JPH113885A - Ｃｖｄ反応のモニター方法 - Google Patents
Ｃｖｄ反応のモニター方法Info
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- JPH113885A JPH113885A JP9155493A JP15549397A JPH113885A JP H113885 A JPH113885 A JP H113885A JP 9155493 A JP9155493 A JP 9155493A JP 15549397 A JP15549397 A JP 15549397A JP H113885 A JPH113885 A JP H113885A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ反応条件の変動による下地依存性の変
動を把握し、歩留まり、信頼性の低下を抑止できるＣＶ
Ｄ反応のモニター方法の提供。 【解決手段】 （i ）第１ウエハー上に、一定反応条件
のＣＶＤ反応により絶縁膜を形成し、厚さを測定するス
テップと、（ii）前記第１ウエハーと異なる表面材質を
有する第２ウエハー上に、前記（i ）ステップと同一の
ＣＶＤ反応条件および原料で絶縁膜を形成し、厚さを測
定するステップと、（iii ）前記第１および第２ウエハ
ー上の絶縁膜の膜厚比を算出するステップと、（iv）Ｃ
ＶＤ反応条件が変更された場合、その条件で前記（i ）
〜（iii ）のステップを繰り返し、得られた第１および
第２ウエハー上の絶縁膜の膜厚比が、（iii ）ステップ
で算出された比と実質上同じである場合に、下地依存性
なくＣＶＤ反応が行われていると決定するステップと、
を少なくとも有する方法。
動を把握し、歩留まり、信頼性の低下を抑止できるＣＶ
Ｄ反応のモニター方法の提供。 【解決手段】 （i ）第１ウエハー上に、一定反応条件
のＣＶＤ反応により絶縁膜を形成し、厚さを測定するス
テップと、（ii）前記第１ウエハーと異なる表面材質を
有する第２ウエハー上に、前記（i ）ステップと同一の
ＣＶＤ反応条件および原料で絶縁膜を形成し、厚さを測
定するステップと、（iii ）前記第１および第２ウエハ
ー上の絶縁膜の膜厚比を算出するステップと、（iv）Ｃ
ＶＤ反応条件が変更された場合、その条件で前記（i ）
〜（iii ）のステップを繰り返し、得られた第１および
第２ウエハー上の絶縁膜の膜厚比が、（iii ）ステップ
で算出された比と実質上同じである場合に、下地依存性
なくＣＶＤ反応が行われていると決定するステップと、
を少なくとも有する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
分野におけるＣＶＤ反応のモニター方法に関するもので
あり、詳しくは、ＣＶＤ反応条件が変更された場合、下
地依存性なくＣＶＤ反応が行われているかどうかを決定
するＣＶＤ反応のモニター方法に関するものである。こ
の本発明の方法は、とくにテトラエトキシシランＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 およびオゾンＯ3 を用いるＣＶＤ反応
により絶縁膜を形成する技術（Ｏ3 −ＴＥＯＳＣＶＤ
法）に良好に適用することができる。
分野におけるＣＶＤ反応のモニター方法に関するもので
あり、詳しくは、ＣＶＤ反応条件が変更された場合、下
地依存性なくＣＶＤ反応が行われているかどうかを決定
するＣＶＤ反応のモニター方法に関するものである。こ
の本発明の方法は、とくにテトラエトキシシランＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 およびオゾンＯ3 を用いるＣＶＤ反応
により絶縁膜を形成する技術（Ｏ3 −ＴＥＯＳＣＶＤ
法）に良好に適用することができる。
【０００２】
【従来の技術】近年のデバイスの高集積化によって、素
子の表面段差はますます高アスペクト化および複雑化し
てきている。このようなデバイス構造の複雑化により、
ウエハー上の表面段差を絶縁膜で埋込み、良好に平坦化
する技術が厳しく求められてきている。そこでこの課題
を解決すべく、ＳＯＧ（Spin on Glass ）法やＯ3 −Ｔ
ＥＯＳＣＶＤ法等の種々の技術が提案され、また実用化
されてきている。しかしながらＳＯＧ法はウエハー上の
配線パターン面積により、堆積するＳＯＧ膜厚が大きく
変化し絶対段差を発生するために、平坦化の阻害要因と
なっている（１９９４年６月７−８日、VMIC Conferenc
e 1994 ISMIC - 103/94/137 ）。
子の表面段差はますます高アスペクト化および複雑化し
