JPH11353447A - Ｉｃカード及びｉｃモジュール、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】偽造を防止し、万一不正行為が行われても発見
が容易なアイテムを設けたＩＣカード及びＩＣモジュー
ル並びにそれらの製造方法を提供し、特にＩＣモジュー
ル自体にそれらへの信頼性を付与すると共に、カードの
デザイン上の自由度を高めることを可能とする技術を提
供する。 【解決手段】ＩＣモジュールにＯＶＤを設け、特に接触
式ＩＣカードの場合はＩＣモジュール基板の表面電極上
に、好ましくは表面電極の中央のグラウンド電圧端子に
設け、、形成法としては、積層して設けたＯＶＤ構造体
であって、反射性薄膜層に絶縁状態の島状金属膜を用い
るとか、あるいは表面電極を構成するＩＣモジュール基
板の金属箔の部分にＯＶＤのレリーフを設け、表面電極
とＯＶＤを一体化させることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はクレジットカード、キャ
ッシュカード、ＩＤカード、銀行系カード、等に代表さ
れるカード類に使用されるいわゆるＩＣカードに係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】光の干渉を用いて立体画像や特殊な装飾
画像を表現し得る、ホログラムや回折格子パターンのよ
うなＯＶＤ（Optical Variable Device ）の開発が進め
られている。ＯＶＤは高度な製造技術を要し、且つシー
ト状に形成可能なことから、偽造防止手段としてクレジ
ットカード等に貼着して使用されている。そして、ＯＶ
Ｄをこれらの物品に貼着するための方法として、転写技
術を応用して例えば転写シート（もしくは転写箔）を用
いてＯＶＤを転写する方法が従来用いられている。

【０００３】尚、ホログラムや回折格子パターンなど
は、微細な凹凸パターンや、屈折率の異なる縞状パター
ンなどの回折構造を用いて形成されており、以下ではホ
ログラムや回折格子パターンなどのことを総称してＯＶ
Ｄと称することとする。

【０００４】図９は、従来のホログラム転写シートの構
成例を示す断面図である。このホログラム転写シート
は、支持体としての基材８１上に剥離層８２が形成さ
れ、剥離層８２上にホログラム形成層８３が形成されて
いる。ホログラム形成層８３上には、ホログラム形成層
８３のレリーフ８４を覆うように反射性薄膜層８５が形
成されている。反射性薄膜層８５上には接着層８６が形
成されている。

【０００５】尚、上記の説明及び以降の説明において
も、断面図と説明文とでは上下の関係が逆になっている
が、上下の関係は転写シートを観察する方向（または、
物品に転写形成する場合の使用状態）に応じて変更する
ためであり、本質的なことではない。

【０００６】また、物品の表面に転写形成した場合、剥
離層８２は基材８１との界面にて剥離し、物品側に移行
して保護層としても機能することになるため、「剥離性
保護層」と称することもある。さらに、基材を除いた、
物品側に移行する各層を総称して「転写層」と称するこ
ととする。

【０００７】各図面は、転写シートの構成を模式的に表
現するものであり、各層の厚さなどの寸法は、実際の製
造物に則したものではない。

【０００８】ホログラムは、一般的に光学的な撮影方法
により微細な凹凸パターンからなるレリーフ型のマスタ
ーホログラムを作製し、これから電気メッキ法により凹
凸パターンを複製したニッケル製のプレス版を複製し、
このプレス版をホログラム形成層８３上に加熱押圧する
という周知の方法により大量複製が行われている。この
タイプのホログラムは、レリーフ型ホログラムと称され
ている。

【０００９】またレリーフ型ホログラムとは異なり、感
光性樹脂などの記録材を用いて、体積方向に干渉縞を記
録する体積型ホログラムと称されるものもある。この型
のホログラムではリップマンホログラムと呼ばれるもの
が一般に使用されており、これは感光性樹脂の屈折率を
体積方向に変化させ、反射型ホログラムとしたものであ
る。

【００１０】さらに、レリーフ型で大量複製し、偽造防
止手段としてクレジットカード等の一部に貼着して使用
されているものとして、ホログラム画像とは異なる回折
格子パターンが挙げられる。一例として、複数の微小な
ドットを所望に配置した回折格子パターンを用いる方法
があり、本出願人による特開昭６０ー１５６００４号公
報・特開平２−７２３１９号公報・特開平５−７２４０
６号公報などに代表される方法が公知である。これらの
方法は、２本のレーザービームをフォトレジスト上で交
叉させ、ドット単位で露光させることにより双方のレー
ザービームを干渉させて、各ドットに形成される微小な
干渉縞からなる回折格子を、そのピッチ・方向・光強度
を適宜変化させながら次々と露光記録し、回折格子ドッ
ト（セル）の集まりからなるパターンを作製する方法
（２光束干渉法）である。

【００１１】回折格子は、感光材料に入射する２光束の
角度によって、そのピッチ（空間周波数の逆数）が変わ
り、回折格子の方向は２光束の入射する方向によって変
わる。作製されたパターンの観察時には，前記ピッチは
見える色に、前記方向は見える方向に、それぞれ関係す
る。また、露光の際の光強度は、干渉縞の深さを変更す
ることになり、観察時には見える明るさとして関係する
ことになる。回折格子パターンの作製方法は、上記の２
光束干渉法に限定されるものではなく、電子線（エレク
トロンビーム、いわゆるＥＢ）により、ＥＢレジストの
表面に格子縞を直接描画し、回折格子ドット（セル）を
配置する方法を採用しても良い。前記の方法は、例えば
本特許出願人による特開平２−７２３２０号公報により
公知である。

【００１２】ちなみに、上記のレーザービームを用いた
場合、ＥＢを用いた場合、何れもマスターから、電気メ
ッキ法により凹凸パターンを複製するのは、ホログラム
の場合と同じである。さらに、例えば、マスターを作製
する工程か、もしくはニッケル製のプレス版を作製する
工程で、ホログラムと回折格子パターンとを適宜に組み
合わせることも可能である。これによると、ただ単にホ
ログラムだけの場合と単に回折格子パターンだけの場合
と比較して、また違った装飾的効果を発揮することがで
き、またその製造の困難さからセキュリティ性向上の効
果を享受することにも繋がる。

