JPH1136096A - 噴流めっき装置 - Google Patents
噴流めっき装置Info
- Publication number
- JPH1136096A JPH1136096A JP19433697A JP19433697A JPH1136096A JP H1136096 A JPH1136096 A JP H1136096A JP 19433697 A JP19433697 A JP 19433697A JP 19433697 A JP19433697 A JP 19433697A JP H1136096 A JPH1136096 A JP H1136096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- tank
- cup
- plating solution
- jet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板にめっきを行う場合に、面内のめ
っき膜厚分布を均一にする。 【解決手段】 カップ槽を内外２重構造のカップ槽５
Ａ，５Ｂとし、めっき液９を半導体基板１の外周部１ａ
と中央部１ｂとに別々に噴流させ、これらのめっき液の
流速を別々にコントロールしながらめっきを行ない、均
一なめっき膜厚にする。
っき膜厚分布を均一にする。 【解決手段】 カップ槽を内外２重構造のカップ槽５
Ａ，５Ｂとし、めっき液９を半導体基板１の外周部１ａ
と中央部１ｂとに別々に噴流させ、これらのめっき液の
流速を別々にコントロールしながらめっきを行ない、均
一なめっき膜厚にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上等
にめっきを行うための噴流めっき装置に関する。
にめっきを行うための噴流めっき装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の噴流めっき装置は図１１に示すよ
うに、下部にめっき液の噴流口１３と格子状のアノード
電極３が設けられたカップ槽５を有しており、カップ槽
５のめっき液噴流口１３から循環用ポンプ１０によりめ
っき槽７内のめっき液９をアノード電極３を通して噴流
させ、ウェハ保持ピン１６上に被めっき面を下にして半
導体基板（以下、ウェハという）１を保持し、チャック
１７を有するカソード電極２をウェハ１に近接させて真
空吸着させ、めっき用電源４によりアノード電極３及び
カソード電極２間に電圧を印加して、ウェハ１の被めっ
き面に電解めっきを行うように構成されている。また、
８はヒータ、１１はフィルタ、１２は流量計、１８は温
調計、１９は温測抵抗体である。
うに、下部にめっき液の噴流口１３と格子状のアノード
電極３が設けられたカップ槽５を有しており、カップ槽
５のめっき液噴流口１３から循環用ポンプ１０によりめ
っき槽７内のめっき液９をアノード電極３を通して噴流
させ、ウェハ保持ピン１６上に被めっき面を下にして半
導体基板（以下、ウェハという）１を保持し、チャック
１７を有するカソード電極２をウェハ１に近接させて真
空吸着させ、めっき用電源４によりアノード電極３及び
カソード電極２間に電圧を印加して、ウェハ１の被めっ
き面に電解めっきを行うように構成されている。また、
８はヒータ、１１はフィルタ、１２は流量計、１８は温
調計、１９は温測抵抗体である。
【０００３】この種の噴流めっき装置は上述したよう
に、カップ槽５の噴流口１３よりポンプ１０によりめっ
き液９を噴流させているが、噴流口１３の形状が、カッ
プ槽５と同心円上にφ２０程度の小さな円形の流入口と
なっているため、図６に示すように、噴流口１３付近の
流速が速く、カップ槽５の中心部のみ、めっき液９がウ
ェハ１に向かって流れ、ウェハ１の被めっき面に当たっ
てオーバーフローするが、オーバーフローしなかっため
っき液９が、カップ槽５の外周部で矢印のように澱み、
乱流が発生しやすくなる。
に、カップ槽５の噴流口１３よりポンプ１０によりめっ
き液９を噴流させているが、噴流口１３の形状が、カッ
プ槽５と同心円上にφ２０程度の小さな円形の流入口と
なっているため、図６に示すように、噴流口１３付近の
流速が速く、カップ槽５の中心部のみ、めっき液９がウ
ェハ１に向かって流れ、ウェハ１の被めっき面に当たっ
てオーバーフローするが、オーバーフローしなかっため
っき液９が、カップ槽５の外周部で矢印のように澱み、
乱流が発生しやすくなる。
【０００４】このため、ウェハ１の外周部は、中心部よ
りも単位時間当たりのウェハ１の被めっき面に当たるめ
っき液９の液量が多くなり、電解によって運ばれる金属
イオンの量が増え、析出量が増えるため、厚くめっきさ
れ、図７に示すように、めっき膜厚がウェハ面内で大き
くばらつく傾向にあり、このときのバラツキが、３σ／
ｘで±３０％以上となっている。
りも単位時間当たりのウェハ１の被めっき面に当たるめ
っき液９の液量が多くなり、電解によって運ばれる金属
イオンの量が増え、析出量が増えるため、厚くめっきさ
れ、図７に示すように、めっき膜厚がウェハ面内で大き
くばらつく傾向にあり、このときのバラツキが、３σ／
ｘで±３０％以上となっている。
【０００５】この問題を解決するために、図８に示すよ
うに、カップ槽５内の格子状アノード電極３上に、カッ
プ槽５の側壁の一部を貫通し水平方向に移動可能な複数
枚の制御板１４を設け、カップ槽５内の周辺部に噴流す
るめっき液の流れを制御して、めっき膜厚の均一性向上
を目的とした噴流めっき装置とそのめっき方法が、例え
ば特開平８−１５８０９４５号公報に提案されている。
また、２０はＯリング、２２はＤＣモータ、２３はデジ
タルマイクロメータ、２４はモータドライブ、２５は制
御回路、２６は入力設定部、２７はアームである。
うに、カップ槽５内の格子状アノード電極３上に、カッ
プ槽５の側壁の一部を貫通し水平方向に移動可能な複数
枚の制御板１４を設け、カップ槽５内の周辺部に噴流す
るめっき液の流れを制御して、めっき膜厚の均一性向上
を目的とした噴流めっき装置とそのめっき方法が、例え
ば特開平８−１５８０９４５号公報に提案されている。
また、２０はＯリング、２２はＤＣモータ、２３はデジ
タルマイクロメータ、２４はモータドライブ、２５は制
御回路、２６は入力設定部、２７はアームである。
【０００６】また、図９に示すように、噴流口１３の上
側に整流器１５を設置し、中心部のめっき液９の流速を
減少させ、全体の流れを均一にすることにより、ウエハ
１の中心部とエッジ部とにおけるめっき厚さのバラツキ
を小さくさせる装置や、図１０に示すように、カップ槽
５の上側に位置するウェハ１をカソード電極２である回
転するチャック１７で真空保持し、全体を均一なめっき
厚にする装置が、例えば特開平２−２２５６９３号公報
に提案されている。
側に整流器１５を設置し、中心部のめっき液９の流速を
減少させ、全体の流れを均一にすることにより、ウエハ
１の中心部とエッジ部とにおけるめっき厚さのバラツキ
を小さくさせる装置や、図１０に示すように、カップ槽
５の上側に位置するウェハ１をカソード電極２である回
転するチャック１７で真空保持し、全体を均一なめっき
厚にする装置が、例えば特開平２−２２５６９３号公報
に提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示した従来例の噴流めっき装置の第１の問題点は、カッ
プ槽内のめっき液の流れを水平方向に移動可能な複数枚
の制御板を移動させる移動手段を設けているため、周辺
部に噴流するめっき液の流れを簡単に制御できるが、最
適な流速分布を得る条件出しに時間を要するという点に
ある。その理由は、制御板１４をＸ方向，Ｙ方向とも任
意に動かせる範囲が広いため、最適な流速分布がすぐ見
つかれば問題ないが、うまく行かない時の方が多いため
である。
示した従来例の噴流めっき装置の第１の問題点は、カッ
プ槽内のめっき液の流れを水平方向に移動可能な複数枚
の制御板を移動させる移動手段を設けているため、周辺
部に噴流するめっき液の流れを簡単に制御できるが、最
適な流速分布を得る条件出しに時間を要するという点に
ある。その理由は、制御板１４をＸ方向，Ｙ方向とも任
意に動かせる範囲が広いため、最適な流速分布がすぐ見
つかれば問題ないが、うまく行かない時の方が多いため
である。
【０００８】また図８に示した噴流めっき装置の第２の
問題点は、制御板１４の構造及び制御板を駆動するため
の回路が必要になるという点にある。その理由は、カッ
プ槽５の側壁の一部を貫通させて水平方向に移動可能な
ように設置するため、外部にめっき液９が漏れないよう
に、制御板１４を駆動する軸にＯリング２０の軸シール
を施したり、制御板１４を駆動するための入力設定部２
６，制御回路２５，モータドライブ回路２４，ＤＣモー
タ２２，リードスクリュ２１，デジタルマイクロメータ
２３，アーム２７を用いているため、構造及び駆動回路
が、かなり複雑となり、コストも高く、その保守も難し
いためである。
問題点は、制御板１４の構造及び制御板を駆動するため
の回路が必要になるという点にある。その理由は、カッ
プ槽５の側壁の一部を貫通させて水平方向に移動可能な
ように設置するため、外部にめっき液９が漏れないよう
に、制御板１４を駆動する軸にＯリング２０の軸シール
を施したり、制御板１４を駆動するための入力設定部２
６，制御回路２５，モータドライブ回路２４，ＤＣモー
タ２２，リードスクリュ２１，デジタルマイクロメータ
２３，アーム２７を用いているため、構造及び駆動回路
が、かなり複雑となり、コストも高く、その保守も難し
いためである。
【０００９】また、図９に示した従来例の噴流めっき装
置の第１の問題点は、めっき液９の流れを均一化し、最
適な流速分布を得られるように整流器１５の形状、大き
さ等の適正化に多大な時間を要することや、ウェハ１の
サイズの変化に対して、最適な流速を得る為の条件出し
にも時間がかかることにある。その理由は、整流器１５
を噴流口１３とアノード電極３の間に設置することは、
非常に困難が伴うものであり、その設置方法が複雑にな
るため、その部品点数が増えることで、交換に手間がか
かるためである。また、整流器を備えたカップ槽を製作
できたとしても、各種ウェハのサイズに適した流速が得
られるように、カップ槽を数セットもしくは数１０セッ
ト準備しなくてはならず、そのカップ槽の管理等の問題
が生じるためである。
置の第１の問題点は、めっき液９の流れを均一化し、最
適な流速分布を得られるように整流器１５の形状、大き
さ等の適正化に多大な時間を要することや、ウェハ１の
サイズの変化に対して、最適な流速を得る為の条件出し
にも時間がかかることにある。その理由は、整流器１５
を噴流口１３とアノード電極３の間に設置することは、
非常に困難が伴うものであり、その設置方法が複雑にな
るため、その部品点数が増えることで、交換に手間がか
かるためである。また、整流器を備えたカップ槽を製作
できたとしても、各種ウェハのサイズに適した流速が得
られるように、カップ槽を数セットもしくは数１０セッ
ト準備しなくてはならず、そのカップ槽の管理等の問題
が生じるためである。
【００１０】また図９に示した噴流めっき装置の第２の
問題点は、めっき膜厚のバラツキとして得られる結果が
９．５μｍから１０μｍの間で０．５μｍバラツキがあ
るという点にある。その理由は、バンプめっきとしての
バラツキであるならば、十分な範囲であるかも知れない
が、１μｍ以下のサブミクロンオーダのめっきを付ける
工程では、問題外のバラツキであるため、この従来の噴
流めっき装置は適用できないためである。
問題点は、めっき膜厚のバラツキとして得られる結果が
９．５μｍから１０μｍの間で０．５μｍバラツキがあ
るという点にある。その理由は、バンプめっきとしての
バラツキであるならば、十分な範囲であるかも知れない
が、１μｍ以下のサブミクロンオーダのめっきを付ける
工程では、問題外のバラツキであるため、この従来の噴
流めっき装置は適用できないためである。
【００１１】また図１０に示した従来例の噴流めっき装
置は、ウェハ１を回転させることにより、オーバーフロ
ーの不均一な流れがあったとしても、めっき液の流量分
布のばらつきを防止できることとなるが、めっき液の流
速が変わっている訳ではなく、カップ槽の構造は現状の
噴流めっき装置と何ら変わりはないため、オーバーフロ
ーしなかっためっき液が、カップ槽５の外周部で澱み、
乱流が発生するため、提案している内容ほどの効果は期
待できないという問題点があった。
置は、ウェハ１を回転させることにより、オーバーフロ
ーの不均一な流れがあったとしても、めっき液の流量分
布のばらつきを防止できることとなるが、めっき液の流
速が変わっている訳ではなく、カップ槽の構造は現状の
噴流めっき装置と何ら変わりはないため、オーバーフロ
ーしなかっためっき液が、カップ槽５の外周部で澱み、
乱流が発生するため、提案している内容ほどの効果は期
待できないという問題点があった。
【００１２】本発明の目的は、めっき膜厚がウェハ面内
を均一にし、１μｍ以下の膜厚でも正確にコントロール
することができる噴流めっき装置を提供することにあ
る。
を均一にし、１μｍ以下の膜厚でも正確にコントロール
することができる噴流めっき装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る噴流めっき装置は、カップ槽を有し、
噴流するめっき液にて半導体基板をめっきする噴流めっ
き装置であって、前記カップ槽は、めっき槽からのめっ
き液を噴流させるものであって、半導体基板の中央部と
外周部とで異るめっき液の流れを形成するものである。
め、本発明に係る噴流めっき装置は、カップ槽を有し、
噴流するめっき液にて半導体基板をめっきする噴流めっ
き装置であって、前記カップ槽は、めっき槽からのめっ
き液を噴流させるものであって、半導体基板の中央部と
外周部とで異るめっき液の流れを形成するものである。
【００１４】また前記カップ槽は、内外２重構造となっ
ており、内側のカップ槽は、中央部にノズルを有し、前
記内側のカップ槽は、半導体基板の中央部に向けためっ
き液の流れを形成するものであり、前記ノズルは、半導
体基板の中央部に接触して噴流するめっき液を回収する
ものであり、前記外側のカップ槽は、半導体基板の外周
部に向けためっき液の流れを形成するものであり、半導
体基板の外周部に接触して噴流するめっき液は、前記外
側のカップ槽の開口縁からオーバーフローさせて回収す
るものである。
ており、内側のカップ槽は、中央部にノズルを有し、前
記内側のカップ槽は、半導体基板の中央部に向けためっ
き液の流れを形成するものであり、前記ノズルは、半導
体基板の中央部に接触して噴流するめっき液を回収する
ものであり、前記外側のカップ槽は、半導体基板の外周
部に向けためっき液の流れを形成するものであり、半導
体基板の外周部に接触して噴流するめっき液は、前記外
側のカップ槽の開口縁からオーバーフローさせて回収す
るものである。
【００１５】また前記内側カップ槽内のノズルは、前記
内側カップ槽のめっき液面の高さより低い位置に開口し
たものである。
内側カップ槽のめっき液面の高さより低い位置に開口し
たものである。
【００１６】また前記内外のカップ槽間に形成されため
っき液の流路は、めっき液を層流に整流する噴流口を有
するものである。
っき液の流路は、めっき液を層流に整流する噴流口を有
するものである。
【００１７】また前記噴流口は、楕円形状の流入口とし
て形成されたものものである。
て形成されたものものである。
【００１８】また前記噴流口は、少なくとも３個以上に
分割して楕円形状に形成された流入口として構成された
ものものである。
分割して楕円形状に形成された流入口として構成された
ものものである。
【００１９】また亜硫酸ナトリウムを主成分としたノン
シアン系の金のイオンを有するめっき液を使用して、め
っきを行うものである。
シアン系の金のイオンを有するめっき液を使用して、め
っきを行うものである。
【００２０】
【作用】本発明に係る噴流めっき装置は、カップ槽を内
外２重構造にし、内外２重のカップ槽にてめっき液を半
導体基板の中央部と外周部とに分けて噴流させている。
このため、半導体基板の外周側と中央部に向けためっき
液の流速を別々にコントロールしながらめっきを行な
い、ウェハ面内のめっき膜厚を均一化することができ
る。
外２重構造にし、内外２重のカップ槽にてめっき液を半
導体基板の中央部と外周部とに分けて噴流させている。
このため、半導体基板の外周側と中央部に向けためっき
液の流速を別々にコントロールしながらめっきを行な
い、ウェハ面内のめっき膜厚を均一化することができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】図１において、本発明の実施形態におい
て、めっき液９をノンシアン系とし、めっき液温度を４
０〜６０℃の温度範囲に設定してめっきを行なうように
なっている。
て、めっき液９をノンシアン系とし、めっき液温度を４
０〜６０℃の温度範囲に設定してめっきを行なうように
なっている。
【００２３】さらに、本発明の実施形態におけるカップ
槽は、外周側のカップ槽５Ａと、カップ槽５Ａの中心部
に配置した内側のカップ槽５Ｂとの内外２重構造になっ
ており、内外のカップ槽５Ａ及び５Ｂ間を通して半導体
基板（以下、ウェハという）１の外周部１ａに向けため
っき液の流れを形成し、かつ内側のカップ槽５Ｂ内を通
してウェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流れを前
記めっき液の流れとは独立して形成するようにしたもの
である。
槽は、外周側のカップ槽５Ａと、カップ槽５Ａの中心部
に配置した内側のカップ槽５Ｂとの内外２重構造になっ
ており、内外のカップ槽５Ａ及び５Ｂ間を通して半導体
基板（以下、ウェハという）１の外周部１ａに向けため
っき液の流れを形成し、かつ内側のカップ槽５Ｂ内を通
してウェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流れを前
記めっき液の流れとは独立して形成するようにしたもの
である。
【００２４】次に、本発明の実施の形態の動作について
図１〜図３を参照して詳細に説明する。
図１〜図３を参照して詳細に説明する。
【００２５】図１において、めっき槽７内で４２℃まで
加温されためっき液９は、インバータ制御（設定流量に
合わせて、ポンプの入力電圧の周波数を変える）した２
個のポンプ１０Ａ，１０Ｂでフィルタ１１Ａ，１１Ｂ、
流量計１２Ａ，１２Ｂを通って、カップ槽５Ａ，５Ｂの
噴流口１３に供給される。
加温されためっき液９は、インバータ制御（設定流量に
合わせて、ポンプの入力電圧の周波数を変える）した２
個のポンプ１０Ａ，１０Ｂでフィルタ１１Ａ，１１Ｂ、
流量計１２Ａ，１２Ｂを通って、カップ槽５Ａ，５Ｂの
噴流口１３に供給される。
【００２６】図２及び図３に示すように、ポンプ１０Ａ
で供給されためっき液は、内外のカップ槽５Ａ，５Ｂ間
を通してカップ槽５Ａに噴流し、ポンプ１０Ｂで供給さ
れためっき液は、カップ槽５Ｂに噴流し、内外のカップ
槽５Ａ及び５Ｂ間を通してウェハ１の外周部１ａに向け
ためっき液の流れが形成され、かつ内側のカップ槽５Ｂ
内を通してウェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流
れを前記めっき液の流れとは独立して形成される。
で供給されためっき液は、内外のカップ槽５Ａ，５Ｂ間
を通してカップ槽５Ａに噴流し、ポンプ１０Ｂで供給さ
れためっき液は、カップ槽５Ｂに噴流し、内外のカップ
槽５Ａ及び５Ｂ間を通してウェハ１の外周部１ａに向け
ためっき液の流れが形成され、かつ内側のカップ槽５Ｂ
内を通してウェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流
れを前記めっき液の流れとは独立して形成される。
【００２７】噴流しためっき液は、アノード電極３を通
り、ウェハ１の被めっき面に接触し、カップ槽５Ａ内の
めっき液は、カップ槽５Ａの開口縁から外側にオーバー
フローし、回収槽５Ｃを通してめっき槽７内に回収され
る。一方、カップ槽５Ｂ内のめっき液は、カップ槽５Ｂ
の外側に漏出することなく、カップ槽５Ｂの中央部に設
置したノズル６を通してめっき槽７内に回収する。
り、ウェハ１の被めっき面に接触し、カップ槽５Ａ内の
めっき液は、カップ槽５Ａの開口縁から外側にオーバー
フローし、回収槽５Ｃを通してめっき槽７内に回収され
る。一方、カップ槽５Ｂ内のめっき液は、カップ槽５Ｂ
の外側に漏出することなく、カップ槽５Ｂの中央部に設
置したノズル６を通してめっき槽７内に回収する。
【００２８】以上のように、ウェハ１の中央部１ｂと外
周部１ａとに分けてめっき液の流れを形成した状態を維
持し、めっき用電源４によりアノード電極３及びカソー
ド電極２との間に電圧を印加し、ウェハ１の被めっき面
に電解めっきを行う。
周部１ａとに分けてめっき液の流れを形成した状態を維
持し、めっき用電源４によりアノード電極３及びカソー
ド電極２との間に電圧を印加し、ウェハ１の被めっき面
に電解めっきを行う。
【００２９】本発明によれば、カップ槽を内外２重構造
とし、半導体基板の中央部と外周部とにめっき液を別々
に噴流させているため、これらのめっき液の流速を別々
にコントロールしながらめっきをすることができ、１μ
ｍ以下のサブミクロンオーダの膜厚でも均一なめっき膜
厚を得ることができる。
とし、半導体基板の中央部と外周部とにめっき液を別々
に噴流させているため、これらのめっき液の流速を別々
にコントロールしながらめっきをすることができ、１μ
ｍ以下のサブミクロンオーダの膜厚でも均一なめっき膜
厚を得ることができる。
【００３０】（実施例１）次に、本発明の実施形態に係
る噴流めっき装置の具体例を実施例１として説明する。
図１は、本発明の実施例１に係る噴流めっき装置を示す
構成図、図２は、カップ槽の噴流口を示す断面図であ
る。
る噴流めっき装置の具体例を実施例１として説明する。
図１は、本発明の実施例１に係る噴流めっき装置を示す
構成図、図２は、カップ槽の噴流口を示す断面図であ
る。
【００３１】図１に示すように、本発明の実施例１に係
るめっき装置は、カップ槽５Ａ及び５Ｂ内に水平に設け
られた格子状のアノード電極３と、カップ槽５Ａの開口
縁に設けられたウェハ保持ピン１６上にウェハ１の被め
っき面を下方にして保持し、チャック１７を有するカソ
ード電極２をウェハ１の裏面に近接させて真空吸着さ
せ、めっき用電源４によりアノード電極３とカソード電
極２との間に電圧を印加し、ウェハ１の被めっき面に電
解めっきを行なうめっき装置を対象とするものである。
るめっき装置は、カップ槽５Ａ及び５Ｂ内に水平に設け
られた格子状のアノード電極３と、カップ槽５Ａの開口
縁に設けられたウェハ保持ピン１６上にウェハ１の被め
っき面を下方にして保持し、チャック１７を有するカソ
ード電極２をウェハ１の裏面に近接させて真空吸着さ
せ、めっき用電源４によりアノード電極３とカソード電
極２との間に電圧を印加し、ウェハ１の被めっき面に電
解めっきを行なうめっき装置を対象とするものである。
【００３２】本発明の実施例１において、カップ槽は、
内外２重構造としたカップ槽５Ａ，５Ｂとからなってお
り、内側のカップ槽５Ｂは、中央部にノズル６を鉛直に
配置して有している。そして、内側のカップ槽５Ｂは、
ウェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流れを形成す
るようになっており、ノズル６は、カップ槽５Ａの開口
縁の高さ位置より若干低い位置に開口し、ウェハ１の中
央部１ｂに接触して噴流するめっき液を回収するように
なっている。また、外側のカップ槽５Ａは、ウェハ１の
外周部１ａに向けためっき液の流れを形成するようにな
っており、ウェハ１の外周部１ａに接触して噴流するめ
っき液は、外側のカップ槽５Ａの開口縁からオーバーフ
ローさせて回収槽５Ｃを通してめっき槽７内に回収よう
になっている。
内外２重構造としたカップ槽５Ａ，５Ｂとからなってお
り、内側のカップ槽５Ｂは、中央部にノズル６を鉛直に
配置して有している。そして、内側のカップ槽５Ｂは、
ウェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流れを形成す
るようになっており、ノズル６は、カップ槽５Ａの開口
縁の高さ位置より若干低い位置に開口し、ウェハ１の中
央部１ｂに接触して噴流するめっき液を回収するように
なっている。また、外側のカップ槽５Ａは、ウェハ１の
外周部１ａに向けためっき液の流れを形成するようにな
っており、ウェハ１の外周部１ａに接触して噴流するめ
っき液は、外側のカップ槽５Ａの開口縁からオーバーフ
ローさせて回収槽５Ｃを通してめっき槽７内に回収よう
になっている。
【００３３】また図１及び図２に示すように、内外２重
構造のカップ槽５Ａ，５Ｂは、下部に噴流口１３を有し
ており、それぞれの噴流口１３は、流量計１２Ａ，１２
Ｂ、フィルタ１１Ａ，１１Ｂ、ポンプ１０Ａ，１０Ｂを
介してめっき槽７に接続されている。めっき槽７内のめ
っき液９は、ヒータ８，温調抵抗体１９及び温調計１８
を使って温調されている。さらに、内外のカップ槽５
Ａ，５Ｂは、噴流口側から上方に向けて漏斗状に拡径さ
れ、その上部が同径の胴部となった筒状を構成してい
る。内側のカップ槽５Ｂの噴流口１３は図２に示すよう
に、円形状の流入口２８ａとして形成され、その中央部
にノズル６が設置されている。一方、外側のカップ槽５
Ｂの噴流口１３は図２に示すように、内側のカップ槽５
Ａと外側のカップ槽５Ｂとの間に位置し、複数の楕円形
状の流入口２８ｂとして形成されている。
構造のカップ槽５Ａ，５Ｂは、下部に噴流口１３を有し
ており、それぞれの噴流口１３は、流量計１２Ａ，１２
Ｂ、フィルタ１１Ａ，１１Ｂ、ポンプ１０Ａ，１０Ｂを
介してめっき槽７に接続されている。めっき槽７内のめ
っき液９は、ヒータ８，温調抵抗体１９及び温調計１８
を使って温調されている。さらに、内外のカップ槽５
Ａ，５Ｂは、噴流口側から上方に向けて漏斗状に拡径さ
れ、その上部が同径の胴部となった筒状を構成してい
る。内側のカップ槽５Ｂの噴流口１３は図２に示すよう
に、円形状の流入口２８ａとして形成され、その中央部
にノズル６が設置されている。一方、外側のカップ槽５
Ｂの噴流口１３は図２に示すように、内側のカップ槽５
Ａと外側のカップ槽５Ｂとの間に位置し、複数の楕円形
状の流入口２８ｂとして形成されている。
【００３４】図に示すように外側のカップ槽５Ｂの噴流
口１３は、複数の楕円形状の流入口２８ｂであるため、
カップ槽５Ｂの噴流口を流れるめっき液の流速が分散
し、層流となってウエハ１の被めっき面に均一に接触し
オーバーフローする。また内側のカップ槽５Ａの噴流口
１３から噴流するめっき液は、ノズル６により流入口２
８ａの面積が縮小されているため、速い流速でウェハ１
に向かって流れるが、カップ槽５Ａの開口縁によって外
側にオーバーフローすることが規制され、ノズル６の開
口縁に流れ込んで回収されるため、外側のめっきに影響
を与えない。このため、ウエハ１の外周部１ａと中央部
１ｂとに向かうめっき液の流速を別々にコントロールし
ながらめっきを行ない、ウェハ面内のめっき膜厚を均一
化することが可能となる。
口１３は、複数の楕円形状の流入口２８ｂであるため、
カップ槽５Ｂの噴流口を流れるめっき液の流速が分散
し、層流となってウエハ１の被めっき面に均一に接触し
オーバーフローする。また内側のカップ槽５Ａの噴流口
１３から噴流するめっき液は、ノズル６により流入口２
８ａの面積が縮小されているため、速い流速でウェハ１
に向かって流れるが、カップ槽５Ａの開口縁によって外
側にオーバーフローすることが規制され、ノズル６の開
口縁に流れ込んで回収されるため、外側のめっきに影響
を与えない。このため、ウエハ１の外周部１ａと中央部
１ｂとに向かうめっき液の流速を別々にコントロールし
ながらめっきを行ない、ウェハ面内のめっき膜厚を均一
化することが可能となる。
【００３５】なお、カップ槽５Ａ，５Ｂはプラスチック
材で形成される。その材料としては現状のカップ槽と同
じポリプロピレン（ＰＰ）または塩化ビニル（ＰＶ
Ｃ）、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）及びポリフッ
化ビニリデン（ＰＶＤＦ）のようなめっき液の主成分で
ある亜流酸ナトリウムに浸食されず、４２℃で使用でき
るプラスチック材が望ましい。
材で形成される。その材料としては現状のカップ槽と同
じポリプロピレン（ＰＰ）または塩化ビニル（ＰＶ
Ｃ）、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）及びポリフッ
化ビニリデン（ＰＶＤＦ）のようなめっき液の主成分で
ある亜流酸ナトリウムに浸食されず、４２℃で使用でき
るプラスチック材が望ましい。
【００３６】また、めっき槽７は、カップ槽５Ａより回
収槽５Ｃを通してオーバーフローしためっき液９とノズ
ル６に回収されためっき液９を戻し、液温調整されため
っき液９を再び、カップ槽に供給するものであり、温調
計１８とヒータ８を有し、温調計１８は、めっき槽７内
のめっき液９の液温を温測抵抗体１９により測定し、制
御信号をヒータ８に出力する。ヒータ８は温調計１８か
らの制御信号を入力し、めっき液９を加熱して適温に合
わせる。温調されためっき液９はインバータ制御の循環
ポンプ１０Ａ，Ｂによりカップ槽５Ａ，Ｂ内へ送られ
る。カップ槽からオーバーフロー又はノズル６にて回収
されためっき液９はめっき槽７へ戻る。
収槽５Ｃを通してオーバーフローしためっき液９とノズ
ル６に回収されためっき液９を戻し、液温調整されため
っき液９を再び、カップ槽に供給するものであり、温調
計１８とヒータ８を有し、温調計１８は、めっき槽７内
のめっき液９の液温を温測抵抗体１９により測定し、制
御信号をヒータ８に出力する。ヒータ８は温調計１８か
らの制御信号を入力し、めっき液９を加熱して適温に合
わせる。温調されためっき液９はインバータ制御の循環
ポンプ１０Ａ，Ｂによりカップ槽５Ａ，Ｂ内へ送られ
る。カップ槽からオーバーフロー又はノズル６にて回収
されためっき液９はめっき槽７へ戻る。
【００３７】また、めっき液が循環する配管に設置され
た流量計１２Ａ及び１２Ｂは、めっき液の噴流流量をモ
ニタし、制御信号を循環ポンプ１０Ａ及び１０Ｂのイン
バータ回路に出力し、噴流流量を制御している。また、
配管に設置されたカートリッジ型のフィルタ１１Ａ及び
１１Ｂは、めっき液中のダスト等がウェハのめっき皮膜
に付着しないように、０．５μｍ程度の孔径を使用して
精密に濾過するよう構成されている。
た流量計１２Ａ及び１２Ｂは、めっき液の噴流流量をモ
ニタし、制御信号を循環ポンプ１０Ａ及び１０Ｂのイン
バータ回路に出力し、噴流流量を制御している。また、
配管に設置されたカートリッジ型のフィルタ１１Ａ及び
１１Ｂは、めっき液中のダスト等がウェハのめっき皮膜
に付着しないように、０．５μｍ程度の孔径を使用して
精密に濾過するよう構成されている。
【００３８】図１に示す実施例１において、めっき槽７
内で４２℃まで加温されためっき液９は、インバータ制
御（設定流量に合わせて、ポンプの入力電圧の周波数を
変える）した２個のポンプ１０Ａ，１０Ｂでフィルタ１
１Ａ，１１Ｂ、流量計１２Ａ，１２Ｂを通って、カップ
槽５Ａ，５Ｂの噴流口１３に供給される。
内で４２℃まで加温されためっき液９は、インバータ制
御（設定流量に合わせて、ポンプの入力電圧の周波数を
変える）した２個のポンプ１０Ａ，１０Ｂでフィルタ１
１Ａ，１１Ｂ、流量計１２Ａ，１２Ｂを通って、カップ
槽５Ａ，５Ｂの噴流口１３に供給される。
【００３９】図２及び図３に示すように、ポンプ１０Ａ
で供給されためっき液は、外側のカップ槽５Ｂの流入口
２８ｂを通してカップ槽５Ｂに噴流し、ポンプ１０Ｂで
供給されためっき液は、流入口２８ａを通してカップ槽
５Ａに噴流し、内外のカップ槽５Ａ及び５Ｂ間を通して
ウェハ１の外周部１ａに向けためっき液の流れが形成さ
れ、かつ内側のカップ槽５Ｂ内を通してウェハ１の中央
部１ｂに向けためっき液の流れを前記めっき液の流れと
は独立して形成される。
で供給されためっき液は、外側のカップ槽５Ｂの流入口
２８ｂを通してカップ槽５Ｂに噴流し、ポンプ１０Ｂで
供給されためっき液は、流入口２８ａを通してカップ槽
５Ａに噴流し、内外のカップ槽５Ａ及び５Ｂ間を通して
ウェハ１の外周部１ａに向けためっき液の流れが形成さ
れ、かつ内側のカップ槽５Ｂ内を通してウェハ１の中央
部１ｂに向けためっき液の流れを前記めっき液の流れと
は独立して形成される。
【００４０】噴流しためっき液は、アノード電極３を通
り、ウェハ１の被めっき面に接触し、オーバーフローし
て回収槽５Ｃを通してめっき槽７内に回収される。一
方、カップ槽５Ｂ内のめっき液は、カップ槽５Ｂの外側
に漏出することなく、カップ槽５Ｂの中央部に設置した
ノズル６を通してめっき槽７内に回収される。なお、め
っき液９は、亜酸ナトリウムを主成分としたノンシアン
系の金のイオンを有するめっき液を使用する。
り、ウェハ１の被めっき面に接触し、オーバーフローし
て回収槽５Ｃを通してめっき槽７内に回収される。一
方、カップ槽５Ｂ内のめっき液は、カップ槽５Ｂの外側
に漏出することなく、カップ槽５Ｂの中央部に設置した
ノズル６を通してめっき槽７内に回収される。なお、め
っき液９は、亜酸ナトリウムを主成分としたノンシアン
系の金のイオンを有するめっき液を使用する。
【００４１】以上のように本発明の実施例１によれば、
カップ槽を内外２重構造とし、めっき液を内外のカップ
槽５Ａ，５Ｂ間を通してカップ槽５Ａに噴流するととも
に、カップ槽５Ｂに噴流し、内外のカップ槽５Ａ及び５
Ｂ間を通してウェハ１の外周部１ａに向けためっき液の
流れを形成され、かつ内側のカップ槽５Ｂ内を通してウ
ェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流れを前記めっ
き液の流れとは独立して形成することにより、それぞれ
のめっき液の流速を別々にコントロールしながらめっき
をすることができ、これにより、図５に示すように１μ
ｍ以下のサブミクロンオーダの膜厚でも均一なめっき膜
厚を得ることができる。具体的にはバラツキ３σ／ｘで
±１０％以下に押さえることができる。
カップ槽を内外２重構造とし、めっき液を内外のカップ
槽５Ａ，５Ｂ間を通してカップ槽５Ａに噴流するととも
に、カップ槽５Ｂに噴流し、内外のカップ槽５Ａ及び５
Ｂ間を通してウェハ１の外周部１ａに向けためっき液の
流れを形成され、かつ内側のカップ槽５Ｂ内を通してウ
ェハ１の中央部１ｂに向けためっき液の流れを前記めっ
き液の流れとは独立して形成することにより、それぞれ
のめっき液の流速を別々にコントロールしながらめっき
をすることができ、これにより、図５に示すように１μ
ｍ以下のサブミクロンオーダの膜厚でも均一なめっき膜
厚を得ることができる。具体的にはバラツキ３σ／ｘで
±１０％以下に押さえることができる。
【００４２】さらに、最適な流速分布を得るための条件
出しが簡単であり、これにより、ウェハサイズが変わる
等の条件の変更にも即座に対応することができる。
出しが簡単であり、これにより、ウェハサイズが変わる
等の条件の変更にも即座に対応することができる。
【００４３】その理由は、最適な流速分布を得られる構
造になっており、２個のホンプの噴流量を制御するだけ
で条件出しができるからである。すなわち、図８の従来
例ように、制御板をＸ方向，Ｙ方向に任意に動かして、
最適流量を得る方法や、図９のように、いくつかの整流
器を準備して条件出しをするような、手間がかからない
ためである。
造になっており、２個のホンプの噴流量を制御するだけ
で条件出しができるからである。すなわち、図８の従来
例ように、制御板をＸ方向，Ｙ方向に任意に動かして、
最適流量を得る方法や、図９のように、いくつかの整流
器を準備して条件出しをするような、手間がかからない
ためである。
【００４４】なお、実施例１で述べた噴流口１３は、図
示した構造のものに限らず、外側の流入口２８ｂの数を
３個〜複数個まで増やすことも可能であり、又、アノー
ド電極３及びカソード電極２間に電圧を印加するめっき
用電源４は、直流のみならずパルス電流の定電流パルス
及び逆電流パルスを通電することができる電源を用いる
ことも可能である。また、カップ槽の材質は、ポリプロ
ピレンに限らず、塩化ビニル（ＰＶＣ）、四フッ化エチ
レン樹脂（ＰＴＦＥ）及びポリフッ化ビニリデン（ＰＶ
ＤＦ）のようなめっき液の主成分である亜流酸ナトリウ
ムに浸食されないプラスチック材を適用することも可能
である。
示した構造のものに限らず、外側の流入口２８ｂの数を
３個〜複数個まで増やすことも可能であり、又、アノー
ド電極３及びカソード電極２間に電圧を印加するめっき
用電源４は、直流のみならずパルス電流の定電流パルス
及び逆電流パルスを通電することができる電源を用いる
ことも可能である。また、カップ槽の材質は、ポリプロ
ピレンに限らず、塩化ビニル（ＰＶＣ）、四フッ化エチ
レン樹脂（ＰＴＦＥ）及びポリフッ化ビニリデン（ＰＶ
ＤＦ）のようなめっき液の主成分である亜流酸ナトリウ
ムに浸食されないプラスチック材を適用することも可能
である。
【００４５】また、図３に示すように、内側のカップ槽
５Ｂの上部開口縁５Ｂ1を内側に縮径してめっき液が外
側のカップ槽５Ａ側に漏出するのをさらに防止するよう
にしてもよい。
５Ｂの上部開口縁５Ｂ1を内側に縮径してめっき液が外
側のカップ槽５Ａ側に漏出するのをさらに防止するよう
にしてもよい。
【００４６】（実施例２）次に、本発明の実施例２につ
いて図面を参照して詳細に説明する。図４は、本発明の
実施例２を示す図である。
いて図面を参照して詳細に説明する。図４は、本発明の
実施例２を示す図である。
【００４７】図４に示す実施例２では、カップ槽５Ａ及
び５Ｂの上部に設けられたウェハ保持ピン１６の変わり
にカソード電極ピン２’を少なくとも３個以上有し、ウ
ェハ１の被めっき面を下にして導通させ、めっき用電源
４によりアノード電極３及びカソード電極ピン２’間に
電圧を印加し、ウェハの被めっき面に電解めっきを行う
ように構成したものである。
び５Ｂの上部に設けられたウェハ保持ピン１６の変わり
にカソード電極ピン２’を少なくとも３個以上有し、ウ
ェハ１の被めっき面を下にして導通させ、めっき用電源
４によりアノード電極３及びカソード電極ピン２’間に
電圧を印加し、ウェハの被めっき面に電解めっきを行う
ように構成したものである。
【００４８】実施例２に示すカソード電極ピン２’は、
図示の構造に限らず、カソード電極ピンでウェハの側面
から押さえつけて導通させたり、ピンを使わず、通電可
能なクリップ等で挾む構成とすることも可能である。
図示の構造に限らず、カソード電極ピンでウェハの側面
から押さえつけて導通させたり、ピンを使わず、通電可
能なクリップ等で挾む構成とすることも可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、カ
ップ槽を内外２重構造とし、半導体基板の中央部と外周
部とにめっき液を別々に噴流させているため、これらの
めっき液の流速を別々にコントロールしながらめっきを
することができ、１μｍ以下のサブミクロンオーダの膜
厚でも均一なめっき膜厚を得ることができる。
ップ槽を内外２重構造とし、半導体基板の中央部と外周
部とにめっき液を別々に噴流させているため、これらの
めっき液の流速を別々にコントロールしながらめっきを
することができ、１μｍ以下のサブミクロンオーダの膜
厚でも均一なめっき膜厚を得ることができる。
【００５０】さらに、最適な流速分布を得るための条件
出しが簡単であり、これにより、ウェハサイズが変わる
等の条件の変更にも即座に対応することができる。
出しが簡単であり、これにより、ウェハサイズが変わる
等の条件の変更にも即座に対応することができる。
【００５１】その理由は、最適な流速分布を得られる構
造になっており、２個のホンプの噴流量を制御するだけ
で条件出しができるからである。すなわち、図８の従来
例ように、制御板をＸ方向，Ｙ方向に任意に動かして、
最適流量を得る方法や、図９のように、いくつかの整流
器を準備して条件出しをするような、手間がかからない
ためである。
造になっており、２個のホンプの噴流量を制御するだけ
で条件出しができるからである。すなわち、図８の従来
例ように、制御板をＸ方向，Ｙ方向に任意に動かして、
最適流量を得る方法や、図９のように、いくつかの整流
器を準備して条件出しをするような、手間がかからない
ためである。
【００５２】さらに、複雑な回路や流速を制御する為の
部品点数をあまり増やす必要がなく、これにより、保守
やカップ槽の洗浄及び交換が簡単にできる。
部品点数をあまり増やす必要がなく、これにより、保守
やカップ槽の洗浄及び交換が簡単にできる。
【００５３】その理由は、流速を制御するための回路を
増やすことなく、ポンプを１個追加しているだけであ
り、又、カップ槽が一体化しているため、交換が楽に行
えるからである。すなわち、図８の従来例のように、カ
ップ槽を交換するために、制御板を外したり、定期的に
制御板を駆動する軸のＯリングの交換をする等、又、図
９の従来例のように、設置が難しい整流器を取り外す必
要がないためである。
増やすことなく、ポンプを１個追加しているだけであ
り、又、カップ槽が一体化しているため、交換が楽に行
えるからである。すなわち、図８の従来例のように、カ
ップ槽を交換するために、制御板を外したり、定期的に
制御板を駆動する軸のＯリングの交換をする等、又、図
９の従来例のように、設置が難しい整流器を取り外す必
要がないためである。
【図１】本発明の実施例１に係る噴流めっき装置を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】噴流口を示す断面図である。
【図３】別の内外２重構造のカップ槽を示す構成図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例２を示す構成図である。
【図５】本発明の実施例により得られるめっき膜厚の分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図６】従来の噴流めっき装置のめっき液の流れを示す
図である。
図である。
【図７】従来例により得られるめっき膜厚の分布を示す
図である。
図である。
【図８】従来例を示す図である。
【図９】別の従来例を示す図である。
【図１０】別の従来例を示す図である。
【図１１】一般的な噴流めっき装置を示す構成図であ
る。
る。
１ ウェハ ２ カソード電極 ２’ カソード電極ピン ３ アノード電極 ４ めっき用電源 ５Ａ，５Ｂ カップ槽 ６ ノズル ７ めっき槽 ８ ヒータ ９ めっき液 １０Ａ，１０Ｂ ポンプ １１Ａ，１１Ｂ フィルタ １２Ａ，１２Ｂ 流量計 １３ 噴流口 １６ ウェハ保持ピン １７ チャック １８ 温調計 １９ 温測抵抗体
Claims (7)
- 【請求項１】 カップ槽を有し、噴流するめっき液にて
半導体基板をめっきする噴流めっき装置であって、 前記カップ槽は、めっき槽からのめっき液を噴流させる
ものであって、半導体基板の中央部と外周部とで異るめ
っき液の流れを形成するものであることを特徴とする噴
流めっき装置。 - 【請求項２】 前記カップ槽は、内外２重構造となって
おり、内側のカップ槽は、中央部にノズルを有し、 前記内側のカップ槽は、半導体基板の中央部に向けため
っき液の流れを形成するものであり、前記ノズルは、半
導体基板の中央部に接触して噴流するめっき液を回収す
るものであり、 前記外側のカップ槽は、半導体基板の外周部に向けため
っき液の流れを形成するものであり、半導体基板の外周
部に接触して噴流するめっき液は、前記外側のカップ槽
の開口縁からオーバーフローさせて回収するものである
ことを特徴とする請求項１に記載の噴流めっき装置。 - 【請求項３】 前記内側カップ槽内のノズルは、前記内
側カップ槽のめっき液面の高さより低い位置に開口した
ものであることを特徴とする請求項２に記載の噴流めっ
き装置。 - 【請求項４】 前記内外のカップ槽間に形成されためっ
き液の流路は、めっき液を層流に整流する噴流口を有す
るものであることを特徴とする請求項２に記載の噴流め
っき装置。 - 【請求項５】 前記噴流口は、楕円形状の流入口として
形成されたものものであることを特徴とする請求項４に
記載の噴流めっき装置。 - 【請求項６】 前記噴流口は、少なくとも３個以上に分
割して楕円形状に形成された流入口として構成されたも
のものであることを特徴とする請求項５に記載の噴流め
っき装置。 - 【請求項７】 亜硫酸ナトリウムを主成分としたノンシ
アン系の金のイオンを有するめっき液を使用して、めっ
きを行うものであることを特徴とする請求項１に記載の
噴流めっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19433697A JP3223850B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 噴流めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19433697A JP3223850B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 噴流めっき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1136096A true JPH1136096A (ja) | 1999-02-09 |
| JP3223850B2 JP3223850B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=16322902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19433697A Expired - Fee Related JP3223850B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 噴流めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223850B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503766A (ja) * | 1998-02-12 | 2002-02-05 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | メッキ設備及び方法 |
| JP2012007201A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | めっき装置 |
| CN107761144A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-06 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种带杯led引线框架的连续电镀装置 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19433697A patent/JP3223850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503766A (ja) * | 1998-02-12 | 2002-02-05 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | メッキ設備及び方法 |
| JP2012007201A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | めっき装置 |
| CN107761144A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-06 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种带杯led引线框架的连续电镀装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3223850B2 (ja) | 2001-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10053792B2 (en) | Plating cup with contoured cup bottom | |
| CN111748835B (zh) | 在电镀期间横流歧管的动态调节 | |
| US7427338B2 (en) | Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system | |
| JP4219562B2 (ja) | ワークピースを電気化学的に処理するためのシステム | |
| JP6999195B2 (ja) | めっき装置 | |
| TWI667374B (zh) | 用於電鍍槽中之均勻流動行為的方法 | |
| CN111032927A (zh) | 用于在电镀期间流动隔离和聚焦的方法和装置 | |
| TW201706461A (zh) | 用於超高每分鐘轉數電鍍之幾何與程序最佳化 | |
| JPH1022254A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3223850B2 (ja) | 噴流めっき装置 | |
| CN210040143U (zh) | 一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置 | |
| US11585007B2 (en) | Cross flow conduit for foaming prevention in high convection plating cells | |
| JP2019528378A (ja) | 基板に垂直電気金属成膜を行うための装置 | |
| JP4759834B2 (ja) | フィルムキャリア用電気めっき装置 | |
| KR101426373B1 (ko) | 기판 도금 장치 | |
| TWI810250B (zh) | 電鍍裝置 | |
| JP2624200B2 (ja) | 噴流式電解メッキ装置及びメッキ方法 | |
| JP2641594B2 (ja) | メッキ装置 | |
| CN210215601U (zh) | 一种有源阳极和一种用于在衬底上电镀金属的电镀装置 | |
| JP7086317B1 (ja) | めっき処理方法 | |
| KR101398437B1 (ko) | 기판 도금 장치 | |
| JPH086037Y2 (ja) | 電解めっき装置 | |
| TW202242204A (zh) | 電化學電鍍設備 | |
| JPH07142425A (ja) | 噴流式電解メッキ装置 | |
| KR20050094083A (ko) | 균일두께의 도금층을 갖게 하는 전기도금방법 및 그도금장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 9 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |