JPH11333714A - 化学的機械的平坦化機械のためのウェ―ハホルダ― - Google Patents
化学的機械的平坦化機械のためのウェ―ハホルダ―Info
- Publication number
- JPH11333714A JPH11333714A JP12643699A JP12643699A JPH11333714A JP H11333714 A JPH11333714 A JP H11333714A JP 12643699 A JP12643699 A JP 12643699A JP 12643699 A JP12643699 A JP 12643699A JP H11333714 A JPH11333714 A JP H11333714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- retainer
- wafer holder
- holder
- chemical mechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 15
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的機械的平坦化機械のためのウェーハホ
ルダーを提供する。 【解決手段】 研磨されるウェーハ１２の面の反対面で
ウェーハ１２をホルディングするためのホルディング面
が形成されたプレート２４と、リングタイプとして形成
され、プレートのホルディング面を間に置き、相互分離
された少なくとも二つの部分で形成されるリテーナ１０
と、リングタイプとして形成され、プレートのホルディ
ング面を間に置き、相互分離された少なくとも二つの部
分で形成されるリテーナ１０と、リテーナ１０に結合さ
れてリテーナ１０が作動されるようにするアクチュエー
タとを含み、リテーナ１０はウェーハ１２の側面からウ
ェーハをホルディングすることができることを特徴とす
る。
ルダーを提供する。 【解決手段】 研磨されるウェーハ１２の面の反対面で
ウェーハ１２をホルディングするためのホルディング面
が形成されたプレート２４と、リングタイプとして形成
され、プレートのホルディング面を間に置き、相互分離
された少なくとも二つの部分で形成されるリテーナ１０
と、リングタイプとして形成され、プレートのホルディ
ング面を間に置き、相互分離された少なくとも二つの部
分で形成されるリテーナ１０と、リテーナ１０に結合さ
れてリテーナ１０が作動されるようにするアクチュエー
タとを含み、リテーナ１０はウェーハ１２の側面からウ
ェーハをホルディングすることができることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス(ele
ctronic devices)を製造するための装置に関するもので
あり、より具体的にはＣＭＰ工程が進行される間ウェー
ハをホルデイングするための装置に関するものである。
ctronic devices)を製造するための装置に関するもので
あり、より具体的にはＣＭＰ工程が進行される間ウェー
ハをホルデイングするための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化学的機械的平坦化（chemical-mechani
cal planarization； 以下ＣＭＰという）工程は、集積
回路(integrated circuits)の生産でウェーハ(wafer)の
表面からマテリアル(material)を除去する。このＣＭＰ
工程は、化学的機械的研磨(chemicaland mechanical po
lishing)とも言う。このＣＭＰ工程を遂行するためのＣ
ＭＰ機械は、Brunelli等による米国特許第５７０２２９
２号明細書で詳細に説明されている。ＣＭＰ機械はウェ
ーハをポリシングパッド(polishing pad)に接触される
ように位置させる。ポリシングパッドはウェーハと相対
的に回転される。
cal planarization； 以下ＣＭＰという）工程は、集積
回路(integrated circuits)の生産でウェーハ(wafer)の
表面からマテリアル(material)を除去する。このＣＭＰ
工程は、化学的機械的研磨(chemicaland mechanical po
lishing)とも言う。このＣＭＰ工程を遂行するためのＣ
ＭＰ機械は、Brunelli等による米国特許第５７０２２９
２号明細書で詳細に説明されている。ＣＭＰ機械はウェ
ーハをポリシングパッド(polishing pad)に接触される
ように位置させる。ポリシングパッドはウェーハと相対
的に回転される。
【０００３】一般的なＣＭＰ機械で、ウェーハはウェー
ハホルダー（wafer holder）に受容される。このウェー
ハホルダーは、パッド上に研磨されるウェーハ表面に位
置する。このウェーハホルダーは、ウェーハの表面とポ
リシングパッドとの間にバイアスフォース(bias force)
を加える。このウェーハホルダーは一般に研磨のための
ウェーハが位置されるリセス(recess)を有する。そし
て、ＣＭＰ機械作業者により、ウェーハホルダーからウ
ェーハの移動のための適当な所で、ウェーハホルダーが
ポリシングパッドから上げられた時、ウェーハはウェー
ハホルダーに継続受容されなければならない。
ハホルダー（wafer holder）に受容される。このウェー
ハホルダーは、パッド上に研磨されるウェーハ表面に位
置する。このウェーハホルダーは、ウェーハの表面とポ
リシングパッドとの間にバイアスフォース(bias force)
を加える。このウェーハホルダーは一般に研磨のための
ウェーハが位置されるリセス(recess)を有する。そし
て、ＣＭＰ機械作業者により、ウェーハホルダーからウ
ェーハの移動のための適当な所で、ウェーハホルダーが
ポリシングパッドから上げられた時、ウェーハはウェー
ハホルダーに継続受容されなければならない。
【０００４】ウェーハホルダーでウェーハをホルディン
グするための多様な技術が使用されている。Ｇｉｆｌに
よる米国特許第５０９５６６１号明細書は、真空を用い
てウェーハホルダーでウェーハをホルディングする方法
を使用している。ウェーハホルダーは、解除できるチャ
ッキング手段(releasable chucking means)を提供する
ために、一つ又は多数のポートを通じてポンプのような
真空ソース（vacuum source)に連結される。又、このウ
ェーハホルダーにはＣＭＰ機械の軸が結合され、ウェー
ハをポリシングパッド上で回転又は移送できるようにす
る。
グするための多様な技術が使用されている。Ｇｉｆｌに
よる米国特許第５０９５６６１号明細書は、真空を用い
てウェーハホルダーでウェーハをホルディングする方法
を使用している。ウェーハホルダーは、解除できるチャ
ッキング手段(releasable chucking means)を提供する
ために、一つ又は多数のポートを通じてポンプのような
真空ソース（vacuum source)に連結される。又、このウ
ェーハホルダーにはＣＭＰ機械の軸が結合され、ウェー
ハをポリシングパッド上で回転又は移送できるようにす
る。
【０００５】Ｈｅｍｐｅｌ，Ｊｒ．による米国特許第５
５９７３４６号明細書は、ウェーハホルダーのリテーナ
に対して取り扱っている。リテーナは、ウェーハホルダ
ーでウェーハを受容する。リテーナは、ウェーハホルダ
ーで真空吸着され、ウェーハが研磨工程遂行時外部へ離
脱されることを防止する。
５９７３４６号明細書は、ウェーハホルダーのリテーナ
に対して取り扱っている。リテーナは、ウェーハホルダ
ーでウェーハを受容する。リテーナは、ウェーハホルダ
ーで真空吸着され、ウェーハが研磨工程遂行時外部へ離
脱されることを防止する。
【０００６】図１及び図２は、従来のウェーハホルダー
のリテーナにウェーハが位置される状態を示すための図
面である。図１及び図２を参照すると、従来のウェーハ
ホルダーのリテーナ３００は、クローズ形態で構成され
ている。リテーナ３００にはオープニング３０２が形成
されているが、このオープニング３０２にはウェーハ３
０４が受容される。ウェーハ３０４が受容される反対面
から、オープニング３０２の上にはウェーハ３０４をホ
ルディングするための構造が設けられる。
のリテーナにウェーハが位置される状態を示すための図
面である。図１及び図２を参照すると、従来のウェーハ
ホルダーのリテーナ３００は、クローズ形態で構成され
ている。リテーナ３００にはオープニング３０２が形成
されているが、このオープニング３０２にはウェーハ３
０４が受容される。ウェーハ３０４が受容される反対面
から、オープニング３０２の上にはウェーハ３０４をホ
ルディングするための構造が設けられる。
【０００７】リテーナオープニング３０２の直径は、ウ
ェーハ３０４を受容するため、ウェーハ３０４の直径よ
り大きく形成されている。ウェーハ３０４がリテーナ３
００に受容されたとき、図２に示されたように、ウェー
ハ３０４の側面とリテーナ３００と内面との間に間隙ｄ
が発生される。
ェーハ３０４を受容するため、ウェーハ３０４の直径よ
り大きく形成されている。ウェーハ３０４がリテーナ３
００に受容されたとき、図２に示されたように、ウェー
ハ３０４の側面とリテーナ３００と内面との間に間隙ｄ
が発生される。
【０００８】この間隙は、ＣＭＰ工程でウェーハの研磨
程度が不均一になるという問題の原因の一つである。例
えば、ＣＭＰ工程が進行される時、ウェーハホルダーは
高速にポリシングパッド上を移動しながら回転するよう
になる。ウェーハ３０４は真空吸着されてウェーハホル
ダーにホルディングされるが、ウェーハ３０４は、ウェ
ーハホルダーの側面へ離脱しようとする傾向を有する。
リテーナ３００は、ウェーハ３０４がウェーハホルダー
の側面へ離脱することを防止する。しかし、ウェーハ３
０４とリテーナ３００との間には間隙ｄがあるため、ウ
ェーハ３０４は、リテーナオープニング３０２の上で動
く。
程度が不均一になるという問題の原因の一つである。例
えば、ＣＭＰ工程が進行される時、ウェーハホルダーは
高速にポリシングパッド上を移動しながら回転するよう
になる。ウェーハ３０４は真空吸着されてウェーハホル
ダーにホルディングされるが、ウェーハ３０４は、ウェ
ーハホルダーの側面へ離脱しようとする傾向を有する。
リテーナ３００は、ウェーハ３０４がウェーハホルダー
の側面へ離脱することを防止する。しかし、ウェーハ３
０４とリテーナ３００との間には間隙ｄがあるため、ウ
ェーハ３０４は、リテーナオープニング３０２の上で動
く。
【０００９】従来のウェーハホルダーの構造は、ＣＭＰ
工程で反復的に発生される問題の中の一つであるウェー
ハの研磨(polish)程度が異なるという問題の原因の一つ
になり、また、ウェーハの側面の損傷(broke)の原因に
もなり得る。ウェーハの研磨程度が異なるということ
は、ウェーハの加工面上で過度に研磨された領域(over-
polished areas)と研磨不十分領域(under-polished are
as)が局部的に発生されるということである。
工程で反復的に発生される問題の中の一つであるウェー
ハの研磨(polish)程度が異なるという問題の原因の一つ
になり、また、ウェーハの側面の損傷(broke)の原因に
もなり得る。ウェーハの研磨程度が異なるということ
は、ウェーハの加工面上で過度に研磨された領域(over-
polished areas)と研磨不十分領域(under-polished are
as)が局部的に発生されるということである。
【００１０】このウェーハの領域は、集積回路構造(int
egrated circuit structures)を生成するためのフォト
リソグラフィックエッチング(photolithographic etchi
ng)のような工程で、この研磨程度の差が付加的に進行
される。ウェーハ上で機能的にダイ(functional die)の
高い収率を提供するための平坦化された層での厚さ差
は、優れた解像度公差(fine resolution tolerances)を
維持することは非常に難しい。
egrated circuit structures)を生成するためのフォト
リソグラフィックエッチング(photolithographic etchi
ng)のような工程で、この研磨程度の差が付加的に進行
される。ウェーハ上で機能的にダイ(functional die)の
高い収率を提供するための平坦化された層での厚さ差
は、優れた解像度公差(fine resolution tolerances)を
維持することは非常に難しい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、研磨
工程が遂行される時、ウェーハがウェーハホルダー内で
動くことを防止するための新たな形態の化学的機械的平
坦化機械のためのウェーハホルダーを提供することあ
る。
工程が遂行される時、ウェーハがウェーハホルダー内で
動くことを防止するための新たな形態の化学的機械的平
坦化機械のためのウェーハホルダーを提供することあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の特徴によると、化学的機械的平坦化機械
のためのウェーハホルダーは、プレート、リテーナ、そ
してアクチュエータ(actuator)を含むように構成され
る。プレートは、研磨されるウェーハの面の反対面でウ
ェーハをホルディングするためのホルディング面が形成
されている。リテーナは、リングタイプとして形成さ
れ、プレートのホルディング面を間に置き、相互分離さ
れた少なくとも二つの部分として形成される。アクチュ
エータは、リテーナに結合されてリテーナが作動される
ようにする。
ための本発明の特徴によると、化学的機械的平坦化機械
のためのウェーハホルダーは、プレート、リテーナ、そ
してアクチュエータ(actuator)を含むように構成され
る。プレートは、研磨されるウェーハの面の反対面でウ
ェーハをホルディングするためのホルディング面が形成
されている。リテーナは、リングタイプとして形成さ
れ、プレートのホルディング面を間に置き、相互分離さ
れた少なくとも二つの部分として形成される。アクチュ
エータは、リテーナに結合されてリテーナが作動される
ようにする。
【００１３】このようなウェーハホルダーでリテーナの
少なくとも二つの部分は、ウェーハがホルディングされ
た時クローズ形態を成してウェーハの前側面からウェー
ハがホルディングできる。リテーナは、プレートに結合
され、ウェーハをホルディングした時プレートホルディ
ング面の側面に密着される。又、アクチュエータはモー
タでありうる。ウェーハホルダーは、プレートに連結さ
れる真空ソースを付加的に含め、アクチュエータは真空
ソースと連結され、真空ソースにより作動できる。
少なくとも二つの部分は、ウェーハがホルディングされ
た時クローズ形態を成してウェーハの前側面からウェー
ハがホルディングできる。リテーナは、プレートに結合
され、ウェーハをホルディングした時プレートホルディ
ング面の側面に密着される。又、アクチュエータはモー
タでありうる。ウェーハホルダーは、プレートに連結さ
れる真空ソースを付加的に含め、アクチュエータは真空
ソースと連結され、真空ソースにより作動できる。
【００１４】ウェーハホルダーは、リテーナの少なくと
も二つの部分と各々対応されるようにプレートに形成さ
れ、リテーナの各部分が動作される方向と同一に形成さ
れる少なくとも二つのスロットとリテーナの少なくとも
二つの部分に各々結合され、スロットに各々位置され、
アクチュエータと連結され、アクチュエータの作動によ
りリテーナが移動されるようにする少なくとも二つのピ
ンを含める。
も二つの部分と各々対応されるようにプレートに形成さ
れ、リテーナの各部分が動作される方向と同一に形成さ
れる少なくとも二つのスロットとリテーナの少なくとも
二つの部分に各々結合され、スロットに各々位置され、
アクチュエータと連結され、アクチュエータの作動によ
りリテーナが移動されるようにする少なくとも二つのピ
ンを含める。
【００１５】ウェーハはフラットゾーンを有し、リテー
ナは少なくとも二つの部分の中で一つの部分にストッパ
ーを付加的に含み、ウェーハがウェーハホルダーにロー
ディングされる時、ストッパーがフラットゾーンに位置
されてウェーハの側面を支えるようにすることができ
る。リテーナは、ウェーハの側面に密着される内面に設
けられるそして弾力があるインサートを付加的に含め
る。
ナは少なくとも二つの部分の中で一つの部分にストッパ
ーを付加的に含み、ウェーハがウェーハホルダーにロー
ディングされる時、ストッパーがフラットゾーンに位置
されてウェーハの側面を支えるようにすることができ
る。リテーナは、ウェーハの側面に密着される内面に設
けられるそして弾力があるインサートを付加的に含め
る。
【００１６】このような本発明の化学的機械的平坦化機
械のためのウェーハホルダーは、ウェーハとリテーナと
の間で間隙が発生しない。この構造はウェーハを安定的
にホルディングし、ウェーハの研磨工程が遂行される
時、ウェーハがウェーハのホルダー内部で動かないよう
にする。このウェーハホルダーは、ウェーハホルダー内
でウェーハの動きにより発生される不均一の研磨面が発
生するのを最小限に抑制できる。従って、平坦化された
研磨面を有するウェーハを提供してチップ収率を高めら
れる。
械のためのウェーハホルダーは、ウェーハとリテーナと
の間で間隙が発生しない。この構造はウェーハを安定的
にホルディングし、ウェーハの研磨工程が遂行される
時、ウェーハがウェーハのホルダー内部で動かないよう
にする。このウェーハホルダーは、ウェーハホルダー内
でウェーハの動きにより発生される不均一の研磨面が発
生するのを最小限に抑制できる。従って、平坦化された
研磨面を有するウェーハを提供してチップ収率を高めら
れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に添付さ
れた図３乃至図１０に基づいて詳細に説明する。又、図
面で同一の機能を遂行する構成要素に対しては同一の参
照番号を併記する。図３乃至図５は、本発明の実施形態
によるウェーハホルダーのリテーナ(retainer)を示した
図面であり、図６及び図７は図３の変形例によるウェー
ハホルダーのリテーナである。
れた図３乃至図１０に基づいて詳細に説明する。又、図
面で同一の機能を遂行する構成要素に対しては同一の参
照番号を併記する。図３乃至図５は、本発明の実施形態
によるウェーハホルダーのリテーナ(retainer)を示した
図面であり、図６及び図７は図３の変形例によるウェー
ハホルダーのリテーナである。
【００１８】図３乃至図５を参照すると、本発明の実施
形態によるウェーハホルダーのリテーナ１０は、三部分
１０−１，１０−２，１０−３によって構成されてい
る。このリテーナの三部分１０−１，１０−２，１０−
３は相互結合関係を有する。リテーナ１０は、ウェーハ
１２がホルディングできるように構成されるので、リテ
ーナの三部分１０−１，１０−２，１０−３は相互結合
された時、ウェーハ１２がホルディングできるように形
成される。
形態によるウェーハホルダーのリテーナ１０は、三部分
１０−１，１０−２，１０−３によって構成されてい
る。このリテーナの三部分１０−１，１０−２，１０−
３は相互結合関係を有する。リテーナ１０は、ウェーハ
１２がホルディングできるように構成されるので、リテ
ーナの三部分１０−１，１０−２，１０−３は相互結合
された時、ウェーハ１２がホルディングできるように形
成される。
【００１９】リテーナの三部分１０−１，１０−２，１
０−３の結合は中間にオープニング(opening)１４を形
成する。このオープニング１４にはウェーハ１２が位置
されるので、リテーナの三部分１０−１，１０−２，１
０−３の内面はウェーハ１２の側面形態と同じように形
成される。一般的に、ウェーハ１２は円型の形態を有す
るので、オープニング１４は円型の形態を有する。詳細
に後述するが、リテーナの三部分１０−１、１０−２、
１０−３はウェーハホルダーに設けられるアクチュエー
タにより作動される。
０−３の結合は中間にオープニング(opening)１４を形
成する。このオープニング１４にはウェーハ１２が位置
されるので、リテーナの三部分１０−１，１０−２，１
０−３の内面はウェーハ１２の側面形態と同じように形
成される。一般的に、ウェーハ１２は円型の形態を有す
るので、オープニング１４は円型の形態を有する。詳細
に後述するが、リテーナの三部分１０−１、１０−２、
１０−３はウェーハホルダーに設けられるアクチュエー
タにより作動される。
【００２０】ＣＭＰ工程で本発明の実施形態によるウェ
ーハホルダーを使用する場合、ウェーハをホルディング
する段階で、リテーナの三部分１０−１，１０−２，１
０−３を作動させてウェーハ１２を側面からホルディン
グする段階を付加的に進行する。例えば、一般的なＣＭ
Ｐ機械でウェーハを真空吸着してホルディングする方法
が使用されるウェーハホルダーは既に知られている。本
実施形態のウェーハホルダーは三つの部分１０−１，１
０−２，１０−３として分割されたリテーナ１０によ
り、ウェーハ１２を側面からホルディングできる。
ーハホルダーを使用する場合、ウェーハをホルディング
する段階で、リテーナの三部分１０−１，１０−２，１
０−３を作動させてウェーハ１２を側面からホルディン
グする段階を付加的に進行する。例えば、一般的なＣＭ
Ｐ機械でウェーハを真空吸着してホルディングする方法
が使用されるウェーハホルダーは既に知られている。本
実施形態のウェーハホルダーは三つの部分１０−１，１
０−２，１０−３として分割されたリテーナ１０によ
り、ウェーハ１２を側面からホルディングできる。
【００２１】このウェーハホルダーのリテーナ１０はウ
ェーハを受容するだけでなく、図４及び図５に示された
ように、ウェーハ１２を側面からホルディングできるよ
うにする。即ち、研磨工程が遂行されるウェーハ１２と
リテーナ１０との間に間隙が発生されない。リテーナ１
０の内面には弾力があるインサート（図示せず）が設け
られる。このインサートは、リテーナ１０からウェーハ
１２に作用される力を分散させるので、ウェーハ１２を
保護する役割を果たす。
ェーハを受容するだけでなく、図４及び図５に示された
ように、ウェーハ１２を側面からホルディングできるよ
うにする。即ち、研磨工程が遂行されるウェーハ１２と
リテーナ１０との間に間隙が発生されない。リテーナ１
０の内面には弾力があるインサート（図示せず）が設け
られる。このインサートは、リテーナ１０からウェーハ
１２に作用される力を分散させるので、ウェーハ１２を
保護する役割を果たす。
【００２２】図６及び図７は、前述した本発明の実施形
態で変形されたリテーナ１０’を示している。図６及び
図７を参照すると、リテーナ１０’の三部分１０−
１’，１０−２’，１０−３’の中の一部１０−２’に
はストッパー１８が形成されている。このストッパー(s
topper)１８はウェーハ１２のフラットゾーン１６に位
置されるように形成される。一般的に、ウェーハのフラ
ットゾーン１６は、ウェーハ１２上に半導体素子を形成
する時、ウェーハ１２の基準を設定するために非常に有
効に使用される。本変形例はＣＭＰ工程を進行する時、
ウェーハのフラットゾーン１６へ力が加えられる場合に
リテーナ１０’で支えるようにするためである。
態で変形されたリテーナ１０’を示している。図６及び
図７を参照すると、リテーナ１０’の三部分１０−
１’，１０−２’，１０−３’の中の一部１０−２’に
はストッパー１８が形成されている。このストッパー(s
topper)１８はウェーハ１２のフラットゾーン１６に位
置されるように形成される。一般的に、ウェーハのフラ
ットゾーン１６は、ウェーハ１２上に半導体素子を形成
する時、ウェーハ１２の基準を設定するために非常に有
効に使用される。本変形例はＣＭＰ工程を進行する時、
ウェーハのフラットゾーン１６へ力が加えられる場合に
リテーナ１０’で支えるようにするためである。
【００２３】もちろん、フラットゾーンを使用しない場
合には、前述した本発明の実施形態によるリテーナが設
けられたウェーハホルダーを使用すればよい。このよう
なウェーハのフラットゾーンに結合されるストッパーを
使用する場合、ウェーハホルダーに使用される重さ中心
調節装置が必要としないので、ウェーハホルダーの構造
を単純に構成できる。
合には、前述した本発明の実施形態によるリテーナが設
けられたウェーハホルダーを使用すればよい。このよう
なウェーハのフラットゾーンに結合されるストッパーを
使用する場合、ウェーハホルダーに使用される重さ中心
調節装置が必要としないので、ウェーハホルダーの構造
を単純に構成できる。
【００２４】図８は、前述したリテーナが設けられたウ
ェーハホルダーを示している。図８を参照すると、ウェ
ーハホルダー４０はリテーナ１０，マウンティングプレ
ート(mounting plate)２０，マニフォルドプレート(man
ifold plate)２２，そしてトッププレート(top plate)
２４等で構成される。トッププレート２４にはＣＭＰ機
械にウェーハホルダーを連結するための各種部分が形成
される。一例として、トッププレート２４にはＣＭＰ機
械の駆動軸２６が結合される部分が形成される。
ェーハホルダーを示している。図８を参照すると、ウェ
ーハホルダー４０はリテーナ１０，マウンティングプレ
ート(mounting plate)２０，マニフォルドプレート(man
ifold plate)２２，そしてトッププレート(top plate)
２４等で構成される。トッププレート２４にはＣＭＰ機
械にウェーハホルダーを連結するための各種部分が形成
される。一例として、トッププレート２４にはＣＭＰ機
械の駆動軸２６が結合される部分が形成される。
【００２５】ＣＭＰ機械でウェーハホルダー４０の運動
方法は色々方法が知られているので、詳細な説明は省略
する。例えば、ウェーハホルダー４０は、駆動軸２６に
より、ポリシングパッドに上へ向く力が作用され、ポリ
シングパッド（厳密に言えば、ベース(base)）の運動に
対して相対的な運動をする。一般的に、ＣＭＰ機械は真
空を用いてウェーハをホルディングする方法が使用され
ている。真空を用いてウェーハをホルディングするウェ
ーハホルダーは既に知られているので、詳細な説明は省
略する。
方法は色々方法が知られているので、詳細な説明は省略
する。例えば、ウェーハホルダー４０は、駆動軸２６に
より、ポリシングパッドに上へ向く力が作用され、ポリ
シングパッド（厳密に言えば、ベース(base)）の運動に
対して相対的な運動をする。一般的に、ＣＭＰ機械は真
空を用いてウェーハをホルディングする方法が使用され
ている。真空を用いてウェーハをホルディングするウェ
ーハホルダーは既に知られているので、詳細な説明は省
略する。
【００２６】もちろん、ウェーハをホルディングするた
めの他の方法が使用できることは、この分野の通常的な
知識を持っている者なら自明である。トッププレート２
４，マニフォルドプレート２２，そしてマウンティング
プレート２０にはウェーハを真空にホルディングするた
めに、真空ソースと連結された構造が形成される。マウ
ンティングプレート２０は、図８に示したように、ウェ
ーハを真空吸着してホルディングするために、ウェーハ
が位置する面上へ多数のホールが形成されている。マニ