【００１３】また、大量複製されたＯＶＤを有する転写
シートを転写、貼着する方法は、金属の加熱された刻印
と被転写体の間に転写シートを配置し、転写シートを刻
印で被転写体に押圧するホットスタンプ方式が一般的で
あり、他にも加熱された刻印の代わりに加熱されたロー
ルを使用するロール転写方式などが利用されている。ま
た、これらＯＶＤを有する転写シートをカード類のオー
バーコートとして使用する動きも拡がっており、この関
連でサーマルヘッドを用いて転写シートを転写するサー
マルヘッド転写方式も利用されている。

【００１４】一方、いわゆるクレジットカード、ＩＤカ
ード、あるいはキャッシュカード等のカード類の分野に
おいては、磁気カードに代わる次世代のカードとでもい
うものとして、カード素材にマイクロプロセッサや、Ｒ
ＡＭあるいはＲＯＭ等の半導体メモリを含むＩＣモジュ
ールを搭載したいわゆるＩＣカードが、情報記録容量が
非常に大きいことや、高セキュリティ性を有することか
ら開発が進められてきている。

【００１５】これらのＩＣカードは、情報やエネルギの
伝達を電気的接点を介して接触式で行うタイプと、電気
的接点を使用せず非接触式で行うタイプとに大別され
る。

【００１６】接触式タイプは、カード表面に露呈された
外部端子に直接リーダー側端子を接触、接続して電源供
給および情報通信を行うもので、現在のＩＣカードのタ
イプとしては殆どがこの範疇に入る。この接触式のカー
ドの読み取りは、良好なカードに対してのエラー率は極
めて低い反面、外部端子が摩耗により損傷を受けやす
く、損傷を受けると電気導通性が失われて読み取りがで
きなくなる問題や、カードの表面に帯電した静電気の影
響を受けやすく、その静電気が読み取りエラーの原因と
なるという問題がある。

【００１７】いっぽう、非接触式タイプは、メモリ用の
ＩＣチップと電力供給および通信用アンテナとしての機
能を持ったコイルから構成され、情報通信を非接触で行
うものである。このカードに使用される非接触型ＩＣモ
ジュールは、カード化の際に通信用端子をカード表面に
露呈する必要がないため、外部端子の損傷や静電気によ
る読み取りエラーの心配はない。このような非接触型Ｉ
Ｃモジュールは、その記憶情報量、電送媒体方式、読み
書き距離等により形状も異なっている。なかでもコイル
形状は、電送媒体方式の違いなどにより、円形タイプの
ものや長方形を中心とする多角形からなるもの等多種多
様である。

【００１８】さらに、現状では前述した非接触型ＩＣカ
ードと接触型ＩＣカードを組合せ、１チップで非接触機
能と接触機能を実現させた、複合ＩＣカードが提案され
ている。すなわち、非接触型の使い勝手の良さと接触型
のセキュリティとを組み合わせて、便利なアプリケーシ
ョンを実現することを目的として製造される複合ＩＣカ
ードである。

【００１９】これらのＩＣカードを、クレジットカード
等の偽造防止が必要とされるカードに使用する場合、従
来通りＯＶＤを偽造防止アイテムとして使用することが
考えられるが、従来通りの位置にＯＶＤを設けた場合、
ＩＣモジュールの存在によりカード表面のデザインが非
常に制約されてしまうという問題点が考えられる。

【００２０】また、ＩＣカードの偽造を考えた場合、正
規のＩＣチップに記録された情報を偽造ＩＣチップにコ
ピーする不正行為も危惧されるところから、これに対抗
すべく、例えば、ＩＣチップの正当性を証明するための
偽造防止アイテムをＩＣカードに設けることが期待され
るようになってくる。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来の技
術のもつ問題点に鑑みてなされたものであり、ＩＣモジ
ュールに新奇な技術により偽造防止でき、万一それらの
不正行為が行われても発見が容易なアイテムを設けたＩ
Ｃカード及びＩＣモジュール並びにそれらの製造方法を
提供することを目的とし、特には、ＩＣモジュール自体
に偽造防止能力及び万一不正が行われてもその発見を容
易とすることへの信頼性を付与すると共に、カードのデ
ザイン上の自由度を高めること、これらを可能とするア
イテムを設ける技術を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、ＩＣモジュールにＯＶＤを設けた。特
に、接触式ＩＣカードの場合はＩＣモジュール基板の表
面電極上に設けることで、カードデザインの自由度を高
くした。さらに、ＩＣチップの電気的特性に影響を及ぼ
さないように、ＯＶＤを設ける場所として、表面電極の
中央部に設けられたグラウンド電圧端子とし、積層して
設けたＯＶＤ構造体の反射性薄膜層に絶縁状態の島状金
属膜を用いた。また、別の好ましい手段として、ＩＣモ
ジュールの偽造防止性を高めるために、表面電極を構成
するＩＣモジュール基板の金属箔の部分にＯＶＤのレリ
ーフを設け、表面電極とＯＶＤを一体化するようにし
た。この金属箔としては、特に銅箔が本発明には最も好
適であり、且つＩＣモジュール基板の金属箔には銅泊が
使用されることが既に一般的でもある。但し、本発明
は、銅箔以外の金属箔であっても好適である。

【００２３】また、上記ＩＣカードのＩＣモジュール上
にＯＶＤを設ける方法としては、ＩＣチップが圧力によ
り破壊されやすいことを考慮すると、実用性の高い技術
は自ずと限られてくる。本発明では、ＩＣモジュール基
板の表面電極の所望の位置に接着剤をパターン状に設
け、ＯＶＤ転写箔をその上に重ね、刻印にて低圧で接触
・接着させた後、ＯＶＤ転写箔のベースフィルムを剥離
する方法を用いた。また、別の好適な手段としては、金
属箔（好適な例としては銅箔）にＯＶＤのレリーフを形
成し、これをガラスエポキシ基材へラミネートした基板
を使用して、ＩＣモジュールを作製する方法を用いた。

【００２４】まず、請求項１に示す発明は、ホログラム
または回折格子パターンのいずれかをＩＣモジュールに
設けたことを特徴とするＩＣカードである。

【００２５】請求項２に示す発明は、請求項１のＩＣカ
ードを基本とし、特に、ホログラムまたは回折格子パタ
ーンのいずれかを設ける部位を、接触式ＩＣカードに使
用可能なＩＣモジュールの表面電極の一部またはほぼ全
面のいずれかとすることを特徴とする。

【００２６】請求項３に示す発明は、請求項１又は２の
いずれかのＩＣカードを基本とし、特に、ホログラムま
たは回折格子パターンのいずれかを設ける部位を、表面
電極の中央部に設けたグラウンド電圧端子としたことを
特徴とする。

【００２７】請求項４に示す発明は、請求項１乃至３の
いずれかのＩＣカードを基本とし、特に、反射性薄膜層
が、少なくとも一部に設けられたホログラムまたは回折
格子パターンのいずれかの構造体を積層状態でＩＣモジ
ュールに設けたＩＣカードであり、該反射性薄膜層には
島状に配置され互いに絶縁状態にある金属薄膜を用いて
いることを特徴とする。

【００２８】請求項５に示す発明は、請求項１乃至３の
いずれかのＩＣカードを基本とし、特に、ホログラムま
たは回折格子パターンのいずれかのレリーフを、金属箔
を用いたＩＣモジュール基板の該金属箔に設けたことを
特徴とする。

【００２９】それから、請求項６に示す発明は、ホログ
ラムまたは回折格子パターンのいずれかを設けたことを
特徴とするＩＣモジュールである。

【００３０】請求項７に示す発明は、請求項６のＩＣモ
ジュールを基本とし、特に、ホログラムまたは回折格子
パターンのいずれかを設ける部位を、接触式ＩＣカード
に使用可能なＩＣモジュールの表面電極の一部または全
面のいずれかとすることを特徴とする。

【００３１】請求項８に示す発明は、請求項６又は７の
いずれかのＩＣモジュールを基本とし、特に、ホログラ
ムまたは回折格子パターンのいずれかを設ける部位を、
表面電極の中央部に設けたグラウンド電圧端子としたこ
とを特徴とする。

【００３２】請求項９に示す発明は、請求項６乃至８の
いずれかのＩＣモジュールを基本とし、特に、反射性薄
膜層が少なくとも一部に設けられたホログラムまたは回
折格子パターンのいずれかの構造体を積層状態でＩＣモ
ジュールに設けてあり、該反射性薄膜層には島状に配置
され互いに絶縁状態にある金属薄膜が用いられているこ
とを特徴とする。

【００３３】請求項１０に示す発明は、請求項６乃至８
のいずれかのＩＣモジュールを基本とし、特に、ホログ
ラムまたは回折格子パターンのいずれかのレリーフを、
金属箔を用いたＩＣモジュール基板の該金属箔に設けた
ことを特徴とする。

【００３４】請求項１１に示す発明は、ＩＣモジュール
基板の表面電極の所望する任意の部位に接着剤をパター
ン状に設けた上ヘ、ホログラム転写箔または回折格子パ
ターン転写箔のいずれかを重ね、柔軟な材質の刻印を用
いて低圧で接触させることにより接着させ、しかる後に
前記ホログラム転写箔または回折格子パターン転写箔の
いずれかのベースフィルムを剥離することによって、ホ
ログラムまたは回折格子パターンをＩＣモジュール上に
設けることを特徴とするＩＣカードの製造方法である。

【００３５】請求項１２に示す発明は、ホログラムまた
は回折格子パターンのいずれかのレリーフを金属箔に形
成し、これをガラスエポキシ基材又はポリイミド基材の
いずれかへラミネートすることによりＩＣモジュール基
板を作成し、該ＩＣモジュール基板を用いてＩＣモジュ
ールを作成し、しかる後に該ＩＣモジュールを用いてＩ
Ｃカードを製造することを特徴とするＩＣカードの製造
方法である。

【００３６】請求項１３に示す発明は、金属箔をガラス
エポキシ基材又はポリイミド基材のいずれかへラミネー
トした後に、ホログラムまたは回折格子パターンのいず
れかのレリーフを該金属箔に形成することによりＩＣモ
ジュール基板を作成し、該ＩＣモジュール基板を用いて
ＩＣモジュールを作成し、しかる後に該ＩＣモジュール
を用いてＩＣカードを製造することを特徴とするＩＣカ
ードの製造方法である。

【００３７】請求項１４に示す発明は、ＩＣモジュール
基板の表面電極の所望する任意の部位に接着剤をパター
ン状に設けた上ヘ、ホログラム転写箔または回折格子パ
ターン転写箔のいずれかを重ね、柔軟な材質の刻印を用
いて低圧で接触させることにより接着させ、しかる後に
前記ホログラム転写箔または回折格子パターン転写箔の
いずれかのベースフィルムを剥離することによって、ホ
ログラムまたは回折格子パターンをＩＣモジュール基板
上に設けることを特徴とするＩＣモジュールの製造方法
である。

【００３８】請求項１５に示す発明は、ホログラムまた
は回折格子パターンのいずれかのレリーフを金属箔に形
成し、これをガラスエポキシ基材へラミネートすること
によりＩＣモジュール基板を作成し、しかる後に該ＩＣ
モジュール基板を用いてＩＣモジュールを製造すること
を特徴とするＩＣモジュールの製造方法である。

【００３９】請求項１６に示す発明は、金属箔をガラス
エポキシ基材又はポリイミド基材のいずれかへラミネー
トした後に、ホログラムまたは回折格子パターンのいず
れかのレリーフを該金属箔に形成することによりＩＣモ
ジュール基板を作成し、しかる後に該ＩＣモジュール基
板を用いてＩＣモジュールを製造することを特徴とする
ＩＣモジュールの製造方法である。

【００４０】

【発明の実施の形態】本発明は、図に示すように、ＩＣ
モジュールにＯＶＤを設けたＩＣカードである。また、
上記ＩＣモジュールにＯＶＤを設けたＩＣカードの製造
方法である。

【００４１】以下、図に基づき実施の形態を説明する。
まず、本発明の転写方式による接触式ＩＣカードについ
て説明する。図１は、本発明の一実施例におけるＯＶＤ
付きＩＣカードの平面図である。図１に示すように、Ｉ
Ｃカード１０上に設けた接触式のＩＣモジュール基板１
１の表面電極１２上にＯＶＤ１３を設けてＯＶＤ付きＩ
Ｃカードとしたものである。尚、昨今は、非接触式と接
触式との両方の機能を１個のＩＣチップに備えた形式の
ＩＣカード（場合により複合型ＩＣカードと称されたり
する）や、非接触式と接触式との各機能を個別のＩＣチ
ップに備えた形式のＩＣカードについても、研究・開発
がなされている様子であるが、本発明は、少なくとも接
触式で情報やエネルギの伝達を行う為の機能・構造を備
えたＩＣカードの場合には、非接触式の為の機能・構造
も備えているＩＣカードであっても好適に応用可能であ
る。

【００４２】ＩＣカード１０のカード基材としては、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、あ
るいはポリスチレン等の合成樹脂、また天然樹脂などを
用いて、これらのいずれか単独で選択されたもの、また
は上記より適宜選択されて組み合わされた複合体が使用
可能である。

【００４３】ＩＣモジュール基板１１の表面電極１２の
表面は、通常はＡｕの金属メッキが施されている。特に
本発明ではＯＶＤを表面上に接着させるため、接着処理
が容易でかつ保存性の良い材質で表面処理をすることが
望ましく、Ｎｉ、Ｃｒなどの接着性が良く保存性の良い
金属をメッキ処理することが望ましい。

【００４４】図２は、本発明の一実施例におけるＯＶＤ
付きＩＣモジュール基板の平面図である。図２に示すよ
うに、ＩＣモジュール基板２０の表面電極２１〜２８
は、８つの外部端子を形成しており、それぞれ回路電圧
端子２１、リセット信号端子２２、クロック信号端子２
３、予備端子２４、グラウンド電圧端子２５、プログラ
ム供給電圧端子２６、データ入出力端子２７、予備端子
２８となっている。

【００４５】ＩＣモジュール端子のデザインは、ＩＣカ
ードリーダーのコンタクトピンが接触する位置に各端子
が位置すればどの様なものでも良いが、コンタクト位置
以外の部分すなわちＩＣモジュール基板の中央部分は、
通常グラウンド電圧端子で埋めるのが一般的である。

【００４６】本発明では、ＩＣモジュール基板１１の表
面電極１２にＯＶＤ１３を設けるため、ＩＣチップの電
気的特性に最も影響を与えないグラウンド電圧端子２５
にＯＶＤ２９を設けることが最も望ましいが、他にも予
備端子２４、２８等の電気的特性に影響を与えないに端
子に設けることが可能である。また、ＩＣモジュール基
板２０にＯＶＤ２９を設ける場合、デザイン上、またコ
ンタクトピンの接触位置を考慮すると、ＩＣモジュール
基板２０の中央に設けることが最も良く、図２ではグラ
ウンド電圧端子２５を伸ばして中央部に配置してある。
なお、ＯＶＤ２９を回路電圧端子２１や予備端子２４、
２８に設ける場合は、同様にＩＣモジュール基板２０の
中央部に端子を伸ばして配置すれば良い。

【００４７】図３は、本発明の一実施例におけるＯＶＤ
付きＩＣカードの断面図である。図３に示すように、Ｉ
Ｃモジュール３０はガラスエポキシ基材３１の片面に銅
配線パターン３２が形成され、その上に金属メッキ３３
を施すことで外部端子を形成し、ＩＣチップ３４をガラ
スエポキシ基材３１のもう一方の面にボンディングし、
ワイヤ３５によりＩＣチップ３４と外部端子との接続を
ワイヤボンディング方式により行い、次いでトランスフ
ァモールド方式によりモールド樹脂３６にてＩＣチップ
３４を封止して作製される。このＩＣモジュール３０を
接着剤３７１にて予めＩＣモジュール相当の凹部を設け
たカード基材３８に接着してＩＣカードを製造する。更
に、外部端子の金属メッキ３３上に接着剤３７２を介し
てＯＶＤ転写層３９が設けられている。本説明は、一般
的な製造工程によるＩＣカードを例に説明したが、ＩＣ
チップと外部端子の接続方法はバンプ方式、ＩＣチップ
の封止はポッティング方式などを用いる場合もある。

【００４８】ＯＶＤ転写層３９は、接着剤３７２を介し
て金属メッキ３３上に接着しているが、接着剤３７２は
金属メッキ３３とＯＶＤ転写層３９に接着性の良いもの
であれば良い。例えば、アクリル樹脂系、ウレタン樹脂
系、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、フェノール樹
脂系などの接着剤を使用することが可能である。また、
常温硬化型の接着剤を用いるのが望ましく、嫌気性硬化
型、ＵＶ硬化型、ＥＢ硬化型、ＦＧＡ（第１世代アクリ
ル系接着剤）およびＳＧＡ（第２世代アクリル系接着
剤）に代表される反応性硬化型などの接着剤を用いるこ
とができる。

【００４９】図４は、本発明の一実施例におけるＯＶＤ
転写箔の断面図である。図４に示すようにＯＶＤ転写箔
は、基材４１に剥離層４２、ＯＶＤ形成層４３をグラビ
アコーティング等の塗工手段により形成し、次いで公知
のエンボス法によりレリーフ型ＯＶＤのレリーフ４４を
形成し、これに真空蒸着等の薄膜形成手段により反射性
薄膜層４５を形成した後、最後にプライマー層４６をグ
ラビアコーティング等の塗工手段により形成して得られ
る。また、剥離層４２からプライマー層４６までの層を
まとめてＯＶＤ転写層４０と称する。

【００５０】基材４１は、透明なポリエチレンテレフタ
レートフィルムが一般的で望ましいが、他にもポリ塩化
ビニル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタク
リル酸メチル、ポリスチレン等の合成樹脂、天然樹脂、
紙、合成紙などから単独で選択されたもの、または上記
より選択されて組み合わされた複合体が使用可能となっ
ている。厚みは、熱転写の場合は加工適性上、１２〜２
５μｍの範囲にあることが好ましい。

【００５１】剥離層４２は、ＯＶＤ転写層４０をより効
果的にＩＣモジュール基板１１の表面電極１２上に転写
するために設けられたものであり、熱可塑性アクリル樹
脂、ポリエステル樹脂、塩化ゴム系樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合樹脂、セルロース系樹脂、塩素化ポリ
プロピレン樹脂あるいはこれらにオイルシリコン、脂肪
酸アミド、ステアリン酸亜鉛を添加したものが使用可能
となっている。または、無機物を使用してもよい。形成
方法は、グラビアコーティング等の公知の塗工手段を用
いることが可能で、厚みは０．５〜１．５μｍの範囲に
あることが好ましい。

【００５２】ＯＶＤ形成層４３は、エンボス成形性が良
好で、プレスムラが生じ難く、明るい再生像が得られ、
剥離層４２及び反射性薄膜層４５との接着性が良好であ
る樹脂であって、例えば、ウレタン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂など
の熱可塑性樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹
脂、エポキシ樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート、ポ
リエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）ア
クリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、メラミ
ン（メタ）アクリレート、又はトリアジン（メタ）アク
リレートなどの熱硬化性樹脂あるいはこれらの混合物、
それからラジカル重合性不飽和基を有する熱成型性材料
などが使用可能であり、また上記以外のものでも、回折
構造を形成可能な安定性を有する材料であれば使用可能
である。形成方法は、グラビアコーティング等の公知の
塗工手段を用いることが可能で、厚みは０．５〜１．５
μｍの範囲にあることが好ましい。

【００５３】レリーフ型ＯＶＤのレリーフ４４は、レリ
ーフ型ＯＶＤを構成する微細な凹凸パターンが形成され
たニッケル製のプレス版を、ＯＶＤ形成層４３上に加熱
押圧するなどの周知の方法により形成可能である。ま
た、加熱押圧は反射性薄膜層４５を形成する前でも形成
した後でもどちらでも可能である。

【００５４】反射性薄膜層４５は、光線を反射する層で
あって、金属反射性を有する物質が使用可能である。例
えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎなどの金属が考え
られるが、金属を使用する場合には、本発明のＯＶＤ転
写箔が導体である金属と不導体である樹脂との積層体で
あるため、表面電極に積層した場合にはコンデンサーを
形成し、ＩＣチップの電気的特性に悪影響を及ぼすこと
になる。このため、金属を使用する場合には、Ｓｎ、Ａ
ｕなどを島状に蒸着して得られる、絶縁状態で金属光沢
を有する金属膜を用いることが望ましい。なお、他の金
属を使用した場合も、蒸着による薄膜形成過程の初期で
は、ほとんどの金属が島状構造を取るため、この状態の
薄膜を形成すればどのような金属も使用することができ
る。形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等の成膜手段が適用可能で
あり、膜厚としては１０〜１５０ｎｍの範囲にあること
が好ましい。

【００５５】また、反射性薄膜層４５としては、反射性
と透過性を合わせ持つ高屈折率透明材料を使用すること
も可能である。すなわち、ＯＶＤ形成層４３（屈折率ｎ
＝１．３〜１．５）よりも屈折率が高く、透明性を持つ
材料、例えば次表１に示す無機材料が使用可能となって
いる。

【００５６】

【表１】

【００５７】プライマー層４６は、反射性薄膜層４５を
保護するためのもので、表面電極に接着させるための接
着剤３７２に接着性の良い樹脂でかつ反射性薄膜層４５
を変質させたり侵すものでなければ通常用いられるもの
でよく、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの熱可塑性樹脂、
不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹
脂、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メ
タ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポ
リオール（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アク
リレート、トリアジン（メタ）アクリレートなどの熱硬
化性樹脂あるいはこれらの混合物などが使用可能である
が、これらに限定されるものではない。形成方法は、グ
ラビアコーティング等の公知の塗工手段を用いることが
可能で、厚みは０．５〜１．５μｍの範囲にあることが
好ましい。

【００５８】また、２液接触硬化型の反応性硬化型接着
剤を用いる場合は、プライマー層４６は、表面電極に接
着させるための接着剤３７２と反応して、硬化型の接着
を行うためのもので、重合促進剤（還元剤）または重合
触媒（開始剤）を含む材料が用いられる。形成方法は、
エアーブラシ等の公知の塗工手段を用いることが可能で
ある。

【００５９】図５は、本発明の一実施例におけるＩＣカ
ードの製造方法を示す説明図である。尚、図５（Ａ〜
Ｃ）は、ＩＣカードにＯＶＤを転写方式にて設ける場合
の製造工程を示すものである。まず、図３で説明したよ
うに一般的な製造工程によって、ＩＣモジュール５２を
作製し、ＩＣモジュール５２を凹部を設けたカード基材
５１に接着してＩＣカードを作製する。

【００６０】次に、図５（Ａ）に示すように、ＩＣモジ
ュール５２の表面電極５３上にスクリーン印刷法、パッ
ド印刷法等の印刷方法により、任意の形状で接着剤５４
を形成する。接着剤５４は、前述したようなエポキシ樹
脂系、ポリイミド樹脂系、フェノール樹脂系などの接着
剤を使用することができるが、常温硬化型の接着剤を用
いるのが好ましい。尚、厚みは１〜３０μｍ程度の範囲
にあることが好ましい。

【００６１】次に、図５（Ｂ）に示すように、前記接着
剤５４の上部にＯＶＤ転写箔５５を配置し、刻印５６で
ＯＶＤ転写箔５５を接着剤５４に低圧で押し付けて、接
着させる。ここでいう低圧とは、ＩＣモジュールの機能
が破壊されない程度の圧力を指す。刻印５６に用いる材
質は、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属材料またはそれらの
合金などが好適に使用可能な例である。これらの硬い材
料を用いた場合は圧力ムラが出やすいため、均一に接着
させようとすると圧力がかかりすぎ、ＩＣチップが破壊
されてしまう恐れがある。このため、接着剤５４を柔軟
性があり、１０μｍ以上の厚い厚みで形成し、圧力を殆
どかけない状態で刻印５６を保持して接着させる必要が
ある。 低圧で圧力ムラなく押圧することを考慮する
と、シリコンゴム、天然ゴム、ＳＢＲなどのゴム材料を
刻印５６に用いることが好ましい。

【００６２】次いで、図５（Ｃ）に示すように、接着剤
５４とＯＶＤ転写箔５５のＯＶＤ転写層５５２が接着し
た後に、刻印５６を除去してＯＶＤ転写箔５５を引き上
げることで、接着した部分のＯＶＤ転写層５５２のみが
表面電極５３上に残り、ＯＶＤ５７が形成される。

【００６３】次に、本発明の銅箔方式による接触式ＩＣ
カードについて説明する。図６は、本発明の一実施例に
おけるＯＶＤ付きＩＣカードの断面図である。図６に示
すように、ＩＣモジュール６０はガラスエポキシ基材６
１の片面に銅配線パターン６２が形成され、この銅配線
パターン６２にＯＶＤのレリーフ６３が形成されてお
り、その上に金属メッキ６４を施すことで外部端子を形
成し、ＩＣチップ６５をガラスエポキシ基材６１のもう
一方の面にボンディングし、ワイヤ６６によりＩＣチッ
プ６５と外部端子との接続をワイヤボンディング方式に
より行い、次いでトランスファモールド方式によりモー
ルド樹脂６７にてＩＣチップ６５を封止して作製され
る。このＩＣモジュール６０を接着剤６８にて予めＩＣ
モジュール相当の凹部を設けたカード基材６９に接着し
てＩＣカードを製造する。

【００６４】図７は、本発明の一実施例に係わるＩＣカ
ードの製造方法を示す説明図である。図７（Ａ、Ｂ）
は、金属箔にＯＶＤをレリーフで形成する方式の場合の
ＩＣモジュール基板の製造方法の一実施例を示す説明図
である。

【００６５】ここでは金属箔として、好例である銅箔を
挙げて説明する。まず図７（Ａ）に示すように、電解方
式により電解装置７０にて、ＯＶＤ入り銅箔７２２を作
製する。すなわち、電解タンク７４１内に満たされた電
解液７４２中で、回転陰極７１と電解陽極７３の間に電
圧をかけ、電解により回転陰極７１に銅箔を電着させて
巻き取り部７５にて巻き取る銅箔の作製方法において、
回転陰極７１にＯＶＤのレリーフを有するＯＶＤシム７
２１を巻き付けて電解を行うことで、ＯＶＤ入り銅箔７
２２を作製する。その後、公知のトリート工程によりレ
リーフ面とは逆の面に、粗面化処理、耐熱バリヤー処
理、防錆処理などの処理（図示せず）を施しＯＶＤ入り
銅箔７２３を作製する。

【００６６】次に図７（Ｂ）に示すように、作製したＯ
ＶＤ入り銅箔７２３のレリーフ面とは逆の粗面化処理面
と、ガラスエポキシ基材７７との間に接着テープ７８を
配置し、ラミネートロール７９により熱圧で接着ラミネ
ート処理により接着させ、ＩＣモジュール基材７６を作
製する。接着テープは、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂などを用いることができる。以下、
図３で説明したように一般的な製造工程により、ＩＣモ
ジュール６０を作製し、ＩＣモジュール６０を凹部を設
けたカード基材６９に接着してＩＣカードを作製する。

【００６７】前記の説明は、特に電解方式による銅箔の
作製方法を例に挙げて、銅箔にＯＶＤを形成する方法に
ついて述べたものである。この他にも、例えば圧延方式
により銅箔を作製した場合や、電解時にＯＶＤを形成せ
ずに電解方式により銅箔を作製した場合には、銅箔を作
製した後に通常のエンボス方式によりレリーフを形成す
る方法や、エッチング、機械切削によりレリーフを形成
する方法などを用いることができる。

【００６８】また、ホログラムまたは回折格子パターン
のいずれかのレリーフを金属箔に形成し、これを基材
（例えばガラスエポキシ基材又はポリイミド基材のいず
れか）へラミネートすることによりＩＣモジュール基板
を作成し、そのＩＣモジュール基板を用いてＩＣモジュ
ールを作成すること、そしてそのＩＣモジュールを用い
てＩＣカードを製造する場合も可能である。

【００６９】あるいは、まず金属箔をガラスエポキシ基
材又はポリイミド基材のいずれかへラミネートした後
に、ホログラムまたは回折格子パターンのいずれかのレ
リーフを該金属箔に形成することによりＩＣモジュール
基板を作成し、そのＩＣモジュール基板を用いてＩＣモ
ジュールを作成すること、そして、そのＩＣモジュール
を用いてＩＣカードを製造する場合も可能である。尚、
以上は使用する金属材料の代表的具体例として銅を挙げ
て説明してきたが、銅以外の金属を使用した金属箔を用
いた場合であっても、銅の場合を基本にして各金属材料
に応じて適宜応用することも可能である。

【００７０】

【実施例】以下、本発明の実施例１について説明する。 ＜実施例１＞実施例１は、本発明の転写方式を応用して
製造する接触式ＩＣカードの例である。まず、本発明の
ＯＶＤ転写箔について図４を用いて説明する。

【００７１】基材４１は、厚さ２５μｍの透明なポリエ
チレンテレフタレートフィルムである。

【００７２】剥離層４２は、以下の配合比からなる組成
物をグラビア印刷法により、乾燥温度１１０℃、厚さ
０．８μｍで形成した。

【００７３】 アクリル樹脂 …３０部 ポリエステル樹脂 … ５部 トルエン …４０部 メチルエチルケトン …４０部 メチルイソブチルケトン …２０部

【００７４】ＯＶＤ形成層４３は、以下の配合比からな
る組成物をグラビア印刷法により、乾燥温度１１０℃、
厚さ０．５μｍで形成した。

【００７５】 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 …２５部 ウレタン樹脂 …１０部 メチルエチルケトン …７０部 トルエン …３０部

【００７６】また、レリーフ４４は、このような組成の
ＯＶＤ形成層４３に対し、版面温度が１６５℃の公知の
ロールエンボス成形を行うことにより形成した。ＯＶＤ
としてはホログラムを用いた。

【００７７】反射性薄膜層４５はＳｎを公知の真空蒸着
法を利用し、且つその面の全面に形成するのではなく、
島状にそれぞれ離散配置することで、相互に絶縁された
状態に形成した。

【００７８】プライマー層４６は、ＳＧＡ接着剤の重合
促進剤（還元剤）を用い、エアーブラシにより、厚さ
０．２μｍで形成した。なおプライマー層４６は、以下
に説明する転写工程の手前に設けたプライマー形成部に
て形成した。

【００７９】次に、本発明のＩＣカードの製造方法につ
いて図２および図５を用いて説明する。まず、図３で説
明したような一般的な製造工程によりＩＣカードを作製
し、その後上記方法にて作製したＯＶＤ転写箔５５をＩ
Ｃカード上に配置し、図５に示すような方法でＩＣカー
ドのＩＣモジュール５２の表面電極５３上にＯＶＤ転写
層５５２を転写、貼着した。

【００８０】接着剤５４は、ＳＧＡ接着剤の重合触媒
（開始剤）入りの主剤を用い、スクリン印刷法により厚
さ３．０μｍで形成した。また図２に示すように、形成
する位置は表面電極上のグラウンド電圧端子２５上と
し、形状はＯＶＤ２９と同じ形状の角Ｒをつけた長方形
状に形成した。なお接着剤５４は、転写工程の手前に設
けた接着剤形成部にて形成した。

【００８１】刻印５６は、ＩＣモジュール５２が設けら
れている凹部より大きいサイズのシリコンゴム製の刻印
を用い、下記の転写条件で転写、貼着を行った。

【００８２】 転写圧力 …１０〜２０ｇｆ／ｃｍ² 圧力保持時間（転写時間）…１０分 硬化条件 …常温放置１日

【００８３】上記方法にて作製したＩＣカードは、ＩＣ
モジュール上にホログラムが貼着されたデザイン自由度
の高いカードであり、ＩＣカードリーダーを用いて、正
規に情報を読み取ることができた。

【００８４】＜実施例２＞以下、本発明の実施例２につ
いて説明する。実施例２は、本発明の銅箔にレリーフを
形成する方式により製造する接触式ＩＣカードの例であ
る。本発明に係わるＯＶＤ入り銅箔および本発明のＩＣ
カードの製造方法について、図６および図７を用いて説
明する。

【００８５】まず、図７（Ａ）に示すように、硫酸銅水
溶液に添加物を加えた電解液７４２を用い、電解方式に
より電解装置７０にて、下記条件にて厚み３５μｍのＯ
ＶＤ入り銅箔７２２を作製した。

【００８６】 銅イオン濃度 … ８５ｇ／ｌ 硫酸濃度 …１５０ｇ／ｌ 塩素イオン濃度 … ３０ｍｇ／ｌ ゼラチン濃度 … ３ｐｐｍ 液温 … ５０℃ 電流密度 … ６０Ａ／ｄｍ²

【００８７】ＯＶＤシム７２１は、公知のＮｉ電鋳法に
より作製した。また、材質はＮｉを用い、レリーフ面に
アルカリ処理を施した。ＯＶＤは、実施例１と同様にホ
ログラムを用いた。

【００８８】その後、公知のトリート工程により、レリ
ーフ面とは逆の面に粗面化処理、耐熱バリヤー処理、防
錆処理などの処理を施し、ＯＶＤ入り銅箔７２３を作製
した。

【００８９】次に図７（Ｂ）に示すように、下記条件に
て接着ラミネート処理を行い、ＩＣモジュール基材７６
を作製する。

【００９０】 接着テープ …エポキシ樹脂系接着テープ ラミネート温度 …２００℃ ラミネート時間 …１５秒／ｍｍ

【００９１】その後、図６で説明したように一般的な製
造工程により、ＩＣモジュール６０を作製し、ＩＣモジ
ュール６０を凹部を設けたカード基材６９に接着してＩ
Ｃカードを作製した。

【００９２】上記方法にて作製したＩＣカードは、ＩＣ
モジュールとホログラムが一体となった偽造防止性の高
いカードであり、ＩＣカードリーダーを用いて、正規に
情報を読み取ることができた。

【００９３】＜実施例３＞以下、本発明の実施例３につ
いて説明する。実施例３は、本発明の銅箔方式による接
触式ＩＣカードである。本発明のＯＶＤ入り銅箔および
本発明のＩＣカードの製造方法について説明する。

【００９４】まず、一般的な製造工程により、銅箔とポ
リイミドフィルム基材とを接着ラミネート処理により貼
り合わせる。次いで、通常のエッチング工程により、銅
箔に端子パターンを形成し、その後通常のメッキ工程に
よりＮｉ、Ａｕをメッキして、ＩＣモジュール基材を作
製する。

【００９５】このＩＣモジュール基材を、下記の条件に
よる通常のロールエンボス工程を通し、ＩＣモジュール
基材の銅箔部分にレリーフを形成し、ＯＶＤ入りＩＣモ
ジュール基材を作製した。ＯＶＤは実施例１と同様にホ
ログラムを用いた。 エンボス速度…５ｍ／ｍｉｎ エンボス圧力…７００ｋｇ／ｃｍ²

【００９６】その後、図６で説明したように一般的な製
造工程により、ＩＣモジュール６０を作製し、ＩＣモジ
ュール６０を凹部を設けたカード基材６９に接着してＩ
Ｃカードを作製した。

【００９７】上記方法にて作製したＩＣカードは、ＩＣ
モジュールとホログラムが一体となった偽造防止性の高
いカードであり、ＩＣカードリーダーを用いて、正規に
情報を読み取ることができた。

【００９８】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明ではＩ
Ｃモジュールにホログラムまたは回折格子パターンを設
けたことで、ＩＣモジュールの信頼性を確保し、カード
デザインの自由度の高い、偽造防止性の高いＩＣカード
を提供することができる。特に、ＩＣモジュール基板の
表面電極上にホログラムまたは回折格子パターンを設け
ることで、カードデザインの自由度を高くすることがで
きる。

【００９９】また、表面電極の中央部に設けられたグラ
ウンド電圧端子にホログラムまたは回折格子パターンを
設けることと、設けたホログラムまたは回折格子パター
ンの反射性薄膜層に絶縁状態の島状金属膜を用いること
で、ＩＣチップの電気的特性に悪影響を及ぼさないよう
にすることができる。また、表面電極を構成するＩＣモ
ジュール基板の銅箔部分にホログラムまたは回折格子パ
ターンのレリーフを設け、表面電極とホログラムまたは
回折格子パターンを一体化することで、ＩＣモジュール
の偽造防止性を高めることができる。また、本発明に係
わる製造方法により、上記説明してきたＩＣモジュール
の信頼性を確保し、カードデザインの自由度の高い、偽
造防止性の高いＩＣカードを製造することが可能とな
る。

【０１００】ＩＣモジュールに新奇な技術により偽造防
止でき、万一それらの不正行為が行われても発見が容易
なアイテムを設けたＩＣカード及びＩＣモジュール並び
にそれらの製造方法を提供することを目的とし、特に
は、ＩＣモジュール自体に偽造防止能力及び万一不正が
行われてもその発見を容易とすることへの信頼性を付与
すると共に、カードのデザイン上の自由度を高めるこ
と、これらを可能とするアイテムを設ける技術を提供す
ることを目的とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＯＶＤ付きＩＣカードの平面図。

【図２】本発明に係るＯＶＤ付きＩＣモジュール基板の
平面図。

【図３】本発明に係るＯＶＤ付きＩＣカードの断面図。

【図４】本発明に係るＯＶＤ転写箔の断面図。

【図５】本発明に係るＩＣカードの製造方法を示す説明
図。

【図６】本発明に係るＯＶＤ付きＩＣカードの断面図。

【図７】本発明に係るＩＣカードの製造方法を示す説明
図。

【図８】従来のホログラム転写シートの構成例を示す断
面図。

【符号の説明】

１０ …ＩＣカード １１、２０、３０、７６ …ＩＣモジュール基板 １２、５３ …表面電極 １３、２９、５７ …ＯＶＤ ２１ …回路電圧端子 ２２ …リセット信号端子 ２３ …クロック信号端子 ２４、２８ …予備端子 ２５ …グラウンド電圧端子 ２６ …プログラム供給電圧端子 ２７ …データ入出力端子 ３１、６１、７７ …ガラスエポキシ基材 ３２、６２ …銅配線パターン ３３、６４ …金属メッキ ３４、６５ …ＩＣチップ ３５、６６ …ワイヤ ３６、６７ …モールド樹脂 ３７１、３７２、５４、６８…接着剤 ３８、５１、６９ …カード基材 ３９、５５ …ＯＶＤ転写箔 ４０、５５２ …ＯＶＤ転写層 ４１、５５１、８１ …基材 ４２、８２ …剥離層 ４３ …ＯＶＤ形成層 ４４、６３、８４ …レリーフ ４５、８５ …反射性薄膜層 ４６ …プライマー層 ５２、６０ …ＩＣモジュール ５６ …刻印 ７０ …電解装置 ７１ …回転陰極 ７２１ …ＯＶＤシム ７２２ …ＯＶＤ入り銅箔 ７３ …電解陽極 ７４１ …電解タンク ７４２ …電解液 ７５ …巻き取り部 ７８ …接着テープ ７９ …ラミネートロール ８３ …ホログラム形成層 ８６ …接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０６Ｋ 19/06 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｄ

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかをＩＣモジュールに設けたことを特徴とするＩＣカ
   ード。
2. 【請求項２】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかを設ける部位を、接触式ＩＣカードに使用可能なＩ
   Ｃモジュールの表面電極の一部またはほぼ全面のいずれ
   かとすることを特徴とする請求項１に記載のＩＣカー
   ド。
3. 【請求項３】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかを設ける部位を、表面電極の中央部に設けたグラウ
   ンド電圧端子としたことを特徴とする請求項１又は２の
   いずれかに記載のＩＣカード。
4. 【請求項４】反射性薄膜層が、少なくとも一部に設けら
   れたホログラムまたは回折格子パターンのいずれかの構
   造体を積層状態でＩＣモジュールに設けたＩＣカードで
   あり、該反射性薄膜層には島状に配置され互いに絶縁状
   態にある金属薄膜を用いていることを特徴とする請求項
   １乃至３のいずれかに記載のＩＣカード。
5. 【請求項５】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかのレリーフを、金属箔を用いたＩＣモジュール基板
   の該金属箔に設けたことを特徴とする請求項１乃至３の
   いずれかに記載のＩＣカード。
6. 【請求項６】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかを設けたことを特徴とするＩＣモジュール。
7. 【請求項７】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかを設ける部位を、接触式ＩＣカードに使用可能なＩ
   Ｃモジュールの表面電極の一部または全面のいずれかと
   することを特徴とする請求項６に記載のＩＣモジュー
   ル。
8. 【請求項８】ホログラムまたは回折格子パターンのいず
   れかを設ける部位を、表面電極の中央部に設けたグラウ
   ンド電圧端子としたことを特徴とする請求項６又は７の
   いずれかに記載のＩＣモジュール。
9. 【請求項９】反射性薄膜層が少なくとも一部に設けられ
   たホログラムまたは回折格子パターンのいずれかの構造
   体を積層状態でＩＣモジュールに設けてあり、該反射性
   薄膜層には島状に配置され互いに絶縁状態にある金属薄
   膜が用いられていることを特徴とする請求項６乃至８の
   いずれかに記載のＩＣモジュール。
10. 【請求項１０】ホログラムまたは回折格子パターンのい
    ずれかのレリーフを、金属箔を用いたＩＣモジュール基
    板の該金属箔に設けたことを特徴とする請求項６乃至８
    のいずれかに記載のＩＣモジュール。
11. 【請求項１１】ＩＣモジュール基板の表面電極の所望す
    る任意の部位に接着剤をパターン状に設けた上ヘ、ホロ
    グラム転写箔または回折格子パターン転写箔のいずれか
    を重ね、柔軟な材質の刻印を用いて低圧で接触させるこ
    とにより接着させ、しかる後に前記ホログラム転写箔ま
    たは回折格子パターン転写箔のいずれかのベースフィル
    ムを剥離することによって、ホログラムまたは回折格子
    パターンをＩＣモジュール上に設けることを特徴とする
    ＩＣカードの製造方法。
12. 【請求項１２】ホログラムまたは回折格子パターンのい
    ずれかのレリーフを金属箔に形成し、これをガラスエポ
    キシ基材又はポリイミド基材のいずれかへラミネートす
    ることによりＩＣモジュール基板を作成し、該ＩＣモジ
    ュール基板を用いてＩＣモジュールを作成し、しかる後
    に該ＩＣモジュールを用いてＩＣカードを製造すること
    を特徴とするＩＣカードの製造方法。
13. 【請求項１３】金属箔をガラスエポキシ基材又はポリイ
    ミド基材のいずれかへラミネートした後に、ホログラム
    または回折格子パターンのいずれかのレリーフを該金属
    箔に形成することによりＩＣモジュール基板を作成し、
    該ＩＣモジュール基板を用いてＩＣモジュールを作成
    し、しかる後に該ＩＣモジュールを用いてＩＣカードを
    製造することを特徴とするＩＣカードの製造方法。
14. 【請求項１４】ＩＣモジュール基板の表面電極の所望す
    る任意の部位に接着剤をパターン状に設けた上ヘ、ホロ
    グラム転写箔または回折格子パターン転写箔のいずれか
    を重ね、柔軟な材質の刻印を用いて低圧で接触させるこ
    とにより接着させ、しかる後に前記ホログラム転写箔ま
    たは回折格子パターン転写箔のいずれかのベースフィル
    ムを剥離することによって、ホログラムまたは回折格子
    パターンをＩＣモジュール基板上に設けることを特徴と
    するＩＣモジュールの製造方法。
15. 【請求項１５】ホログラムまたは回折格子パターンのい
    ずれかのレリーフを金属箔に形成し、これをガラスエポ
    キシ基材又はポリイミド基材のいずれかへラミネートす
    ることによりＩＣモジュール基板を作成し、しかる後に
    該ＩＣモジュール基板を用いてＩＣモジュールを製造す
    ることを特徴とするＩＣモジュールの製造方法。
16. 【請求項１６】金属箔をガラスエポキシ基材又はポリイ
    ミド基材のいずれかへラミネートした後に、ホログラム
    または回折格子パターンのいずれかのレリーフを該金属
    箔に形成することによりＩＣモジュール基板を作成し、
    しかる後に該ＩＣモジュール基板を用いてＩＣモジュー
    ルを製造することを特徴とするＩＣモジュールの製造方
    法。