JPH114584A

JPH114584A - インバータ装置

Info

Publication number: JPH114584A
Application number: JP9153266A
Authority: JP
Inventors: Keiko Ishizuka; 恵子石塚; Eiji Fukumoto; 英士福本; Akira Mishima; 章三島; Hideki Miyazaki; 英樹宮崎; Shigeru Sugiyama; 繁椙山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-06-11
Filing date: 1997-06-11
Publication date: 1999-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】スイッチング時のサージ電圧を低く抑えて、安
定に動作でき、かつ保守点検が容易であるインバータ装
置を提供する。【解決手段】平板の帯状の導体であるブスバー９〜１４
は、２並列のＩＧＢＴモジュール１〜４と平行に、ダイ
オード５ａ〜８ａおよびダイオード５ｂ〜８ｂの上に設
けられている。ブスバー９〜１４は絶縁板１６を間に積
層されている。ブスバーとＩＧＢＴモジュールまたはダ
イオードの端子とは、ブスバーから枝状に伸びるリード
で接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、インバータ装置に
係り、特にインバータ装置のスイッチング素子を接続す
る低インダクタンス導体板に関する。

【０００２】

【従来の技術】スイッチング素子を接続する低インダク
タンス導体板を、電流の流れる方向が交互になるよう
に、絶縁板を介して積層することによって、スイッチン
グ時のサージ電圧を低く抑えるとともに、スイッチング
素子に安定に電流を流すようにしたインバータ装置の例
が特開平7−46857 号に記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
は、積層された低インダクタンス導体板がインバータ装
置の上面を覆っているので、故障したスイッチング素子
を交換するには低インダクタンス導体板をすべて取り外
さなくてはならず、インバータ装置の保守点検が容易で
はなかった。また、低インダクタンス導体板がインバー
タ装置の上面を広く覆っているので、導体板の端部近く
に電流の経路ができる場合には、電流の経路はスイッチ
ング素子の端子と電源との最短距離よりも非常に長くな
り、スイッチング素子の動作が不安定になる。

【０００４】本発明の目的は、スイッチング時のサージ
電圧を低く抑えて、安定に動作でき、かつ保守点検が容
易であるインバータ装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の特徴は、複数の半導体スイッチング素子が同一平面
で直線上に配置され、配線導体が積層されて、半導体ス
イッチング素子配列と並設され、かつ前記同一平面の垂
直方向から見て前記半導体スイッチング素子配列に沿っ
て横方向に並設されていることにある。この特徴によれ
ば、配線導体が半導体スイッチング素子を覆っていない
ので、ブスバーをすべて取り外さなくてもＩＧＢＴモジ
ュールを交換することができ、インバータ装置の保守点
検が容易である。また、配線導体を半導体スイッチング
素子方向に延びるリードによって半導体スイッチング素
子の端子と接続しても、ＩＧＢＴモジュールとリードと
の接続をはずせばＩＧＢＴモジュールを交換することが
でき、インバータ装置の保守点検が容易である。

【０００６】また、帯状の配線導体、および配線導体と
ＩＧＢＴモジュールの端子とを接続しているリードを用
いれば、電流の経路は配線導体およびリードの幅内にあ
るので、配線導体がインバータ装置の上面を広く覆う場
合よりも電流の経路を短くすることができ、インバータ
装置を安定に動作させることができる。

【０００７】本発明の他の特徴は、積層されて隣接する
配線導体が、それらに流れる電流が逆方向になるように
積層されていることにあり、配線導体の相互インダクタ
ンスを低減し、配線導体全体のインダクタンスを低減す
ることができる。従って、スイッチング時のサージ電圧
を低く抑えることができ、インバータ装置を安定に動作
させることができる。また、配線導体と半導体スイッチ
ング素子とを接続するリードを積層構造にすれば、イン
ダクタンスをより低減することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】

（実施例１）本発明の第１の実施例であるインバータ装
置１００を図１に示す。

【０００９】インバータ装置１００は、スイッチング素
子であるＩＧＢＴモジュールを２並列に用いた単相３レ
ベルインバータ装置である。

【００１０】インバータ装置１００におけるＩＧＢＴモ
ジュール，ダイオードおよびブスバーの配置を図２〜図
６に示す。インバータ装置１００においては、アルミ板
などの放熱板１５上に、ＩＧＢＴモジュール１ａ〜４ａ
の配列およびＩＧＢＴモジュール１ｂ〜４ｂの配列が平
行に設けられており、二つの配列の間に、ダイオード５
ａ〜８ａの配列とダイオード５ｂ〜８ｂの配列が設けて
ある。ＩＧＢＴモジュールと電源（図示せず），負荷
（図示せず）またはダイオードとを接続する平板の帯状
の導体であるＡ１ラインブスバー９，Ａ２ラインブスバ
ー１０(図６参照)，Ｐラインブスバー１１（図５参
照），Ｕラインブスバー１２（図４参照），Ｃラインブ
スバー１３（図３参照），Ｎラインブスバー１４（図２
参照）は、２並列のＩＧＢＴモジュール１ａ〜４ａおよ
びＩＧＢＴモジュール１ｂ〜４ｂと平行に、ダイオード
５ａ〜８ａおよびダイオード５ｂ〜８ｂの上に設けられ
ている。各ブスバーは、図７に示すように絶縁板１６を
間に積層されている。最下層にはスイッチング素子とダ
イオードを接続するＡ１ラインブスバー９，Ａ２ライン
ブスバー１０が設置され、これらの上にＰラインブスバ
ー１１，Ｕラインブスバー１２，Ｃラインブスバー１
３，Ｎラインブスバー１４の順で積層されている。また
最下層にはスイッチング素子とダイオードを接続するＡ
１ラインブスバー９，Ａ２ラインブスバー１０が設置さ
れている。

【００１１】絶縁板１６は、例えばエポキシ樹脂などで
ある。ここでこの絶縁板１６は可能な限り厚みを小さく
し、ブスバー間の距離を近づける。ブスバーとＩＧＢＴ
モジュールまたはダイオードの端子とは、ブスバーから
枝状に伸びるリード１８で接続される。

【００１２】図８にインバータ装置１００の回路を示
す。Ａ１ライン１９（Ａ１ラインブスバー９）はＩＧＢ
Ｔモジュール１ａ，１ｂのエミッタＥ、ＩＧＢＴモジュ
ール２ａ，２ｂのコレクタＣ及びダイオード５ａ，５
ｂ，６ａ，６ｂのコレクタＣを、Ａ２ライン２０（Ａ２
ラインブスバー１０）はＩＧＢＴモジュール３ａ，３ｂ
のエミッタＥ、ＩＧＢＴモジュール４ａ，４ｂのコレク
タＣ及びダイオード７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂのエミッタ
Ｅを接続している。Ｐライン２１（Ｐラインブスバー１
１）はＩＧＢＴモジュール２ａ，２ｂのエミッタＥ及び
ＩＧＢＴモジュール３ａ，３ｂのコレクタＣを、Ｕライ
ン２２(Ｕラインブスバー１２)はＩＧＢＴモジュール１
ａ，１ｂのコレクタＣを、Ｃライン２３（Ｃラインブス
バー１３）はダイオード５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂのエミ
ッタＥ及びダイオード７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂのコレク
タＣを、Ｎライン２４（Ｎラインブスバー１４）はＩＧ
ＢＴモジュール４ａ，４ｂのエミッタＥを接続してお
り、Ｕライン２０は負荷へ、Ｐライン２１，Ｃライン２
３及びＮライン２４はいずれも電源部へ接続している。
インバータ装置１００のスイッチング時の電流経路を一
相分について図９に示す。図中の矢印は電流経路と方向
を示す。スイッチングモードは（ａ)〜(ｄ）の４パター
ンある。スイッチングモード（ａ）はＩＧＢＴモジュー
ル１ａ，１ｂおよびＩＧＢＴモジュール２ａ，２ｂがＯ
Ｎのときの電流経路であり、Ｐラインブスバー１１の電
流方向に対して、Ａ１ラインブスバー９およびＵライン
ブスバー１２の電流方向は逆である。スイッチングモー
ド（ｂ）はＩＧＢＴモジュール２ａ，２ｂがＯＮのとき
の電流経路であり、Ｃラインブスバー１３の電流方向に
対して、Ａ１ラインブスバー９およびＵラインブスバー
１２の電流方向は逆である。スイッチングモード（ｃ）
はＩＧＢＴモジュール３ａ，３ｂがＯＮのときの電流経
路であり、Ｕラインブスバー１２の電流方向に対して、
Ａ２ラインブスバー１０およびＣラインブスバー１３の
電流方向は逆である。スイッチングモード（ｄ）はＩＧ
ＢＴモジュール３ａ，３ｂおよびＩＧＢＴモジュール４
ａ，４ｂがＯＮのときの電流経路であり、Ｕラインブス
バー１２の電流方向に対してＡ２ラインブスバー１０と
Ｎラインブスバー１４の電流方向は逆である。

【００１３】積層されているブスバーに互いに逆向きの
電流（往復電流）が流れるときのインダクタンスが低減
される原理を説明する。

【００１４】配線に用いられる板状導体であるブスバー
の自己インダクタンスは、導体の断面を一様の電流が流
れている場合、

【００１５】

【数１】

【００１６】（ただし、μ₀：真空透磁率，ｌ：導体の
長さ，ａ：導体の幅，ｂ：導体の厚さ)の式で表わされ
る。幅ａを大きくするほどブスバーの自己インダクタン
スを低減できる。また二つのブスバーが間隔ｄで平行に
位置する場合、その間に働く相互インダクタンスは、二
つの導体間の幾何学的平均距離をＤとすると、

【００１７】

【数２】

【００１８】で表わされ、Ｍは距離Ｄが小さい程大きい
値をとる。ここでこの相互インダクタンスの符号は二つ
の配線導体間に逆の方向に往復の電流が流れる場合には
負の値をとる。そしてこの場合、二つのブスバー間の全
体のインダクタンスＬtot は、

【００１９】

【数３】Ｌtot ＝Ｌ₁＋Ｌ₂＋２Ｍ₁₂…（数３）（ただし、Ｌ₁：一つのブスバーの自己インダクタン
ス，Ｌ₂：もう一つのブスバーの自己インダクタンス、
Ｍ₁₂：二つのブスバーの相互インダクタンス）で表わさ
れ、各配線の自己インダクタンスとその間に働く相互イ
ンダクタンスの総和によって求められる。

【００２０】図１０に示すような帯状のブスバーに往復
する電流が流れる場合、インダクタンスＬtot は、

【００２１】

【数４】Ｌtot ＝２(Ｌ＋Ｍ） …（数４）（ただし、Ｌ：一つのブスバーの自己インダクタンス、
Ｍ：二つのブスバーの相互インダクタンス）で表わされ
る。Ｍは二つのブスバーに往復電流（互いに逆向きの電
流）が流れるとき負の値となる。

【００２２】図１１はブスバー間の距離Ｄに対するイン
ダクタンスＬtot の変化を示す図である。自己インダク
タンスＬはブスバーの形状によって決定されるので、距
離Ｄが変化しても自己インダクタンスＬは一定である。
ブスバーを近接させることによって相互インダクタンス
Ｍの絶対値は大きくなり、往復電流の場合では負の値を
とるので、インダクタンスＬtot は低減する。

【００２３】インバータ装置１００においては、図７お
よび図９に示すように、Ｐラインブスバー１１にＡ１ラ
インブスバー９およびＵラインブスバー１２が隣接して
いるので、スイッチングモード（ａ）のときのインダク
タンスを低減でき、Ｕラインブスバー１２とＣラインブ
スバー１３とが隣接しているのでスイッチングモード
（ｂ）および（ｃ）のときのインダクタンスを低減でき
る。スイッチングモード（ｄ）のときは往復電流が流れ
る隣接するブスバーの組合わせはないが、電流が流れる
ブスバーと流れないブスバーとが交互に積層されている
から、同じ向きの電流が流れるブスバーを隣接させてい
るインバータ装置やブスバーを積層しないインバータ装
置に比べてインダクタンスを低減できる。

【００２４】また、各ブスバーをインバータ装置１００
(図７参照)のように積層する以外に、図１２に示すイン
バータ装置１０１または図１３に示すインバータ装置１
０２のように積層しても良い。インバータ装置１０１
は、Ｎラインブスバー１４，Ｃラインブスバー１３，Ｕ
ラインブスバー１２及びＰラインブスバー１１をインバ
ータ装置１００と逆に積層した場合であり、インバータ
装置１０２は、Ｃラインブスバー１３とＵラインブスバ
ー１２の順序をインバータ装置１００と逆にした場合で
ある。

【００２５】インバータ装置１００，インバータ装置１
０１及びブスバーを積層しないインバータ装置Ａについ
て、スイッチングモード（ａ)〜(ｄ)(図９参照）におけ
る、それぞれのブスバー全体のインダクタンスを比較し
た結果を図１４に示す。

【００２６】全てのスイッチングモードにおいて、ブス
バーを積層構造にしたインバータ装置１００及びインバ
ータ装置１０１は、ブスバーを積層しないインバータ装
置Ａに比べてインダクタンスを低減することができた。
スイッチングモード（ａ）〜（ｃ）においては、インバ
ータ装置１００のインダクタンスはインバータ装置１０
１よりもかなり低く、全体としてインバータ装置１００
が最もインダクタンスを低減できた。

【００２７】インバータ装置１０２は、Ｃラインブスバ
ー１３とＵラインブスバー１２に往復電流がながれるス
イッチングモード（ｂ)〜(ｃ）でインダクタンスを低減
できる。さらに、スイッチングモード（ａ）からスイッ
チングモード（ｂ）へ変化する際（ＩＧＢＴモジュール
１ａ，１ｂがオフ）には、図１５に示すような経路の過
渡的な電流が流れる。このとき、隣接するＰラインブス
バー１１とＣラインブスバー１３には往復電流がながれ
るので、インダクタンスを低減できる。スイッチングモ
ードが変化する際にながれる過渡電流が問題となる場合
は、インバータ装置１０２のように過渡電流に着目して
ブスバーの積層順序を変えてもよい。

【００２８】また、インバータ装置１００，インバータ
装置１０２は、最も長いＰラインブスバー１１を最下層
に、Ｎラインブスバー１４を最上層に配置しているか
ら、ブスバーに要する空間体積が最小に抑えることがで
きる。

【００２９】本実施例のインバータ装置によれば、ブス
バーが２並列のＩＧＢＴモジュール１〜４と平行に、ダ
イオード５ａ〜８ａおよびダイオード５ｂ〜８ｂの上に
設けられ、ブスバーから枝状に伸びるリード１８がブス
バーとＩＧＢＴモジュールまたはダイオードの端子とを
接続するので、従来のようにブスバーをすべて取り外さ
なくても、ＩＧＢＴモジュールとリード１８との接続を
はずせばＩＧＢＴモジュールを交換することができ、イ
ンバータ装置の保守点検が容易である。

【００３０】本実施例のインバータ装置によれば、帯状
の各ブスバーを電流の向きが互いに逆になるように配置
して積層しているので、インダクタンスを低減すること
ができる。従って、スイッチング時のサージ電圧を低く
抑えことができ、安定に動作することができる。

【００３１】また、本実施例のインバータ装置は、帯状
のブスバーを用い、ブスバーから枝状に伸びるリード１
８でブスバーとＩＧＢＴモジュールまたはダイオードの
端子とを接続しているので、電流の経路は配線導体およ
びリードの幅内にあり、従来のように配線導体がインバ
ータ装置の上面を広く覆っている場合よりも、電流の経
路を短くすることができる。従って、インバータ装置を
安定に動作させることができる。

【００３２】（実施例２）本発明の第２の実施例である
ブスバーとＩＧＢＴモジュールとの接続の仕方を説明す
る。

【００３３】本実施例のブスバーとＩＧＢＴモジュール
との接続部を図１６に示す。ブスバーとＩＧＢＴモジュ
ールとは、ブスバーから枝状に伸びる幅広のリードで接
続される。

【００３４】図１６は、Ｐラインブスバー１１およびＡ
１ラインブスバー９のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂと
の接続部である。Ｐラインブスバー１１はリード２１１
ａ，２１１ｂでＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂのコレク
タＣと接続され、Ａ１ラインブスバー９はリード２０９
ａ，２０９ｂで、ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂのエミ
ッタＥと接続されている。リード２１１とリード２０９
は平行でかつ近接させて配置されている。

【００３５】第１の実施例でブスバーのインダクタンス
について述べたように、ブスバーと同様にリードについ
ても、幅を広くし、互いに逆向きの電流が流れるリード
と近接させることによってインダクタンスを低減するこ
とができる。

【００３６】従って、第１の実施例のインバータ装置
で、リードの幅を広くし、互いに逆向きの電流が流れる
リードを近接させれば、よりインダクタンスを低減する
ことができる。

【００３７】また、ブスバーの左右のリードの長さを同
じにすれば、ブスバーからリードを経てＩＧＢＴモジュ
ールに流れる電流のバランスがよくなるので、高周波数
スイッチングにおいても、インバータ装置を安定に動作
させることができる。

【００３８】また、第１の実施例では、すべてのＩＧＢ
Ｔモジュールおよびダイオードについて、エミッタ端子
およびコレクタ端子の位置が同じものを用いたが、図１
７に示すように、エミッタ端子およびコレクタ端子の位
置が、ブスバーを挟んで対称になるＩＧＢＴモジュール
およびダイオードを用いても良い。この場合はブスバー
とリード１８が左右対称となり、左右の並列のＩＧＢＴ
モジュールの電流の経路が対称形になって、並列のＩＧ
ＢＴモジュールの動作が同じになるので、インバータ装
置をより安定に動作させることができる。

【００３９】（実施例３）本発明の第３の実施例である
インバータユニット３００を図１８を用いて説明する。
インバータユニット３００は、第１の実施例で説明した
インバータ装置１００を容器３０１に収め、各ブスバー
の電源または負荷方向の端部３０２を容器３０１の外に
出したものである。多くのインバータ装置を用いる電力
機器にインバータユニット３００を用いれば、インバー
タ装置に故障が発生した場合に、故障したインバータユ
ニットを取り替えれば、電力機器を早く復旧させること
ができる。

【００４０】（実施例４）本発明の第４の実施例である
インバータ装置４００を説明する。

【００４１】インバータ装置４００は、ＩＧＢＴモジュ
ールを２並列に用いた単相２レベルインバータ装置であ
る。インバータ装置４００は、アルミ板などの放熱板１
５上に設けられたＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，４
ａ，４ｂの四つのＩＧＢＴモジュールと、帯状のＰライ
ンブスバー４１，Ｕラインブスバー４２及びＮラインブ
スバー４４を有する。

【００４２】インバータ装置４００の回路を図１９に示
す。Ｐライン５１（Ｐラインブスバー４１）はＩＧＢＴ
モジュール１ａ，１ｂのコレクタＣを、Ｕライン５２
（Ｕラインブスバー４２）はＩＧＢＴモジュール１ａ，
１ｂのエミッタＥとＩＧＢＴモジュール４ａ，４ｂのコ
レクタＣを、Ｎライン５４（Ｎラインブスバー４４）は
ＩＧＢＴモジュール４ａ，４ｂのエミッタＥをリード１
８で接続しており、Ｕライン２２は負荷へ、Ｐライン２
１及びＮライン２４はいずれも電源部へ接続している。
ＩＧＢＴモジュールと各ブスバーとの接続を図２０に示
す。

【００４３】インバータ装置４００は、図２１に示すよ
うに、Ｐラインブスバー４１を最下層に、Ｕラインブス
バー４２を中間層に、Ｎラインブスバー４４を最上層に
し、絶縁板１６を間にして積層している。

【００４４】インバータ装置４００は、第１の実施例の
インバータ装置と同様に、ＩＧＢＴモジュールとリード
１８との接続をはずせば、ＩＧＢＴモジュールを交換す
ることができるので、インバータ装置の保守点検が容易
である。また、帯状の各ブスバーを電流の向きが互いに
逆になるように配置して積層しているので、インダクタ
ンスを低減することができる。従って、スイッチング時
のサージ電圧を低く抑えることができ、安定に動作する
ことができる。また、帯状のブスバーを用い、ブスバー
から枝状に伸びるリード１８でブスバーとＩＧＢＴモジ
ュールまたはダイオードの端子とを接続しているので、
インバータ装置１００の場合と同様に、電流の経路は配
線導体およびリードの幅内にあり、従来のように配線導
体がインバータ装置の上面を広く覆っている場合より
も、電流の経路を短くすることができる。従って、イン
バータ装置を安定に動作させることができる。

【００４５】

【発明の効果】本発明の特徴によれば、配線導体が積層
されて、半導体スイッチング素子配列と並設され、かつ
前記同一平面の垂直方向から見て前記半導体スイッチン
グ素子配列に沿って横方向に並設されているので、ブス
バーをすべて取り外さなくてもＩＧＢＴモジュールを交
換することができ、インバータ装置の保守点検が容易で
ある。また、配線導体をリードによって半導体スイッチ
ング素子の端子と接続しても、ＩＧＢＴモジュールとリ
ードとの接続をはずせばＩＧＢＴモジュールを交換する
ことができ、インバータ装置の保守点検が容易である。

【００４６】また、帯状の配線導体、および配線導体と
ＩＧＢＴモジュールの端子とを接続しているリードを用
いれば、電流の経路は配線導体およびリードの幅内にあ
るので、電流の経路を短くすることができ、インバータ
装置を安定に動作させることができる。

【００４７】本発明の他の特徴によれば、積層されて隣
接する配線導体が、それらに流れる電流が逆方向になる
ように積層されて配線導体全体のインダクタンスを低減
することができるので、スイッチング時のサージ電圧を
低く抑えることができ、インバータ装置を安定に動作さ
せることができる。また、配線導体と半導体スイッチン
グ素子とを接続するリードを積層構造にすれば、インダ
クタンスをより低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例であるインバータ装置１
００の全体を示す図である。

【図２】インバータ装置１００のＩＧＢＴモジュール，
ダイオードおよびＮラインブスバー１４の配置を示す図
である。

【図３】インバータ装置１００のＩＧＢＴモジュール，
ダイオードおよびＣラインブスバー１３の配置を示す図
である。

【図４】インバータ装置１００のＩＧＢＴモジュール，
ダイオードおよびＵラインブスバー１２の配置を示す図
である。

【図５】インバータ装置１００のＩＧＢＴモジュール，
ダイオードおよびＰラインブスバー１１の配置を示す図
である。

【図６】インバータ装置１００のＩＧＢＴモジュール，
ダイオード，Ａ１ラインブスバー９およびＡ２ラインブ
スバー１０の配置を示す図である。第１の実施例のイン
バータ装置のスイッチング動作時の電流経路を示す図で
ある。

【図７】インバータ装置１００の積層配置を示す図であ
る。

【図８】インバータ装置１００の回路図である。

【図９】インバータ装置１００のスイッチンング時の電
流経路を示す回路図である。

【図１０】平行に配置された帯状のブスバーを示す図で
ある。

【図１１】ブスバー間の距離Ｄに対するインダクタンス
Ｌtot の変化を示す図である。

【図１２】他のインバータ装置１０１のブスバーの積層
順を示す図である。

【図１３】他のインバータ装置１０２のブスバーの積層
順を示す図である。

【図１４】インバータ装置１００，インバータ装置１０
１及びインバータ装置Ａのブスバー全体のインダクタン
スを示す図である。

【図１５】過渡的な電流が流れる経路を示す回路図であ
る。

【図１６】積層されたリードを示す図である。

【図１７】端子の位置がブスバーを挟んで対称なＩＧＢ
Ｔモジュールを用いた場合のＵラインブスバー１２を示
す図である。

【図１８】本発明の第３の実施例であるインバータユニ
ット３００を示す図である。

【図１９】本発明の第４の実施例であるインバータ装置
４００の回路図である。

【図２０】インバータ装置４００のＩＧＢＴモジュール
と各ブスバーとの接続を示す図である。

【図２１】インバータ装置４００の積層配置を示す図で
ある。

【符号の説明】

１ａ〜４ａ，１ｂ〜４ｂ…ＩＧＢＴモジュール、５ａ〜
８ａ，５ｂ〜８ｂ…ダイオード、９…Ａ１ラインブスバ
ー、１０…Ａ２ラインブスバー、１１，４１…Ｐライン
ブスバー、１２，４２…Ｕラインブスバー、１３…Ｃラ
インブスバー、１４，４４…Ｎラインブスバー、１５…
放熱板、１６…絶縁板、１８…リード、１９…Ａ１ライ
ン、２０…Ａ２ライン、２１，５１…Ｐライン、２２，
５２…Ｕライン、２３…Ｃライン、２４，５４…Ｎライ
ン、２０９，２０９ａ，２０９ｂ，２１１，２１１ａ，
２１１ｂ…リード、３００…インバータユニット、３０
１…容器、３０２…端部、４００…インバータ装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮崎英樹茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者椙山繁茨城県日立市大みか町五丁目２番１号株式会社日立製作所大みか工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の半導体スイッチング素子と、前記半
導体スイッチング素子の正極と電源正極とを接続する帯
状の配線導体と、前記半導体スイッチング素子の負極と
電源負極とを接続する帯状の配線導体とを備えたインバ
ータ装置において、前記複数の半導体スイッチング素子を同一平面で直線上
に配置し、前記配線導体を積層して、積層構造の前記配
線導体を前記半導体スイッチング素子配列と並設し、か
つ前記同一平面の垂直方向から見て前記半導体スイッチ
ング素子配列に沿って横方向に並設していることを特徴
とするインバータ装置。
【請求項２】積層されて隣接する前記配線導体は、それ
らに流れる電流が互いに逆方向になるように積層された
ことを特徴とする請求項１のインバータ装置。
【請求項３】前記配線導体は、前記半導体スイッチング
素子方向に延びて前記半導体スイッチング素子の端子と
接続するリードを有することを特徴とする請求項１のイ
ンバータ装置。
【請求項４】前記リードは積層されることを特徴とする
請求項３のインバータ装置。
【請求項５】複数の半導体スイッチング素子と、前記半
導体スイッチング素子の正極と電源正極とを接続する帯
状の配線導体と、前記半導体スイッチング素子の負極と
電源負極とを接続する帯状の配線導体とを備えたインバ
ータ装置において、前記複数の半導体スイッチング素子を同一平面で直線上
に配置し、前記配線導体は、少なくとも帯状のブスバー
と、このブスバーと一体とされて前記半導体スイッチン
グ素子方向に延びて前記半導体スイッチング素子の端子
と接続する帯状のリードからなり、隣接するブスバー
は、そこに流れる電流を逆方向としてペアとされ、少なくとも１のペアは、電源側で積層されていることを
特徴とするインバータ装置。