JPH11354444A - 多結晶半導体膜の製造方法 - Google Patents
多結晶半導体膜の製造方法Info
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- JPH11354444A JPH11354444A JP15589198A JP15589198A JPH11354444A JP H11354444 A JPH11354444 A JP H11354444A JP 15589198 A JP15589198 A JP 15589198A JP 15589198 A JP15589198 A JP 15589198A JP H11354444 A JPH11354444 A JP H11354444A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非晶質半導体膜をレーザアニールにより結晶
化して製造される多結晶半導体膜の結晶粒径及び結晶方
位のばらつきを防止し、多結晶半導体膜の均質化を図
り、均一特性の多結晶半導体ＴＦＴを得ることにより、
液晶表示素子の表示品位の向上を図る。 【解決手段】 ガラス基板１０上の第１のａ−Ｓｉ膜１
４を、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分の何れか
でアニールして結晶方位の揃った結晶核からなる第１の
ポリシリコン膜１６に結晶化する。次いで第１のポリシ
リコン膜１６上に第２のａ−Ｓｉ膜１７を形成後、レー
ザ光でアニールし、第１のポリシリコン膜１６の結晶核
を種として第２のａ−Ｓｉ膜１７を結晶化して、結晶粒
径及び結晶方位の揃った均質な第２のポリシリコン膜１
８を得る。
化して製造される多結晶半導体膜の結晶粒径及び結晶方
位のばらつきを防止し、多結晶半導体膜の均質化を図
り、均一特性の多結晶半導体ＴＦＴを得ることにより、
液晶表示素子の表示品位の向上を図る。 【解決手段】 ガラス基板１０上の第１のａ−Ｓｉ膜１
４を、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分の何れか
でアニールして結晶方位の揃った結晶核からなる第１の
ポリシリコン膜１６に結晶化する。次いで第１のポリシ
リコン膜１６上に第２のａ−Ｓｉ膜１７を形成後、レー
ザ光でアニールし、第１のポリシリコン膜１６の結晶核
を種として第２のａ−Ｓｉ膜１７を結晶化して、結晶粒
径及び結晶方位の揃った均質な第２のポリシリコン膜１
８を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質半導体膜を
結晶化して多結晶半導体膜を得る多結晶半導体膜の製造
方法に関する。
結晶化して多結晶半導体膜を得る多結晶半導体膜の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高精細な液晶表示素子のスイッチ
ング素子として、非晶質半導体膜に比し移動度が２桁か
ら３桁程度高く且つ液晶表示素子の駆動も含めた高性能
化が可能であり、コストを大幅に低減することも可能で
あることから、多結晶半導体膜であるポリシリコン等を
半導体層とする多結晶半導体薄膜トランジスタ（以下多
結晶半導体ＴＦＴと略称する。）の実用化が進められて
いる。この多結晶半導体膜は、ガラス基板に対する熱損
傷が少なく且つ１００ｃｍ2 ／Ｖs を越える高移動度が
得られる事から一般に、非晶質半導体膜にレーザビーム
を照射して多結晶化するレーザアニール法により製造さ
れている。中でもレーザビームの大面積化が可能であり
生産性に優れている事からエキシマレーザアニール装置
を用いてのレーザアニール法が多用されている。
ング素子として、非晶質半導体膜に比し移動度が２桁か
ら３桁程度高く且つ液晶表示素子の駆動も含めた高性能
化が可能であり、コストを大幅に低減することも可能で
あることから、多結晶半導体膜であるポリシリコン等を
半導体層とする多結晶半導体薄膜トランジスタ（以下多
結晶半導体ＴＦＴと略称する。）の実用化が進められて
いる。この多結晶半導体膜は、ガラス基板に対する熱損
傷が少なく且つ１００ｃｍ2 ／Ｖs を越える高移動度が
得られる事から一般に、非晶質半導体膜にレーザビーム
を照射して多結晶化するレーザアニール法により製造さ
れている。中でもレーザビームの大面積化が可能であり
生産性に優れている事からエキシマレーザアニール装置
を用いてのレーザアニール法が多用されている。
【０００３】そしてレーザアニール法として従来は、絶
縁基板上にアンダーコート層を介して非晶質半導体膜を
形成し、次いでこの非晶質半導体膜にエキシマレーザビ
ームを照射して結晶化させ多結晶半導体膜を得ていた。
縁基板上にアンダーコート層を介して非晶質半導体膜を
形成し、次いでこの非晶質半導体膜にエキシマレーザビ
ームを照射して結晶化させ多結晶半導体膜を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の様
に、非晶質半導体膜に直ちにエキシマレーザビームを照
射して多結晶半導体膜を製造するという従来のエキシマ
レーザアニール法では、エキシマレーザアニール法が瞬
時溶融結晶化法であり、概ね１μ秒以下で非晶質半導体
膜を結晶化して多結晶半導体膜の製造を完了するため
に、結晶粒径及び結晶方位にバラツキを生じてしまって
いた。例えば、照射エネルギー密度３００ｍＪ／cm2 の
エキシマレーザビームを３００Ｈｚで、非晶質シリコン
（以下ａ−Ｓｉと略称する。）膜に対して２０回照射し
てポリシリコン膜に結晶化すると、結晶粒径の範囲は、
図４に示す様に０．０５〜０．７μｍとばらつきを生じ
てしまっていた。
に、非晶質半導体膜に直ちにエキシマレーザビームを照
射して多結晶半導体膜を製造するという従来のエキシマ
レーザアニール法では、エキシマレーザアニール法が瞬
時溶融結晶化法であり、概ね１μ秒以下で非晶質半導体
膜を結晶化して多結晶半導体膜の製造を完了するため
に、結晶粒径及び結晶方位にバラツキを生じてしまって
いた。例えば、照射エネルギー密度３００ｍＪ／cm2 の
エキシマレーザビームを３００Ｈｚで、非晶質シリコン
（以下ａ−Ｓｉと略称する。）膜に対して２０回照射し
てポリシリコン膜に結晶化すると、結晶粒径の範囲は、
図４に示す様に０．０５〜０．７μｍとばらつきを生じ
てしまっていた。
【０００５】このため、この多結晶半導体ＴＦＴを液晶
表示素子の画素電極の駆動素子として用いた場合、移動
度、しきい電圧値或いはサブスレッショルド領域の傾き
（Ｓファクター）等のばらつきにより、表示画像のコン
トラストの均一性が損なわれたり、画面にチラツキやゴ
ーストを発生し、表示品位を著しく低下するという問題
を生じていた。
表示素子の画素電極の駆動素子として用いた場合、移動
度、しきい電圧値或いはサブスレッショルド領域の傾き
（Ｓファクター）等のばらつきにより、表示画像のコン
トラストの均一性が損なわれたり、画面にチラツキやゴ
ーストを発生し、表示品位を著しく低下するという問題
を生じていた。
【０００６】本発明は上記課題を除去するもので、レー
ザアニールによる多結晶半導体膜の結晶化時に結晶粒径
及び結晶方位のばらつきを生じるのを防止して、多結晶
半導体膜を半導体層とする多結晶半導体ＴＦＴの特性の
ばらつきを防止することにより、良好な表示品位を有す
る液晶表示素子を得ることが出来る、多結晶半導体の製
造方法を提供することを目的とする。
ザアニールによる多結晶半導体膜の結晶化時に結晶粒径
及び結晶方位のばらつきを生じるのを防止して、多結晶
半導体膜を半導体層とする多結晶半導体ＴＦＴの特性の
ばらつきを防止することにより、良好な表示品位を有す
る液晶表示素子を得ることが出来る、多結晶半導体の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、基板上に堆積される非晶質半導体膜にレーザ
光を照射して結晶化する多結晶半導体膜の製造方法にお
いて、前記基板上に非晶質半導体膜を製造する工程と、
前記非晶質半導体膜に前記レーザ光のＳ偏光成分或いは
Ｐ偏光成分の何れか一方のみの偏光成分を照射する第１
の照射工程とを実施するものである。
するため、基板上に堆積される非晶質半導体膜にレーザ
光を照射して結晶化する多結晶半導体膜の製造方法にお
いて、前記基板上に非晶質半導体膜を製造する工程と、
前記非晶質半導体膜に前記レーザ光のＳ偏光成分或いは
Ｐ偏光成分の何れか一方のみの偏光成分を照射する第１
の照射工程とを実施するものである。
【０００８】そして本発明は上記構成により、先ず非晶
質半導体膜をレーザ光のＳ偏光成分或いはＰ偏光成分の
何れか一方の偏光成分でアニールし、この後再度レーザ
光で非晶質半導体膜をアニールする事により、形成され
た多結晶半導体膜の結晶粒径及び結晶方位がばらつくの
を防止し、特性が均一な多結晶半導体ＴＦＴの実用化を
図り、液晶表示素子の表示品位を向上するものである。
質半導体膜をレーザ光のＳ偏光成分或いはＰ偏光成分の
何れか一方の偏光成分でアニールし、この後再度レーザ
光で非晶質半導体膜をアニールする事により、形成され
た多結晶半導体膜の結晶粒径及び結晶方位がばらつくの
を防止し、特性が均一な多結晶半導体ＴＦＴの実用化を
図り、液晶表示素子の表示品位を向上するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明を図１乃至図３に示す
実施の形態を参照して説明する。図１は、ガラス基板１
０上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１１ａ、シリコン酸化
膜（ＳｉＯ2）１１ｂから成るアンダーコート層１１を
介して製造される多結晶半導体膜である第１及び第２の
ポリシリコン薄膜１６、１８を示す一部概略断面図であ
る。
実施の形態を参照して説明する。図１は、ガラス基板１
０上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１１ａ、シリコン酸化
膜（ＳｉＯ2）１１ｂから成るアンダーコート層１１を
介して製造される多結晶半導体膜である第１及び第２の
ポリシリコン薄膜１６、１８を示す一部概略断面図であ
る。
【００１０】次に第１及び第２のポリシリコン薄膜１
６、１８の製造方法について述べる。図２（ａ）に示す
様にガラス基板１０上にプラズマ化学気相成長法を用い
てシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１１ａを５０ｎｍ、シリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）１１ｂを１００ｎｍ製造し、更に
プラズマ化学気相成長法を用いて非晶質半導体膜である
第１のａ−Ｓｉ膜１４を２０ｎｍの厚さに堆積する。次
に図２（ｂ）に示す様に濃度１％の希フッ酸（ＨＦ）に
て第１のａ−Ｓｉ膜１４を洗浄する。次にエキシマレー
ザアニール装置（図示せず）のエキシマレーザ発振器の
出射部に、エキシマレーザのＰ偏光成分のみを取り出す
ための複素屈折率を有する偏光子を配置し、図２（ｃ）
に示す様に、第１のａ−Ｓｉ膜１４にエキシマレーザ光
のＰ偏光成分［Ｐ］のみを照射する第１の照射工程を行
い、第１のａ−Ｓｉ膜１４を結晶化し第１のポリシリコ
ン膜１６を製造する。この時の照射エネルギー密度は１
５０ｍＪ／cm2 、３００Ｈｚで照射回数は１０回に設定
した。
６、１８の製造方法について述べる。図２（ａ）に示す
様にガラス基板１０上にプラズマ化学気相成長法を用い
てシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１１ａを５０ｎｍ、シリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）１１ｂを１００ｎｍ製造し、更に
プラズマ化学気相成長法を用いて非晶質半導体膜である
第１のａ−Ｓｉ膜１４を２０ｎｍの厚さに堆積する。次
に図２（ｂ）に示す様に濃度１％の希フッ酸（ＨＦ）に
て第１のａ−Ｓｉ膜１４を洗浄する。次にエキシマレー
ザアニール装置（図示せず）のエキシマレーザ発振器の
出射部に、エキシマレーザのＰ偏光成分のみを取り出す
ための複素屈折率を有する偏光子を配置し、図２（ｃ）
に示す様に、第１のａ−Ｓｉ膜１４にエキシマレーザ光
のＰ偏光成分［Ｐ］のみを照射する第１の照射工程を行
い、第１のａ−Ｓｉ膜１４を結晶化し第１のポリシリコ
ン膜１６を製造する。この時の照射エネルギー密度は１
５０ｍＪ／cm2 、３００Ｈｚで照射回数は１０回に設定
した。
【００１１】次に図２（ｄ）に示す様に再びプラズマ化
学気相成長法を用いて、第１のａ−Ｓｉ膜１４を結晶化
して成る第１のポリシリコン膜１６上に、第２のａ−Ｓ
ｉ膜１７を３５ｎｍの厚さに堆積する。次にエキシマレ
ーザアニール装置のエキシマレーザ発振器の出射部の偏
光子を取り除き、図２（ｅ）に示す様に、第２のａ−Ｓ
ｉ膜１７にエキシマレーザ光［Ｘｅ］を照射して第２の
照射工程を行い第１のポリシリコン膜１６の結晶核を種
として第２のａ−Ｓｉ膜１７を結晶化し第２のポリシリ
コン膜１８を製造する。この時の照射エネルギー密度は
３００ｍＪ／cm2 、３００Ｈｚで照射回数は１０回に設
定した。
学気相成長法を用いて、第１のａ−Ｓｉ膜１４を結晶化
して成る第１のポリシリコン膜１６上に、第２のａ−Ｓ
ｉ膜１７を３５ｎｍの厚さに堆積する。次にエキシマレ
ーザアニール装置のエキシマレーザ発振器の出射部の偏
光子を取り除き、図２（ｅ）に示す様に、第２のａ−Ｓ
ｉ膜１７にエキシマレーザ光［Ｘｅ］を照射して第２の
照射工程を行い第１のポリシリコン膜１６の結晶核を種
として第２のａ−Ｓｉ膜１７を結晶化し第２のポリシリ
コン膜１８を製造する。この時の照射エネルギー密度は
３００ｍＪ／cm2 、３００Ｈｚで照射回数は１０回に設
定した。
【００１２】この様にして形成した第１及び第２のポリ
シリコン膜１６、１８の、結晶粒の間隙であり非晶質状
態の粒界領域を、セコエッチングにより選択的にエッチ
ングした後、フィールドエミッシヨン型の電子顕微鏡に
て観察して結晶粒径を評価した。この結果図３に示すよ
うに、従来は結晶粒径が０．０５〜０．７μｍとばらつ
きが大きかったのに比し、本実施の形態におけるポリシ
リコン膜１６、１８の結晶粒径は図３に示す様に０．２
５〜０．５μｍの範囲に収められた。
シリコン膜１６、１８の、結晶粒の間隙であり非晶質状
態の粒界領域を、セコエッチングにより選択的にエッチ
ングした後、フィールドエミッシヨン型の電子顕微鏡に
て観察して結晶粒径を評価した。この結果図３に示すよ
うに、従来は結晶粒径が０．０５〜０．７μｍとばらつ
きが大きかったのに比し、本実施の形態におけるポリシ
リコン膜１６、１８の結晶粒径は図３に示す様に０．２
５〜０．５μｍの範囲に収められた。
【００１３】又Ｘ線回折および高速反射電子線回折によ
り、第１及び第２のポリシリコン膜１６、１８の結晶配
向性を評価した。この結果結晶方位のばらつきが少な
く、（４００）成分が支配的である結晶配列を示す事が
判明した。
り、第１及び第２のポリシリコン膜１６、１８の結晶配
向性を評価した。この結果結晶方位のばらつきが少な
く、（４００）成分が支配的である結晶配列を示す事が
判明した。
【００１４】そしてこの様にして成る第１及び第２のポ
リシリコン膜１６、１８をチャネル層に用いてポリシリ
コンＴＦＴを製造した所均一な特性を示し、このポリシ
リコンＴＦＴを液晶表示素子の画素電極の駆動素子とし
て用いたところ、コントラストが均一で表示画面にチラ
ツキやゴーストを生じる事がなかった。
リシリコン膜１６、１８をチャネル層に用いてポリシリ
コンＴＦＴを製造した所均一な特性を示し、このポリシ
リコンＴＦＴを液晶表示素子の画素電極の駆動素子とし
て用いたところ、コントラストが均一で表示画面にチラ
ツキやゴーストを生じる事がなかった。
【００１５】この様に構成すれば、先ず第１のａ−Ｓｉ
膜１４にエキシマレーザ光のＰ偏光成分［Ｐ］のみを照
射して結晶方位の揃った第１のポリシリコン膜１６を製
造しこの後、第２のａ−Ｓｉ膜１７にエキシマレーザ光
［Ｘｅ］を照射して第１のポリシリコン膜１６の結晶を
結晶核として、第２のａ−Ｓｉ膜１７の結晶成長を促進
出来、結晶粒径及び結晶方位の揃った均質で良好な第２
のポリシリコン膜１８を得られる。
膜１４にエキシマレーザ光のＰ偏光成分［Ｐ］のみを照
射して結晶方位の揃った第１のポリシリコン膜１６を製
造しこの後、第２のａ−Ｓｉ膜１７にエキシマレーザ光
［Ｘｅ］を照射して第１のポリシリコン膜１６の結晶を
結晶核として、第２のａ−Ｓｉ膜１７の結晶成長を促進
出来、結晶粒径及び結晶方位の揃った均質で良好な第２
のポリシリコン膜１８を得られる。
【００１６】従ってこのような第２のポリシリコン膜１
８をチャネル層に用いる事により、均一な特性のポリシ
リコンＴＦＴひいては、表示画像のコントラストが均一
でちらつきやゴーストが無く高い表示品位を有する液晶
表示素子を得ることが出来る。
８をチャネル層に用いる事により、均一な特性のポリシ
リコンＴＦＴひいては、表示画像のコントラストが均一
でちらつきやゴーストが無く高い表示品位を有する液晶
表示素子を得ることが出来る。
【００１７】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば非晶質半導体膜に結晶核を形成するための照
射光は、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分の何れ
で有っても良い。尚、レーザ光からＰ偏光成分或いはＳ
偏光成分の何れを取り出すかは、偏光子の配置方向を９
０°回転する事により選択可能である。
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば非晶質半導体膜に結晶核を形成するための照
射光は、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分の何れ
で有っても良い。尚、レーザ光からＰ偏光成分或いはＳ
偏光成分の何れを取り出すかは、偏光子の配置方向を９
０°回転する事により選択可能である。
【００１８】又非晶質半導体膜は単層であっても良く、
非晶質半導体膜成膜後、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ
偏光成分の何れかを照射して、結晶方位の揃った結晶核
を形成し、この後、非晶質半導体膜にレーザ光を再度照
射することにより結晶粒径及び結晶方位の揃ったポリシ
リコン膜を形成しても良い。
非晶質半導体膜成膜後、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ
偏光成分の何れかを照射して、結晶方位の揃った結晶核
を形成し、この後、非晶質半導体膜にレーザ光を再度照
射することにより結晶粒径及び結晶方位の揃ったポリシ
リコン膜を形成しても良い。
【００１９】更に基板に形成するアンダーコート層や非
晶質半導体膜の膜厚や成膜条件等限定されないが、これ
らの条件により多結晶半導体膜の結晶の配列方向が異な
る事から、膜厚や成膜条件を変えて、（１１１）配向も
しくは（２２０）配向等の結晶方位を強くする等任意で
ある。
晶質半導体膜の膜厚や成膜条件等限定されないが、これ
らの条件により多結晶半導体膜の結晶の配列方向が異な
る事から、膜厚や成膜条件を変えて、（１１１）配向も
しくは（２２０）配向等の結晶方位を強くする等任意で
ある。
【００２０】又基板のサイズも任意であり、大面積基板
上に製造された非晶質半導体膜をレーザアニールする場
合には、シリンドリカルレンズ等を用いてレーザ光及
び、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分を線状に形
成し、照射する事となる。即ち、偏光子を取り付けたレ
ーザ発振器から発振されたレーザ光のＰ偏光成分或いは
Ｓ偏光成分の何れかを、シリンドリカルレンズ等を用い
て線状のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分に形成し、この線
状の偏光成分を大面積基板上の第１の非晶質半導体膜に
走査照射することにより結晶化して結晶核を形成する。
次いでレーザ発振器から偏光子を取り除き、レーザ光を
シリンドリカルレンズ等を用いて線状レーザ光に形成し
て、この線状のレーザ光を大面積基板上の第２の非晶質
半導体膜に走査照射することにより、先に形成された結
晶核を種にして結晶粒径及び結晶方位の揃った多結晶半
導体膜を形成する等しても良い。
上に製造された非晶質半導体膜をレーザアニールする場
合には、シリンドリカルレンズ等を用いてレーザ光及
び、レーザ光のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分を線状に形
成し、照射する事となる。即ち、偏光子を取り付けたレ
ーザ発振器から発振されたレーザ光のＰ偏光成分或いは
Ｓ偏光成分の何れかを、シリンドリカルレンズ等を用い
て線状のＰ偏光成分或いはＳ偏光成分に形成し、この線
状の偏光成分を大面積基板上の第１の非晶質半導体膜に
走査照射することにより結晶化して結晶核を形成する。
次いでレーザ発振器から偏光子を取り除き、レーザ光を
シリンドリカルレンズ等を用いて線状レーザ光に形成し
て、この線状のレーザ光を大面積基板上の第２の非晶質
半導体膜に走査照射することにより、先に形成された結
晶核を種にして結晶粒径及び結晶方位の揃った多結晶半
導体膜を形成する等しても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
晶質半導体膜のレーザアニール時、先ずレーザ光のＰ偏
光成分或いはＳ偏光成分の何れかを照射して結晶核を形
成し、この後にレーザ光を照射する事により、先に形成
された結晶核を種として結晶粒径及び結晶方位の揃った
均質で良好な多結晶半導体膜を製造出来る。従ってこの
ようにして得られた多結晶半導体膜を用いて均一特性の
多結晶半導体ＴＦＴを製造出来、ひいては表示品位の高
い液晶表示素子を得ることが出来る。
晶質半導体膜のレーザアニール時、先ずレーザ光のＰ偏
光成分或いはＳ偏光成分の何れかを照射して結晶核を形
成し、この後にレーザ光を照射する事により、先に形成
された結晶核を種として結晶粒径及び結晶方位の揃った
均質で良好な多結晶半導体膜を製造出来る。従ってこの
ようにして得られた多結晶半導体膜を用いて均一特性の
多結晶半導体ＴＦＴを製造出来、ひいては表示品位の高
い液晶表示素子を得ることが出来る。
【図１】本発明の実施の形態におけるガラス基板上に製
造されるポリシリコン薄膜を示す一部概略断面図であ
る。
造されるポリシリコン薄膜を示す一部概略断面図であ
る。
【図２】本発明の実施の形態におけるポリシリコン薄膜
の製造工程を示し（ａ）はその第１のａ−Ｓｉ膜成膜
時、（ｂ）はその第１のａ−Ｓｉ膜表面の洗浄時、
（ｃ）はその第１のａ−Ｓｉ膜表面のＰ偏光成分による
照射時、（ｄ）はその第２のａ−Ｓｉ膜成膜時、（ｅ）
はその第２のａ−Ｓｉ膜表面のレーザ光照射によるポリ
シリコン膜の結晶化時を示す概略説明図である。
の製造工程を示し（ａ）はその第１のａ−Ｓｉ膜成膜
時、（ｂ）はその第１のａ−Ｓｉ膜表面の洗浄時、
（ｃ）はその第１のａ−Ｓｉ膜表面のＰ偏光成分による
照射時、（ｄ）はその第２のａ−Ｓｉ膜成膜時、（ｅ）
はその第２のａ−Ｓｉ膜表面のレーザ光照射によるポリ
シリコン膜の結晶化時を示す概略説明図である。
【図３】本発明の実施の形態により形成されたポリシリ
コン膜の結晶粒径の分布を示すグラフである。
コン膜の結晶粒径の分布を示すグラフである。
【図４】従来のポリシリコン膜の結晶粒径の分布を示す
グラフである。
グラフである。
１０…ガラス基板 １１…アンダーコート層 １４…第１のａ−Ｓｉ膜 １６…第１のポリシリコン膜 １７…第２のａ−Ｓｉ膜 １８…第２のポリシリコン膜
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に堆積される非晶質半導体膜にレ
ーザ光を照射して結晶化する多結晶半導体膜の製造方法
において、 前記基板上に非晶質半導体膜を製造する工程と、前記非
晶質半導体膜に前記レーザ光のＳ偏光成分或いはＰ偏光
成分の何れか一方のみの偏光成分を照射する第１の照射
工程とを具備する事を特徴とする多結晶半導体膜の製造
方法。 - 【請求項２】 第１の照射工程終了後、非晶質半導体膜
にレーザ光を照射する第２の照射工程を具備する事を特
徴とする請求項１に記載の多結晶半導体膜の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に堆積される非晶質半導体膜にレ
ーザ光を照射して結晶化する多結晶半導体膜の製造方法
において、 前記基板上に第１の非晶質半導体膜を製造する工程と、
この第１の非晶質半導体膜に前記レーザ光のＳ偏光成分
或いはＰ偏光成分の何れか一方のみの偏光成分を照射す
る第１の照射工程と、この第１の照射工程終了後、前記
第１の非晶質半導体膜上に第２の非晶質半導体膜を製造
する工程と、この第２の非晶質半導体膜に前記レーザ光
を照射する第２の照射工程とを具備する事を特徴とする
多結晶半導体膜の製造方法。 - 【請求項４】 第１の照射工程を、レーザ発振器の出射
部にＳ偏光成分或いはＰ偏光成分の何れかを取り出す偏
光子を取着して成るレーザアニール装置を用いて行い、
第２の照射工程を、前記出射部から前記偏光子を取り外
して成る前記レーザアニール装置を用いて行う事を特徴
とする請求項２又は請求項３の何れかに記載の多結晶半
導体膜の製造方法。 - 【請求項５】 レーザアニール装置が、レーザ発振器に
てエキシマレーザを出射するエキシマレーザアニール装
置である事を特徴とする請求項４に記載の多結晶半導体
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15589198A JPH11354444A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15589198A JPH11354444A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354444A true JPH11354444A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15615770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15589198A Pending JPH11354444A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354444A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033278A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ、半導体膜とその製造方法及びその評価方法 |
| JP2003347211A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20040013273A (ko) * | 2002-08-05 | 2004-02-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP2004343007A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン薄膜の製造方法 |
| JP2008130713A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Ihi Corp | レーザアニール方法及び装置 |
| US7670886B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-03-02 | Tpo Displays Corp. | Method for fabricating polysilicon film |
| CN102403207A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-04-04 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法 |
-
1998
- 1998-06-04 JP JP15589198A patent/JPH11354444A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033278A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ、半導体膜とその製造方法及びその評価方法 |
| JP2003347211A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20040013273A (ko) * | 2002-08-05 | 2004-02-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP2004343007A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン薄膜の製造方法 |
| US7670886B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-03-02 | Tpo Displays Corp. | Method for fabricating polysilicon film |
| JP2008130713A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Ihi Corp | レーザアニール方法及び装置 |
| CN102403207A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-04-04 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法 |
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