てきている。このようなデバイス構造の複雑化により、
ウエハー上の表面段差を絶縁膜で埋込み、良好に平坦化
する技術が厳しく求められてきている。そこでこの課題
を解決すべく、ＳＯＧ（Spin on Glass ）法やＯ3 −Ｔ
ＥＯＳＣＶＤ法等の種々の技術が提案され、また実用化
されてきている。しかしながらＳＯＧ法はウエハー上の
配線パターン面積により、堆積するＳＯＧ膜厚が大きく
変化し絶対段差を発生するために、平坦化の阻害要因と
なっている（１９９４年６月７−８日、VMIC Conferenc
e 1994 ISMIC - 103/94/137 ）。
【０００３】０3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ法は、Ｏ3 が分解
して発生する酸素ラジカルにより、テトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）が分解し、ウエハー上で高分子量重合体
を形成し、この重合体の表面高流動性を利用してＡｌ配
線間などのスペース部を良好に埋め、優れた平坦化をも
たらすものである。ところが、０3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ
法は、下地（ウエハーの表面）の影響を強く受ける、す
なわち強い下地依存性を有するという問題点がある。具
体的には、例えばＴＥＯＳ−Ｏ2 プラズマシリコン酸化
膜や熱酸化シリコン酸化膜のような親水性表面への重合
体の成長膜厚は、他のものに比べ低下することが知られ
ている（月刊Semiconductor World 1992.1、p.140 〜15
3 ）。このような下地依存性が生じると、デバイス上の
Ａｌ層間膜厚の変動等が生じてリソグラフィ焦点深度確
保が困難となったり、配線コンタクトホール深さにバラ
ツキが生じることにより電気的導通が取れなくなるなど
歩留まり低下の問題が生じる。この問題に対しては、Ｃ
ＶＤ反応の前に下地依存性を低減させるために下地表面
に対してプラズマ処理やエタノール塗布等の前処理が行
われている（月刊Semiconductor World 1992.1、p.140
〜153 ）。
して発生する酸素ラジカルにより、テトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）が分解し、ウエハー上で高分子量重合体
を形成し、この重合体の表面高流動性を利用してＡｌ配
線間などのスペース部を良好に埋め、優れた平坦化をも
たらすものである。ところが、０3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ
法は、下地（ウエハーの表面）の影響を強く受ける、す
なわち強い下地依存性を有するという問題点がある。具
体的には、例えばＴＥＯＳ−Ｏ2 プラズマシリコン酸化
膜や熱酸化シリコン酸化膜のような親水性表面への重合
体の成長膜厚は、他のものに比べ低下することが知られ
ている（月刊Semiconductor World 1992.1、p.140 〜15
3 ）。このような下地依存性が生じると、デバイス上の
Ａｌ層間膜厚の変動等が生じてリソグラフィ焦点深度確
保が困難となったり、配線コンタクトホール深さにバラ
ツキが生じることにより電気的導通が取れなくなるなど
歩留まり低下の問題が生じる。この問題に対しては、Ｃ
ＶＤ反応の前に下地依存性を低減させるために下地表面
に対してプラズマ処理やエタノール塗布等の前処理が行
われている（月刊Semiconductor World 1992.1、p.140
〜153 ）。
【０００４】しかしながら、下地依存性は下地の表面材
質もさることながら、ＣＶＤ反応条件の変動に対しても
影響を受け、たとえ前記のような下地表面への前処理を
行ったとしても、歩留まり低下等の問題が依然として生
じるという欠点がある。ＣＶＤ反応条件としては、０3
−ＴＥＯＳ ＣＶＤ法を例にした場合、Ｏ3 ／ＴＥＯＳ
ガス流量比、成膜温度、圧力、ガスノズルからウエハー
表面までの距離等の各種要因が挙げられ、中でもＯ3 ／
ＴＥＯＳガス流量比は、下地依存性の大きなパラメータ
ーである。すなわちＯ3 ／ＴＥＯＳガス流量比が変更さ
れた場合、重合体の堆積量や重合体の物性も変動してし
まう結果、絶縁膜の膜厚、被膜形状、膜応力、膜収縮
率、耐クラック性に影響を与える（月刊Semiconductor
World 1992.1、p.140 〜153）。したがってＣＶＤ装置
管理上注意を払う必要があるが、従来技術では、ＣＶＤ
反応条件の変動への対策としてはもっぱら下地依存性の
ないＢａｒｅ−Ｓｉ上に成膜する膜厚をモニターするこ
とだけであり、下地依存性に基づくＣＶＤ反応のモニタ
ーは全く行われていなかった。
質もさることながら、ＣＶＤ反応条件の変動に対しても
影響を受け、たとえ前記のような下地表面への前処理を
行ったとしても、歩留まり低下等の問題が依然として生
じるという欠点がある。ＣＶＤ反応条件としては、０3
−ＴＥＯＳ ＣＶＤ法を例にした場合、Ｏ3 ／ＴＥＯＳ
ガス流量比、成膜温度、圧力、ガスノズルからウエハー
表面までの距離等の各種要因が挙げられ、中でもＯ3 ／
ＴＥＯＳガス流量比は、下地依存性の大きなパラメータ
ーである。すなわちＯ3 ／ＴＥＯＳガス流量比が変更さ
れた場合、重合体の堆積量や重合体の物性も変動してし
まう結果、絶縁膜の膜厚、被膜形状、膜応力、膜収縮
率、耐クラック性に影響を与える（月刊Semiconductor
World 1992.1、p.140 〜153）。したがってＣＶＤ装置
管理上注意を払う必要があるが、従来技術では、ＣＶＤ
反応条件の変動への対策としてはもっぱら下地依存性の
ないＢａｒｅ−Ｓｉ上に成膜する膜厚をモニターするこ
とだけであり、下地依存性に基づくＣＶＤ反応のモニタ
ーは全く行われていなかった。
【０００５】したがって従来技術においては、デバイス
の工業的生産によりＣＶＤ反応条件が意識的に、あるい
は偶発的に変更された場合、その変更反応条件に対する
下地依存性の変動を測定する手法が存在しなかったた
め、絶縁膜の被膜形状、耐クラック性が不安定となり、
歩留まり、信頼性の低下を発生させる危険性が極めて高
いものであった。本発明は上記のような従来の課題を解
決し、ＣＶＤ反応条件の変動による下地依存性の変動を
把握し、絶縁膜の被膜形状、膜応力、膜収縮率、耐クラ
ック性をコントロールすることにより、歩留まり、信頼
性の低下を抑止できるＣＶＤ反応のモニター方法を提供
することを目的とする。
の工業的生産によりＣＶＤ反応条件が意識的に、あるい
は偶発的に変更された場合、その変更反応条件に対する
下地依存性の変動を測定する手法が存在しなかったた
め、絶縁膜の被膜形状、耐クラック性が不安定となり、
歩留まり、信頼性の低下を発生させる危険性が極めて高
いものであった。本発明は上記のような従来の課題を解
決し、ＣＶＤ反応条件の変動による下地依存性の変動を
把握し、絶縁膜の被膜形状、膜応力、膜収縮率、耐クラ
ック性をコントロールすることにより、歩留まり、信頼
性の低下を抑止できるＣＶＤ反応のモニター方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することが
できた。すなわち本発明は、（i ）第１ウエハー上に、
一定反応条件のＣＶＤ反応により絶縁膜を形成し、その
厚さを測定するステップと、（ii）前記第１ウエハーと
異なる表面材質を有する第２ウエハー上に、前記（i ）
ステップと同一のＣＶＤ反応条件および原料で絶縁膜を
形成し、その厚さを測定するステップと、（iii ）前記
第１ウエハー上の絶縁膜の膜厚と、前記第２ウエハー上
の絶縁膜の膜厚との比を算出するステップと、（iv）Ｃ
ＶＤ反応条件が変更された場合、その変更反応条件で前
記（i ）〜（iii ）のステップを再度繰り返し、得られ
た第１ウエハー上の絶縁膜の膜厚と第２ウエハー上の絶
縁膜の膜厚との比が、前記（iii ）ステップで算出され
た比と実質上同じである場合に、下地依存性なくＣＶＤ
反応が行われていると決定するステップと、を少なくと
も有することを特徴とするＣＶＤ反応のモニター方法を
提供するものである。また本発明は、絶縁膜が、テトラ
エトキシシランＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 およびオゾンＯ3
を用いるＣＶＤ反応により形成される前記のＣＶＤ反応
のモニター方法を提供するものである。
重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することが
できた。すなわち本発明は、（i ）第１ウエハー上に、
一定反応条件のＣＶＤ反応により絶縁膜を形成し、その
厚さを測定するステップと、（ii）前記第１ウエハーと
異なる表面材質を有する第２ウエハー上に、前記（i ）
ステップと同一のＣＶＤ反応条件および原料で絶縁膜を
形成し、その厚さを測定するステップと、（iii ）前記
第１ウエハー上の絶縁膜の膜厚と、前記第２ウエハー上
の絶縁膜の膜厚との比を算出するステップと、（iv）Ｃ
ＶＤ反応条件が変更された場合、その変更反応条件で前
記（i ）〜（iii ）のステップを再度繰り返し、得られ
た第１ウエハー上の絶縁膜の膜厚と第２ウエハー上の絶
縁膜の膜厚との比が、前記（iii ）ステップで算出され
た比と実質上同じである場合に、下地依存性なくＣＶＤ
反応が行われていると決定するステップと、を少なくと
も有することを特徴とするＣＶＤ反応のモニター方法を
提供するものである。また本発明は、絶縁膜が、テトラ
エトキシシランＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 およびオゾンＯ3
を用いるＣＶＤ反応により形成される前記のＣＶＤ反応
のモニター方法を提供するものである。
【０００７】
【作用】本発明は、ＣＶＤ反応条件が変更された際に、
ＣＶＤ反応が下地に依存するかどうかをモニターする方
法に関し、異なる表面材質を有する複数のウエハーで膜
厚モニターを行い、その成長膜厚比を管理することがポ
イントである。本発明のＣＶＤ反応のモニター方法は、
下地依存性が予想されるＣＶＤ反応ならばいずれも適用
することができるが、絶縁膜が、テトラエトキシシラン
Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 およびオゾンＯ3 を用いるＣＶＤ
反応により形成される場合にとくに好ましく適用され
る。また、本発明のＣＶＤ反応のモニター方法は、第１
および第２ウエハーの２種類だけを用いることに制限さ
れず、例えば第３、第４のウエハーを使用して、ＣＶＤ
反応のモニターの精度を高めることもでき、これも本発
明の範囲内である。なお、本発明でいう“実質上同じ膜
厚比”とは、ＣＶＤ反応条件、所望の膜厚、目的とする
信頼性の度合い等によって、適宜判断すればよいが、例
えば±１〜１０％程度である。従来は、もっぱら下地依
存性がほとんどないＢａｒｅ−Ｓｉ上に成膜する膜厚の
モニターしか行われておらず、先述の下地依存性のモニ
ターが行われていなかったが、本発明のＣＶＤ反応のモ
ニター方法により、ＣＶＤ反応条件が変動した場合にＣ
ＶＤ反応の下地への依存性を把握することができ、歩留
まり、信頼性の向上等が得られるようになった。
ＣＶＤ反応が下地に依存するかどうかをモニターする方
法に関し、異なる表面材質を有する複数のウエハーで膜
厚モニターを行い、その成長膜厚比を管理することがポ
イントである。本発明のＣＶＤ反応のモニター方法は、
下地依存性が予想されるＣＶＤ反応ならばいずれも適用
することができるが、絶縁膜が、テトラエトキシシラン
Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 およびオゾンＯ3 を用いるＣＶＤ
反応により形成される場合にとくに好ましく適用され
る。また、本発明のＣＶＤ反応のモニター方法は、第１
および第２ウエハーの２種類だけを用いることに制限さ
れず、例えば第３、第４のウエハーを使用して、ＣＶＤ
反応のモニターの精度を高めることもでき、これも本発
明の範囲内である。なお、本発明でいう“実質上同じ膜
厚比”とは、ＣＶＤ反応条件、所望の膜厚、目的とする
信頼性の度合い等によって、適宜判断すればよいが、例
えば±１〜１０％程度である。従来は、もっぱら下地依
存性がほとんどないＢａｒｅ−Ｓｉ上に成膜する膜厚の
モニターしか行われておらず、先述の下地依存性のモニ
ターが行われていなかったが、本発明のＣＶＤ反応のモ
ニター方法により、ＣＶＤ反応条件が変動した場合にＣ
ＶＤ反応の下地への依存性を把握することができ、歩留
まり、信頼性の向上等が得られるようになった。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明す
る。 （実施例１）第１ウエハーとしてＢａｒｅ−Ｓｉ、第２
ウエハーとしてＰ−ＴＥＯＳ膜付のウエハーを用いた場
合の本発明の一実施態様を説明する。図１は、Ｂａｒｅ
−Ｓｉ上とＰ−ＴＥＯＳ膜上のＯ3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ
法成膜時間と成長膜厚を示している。成膜時間を３５０
秒と固定してＢａｒｅ−Ｓｉ上とＰ−ＴＥＯＳ膜上のＯ
3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ膜厚を比較した場合、同一反応条
件でＢａｒｅ−Ｓｉ上は５５０ｎｍ、Ｐ−ＴＥＯＳ膜上
は４７５ｎｍであるから成長膜厚比は５５０／４７５＝
１．１６となる。よって、ＣＶＤ反応条件が変更された
場合、上記の手順を繰り返し、Ｂａｒｅ−Ｓｉ上の膜厚
とＰ−ＴＥＯＳ膜付ウエハー上の膜厚との比が１．１６
になるとき、換言すればＢａｒｅ−Ｓｉ上の成長膜厚の
１／１．１６＝０．８６倍程度の膜厚がＰ−ＴＥＯＳ膜
付ウエハーに成膜されていれば、下地依存性は変化無し
と考え、Ｏ3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ反応の状態は良好と判
断できる。
る。 （実施例１）第１ウエハーとしてＢａｒｅ−Ｓｉ、第２
ウエハーとしてＰ−ＴＥＯＳ膜付のウエハーを用いた場
合の本発明の一実施態様を説明する。図１は、Ｂａｒｅ
−Ｓｉ上とＰ−ＴＥＯＳ膜上のＯ3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ
法成膜時間と成長膜厚を示している。成膜時間を３５０
秒と固定してＢａｒｅ−Ｓｉ上とＰ−ＴＥＯＳ膜上のＯ
3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ膜厚を比較した場合、同一反応条
件でＢａｒｅ−Ｓｉ上は５５０ｎｍ、Ｐ−ＴＥＯＳ膜上
は４７５ｎｍであるから成長膜厚比は５５０／４７５＝
１．１６となる。よって、ＣＶＤ反応条件が変更された
場合、上記の手順を繰り返し、Ｂａｒｅ−Ｓｉ上の膜厚
とＰ−ＴＥＯＳ膜付ウエハー上の膜厚との比が１．１６
になるとき、換言すればＢａｒｅ−Ｓｉ上の成長膜厚の
１／１．１６＝０．８６倍程度の膜厚がＰ−ＴＥＯＳ膜
付ウエハーに成膜されていれば、下地依存性は変化無し
と考え、Ｏ3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ反応の状態は良好と判
断できる。
【０００９】（実施例２）第１ウエハーとしてＢａｒｅ
−Ｓｉ、第２ウエハーとして熱酸化膜付ウエハーを用い
た場合の本発明の別の実施態様について説明する。図２
はＢａｒｅ−Ｓｉ上と熱酸化膜上のＯ3 −ＴＥＯＳ Ｃ
ＶＤ法成膜時間と成長膜厚を示している。成膜時間を６
分と固定してＢａｒｅ−Ｓｉ上と熱酸化膜上のＯ3 −Ｔ
ＥＯＳＣＶＤ膜厚を比較した場合、Ｂａｒｅ−Ｓｉ上は
０．５７５μm 、熱酸化膜上は０．４２５μm であるか
ら成長膜厚比は０．５７５／０．４２５＝１．３５とな
る。よって、ＣＶＤ反応条件が変更された場合、上記の
手順を繰り返し、Ｂａｒｅ−Ｓｉ上の膜厚と熱酸化膜付
ウエハー上の膜厚との比が１．３５になるとき、換言す
ればＢａｒｅ−Ｓｉ上の成長膜厚の１／１．３５＝０．
７４倍程度の膜厚が熱酸化膜付ウエハーに成膜されてい
れば、下地依存性は変化無しと考え、Ｏ3 −ＴＥＯＳ
ＣＶＤ反応の状態は良好と判断できる。
−Ｓｉ、第２ウエハーとして熱酸化膜付ウエハーを用い
た場合の本発明の別の実施態様について説明する。図２
はＢａｒｅ−Ｓｉ上と熱酸化膜上のＯ3 −ＴＥＯＳ Ｃ
ＶＤ法成膜時間と成長膜厚を示している。成膜時間を６
分と固定してＢａｒｅ−Ｓｉ上と熱酸化膜上のＯ3 −Ｔ
ＥＯＳＣＶＤ膜厚を比較した場合、Ｂａｒｅ−Ｓｉ上は
０．５７５μm 、熱酸化膜上は０．４２５μm であるか
ら成長膜厚比は０．５７５／０．４２５＝１．３５とな
る。よって、ＣＶＤ反応条件が変更された場合、上記の
手順を繰り返し、Ｂａｒｅ−Ｓｉ上の膜厚と熱酸化膜付
ウエハー上の膜厚との比が１．３５になるとき、換言す
ればＢａｒｅ−Ｓｉ上の成長膜厚の１／１．３５＝０．
７４倍程度の膜厚が熱酸化膜付ウエハーに成膜されてい
れば、下地依存性は変化無しと考え、Ｏ3 −ＴＥＯＳ
ＣＶＤ反応の状態は良好と判断できる。
【００１０】以上、本発明を２つの実施例に基づいて説
明したが、当然のことながら本発明は上述の実施例に限
定されるものではなく、モニターウエハー枚数、モニタ
ーウエハー表面状態や膜種、ＣＶＤ装置や条件等のプロ
セス条件は、本発明の範囲を逸脱しない限り適宜選択で
きることは言うまでもない。
明したが、当然のことながら本発明は上述の実施例に限
定されるものではなく、モニターウエハー枚数、モニタ
ーウエハー表面状態や膜種、ＣＶＤ装置や条件等のプロ
セス条件は、本発明の範囲を逸脱しない限り適宜選択で
きることは言うまでもない。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＶＤ反応条件の変動
による下地依存性の変動の有無を把握し、絶縁膜の被膜
形状、膜応力、膜収縮率、耐クラック性をコントロール
することにより、歩留まり、信頼性の低下を抑止できる
ＣＶＤ反応のモニター方法が提供される。本発明は、と
くにテトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 および
オゾンＯ3 を用いるＣＶＤ反応により絶縁膜を形成する
技術（Ｏ3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ法）に良好に適用するこ
とができる。
による下地依存性の変動の有無を把握し、絶縁膜の被膜
形状、膜応力、膜収縮率、耐クラック性をコントロール
することにより、歩留まり、信頼性の低下を抑止できる
ＣＶＤ反応のモニター方法が提供される。本発明は、と
くにテトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 および
オゾンＯ3 を用いるＣＶＤ反応により絶縁膜を形成する
技術（Ｏ3 −ＴＥＯＳ ＣＶＤ法）に良好に適用するこ
とができる。
【図１】Ｂａｒｅ−Ｓｉ上とＰ−ＴＥＯＳ膜上のＯ3 −
ＴＥＯＳ ＣＶＤ成膜時間と成長膜厚を示す図である。
ＴＥＯＳ ＣＶＤ成膜時間と成長膜厚を示す図である。
【図２】Ｂａｒｅ−Ｓｉ上と熱酸化膜上のＯ3 −ＴＥＯ
Ｓ ＣＶＤ成膜時間と成長膜厚を示す図である。
Ｓ ＣＶＤ成膜時間と成長膜厚を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】（i ）第１ウエハー上に、一定反応条件の
ＣＶＤ反応により絶縁膜を形成し、その厚さを測定する
ステップと、 （ii）前記第１ウエハーと異なる表面材質を有する第２
ウエハー上に、前記（i ）ステップと同一のＣＶＤ反応
条件および原料で絶縁膜を形成し、その厚さを測定する
ステップと、 （iii ）前記第１ウエハー上の絶縁膜の膜厚と、前記第
２ウエハー上の絶縁膜の膜厚との比を算出するステップ
と、 （iv）ＣＶＤ反応条件が変更された場合、その変更反応
条件で前記（i ）〜（iii ）のステップを再度繰り返
し、得られた第１ウエハー上の絶縁膜の膜厚と第２ウエ
ハー上の絶縁膜の膜厚との比が、前記（iii ）ステップ
で算出された比と実質上同じである場合に、下地依存性
なくＣＶＤ反応が行われていると決定するステップと、 を少なくとも有することを特徴とするＣＶＤ反応のモニ
ター方法。 - 【請求項２】 前記絶縁膜が、テトラエトキシシランＳ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4およびオゾンＯ3 を用いるＣＶＤ反
応により形成されることを特徴とする請求項１に記載の
ＣＶＤ反応のモニター方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155493A JPH113885A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Ｃｖｄ反応のモニター方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155493A JPH113885A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Ｃｖｄ反応のモニター方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113885A true JPH113885A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15607262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155493A Pending JPH113885A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Ｃｖｄ反応のモニター方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010030062A1 (de) * | 2010-06-15 | 2011-12-15 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Wäschebehandlungsgerät und Verfahren zum Betreiben eines Wäschebehandlungsgeräts |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP9155493A patent/JPH113885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010030062A1 (de) * | 2010-06-15 | 2011-12-15 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Wäschebehandlungsgerät und Verfahren zum Betreiben eines Wäschebehandlungsgeräts |
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