JPH07142425A - 噴流式電解メッキ装置 - Google Patents
噴流式電解メッキ装置Info
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- JPH07142425A JPH07142425A JP5284997A JP28499793A JPH07142425A JP H07142425 A JPH07142425 A JP H07142425A JP 5284997 A JP5284997 A JP 5284997A JP 28499793 A JP28499793 A JP 28499793A JP H07142425 A JPH07142425 A JP H07142425A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハ上に電解メッキを施すメッキ装
置において、半導体ウェハ面内でのメッキ膜厚の均一
性、及びメッキの表面状態の安定化を目的とする。 【構成】 半導体ウェハ１を真空吸着するカソード電極
２と対向するアノード電極３を有し、メッキ液１２が温
調されて噴流カップ槽５に循環され、半導体ウェハ１と
接触する。アノード電極３とカソード電極２とにメッキ
用電源４から電圧を印加し、電解メッキを行う。その電
解メッキ処理に際し、カソード電極２内のヒータ１７に
より半導体ウェハ１の温度を制御する。
置において、半導体ウェハ面内でのメッキ膜厚の均一
性、及びメッキの表面状態の安定化を目的とする。 【構成】 半導体ウェハ１を真空吸着するカソード電極
２と対向するアノード電極３を有し、メッキ液１２が温
調されて噴流カップ槽５に循環され、半導体ウェハ１と
接触する。アノード電極３とカソード電極２とにメッキ
用電源４から電圧を印加し、電解メッキを行う。その電
解メッキ処理に際し、カソード電極２内のヒータ１７に
より半導体ウェハ１の温度を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に半導体ウェハ上にメッキを行う噴流式電解メッ
キ装置に関する。
し、特に半導体ウェハ上にメッキを行う噴流式電解メッ
キ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の噴流式電解メッキ装置は図５に示
すように、メッキ液導入口とアノード電極２７が設けら
れた噴流カップ槽２９を備えており、噴流カップ槽２９
の底部より循環ポンプ３０によってメッキ液をアノード
電極２７を通して噴流させる。半導体ウェハ３１は、噴
流カップ槽２９の上部に近接して処理すべき面を下にし
て置かれ、半導体ウェハ３１は、上方のカソード電極２
８とコンタクトがとられ、メッキ用電源３２によりアノ
ード及びカソード電極２７及び２８間に電圧を印加して
半導体ウェハ３１の電解メッキを行うようになってい
た。
すように、メッキ液導入口とアノード電極２７が設けら
れた噴流カップ槽２９を備えており、噴流カップ槽２９
の底部より循環ポンプ３０によってメッキ液をアノード
電極２７を通して噴流させる。半導体ウェハ３１は、噴
流カップ槽２９の上部に近接して処理すべき面を下にし
て置かれ、半導体ウェハ３１は、上方のカソード電極２
８とコンタクトがとられ、メッキ用電源３２によりアノ
ード及びカソード電極２７及び２８間に電圧を印加して
半導体ウェハ３１の電解メッキを行うようになってい
た。
【０００３】この種の噴流式電解メッキ装置において
は、メッキの膜厚分布を均一化するため、半導体ウェハ
を自公転させ、半導体ウェハ面内で噴流メッキ流速を均
一となるようにした装置（実開平３−１４１５６号公報
参照）や、噴流カップ槽内に整流板を設け、半導体ウェ
ハに当たる噴流メッキ流速を変化させ、半導体ウェハの
中心部分の流速を上げるようにした装置（実開平３−３
４０６４号公報参照）があった。
は、メッキの膜厚分布を均一化するため、半導体ウェハ
を自公転させ、半導体ウェハ面内で噴流メッキ流速を均
一となるようにした装置（実開平３−１４１５６号公報
参照）や、噴流カップ槽内に整流板を設け、半導体ウェ
ハに当たる噴流メッキ流速を変化させ、半導体ウェハの
中心部分の流速を上げるようにした装置（実開平３−３
４０６４号公報参照）があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のメッキ装置
では、半導体ウェハに当たるメッキ液の流速を制御して
いるが、半導体ウェハ上のメッキ厚分布が必ずしも良好
にならず、均一性の向上になっていないという問題点が
あった。これは、電解メッキの重要なパラメータの１つ
であるメッキ液温が半導体ウェハ上で不安定となり、し
かも半導体ウェハの温度分布が一定しないことよるもの
であると考えられる。
では、半導体ウェハに当たるメッキ液の流速を制御して
いるが、半導体ウェハ上のメッキ厚分布が必ずしも良好
にならず、均一性の向上になっていないという問題点が
あった。これは、電解メッキの重要なパラメータの１つ
であるメッキ液温が半導体ウェハ上で不安定となり、し
かも半導体ウェハの温度分布が一定しないことよるもの
であると考えられる。
【０００５】さらに、半導体ウェハのメッキ性能上の重
要な課題であるメッキの表面状態（メッキの光沢等）の
安定化には、メッキ液の流速の適正化だけでは不十分で
あり、メッキ表面のアレを生じてしまうという問題も発
生していた。
要な課題であるメッキの表面状態（メッキの光沢等）の
安定化には、メッキ液の流速の適正化だけでは不十分で
あり、メッキ表面のアレを生じてしまうという問題も発
生していた。
【０００６】本発明の目的は、噴流メッキ液の影響によ
る半導体ウェハの温度分布のバラツキを小さくし、半導
体ウェハにおけるメッキ厚分布を均一にするようにした
噴流式電解メッキ装置を提供することにある。
る半導体ウェハの温度分布のバラツキを小さくし、半導
体ウェハにおけるメッキ厚分布を均一にするようにした
噴流式電解メッキ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る噴流式電解メッキ装置は、ウェハ温度
調整部を有し、噴流カップ槽に噴流されたメッキ液に半
導体ウェハを接触させ、該ウェハに電解メッキ処理を施
す噴流式電解メッキ装置であって、ウェハ温度調整部
は、半導体ウェハの温度を適温に温度調整するものであ
る。
め、本発明に係る噴流式電解メッキ装置は、ウェハ温度
調整部を有し、噴流カップ槽に噴流されたメッキ液に半
導体ウェハを接触させ、該ウェハに電解メッキ処理を施
す噴流式電解メッキ装置であって、ウェハ温度調整部
は、半導体ウェハの温度を適温に温度調整するものであ
る。
【０００８】また、メッキ貯蔵槽と、噴流カップ槽と、
アノード電極とカソード電極との対とを有し、噴流カッ
プ槽に噴流されたメッキ液を半導体ウェハに接触させ、
該ウェハに電解メッキ処理を施す噴流式電解メッキ装置
であって、メッキ貯蔵槽は、噴流カップ槽よりオーバー
フローしたメッキ液を回収し、液温調整されたメッキ液
を再び噴流カップ槽内に供給するものであり、温調計と
ヒータとを有し、温調計は、メッキ貯蔵槽内のメッキ液
の液温を測定し、その測定値に基づいて制御信号をヒー
タに出力するものであり、ヒータは、温調計よりの制御
信号を入力とし、メッキ貯蔵槽内のメッキ液を加熱し、
その液温を適温に調整するものであり、噴流カップ槽
は、メッキ貯蔵槽内で調温されたメッキ液を受け入れ、
該メッキ液をオーバーフローさせるものであり、アノー
ド電極とカソード電極の対は、メッキ用電源より電圧が
印加されるものであり、アノード電極は、噴流カップ槽
内のメッキ液中に浸漬して設けられており、カソード電
極は、噴流カップ槽外にアノード電極と向きあわせに設
けられ、半導体ウェハの裏面を支持して該ウェハのメッ
キ面を噴流カップ槽内のメッキ液に接触する高さ位置に
配置するものであり、温調計と温度調整器とを有し、温
調計は、カソード電極に支持された半導体ウェハの温度
を測定し、その測定値に基づいて制御信号を温度調整器
に出力するものであり、温度調整器は、温調計よりの制
御信号を入力とし、半導体ウェハの温度を適温に調整す
るものである。
アノード電極とカソード電極との対とを有し、噴流カッ
プ槽に噴流されたメッキ液を半導体ウェハに接触させ、
該ウェハに電解メッキ処理を施す噴流式電解メッキ装置
であって、メッキ貯蔵槽は、噴流カップ槽よりオーバー
フローしたメッキ液を回収し、液温調整されたメッキ液
を再び噴流カップ槽内に供給するものであり、温調計と
ヒータとを有し、温調計は、メッキ貯蔵槽内のメッキ液
の液温を測定し、その測定値に基づいて制御信号をヒー
タに出力するものであり、ヒータは、温調計よりの制御
信号を入力とし、メッキ貯蔵槽内のメッキ液を加熱し、
その液温を適温に調整するものであり、噴流カップ槽
は、メッキ貯蔵槽内で調温されたメッキ液を受け入れ、
該メッキ液をオーバーフローさせるものであり、アノー
ド電極とカソード電極の対は、メッキ用電源より電圧が
印加されるものであり、アノード電極は、噴流カップ槽
内のメッキ液中に浸漬して設けられており、カソード電
極は、噴流カップ槽外にアノード電極と向きあわせに設
けられ、半導体ウェハの裏面を支持して該ウェハのメッ
キ面を噴流カップ槽内のメッキ液に接触する高さ位置に
配置するものであり、温調計と温度調整器とを有し、温
調計は、カソード電極に支持された半導体ウェハの温度
を測定し、その測定値に基づいて制御信号を温度調整器
に出力するものであり、温度調整器は、温調計よりの制
御信号を入力とし、半導体ウェハの温度を適温に調整す
るものである。
【０００９】また、前記半導体ウェハの加熱領域を、ウ
ェハ中心領域とウェハ外周側領域との少なくとも２つの
領域に分割し、その分割された領域を個別に温度調整器
で適温に調整するようにしたものである。
ェハ中心領域とウェハ外周側領域との少なくとも２つの
領域に分割し、その分割された領域を個別に温度調整器
で適温に調整するようにしたものである。
【００１０】
【作用】半導体ウェハは、カソード電極に支持されてメ
ッキ液に接触し、メッキ液との接触の際、半導体ウェハ
は加熱されて適温に温度調整される。したがって、半導
体ウェハの中心領域と外周領域とにおける温度分布は均
一となる。これにより、半導体ウェハの中心側と外周側
とのメッキ厚分布を均一化することができる。
ッキ液に接触し、メッキ液との接触の際、半導体ウェハ
は加熱されて適温に温度調整される。したがって、半導
体ウェハの中心領域と外周領域とにおける温度分布は均
一となる。これにより、半導体ウェハの中心側と外周側
とのメッキ厚分布を均一化することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す構成図、図２は、本発明の実施例１におけるカソー
ド電極を示す断面図、図３は、本発明の実施例１におけ
る動作を示すフローチャートである。
示す構成図、図２は、本発明の実施例１におけるカソー
ド電極を示す断面図、図３は、本発明の実施例１におけ
る動作を示すフローチャートである。
【００１３】図において、本発明に係る噴流式電解メッ
キ装置は、ウェハ温度調整部を有し、噴流カップ槽に噴
流されたメッキ液に半導体ウェハを接触させ、該ウェハ
に電解メッキ処理を施す際に、ウェハ温度調整部により
半導体ウェハを適温に温度調整するものである。
キ装置は、ウェハ温度調整部を有し、噴流カップ槽に噴
流されたメッキ液に半導体ウェハを接触させ、該ウェハ
に電解メッキ処理を施す際に、ウェハ温度調整部により
半導体ウェハを適温に温度調整するものである。
【００１４】図１に示した本発明のメッキ装置は、メッ
キ貯蔵槽６と、噴流カップ槽５と、アノード電極３とカ
ソード電極２との対とを有し、噴流カップ槽５に噴流さ
れたメッキ液を半導体ウェハ１に接触させ、ウェハ１に
電解メッキ処理を施すものである。
キ貯蔵槽６と、噴流カップ槽５と、アノード電極３とカ
ソード電極２との対とを有し、噴流カップ槽５に噴流さ
れたメッキ液を半導体ウェハ１に接触させ、ウェハ１に
電解メッキ処理を施すものである。
【００１５】メッキ貯蔵槽６は、噴流カップ槽５よりオ
ーバーフローしたメッキ液を回収し、液温調整されたメ
ッキ液を再び噴流カップ槽内に供給するものであり、温
調計９とヒータ７とを有している。温調計９は、メッキ
貯蔵槽６内のメッキ液１２の液温を測温抵抗体８により
測定し、その測定値に基づいて制御信号をヒータ７に出
力するようになっている。ヒータ７は、温調計９よりの
制御信号を入力とし、メッキ貯蔵槽６内のメッキ液１２
を加熱し、その液温を適温に調整するようになってい
る。
ーバーフローしたメッキ液を回収し、液温調整されたメ
ッキ液を再び噴流カップ槽内に供給するものであり、温
調計９とヒータ７とを有している。温調計９は、メッキ
貯蔵槽６内のメッキ液１２の液温を測温抵抗体８により
測定し、その測定値に基づいて制御信号をヒータ７に出
力するようになっている。ヒータ７は、温調計９よりの
制御信号を入力とし、メッキ貯蔵槽６内のメッキ液１２
を加熱し、その液温を適温に調整するようになってい
る。
【００１６】また、メッキ貯蔵槽６内には、液面センサ
１０を設置し、液面を監視している。これはメッキ液１
２の成分である水が気化し、メッキ液１２の性質が変化
するのを防ぐためであり、水が気化し、メッキ液１２が
減少した場合は、液面センサ１０で感知し、バルブ１１
を開き、純水を補給するようになっている。
１０を設置し、液面を監視している。これはメッキ液１
２の成分である水が気化し、メッキ液１２の性質が変化
するのを防ぐためであり、水が気化し、メッキ液１２が
減少した場合は、液面センサ１０で感知し、バルブ１１
を開き、純水を補給するようになっている。
【００１７】温調されたメッキ液１２は、循環ポンプ１
３により噴流カップ槽５内へ送られる。そして、オーバ
ーフローし、再びメッキ液１２はメッキ貯蔵槽６へ戻る
ようになっている。メッキ液１２が循環する配管には、
流量計１４が装備され、メッキ噴流量を制御している。
また前記配管には、メッキ液中のダストやレジスト等を
取り除くためフィルタも設けられている。
３により噴流カップ槽５内へ送られる。そして、オーバ
ーフローし、再びメッキ液１２はメッキ貯蔵槽６へ戻る
ようになっている。メッキ液１２が循環する配管には、
流量計１４が装備され、メッキ噴流量を制御している。
また前記配管には、メッキ液中のダストやレジスト等を
取り除くためフィルタも設けられている。
【００１８】前記噴流カップ槽５内には、アノード電極
３が置かれ、半導体ウェハ１を支持するカソード電極２
と対向している。アノード電極３とカソード電極２には
メッキ用電源４により電圧が印加され、電解メッキが実
施される。また両電極２，３間の距離は、任意に調整で
き、メッキの仕上具合により決定される。アノード電極
３は、メッキ液１２をむらなく流すようにメッシュ状又
は小孔が多数ある板状のものを使っている。
３が置かれ、半導体ウェハ１を支持するカソード電極２
と対向している。アノード電極３とカソード電極２には
メッキ用電源４により電圧が印加され、電解メッキが実
施される。また両電極２，３間の距離は、任意に調整で
き、メッキの仕上具合により決定される。アノード電極
３は、メッキ液１２をむらなく流すようにメッシュ状又
は小孔が多数ある板状のものを使っている。
【００１９】また、半導体ウェハ１を温度制御するため
に図１及び図２に示すように、カソード電極２内に抵抗
加熱によるヒータ（温度調整器）１７を内蔵し、熱電対
２０による温度入力によって温調計１６でヒータ１７に
加える電力値を変化させている。
に図１及び図２に示すように、カソード電極２内に抵抗
加熱によるヒータ（温度調整器）１７を内蔵し、熱電対
２０による温度入力によって温調計１６でヒータ１７に
加える電力値を変化させている。
【００２０】また、カソード電極２は、半導体ウェハ１
を真空吸着する真空用孔１８を持っている。さらにカソ
ード電極２は、メッキ液噴流時にメッキ液１２が半導体
ウェハ１裏面にまわり込まないようにエアブローをする
ための窒素ブロー孔１９を有している。
を真空吸着する真空用孔１８を持っている。さらにカソ
ード電極２は、メッキ液噴流時にメッキ液１２が半導体
ウェハ１裏面にまわり込まないようにエアブローをする
ための窒素ブロー孔１９を有している。
【００２１】次に、本装置における電解メッキの手順に
ついて説明する。事前の準備として、メッキ液の液温
は、所定の温度（３０〜７０℃）に安定させ、メッキ液
をメッキ貯蔵槽６から噴流カップ槽５内に供給し、メッ
キ液を噴流カップ槽５からオーバーフローさせつつ噴流
させておく。さらにカソード電極２もヒータ１７により
所定の温度（３０〜７０℃）に安定させておく。まず、
半導体ウェハ１をカソード電極２にメッキを行う面を下
方にして吸着させる。吸着させた半導体ウェハ１がメッ
キ噴流面と接触するようにカソード電極２を下降させ
る。
ついて説明する。事前の準備として、メッキ液の液温
は、所定の温度（３０〜７０℃）に安定させ、メッキ液
をメッキ貯蔵槽６から噴流カップ槽５内に供給し、メッ
キ液を噴流カップ槽５からオーバーフローさせつつ噴流
させておく。さらにカソード電極２もヒータ１７により
所定の温度（３０〜７０℃）に安定させておく。まず、
半導体ウェハ１をカソード電極２にメッキを行う面を下
方にして吸着させる。吸着させた半導体ウェハ１がメッ
キ噴流面と接触するようにカソード電極２を下降させ
る。
【００２２】数秒間その状態のまま保持し、メッキ液１
２及び半導体ウェハ１の温度が安定するのを待つ。温度
が安定した後、アノード電極３とカソード電極２とにメ
ッキ電圧を印加し、電解メッキを行う。
２及び半導体ウェハ１の温度が安定するのを待つ。温度
が安定した後、アノード電極３とカソード電極２とにメ
ッキ電圧を印加し、電解メッキを行う。
【００２３】所定時間経過後、アノード電極３とカソー
ド電極２とへの電圧印加を停止させる。印加時間は、メ
ッキ膜厚により決定され、またメッキ膜厚は、メッキ液
温，電流密度，噴流量により制御されることが知られて
いる。以上のメッキ処理の流れを図３に示してある。
ド電極２とへの電圧印加を停止させる。印加時間は、メ
ッキ膜厚により決定され、またメッキ膜厚は、メッキ液
温，電流密度，噴流量により制御されることが知られて
いる。以上のメッキ処理の流れを図３に示してある。
【００２４】この電解メッキにおいて、半導体ウェハ１
は、温調されることで噴流メッキ液の影響による半導体
ウェハ１の温度分布のバラツキが少なくなる。即ち、半
導体ウェハ１の外周よりの熱の放散を少なくすることが
できる。この効果を上げるには、メッキ液温より半導体
ウェハの温度を等しくするか、半導体ウェハの温度を少
し高めに設定すると良い。
は、温調されることで噴流メッキ液の影響による半導体
ウェハ１の温度分布のバラツキが少なくなる。即ち、半
導体ウェハ１の外周よりの熱の放散を少なくすることが
できる。この効果を上げるには、メッキ液温より半導体
ウェハの温度を等しくするか、半導体ウェハの温度を少
し高めに設定すると良い。
【００２５】メッキ完了後、カソード電極２を上昇させ
て、半導体ウェハ１を取外す。取外された半導体ウェハ
は、純水にて水洗される（図示せず）。
て、半導体ウェハ１を取外す。取外された半導体ウェハ
は、純水にて水洗される（図示せず）。
【００２６】（実施例２）図４は、本発明の実施例２に
おけるカソード電極部を示す断面図である。
おけるカソード電極部を示す断面図である。
【００２７】本実施例においては、半導体ウェハ２１の
温度を熱電対２３，２４により直接測定できるようにカ
ソード電極２２内にバネを挿入している。また、温度制
御においても、半導体ウェハ２１の加熱領域をウェハ２
１の中央領域と外周領域との２ゾーンに分け、温調され
た水又は溶剤を、半導体ウェハの加熱領域に対応してカ
ソード電極内にそれぞれ個別に設けた空孔（温度調整
器）２５，２６に循環させている。
温度を熱電対２３，２４により直接測定できるようにカ
ソード電極２２内にバネを挿入している。また、温度制
御においても、半導体ウェハ２１の加熱領域をウェハ２
１の中央領域と外周領域との２ゾーンに分け、温調され
た水又は溶剤を、半導体ウェハの加熱領域に対応してカ
ソード電極内にそれぞれ個別に設けた空孔（温度調整
器）２５，２６に循環させている。
【００２８】本実施例によれば、半導体ウェハ２１の温
度制御を複数のポイントで行い、直接半導体ウェハ２１
の温度を直接測定していることにより、半導体ウェハの
温度分布を向上させることができるという利点を有して
いる。
度制御を複数のポイントで行い、直接半導体ウェハ２１
の温度を直接測定していることにより、半導体ウェハの
温度分布を向上させることができるという利点を有して
いる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、カソード
電極に温調機能を付加したことにより、噴流されたメッ
キ液が半導体ウェハを介して冷却され、特に半導体ウェ
ハの外周より放熱されることで半導体ウェハの温度分布
が中心より円周方向に低くなることを防ぐことができ
る。即ち、半導体ウェハの中心部分のメッキ厚が大とな
り、円周方向に薄くなるのを防ぎ、メッキ厚分布を均一
に向上できる。
電極に温調機能を付加したことにより、噴流されたメッ
キ液が半導体ウェハを介して冷却され、特に半導体ウェ
ハの外周より放熱されることで半導体ウェハの温度分布
が中心より円周方向に低くなることを防ぐことができ
る。即ち、半導体ウェハの中心部分のメッキ厚が大とな
り、円周方向に薄くなるのを防ぎ、メッキ厚分布を均一
に向上できる。
【００３０】さらに、半導体ウェハの温度を温度制御す
ることができるため、電解メッキの成長面である半導体
ウェハの温度の安定性を向上することができ、しかもメ
ッキ粒子の安定化，成長速度の安定化を図ることがで
き、メッキの表面状態の安定化、特にメッキ光沢の維持
ができる。
ることができるため、電解メッキの成長面である半導体
ウェハの温度の安定性を向上することができ、しかもメ
ッキ粒子の安定化，成長速度の安定化を図ることがで
き、メッキの表面状態の安定化、特にメッキ光沢の維持
ができる。
【図１】本発明の実施例１を示す構成図である。
【図２】本発明の実施例１におけるカソード電極を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の実施例１における動作を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】（ａ）は、本発明の実施例２におけるカソード
電極を示す断面図、（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線断
面図である。
電極を示す断面図、（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線断
面図である。
【図５】従来例を示す構成図である。
１ 半導体ウェハ ２ カソード電極 ３ アノード電極 ４ メッキ用電源 ５ 噴流カップ槽 ６ メッキ貯蔵槽 ７ ヒータ ８ 測温抵抗体 ９ 温調計 １０ 液面センサ １１ バルブ １２ メッキ液 １３ 循環ポンプ １４ 流量計 １５ フィルタ １６ 温調計 １７ ヒータ １８ 真空用孔 １９ 窒素ブロー孔 ２０ 熱電対 ２１ 半導体ウェハ ２２ カソード電極 ２３ 熱電対 ２４ 熱電対 ２５ カソード内空孔 ２６ カソード内空孔
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハ温度調整部を有し、噴流カップ槽
に噴流されたメッキ液に半導体ウェハを接触させ、該ウ
ェハに電解メッキ処理を施す噴流式電解メッキ装置であ
って、 ウェハ温度調整部は、半導体ウェハの温度を適温に温度
調整するものであることを特徴とする噴流式電解メッキ
装置。 - 【請求項２】 メッキ貯蔵槽と、噴流カップ槽と、アノ
ード電極とカソード電極との対とを有し、噴流カップ槽
に噴流されたメッキ液を半導体ウェハに接触させ、該ウ
ェハに電解メッキ処理を施す噴流式電解メッキ装置であ
って、 メッキ貯蔵槽は、噴流カップ槽よりオーバーフローした
メッキ液を回収し、液温調整されたメッキ液を再び噴流
カップ槽内に供給するものであり、温調計とヒータとを
有し、 温調計は、メッキ貯蔵槽内のメッキ液の液温を測定し、
その測定値に基づいて制御信号をヒータに出力するもの
であり、 ヒータは、温調計よりの制御信号を入力とし、メッキ貯
蔵槽内のメッキ液を加熱し、その液温を適温に調整する
ものであり、 噴流カップ槽は、メッキ貯蔵槽内で調温されたメッキ液
を受け入れ、該メッキ液をオーバーフローさせるもので
あり、 アノード電極とカソード電極の対は、メッキ用電源より
電圧が印加されるものであり、 アノード電極は、噴流カップ槽内のメッキ液中に浸漬し
て設けられており、 カソード電極は、噴流カップ槽外にアノード電極と向き
あわせに設けられ、半導体ウェハの裏面を支持して該ウ
ェハのメッキ面を噴流カップ槽内のメッキ液に接触する
高さ位置に配置するものであり、温調計と温度調整器と
を有し、 温調計は、カソード電極に支持された半導体ウェハの温
度を測定し、その測定値に基づいて制御信号を温度調整
器に出力するものであり、 温度調整器は、温調計よりの制御信号を入力とし、半導
体ウェハの温度を適温に調整するものであることを特徴
とする噴流式電解メッキ装置。 - 【請求項３】 前記半導体ウェハの加熱領域を、ウェハ
中心領域とウェハ外周側領域との少なくとも２つの領域
に分割し、その分割された領域を個別に温度調整器で適
温に調整するようにしたものであることを特徴とする請
求項２に記載の噴流式電解メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284997A JPH07142425A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 噴流式電解メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284997A JPH07142425A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 噴流式電解メッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142425A true JPH07142425A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17685813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5284997A Pending JPH07142425A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 噴流式電解メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110318086A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 姜力 | 电镀槽结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH062192A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メッキ装置 |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5284997A patent/JPH07142425A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH062192A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メッキ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110318086A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 姜力 | 电镀槽结构 |
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