JPH11345551A - 湿度スイッチング素子 - Google Patents
湿度スイッチング素子Info
- Publication number
- JPH11345551A JPH11345551A JP17063798A JP17063798A JPH11345551A JP H11345551 A JPH11345551 A JP H11345551A JP 17063798 A JP17063798 A JP 17063798A JP 17063798 A JP17063798 A JP 17063798A JP H11345551 A JPH11345551 A JP H11345551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity
- substance
- switching element
- humidity switching
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非直線応答型の素子であって、スイッチング
動作が可能であり、しかもある程度応答範囲の調整を行
うことのできる湿度スイッチング素子を実現する。 【解決手段】 絶縁基板２上にギャップを介して配置さ
れている一対の電極４と、少なくともこのギャップ５の
周囲に形成されている感湿層３とを有し、かつ非直線性
湿度特性を有する湿度スイッチング素子１であって、前
記感湿層３は、高分子樹脂と、この高分子樹脂中に分散
されている導電性物質および第２の物質とを有し、前記
第２の物質は、メソ空間を有する吸湿性物質である湿度
スイッチング素子とした。
動作が可能であり、しかもある程度応答範囲の調整を行
うことのできる湿度スイッチング素子を実現する。 【解決手段】 絶縁基板２上にギャップを介して配置さ
れている一対の電極４と、少なくともこのギャップ５の
周囲に形成されている感湿層３とを有し、かつ非直線性
湿度特性を有する湿度スイッチング素子１であって、前
記感湿層３は、高分子樹脂と、この高分子樹脂中に分散
されている導電性物質および第２の物質とを有し、前記
第２の物質は、メソ空間を有する吸湿性物質である湿度
スイッチング素子とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、雰囲気中の湿度を
検知するための湿度スイッチング素子に関する。
検知するための湿度スイッチング素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在エアコンは、多種多様な品物を保管
する倉庫や、事務室を初め、一般家庭等において多数使
用されている。これらの中で、湿度の影響を強く受ける
品物の保管の場合には、別途湿度センサを設けて湿度を
測定し、必要に応じて換気を行ったり、除湿したりして
いる。
する倉庫や、事務室を初め、一般家庭等において多数使
用されている。これらの中で、湿度の影響を強く受ける
品物の保管の場合には、別途湿度センサを設けて湿度を
測定し、必要に応じて換気を行ったり、除湿したりして
いる。
【０００３】しかし、通常のエアコンにおいては、コス
ト高を避けるため、特に湿度のコントロールを行うこと
はない。これは、一般に湿度センサが直線的な応答を示
し、しかも抵抗変化以外の測定原理を用いていることが
多いからである。すなわち、直線的に変化する応答に対
し、特定の値、あるいは領域を検出してスイッチさせた
り、いわゆるチャタリングやハンチングを防止したり除
去する回路等が必要であったりして余分な回路や装置を
必要とする。また、抵抗以外の変化を電気信号に変換す
るための特別な工夫が必要である場合には、さらに、余
分な回路や装置を必要とし、その分装置が複雑となり、
コスト高を招く結果になる。なお、特殊な例として、結
露センサが非線径応答を示すが、特定の用途に限られて
しまう。
ト高を避けるため、特に湿度のコントロールを行うこと
はない。これは、一般に湿度センサが直線的な応答を示
し、しかも抵抗変化以外の測定原理を用いていることが
多いからである。すなわち、直線的に変化する応答に対
し、特定の値、あるいは領域を検出してスイッチさせた
り、いわゆるチャタリングやハンチングを防止したり除
去する回路等が必要であったりして余分な回路や装置を
必要とする。また、抵抗以外の変化を電気信号に変換す
るための特別な工夫が必要である場合には、さらに、余
分な回路や装置を必要とし、その分装置が複雑となり、
コスト高を招く結果になる。なお、特殊な例として、結
露センサが非線径応答を示すが、特定の用途に限られて
しまう。
【０００４】これに対し、非直線的な応答を示すセンサ
として、熱応答に関するものでは、いわゆるＰＴＣ素子
が知られている。このＰＴＣ素子は、その抵抗値が温度
上昇により５桁以上も非直線的に上昇することからその
まま可逆的なスイッチ素子として使用されている。この
ため、直接エアコン等の温度制御装置内に組み込み、動
作をスイッチさせることができ、安価な装置での制御を
可能としている。
として、熱応答に関するものでは、いわゆるＰＴＣ素子
が知られている。このＰＴＣ素子は、その抵抗値が温度
上昇により５桁以上も非直線的に上昇することからその
まま可逆的なスイッチ素子として使用されている。この
ため、直接エアコン等の温度制御装置内に組み込み、動
作をスイッチさせることができ、安価な装置での制御を
可能としている。
【０００５】しかし、湿度センサに関しては、上記従来
の９８％ＲＨ結露センサを除いて、このような非直線動
作特性を示すものは全く知られていない。
の９８％ＲＨ結露センサを除いて、このような非直線動
作特性を示すものは全く知られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、非直
線応答型の素子であって、スイッチング動作が可能であ
り、しかもある程度応答範囲の調整を行うことのできる
湿度スイッチング素子を実現することである。
線応答型の素子であって、スイッチング動作が可能であ
り、しかもある程度応答範囲の調整を行うことのできる
湿度スイッチング素子を実現することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は、
以下の本発明により達成される。 （１） 絶縁基板上にギャップを介して配置されている
一対の電極と、少なくともこのギャップの周囲に形成さ
れている感湿層とを有し、かつ非直線性湿度特性を有す
る湿度スイッチング素子であって、前記感湿層は、高分
子樹脂と、この高分子樹脂中に分散されている導電性物
質および第２の物質とを有し、前記第２の物質は、メソ
空間を有する吸湿性物質である湿度スイッチング素子。 （２） 前記メソ空間は、円換算の直径が１〜３０nmの
空隙である上記（１）の湿度スイッチング素子。 （３） 前記第２の物質は、液晶または両親媒性化合物
を鋳型として形成された上記（１）または（２）の湿度
スイッチング素子。 （４） 前記高分子樹脂は、非晶質部分の吸水率が１％
（２３℃２４時間）以下である上記（１）〜（３）のい
ずれかの湿度スイッチング素子。 （５） 前記導電性物質と第２の物質の含有量は、前記
感湿層全体に対してそれぞれ、 導電性物質：５〜９０wt％、 第２の物質：５〜９０wt％ の範囲である上記（１）〜（４）のいずれかの湿度スイ
ッチング素子。
以下の本発明により達成される。 （１） 絶縁基板上にギャップを介して配置されている
一対の電極と、少なくともこのギャップの周囲に形成さ
れている感湿層とを有し、かつ非直線性湿度特性を有す
る湿度スイッチング素子であって、前記感湿層は、高分
子樹脂と、この高分子樹脂中に分散されている導電性物
質および第２の物質とを有し、前記第２の物質は、メソ
空間を有する吸湿性物質である湿度スイッチング素子。 （２） 前記メソ空間は、円換算の直径が１〜３０nmの
空隙である上記（１）の湿度スイッチング素子。 （３） 前記第２の物質は、液晶または両親媒性化合物
を鋳型として形成された上記（１）または（２）の湿度
スイッチング素子。 （４） 前記高分子樹脂は、非晶質部分の吸水率が１％
（２３℃２４時間）以下である上記（１）〜（３）のい
ずれかの湿度スイッチング素子。 （５） 前記導電性物質と第２の物質の含有量は、前記
感湿層全体に対してそれぞれ、 導電性物質：５〜９０wt％、 第２の物質：５〜９０wt％ の範囲である上記（１）〜（４）のいずれかの湿度スイ
ッチング素子。
【０００８】
【作用】メソ空間を有する化合物は、材料表面に存在す
る毛細管により、周囲の湿度が高くなると水蒸気を凝縮
液化し、湿度が高くなると凝縮水を気化する機能を有す
る。毛細管現象は、Kelvin式に従い、Young LapLace の
式から導かれることが知られている。
る毛細管により、周囲の湿度が高くなると水蒸気を凝縮
液化し、湿度が高くなると凝縮水を気化する機能を有す
る。毛細管現象は、Kelvin式に従い、Young LapLace の
式から導かれることが知られている。
【０００９】曲率半径ｒの玉の微小表面δＡの両側での
圧力差（単位面積当たりの力）をＰ”−Ｐ’とし、表面
曲率をγとすると、Young とLapLace の式が得られる。 Ｐ”−Ｐ’＝２γ／ｒ （１） 曲率１／ｒの液体の球滴がその蒸気と平衡になっている
場合、（１）式から以下の（２）式が得られる。 ｄＰ”−ｄＰ’＝ｄ（２γ／ｒ） （２）
圧力差（単位面積当たりの力）をＰ”−Ｐ’とし、表面
曲率をγとすると、Young とLapLace の式が得られる。 Ｐ”−Ｐ’＝２γ／ｒ （１） 曲率１／ｒの液体の球滴がその蒸気と平衡になっている
場合、（１）式から以下の（２）式が得られる。 ｄＰ”−ｄＰ’＝ｄ（２γ／ｒ） （２）
【００１０】２つの相が平衡の場合は化学ポテンシャル
が等しいから、ｄμ’＝ｄμ”であり、一方、ｄμ＝−
ＳｄＴ＋ＶｄＰであるから、一定温度ではｄμ＝ＶｄＰ
となり、上の平衡条件はＶ’ｄＰ’＝Ｖ”ｄＰ”とな
る。（ここで、μ：化学ポテンシャル、Ｖ：モル体積、
Ｓ：エントロピー、Ｔ：絶対温度である）これを（２）
式と組み合わせると、 ｄ（２γ／ｒ）＝〔（Ｖ’−Ｖ”）／Ｖ”〕ｄＰ’ （３） となる。
が等しいから、ｄμ’＝ｄμ”であり、一方、ｄμ＝−
ＳｄＴ＋ＶｄＰであるから、一定温度ではｄμ＝ＶｄＰ
となり、上の平衡条件はＶ’ｄＰ’＝Ｖ”ｄＰ”とな
る。（ここで、μ：化学ポテンシャル、Ｖ：モル体積、
Ｓ：エントロピー、Ｔ：絶対温度である）これを（２）
式と組み合わせると、 ｄ（２γ／ｒ）＝〔（Ｖ’−Ｖ”）／Ｖ”〕ｄＰ’ （３） となる。
【００１１】ここで、液体のモル体積Ｖ”を気体のモル
体積Ｖ’と比較して無視し、Ｖ’を理想気体のモル体積
Ｖ’＝ＲＴ／Ｐ’として取り扱うと、 ｄ（２γ／ｒ）＝ＲＴｄＰ’／（Ｖ”Ｐ’） （４） となる（Ｒ：気体定数）。
体積Ｖ’と比較して無視し、Ｖ’を理想気体のモル体積
Ｖ’＝ＲＴ／Ｐ’として取り扱うと、 ｄ（２γ／ｒ）＝ＲＴｄＰ’／（Ｖ”Ｐ’） （４） となる（Ｒ：気体定数）。
【００１２】上記（３）式を、Ｖ”一定として、Ｐ’が
Ｐ0 すなわち、正常な蒸気圧に等しくなる曲率ゼロ（１
／ｒ＝０）から、蒸気圧がＰになる曲率１／ｒまで積分
すると、次のケルビンの式が得られる。 Ｉｎ（Ｐ／Ｐ0 ）＝２γＶ”／（ｒＲＴ）＝２γＭ／（ｒＲＴρ） （５） ここで、Ｖ”＝Ｍ／ρで、Ｍ：はモル質量、ρ：は液体
の密度である。
Ｐ0 すなわち、正常な蒸気圧に等しくなる曲率ゼロ（１
／ｒ＝０）から、蒸気圧がＰになる曲率１／ｒまで積分
すると、次のケルビンの式が得られる。 Ｉｎ（Ｐ／Ｐ0 ）＝２γＶ”／（ｒＲＴ）＝２γＭ／（ｒＲＴρ） （５） ここで、Ｖ”＝Ｍ／ρで、Ｍ：はモル質量、ρ：は液体
の密度である。
【００１３】毛細管の場合は、ｒは負の値となる。一般
的な表面は、２つの曲率半径ｒ1 とｒ2 によって表現さ
れ、上式は、 Ｉｎ（Ｐ／Ｐ0 ）＝γＭ／（ＲＴρ）（１／ｒ1 ＋１／ｒ2 ） （６） と書ける。
的な表面は、２つの曲率半径ｒ1 とｒ2 によって表現さ
れ、上式は、 Ｉｎ（Ｐ／Ｐ0 ）＝γＭ／（ＲＴρ）（１／ｒ1 ＋１／ｒ2 ） （６） と書ける。
【００１４】両端開放の円筒状細孔では、吸着時にはｒ
１ ＝ｒad 、ｒ２ ＝∞のメニスカスが生じるので、
（１／ｒ1 ＋１／ｒ2 ）＝１／ｒad ,一方、脱着時には
半径ｒの半球メニスカスが安定するので、ｒ1 ＝ｒ2 ＝
ｒde とおいて、（１／ｒ1 ＋１／ｒ2 ）＝２／ｒde と
なる。この関係から、細孔での吸脱着にヒステリシスが
生じる。
１ ＝ｒad 、ｒ２ ＝∞のメニスカスが生じるので、
（１／ｒ1 ＋１／ｒ2 ）＝１／ｒad ,一方、脱着時には
半径ｒの半球メニスカスが安定するので、ｒ1 ＝ｒ2 ＝
ｒde とおいて、（１／ｒ1 ＋１／ｒ2 ）＝２／ｒde と
なる。この関係から、細孔での吸脱着にヒステリシスが
生じる。
【００１５】計算値を表にすると次のようになる。
【００１６】
【表１】
【００１７】ここで、一見、「Ｐは飽和蒸気圧の空気に
包まれた細孔に凝集した水の蒸気圧」と思えるが、上記
のように平衡を仮定しているので、Ｐは液滴の周辺の蒸
気圧であると同時に空気中の蒸気圧に等しいと考えられ
る。 Ｐ（液滴周辺蒸気圧）＝Ｐ（空気中蒸気圧）≦Ｐ（平面飽和蒸気圧） つまり、相対湿度＝Ｐ（空気中蒸気圧）／Ｐ（平面飽和蒸気圧） ＝Ｐ（液滴周辺蒸気圧）／Ｐ（平面飽和蒸気圧） と考えられる。
包まれた細孔に凝集した水の蒸気圧」と思えるが、上記
のように平衡を仮定しているので、Ｐは液滴の周辺の蒸
気圧であると同時に空気中の蒸気圧に等しいと考えられ
る。 Ｐ（液滴周辺蒸気圧）＝Ｐ（空気中蒸気圧）≦Ｐ（平面飽和蒸気圧） つまり、相対湿度＝Ｐ（空気中蒸気圧）／Ｐ（平面飽和蒸気圧） ＝Ｐ（液滴周辺蒸気圧）／Ｐ（平面飽和蒸気圧） と考えられる。
【００１８】さらに、毛細管凝縮する前にすでに厚さｔ
の吸着層があると考えられるので、実際の細孔半径は、
ｒ＝ｒk ＋ｔで与えられる。ここで、ｒk はKelvin式で
求めた細孔半径である。水蒸気吸着の場合のｔの値につ
いては、荒井らの式ｔ2.3 ＝［−０．１３２／〔Ｉｎ
（Ｐ／Ｐ０ ）−０．０８〕］により計算することがで
き、相対湿度４０％での細孔径は３．２nm、相対湿度７
０％では細孔径７．４nmとなる。従って、この範囲の細
孔径を有する材料であれば、湿度スイッチング素子の第
２の成分として用いることができる。
の吸着層があると考えられるので、実際の細孔半径は、
ｒ＝ｒk ＋ｔで与えられる。ここで、ｒk はKelvin式で
求めた細孔半径である。水蒸気吸着の場合のｔの値につ
いては、荒井らの式ｔ2.3 ＝［−０．１３２／〔Ｉｎ
（Ｐ／Ｐ０ ）−０．０８〕］により計算することがで
き、相対湿度４０％での細孔径は３．２nm、相対湿度７
０％では細孔径７．４nmとなる。従って、この範囲の細
孔径を有する材料であれば、湿度スイッチング素子の第
２の成分として用いることができる。
【００１９】このような材料として、例えば、渡村ほ
か、機能材料、Vol.17,No.2,22〜30,1997 や、小川、化
学と工業、第５０巻、第２号、155,1997や、大橋ほか、
第４０回粘度材料科学討論会予稿集、184,1996等に記載
されているように、室内の湿度調節を行う目的の調湿材
料として検討された例が知られている。また、機能性分
子のホスト材料としても研究されているが、電子部品へ
の応用例はなく、湿度スイッチング素子へ応用した例も
ない。
か、機能材料、Vol.17,No.2,22〜30,1997 や、小川、化
学と工業、第５０巻、第２号、155,1997や、大橋ほか、
第４０回粘度材料科学討論会予稿集、184,1996等に記載
されているように、室内の湿度調節を行う目的の調湿材
料として検討された例が知られている。また、機能性分
子のホスト材料としても研究されているが、電子部品へ
の応用例はなく、湿度スイッチング素子へ応用した例も
ない。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の湿度スイッチング素子
は、絶縁基板上にギャップを介して配置されている一対
の電極と、少なくともこのギャップの周囲に形成されて
いる感湿層とを有し、かつ非直線性湿度特性を有する湿
度スイッチング素子であって、前記感湿層は、高分子樹
脂と、この高分子樹脂中に分散されている導電性物質お
よび第２の物質とを有し、前記第２の物質は、メソ空間
を有する吸湿性物質である。
は、絶縁基板上にギャップを介して配置されている一対
の電極と、少なくともこのギャップの周囲に形成されて
いる感湿層とを有し、かつ非直線性湿度特性を有する湿
度スイッチング素子であって、前記感湿層は、高分子樹
脂と、この高分子樹脂中に分散されている導電性物質お
よび第２の物質とを有し、前記第２の物質は、メソ空間
を有する吸湿性物質である。
【００２１】高分子樹脂中に導電性物質およびメソ空間
を有する第２の物質を分散させ、電極ギャップ間に形成
される導電性物質の導通パスを第２の物質でコントロー
ルし、非直線性の湿度応答特性を得ることができる。
を有する第２の物質を分散させ、電極ギャップ間に形成
される導電性物質の導通パスを第２の物質でコントロー
ルし、非直線性の湿度応答特性を得ることができる。
【００２２】すなわち、低湿度下においては、第２の物
質は水蒸気を凝縮していないので、樹脂中に分散されて
いる導電性物質同士により形成される導通パスが確保さ
れ、低抵抗状態となる。一方、湿度が高くなるにつれ第
２の物質は水蒸気を凝縮し、これにより膨潤した第２の
物質が導電性物質の導通パスを遮断ないし切断するよう
になる。これにより抵抗が急激に増加し、電極間の電流
を制限して非直線応答のスイッチング素子として機能す
る。
質は水蒸気を凝縮していないので、樹脂中に分散されて
いる導電性物質同士により形成される導通パスが確保さ
れ、低抵抗状態となる。一方、湿度が高くなるにつれ第
２の物質は水蒸気を凝縮し、これにより膨潤した第２の
物質が導電性物質の導通パスを遮断ないし切断するよう
になる。これにより抵抗が急激に増加し、電極間の電流
を制限して非直線応答のスイッチング素子として機能す
る。
【００２３】導電性物質としては、高分子樹脂中に分散
された状態で存在し、所定の導電率を確保でき、しかも
第２の物質が膨潤したときには導通パスが切断されやす
いものが好ましい。通常、ストラクチャの発達したカー
ボンブラックが多く使用されるが、異形ニッケル粉等の
金属微粒子や、炭化タングステン等の金属化合物等であ
ってもよい。
された状態で存在し、所定の導電率を確保でき、しかも
第２の物質が膨潤したときには導通パスが切断されやす
いものが好ましい。通常、ストラクチャの発達したカー
ボンブラックが多く使用されるが、異形ニッケル粉等の
金属微粒子や、炭化タングステン等の金属化合物等であ
ってもよい。
【００２４】導電性物質の平均１次粒径は、カーボンブ
ラックで５〜２００nm、特に１０〜５０nmの範囲が好ま
しい。また、金属ないし金属化合物では０．１〜５０μ
m 、特に１〜１０μm の範囲が好ましい。感湿層全体に
対する導電性物質の含有量は、導電性物質の種類によっ
ても異なるが、５〜９０wt％程度が好ましい。特に、カ
ーボンブラックで５〜７０wt％、さらには、２０〜４０
wt％の範囲が好ましい。また、金属ないし金属化合物で
は５０〜９０wt％、特に７０〜９０wt％の範囲が好まし
い。
ラックで５〜２００nm、特に１０〜５０nmの範囲が好ま
しい。また、金属ないし金属化合物では０．１〜５０μ
m 、特に１〜１０μm の範囲が好ましい。感湿層全体に
対する導電性物質の含有量は、導電性物質の種類によっ
ても異なるが、５〜９０wt％程度が好ましい。特に、カ
ーボンブラックで５〜７０wt％、さらには、２０〜４０
wt％の範囲が好ましい。また、金属ないし金属化合物で
は５０〜９０wt％、特に７０〜９０wt％の範囲が好まし
い。
【００２５】第２の物資としては、所定の範囲のメソ空
間を有する物質であれば特に限定されるものではない。
メソ空間としては、円換算の直径が１〜３０nm、特に
１．５〜２５nm、さらには２〜１０nmの範囲であること
が好ましい。メソ空間は通常、管形状となっている。具
体的にはシリカアエロゲル、Ｔｉを含むシリカ乾燥ゲル
や、スメクタイト、ゼオライト、セピオライト、カネマ
イト、アロフェン、ピラードクレー等の粘土鉱物、アル
コキシシラン、あるいはアルコキシチタン等の金属アル
コキシドの加水分解物などの層間化合物形成材料、さら
には１０００℃で１時間焼成した後９０℃の０．１Ｎ−
ＫＯＨで１時間シリカ分の溶出処理を行い多孔質化した
カオリナイト、ディッカイト、パイロフィライト、セリ
サイト等から調整されたものを挙げることができる。
間を有する物質であれば特に限定されるものではない。
メソ空間としては、円換算の直径が１〜３０nm、特に
１．５〜２５nm、さらには２〜１０nmの範囲であること
が好ましい。メソ空間は通常、管形状となっている。具
体的にはシリカアエロゲル、Ｔｉを含むシリカ乾燥ゲル
や、スメクタイト、ゼオライト、セピオライト、カネマ
イト、アロフェン、ピラードクレー等の粘土鉱物、アル
コキシシラン、あるいはアルコキシチタン等の金属アル
コキシドの加水分解物などの層間化合物形成材料、さら
には１０００℃で１時間焼成した後９０℃の０．１Ｎ−
ＫＯＨで１時間シリカ分の溶出処理を行い多孔質化した
カオリナイト、ディッカイト、パイロフィライト、セリ
サイト等から調整されたものを挙げることができる。
【００２６】第２の物質にメソ空間を形成するための鋳
型としては、上記範囲のメソ空間を形成可能な大きさの
ものであって、成形後に除去可能なものであれば特に限
定されるものではないが、液晶または両親媒性化合物が
好ましい。例えば、炭素数が５〜３０、特に１０〜１８
のアルキル鎖を有する炭素化合物、特にアルキルアンモ
ニウム塩等の界面活性剤等が好ましい。鋳型物質の分子
の大きさを選択することにより、所望のメソ空間を得る
ことができる。
型としては、上記範囲のメソ空間を形成可能な大きさの
ものであって、成形後に除去可能なものであれば特に限
定されるものではないが、液晶または両親媒性化合物が
好ましい。例えば、炭素数が５〜３０、特に１０〜１８
のアルキル鎖を有する炭素化合物、特にアルキルアンモ
ニウム塩等の界面活性剤等が好ましい。鋳型物質の分子
の大きさを選択することにより、所望のメソ空間を得る
ことができる。
【００２７】上記第２の物質構成材料から、メソ空間を
有する第２の物質を形成する方法としては、例えばシリ
カアエロゲルを用いる場合、上記鋳型物質として第４級
アンモニウム塩を用い、加圧下で加熱反応させ、空気中
で好ましくは５００〜１０００℃前後で加熱処理して鋳
型を除去する方法が挙げられる。また、スメクタイト、
ゼオライト等の粘土鉱物を長鎖アルキルアンモニウム塩
で処理する方法、界面活性剤存在下でアルコキシシラン
を加水分解重合した溶液を乾燥させる方法、Ｔｉを含む
シリカ乾燥ゲルを、オートクレープ中水蒸気存在下で加
熱し、ゼオライト化するドライコンバージョン法におい
て、テトラエチルアンモニウムイオンを鋳型とする方法
等がある。第２の物質構成材料と鋳型材との混合比は、
それぞれ使用する材料や、製造方法により適宜必要な量
比とすればよいが、例えば、シリカアエロゲル：第４級
アンモニウム塩で、重量比が１〜５０：２０〜１程度で
ある。
有する第２の物質を形成する方法としては、例えばシリ
カアエロゲルを用いる場合、上記鋳型物質として第４級
アンモニウム塩を用い、加圧下で加熱反応させ、空気中
で好ましくは５００〜１０００℃前後で加熱処理して鋳
型を除去する方法が挙げられる。また、スメクタイト、
ゼオライト等の粘土鉱物を長鎖アルキルアンモニウム塩
で処理する方法、界面活性剤存在下でアルコキシシラン
を加水分解重合した溶液を乾燥させる方法、Ｔｉを含む
シリカ乾燥ゲルを、オートクレープ中水蒸気存在下で加
熱し、ゼオライト化するドライコンバージョン法におい
て、テトラエチルアンモニウムイオンを鋳型とする方法
等がある。第２の物質構成材料と鋳型材との混合比は、
それぞれ使用する材料や、製造方法により適宜必要な量
比とすればよいが、例えば、シリカアエロゲル：第４級
アンモニウム塩で、重量比が１〜５０：２０〜１程度で
ある。
【００２８】これらのメソ空間を有する物質について
は、例えば、渡村ほか、機能材料、Vol.17,No.2,22〜3
0,1997 や、小川、化学と工業、第５０巻、第２号、15
5,1997や、大橋ほか、第４０回粘度材料科学討論会予稿
集、184,1996等に記載されている。
は、例えば、渡村ほか、機能材料、Vol.17,No.2,22〜3
0,1997 や、小川、化学と工業、第５０巻、第２号、15
5,1997や、大橋ほか、第４０回粘度材料科学討論会予稿
集、184,1996等に記載されている。
【００２９】この他クロマトグラフ用に市販されている
シリカ充填剤を使用することができる。充填剤は、５〜
１５μm の均一な粒子径と、６〜１０μm の揃ったポア
サイズを有しており、本発明の第２の物質として最適で
ある。例えば、マイクロボンダスフェアー（５μm 径−
１０nm細孔：（株）ワイエムシー社製）、ノバパック
（６μm 径−６nm細孔：（株）ワイエムシー社製）等が
挙げられる。
シリカ充填剤を使用することができる。充填剤は、５〜
１５μm の均一な粒子径と、６〜１０μm の揃ったポア
サイズを有しており、本発明の第２の物質として最適で
ある。例えば、マイクロボンダスフェアー（５μm 径−
１０nm細孔：（株）ワイエムシー社製）、ノバパック
（６μm 径−６nm細孔：（株）ワイエムシー社製）等が
挙げられる。
【００３０】このようにして形成された第２の物質の大
きさとしては、通常、平均径で４μm 〜５０μm 程度で
ある。前記高分子樹脂に対する第２の物質の含有量は、
５〜９０wt％、特に２０〜８０wt％の範囲が好ましい。
きさとしては、通常、平均径で４μm 〜５０μm 程度で
ある。前記高分子樹脂に対する第２の物質の含有量は、
５〜９０wt％、特に２０〜８０wt％の範囲が好ましい。
【００３１】高分子樹脂としては、前記導電性物質や第
２の物質を保持し、かつ雰囲気中と第２の物質のメソ空
間との間の水蒸気の移動を妨げないものが好ましい。具
体的には、応答性のよい動作を得るため、吸水率は小さ
い方がよい。吸水率（２３℃×２４時間）は、好ましく
は１％以下、特に０．１％以下である。
２の物質を保持し、かつ雰囲気中と第２の物質のメソ空
間との間の水蒸気の移動を妨げないものが好ましい。具
体的には、応答性のよい動作を得るため、吸水率は小さ
い方がよい。吸水率（２３℃×２４時間）は、好ましく
は１％以下、特に０．１％以下である。
【００３２】このような高分子樹脂としては、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン等の結晶
性ポリマーが好ましい。さらには、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ＡＢＳ（アセトニトリル・ブタジエン・ス
チレン共重合体）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ナイロ
ン６、ポリエステル、ビニロン等を好ましいものとして
挙げることができる。
レン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン等の結晶
性ポリマーが好ましい。さらには、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ＡＢＳ（アセトニトリル・ブタジエン・ス
チレン共重合体）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ナイロ
ン６、ポリエステル、ビニロン等を好ましいものとして
挙げることができる。
【００３３】このような高分子樹脂は、分散媒として、
アセトン、エチルブチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン系溶剤、酢酸ブチル、酪酸イソブチル等のエステ
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、ブ
チルカルビトール等のヒドロキシエステル系溶剤、ブト
キシ酢酸メチル、酢酸カルビトール等のアルコキシエス
テル系溶剤、ジクロロエタン等のハロゲン系溶剤、クレ
ゾール、エチルフェノール等のフェノール系溶剤、Ｎ，
Ｎ−ジメチルフォルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤等の有機溶剤
中に溶解され、上記導電性物質、および第２の物質を所
定量添加し、混合・攪拌した後、電極が配置されている
絶縁基板上に塗布等されて乾湿層が形成される。
アセトン、エチルブチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン系溶剤、酢酸ブチル、酪酸イソブチル等のエステ
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、ブ
チルカルビトール等のヒドロキシエステル系溶剤、ブト
キシ酢酸メチル、酢酸カルビトール等のアルコキシエス
テル系溶剤、ジクロロエタン等のハロゲン系溶剤、クレ
ゾール、エチルフェノール等のフェノール系溶剤、Ｎ，
Ｎ−ジメチルフォルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤等の有機溶剤
中に溶解され、上記導電性物質、および第２の物質を所
定量添加し、混合・攪拌した後、電極が配置されている
絶縁基板上に塗布等されて乾湿層が形成される。
【００３４】その際、必要により分散剤等の添加剤を加
えてもよい。塗布方法としては、例えば浸漬（ディッピ
ング）法、刷毛塗り法、グラビア印刷法、スクリーン印
刷法、スピナー塗布法等種々の方法が使用でき、工程や
製品の用途・種類等により選択すればよい。塗布後に高
分子樹脂の架橋工程を設けてもよい。
えてもよい。塗布方法としては、例えば浸漬（ディッピ
ング）法、刷毛塗り法、グラビア印刷法、スクリーン印
刷法、スピナー塗布法等種々の方法が使用でき、工程や
製品の用途・種類等により選択すればよい。塗布後に高
分子樹脂の架橋工程を設けてもよい。
【００３５】このようにして得られる感湿層の膜厚は、
好ましくは０．１μm 〜５００μm程度、特に１０μm
〜２００μm 程度である。膜が厚すぎると、湿度に対す
る膜の電気抵抗値の応答速度すなわちレスポンスが遅く
なり、膜が薄すぎると、特に低湿度領域での出力が低下
し、さらに耐水性なども低下することになり、好ましく
ない。
好ましくは０．１μm 〜５００μm程度、特に１０μm
〜２００μm 程度である。膜が厚すぎると、湿度に対す
る膜の電気抵抗値の応答速度すなわちレスポンスが遅く
なり、膜が薄すぎると、特に低湿度領域での出力が低下
し、さらに耐水性なども低下することになり、好ましく
ない。
【００３６】絶縁基板としては、材質は感湿薄膜との接
着性が良好で、かつ電気絶縁性を有するものであればど
のようなものでもよく、例えばガラス、プラスチック、
セラミックまたは絶縁被覆した金属等が用いられる。
着性が良好で、かつ電気絶縁性を有するものであればど
のようなものでもよく、例えばガラス、プラスチック、
セラミックまたは絶縁被覆した金属等が用いられる。
【００３７】電極は通常使用されているものであれば特
に制限はなく、例えばＡｕないしはＲｕＯ2 等を含有
し、さらに、必要に応じガラスフリットを含有する低抵
抗ペースト等をスクリーン印刷し高温焼結したものなど
が使用できる。また電極端子は半田との相溶性のあるも
のであればどのようなものでもよく、例えばＡｇ−Ｐｄ
合金等を用い、これらを通常の方法で印刷して高温で焼
付等すればよい。さらに、例えば電極にＡｕを用いる場
合は、半田付け処理時のＡｕ拡散防止のためにレジスト
またはガラスよりなるレジスト膜を設けることが好まし
い。レジスト膜の厚さおよび形状には制限はなく、半田
付け処理時のＡｕ拡散防止の効果を有すればよい。
に制限はなく、例えばＡｕないしはＲｕＯ2 等を含有
し、さらに、必要に応じガラスフリットを含有する低抵
抗ペースト等をスクリーン印刷し高温焼結したものなど
が使用できる。また電極端子は半田との相溶性のあるも
のであればどのようなものでもよく、例えばＡｇ−Ｐｄ
