JPH1137022A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents
内燃機関用点火装置Info
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- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ワイヤボンディングエリア時に、ボンディング
エリアまたはボンディングパッドまたは相当手段の下部
及びその近辺の素子に応力がかかりがちであった。 【解決手段】少なくとも１回以上の工程で、少なくとも
ワイヤボンディングエリアまたはパッドまたは相当手段
の厚みを厚くした。 【効果】生産性が向上しかつ信頼性の高い、内燃機関点
火装置の提供が可能となる。
エリアまたはボンディングパッドまたは相当手段の下部
及びその近辺の素子に応力がかかりがちであった。 【解決手段】少なくとも１回以上の工程で、少なくとも
ワイヤボンディングエリアまたはパッドまたは相当手段
の厚みを厚くした。 【効果】生産性が向上しかつ信頼性の高い、内燃機関点
火装置の提供が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関用点火装
置に係わり、特に、スイッチング素子の構造に関する。
置に係わり、特に、スイッチング素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体スイッチング素子を自動車内燃機
関用点火装置に用いた例として、特開平7−77149号があ
る。前記公開公報は、半導体スイッチング素子としてＩ
ＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を使用
しているが、ＩＧＢＴと外部回路，端子またはそれらに
相当するものとを接続するワイヤボンディングのボンデ
ィングパッドまたはボンディングエリアについての説明
はない。
関用点火装置に用いた例として、特開平7−77149号があ
る。前記公開公報は、半導体スイッチング素子としてＩ
ＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を使用
しているが、ＩＧＢＴと外部回路，端子またはそれらに
相当するものとを接続するワイヤボンディングのボンデ
ィングパッドまたはボンディングエリアについての説明
はない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＧＢＴのゲートワイ
ヤボンディングエリアまたはパッドまたは相当手段の下
部及びその近辺と、エミッタワイヤボンディングエリア
またはパッドまたは相当手段の下部及びその近辺には、
トランジスタを構成するアクティブエリアまたはＩＧＢ
Ｔとして動作するチャンネルが存在している。従って、
ＩＧＢＴと外部回路，端子またはそれらに相当するもの
を接続するワイヤボンディング時に、ボンディングエリ
アまたはボンディングパッドまたは相当手段の下部及び
その近辺の素子に応力がかかりがちで、ワイヤボンディ
ング装置のボンディングパワーをワイヤが剥がれない程
度にさげて接続していた。しかし、最近の自動車部品に
要求される長寿命化をはかるためには、ボンディング時
のパワーを上げてワイヤを接続する必要があり、ＩＧＢ
Ｔのボンディングエリアまたはパッドまたは相当手段の
下部及びその近辺の素子にダメージを与える可能性があ
る。
ヤボンディングエリアまたはパッドまたは相当手段の下
部及びその近辺と、エミッタワイヤボンディングエリア
またはパッドまたは相当手段の下部及びその近辺には、
トランジスタを構成するアクティブエリアまたはＩＧＢ
Ｔとして動作するチャンネルが存在している。従って、
ＩＧＢＴと外部回路，端子またはそれらに相当するもの
を接続するワイヤボンディング時に、ボンディングエリ
アまたはボンディングパッドまたは相当手段の下部及び
その近辺の素子に応力がかかりがちで、ワイヤボンディ
ング装置のボンディングパワーをワイヤが剥がれない程
度にさげて接続していた。しかし、最近の自動車部品に
要求される長寿命化をはかるためには、ボンディング時
のパワーを上げてワイヤを接続する必要があり、ＩＧＢ
Ｔのボンディングエリアまたはパッドまたは相当手段の
下部及びその近辺の素子にダメージを与える可能性があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）やＩＧＢＴ等の半
導体スイッチング素子と外部回路，端子またはそれらに
相当するものを接続する、少なくともワイヤボンディン
グエリアまたはパッドまたは相当手段の厚みを厚くし、
また少なくとも１回以上の工程で行う。
に、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）やＩＧＢＴ等の半
導体スイッチング素子と外部回路，端子またはそれらに
相当するものを接続する、少なくともワイヤボンディン
グエリアまたはパッドまたは相当手段の厚みを厚くし、
また少なくとも１回以上の工程で行う。
【０００５】さらに、ワイヤボンディングするエリアま
たはパッドまたは相当手段を、２回の工程で設ける場合
は、１回目と２回目の厚さを同じにするかまたは変え
る。また、ワイヤボンディングするエリアまたはパッド
または相当手段の大きさまたは寸法を、１回目と２回目
で同じにするかまたは変えて行う。
たはパッドまたは相当手段を、２回の工程で設ける場合
は、１回目と２回目の厚さを同じにするかまたは変え
る。また、ワイヤボンディングするエリアまたはパッド
または相当手段の大きさまたは寸法を、１回目と２回目
で同じにするかまたは変えて行う。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１に、内燃機関用点火装置の一
構成例を示す。１はＥＣＵ、２は点火装置、３は点火コ
イル、４は点火プラグを示す。ＥＣＵ１の出力段は、Ｐ
ＮＰトランジスタ９，ＮＰＮトランジスタ１０，抵抗１
１より構成され、ＣＰＵ８により算出された適正な点火
タイミングでトランジスタ９，１０をＯＮ，ＯＦＦし、
点火装置にＨＩＧＨ，ＬＯＷのパルスを出力する。点火
装置２はＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子
５、とハイブリッドＩＣ１３に実装された電流検出用負
荷６，電流制御回路７、および入力抵抗１２より構成さ
れ、ＥＣＵ１の出力信号がＬＯＷ→ＨＩＧＨで、ＦＥＴ
やＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５は通電を開始
し、ＨＩＧＨ→ＬＯＷで遮断することにより、ＦＥＴや
ＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５のコレクタ部に
３００〜７００Ｖの高電圧を発生する。
構成例を示す。１はＥＣＵ、２は点火装置、３は点火コ
イル、４は点火プラグを示す。ＥＣＵ１の出力段は、Ｐ
ＮＰトランジスタ９，ＮＰＮトランジスタ１０，抵抗１
１より構成され、ＣＰＵ８により算出された適正な点火
タイミングでトランジスタ９，１０をＯＮ，ＯＦＦし、
点火装置にＨＩＧＨ，ＬＯＷのパルスを出力する。点火
装置２はＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子
５、とハイブリッドＩＣ１３に実装された電流検出用負
荷６，電流制御回路７、および入力抵抗１２より構成さ
れ、ＥＣＵ１の出力信号がＬＯＷ→ＨＩＧＨで、ＦＥＴ
やＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５は通電を開始
し、ＨＩＧＨ→ＬＯＷで遮断することにより、ＦＥＴや
ＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５のコレクタ部に
３００〜７００Ｖの高電圧を発生する。
【０００７】図２に、内燃機関用点火装置の他の構成例
を示す。図１との違いは、半導体スイッチング素子５に
ＦＥＴを使用した例である。
を示す。図１との違いは、半導体スイッチング素子５に
ＦＥＴを使用した例である。
【０００８】図３に、半導体スイッチング素子５のひと
つであるＩＧＢＴの等価回路を示す。１４はコレクタ、
１５はゲート、１６はエミッタである。ゲート信号入力
部はエンハスメント型Ｎ−ＭＯＳトランジスタで構成さ
れ、電流が流れる部分はＰＮＰＮの構造となっている。
つであるＩＧＢＴの等価回路を示す。１４はコレクタ、
１５はゲート、１６はエミッタである。ゲート信号入力
部はエンハスメント型Ｎ−ＭＯＳトランジスタで構成さ
れ、電流が流れる部分はＰＮＰＮの構造となっている。
【０００９】図４に、半導体スイッチング素子５のひと
つである、ＩＧＢＴの基本構造を示す。実際の部品は、
本構造のセルが数万個チップ上に形成されていて、その
中の１セルを抜き出したものである。１７はコレクタ配
線、１８は（相当手段）エミッタ配線（アルミなど）、
１９は（相当手段）ゲート配線（アルミなど）である。
２０はゲートと外部配線をボンディングするゲートボン
ディングエリア、２１はエミッタと外部配線をボンディ
ングするエミッタボンディングエリアであり、少なくと
もその下部のアルミの厚みは２〜５μｍ程度である。２
２はＰ+ ベース層、２３はＮ- 層、２４はＰ層、２５，
３９はＮ+ 層、２６は酸化膜である。ゲートの入力電圧
がＮ−ＭＯＳトランジスタのスレッシュホールド以上に
なるとＰベース層にＮチャンネル２７が形成され、Ｐ+
コレクタ，Ｎ- ，Ｎチャンネル，Ｎ+ エミッタのルート
で通電し、スレッシュホールド以下ではＮチャンネルは
消滅し遮断状態となる。本構造において、ゲートをボン
ディングするゲートボンディングエリア２０及びエミッ
タをボンディングするエミッタボンディングエリア２１
の下部または近辺には、トランジスタを構成する素子ま
たはＩＧＢＴとして動作するチャンネルが存在してお
り、ワイヤボンディング時の応力により素子にダメージ
を与え、甚だしい場合には、素子破壊に到る可能性があ
る。
つである、ＩＧＢＴの基本構造を示す。実際の部品は、
本構造のセルが数万個チップ上に形成されていて、その
中の１セルを抜き出したものである。１７はコレクタ配
線、１８は（相当手段）エミッタ配線（アルミなど）、
１９は（相当手段）ゲート配線（アルミなど）である。
２０はゲートと外部配線をボンディングするゲートボン
ディングエリア、２１はエミッタと外部配線をボンディ
ングするエミッタボンディングエリアであり、少なくと
もその下部のアルミの厚みは２〜５μｍ程度である。２
２はＰ+ ベース層、２３はＮ- 層、２４はＰ層、２５，
３９はＮ+ 層、２６は酸化膜である。ゲートの入力電圧
がＮ−ＭＯＳトランジスタのスレッシュホールド以上に
なるとＰベース層にＮチャンネル２７が形成され、Ｐ+
コレクタ，Ｎ- ，Ｎチャンネル，Ｎ+ エミッタのルート
で通電し、スレッシュホールド以下ではＮチャンネルは
消滅し遮断状態となる。本構造において、ゲートをボン
ディングするゲートボンディングエリア２０及びエミッ
タをボンディングするエミッタボンディングエリア２１
の下部または近辺には、トランジスタを構成する素子ま
たはＩＧＢＴとして動作するチャンネルが存在してお
り、ワイヤボンディング時の応力により素子にダメージ
を与え、甚だしい場合には、素子破壊に到る可能性があ
る。
【００１０】図５に本発明の一実施例を示す。半導体ス
イッチング素子５のひとつである、ＩＧＢＴの基本構造
は、図３の構造と同一であるが、少なくともワイヤボン
ディングエリア下のパッド（ゲートアルミ配線及びエミ
ッタアルミ配線）または新たに設けられた相当手段（導
電性（例えばアルミなどの金属）の層など）の厚みを厚
く（５〜１０μｍ）する構造としている。本実施例で
は、少なくともゲートボンディングエリア２０の下のゲ
ート配線３１（アルミ）または相当手段１９を、２層
（２回の工程で作る）としているが、１層（１回の工
程）で前記の５〜１０μｍの厚みとする構造としても良
い。また同様に、少なくともエミッタボンディングエリ
ア２１の下のエミッタ配線３０（アルミ）または相当手
段１８を２層としているが、１層で前記の５〜１０μｍ
の厚みとする構造としても良い。さらに、少なくともエ
ミッタボンディングエリア２１の下とゲートボンディン
グエリア２０下のエミッタ配線３０またはゲート配線３
１または相当手段１８または１９を２層以上（２回以上
の工程で作る）としても良い。この場合には、１層当り
の厚さを小さく形成することも可能になる。
イッチング素子５のひとつである、ＩＧＢＴの基本構造
は、図３の構造と同一であるが、少なくともワイヤボン
ディングエリア下のパッド（ゲートアルミ配線及びエミ
ッタアルミ配線）または新たに設けられた相当手段（導
電性（例えばアルミなどの金属）の層など）の厚みを厚
く（５〜１０μｍ）する構造としている。本実施例で
は、少なくともゲートボンディングエリア２０の下のゲ
ート配線３１（アルミ）または相当手段１９を、２層
（２回の工程で作る）としているが、１層（１回の工
程）で前記の５〜１０μｍの厚みとする構造としても良
い。また同様に、少なくともエミッタボンディングエリ
ア２１の下のエミッタ配線３０（アルミ）または相当手
段１８を２層としているが、１層で前記の５〜１０μｍ
の厚みとする構造としても良い。さらに、少なくともエ
ミッタボンディングエリア２１の下とゲートボンディン
グエリア２０下のエミッタ配線３０またはゲート配線３
１または相当手段１８または１９を２層以上（２回以上
の工程で作る）としても良い。この場合には、１層当り
の厚さを小さく形成することも可能になる。
【００１１】図６は、本発明の他の実施例で、図５のエ
ミッタボンディングエリア２１の部分の拡大である。エ
ミッタボンディングエリア２１の下のパッド（エミッタ
配線３０(アルミ)）または相当手段１８の２層（２回の
工程で作る）の厚みを、それぞれＡ，Ｂとする。ＡとＢ
の関係は、Ａ＝Ｂまたは、Ａ＞Ｂまたは、Ａ＜Ｂのいず
れでも良い。また、ゲートボンディングエリア２０の下
部または近辺のパッド（ゲート配線３１(アルミ)）また
は相当手段１９の寸法または大きさを、それぞれＬ１・
Ｌ２とする。Ｌ１とＬ２の関係は、Ｌ１＜Ｌ２またはＬ
１＝Ｌ２とする。なお、図６の例は、エミッタボンディ
ングエリア２１の下部または近辺のパッド（エミッタ配
線３０）または相当手段１８の寸法または大きさである
が、ゲートボンディングエリア２０の下部または近辺の
パッド（ゲート配線３１）または相当手段１９の寸法ま
たは大きさについても同様である。なお、相当手段１
８，１９の一部に非導電性の材料を用いても良い。
ミッタボンディングエリア２１の部分の拡大である。エ
ミッタボンディングエリア２１の下のパッド（エミッタ
配線３０(アルミ)）または相当手段１８の２層（２回の
工程で作る）の厚みを、それぞれＡ，Ｂとする。ＡとＢ
の関係は、Ａ＝Ｂまたは、Ａ＞Ｂまたは、Ａ＜Ｂのいず
れでも良い。また、ゲートボンディングエリア２０の下
部または近辺のパッド（ゲート配線３１(アルミ)）また
は相当手段１９の寸法または大きさを、それぞれＬ１・
Ｌ２とする。Ｌ１とＬ２の関係は、Ｌ１＜Ｌ２またはＬ
１＝Ｌ２とする。なお、図６の例は、エミッタボンディ
ングエリア２１の下部または近辺のパッド（エミッタ配
線３０）または相当手段１８の寸法または大きさである
が、ゲートボンディングエリア２０の下部または近辺の
パッド（ゲート配線３１）または相当手段１９の寸法ま
たは大きさについても同様である。なお、相当手段１
８，１９の一部に非導電性の材料を用いても良い。
【００１２】本構造とすることで、ボンディングするエ
リアの下のアルミパッドまたはアルミ配線または相当手
段を厚くでき、これによってワイヤボンディング時の応
力による、ボンディングするエリアの下部または近辺の
素子にダメージを与えることがないため、生産性及び信
頼性を向上することができる。
リアの下のアルミパッドまたはアルミ配線または相当手
段を厚くでき、これによってワイヤボンディング時の応
力による、ボンディングするエリアの下部または近辺の
素子にダメージを与えることがないため、生産性及び信
頼性を向上することができる。
【００１３】
【発明の効果】ＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体スイッチン
グ素子の少なくともワイヤボンディングエリア、または
ボンディングパッドまたは相当手段の厚みを厚くするこ
とで、ワイヤボンディング時の応力が前記半導体スイッ
チング素子の少なくともワイヤボンディングエリアまた
はボンディングパッドまたは相当手段の下部の素子に影
響を与えないようにできるため、生産性が向上しかつ信
頼性の高い、内燃機関点火装置の提供が可能となる。
グ素子の少なくともワイヤボンディングエリア、または
ボンディングパッドまたは相当手段の厚みを厚くするこ
とで、ワイヤボンディング時の応力が前記半導体スイッ
チング素子の少なくともワイヤボンディングエリアまた
はボンディングパッドまたは相当手段の下部の素子に影
響を与えないようにできるため、生産性が向上しかつ信
頼性の高い、内燃機関点火装置の提供が可能となる。
【００１４】また、少なくとも１回以上の工程で、少な
くともワイヤボンディングエリアまたはパッドまたは相
当手段の厚みを厚くし、さらに、ワイヤボンディングエ
リアまたはパッドまたは相当手段を、２回の工程で設け
る場合は、１回目と２回目の厚さを同じにするかまたは
変え、ワイヤボンディングエリアまたはパッドまたは相
当手段の大きさまたは寸法を、１回目と２回目で同じに
するかまたは変えることで、半導体スイッチング素子自
体の信頼性と生産性を高めることができ、内燃機関点火
装置の生産性と信頼性も高めることができる。
くともワイヤボンディングエリアまたはパッドまたは相
当手段の厚みを厚くし、さらに、ワイヤボンディングエ
リアまたはパッドまたは相当手段を、２回の工程で設け
る場合は、１回目と２回目の厚さを同じにするかまたは
変え、ワイヤボンディングエリアまたはパッドまたは相
当手段の大きさまたは寸法を、１回目と２回目で同じに
するかまたは変えることで、半導体スイッチング素子自
体の信頼性と生産性を高めることができ、内燃機関点火
装置の生産性と信頼性も高めることができる。
【図１】点火システムの構成例。
【図２】点火システムの他の構成例。
【図３】ＩＧＢＴの等価回路。
【図４】ＩＧＢＴの基本構造。
【図５】本発明の一実施例。
【図６】本発明の他の実施例。
１…ＥＣＵ、２…点火装置、３…点火コイル、４…点火
プラグ、５…半導体スイッチング素子、６…電流検出用
負荷、７…電流制御回路、８…ＣＰＵ、９…ＰＮＰトラ
ンジスタ、１０…ＮＰＮトランジスタ、１１，１２…抵
抗、１３…ハイブリッドＩＣ、１４…コレクタ、１５…
ゲート、１６…エミッタ、１７…コレクタ配線、１８，
１９…相当手段、２０…ゲートボンディングエリア、２
１…エミッタボンディングエリア、２２…Ｐ+ 層、２３
…Ｎ- 層、２４…Ｐ層、２５，３９…Ｎ+ 層、２６…酸
化膜、２７…Ｎチャンネル、３０…エミッタ配線、３１
…ゲート配線。
プラグ、５…半導体スイッチング素子、６…電流検出用
負荷、７…電流制御回路、８…ＣＰＵ、９…ＰＮＰトラ
ンジスタ、１０…ＮＰＮトランジスタ、１１，１２…抵
抗、１３…ハイブリッドＩＣ、１４…コレクタ、１５…
ゲート、１６…エミッタ、１７…コレクタ配線、１８，
１９…相当手段、２０…ゲートボンディングエリア、２
１…エミッタボンディングエリア、２２…Ｐ+ 層、２３
…Ｎ- 層、２４…Ｐ層、２５，３９…Ｎ+ 層、２６…酸
化膜、２７…Ｎチャンネル、３０…エミッタ配線、３１
…ゲート配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 太加志 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 深津 克明 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内
Claims (11)
- 【請求項１】内燃機関用電子制御装置（以下ＥＣＵ）か
ら出力される点火制御信号に応じて点火コイルに流れる
１次電流を通電、遮断制御するスイッチング素子を半導
体で構成し、前記半導体表面にワイヤ接続用ボンディン
グパッドまたは相当手段を設け、且つ少なくとも前記パ
ッドまたは前記相当手段の厚さを、５μｍ以上としたこ
とを特徴する内燃機関用点火装置。 - 【請求項２】請求項１において、スイッチング素子の半
導体をＦＥＴ（電界効果トランジスタ）で構成したこと
を特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項３】請求項１において、スイッチング素子の半
導体をＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タ）で構成したことを特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項４】請求項２または３において、ワイヤ接続用
ボンディングパッドまたは相当手段を、少なくともアル
ミを主成分として設けることを特徴とする内燃機関用点
火装置。 - 【請求項５】請求項４において、ワイヤ接続用ボンディ
ングパッドまたは相当手段を設ける際に、少なくとも１
回以上の工程で行うことを特徴とする内燃機関用点火装
置。 - 【請求項６】請求項５において、ワイヤ接続用ボンディ
ングパッドまたは相当手段を、２回の工程に分けて設け
ることを特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項７】請求項６において、ワイヤ接続用ボンディ
ングパッド相当手段を、２回の工程に分けて設ける際
に、１回目の工程でできる層の厚さと２回目の工程でで
きる層の厚さを、同じにするかまたは変えることを特徴
とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項８】請求項７において、ワイヤ接続用ボンディ
ングパッドまたは相当手段を、２回の工程に分けて設け
る際に、１回目の工程でできる層の厚さを、２回目の工
程でできる層の厚さより大きくすることを特徴とする内
燃機関用点火装置。 - 【請求項９】請求項７において、ワイヤ接続用ボンディ
ングパッドまたは相当手段を、２回の工程に分けて設け
る際に、２回目の工程でできる層の厚さを、１回目の工
程でできる層の厚さより大きくすることを特徴とする内
燃機関用点火装置。 - 【請求項１０】請求項７または８または９において、ワ
イヤ接続用ボンディングパッドまたは相当手段を、２回
の工程に分けて設ける際に、１回目の工程でできるパッ
ドまたは相当手段の大きさまたは寸法を、２回目の工程
でできるパッドまたは相当手段の大きさまたは寸法と変
えることを特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項１１】請求項１０において、ワイヤ接続用ボン
ディングパッドまたは相当手段を、２回の工程に分けて
設ける際に、１回目の工程でできるパッドまたは相当手
段の大きさまたは寸法を、２回目の工程でできるパッド
または相当手段の大きさまたは寸法より大きくすること
を特徴とする内燃機関用点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198182A JPH1137022A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 内燃機関用点火装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198182A JPH1137022A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 内燃機関用点火装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1137022A true JPH1137022A (ja) | 1999-02-09 |
Family
ID=16386852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9198182A Pending JPH1137022A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 内燃機関用点火装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1137022A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7709938B2 (en) | 2005-06-22 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same |
| WO2015068439A1 (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-14 | トヨタ自動車株式会社 | 電極体 |
| JP2020120133A (ja) * | 2016-11-15 | 2020-08-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9198182A patent/JPH1137022A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7709938B2 (en) | 2005-06-22 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same |
| US8030744B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-10-04 | Infineon Technologies Ag | Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same |
| DE102005028951B4 (de) * | 2005-06-22 | 2018-05-30 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur elektrischen Verbindung einer Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einer äusseren Kontakteinrichtung |
| WO2015068439A1 (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-14 | トヨタ自動車株式会社 | 電極体 |
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