ホールドプレート２２は真空ソースとマウンティングプ
レート２０に形成された多数のホールを連結するための
構造が形成される。
めの他の方法が使用できることは、この分野の通常的な
知識を持っている者なら自明である。トッププレート２
４，マニフォルドプレート２２，そしてマウンティング
プレート２０にはウェーハを真空にホルディングするた
めに、真空ソースと連結された構造が形成される。マウ
ンティングプレート２０は、図８に示したように、ウェ
ーハを真空吸着してホルディングするために、ウェーハ
が位置する面上へ多数のホールが形成されている。マニ
ホールドプレート２２は真空ソースとマウンティングプ
レート２０に形成された多数のホールを連結するための
構造が形成される。
【００２７】マウンティングプレート２０でウェーハが
真空吸着される部分（holding side；以下、ホルディン
グ面）はリテーナ１０のオープニング１４に位置され
る。即ち、リテーナ１０はリングタイプに形成され、マ
ウンティングプレート２０のホルディング面を間に置
き、位置される。結論的に、本発明の実施形態によるウ
ェーハホルダー４０でウェーハはマウンティングプレー
ト２０のホルディング面に真空吸着され、リテーナ１０
により両側面からホルディングされる。
真空吸着される部分（holding side；以下、ホルディン
グ面）はリテーナ１０のオープニング１４に位置され
る。即ち、リテーナ１０はリングタイプに形成され、マ
ウンティングプレート２０のホルディング面を間に置
き、位置される。結論的に、本発明の実施形態によるウ
ェーハホルダー４０でウェーハはマウンティングプレー
ト２０のホルディング面に真空吸着され、リテーナ１０
により両側面からホルディングされる。
【００２８】図９及び図１０は、本発明の実施形態によ
るウェーハホルダーでリテーナを動作させるための方法
を示した図面である。図９及び図１０を参照すると、リ
テーナ１０はマウンティングプレート２０上に配置され
るシリンダ３６によりホルディング／分離動作をする。
シリンダ３６は、リテーナ１０を動作させるためのアク
チュエータである。例えば、アクチュエータは、電気及
び油圧モータ又はポンプ等と多様な形態として連結でき
ることは、この分野の従事者は理解されやすいことであ
る。又、アクチュエータの動力源は、多様な形態が使用
できる。
るウェーハホルダーでリテーナを動作させるための方法
を示した図面である。図９及び図１０を参照すると、リ
テーナ１０はマウンティングプレート２０上に配置され
るシリンダ３６によりホルディング／分離動作をする。
シリンダ３６は、リテーナ１０を動作させるためのアク
チュエータである。例えば、アクチュエータは、電気及
び油圧モータ又はポンプ等と多様な形態として連結でき
ることは、この分野の従事者は理解されやすいことであ
る。又、アクチュエータの動力源は、多様な形態が使用
できる。
【００２９】本実施形態でシリンダ３６はウェーハホル
ダー４０で使用される真空ソースと連結されて作動され
る。シリンダ３６の制御は、ウェーハホルダー４０を制
御するコントローラ（図示せず）を使用すると、簡単に
適用できることである。これはこの分野の通常的な知識
を持っている者なら自明である。シリンダ３６は、リテ
ーナ１０と連結されて設けられる三つのピン３２と連結
されたロッカー３４と連結されている。ロッカー３４は
リテーナ１０が安定して作動するように、シリンダ３６
と三つのピン３２を連結させる。リテーナ１０は前述し
たように、二つの以上の部分によって構成できる。
ダー４０で使用される真空ソースと連結されて作動され
る。シリンダ３６の制御は、ウェーハホルダー４０を制
御するコントローラ（図示せず）を使用すると、簡単に
適用できることである。これはこの分野の通常的な知識
を持っている者なら自明である。シリンダ３６は、リテ
ーナ１０と連結されて設けられる三つのピン３２と連結
されたロッカー３４と連結されている。ロッカー３４は
リテーナ１０が安定して作動するように、シリンダ３６
と三つのピン３２を連結させる。リテーナ１０は前述し
たように、二つの以上の部分によって構成できる。
【００３０】従って、ピン３２は、リテーナ１０の部分
に各々構成される。ピン３２は、マウンティングプレー
ト２０に形成されたスロット３０を通じてロッカー３４
に結合される。スロット３０の長さはリテーナ１０部分
の各ストローク(stroke)に合わせて設定できる。ピン３
２とスロット３０は、リテーナ１０を安定的に動作させ
るように構成する。本実施形態でピン３２はリテーナ１
０の各部分で三つずつ設けた。スロット３０にピン３２
が各々位置する。シリンダ３６は、リテーナ１０の部分
の数に従って設けられるものである。
に各々構成される。ピン３２は、マウンティングプレー
ト２０に形成されたスロット３０を通じてロッカー３４
に結合される。スロット３０の長さはリテーナ１０部分
の各ストローク(stroke)に合わせて設定できる。ピン３
２とスロット３０は、リテーナ１０を安定的に動作させ
るように構成する。本実施形態でピン３２はリテーナ１
０の各部分で三つずつ設けた。スロット３０にピン３２
が各々位置する。シリンダ３６は、リテーナ１０の部分
の数に従って設けられるものである。
【００３１】
【発明の効果】このような本発明を適用すると、ウェー
ハホルダーとリテーナとの間で間隙が発生されないた
め、ウェーハを安定してホルディングし、ウェーハの研
磨工程が遂行される時、ウェーハがウェーハのホルダー
内部で動かないようにすることができる。ウェーハホル
ダーは、ウェーハホルダー内でウェーハの動きにより発
生される、不均一の研磨面が発生するのを最小限に抑制
できる。
ハホルダーとリテーナとの間で間隙が発生されないた
め、ウェーハを安定してホルディングし、ウェーハの研
磨工程が遂行される時、ウェーハがウェーハのホルダー
内部で動かないようにすることができる。ウェーハホル
ダーは、ウェーハホルダー内でウェーハの動きにより発
生される、不均一の研磨面が発生するのを最小限に抑制
できる。
【００３２】従って、平坦化された研磨面を有するウェ
ーハを提供してチップの高い収率が提供できる。一方、
ウェーハのフラットゾーンに結合されるストッパーを使
用する場合、ウェーハホルダーに使用される重さ中心調
節装置が必要とされないので、ウェーハホルダーの構造
が単純に構成できる。
ーハを提供してチップの高い収率が提供できる。一方、
ウェーハのフラットゾーンに結合されるストッパーを使
用する場合、ウェーハホルダーに使用される重さ中心調
節装置が必要とされないので、ウェーハホルダーの構造
が単純に構成できる。
【図１】 従来の化学的機械的平坦化機械でウェーハホ
ルダーのリテーナにウェーハがローディングされた状態
を説明するための図面である。
ルダーのリテーナにウェーハがローディングされた状態
を説明するための図面である。
【図２】 図１の断面１Ｂ−１Ｂを示した断面図であ
る。
る。
【図３】 ウェーハがローディングされる前、本発明の
実施形態による化学的機械的平坦化機械でウェーハホル
ダーのリテーナの状態を説明するための図面である。
実施形態による化学的機械的平坦化機械でウェーハホル
ダーのリテーナの状態を説明するための図面である。
【図４】 図３のリテーナにウェーハがローディングさ
れた後の状態を説明するための図面である。
れた後の状態を説明するための図面である。
【図５】 図４の断面３Ｂ−３Ｂを示した断面図であ
る。
る。
【図６】 図３の変形例によるウェーハホルダーのリテ
ーナを説明するための図面である。
ーナを説明するための図面である。
【図７】 図３の変形例によるウェーハホルダーのリテ
ーナを説明するための図面である。
ーナを説明するための図面である。
【図８】 図３のリテーナが適用されたウェーハホルダ
ーの断面図である。
ーの断面図である。
【図９】 図７のリテーナの動作を説明するための図面
である。
である。
【図１０】 図７のリテーナの動作を説明するための図
面である。
面である。
１０，１０’ リテーナ １０−１，１０−１’ 第１リテーナ部分 １０−２，１０−２’ 第２リテーナ部分 １０−３，１０−３’ 第３リテーナ部分 １２ ウェーハ １４，１４’ オープニング １６ フラットゾーン １８ ストッパー ２０ マウンティングプレート ２２ マニホールドプレート ２４ トッププレート ２６ 駆動軸 ３０ スロット ３２ ピン ３４ ロッカー ３６ シリンダ ４０ ウェーハホルダー
Claims (9)
- 【請求項１】 化学的機械的平坦化機械のためのウェ
ーハホルダーにおいて、 研磨されるウェーハの面の反対面で前記ウェーハをホル
ディングするためのホルディング面が形成されたプレー
トと、 リングタイプとして形成され、前記プレートのホルディ
ング面を間に置き、相互分離された少なくとも二つの部
分で形成されるリテーナと、 前記リテーナに結合されて前記リテーナが作動されるよ
うにするアクチュエ−タとを含み、前記リテーナは前記
ウェーハの側面から前記ウェーハをホルディングするこ
とを特徴とする化学的機械的平坦化機械のためのウェー
ハホルダー。 - 【請求項２】 前記リテーナの前記少なくとも二つの
部分は、前記ウェーハがホルディングされた時クローズ
形態を成して前記ウェーハの前側面から前記ウェーハを
ホルディングすることを特徴とする請求項１に記載の化
学的機械的平坦化機械のためのウェーハホルダー。 - 【請求項３】 前記リテーナは、前記プレートに結合
され、前記ウェーハをホルディングした時、前記プレー
トホルディング面の側面に密着されることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載の化学的機械的平坦化機械
のためのウェーハホルダー。 - 【請求項４】 前記アクチュエータは、モータである
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の化学的
機械的平坦化機械のためのウェーハホルダー。 - 【請求項５】 前記ウェーハホルダーは、前記プレー
トに連結される真空ソースを付加的に含み、前記ウェー
ハは、前記真空ソースにより前記ホルディング面に真空
吸着されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の化学的機械的平坦化機械のためのウェーハホルダ
ー。 - 【請求項６】 前記アクチュエータは、前記真空ソー
スと連結され、前記真空ソースにより作動されることを
特徴とする請求項５に記載の化学的機械的平坦化機械の
ためのウェーハホルダー。 - 【請求項７】 前記ウェーハホルダーは、前記リテー
ナの少なくとも二つの部分と各々対応されるように前記
プレートに形成される少なくとも二つのスロットと、 前記リテーナの各部分に各々結合され、前記スロットに
各々位置され、前記アクチュエータと連結されて前記ア
クチュエータの作動により前記リテーナが移動されるよ
うにする少なくとも二つのピンとを含むことを特徴とす
る化学的機械的平坦化機械のためのウェーハホルダー。 - 【請求項８】 前記ウェーハは、フラットゾ−ンを有
し、 前記リテーナは少なくとも二つの部分の中で一つの部分
にストッパーを付加的に含み、前記ウェーハが前記ウェ
ーハホルダーにローディングされる時、前記ストッパー
がフラットゾーンに位置され、前記ウェーハの側面を支
えるようにすることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の化学的機械的平坦化機械のためのウェーハホル
ダー。 - 【請求項９】 前記リテーナは、前記ウェーハの側面
に密着される内面に設けられ、弾力のあるインサートを
付加的に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の化学的機械的平坦化機械のためのウェーハホルダ
ー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR199816207 | 1998-05-06 | ||
| KR1019980016207A KR100306824B1 (ko) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 화학적기계적평탄화기계를위한웨이퍼홀더 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333714A true JPH11333714A (ja) | 1999-12-07 |
| JP3834444B2 JP3834444B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=19537076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12643699A Expired - Fee Related JP3834444B2 (ja) | 1998-05-06 | 1999-05-06 | 化学的機械的平坦化機械のためのウェーハホルダー |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6146256A (ja) |
| JP (1) | JP3834444B2 (ja) |
| KR (1) | KR100306824B1 (ja) |
| TW (1) | TW375554B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1147855A2 (en) * | 2000-04-21 | 2001-10-24 | Agere Systems Guardian Corporation | Polishing carrier head |
| JP2004510336A (ja) * | 2000-09-26 | 2004-04-02 | ラム リサーチ コーポレーション | Ｃｍｐシステムのためのウエハキャリア |
| JP2009509782A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 直接ロードプラテンを用いた研磨装置および方法 |
| JP2011235373A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Fujibo Holdings Inc | 枠材および枠材を有する保持具 |
| KR20150060238A (ko) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 |
| KR20160051288A (ko) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드 |
| JP2017028068A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 株式会社東芝 | 研磨装置および半導体製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436228B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate retainer |
| KR100513419B1 (ko) * | 1998-11-07 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 폴리싱장치 |
| US6949158B2 (en) * | 2001-05-14 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Using backgrind wafer tape to enable wafer mounting of bumped wafers |
| US6776693B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for face-up substrate polishing |
| KR100587057B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적기계연마 장치 |
| KR100649007B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 및 이를 만드는 방법 |
| US7696770B2 (en) * | 2007-01-26 | 2010-04-13 | International Business Machines Corportion | Self-centering nest for electronics testing |
| US8144309B2 (en) * | 2007-09-05 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US20130316627A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Edmond Arzuman Abrahamians | Wafer carrier for batch wafer polishing in wafer polishing machines |
| KR102644392B1 (ko) * | 2018-05-15 | 2024-03-08 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 캐리어 및 이를 포함하는 기판 연마 장치 |
| CN110802507A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-18 | 上海华力微电子有限公司 | 研磨头和化学机械研磨设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168021A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アウターワークホルダー |
| US5095661A (en) * | 1988-06-20 | 1992-03-17 | Westech Systems, Inc. | Apparatus for transporting wafer to and from polishing head |
| US5549502A (en) * | 1992-12-04 | 1996-08-27 | Fujikoshi Machinery Corp. | Polishing apparatus |
| US5605487A (en) * | 1994-05-13 | 1997-02-25 | Memc Electric Materials, Inc. | Semiconductor wafer polishing appartus and method |
| US5597346A (en) * | 1995-03-09 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for holding a semiconductor wafer during a chemical mechanical polish (CMP) process |
| JP3129172B2 (ja) * | 1995-11-14 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
| US5702292A (en) * | 1996-10-31 | 1997-12-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine |
-
1998
- 1998-05-06 KR KR1019980016207A patent/KR100306824B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-10 TW TW087109223A patent/TW375554B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-06 JP JP12643699A patent/JP3834444B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-06 US US09/306,234 patent/US6146256A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1147855A2 (en) * | 2000-04-21 | 2001-10-24 | Agere Systems Guardian Corporation | Polishing carrier head |
| EP1147855A3 (en) * | 2000-04-21 | 2004-01-07 | Agere Systems Guardian Corporation | Polishing carrier head |
| JP2004510336A (ja) * | 2000-09-26 | 2004-04-02 | ラム リサーチ コーポレーション | Ｃｍｐシステムのためのウエハキャリア |
| JP2009509782A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 直接ロードプラテンを用いた研磨装置および方法 |
| JP2011235373A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Fujibo Holdings Inc | 枠材および枠材を有する保持具 |
| KR20150060238A (ko) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 |
| KR20160051288A (ko) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드 |
| JP2017028068A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 株式会社東芝 | 研磨装置および半導体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW375554B (en) | 1999-12-01 |
| JP3834444B2 (ja) | 2006-10-18 |
| KR100306824B1 (ko) | 2001-11-30 |
| KR19990084451A (ko) | 1999-12-06 |
| US6146256A (en) | 2000-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11333714A (ja) | 化学的機械的平坦化機械のためのウェ―ハホルダ― | |
| US5658190A (en) | Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers | |
| JP5174791B2 (ja) | 基板支持ユニットと、それを使用する基板研磨装置及び方法 | |
| KR101000420B1 (ko) | 가압 시트 | |
| US6245680B1 (en) | Circumferentially oscillating carousel apparatus for sequentially processing substrates for polishing and cleaning | |
| US20010018322A1 (en) | Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members | |
| EP1133378A2 (en) | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head | |
| JP2002198337A (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
| JP4018892B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009255292A (ja) | キャリアヘッド及び基板の化学機械研磨のためのシステム | |
| EP0629470B1 (en) | Apparatus for polishing a wafer notch | |
| US7156722B2 (en) | Platen structure of polishing apparatus for processing semiconductor wafer and method for exchanging polishing pad affixed to the same | |
| JP3616407B2 (ja) | 半導体基板を研磨する方法 | |
| CN111941251A (zh) | 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 | |
| JPH07321076A (ja) | 半導体装置の製造方法と研磨装置 | |
| US7950983B2 (en) | Retainer ring | |
| JPH08267357A (ja) | 基板の研磨装置及びその研磨方法 | |
| WO1999026761A1 (en) | Polishing apparatus | |
| JP3450485B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2004505435A (ja) | オービタル研磨装置 | |
| JPH09232259A (ja) | 半導体層を平坦化する方法 | |
| US6712672B1 (en) | Clamping wafer holder for chemica-mechanical planarization machines and method for using it | |
| US6537135B1 (en) | Curvilinear chemical mechanical planarization device and method | |
| JP3965969B2 (ja) | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
| JP2001260004A (ja) | ウェーハ研磨ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060531 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060627 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060724 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130728 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |