JPH11340158A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11340158A JPH11340158A JP10148538A JP14853898A JPH11340158A JP H11340158 A JPH11340158 A JP H11340158A JP 10148538 A JP10148538 A JP 10148538A JP 14853898 A JP14853898 A JP 14853898A JP H11340158 A JPH11340158 A JP H11340158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- implanted
- silicon carbide
- impurity
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭化珪素のアニール時のイオン注入不純物の
外方拡散を防ぐ。 【解決手段】 イオン注入した部分を、イオン注入不純
物を含む高融点金属化合物の薄膜で被覆してから、アニ
ールする。
外方拡散を防ぐ。 【解決手段】 イオン注入した部分を、イオン注入不純
物を含む高融点金属化合物の薄膜で被覆してから、アニ
ールする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素基板にｎ
型又はｐ型の不純物となる原子のイオン注入を行い、そ
の後にアニールにより結晶欠陥と電気的活性化を行って
拡散層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法に関す
るものである。
型又はｐ型の不純物となる原子のイオン注入を行い、そ
の後にアニールにより結晶欠陥と電気的活性化を行って
拡散層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素（SiC：シリコンカーバイド)
は、禁制帯幅が約３eVと広く、またシリコンに比べて約
３倍の熱伝導度、約２倍の飽和電子ドリフト速度を有す
ることから、絶縁破壊電圧はシリコンに比べて１０倍程
度も高く、動作可能温度は500℃に達するので、耐環境
（例えば放射線）用デバイス、高温動作デバイス、大電
力デバイス等のように厳しい環境下で動作させようとす
る半導体デバイス材料として期待されている。
は、禁制帯幅が約３eVと広く、またシリコンに比べて約
３倍の熱伝導度、約２倍の飽和電子ドリフト速度を有す
ることから、絶縁破壊電圧はシリコンに比べて１０倍程
度も高く、動作可能温度は500℃に達するので、耐環境
（例えば放射線）用デバイス、高温動作デバイス、大電
力デバイス等のように厳しい環境下で動作させようとす
る半導体デバイス材料として期待されている。
【０００３】この炭化珪素への不純物のイオン注入に関
しては、ｎ型としては窒素、隣等が、またｐ型としては
アルミニウムや硼素等が用いられる。これら炭化珪素へ
の不純物の導入方法に関しては、Proceeding of the IE
EE.Vol.79 No5 May 1991 P677において、Robert.F.Davi
sらにより詳細が報告されている。
しては、ｎ型としては窒素、隣等が、またｐ型としては
アルミニウムや硼素等が用いられる。これら炭化珪素へ
の不純物の導入方法に関しては、Proceeding of the IE
EE.Vol.79 No5 May 1991 P677において、Robert.F.Davi
sらにより詳細が報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで炭化珪素は、
結晶欠陥の回復とイオン注入した不純物の電気的活性化
のためには、熱的に安定であることが逆に災いして、1,
500℃〜1,700℃という非常に高い温度で、且つ長時間行
う熱処理（アニール）が必要となる。
結晶欠陥の回復とイオン注入した不純物の電気的活性化
のためには、熱的に安定であることが逆に災いして、1,
500℃〜1,700℃という非常に高い温度で、且つ長時間行
う熱処理（アニール）が必要となる。
【０００５】しかし、このように高温で長時間のアニー
ルを行うと、炭化珪素基板内にイオン注入した不純物が
外方拡散してしまい、初期の不純物濃度を得ることがで
きなくなるという問題があった。
ルを行うと、炭化珪素基板内にイオン注入した不純物が
外方拡散してしまい、初期の不純物濃度を得ることがで
きなくなるという問題があった。
【０００６】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、イオン注入した不純物の外方拡
散を防ぎ、初期の不純物濃度のままでその不純物の活性
化が行われるようにした炭化珪素半導体装置の製造方法
を提供することである。
のであり、その目的は、イオン注入した不純物の外方拡
散を防ぎ、初期の不純物濃度のままでその不純物の活性
化が行われるようにした炭化珪素半導体装置の製造方法
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の発明の製造方法は、炭化珪素基板の所定の領域
にｎ型又はｐ型不純物となる原子のイオン注入を行い、
該不純物のイオン注入を行った領域の一部又は全面を、
少なくともイオン注入した不純物原子を含んだ高融点金
属化合物で構成された第１の薄膜により被覆し、その後
アニールするようにした。
の第１の発明の製造方法は、炭化珪素基板の所定の領域
にｎ型又はｐ型不純物となる原子のイオン注入を行い、
該不純物のイオン注入を行った領域の一部又は全面を、
少なくともイオン注入した不純物原子を含んだ高融点金
属化合物で構成された第１の薄膜により被覆し、その後
アニールするようにした。
【０００８】第２の発明は、第１の発明において、前記
ｐ型不純物として硼素を注入し、前記第１の薄膜として
硼化タングステン又は硼化モリブデンを使用した。
ｐ型不純物として硼素を注入し、前記第１の薄膜として
硼化タングステン又は硼化モリブデンを使用した。
【０００９】第３の発明は、第１の発明において、前記
ｎ型不純物として窒素を注入し、前記第１の薄膜として
窒化タングステン又は窒化モリブデンを使用した。
ｎ型不純物として窒素を注入し、前記第１の薄膜として
窒化タングステン又は窒化モリブデンを使用した。
【００１０】第４の発明は、第１の発明において、前記
ｎ型不純物として隣を注入し、前記第１の薄膜として隣
化タングステン又は隣化モリブデンを使用した。
ｎ型不純物として隣を注入し、前記第１の薄膜として隣
化タングステン又は隣化モリブデンを使用した。
【００１１】第５の発明は、第１乃至第４の発明におい
て、前記第１の薄膜を、少なくともイオン注入した不純
物原子を含んだランタン化合物の薄膜に置換した。
て、前記第１の薄膜を、少なくともイオン注入した不純
物原子を含んだランタン化合物の薄膜に置換した。
【００１２】第６の発明は、第１乃至第５の発明におい
て、前記第１の薄膜の上に、炭化タングステン又は炭化
モリブデンからなる第２の薄膜を積層し、その後にアニ
ールするようにした。
て、前記第１の薄膜の上に、炭化タングステン又は炭化
モリブデンからなる第２の薄膜を積層し、その後にアニ
ールするようにした。
【００１３】第７の発明は、第１、２、５、又は第６の
発明において、前記第１の薄膜として高融点金属硼化物
を使用するとき、該高融点金属硼化物ターゲットをジボ
ラン雰囲気中でスパッタすることにより、前記第１の薄
膜を形成するようにした。
発明において、前記第１の薄膜として高融点金属硼化物
を使用するとき、該高融点金属硼化物ターゲットをジボ
ラン雰囲気中でスパッタすることにより、前記第１の薄
膜を形成するようにした。
【００１４】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］図１は本発
明の第１の実施の形態の製造方法の説明図である。ま
ず、炭化珪素基板１にｐ型不純物としての硼素イオン２
のイオン注入を行い（図１の(a)）、硼素インプラ領域
３を形成する（図１の(b)）。次に、基板１の表面に硼
化タングステン薄膜４をＣＶＤ（Chemical Vapor Depos
ition）或いはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）に
より形成する(図１の(c)）。この後1,500℃〜1,700℃の
高温でアニールを行って、注入した硼素を活性化させ
る。これにより、結晶欠陥の回復と電気的活性化が行わ
れる。
明の第１の実施の形態の製造方法の説明図である。ま
ず、炭化珪素基板１にｐ型不純物としての硼素イオン２
のイオン注入を行い（図１の(a)）、硼素インプラ領域
３を形成する（図１の(b)）。次に、基板１の表面に硼
化タングステン薄膜４をＣＶＤ（Chemical Vapor Depos
ition）或いはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）に
より形成する(図１の(c)）。この後1,500℃〜1,700℃の
高温でアニールを行って、注入した硼素を活性化させ
る。これにより、結晶欠陥の回復と電気的活性化が行わ
れる。
【００１５】以上により、硼素インプラ領域３に、ｐ型
の所定濃度の拡散領域が作成されるので、これを例え
ば、抵抗素子として、或いはトランジスタ素子ではドレ
インやソースとして、或いは他の動作領域として構成す
ることができる。薄膜４はその後必要に応じて除去す
る。
の所定濃度の拡散領域が作成されるので、これを例え
ば、抵抗素子として、或いはトランジスタ素子ではドレ
インやソースとして、或いは他の動作領域として構成す
ることができる。薄膜４はその後必要に応じて除去す
る。
【００１６】炭化珪素基板１では、不純物のイオン注入
を行ってそのまま何も被覆しないで高温で熱処理を行う
と、注入した不純物が外方拡散してしまうが、ここでは
イオン注入した領域３の表面を、そのイオン注入した不
純物原子を含む高融点金属化合物で構成された薄膜４で
被覆してからアニールするので、不純物の外方拡散を防
ぐことができる。
を行ってそのまま何も被覆しないで高温で熱処理を行う
と、注入した不純物が外方拡散してしまうが、ここでは
イオン注入した領域３の表面を、そのイオン注入した不
純物原子を含む高融点金属化合物で構成された薄膜４で
被覆してからアニールするので、不純物の外方拡散を防
ぐことができる。
【００１７】しかも、高温でのアニールの際に不純物原
子を含んだ高融点金属化合物の薄膜４から炭化珪素基板
１の側に不純物（硼素）の拡散が生じ、そのドーピング
濃度をより高くすることが可能となる。
子を含んだ高融点金属化合物の薄膜４から炭化珪素基板
１の側に不純物（硼素）の拡散が生じ、そのドーピング
濃度をより高くすることが可能となる。
【００１８】また、注入した不純物を組成にもつ高融点
金属化合物の薄膜４と炭化珪素基板１とでは、熱膨張係
数の差が小さいため、薄膜４の剥離や亀裂が生じにく
い。
金属化合物の薄膜４と炭化珪素基板１とでは、熱膨張係
数の差が小さいため、薄膜４の剥離や亀裂が生じにく
い。
【００１９】［第２の実施の形態］図２は本発明の第２
の実施の形態の製造方法の説明図である。まず、炭化珪
素基板１にｎ型不純物としての窒素イオン５のイオン注
入を行い（図２の(a)）、窒素インプラ領域６を形成す
る（図２の(b)）。次に、基板１の表面に窒化タングス
テン薄膜７をＣＶＤ或いはＰＶＤにより形成する(図２
の(c)）。さらに、薄膜７の表面に炭化タングステンの
薄膜８を同様にＣＶＤ又はＰＶＤにより形成する（図２
の(d)）。この後1,500℃〜1,700℃の高温でアニールを
行って、注入した窒素を活性化させる。
の実施の形態の製造方法の説明図である。まず、炭化珪
素基板１にｎ型不純物としての窒素イオン５のイオン注
入を行い（図２の(a)）、窒素インプラ領域６を形成す
る（図２の(b)）。次に、基板１の表面に窒化タングス
テン薄膜７をＣＶＤ或いはＰＶＤにより形成する(図２
の(c)）。さらに、薄膜７の表面に炭化タングステンの
薄膜８を同様にＣＶＤ又はＰＶＤにより形成する（図２
の(d)）。この後1,500℃〜1,700℃の高温でアニールを
行って、注入した窒素を活性化させる。
【００２０】この実施の形態では、第１の実施の形態と
同様に、炭化珪素基板１にイオン注入した窒素がアニー
ル時に外方拡散することを防止することができる。さら
に、高融点金属化合物として窒化タングステンの薄膜７
を使用するので、高温アニール時にその薄膜７から分解
された窒素が外方拡散することがあるが、ここでは、こ
の薄膜７の上面に炭化タングステンの薄膜８を積層して
いるので、その外方拡散を防ぐことができる。
同様に、炭化珪素基板１にイオン注入した窒素がアニー
ル時に外方拡散することを防止することができる。さら
に、高融点金属化合物として窒化タングステンの薄膜７
を使用するので、高温アニール時にその薄膜７から分解
された窒素が外方拡散することがあるが、ここでは、こ
の薄膜７の上面に炭化タングステンの薄膜８を積層して
いるので、その外方拡散を防ぐことができる。
【００２１】炭化タングステンの薄膜８の役割は、窒化
タングステンの融点が低く、高温で酸素と反応すること
から、酸化を防ぐ保護膜としても働く。窒化タングステ
ンの薄膜７から分解された窒素により発生する窒素の圧
力が平衡蒸気圧を越えると窒化タングステンの継続的分
解が抑止されて、安定な拡散の確保と良好なオーム性接
触を可能にする。タングステンは原子半径が大きいため
に、炭化珪素基板１中への拡散は無視できるほどに小さ
いので、窒化タングステンの状態で窒素の拡散源として
有効に働く。
タングステンの融点が低く、高温で酸素と反応すること
から、酸化を防ぐ保護膜としても働く。窒化タングステ
ンの薄膜７から分解された窒素により発生する窒素の圧
力が平衡蒸気圧を越えると窒化タングステンの継続的分
解が抑止されて、安定な拡散の確保と良好なオーム性接
触を可能にする。タングステンは原子半径が大きいため
に、炭化珪素基板１中への拡散は無視できるほどに小さ
いので、窒化タングステンの状態で窒素の拡散源として
有効に働く。
【００２２】［その他の実施の形態］なお、炭化珪素基
板１にｎ型の拡散層を形成するときは、イオン注入する
不純物として隣を使用することもでき、このときは薄膜
７に代えて隣化タングステンの薄膜を使用する。また、
高融点金属としてはモリブデンを使用することもでき、
このときは薄膜４に代えて硼化モリブデンの薄膜を使用
し、薄膜７に代えて窒化モリブデン又は隣化モリブデン
の薄膜を使用し、薄膜８はそのまま又はこれに代えて炭
化モリブデンの薄膜を使用する。また、薄膜４、７に代
えて、イオン注入した不純物を含むランタン化合物（硼
化ランタン、窒化ランタン、隣化ランタン等）で構成さ
れた薄膜を使用することもできる。特に、硼化ランタン
は融点が約2,400℃と高く安定な物質であるので、外方
拡散を防ぐ効果が大きい。さらに、薄膜８のように２層
目の薄膜はｎ型不純物をイオン注入して拡散層を形成す
る場合について説明したが、ｐ型不純物をイオン注入し
て拡散層を形成する場合にも使用することができる。
板１にｎ型の拡散層を形成するときは、イオン注入する
不純物として隣を使用することもでき、このときは薄膜
７に代えて隣化タングステンの薄膜を使用する。また、
高融点金属としてはモリブデンを使用することもでき、
このときは薄膜４に代えて硼化モリブデンの薄膜を使用
し、薄膜７に代えて窒化モリブデン又は隣化モリブデン
の薄膜を使用し、薄膜８はそのまま又はこれに代えて炭
化モリブデンの薄膜を使用する。また、薄膜４、７に代
えて、イオン注入した不純物を含むランタン化合物（硼
化ランタン、窒化ランタン、隣化ランタン等）で構成さ
れた薄膜を使用することもできる。特に、硼化ランタン
は融点が約2,400℃と高く安定な物質であるので、外方
拡散を防ぐ効果が大きい。さらに、薄膜８のように２層
目の薄膜はｎ型不純物をイオン注入して拡散層を形成す
る場合について説明したが、ｐ型不純物をイオン注入し
て拡散層を形成する場合にも使用することができる。
【００２３】また、上記の１層目の薄膜４，７として高
融点金属硼化物を使用するときは、その高融点金属硼化
物ターゲットをジボラン（Ｂ2Ｈ6）雰囲気中でスパッタ
することにより、そのターゲット材の硼素濃度以上の高
融点金属硼化物の薄膜を形成することができる。この条
件で形成した高融点金属硼化物の薄膜により、より高濃
度の拡散を行うことができる。
融点金属硼化物を使用するときは、その高融点金属硼化
物ターゲットをジボラン（Ｂ2Ｈ6）雰囲気中でスパッタ
することにより、そのターゲット材の硼素濃度以上の高
融点金属硼化物の薄膜を形成することができる。この条
件で形成した高融点金属硼化物の薄膜により、より高濃
度の拡散を行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上から本発明によれば、イオン注入す
る不純物と同じ不純物を含む薄膜によりイオン注入した
部分を被覆してアニールするので、アニール時の不純物
の外方拡散を防止して所望の不純物濃度を得ることがで
きる。
る不純物と同じ不純物を含む薄膜によりイオン注入した
部分を被覆してアニールするので、アニール時の不純物
の外方拡散を防止して所望の不純物濃度を得ることがで
きる。
【図１】 第１の実施の形態の製造方法の説明図であ
る。
る。
【図２】 第２の実施の形態の製造方法の説明図であ
る。
る。
１：炭化珪素基板、２：硼素イオン、３：硼素インプラ
領域、４：硼化タングステンの薄膜、５：窒素イオン、
６：窒素インプラ領域、７：窒化タングステンの薄膜、
８：炭化タングステンの薄膜。
領域、４：硼化タングステンの薄膜、５：窒素イオン、
６：窒素インプラ領域、７：窒化タングステンの薄膜、
８：炭化タングステンの薄膜。
Claims (7)
- 【請求項１】炭化珪素基板の所定の領域にｎ型又はｐ型
不純物となる原子のイオン注入を行い、該不純物のイオ
ン注入を行った領域の一部又は全面を、少なくともイオ
ン注入した不純物原子を含んだ高融点金属化合物で構成
された第１の薄膜により被覆し、その後アニールするこ
とを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記ｐ型不純物として硼素を注入し、前記
第１の薄膜として硼化タングステン又は硼化モリブデン
を使用したことを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記ｎ型不純物として窒素を注入し、前記
第１の薄膜として窒化タングステン又は窒化モリブデン
を使用したことを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素
半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記ｎ型不純物として隣を注入し、前記第
１の薄膜として隣化タングステン又は隣化モリブデンを
使用したことを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記第１の薄膜を、少なくともイオン注入
した不純物原子を含んだランタン化合物の薄膜に置換し
たことを特徴とする請求項１乃至４に記載の炭化珪素半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記第１の薄膜の上に、炭化タングステン
又は炭化モリブデンからなる第２の薄膜を積層し、その
後にアニールすることを特徴とする請求項１乃至５に記
載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記第１の薄膜として高融点金属硼化物を
使用するとき、該高融点金属硼化物ターゲットをジボラ
ン雰囲気中でスパッタすることにより、前記第１の薄膜
を形成することを特徴とする請求項第１、２、５、又は
６に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14853898A JP3661409B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14853898A JP3661409B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340158A true JPH11340158A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3661409B2 JP3661409B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=15455025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14853898A Expired - Fee Related JP3661409B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3661409B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012482A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
| JP2002289551A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2002314071A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| KR100725551B1 (ko) | 2004-06-18 | 2007-06-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체기판의 제조방법, 및 반도체기판 |
| JP2007281005A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JPWO2008120469A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-15 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
| US7855131B2 (en) | 2008-04-23 | 2010-12-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of a semiconductor device |
| CN103193507A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-10 | 江苏大学 | 一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14853898A patent/JP3661409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012482A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
| JP2002289551A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP4595224B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-12-08 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2002314071A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| KR100725551B1 (ko) | 2004-06-18 | 2007-06-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체기판의 제조방법, 및 반도체기판 |
| JP2007281005A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JPWO2008120469A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-15 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
| US7855131B2 (en) | 2008-04-23 | 2010-12-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of a semiconductor device |
| CN103193507A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-10 | 江苏大学 | 一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3661409B2 (ja) | 2005-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0659298B1 (en) | Ohmic contact structure between platinum and silicon carbide | |
| KR0153878B1 (ko) | 탄화규소반도체장치와 그 제조방법 | |
| KR100642627B1 (ko) | 다결정 실리콘 구조물의 제조 방법 | |
| JP3184320B2 (ja) | ダイヤモンド電界効果トランジスタ | |
| EP0651077B1 (en) | Epitaxial cobalt silicide formed using a thin metal underlayer | |
| WO2003038877A2 (en) | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices | |
| JP4961633B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP4785249B2 (ja) | 縦型デバイスのための裏面オーミックコンタクトの低温形成 | |
| US20040171204A1 (en) | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices | |
| JP3661409B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| US6770508B2 (en) | Electrode for silicon carbide semiconductor, silicon carbide semiconductor element comprising the electrode, and production method therefor | |
| JPH0766926B2 (ja) | ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴの製造方法 | |
| JP2001185507A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3539417B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2014229708A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2008004704A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6079721A (ja) | 半導体構造体の形成方法 | |
| JP3540918B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000106350A (ja) | オーミック電極の製造方法及び半導体素子の製造方法 | |
| US9805944B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| KR20110021782A (ko) | 컨택트 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| JP4119968B2 (ja) | 炭化硅素半導体装置の電極形成方法 | |
| JPH0488642A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100244078B1 (ko) | 백금과 탄화규소 사이의 옴접촉구조 | |
| JP5092353B2 (ja) | 炭化珪素へのドーピング方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040204 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050301 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050314 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110401 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110401 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130401 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140401 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |