JPH1137582A - 蓄冷材および蓄冷型冷凍機 - Google Patents
蓄冷材および蓄冷型冷凍機Info
- Publication number
- JPH1137582A JPH1137582A JP9196765A JP19676597A JPH1137582A JP H1137582 A JPH1137582 A JP H1137582A JP 9196765 A JP9196765 A JP 9196765A JP 19676597 A JP19676597 A JP 19676597A JP H1137582 A JPH1137582 A JP H1137582A
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- Japan
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- storage material
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- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４Ｋより低い温度を得ることができる安価な
蓄冷材を提供する。 【解決手段】 多段式のギフォードマクマホン型冷凍機
の最終段のディスプレーサ１３の最終層１３cには、熱
伝導性高分子膜で形成された球状のカプセル１４内に、
１０Ｋ以下の低温度領域でホロミウム銅(ＨoＣu2)より
も高い比熱を呈するヘリウムガス(Ｈe)を充填した蓄冷
材を充填する。こうして、希土類あるいは希土類の化合
物よりも加工性が良くて低コストのヘリウムガス(Ｈe)
とを蓄冷材として用いることによって、安価な蓄冷材で
４Ｋ以下の低温が得られる。
蓄冷材を提供する。 【解決手段】 多段式のギフォードマクマホン型冷凍機
の最終段のディスプレーサ１３の最終層１３cには、熱
伝導性高分子膜で形成された球状のカプセル１４内に、
１０Ｋ以下の低温度領域でホロミウム銅(ＨoＣu2)より
も高い比熱を呈するヘリウムガス(Ｈe)を充填した蓄冷
材を充填する。こうして、希土類あるいは希土類の化合
物よりも加工性が良くて低コストのヘリウムガス(Ｈe)
とを蓄冷材として用いることによって、安価な蓄冷材で
４Ｋ以下の低温が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、極低温冷凍機に
使用される蓄冷材およびこの蓄冷材を用いた蓄冷型冷凍
機に関する。
使用される蓄冷材およびこの蓄冷材を用いた蓄冷型冷凍
機に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多段式のギフォード・マクマホン
型冷凍機においては、４Ｋより低い温度を得る最終段の
ディスプレーサとして、図３に示すようなものがある。
型冷凍機においては、４Ｋより低い温度を得る最終段の
ディスプレーサとして、図３に示すようなものがある。
【０００３】この最終段のディスプレーサ１は、前段の
シリンダ２側の端部１aは４０Ｋ程度の高温を呈する一
方、終端部１bは４Ｋ程度の低温を呈する。そこで、デ
ィスプレーサ１内に充填する蓄冷材の種類を、ディスプ
レーサ１の温度に応じて次のように変えている。
シリンダ２側の端部１aは４０Ｋ程度の高温を呈する一
方、終端部１bは４Ｋ程度の低温を呈する。そこで、デ
ィスプレーサ１内に充填する蓄冷材の種類を、ディスプ
レーサ１の温度に応じて次のように変えている。
【０００４】すなわち、上記ディスプレーサ１における
１５Ｋ以上の温度領域(以下、初層と言う)１eには、蓄
冷材として、１５Ｋ以上の温度において、エルビウムコ
バルト(Ｅr3Ｃo),エルビウム３ニッケル(Ｅr3Ｎi)及び
ホロミウム銅(ＨoＣu2)等の希土類の化合物よりも高い
比熱を有する鉛(Ｐb)の球３を充填している。さらに、
１０Ｋ〜１５Ｋの温度領域(以下、中間層と言う)１dに
は、蓄冷材として、１０Ｋ〜１５Ｋの温度において、鉛
(Ｐb)よりも高い比熱を有するエルビウム３ニッケル(Ｅ
r3Ｎi),エルビウムコバルト(Ｅr3Ｃo)またはネオジウム
(Ｎd)の球５を充填している。さらに、１０Ｋ以下の温
度領域(以下、最終層と言う)１cには、蓄冷材として、
１０Ｋ以下の温度において、エルビウムコバルト(Ｅr3
Ｃo),エルビウム３ニッケル(Ｅr3Ｎi)及び鉛(Ｐb)より
も高い比熱を呈するホロミウム銅(ＨoＣu2)を充填して
いる。
１５Ｋ以上の温度領域(以下、初層と言う)１eには、蓄
冷材として、１５Ｋ以上の温度において、エルビウムコ
バルト(Ｅr3Ｃo),エルビウム３ニッケル(Ｅr3Ｎi)及び
ホロミウム銅(ＨoＣu2)等の希土類の化合物よりも高い
比熱を有する鉛(Ｐb)の球３を充填している。さらに、
１０Ｋ〜１５Ｋの温度領域(以下、中間層と言う)１dに
は、蓄冷材として、１０Ｋ〜１５Ｋの温度において、鉛
(Ｐb)よりも高い比熱を有するエルビウム３ニッケル(Ｅ
r3Ｎi),エルビウムコバルト(Ｅr3Ｃo)またはネオジウム
(Ｎd)の球５を充填している。さらに、１０Ｋ以下の温
度領域(以下、最終層と言う)１cには、蓄冷材として、
１０Ｋ以下の温度において、エルビウムコバルト(Ｅr3
Ｃo),エルビウム３ニッケル(Ｅr3Ｎi)及び鉛(Ｐb)より
も高い比熱を呈するホロミウム銅(ＨoＣu2)を充填して
いる。
【０００５】このように、従来の１５Ｋ以下の極低温領
域においては、蓄冷材として希土類の化合物を用いてい
る。
域においては、蓄冷材として希土類の化合物を用いてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の多段式の冷凍機における最終段のディスプレーサ１
に充填されている希土類の化合物は、蓄冷材としてはコ
ストが高いという問題がある。また、上記希土類または
希土類の化合物は、脆い性質を有している。したがっ
て、表面に凹凸があると欠けたり割れたりし易く、真球
に形成する必要がある。ところが、希土類は融点が高い
ために球(粒)状に形成するのが容易ではなく歩留まりが
悪く、さらにコストアップになるという問題がある。
来の多段式の冷凍機における最終段のディスプレーサ１
に充填されている希土類の化合物は、蓄冷材としてはコ
ストが高いという問題がある。また、上記希土類または
希土類の化合物は、脆い性質を有している。したがっ
て、表面に凹凸があると欠けたり割れたりし易く、真球
に形成する必要がある。ところが、希土類は融点が高い
ために球(粒)状に形成するのが容易ではなく歩留まりが
悪く、さらにコストアップになるという問題がある。
【０００７】そこで、この発明の目的は、４Ｋより低い
温度を得ることができる安価な蓄冷材、および、この蓄
冷材を用いた蓄冷型冷凍機を提供することにある。
温度を得ることができる安価な蓄冷材、および、この蓄
冷材を用いた蓄冷型冷凍機を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明の蓄冷材は、熱伝導材で形成さ
れたカプセルと、上記カプセル内に充填されたヘリウム
ガス(Ｈe)を備えたことを特徴としている。
め、請求項１に係る発明の蓄冷材は、熱伝導材で形成さ
れたカプセルと、上記カプセル内に充填されたヘリウム
ガス(Ｈe)を備えたことを特徴としている。
【０００９】上記構成によれば、１０Ｋ以下の低温度領
域においては、希土類の化合物中でも高い比熱を有する
ホロミウム銅(ＨoＣu2)よりも更に高い比熱を有する安
価なヘリウムガス(Ｈe)が蓄冷材として使用されて、４
Ｋ以下の極低温度を呈する蓄冷器が容易に且つ安価に得
られる。
域においては、希土類の化合物中でも高い比熱を有する
ホロミウム銅(ＨoＣu2)よりも更に高い比熱を有する安
価なヘリウムガス(Ｈe)が蓄冷材として使用されて、４
Ｋ以下の極低温度を呈する蓄冷器が容易に且つ安価に得
られる。
【００１０】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
係る発明の蓄冷材において、上記カプセルは、球状に形
成されていることを特徴としている。
係る発明の蓄冷材において、上記カプセルは、球状に形
成されていることを特徴としている。
【００１１】上記構成によれば、上記カプセルは球状を
成しているので蓄冷器内に密に充填される。したがっ
て、上記カプセル内に充填されているヘリウムガス(Ｈ
e)の量も多くなる。さらに、上記ヘリウムガス(Ｈe)と
冷媒との熱交換面積が大きくなり、効率のよい熱交換が
行われる。
成しているので蓄冷器内に密に充填される。したがっ
て、上記カプセル内に充填されているヘリウムガス(Ｈ
e)の量も多くなる。さらに、上記ヘリウムガス(Ｈe)と
冷媒との熱交換面積が大きくなり、効率のよい熱交換が
行われる。
【００１２】また、請求項３に係る発明の蓄冷型冷凍機
は、請求項１あるいは請求項２に係る発明の蓄冷材を蓄
冷器に充填したことを特徴としている。
は、請求項１あるいは請求項２に係る発明の蓄冷材を蓄
冷器に充填したことを特徴としている。
【００１３】上記構成によれば、希土類の化合物よりも
安価で加工性に富む蓄冷材が蓄冷器内に密に充填され
て、４Ｋ以下の極低温度を呈する蓄冷型冷凍機が容易に
且つ安価に得られる。
安価で加工性に富む蓄冷材が蓄冷器内に密に充填され
て、４Ｋ以下の極低温度を呈する蓄冷型冷凍機が容易に
且つ安価に得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の蓄冷
材における充填構造を示す図である。２段式のギフォー
ド・マクマホン型冷凍機の第１シリンダ１１に連通する
第２シリンダ１２内に封入された第２ディスプレーサ１
３は、第１シリンダ１１側の端部１３aは４０Ｋ程度の
高温を呈する一方、終端部１３bは４Ｋ程度の低温を呈
する。
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の蓄冷
材における充填構造を示す図である。２段式のギフォー
ド・マクマホン型冷凍機の第１シリンダ１１に連通する
第２シリンダ１２内に封入された第２ディスプレーサ１
３は、第１シリンダ１１側の端部１３aは４０Ｋ程度の
高温を呈する一方、終端部１３bは４Ｋ程度の低温を呈
する。
【００１５】そこで、本実施の形態において、図３に示
す従来の冷凍機の場合と同様に、第２ディスプレーサ１
３内に充填する蓄冷材の種類を第２ディスプレーサ１３
の温度に応じて最適に変えることによって、第２ディス
プレーサ１３の冷凍能力を高めて第２ディスプレーサ１
３の軽量コンパクト化を図るようにしている。
す従来の冷凍機の場合と同様に、第２ディスプレーサ１
３内に充填する蓄冷材の種類を第２ディスプレーサ１３
の温度に応じて最適に変えることによって、第２ディス
プレーサ１３の冷凍能力を高めて第２ディスプレーサ１
３の軽量コンパクト化を図るようにしている。
【００１６】すなわち、上記第２ディスプレーサ１３に
おける１５Ｋ以上となる初層１３eには、蓄冷材とし
て、図３に示す冷凍機の場合と同様に、鉛(Ｐb)の球１
６を充填する。さらに、第２ディスプレーサ１３におけ
る１０〜１５Ｋとなる中間層１３dには、蓄冷材とし
て、図３に示す冷凍機の場合と同様に、エルビウム３ニ
ッケル(Ｅr3Ｎi),エルビウムコバルト(Ｅr3Ｃo)あるい
はネオジウム(Ｎd)の球１５を充填する。
おける１５Ｋ以上となる初層１３eには、蓄冷材とし
て、図３に示す冷凍機の場合と同様に、鉛(Ｐb)の球１
６を充填する。さらに、第２ディスプレーサ１３におけ
る１０〜１５Ｋとなる中間層１３dには、蓄冷材とし
て、図３に示す冷凍機の場合と同様に、エルビウム３ニ
ッケル(Ｅr3Ｎi),エルビウムコバルト(Ｅr3Ｃo)あるい
はネオジウム(Ｎd)の球１５を充填する。
【００１７】図２は、０Ｋ〜３０Ｋの極低温範囲におけ
るホロミウム銅(ＨoＣu2)とヘリウムガス(１０気圧)(Ｈ
e)の比熱特性を示す。図２において、１０Ｋ以下の低温
度領域においては、ヘリウムガス(Ｈe)がホロミウム銅
(ＨoＣu2)よりも高い比熱を呈している。そこで、本実
施の形態においては、図１に示すように、第２ディスプ
レーサ１３における１０Ｋ以下となる最終層１３cに
は、蓄冷材として、冷媒ガスとして用いられるヘリウム
ガス(Ｈe)を充填するのである。
るホロミウム銅(ＨoＣu2)とヘリウムガス(１０気圧)(Ｈ
e)の比熱特性を示す。図２において、１０Ｋ以下の低温
度領域においては、ヘリウムガス(Ｈe)がホロミウム銅
(ＨoＣu2)よりも高い比熱を呈している。そこで、本実
施の形態においては、図１に示すように、第２ディスプ
レーサ１３における１０Ｋ以下となる最終層１３cに
は、蓄冷材として、冷媒ガスとして用いられるヘリウム
ガス(Ｈe)を充填するのである。
【００１８】ところで、上記ヘリウムガス(Ｈe)を蓄冷
材として第２ディスプレーサ１３の最終層１３cに充填
しておくには、蓄冷材としてのヘリウムガス(Ｈe)を冷
媒ガスが通過する最終層１３cに保持しておく必要があ
る。そこで、本実施の形態においては、以下のような工
夫を凝らしている。
材として第２ディスプレーサ１３の最終層１３cに充填
しておくには、蓄冷材としてのヘリウムガス(Ｈe)を冷
媒ガスが通過する最終層１３cに保持しておく必要があ
る。そこで、本実施の形態においては、以下のような工
夫を凝らしている。
【００１９】すなわち、本実施の形態においては、上記
ヘリウムガス(Ｈe)を熱伝導性高分子膜で形成された球
状のカプセル１４内に充填して、第２ディスプレーサ１
３の最終層１３cに保持しておくのである。このよう
に、カプセル１４を球状に形成することによって、第２
ディスプレーサ１３の最終層１３cに対するカプセル１
４の充填密度を高くし、延いては保持されるヘリウムガ
ス(Ｈe)の量を多くできるのである。また、カプセル１
４を球状にすることによってヘリウムガス(Ｈe)と冷媒
との熱交換面積が大きくなり、効率のよい熱交換を行う
ことができる。
ヘリウムガス(Ｈe)を熱伝導性高分子膜で形成された球
状のカプセル１４内に充填して、第２ディスプレーサ１
３の最終層１３cに保持しておくのである。このよう
に、カプセル１４を球状に形成することによって、第２
ディスプレーサ１３の最終層１３cに対するカプセル１
４の充填密度を高くし、延いては保持されるヘリウムガ
ス(Ｈe)の量を多くできるのである。また、カプセル１
４を球状にすることによってヘリウムガス(Ｈe)と冷媒
との熱交換面積が大きくなり、効率のよい熱交換を行う
ことができる。
【００２０】このように、本実施の形態においては、従
来、多段式のギフォード・マクマホン型冷凍機の４Ｋの
極低温度を得る最終段のディスプレーサ１３に充填され
る希土類化合物のホロミウム銅(ＨoＣu2)に変えて、１
０Ｋ以下の低温度領域においてホロミウム銅(ＨoＣu2)
よりも高い比熱を呈するヘリウムガス(Ｈe)を蓄冷材と
して使用する。その場合に、上記ヘリウムガス(Ｈe)を
熱伝導性高分子膜で形成された球状のカプセル１４内に
充填して第２ディスプレーサ１３の最終層１３cに充填
している。こうして、希土類あるいは希土類の化合物よ
りも加工性が良くて低コストの高分子膜とヘリウムガス
(Ｈe)とを蓄冷材として用いることによって、安価な蓄
冷材で４Ｋ以下の低温を得ることができる。さらに、ガ
スを蓄冷材として使用するので、ディスプレーサ１３の
重量を低減できる。
来、多段式のギフォード・マクマホン型冷凍機の４Ｋの
極低温度を得る最終段のディスプレーサ１３に充填され
る希土類化合物のホロミウム銅(ＨoＣu2)に変えて、１
０Ｋ以下の低温度領域においてホロミウム銅(ＨoＣu2)
よりも高い比熱を呈するヘリウムガス(Ｈe)を蓄冷材と
して使用する。その場合に、上記ヘリウムガス(Ｈe)を
熱伝導性高分子膜で形成された球状のカプセル１４内に
充填して第２ディスプレーサ１３の最終層１３cに充填
している。こうして、希土類あるいは希土類の化合物よ
りも加工性が良くて低コストの高分子膜とヘリウムガス
(Ｈe)とを蓄冷材として用いることによって、安価な蓄
冷材で４Ｋ以下の低温を得ることができる。さらに、ガ
スを蓄冷材として使用するので、ディスプレーサ１３の
重量を低減できる。
【００２１】また、上記カプセル１４は球状に形成され
ている。したがって、最終層１３cへのカプセル１４の
充填密度を高めて、ヘリウムガス(Ｈe)の保持量を多く
できる。さらに、冷媒との熱交換面積を大きくして、効
率のよい熱交換を行うことができる。
ている。したがって、最終層１３cへのカプセル１４の
充填密度を高めて、ヘリウムガス(Ｈe)の保持量を多く
できる。さらに、冷媒との熱交換面積を大きくして、効
率のよい熱交換を行うことができる。
【００２２】尚、上記実施の形態においては、上記カプ
セル１４を高分子膜で形成しているが、ガラスや金属で
形成しても構わない。要は、熱伝導性の良い材料であれ
ばよいのである。また、上記実施の形態においては、こ
の発明を２段式のギフォード・マクマホン型冷凍機に適
用した場合を例に説明しているが、パルス管式クライオ
冷凍機にも適用可能である。
セル１４を高分子膜で形成しているが、ガラスや金属で
形成しても構わない。要は、熱伝導性の良い材料であれ
ばよいのである。また、上記実施の形態においては、こ
の発明を２段式のギフォード・マクマホン型冷凍機に適
用した場合を例に説明しているが、パルス管式クライオ
冷凍機にも適用可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の蓄冷材は、熱伝導材で形成されたカプセル内に
ヘリウムガス(Ｈe)を充填して構成されるので、１０Ｋ
以下の低温度領域においては希土類の化合物よりも高い
比熱を有すると共に、希土類の化合物よりも安価であ
る。したがって、この発明によれば、４Ｋ以下の極低温
度を呈する蓄冷器を容易に且つ安価に得ることができ
る。さらに、ガスを蓄冷材として使用するので蓄冷器の
重量を低減できる。
る発明の蓄冷材は、熱伝導材で形成されたカプセル内に
ヘリウムガス(Ｈe)を充填して構成されるので、１０Ｋ
以下の低温度領域においては希土類の化合物よりも高い
比熱を有すると共に、希土類の化合物よりも安価であ
る。したがって、この発明によれば、４Ｋ以下の極低温
度を呈する蓄冷器を容易に且つ安価に得ることができ
る。さらに、ガスを蓄冷材として使用するので蓄冷器の
重量を低減できる。
【００２４】また、請求項２に係る発明の蓄冷材におけ
る上記カプセルは、球状に成形されているので、蓄冷器
内への充填密度を高めることができる。したがって、上
記蓄冷器内に保持されるヘリウムガス(Ｈe)量を多くで
きる。また、上記ヘリウムガス(Ｈe)と冷媒との熱交換
面積を大きくすることができる。
る上記カプセルは、球状に成形されているので、蓄冷器
内への充填密度を高めることができる。したがって、上
記蓄冷器内に保持されるヘリウムガス(Ｈe)量を多くで
きる。また、上記ヘリウムガス(Ｈe)と冷媒との熱交換
面積を大きくすることができる。
【００２５】また、請求項３に係る発明の蓄冷型冷凍機
は、請求項１あるいは請求項２に係る発明の蓄冷材を蓄
冷器充填したので、希土類の化合物よりも安価で加工性
に富む蓄冷材が上記蓄冷器内に密に充填されて、４Ｋ以
下の極低温度を呈する蓄冷型冷凍機を容易に且つ安価に
得ることができる。
は、請求項１あるいは請求項２に係る発明の蓄冷材を蓄
冷器充填したので、希土類の化合物よりも安価で加工性
に富む蓄冷材が上記蓄冷器内に密に充填されて、４Ｋ以
下の極低温度を呈する蓄冷型冷凍機を容易に且つ安価に
得ることができる。
【図１】この発明の蓄冷材の充填構造を示す図である。
【図２】０Ｋ〜３０Ｋの極低温範囲におけるホロミウム
銅(ＨoＣu2)およびヘリウムガス(Ｈe)の比熱特性を示す
図である。
銅(ＨoＣu2)およびヘリウムガス(Ｈe)の比熱特性を示す
図である。
【図３】従来の蓄冷型冷凍機の最終段のディスプレーサ
に充填される蓄冷材の充填構造を示す図である。
に充填される蓄冷材の充填構造を示す図である。
１１…第１シリンダ、 １２…第２シリ
ンダ、１３…第２ディスプレーサ、 １３c…
最終層、１３d…中間層、 １３e
…初層、１４…カプセル。
ンダ、１３…第２ディスプレーサ、 １３c…
最終層、１３d…中間層、 １３e
…初層、１４…カプセル。
Claims (3)
- 【請求項１】 熱伝導材で形成されたカプセルと、 上記カプセル内に充填されたヘリウムガスを備えたこと
を特徴とする蓄冷材。 - 【請求項２】 請求項１に記載の蓄冷材において、 上記カプセルは、球状に形成されていることを特徴とす
る蓄冷材。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の蓄冷
材を蓄冷器に充填したことを特徴とする蓄冷型冷凍機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196765A JP2962286B2 (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 蓄冷材および蓄冷型冷凍機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196765A JP2962286B2 (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 蓄冷材および蓄冷型冷凍機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1137582A true JPH1137582A (ja) | 1999-02-12 |
| JP2962286B2 JP2962286B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=16363258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9196765A Expired - Fee Related JP2962286B2 (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 蓄冷材および蓄冷型冷凍機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2962286B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011115200A1 (ja) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | 住友重機械工業株式会社 | 蓄冷器、ｇｍ冷凍機およびパルスチューブ冷凍機 |
| WO2011115107A1 (ja) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | 住友重機械工業株式会社 | 蓄冷器、ｇｍ冷凍機及びパルスチューブ冷凍機 |
| JP2011190952A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 蓄冷器、蓄冷式冷凍機、クライオポンプ、および冷凍装置 |
| JP2011190953A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 蓄冷器、蓄冷式冷凍機、クライオポンプ、および冷凍装置 |
| JP2011190954A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 蓄冷器、蓄冷式冷凍機、クライオポンプ、および冷凍装置 |
| CN104457007A (zh) * | 2013-09-17 | 2015-03-25 | 住友重机械工业株式会社 | 蓄冷式制冷机、一级蓄冷器及二级蓄冷器 |
| US9086231B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-07-21 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Regenerative refrigerator |
| JP2016050714A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社東芝 | 冷凍機用真空断熱モジュールケースと冷凍機 |
| CN104457007B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-01-04 | 住友重机械工业株式会社 | 蓄冷式制冷机、一级蓄冷器及二级蓄冷器 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9196765A patent/JP2962286B2/ja not_active Expired - Fee Related
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