ｍｇ）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）に溶解した。
室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム（９８．６ｍｇ）
を加え、そのままの温度で１５時間３０分攪拌した。反
応液に氷水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽
和塩化アンモニウム水溶液、水および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物７５．２ｍｇ
を得た。さらに、この粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：
３）に付し、標題化合物５５．７ｍｇを無色油状物とし
て得た。
【０１１８】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．１９
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．３８〜１．６０
（４Ｈ，ｍ），１．４６（９Ｈ，ｓ），４．１３（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．４０，４．４５（２
Ｈ，ｓ×２），４．４８（２Ｈ，ｓ），７．２０〜７．
３８（５Ｈ，ｍ）
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．３８〜１．６０
（４Ｈ，ｍ），１．４６（９Ｈ，ｓ），４．１３（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．４０，４．４５（２
Ｈ，ｓ×２），４．４８（２Ｈ，ｓ），７．２０〜７．
３８（５Ｈ，ｍ）
【０１１９】実施例４：エチル ４−[ ベンジル（ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ]−２−シクロプロ
ピル−３−オクソブチレート エチル ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）アミノ] −３−オクソブチレート（１００．０ｍ
ｇ）および１，２−ジブロモエタン（１６７．５ｍｇ）
をアセトン（６ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しな
がら炭酸カリウム（２４６．５ｍｇ）を加え、反応液を
６時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残留物に水を
加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化アンモ
ニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：
３）に付し、粗生成物８４．３ｍｇを得た。さらに、こ
の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢
酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化
合物７５．８ｍｇを無色油状物として得た。ＮＭＲスペ
クトルは実施例３で得たものと一致した。
ｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ]−２−シクロプロ
ピル−３−オクソブチレート エチル ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）アミノ] −３−オクソブチレート（１００．０ｍ
ｇ）および１，２−ジブロモエタン（１６７．５ｍｇ）
をアセトン（６ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しな
がら炭酸カリウム（２４６．５ｍｇ）を加え、反応液を
６時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残留物に水を
加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化アンモ
ニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：
３）に付し、粗生成物８４．３ｍｇを得た。さらに、こ
の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢
酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化
合物７５．８ｍｇを無色油状物として得た。ＮＭＲスペ
クトルは実施例３で得たものと一致した。
【０１２０】実施例５：５−ｔ−ブトキシカルボニル−
４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミ
ノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート（２
００．０ｍｇ）をテトラヒドロフラン（３０ｍｌ）に溶
解した。氷冷下攪拌しながら、６０％水素化ナトリウム
（４３．８ｍｇ）を加え、そのままの温度で３時間攪拌
した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）
に付し、標題化合物２３．４ｍｇを白色結晶として得
た。
４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミ
ノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート（２
００．０ｍｇ）をテトラヒドロフラン（３０ｍｌ）に溶
解した。氷冷下攪拌しながら、６０％水素化ナトリウム
（４３．８ｍｇ）を加え、そのままの温度で３時間攪拌
した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）
に付し、標題化合物２３．４ｍｇを白色結晶として得
た。
【０１２１】融点 １０３〜１０５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ： １．５７（９Ｈ，
ｓ），１．７５〜１．８７（４Ｈ，ｍ），４．２９（２
Ｈ，ｓ） 元素分析値： Ｃ11Ｈ15ＮＯ4 として 理論値（％）： Ｃ ５８．６６； Ｈ ６．７１； Ｎ ６．２２ 分析値（％）： Ｃ ５８．３９； Ｈ ６．５８； Ｎ ６．０６
ｓ），１．７５〜１．８７（４Ｈ，ｍ），４．２９（２
Ｈ，ｓ） 元素分析値： Ｃ11Ｈ15ＮＯ4 として 理論値（％）： Ｃ ５８．６６； Ｈ ６．７１； Ｎ ６．２２ 分析値（％）： Ｃ ５８．３９； Ｈ ６．５８； Ｎ ６．０６
【０１２２】実施例６：５−ｔ−ブトキシカルボニル−
４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン アルゴン気流下、エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル）アミノ]−２−シクロプロピル−３−オク
ソブチレート（１３７．１ｍｇ）をトルエン（１０．１
ｍｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、１．０１Ｍト
リメチルアルミニウムノルマルヘキサン溶液（１．１０
ｍｌ）を加え、そのままの温度で２１時間攪拌した。反
応液に１規定塩酸を加え、室温にて３０分間攪拌した
後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物４
６．０ｍｇを白色結晶として得た。各種スペクトルデー
タは、実施例５で得たものと一致した。
４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン アルゴン気流下、エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル）アミノ]−２−シクロプロピル−３−オク
ソブチレート（１３７．１ｍｇ）をトルエン（１０．１
ｍｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、１．０１Ｍト
リメチルアルミニウムノルマルヘキサン溶液（１．１０
ｍｌ）を加え、そのままの温度で２１時間攪拌した。反
応液に１規定塩酸を加え、室温にて３０分間攪拌した
後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物４
６．０ｍｇを白色結晶として得た。各種スペクトルデー
タは、実施例５で得たものと一致した。
【０１２３】実施例７：５−ベンジルオキシカルボニル
−４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタ
ン アルゴン気流下、エチル ４−[ （ベンジルオキシカル
ボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブ
チレート（２００．０ｍｇ）をトルエン（１３．１ｍ
ｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、１．０１Ｍトリ
メチルアルミニウム ノルマルヘキサン溶液（１．３０
ｍｌ）を加え、そのままの温度で２１時間攪拌した。反
応液に１規定塩酸を加え、室温にて３０分間攪拌した
後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物３
５．７ｍｇを白色結晶として得た。
−４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタ
ン アルゴン気流下、エチル ４−[ （ベンジルオキシカル
ボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブ
チレート（２００．０ｍｇ）をトルエン（１３．１ｍ
ｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、１．０１Ｍトリ
メチルアルミニウム ノルマルヘキサン溶液（１．３０
ｍｌ）を加え、そのままの温度で２１時間攪拌した。反
応液に１規定塩酸を加え、室温にて３０分間攪拌した
後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物３
５．７ｍｇを白色結晶として得た。
【０１２４】融点 １２６〜１２８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ： １．７６〜１．８８
（４Ｈ，ｍ），４．３５（２Ｈ，ｓ），５．３４（２
Ｈ，ｓ），７．２８〜７．３６（５Ｈ，ｍ） 元素分析値： Ｃ14Ｈ13ＮＯ4 として 理論値（％）： Ｃ ６４．８６； Ｈ ５．０５； Ｎ ５．４０ 分析値（％）： Ｃ ６４．６６； Ｈ ５．０５； Ｎ ５．３７
（４Ｈ，ｍ），４．３５（２Ｈ，ｓ），５．３４（２
Ｈ，ｓ），７．２８〜７．３６（５Ｈ，ｍ） 元素分析値： Ｃ14Ｈ13ＮＯ4 として 理論値（％）： Ｃ ６４．８６； Ｈ ５．０５； Ｎ ５．４０ 分析値（％）： Ｃ ６４．６６； Ｈ ５．０５； Ｎ ５．３７
【０１２５】実施例８：エチル ４−ベンジルアミノ−
２−シクロプロピル−３−オクソブチレート アルゴン気流下、エチル ４−[ （ベンジルオキシカル
ボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブ
チレート（１３１．５ｍｇ）を塩化メチレン（１ｍｌ）
に溶解した。氷冷下攪拌しながら、トリフルオロ酢酸
（１．８２ｍｌ）を加えた。反応液を室温で１時間３０
分攪拌した。反応液を留去し、残渣に１規定水酸化ナト
リウム水溶液を加えた後、酢酸エチルで抽出した。有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を留去後、標題化合物８４．９ｍｇを無色油
状物質として得た。本品は精製することなく、次の工程
に用いた。
２−シクロプロピル−３−オクソブチレート アルゴン気流下、エチル ４−[ （ベンジルオキシカル
ボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブ
チレート（１３１．５ｍｇ）を塩化メチレン（１ｍｌ）
に溶解した。氷冷下攪拌しながら、トリフルオロ酢酸
（１．８２ｍｌ）を加えた。反応液を室温で１時間３０
分攪拌した。反応液を留去し、残渣に１規定水酸化ナト
リウム水溶液を加えた後、酢酸エチルで抽出した。有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を留去後、標題化合物８４．９ｍｇを無色油
状物質として得た。本品は精製することなく、次の工程
に用いた。
【０１２６】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ： １．２
４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．５１（４Ｈ，
ｓ），３．７７（２Ｈ，ｓ），４．０１（２Ｈ，ｓ），
４．１６（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．２０〜
７．４３（５Ｈ，ｍ）
４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．５１（４Ｈ，
ｓ），３．７７（２Ｈ，ｓ），４．０１（２Ｈ，ｓ），
４．１６（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．２０〜
７．４３（５Ｈ，ｍ）
【０１２７】実施例９：５−ベンジル−４，７−ジオキ
ソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン エチル ４−ベンジルアミノ−２−シクロプロピル−３
−オクソブチレートの粗体（８４．９ｍｇ）をトルエン
（５ｍｌ）に溶解し、反応液を３０分間加熱還流した。
反応液を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：４）に付
し、標題化合物５６．３ｍｇを白色結晶として得た。
ソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン エチル ４−ベンジルアミノ−２−シクロプロピル−３
−オクソブチレートの粗体（８４．９ｍｇ）をトルエン
（５ｍｌ）に溶解し、反応液を３０分間加熱還流した。
反応液を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：４）に付
し、標題化合物５６．３ｍｇを白色結晶として得た。
【０１２８】融点 ９２〜９４℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ： １．６０〜１．７９
（４Ｈ，ｍ），３．７９（２Ｈ，ｓ），４．６８（２
Ｈ，ｓ），７．２６〜７．４２（５Ｈ，ｍ） 元素分析値：Ｃ13Ｈ13ＮＯ2 として 理論値（％）：Ｃ ７２．５４； Ｈ ６．０９； Ｎ ６．５１ 分析値（％）：Ｃ ７２．４１； Ｈ ６．０３； Ｎ ６．４６
（４Ｈ，ｍ），３．７９（２Ｈ，ｓ），４．６８（２
Ｈ，ｓ），７．２６〜７．４２（５Ｈ，ｍ） 元素分析値：Ｃ13Ｈ13ＮＯ2 として 理論値（％）：Ｃ ７２．５４； Ｈ ６．０９； Ｎ ６．５１ 分析値（％）：Ｃ ７２．４１； Ｈ ６．０３； Ｎ ６．４６
【０１２９】参考例１：エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルグリシン
３５０ｍｇをテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解し
た。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミ
ダゾール（３５６．７ｍｇ）を加えた後、室温にて１時
間攪拌した。−７８℃にてこの反応液に別途、酢酸エチ
ル（０．７８ｍｌ）、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム
ノルマルヘキサン溶液（５ｍｌ）およびジイソプロピル
アミン（１．１２ｍｌ）より調製したリチウムエノレー
トのテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を滴下し、そ
のままの温度で１時間攪拌した。反応液に飽和塩化アン
モニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：１）に
付し、標題化合物１８５．６ｍｇを無色油状物として得
た。
トキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルグリシン
３５０ｍｇをテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解し
た。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミ
ダゾール（３５６．７ｍｇ）を加えた後、室温にて１時
間攪拌した。−７８℃にてこの反応液に別途、酢酸エチ
ル（０．７８ｍｌ）、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム
ノルマルヘキサン溶液（５ｍｌ）およびジイソプロピル
アミン（１．１２ｍｌ）より調製したリチウムエノレー
トのテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を滴下し、そ
のままの温度で１時間攪拌した。反応液に飽和塩化アン
モニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：１）に
付し、標題化合物１８５．６ｍｇを無色油状物として得
た。
【０１３０】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２８
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．４５（９Ｈ，
ｓ），３．４９（２Ｈ，ｓ），４．１３（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．０Ｈｚ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈ
ｚ），５．３０ （１Ｈ，ｂｒｓ）ＭＳ（ｍ／ｚ）：２
４６，１９０，１４６，１４４，５７
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．４５（９Ｈ，
ｓ），３．４９（２Ｈ，ｓ），４．１３（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．０Ｈｚ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈ
ｚ），５．３０ （１Ｈ，ｂｒｓ）ＭＳ（ｍ／ｚ）：２
４６，１９０，１４６，１４４，５７
【０１３１】参考例２：エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルグリシン
（１．７５ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶
解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジ
イミダゾール（１．９５ｇ）を加えた後、室温にて１時
間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エチ
ル（２．５５ｇ）および塩化マグネシウム（９２０ｍ
ｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒ
ドロフラン懸濁液（１５ｍｌ）へ室温にて滴下し、その
ままの温度で２０時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素
カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−
ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物１．８
６ｇを無色油状物として得た。各種スペクトルデータは
参考例１で得られたものと一致した。
トキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルグリシン
（１．７５ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶
解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジ
イミダゾール（１．９５ｇ）を加えた後、室温にて１時
間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エチ
ル（２．５５ｇ）および塩化マグネシウム（９２０ｍ
ｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒ
ドロフラン懸濁液（１５ｍｌ）へ室温にて滴下し、その
ままの温度で２０時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素
カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−
ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物１．８
６ｇを無色油状物として得た。各種スペクトルデータは
参考例１で得られたものと一致した。
【０１３２】参考例３：エチル ４−[ （ベンジルオキ
シカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルグリシ
ン（４１８．４ｍｇ）をテトラヒドロフラン（１０ｍ
ｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カル
ボニルジイミダゾール（３５６．７ｍｇ）を加えた後、
室温にて１時間攪拌した。−７８℃にてこの反応液に別
途、酢酸エチル（０．７８ｍｌ）、１．６Ｍ ｎ−ブチ
ルリチウム ノルマルヘキサン溶液（５ｍｌ）およびジ
イソプロピルアミン（１．１２ｍｌ）より調製したリチ
ウムエノレートのテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）
を滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。反応液に
飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出
した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン
＝１：１）に付し、標題化合物２１６ｍｇを無色油状物
として得た。
シカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルグリシ
ン（４１８．４ｍｇ）をテトラヒドロフラン（１０ｍ
ｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カル
ボニルジイミダゾール（３５６．７ｍｇ）を加えた後、
室温にて１時間攪拌した。−７８℃にてこの反応液に別
途、酢酸エチル（０．７８ｍｌ）、１．６Ｍ ｎ−ブチ
ルリチウム ノルマルヘキサン溶液（５ｍｌ）およびジ
イソプロピルアミン（１．１２ｍｌ）より調製したリチ
ウムエノレートのテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）
を滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。反応液に
飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出
した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン
＝１：１）に付し、標題化合物２１６ｍｇを無色油状物
として得た。
【０１３３】融点：２２〜２３℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２８（３Ｈ，ｔ，
Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．４８（２Ｈ，ｓ），４．２０
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．２２（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．１２（２Ｈ，ｓ），５．４４
（１Ｈ，ｂｒｓ），７．３１〜７．３８（５Ｈ，ｍ）
Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．４８（２Ｈ，ｓ），４．２０
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．２２（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．１２（２Ｈ，ｓ），５．４４
（１Ｈ，ｂｒｓ），７．３１〜７．３８（５Ｈ，ｍ）
【０１３４】参考例４：エチル ４−[ （ベンジルオキ
シカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルグリシ
ン（２．０９ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に
溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニル
ジイミダゾール（１．９５ｇ）を加えた後、室温にて２
時間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エ
チル（２．５５ｇ）および塩化マグネシウム（９２０ｍ
ｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒ
ドロフラン懸濁液（１５ｍｌ）へ室温にて滴下し、その
ままの温度で２０時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素
カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−
ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物２．４
２ｇを無色油状物として得た。各種スペクトルデータは
参考例３で得られたものと一致した。
シカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート アルゴン気流下、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルグリシ
ン（２．０９ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に
溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニル
ジイミダゾール（１．９５ｇ）を加えた後、室温にて２
時間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エ
チル（２．５５ｇ）および塩化マグネシウム（９２０ｍ
ｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒ
ドロフラン懸濁液（１５ｍｌ）へ室温にて滴下し、その
ままの温度で２０時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素
カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−
ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物２．４
２ｇを無色油状物として得た。各種スペクトルデータは
参考例３で得られたものと一致した。
【０１３５】参考例５：Ｎ−ベンジル−Ｎ−（ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル）グリシン ベンジルグリシン（６０６ｍｇ）をメタノール（６０ｍ
ｌ）に溶解した。室温にて、反応液にトリエチルアミン
（８．３６ｍｌ）およびジｔｅｒｔ−ブチルジカルボネ
ート（１．３１ｇ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍ
ｌ）を加えた。そのままの温度で、反応液を２０時間攪
拌した。反応液を留去後、残渣に飽和硫酸水素カリウム
水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（クロロホルム−メタノール＝２０：１）に付し、標準
化合物１．０４ｇを白色結晶として得た。
−ブトキシカルボニル）グリシン ベンジルグリシン（６０６ｍｇ）をメタノール（６０ｍ
ｌ）に溶解した。室温にて、反応液にトリエチルアミン
（８．３６ｍｌ）およびジｔｅｒｔ−ブチルジカルボネ
ート（１．３１ｇ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍ
ｌ）を加えた。そのままの温度で、反応液を２０時間攪
拌した。反応液を留去後、残渣に飽和硫酸水素カリウム
水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（クロロホルム−メタノール＝２０：１）に付し、標準
化合物１．０４ｇを白色結晶として得た。
【０１３６】融点：１００〜１０２℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．４８（９Ｈ，
ｓ），３．８１，３．９７（２Ｈ，ｓ×２），４．５３
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ），７．２０〜７．３９
（５Ｈ，ｍ），１０．５９（１Ｈ，ｂｒｓ）
ｓ），３．８１，３．９７（２Ｈ，ｓ×２），４．５３
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ），７．２０〜７．３９
（５Ｈ，ｍ），１０．５９（１Ｈ，ｂｒｓ）
【０１３７】参考例６：エチル ４−［ベンジル（ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−３−オクソブチ
レート アルゴン気流下、Ｎ−ベンジル−Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル）グリシン（５００．０ｍｇ）をテトラ
ヒドロフラン（５ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応
液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（４５８．９
ｍｇ）を加えた後、室温にて２時間攪拌した。この反応
液を別途、カリウムマロン酸エチル（４８１．１ｍｇ）
および塩化マグネシウム（１７３．３ｍｇ）により調製
したマグネシウムマロネートのテトラヒドロフラン懸濁
液（７ｍｌ）へ室温にて滴下し、そのままの温度で１６
時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素カリウム水溶液を
加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝
１：３）に付し、標題化合物５３０．８ｍｇを無色油状
物として得た。
ｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−３−オクソブチ
レート アルゴン気流下、Ｎ−ベンジル−Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル）グリシン（５００．０ｍｇ）をテトラ
ヒドロフラン（５ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応
液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（４５８．９
ｍｇ）を加えた後、室温にて２時間攪拌した。この反応
液を別途、カリウムマロン酸エチル（４８１．１ｍｇ）
および塩化マグネシウム（１７３．３ｍｇ）により調製
したマグネシウムマロネートのテトラヒドロフラン懸濁
液（７ｍｌ）へ室温にて滴下し、そのままの温度で１６
時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素カリウム水溶液を
加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝
１：３）に付し、標題化合物５３０．８ｍｇを無色油状
物として得た。
【０１３８】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２５
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．４６，１．４７
（９Ｈ，ｓ×２），３．３４，３．４１（２Ｈ，ｓ×
２），３．９３，４．０７（２Ｈ，ｓ×２），４．１６
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．４６，４．５１
（２Ｈ，ｓ×２），７．２６〜７．３８（５Ｈ，ｍ）
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．４６，１．４７
（９Ｈ，ｓ×２），３．３４，３．４１（２Ｈ，ｓ×
２），３．９３，４．０７（２Ｈ，ｓ×２），４．１６
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．４６，４．５１
（２Ｈ，ｓ×２），７．２６〜７．３８（５Ｈ，ｍ）
Claims (35)
- 【請求項１】 式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ2 およびＲ3 は各々独立して水素原子
またはアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 およびＲ5 は各
々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基
を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時に水素原
子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチ
レン鎖を形成し、次の構造となってもよい。 【化２】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物 - 【請求項２】 式（Ｉ）中、Ｒ2 およびＲ3 のアミノ基
の保護基がアラルキル基、アルコキシカルボニル基、ア
ラルキルオキシカルボニル基またはアシル基である請求
項１に記載の化合物 - 【請求項３】 アラルキル基がベンジル基、α−メチル
ベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニト
ロベンジル基およびパラメトキシベンジル基、アルコキ
シカルボニル基がｔ―ブトキシカルボニル基、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基および２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル基、アラルキルオキシ
カルボニル基がベンジルオキシカルボニル基、パラメト
キシベンジルオキシカルボニル基およびパラニトロベン
ジルオキシカルボニル基、アシル基がホルミル基、アセ
チル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチロイ
ル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフ
ルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロア
セチル基、ピバロイル基およびベンゾイル基である請求
項２に記載の化合物 - 【請求項４】 式（Ｉ）中、Ｒ1 がエチル基、Ｒ2 がベ
ンジル基、Ｒ3 がｔ-ブトキシカルボニル基であり、Ｒ4
およびＲ5 が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖
を形成したものである請求項１に記載の化合物 - 【請求項５】 式（Ｉ）中、Ｒ1 がエチル基、Ｒ2 がｔ
- ブトキシカルボニル基、Ｒ3 が水素原子であり、Ｒ4
およびＲ5 が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を
形成したものである請求項１に記載の化合物 - 【請求項６】 式（Ｉ）中、Ｒ1 がエチル基、Ｒ2 がベ
ンジルオキシカルボニル基、Ｒ3 が水素原子であり、Ｒ
4 およびＲ5 が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖
を形成したものである請求項１に記載の化合物 - 【請求項７】 式（Ｉ）中、Ｒ1 がエチル基、Ｒ2 がベ
ンジル基、Ｒ3 が水素原子であり、Ｒ4 およびＲ5 が一
緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したもので
ある請求項１に記載の化合物 - 【請求項８】 式（ＩＩＩ−１） 【化３】 ［式中、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラルキルオ
キシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。 【化４】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物 - 【請求項９】 式（ＩＩＩ−１）中、Ｒ21がホルミル
基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―
ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル
基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、
クロロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、ｔ―
ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシ
ベンジルオキシカルボニル基またはパラニトロベンジル
オキシカルボニル基である請求項８に記載の化合物 - 【請求項１０】 式（ＩＩＩ−１）中、Ｒ21がｔ- ブト
キシカルボニル基であり、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になっ
て、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求
項８に記載の化合物 - 【請求項１１】 式（ＩＩＩ−１）中、Ｒ21がベンジル
オキシカルボニル基であり、Ｒ4 およびＲ5 が一緒にな
って、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請
求項８に記載の化合物 - 【請求項１２】 式（ＩＶ） 【化５】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（Ｖ） 【化６】 Ｘ1 ―（ＣＨ2 ）n ―Ｘ2 （Ｖ） （式中、ｎは２から５の整数を意味し、Ｘ1 およびＸ2
は各々独立して求核置換反応において脱離する原子また
は基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に
処理することを特徴とする式（Ｉ−１） 【化７】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、ｎは２から５の整数を意味する。）で表される化合
物の製造法 - 【請求項１３】 Ｘ1 およびＸ2 がハロゲン原子である
請求項１２に記載の製造法 - 【請求項１４】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ21がｔ- ブトキシ
カルボニル基、Ｒ31がベンジル基、ｎが２、Ｘ1 および
Ｘ2 が臭素原子である請求項１２に記載の製造法 - 【請求項１５】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ21がｔ- ブトキシ
カルボニル基、Ｒ31が水素原子、ｎが２、Ｘ1 およびＸ
2 が臭素原子である請求項１２に記載の製造法 - 【請求項１６】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ21がベンジルオキ
シカルボニル基、Ｒ31が水素原子、ｎが２、Ｘ1 および
Ｘ2 が臭素原子である請求項１２に記載の製造法 - 【請求項１７】 式（ＩＶ） 【化８】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ） 【化９】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−２）および／または式（Ｉ−
３） 【化１０】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法 - 【請求項１８】 式（ＩＶ） 【化１１】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ） 【化１２】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−３） 【化１３】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法 - 【請求項１９】 式（ＶＩ）の化合物の量が、式（Ｉ
Ｖ）の化合物に対して１当量である請求項１８に記載の
製造法 - 【請求項２０】 式（ＩＶ） 【化１４】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＶＩ） 【化１５】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−２） 【化１６】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）
で表される化合物の製造法 - 【請求項２１】 式（ＶＩ）の化合物の量が、式（Ｉ
Ｖ）の化合物に対して２当量以上である請求項２０に記
載の製造法 - 【請求項２２】 式（ＩＶ） 【化１７】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味す
る。）で表される化合物と式（ＩＶ）の化合物に対して
１当量の式（ＶＩ） 【化１８】Ｒ41―Ｘ3 （ＶＩ） （式中、Ｒ41は炭素数１から６の整数を意味し、Ｘ3 は
求核置換反応において脱離する原子または基を意味す
る。）で表される化合物を塩基の存在下に処理し、続い
て式（ＶＩＩ） 【化１９】Ｒ51―Ｘ4 （ＶＩＩ） （式中、Ｒ51は炭素数１から６のアルキル基を意味し、
Ｘ4 は求核置換反応において脱離する原子または基を意
味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理する
ことを特徴とする式（Ｉ−４） 【化２０】 （式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ21はアルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基またはアシル基を意味し、Ｒ31
は水素原子、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアシル基を意味
し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ51
は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表され
る化合物の製造法 - 【請求項２３】 式（ＩＶ）の化合物と式（ＶＩ）の化
合物を処理する際、塩基の使用量が式（ＩＶ）の化合物
に対して１から１．２当量である請求項２２に記載の製
造法 - 【請求項２４】 式（ＩＩ） 【化２１】 ［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4
およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から
６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5
が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒に
なってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよ
い。 【化２２】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物を、塩基またはアルキルアルミニウム試薬の存
在下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ） 【化２３】 ［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。 【化２４】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物の製造法 - 【請求項２５】 式（ＩＩ）中、Ｒ22のアミノ基の保護
基がアラルキル基、アルコキシカルボニル基、アラルキ
ルオキシカルボニル基またはアシル基である請求項２４
に記載の製造法 - 【請求項２６】 アラルキル基がベンジル基、α−メチ
ルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニ
トロベンジル基およびパラメトキシベンジル基、アルコ
キシカルボニル基がｔ―ブトキシカルボニル基、メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基および２，２，
２−トリクロロエトキシカルボニル基、アラルキルオキ
シカルボニル基がベンジルオキシカルボニル基、パラメ
トキシベンジルオキシカルボニル基およびパラニトロベ
ンジルオキシカルボニル基、アシル基がホルミル基、ア
セチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチロ
イル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジ
フルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロ
アセチル基、ピバロイル基およびベンゾイル基である請
求項２５に記載の化合物 - 【請求項２７】 式（ＩＩ）中、Ｒ22のアミノ基の保護
基がアルコキシカルボニル基またはアラルキルオキシカ
ルボニル基である請求項２４に記載の製造法 - 【請求項２８】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ22がｔ―ブトキシ
カルボニル基であり、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になって、
ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである化合物
を、塩基の存在下に処理する請求項２４に記載の製造法 - 【請求項２９】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ22がｔ―ブトキシ
カルボニル基であり、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になって、
ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである化合物
を、アルキルアルミニウム試薬の存在下に処理する請求
項２４に記載の製造法 - 【請求項３０】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ22がベンジルオキ
シカルボニル基であり、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になっ
て、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである化合
物を、アルキルアルミニウム試薬の存在下に処理する請
求項２４に記載の製造法 - 【請求項３１】 式（ＩＩ） 【化２５】 ［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキ
ル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4
およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から
６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5
が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒に
なってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよ
い。 【化２６】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物を、加熱下処理することを特徴とする式（ＩＩ
Ｉ） 【化２７】 ［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 および
Ｒ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のア
ルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5が同時
に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になって
ポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。 【化２８】 （式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表され
る化合物の製造法 - 【請求項３２】 式（ＩＩ）中、Ｒ22のアミノ基の保護
基がアラルキル基、アルコキシカルボニル基、アラルキ
ルオキシカルボニル基またはアシル基である請求項３１
に記載の製造法 - 【請求項３３】 アラルキル基がベンジル基、α−メチ
ルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニ
トロベンジル基およびパラメトキシベンジル基、アルコ
キシカルボニル基がｔ―ブトキシカルボニル基、メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基および２，２，
２−トリクロロエトキシカルボニル基、アラルキルオキ
シカルボニル基がベンジルオキシカルボニル基、パラメ
トキシベンジルオキシカルボニル基およびパラニトロベ
ンジルオキシカルボニル基、アシル基がホルミル基、ア
セチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチロ
イル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジ
フルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロ
アセチル基、ピバロイル基およびベンゾイル基である請
求項３２に記載の化合物 - 【請求項３４】 式（ＩＩ）中、Ｒ22のアミノ基の保護
基がアラルキル基である請求項３１に記載の製造法 - 【請求項３５】 Ｒ1 がエチル基、Ｒ22がベンジル基で
あり、Ｒ4 およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエ
チレン鎖を形成したものである請求項３１に記載の製造
法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20621397A JP4181233B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | ピロリジン−２，４−ジオン誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20621397A JP4181233B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | ピロリジン−２，４−ジオン誘導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1149750A true JPH1149750A (ja) | 1999-02-23 |
| JP4181233B2 JP4181233B2 (ja) | 2008-11-12 |
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ID=16519647
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|---|---|---|---|
| JP20621397A Expired - Fee Related JP4181233B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | ピロリジン−２，４−ジオン誘導体の製法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4181233B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002014278A1 (fr) * | 2000-08-08 | 2002-02-21 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Procedes de preparation de composes bicycliques et intermediaires de mise en oeuvre |
| JP2017132793A (ja) * | 2011-08-19 | 2017-08-03 | パセオン オーストリア ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー | Ｒ−ビフェニルアラニノールの合成 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20621397A patent/JP4181233B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002014278A1 (fr) * | 2000-08-08 | 2002-02-21 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Procedes de preparation de composes bicycliques et intermediaires de mise en oeuvre |
| US7074837B2 (en) | 2000-08-08 | 2006-07-11 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Processes for preparation of bicyclic compounds and intermediates therefor |
| CN1293054C (zh) * | 2000-08-08 | 2007-01-03 | 第一制药株式会社 | 双环化合物的制备方法和中间体 |
| JP2017132793A (ja) * | 2011-08-19 | 2017-08-03 | パセオン オーストリア ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー | Ｒ−ビフェニルアラニノールの合成 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071115 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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