合金等を用い、これらを通常の方法で印刷して高温で焼
付等すればよい。さらに、例えば電極にＡｕを用いる場
合は、半田付け処理時のＡｕ拡散防止のためにレジスト
またはガラスよりなるレジスト膜を設けることが好まし
い。レジスト膜の厚さおよび形状には制限はなく、半田
付け処理時のＡｕ拡散防止の効果を有すればよい。
【００３８】本発明の湿度スイッチング素子の具体的な
構成例を図１および図２に示す。図示例の湿度スイッチ
ング素子は、絶縁基板２上に一対の櫛形電極４を有し、
一対の櫛形電極４は、一定距離のギャップ５を介し、か
つ噛み合うようにして絶縁基板２上に配置されている。
そして、絶縁基板２および櫛形電極４上には図示のよう
に感湿層３が設けられている。また、櫛形電極４の各々
の一端には電極端子６が取り付けられており、電極端子
６の各々にはリード線７が半田付等により接続されてい
る。
構成例を図１および図２に示す。図示例の湿度スイッチ
ング素子は、絶縁基板２上に一対の櫛形電極４を有し、
一対の櫛形電極４は、一定距離のギャップ５を介し、か
つ噛み合うようにして絶縁基板２上に配置されている。
そして、絶縁基板２および櫛形電極４上には図示のよう
に感湿層３が設けられている。また、櫛形電極４の各々
の一端には電極端子６が取り付けられており、電極端子
６の各々にはリード線７が半田付等により接続されてい
る。
【００３９】また、図２に示すように、櫛形電極４上お
よびギャップ５の周囲に形成された乾湿層３内には、導
電物質３ａおよび第２の物質３ｂが分散されている。こ
こで図２は図１のＡ−Ａ’断面矢視図である。
よびギャップ５の周囲に形成された乾湿層３内には、導
電物質３ａおよび第２の物質３ｂが分散されている。こ
こで図２は図１のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【００４０】本発明の湿度スイッチング素子により得ら
れる抵抗値は、好ましくは３桁以上、特に６桁以上変化
し、導体から絶縁体、絶縁体から導体へと変化すること
が好ましい。このように抵抗値が変化することにより、
スイッチング動作が可能となり、複雑な回路を用いるこ
となく湿度制御を行うことができる。
れる抵抗値は、好ましくは３桁以上、特に６桁以上変化
し、導体から絶縁体、絶縁体から導体へと変化すること
が好ましい。このように抵抗値が変化することにより、
スイッチング動作が可能となり、複雑な回路を用いるこ
となく湿度制御を行うことができる。
【００４１】また、制御可能な湿度の範囲も、相対湿度
４０％以上から結露域まで、特に４０％ＲＨ〜９０％Ｒ
Ｈの範囲が好ましい。このように広い範囲での調整が可
能となることで、幅広い応用範囲を有することができ
る。
４０％以上から結露域まで、特に４０％ＲＨ〜９０％Ｒ
Ｈの範囲が好ましい。このように広い範囲での調整が可
能となることで、幅広い応用範囲を有することができ
る。
【００４２】本発明の湿度スイッチング素子は、エアコ
ン等の空調機器の他、冷蔵庫、保管庫、自動車、換気装
置、暖房装置、食品製造装置、農作物管理装置等の幅広
い用途に使用することができる。
ン等の空調機器の他、冷蔵庫、保管庫、自動車、換気装
置、暖房装置、食品製造装置、農作物管理装置等の幅広
い用途に使用することができる。
【００４３】
【実施例】次に実施例を示し、本発明をより具体的に説
明する。 ＜実施例１＞シリカアエロジル２００（日本アエロジル
株式会社製）の粉末１g を、１Ｎ−水酸化ナトリウム水
溶液に分散させた。鋳型用有機化合物として、炭素数１
６のアルキル基を有する第４級アンモニウムブロマイド
を添加して室温で十分に攪拌した。この混合物を、密閉
型加圧容器中に封入し、１００℃で７日間反応させた。
反応後、生成物を取り出し、蒸留水１０mlで６回洗浄
し、乾燥させた。次いで、鋳型を除去するために、空気
中で６００℃で６時間加熱処理し、第２の物質とした。
このときの第２の物質の平均細孔径は４．５nm程度、大
きさは、平均径で１２μm 程度であった。
明する。 ＜実施例１＞シリカアエロジル２００（日本アエロジル
株式会社製）の粉末１g を、１Ｎ−水酸化ナトリウム水
溶液に分散させた。鋳型用有機化合物として、炭素数１
６のアルキル基を有する第４級アンモニウムブロマイド
を添加して室温で十分に攪拌した。この混合物を、密閉
型加圧容器中に封入し、１００℃で７日間反応させた。
反応後、生成物を取り出し、蒸留水１０mlで６回洗浄
し、乾燥させた。次いで、鋳型を除去するために、空気
中で６００℃で６時間加熱処理し、第２の物質とした。
このときの第２の物質の平均細孔径は４．５nm程度、大
きさは、平均径で１２μm 程度であった。
【００４４】Ｎ−メチルピロリドンに溶解したポリフッ
化ビニリデンに、カーボンブラック（平均１次粒径：１
０nm）、および上記第２の物質を、それぞれ３０wt％、
４０wt％となるように添加してよく攪拌・混合してペス
トを作成した。これを、厚さ０．８mmのアルミナ基板上
に形成した１対の櫛形電極（材質：酸化ルテニウム、厚
さ２０μm ）上に、乾燥時の厚さ０．１mmとなるよう塗
布して乾湿層とし、図１に示すような構造の湿度スイッ
チング素子を得た。なお、ポリフッ化ビニリデンの吸水
率は極めて小さい。
化ビニリデンに、カーボンブラック（平均１次粒径：１
０nm）、および上記第２の物質を、それぞれ３０wt％、
４０wt％となるように添加してよく攪拌・混合してペス
トを作成した。これを、厚さ０．８mmのアルミナ基板上
に形成した１対の櫛形電極（材質：酸化ルテニウム、厚
さ２０μm ）上に、乾燥時の厚さ０．１mmとなるよう塗
布して乾湿層とし、図１に示すような構造の湿度スイッ
チング素子を得た。なお、ポリフッ化ビニリデンの吸水
率は極めて小さい。
【００４５】得られた湿度スイッチング素子の端子間の
抵抗値を、湿度を変化させながら測定した。結果を図３
に示す。
抵抗値を、湿度を変化させながら測定した。結果を図３
に示す。
【００４６】図３から明らかなように、湿度６０％ＲＨ
で、抵抗値が急激に６桁程度上昇し、スイッチング素子
として十分な動作が行われていることがわかる。また、
このことから、湿度７０％ＲＨでの湿度制御が容易に行
えることがわかる。
で、抵抗値が急激に６桁程度上昇し、スイッチング素子
として十分な動作が行われていることがわかる。また、
このことから、湿度７０％ＲＨでの湿度制御が容易に行
えることがわかる。
【００４７】＜実施例２＞実施例１において、第２の物
質の鋳型有機化合物として、炭素数１２のアルキル基を
有する第４級アンモニウムブロマイドを用いた他は実施
例１と同様にして湿度スイッチング素子を得た。このと
きの第２の物質の平均細孔径は２．８nm程度、大きさ
は、平均径で１２μm 程度であった。実施例１と同様に
して抵抗を測定したところ図４に示すような特性が得ら
れた。
質の鋳型有機化合物として、炭素数１２のアルキル基を
有する第４級アンモニウムブロマイドを用いた他は実施
例１と同様にして湿度スイッチング素子を得た。このと
きの第２の物質の平均細孔径は２．８nm程度、大きさ
は、平均径で１２μm 程度であった。実施例１と同様に
して抵抗を測定したところ図４に示すような特性が得ら
れた。
【００４８】図４から明らかなように、湿度４０％ＲＨ
で、抵抗値が急激に６桁程度上昇し、スイッチング素子
として十分な動作が行われていることがわかる。また、
このことから、比較的低湿度である湿度５０％ＲＨでの
湿度制御が容易に行えることがわかる。
で、抵抗値が急激に６桁程度上昇し、スイッチング素子
として十分な動作が行われていることがわかる。また、
このことから、比較的低湿度である湿度５０％ＲＨでの
湿度制御が容易に行えることがわかる。
【００４９】＜実施例３＞第２の物質の成分として、
（株）ワイエムシー社製カラムクロマト用シリカ充填
剤：ナバパックＨＲ６μm を用いた他は実施例１と同様
にして湿度スイッチング素子を得た。このときの第２の
物質の平均細孔径は６nm程度、大きさは、平均径で６μ
m 程度であった。実施例１と同様にして抵抗を測定した
ところ実施例１とほぼ同様な特性が得られた。
（株）ワイエムシー社製カラムクロマト用シリカ充填
剤：ナバパックＨＲ６μm を用いた他は実施例１と同様
にして湿度スイッチング素子を得た。このときの第２の
物質の平均細孔径は６nm程度、大きさは、平均径で６μ
m 程度であった。実施例１と同様にして抵抗を測定した
ところ実施例１とほぼ同様な特性が得られた。
【００５０】＜実施例４＞第２の物質として、Ｔｉを含
有するシリカ乾燥ゲルと、鋳型としてテトラエチルアン
モニウムブロマイドを用い、オートクレープ中、水蒸気
存在下で１２０℃で１０時間加熱してゼオライト化を行
ったものを用いた。このときの第２の物質の平均細孔径
は１０nm程度、大きさは、平均径で１６μm 程度であっ
た。その他は実施例１と同様にして湿度スイッチング素
子を得た。実施例１と同様にして抵抗を測定したところ
実施例１とほぼ同様な特性が得られた。
有するシリカ乾燥ゲルと、鋳型としてテトラエチルアン
モニウムブロマイドを用い、オートクレープ中、水蒸気
存在下で１２０℃で１０時間加熱してゼオライト化を行
ったものを用いた。このときの第２の物質の平均細孔径
は１０nm程度、大きさは、平均径で１６μm 程度であっ
た。その他は実施例１と同様にして湿度スイッチング素
子を得た。実施例１と同様にして抵抗を測定したところ
実施例１とほぼ同様な特性が得られた。
【００５１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、非直線応
答型の素子であって、スイッチング動作が可能であり、
しかもある程度応答範囲の調整を行うことのできる湿度
スイッチング素子を実現することができる。
答型の素子であって、スイッチング動作が可能であり、
しかもある程度応答範囲の調整を行うことのできる湿度
スイッチング素子を実現することができる。
【図１】本発明の湿度スイッチング素子の構成例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図３】実施例１における湿度−抵抗特性曲線である。
【図４】実施例２における湿度−抵抗特性曲線である。
１ 湿度スイッチング素子 ２ 絶縁基板 ３ 乾湿層 ４ 電極（櫛形電極） ５ ギャップ ６ 電極端子 ７ リード線
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板上にギャップを介して配置され
ている一対の電極と、少なくともこのギャップの周囲に
形成されている感湿層とを有し、かつ非直線性湿度特性
を有する湿度スイッチング素子であって、 前記感湿層は、高分子樹脂と、この高分子樹脂中に分散
されている導電性物質および第２の物質とを有し、 前記第２の物質は、メソ空間を有する吸湿性物質である
湿度スイッチング素子。 - 【請求項２】 前記メソ空間は、円換算の直径が１〜３
０nmの空隙である請求項１の湿度スイッチング素子。 - 【請求項３】 前記第２の物質は、液晶または両親媒性
化合物を鋳型として形成された請求項１または２の湿度
スイッチング素子。 - 【請求項４】 前記高分子樹脂は、非晶質部分の吸水率
が１％（２３℃２４時間）以下である請求項１〜３のい
ずれかの湿度スイッチング素子。 - 【請求項５】 前記導電性物質と第２の物質の含有量
は、前記感湿層全体に対してそれぞれ、 導電性物質：５〜９０wt％、 第２の物質：５〜９０wt％ の範囲である請求項１〜４のいずれかの湿度スイッチン
グ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17063798A JPH11345551A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 湿度スイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17063798A JPH11345551A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 湿度スイッチング素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345551A true JPH11345551A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15908576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17063798A Pending JPH11345551A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 湿度スイッチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345551A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6639651B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-10-28 | Nikon Corporation | Fabrication method for correcting member, fabrication method for projection optical system, and exposure apparatus |
| WO2017061453A1 (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | デクセリアルズ株式会社 | スイッチ素子、電子部品、バッテリシステム |
| CN108028151A (zh) * | 2015-10-07 | 2018-05-11 | 迪睿合株式会社 | 开关元件、电子部件、电池系统 |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP17063798A patent/JPH11345551A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6639651B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-10-28 | Nikon Corporation | Fabrication method for correcting member, fabrication method for projection optical system, and exposure apparatus |
| WO2017061453A1 (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | デクセリアルズ株式会社 | スイッチ素子、電子部品、バッテリシステム |
| KR20180038549A (ko) * | 2015-10-07 | 2018-04-16 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 스위치 소자, 전자 부품, 배터리 시스템 |
| CN108028151A (zh) * | 2015-10-07 | 2018-05-11 | 迪睿合株式会社 | 开关元件、电子部件、电池系统 |
| CN108028152A (zh) * | 2015-10-07 | 2018-05-11 | 迪睿合株式会社 | 开关元件、电子部件、电池系统 |
| US10593494B2 (en) | 2015-10-07 | 2020-03-17 | Dexerials Corporation | Switch device, electronic component, and battery system |
| CN108028151B (zh) * | 2015-10-07 | 2020-07-14 | 迪睿合株式会社 | 开关元件、电子部件、电池系统 |
| TWI772271B (zh) * | 2015-10-07 | 2022-08-01 | 日商迪睿合股份有限公司 | 開關元件、電子零件、電池系統 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4632879A (en) | Moisture sensor | |
| EP1318395B1 (en) | Humidity sensor | |
| JPH11345551A (ja) | 湿度スイッチング素子 | |
| WO1993016377A1 (en) | Humidity sensor and its manufacture | |
| JPH0244390B2 (ja) | Kanshitsuzairyo | |
| Su et al. | Electrical and humidity sensing properties of K+-nano-mica film | |
| Wagiran et al. | Characterization of screen printed BaTiO3 thick film humidity sensor | |
| JPH06210168A (ja) | 脱臭装置 | |
| JPS6313146B2 (ja) | ||
| JPS6253064B2 (ja) | ||
| JPH0117103B2 (ja) | ||
| JPS595619A (ja) | 湿度検知素子 | |
| JPS6055962B2 (ja) | 感湿素子 | |
| JPS631721B2 (ja) | ||
| JPS58166701A (ja) | 感湿素子の製造方法 | |
| JPH0669001A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPS60186747A (ja) | 感湿材料の製造方法 | |
| JPH06319788A (ja) | 脱臭装置およびその製造方法 | |
| JPS6046522B2 (ja) | 有機温度センサ−組成物 | |
| JPS6291847A (ja) | 感湿素子 | |
| JP2002267627A (ja) | 感湿素子およびその製造方法 | |
| JP2898730B2 (ja) | 感湿素子 | |
| Sundaram et al. | Humidity sensing properties of ZnWO4-ZnO composite | |
| JPS6116934B2 (ja) | ||
| JPH04315040A (ja) | 結露検知素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040531 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050517 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070604 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070807 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20071204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |