JPH11333579A - レーザによるプリント配線基板の切断装置及び切断方法 - Google Patents
レーザによるプリント配線基板の切断装置及び切断方法Info
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- JPH11333579A JPH11333579A JP10143176A JP14317698A JPH11333579A JP H11333579 A JPH11333579 A JP H11333579A JP 10143176 A JP10143176 A JP 10143176A JP 14317698 A JP14317698 A JP 14317698A JP H11333579 A JPH11333579 A JP H11333579A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線基板における樹脂層のみの切
断、樹脂層と導電層の一括切断のいずれをも可能とする
レーザによるプリント配線基板の切断装置を提供するこ
と。 【解決手段】 パルス発振型のレーザ発振装置１０から
のパルス状のレーザ光をプリント配線基板に照射して切
断を行う切断装置であって、切断面でのエネルギー密度
を制御する制御部２０を備えることにより、プリント配
線基板の樹脂層のみの切断加工、樹脂層と導電層の一括
切断加工を可能にした。
断、樹脂層と導電層の一括切断のいずれをも可能とする
レーザによるプリント配線基板の切断装置を提供するこ
と。 【解決手段】 パルス発振型のレーザ発振装置１０から
のパルス状のレーザ光をプリント配線基板に照射して切
断を行う切断装置であって、切断面でのエネルギー密度
を制御する制御部２０を備えることにより、プリント配
線基板の樹脂層のみの切断加工、樹脂層と導電層の一括
切断加工を可能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザによるプリン
ト配線基板の切断装置に関し、特にフレキシブルプリン
ト配線基板（以下、ＦＰＣと呼ぶ）の切断に適した切断
装置及び切断方法に関する。
ト配線基板の切断装置に関し、特にフレキシブルプリン
ト配線基板（以下、ＦＰＣと呼ぶ）の切断に適した切断
装置及び切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、プリント配線基板、特にＦＰ
Ｃの切断は、プレス工法あるいはドリルを使用したルー
タ工法により行われている。
Ｃの切断は、プレス工法あるいはドリルを使用したルー
タ工法により行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プレス
工法ではバリが発生し易く、ルータ工法では切断幅や切
断速度に制約がある。また、ＦＰＣにおいては、樹脂層
のみに切り込みを入れるような加工も必要であるが、い
ずれの工法でも、ＦＰＣにおける導電層を残して樹脂層
のみを切断する加工は困難である。なお、以下の説明で
は、ＦＰＣを完全に分離するように切り離してしまう加
工のみではなく、導電層の上部領域において樹脂層のみ
に切り込みを入れるような加工も切断加工として説明す
る。
工法ではバリが発生し易く、ルータ工法では切断幅や切
断速度に制約がある。また、ＦＰＣにおいては、樹脂層
のみに切り込みを入れるような加工も必要であるが、い
ずれの工法でも、ＦＰＣにおける導電層を残して樹脂層
のみを切断する加工は困難である。なお、以下の説明で
は、ＦＰＣを完全に分離するように切り離してしまう加
工のみではなく、導電層の上部領域において樹脂層のみ
に切り込みを入れるような加工も切断加工として説明す
る。
【０００４】本発明の課題は、プリント配線基板におけ
る樹脂層のみの切断、樹脂層と導電層の一括切断のいず
れをも可能とするレーザによるプリント配線基板の切断
装置を提供することにある。
る樹脂層のみの切断、樹脂層と導電層の一括切断のいず
れをも可能とするレーザによるプリント配線基板の切断
装置を提供することにある。
【０００５】本発明の他の課題は、上記の切断装置に適
した切断方法を提供することにある。
した切断方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、パルス
発振型レーザ発振装置からのパルス状のレーザ光をプリ
ント配線基板に照射して切断を行う切断装置であって、
切断面でのエネルギー密度を制御する制御部を備えるこ
とにより、前記プリント配線基板の樹脂層のみの切断加
工、前記樹脂層と導電層の一括切断加工を可能にしたこ
とを特徴とするレーザによるプリント配線基板の切断装
置が提供される。
発振型レーザ発振装置からのパルス状のレーザ光をプリ
ント配線基板に照射して切断を行う切断装置であって、
切断面でのエネルギー密度を制御する制御部を備えるこ
とにより、前記プリント配線基板の樹脂層のみの切断加
工、前記樹脂層と導電層の一括切断加工を可能にしたこ
とを特徴とするレーザによるプリント配線基板の切断装
置が提供される。
【０００７】なお、前記パルス発振型レーザ発振装置
は、ＹＡＧあるいはＹＬＦ固体レーザ発振器を含んでそ
の第３高調波あるいは第４高調波を出力するものであ
る。
は、ＹＡＧあるいはＹＬＦ固体レーザ発振器を含んでそ
の第３高調波あるいは第４高調波を出力するものであ
る。
【０００８】また、前記制御部は、前記固体レーザ発振
器のパルス周波数を制御することにより前記切断面での
エネルギー密度を制御することを特徴とする。
器のパルス周波数を制御することにより前記切断面での
エネルギー密度を制御することを特徴とする。
【０００９】また、前記プリント配線基板を搭載してＸ
軸方向及びＹ軸方向に移動させるためのＸ−Ｙステージ
を備え、前記制御部は、切断パターンを規定するために
あらかじめ設定される切断データに基づいて前記Ｘ−Ｙ
ステージを制御して前記切断パターンの切断加工を行
う。
軸方向及びＹ軸方向に移動させるためのＸ−Ｙステージ
を備え、前記制御部は、切断パターンを規定するために
あらかじめ設定される切断データに基づいて前記Ｘ−Ｙ
ステージを制御して前記切断パターンの切断加工を行
う。
【００１０】更に、前記Ｘ−Ｙステージは、前記プリン
ト配線基板を均一にチャッキングするための焼結式真空
プレートチャッキング機構を備えることが好ましい。
ト配線基板を均一にチャッキングするための焼結式真空
プレートチャッキング機構を備えることが好ましい。
【００１１】前記レーザ光が少なくとも１つの折り返し
ミラーを経由する場合、前記折り返しミラーには、第１
の角度位置と、前記第１の角度位置とは異なる第２の角
度位置に前記折り返しミラーを置くように切換えを行う
ための切換え機構を設け、前記折り返しミラーが前記第
２の角度位置にある時に反射されたレーザ光を受けてそ
のエネルギーを消費するビームダンパを更に設けること
により、前記制御部は、前記切換え機構を制御して前記
折り返しミラーを前記第２の角度位置に置くようにして
も良い。
ミラーを経由する場合、前記折り返しミラーには、第１
の角度位置と、前記第１の角度位置とは異なる第２の角
度位置に前記折り返しミラーを置くように切換えを行う
ための切換え機構を設け、前記折り返しミラーが前記第
２の角度位置にある時に反射されたレーザ光を受けてそ
のエネルギーを消費するビームダンパを更に設けること
により、前記制御部は、前記切換え機構を制御して前記
折り返しミラーを前記第２の角度位置に置くようにして
も良い。
【００１２】更に、前記制御部は、前記Ｘ−Ｙステージ
における移動速度を制御することにより前記切断面での
エネルギー密度を制御するようにしても良い。
における移動速度を制御することにより前記切断面での
エネルギー密度を制御するようにしても良い。
【００１３】本発明によればまた、パルス発振型レーザ
発振装置からのパルス状のレーザ光をプリント配線基板
に照射して切断を行う切断方法であって、切断面でのエ
ネルギー密度を制御して、前記プリント配線基板の樹脂
層のみの切断加工、前記樹脂層と導電層の一括切断加工
を可能にしたことを特徴とするレーザによるプリント配
線基板の切断方法が提供される。
発振装置からのパルス状のレーザ光をプリント配線基板
に照射して切断を行う切断方法であって、切断面でのエ
ネルギー密度を制御して、前記プリント配線基板の樹脂
層のみの切断加工、前記樹脂層と導電層の一括切断加工
を可能にしたことを特徴とするレーザによるプリント配
線基板の切断方法が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、図１、図２を参照してＦ
ＰＣの切断加工に適した本発明の好ましい実施の形態に
ついて説明する。図１において、パルス発振型のレーザ
発振装置１０で発生されたパルス状のレーザ光は、折り
返しミラー１１、１２、レーザ光の断面形状を規定する
ためのマスク１３、折り返しミラー１４を経由し、集光
レンズ１５を通してワーク、すなわちＦＰＣ１６に照射
されて切断加工が行われる。
ＰＣの切断加工に適した本発明の好ましい実施の形態に
ついて説明する。図１において、パルス発振型のレーザ
発振装置１０で発生されたパルス状のレーザ光は、折り
返しミラー１１、１２、レーザ光の断面形状を規定する
ためのマスク１３、折り返しミラー１４を経由し、集光
レンズ１５を通してワーク、すなわちＦＰＣ１６に照射
されて切断加工が行われる。
【００１５】本形態による切断装置は、ワーク１６の切
断面でのエネルギー密度を制御する制御部２０を備える
ことにより、ＦＰＣ１６の樹脂層、特に導電層上の樹脂
層のみの切断加工、樹脂層とその上あるいは下にある導
電層の一括切断加工を可能にしたことを特徴とする。
断面でのエネルギー密度を制御する制御部２０を備える
ことにより、ＦＰＣ１６の樹脂層、特に導電層上の樹脂
層のみの切断加工、樹脂層とその上あるいは下にある導
電層の一括切断加工を可能にしたことを特徴とする。
【００１６】なお、ＦＰＣは、一般に、厚さ３０〜６０
μｍのポリイミドによる絶縁樹脂層と、厚さ１８μｍの
銅箔による導電層としてのランドあるいはパターン（以
下、ランドと呼ぶ）とから構成されている。絶縁樹脂層
とランドとの間に接着剤を使用する場合もある。
μｍのポリイミドによる絶縁樹脂層と、厚さ１８μｍの
銅箔による導電層としてのランドあるいはパターン（以
下、ランドと呼ぶ）とから構成されている。絶縁樹脂層
とランドとの間に接着剤を使用する場合もある。
【００１７】本形態による切断装置の場合、上記のよう
なＦＰＣを前提として、ＦＰＣ１６の切断面でのエネル
ギー密度を、１０（Ｊ／ｃｍ2 ）程度に設定すると絶縁
樹脂層とランドの一括切断（以下、第１の切断モードと
呼ぶ）が可能であり、１（Ｊ／ｃｍ2 ）以下にすると絶
縁樹脂層のみの切断（以下、第２の切断モードと呼ぶ）
が可能であることが確認されている。
なＦＰＣを前提として、ＦＰＣ１６の切断面でのエネル
ギー密度を、１０（Ｊ／ｃｍ2 ）程度に設定すると絶縁
樹脂層とランドの一括切断（以下、第１の切断モードと
呼ぶ）が可能であり、１（Ｊ／ｃｍ2 ）以下にすると絶
縁樹脂層のみの切断（以下、第２の切断モードと呼ぶ）
が可能であることが確認されている。
【００１８】このために、本形態による切断装置におい
ては、レーザ発振装置１０として、ＹＡＧあるいはＹＬ
Ｆ固体レーザ発振器を含んで波長３５１〜３５５（ｎ
ｍ）の第３高調波を出力するものを使用する。具体的に
は、ＹＡＧあるいはＹＬＦ固体レーザ発振器から出力さ
れたパルス状のレーザ光を、周知のＫＴＰ、ＬＢＯ、Ｂ
ＢＯ等による波長変換素子を通すことにより、所望の次
数の高調波を抽出することができる。そして、上記の第
１の切断モードの場合、レーザパルス周波数は１〜３
（ｋＨｚ）とすることで切断速度１００〜７００（ｍｍ
／分）が実現され、第２の切断モードの場合、レーザパ
ルス周波数は５〜１０（ｋＨｚ）とすることで切断速度
５００（ｍｍ／分）が実現される。いずれのモードにお
いてもＦＰＣ１６に照射されるレーザ光のスポットサイ
ズは、直径５０〜８０（μｍ）である。なお、第３高調
波の代わりに、波長２４８（ｎｍ）の第４高調波を使用
することもできる。
ては、レーザ発振装置１０として、ＹＡＧあるいはＹＬ
Ｆ固体レーザ発振器を含んで波長３５１〜３５５（ｎ
ｍ）の第３高調波を出力するものを使用する。具体的に
は、ＹＡＧあるいはＹＬＦ固体レーザ発振器から出力さ
れたパルス状のレーザ光を、周知のＫＴＰ、ＬＢＯ、Ｂ
ＢＯ等による波長変換素子を通すことにより、所望の次
数の高調波を抽出することができる。そして、上記の第
１の切断モードの場合、レーザパルス周波数は１〜３
（ｋＨｚ）とすることで切断速度１００〜７００（ｍｍ
／分）が実現され、第２の切断モードの場合、レーザパ
ルス周波数は５〜１０（ｋＨｚ）とすることで切断速度
５００（ｍｍ／分）が実現される。いずれのモードにお
いてもＦＰＣ１６に照射されるレーザ光のスポットサイ
ズは、直径５０〜８０（μｍ）である。なお、第３高調
波の代わりに、波長２４８（ｎｍ）の第４高調波を使用
することもできる。
【００１９】いずれにしても、レーザ発振装置１０から
の第３高調波レーザは３（Ｗ）の平均出力を持ち、制御
部２０により、固体レーザ発振器のパルス周波数を制御
することにより切断面でのエネルギー密度を制御するこ
とができる。パルス周波数の制御は、制御部２０から固
体レーザ発振器に与えられるトリガパルスにより行われ
る。
の第３高調波レーザは３（Ｗ）の平均出力を持ち、制御
部２０により、固体レーザ発振器のパルス周波数を制御
することにより切断面でのエネルギー密度を制御するこ
とができる。パルス周波数の制御は、制御部２０から固
体レーザ発振器に与えられるトリガパルスにより行われ
る。
【００２０】切断装置はまた、ＦＰＣ１６を搭載してＸ
軸方向及びＹ軸方向に移動させるためのＸ−Ｙステージ
１７を備えている。制御部２０は、切断パターンを規定
するために設定部２１からあらかじめ設定される切断デ
ータに基づいてＸ−Ｙステージ１７を制御することによ
りＦＰＣ１６に対して切断パターン通りの切断加工が行
われる。すなわち、本形態では、レーザ光を振らせて切
断を行うのではなく、レーザ光は固定とし、Ｘ−Ｙステ
ージ１７を移動させることで切断パターンに従った切断
加工を行う。切断装置は更に、レーザ光のフォーカス調
整のためにＸ−Ｙステージ１７をＺ軸方向に移動させる
ためのＺステージ１８を備えており、このＺステージ１
８も制御部２０により制御される。
軸方向及びＹ軸方向に移動させるためのＸ−Ｙステージ
１７を備えている。制御部２０は、切断パターンを規定
するために設定部２１からあらかじめ設定される切断デ
ータに基づいてＸ−Ｙステージ１７を制御することによ
りＦＰＣ１６に対して切断パターン通りの切断加工が行
われる。すなわち、本形態では、レーザ光を振らせて切
断を行うのではなく、レーザ光は固定とし、Ｘ−Ｙステ
ージ１７を移動させることで切断パターンに従った切断
加工を行う。切断装置は更に、レーザ光のフォーカス調
整のためにＸ−Ｙステージ１７をＺ軸方向に移動させる
ためのＺステージ１８を備えており、このＺステージ１
８も制御部２０により制御される。
【００２１】Ｘ−Ｙステージ１７は、ＦＰＣ１６を均一
にチャッキングするための焼結式真空プレートチャッキ
ング機構１９を備えている。この種のプレートチャッキ
ング機構は公知であり、簡単に言えば、ＦＰＣ１６を載
置している板の全面に微小な穴が均一に設けられ、これ
らの穴を通してバキューム吸引を行うことによりＦＰＣ
１６の撓みを防止する。これは、ＦＰＣ１６は、最大５
００（ｍｍ）×４００（ｍｍ）程度のサイズを有し、撓
み易い。そして、ＦＰＣ１６が撓んでいると、集光レン
ズ１５からのレーザ光の焦点深度がずれてしまい、良好
な切断が行われない場合があるからである。なお、上記
のようなサイズのＦＰＣの場合、通常、ＦＰＣは母板と
して使用され、この母板に複数の加工領域が設定され
て、加工領域毎に同じ切断加工が行われる。
にチャッキングするための焼結式真空プレートチャッキ
ング機構１９を備えている。この種のプレートチャッキ
ング機構は公知であり、簡単に言えば、ＦＰＣ１６を載
置している板の全面に微小な穴が均一に設けられ、これ
らの穴を通してバキューム吸引を行うことによりＦＰＣ
１６の撓みを防止する。これは、ＦＰＣ１６は、最大５
００（ｍｍ）×４００（ｍｍ）程度のサイズを有し、撓
み易い。そして、ＦＰＣ１６が撓んでいると、集光レン
ズ１５からのレーザ光の焦点深度がずれてしまい、良好
な切断が行われない場合があるからである。なお、上記
のようなサイズのＦＰＣの場合、通常、ＦＰＣは母板と
して使用され、この母板に複数の加工領域が設定され
て、加工領域毎に同じ切断加工が行われる。
【００２２】図２をも参照して、折り返しミラー１２に
は、レーザ光をマスク１３に導くための第１の角度位置
（図中、実線で示す）と、第１の角度位置とは異なる第
２の角度位置（図中、破線で示す）のいずれかに折り返
しミラー１２を置くように切換えを行うための切換え機
構（図示せず）が設けられる。そして、折り返しミラー
１２が第２の角度位置にある時に反射されたレーザ光を
受けてそのエネルギーを消費するビームダンパ２２が更
に設けられる。制御部２０は、この切換え機構を制御し
て、ある切断加工から次の切断加工に移る間は折り返し
ミラー１２を第２の角度位置に置くようにする。これ
は、いわばレーザ光の捨て打ちであり、このようにする
のは、次の理由による。レーザ光は、前に述べたパルス
周波数で連続的に発生されており、ある切断加工から次
の切断加工に移る間（通常、１秒未満）は、レーザ光が
ＦＰＣ１６に照射されることは避けなければならない。
は、レーザ光をマスク１３に導くための第１の角度位置
（図中、実線で示す）と、第１の角度位置とは異なる第
２の角度位置（図中、破線で示す）のいずれかに折り返
しミラー１２を置くように切換えを行うための切換え機
構（図示せず）が設けられる。そして、折り返しミラー
１２が第２の角度位置にある時に反射されたレーザ光を
受けてそのエネルギーを消費するビームダンパ２２が更
に設けられる。制御部２０は、この切換え機構を制御し
て、ある切断加工から次の切断加工に移る間は折り返し
ミラー１２を第２の角度位置に置くようにする。これ
は、いわばレーザ光の捨て打ちであり、このようにする
のは、次の理由による。レーザ光は、前に述べたパルス
周波数で連続的に発生されており、ある切断加工から次
の切断加工に移る間（通常、１秒未満）は、レーザ光が
ＦＰＣ１６に照射されることは避けなければならない。
【００２３】一方、ＦＰＣ１６の交換に際しては約３０
秒程度の時間を必要とする。この場合には、レーザ発振
装置１０は一旦動作が停止される。しかし、レーザ発振
装置１０は、その動作を停止してしまうと、次の切断加
工のために起動した際に、ドラフト等の原因により、得
られたレーザ光のエネルギー密度にばらつきが生じるこ
とがある。これはまた、最初の切断加工を開始する際に
も当てはまる。これを防止するために、レーザ光を実際
に加工に使用する約１０秒程度前にレーザ発振装置１０
を起動して暖気運転を行うようにし、レーザ光をエネル
ギー密度にばらつきの無い状態で使用できるようにして
いる。
秒程度の時間を必要とする。この場合には、レーザ発振
装置１０は一旦動作が停止される。しかし、レーザ発振
装置１０は、その動作を停止してしまうと、次の切断加
工のために起動した際に、ドラフト等の原因により、得
られたレーザ光のエネルギー密度にばらつきが生じるこ
とがある。これはまた、最初の切断加工を開始する際に
も当てはまる。これを防止するために、レーザ光を実際
に加工に使用する約１０秒程度前にレーザ発振装置１０
を起動して暖気運転を行うようにし、レーザ光をエネル
ギー密度にばらつきの無い状態で使用できるようにして
いる。
【００２４】なお、上記の折り返しミラー１２と切換え
機構は、周知のガルバノミラーにより実現することがで
きる。
機構は、周知のガルバノミラーにより実現することがで
きる。
【００２５】ところで、設定部２１はキーボードのよう
なデータ入力装置であり、切断加工に入る前に切断パタ
ーンを規定する切断データが入力される。このような切
断データは、切断パターンを切断位置により表すための
データであり、ガーバデータと呼ばれている。制御部２
０は、このようなガーバデータをＸ−Ｙステージ１７に
おける位置データに変換してＸ−Ｙステージ１７の位置
制御を行う。一方、Ｘ−Ｙステージ１７及びＺステージ
１８にはそれぞれ、その現在位置を検出するための位置
センサ（図示せず）が設けられている。制御部２０は、
これらの位置センサからの現在位置を示す位置検出信号
と、ガーバデータを変換して得られる位置データとによ
りＸ−Ｙステージ１７の位置をフィードバック制御する
ことになる。
なデータ入力装置であり、切断加工に入る前に切断パタ
ーンを規定する切断データが入力される。このような切
断データは、切断パターンを切断位置により表すための
データであり、ガーバデータと呼ばれている。制御部２
０は、このようなガーバデータをＸ−Ｙステージ１７に
おける位置データに変換してＸ−Ｙステージ１７の位置
制御を行う。一方、Ｘ−Ｙステージ１７及びＺステージ
１８にはそれぞれ、その現在位置を検出するための位置
センサ（図示せず）が設けられている。制御部２０は、
これらの位置センサからの現在位置を示す位置検出信号
と、ガーバデータを変換して得られる位置データとによ
りＸ−Ｙステージ１７の位置をフィードバック制御する
ことになる。
【００２６】更に、本形態では、集光レンズ１５の上方
に、撮像装置及びディスプレイを含む画像処理装置３０
を備えている。このために、折り返しミラー１４は、レ
ーザ光の進路を９０度変える反射ミラーとしての機能だ
けではなく、ＦＰＣ１６における加工領域からの光を透
過する機能をも有している。その結果、画像処理装置３
０をＦＰＣ１６の位置決めに使用することができる。す
なわち、ＦＰＣ１６の加工領域にアライメントマークを
付しておき、画像処理装置３０でこのアライメントマー
クを検出する。そして、アライメントマークが所定の位
置からずれている場合には、ずれ量を示す信号を制御部
２０に送ることにより、制御部２０はこのずれ量を補正
するようにＸ−Ｙステージ１７の位置を制御する。な
お、所定位置は次のようにして設定される。画像処理装
置３０内の撮像装置の位置は、一旦位置決めされると固
定されるので、本切断装置の立ち上げに際して、ディス
プレイで表示されたＸ−Ｙテーブル１７上の画像に対し
て基準位置を設定することで、決めることができる。こ
の位置はディスプレイ上のカーソルにより設定部２１か
ら指定することにより、制御部２０を通して画像処理装
置３０に与えられる。
に、撮像装置及びディスプレイを含む画像処理装置３０
を備えている。このために、折り返しミラー１４は、レ
ーザ光の進路を９０度変える反射ミラーとしての機能だ
けではなく、ＦＰＣ１６における加工領域からの光を透
過する機能をも有している。その結果、画像処理装置３
０をＦＰＣ１６の位置決めに使用することができる。す
なわち、ＦＰＣ１６の加工領域にアライメントマークを
付しておき、画像処理装置３０でこのアライメントマー
クを検出する。そして、アライメントマークが所定の位
置からずれている場合には、ずれ量を示す信号を制御部
２０に送ることにより、制御部２０はこのずれ量を補正
するようにＸ−Ｙステージ１７の位置を制御する。な
お、所定位置は次のようにして設定される。画像処理装
置３０内の撮像装置の位置は、一旦位置決めされると固
定されるので、本切断装置の立ち上げに際して、ディス
プレイで表示されたＸ−Ｙテーブル１７上の画像に対し
て基準位置を設定することで、決めることができる。こ
の位置はディスプレイ上のカーソルにより設定部２１か
ら指定することにより、制御部２０を通して画像処理装
置３０に与えられる。
【００２７】また、制御部２０においてガーバデータを
変換して得られた位置データを画像処理装置３０に出力
することにより、画像処理装置３０を切断すべき位置の
認識のために使用することもできる。更に、ディスプレ
イにより、加工領域の加工状態をモニタ画像として見る
ことができる。
変換して得られた位置データを画像処理装置３０に出力
することにより、画像処理装置３０を切断すべき位置の
認識のために使用することもできる。更に、ディスプレ
イにより、加工領域の加工状態をモニタ画像として見る
ことができる。
【００２８】なお、上記の形態では、切断面でのエネル
ギー密度の制御を、固体レーザ発振器におけるパルス周
波数の制御により行うようにしているが、制御部２０に
より、Ｘ−Ｙステージ１７における移動速度を制御する
ことにより実現することもできる。これは、単位面積当
たりのレーザ光の照射量、具体的にはパルス状のレーザ
光のパルス個数が制御されることを意味する。
ギー密度の制御を、固体レーザ発振器におけるパルス周
波数の制御により行うようにしているが、制御部２０に
より、Ｘ−Ｙステージ１７における移動速度を制御する
ことにより実現することもできる。これは、単位面積当
たりのレーザ光の照射量、具体的にはパルス状のレーザ
光のパルス個数が制御されることを意味する。
【００２９】また、切断パターンを、Ｘ−Ｙステージ１
７の移動により描くようにしているが、集光レンズ１５
の上方に、２軸スキャナを配置することでレーザ光を振
らせて切断パターンを描くこともできる。この場合、Ｘ
−Ｙステージ１７はＦＰＣ１６の加工領域を移動させる
ために利用される。なお、２軸スキャナというのは、周
知のように、レーザ光をＸ−Ｙステージ１７上でＸ軸方
向に振らせるためのガルバノスキャナと、そこからのレ
ーザ光をＸ−Ｙステージ１７上でＹ軸方向に振らせるた
めのガルバノスキャナとを組合せたものである。２軸ス
キャナを配置した場合には、一方のガルバノスキャナに
隣接させて図２で述べたビームダンパを配置すること
で、折り返しミラー１２とその切換え機構の機能を持た
せることができる。
７の移動により描くようにしているが、集光レンズ１５
の上方に、２軸スキャナを配置することでレーザ光を振
らせて切断パターンを描くこともできる。この場合、Ｘ
−Ｙステージ１７はＦＰＣ１６の加工領域を移動させる
ために利用される。なお、２軸スキャナというのは、周
知のように、レーザ光をＸ−Ｙステージ１７上でＸ軸方
向に振らせるためのガルバノスキャナと、そこからのレ
ーザ光をＸ−Ｙステージ１７上でＹ軸方向に振らせるた
めのガルバノスキャナとを組合せたものである。２軸ス
キャナを配置した場合には、一方のガルバノスキャナに
隣接させて図２で述べたビームダンパを配置すること
で、折り返しミラー１２とその切換え機構の機能を持た
せることができる。
【００３０】以上、本発明の実施の形態を、ポイミミド
によるＦＰＣに適用する場合について説明したが、本発
明はエポキシ系やガラスエポキシ系の絶縁樹脂を用いた
一般のプリント配線基板にも適用できることは言うまで
も無い。
によるＦＰＣに適用する場合について説明したが、本発
明はエポキシ系やガラスエポキシ系の絶縁樹脂を用いた
一般のプリント配線基板にも適用できることは言うまで
も無い。
【００３１】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、切断面でのエネルギー密度を制御できるようにした
ことにより、絶縁樹脂層のみの切断、絶縁樹脂層と導電
層の一括切断を任意に行うことができる。また、切断幅
は０．１（ｍｍ）以下が可能となり、バリの少ない切断
面とすることができる。更に、従来のルータ工法による
切断加工では、１００（ｍｍ／分）程度が限度であった
のに対し、本発明ではこれを上回る切断速度を実現する
ことができる。
ば、切断面でのエネルギー密度を制御できるようにした
ことにより、絶縁樹脂層のみの切断、絶縁樹脂層と導電
層の一括切断を任意に行うことができる。また、切断幅
は０．１（ｍｍ）以下が可能となり、バリの少ない切断
面とすることができる。更に、従来のルータ工法による
切断加工では、１００（ｍｍ／分）程度が限度であった
のに対し、本発明ではこれを上回る切断速度を実現する
ことができる。
【図１】本発明による切断装置の実施の形態の概略構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１に示された折り返しミラーに設けられる角
度位置切換え機構を説明するための図である。
度位置切換え機構を説明するための図である。
１０ レーザ発振装置 １１、１２、１４ 折り返しミラー １３ マスク １５ 集光レンズ １６ ＦＰＣ １７ Ｘ−Ｙステージ １８ Ｚステージ １９ 焼結式真空プレートチャッキング機構 ２２ ビームダンパ
Claims (8)
- 【請求項１】 パルス発振型レーザ発振装置からのパル
ス状のレーザ光をプリント配線基板に照射して切断を行
う切断装置であって、切断面でのエネルギー密度を制御
する制御部を備えることにより、前記プリント配線基板
の樹脂層のみの切断加工、前記樹脂層と導電層の一括切
断加工を可能にしたことを特徴とするレーザによるプリ
ント配線基板の切断装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の切断装置において、前記
パルス発振型レーザ発振装置は、ＹＡＧあるいはＹＬＦ
固体レーザ発振器を含んでその第３高調波あるいは第４
高調波を出力するものであることを特徴とするレーザに
よるプリント配線基板の切断装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の切断装置において、前記
制御部は、前記固体レーザ発振器のパルス周波数を制御
することにより前記切断面でのエネルギー密度を制御す
ることを特徴とするレーザによるプリント配線基板の切
断装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の切断装置において、前記
プリント配線基板を搭載してＸ軸方向及びＹ軸方向に移
動させるためのＸ−Ｙステージを備え、前記制御部は、
切断パターンを規定するためにあらかじめ設定される切
断データに基づいて前記Ｘ−Ｙステージを制御して前記
切断パターンの切断加工を行うことを特徴とするレーザ
によるプリント配線基板の切断装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の切断装置において、前記
Ｘ−Ｙステージは、前記プリント配線基板を均一にチャ
ッキングするための焼結式真空プレートチャッキング機
構を備えることを特徴とするレーザによるプリント配線
基板の切断装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の切断装置において、前記
レーザ光は、少なくとも１つの折り返しミラーを経由
し、前記折り返しミラーには、第１の角度位置と、前記
第１の角度位置とは異なる第２の角度位置に前記折り返
しミラーを置くように切換えを行うための切換え機構を
設け、前記折り返しミラーが前記第２の角度位置にある
時に反射されたレーザ光を受けてそのエネルギーを消費
するビームダンパを更に設け、前記制御部は、前記切換
え機構を制御して前記折り返しミラーを前記第２の角度
位置に置くことを特徴とするレーザによるプリント配線
基板の切断装置。 - 【請求項７】 請求項２記載の切断装置において、前記
制御部は、前記Ｘ−Ｙステージにおける移動速度を制御
することにより前記切断面でのエネルギー密度を制御す
ることを特徴とするレーザによるプリント配線基板の切
断装置。 - 【請求項８】 パルス発振型レーザ発振装置からのパル
ス状のレーザ光をプリント配線基板に照射して切断を行
う切断方法であって、切断面でのエネルギー密度を制御
して、前記プリント配線基板の樹脂層のみの切断加工、
前記樹脂層と導電層の一括切断加工を可能にしたことを
特徴とするレーザによるプリント配線基板の切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14317698A JP3378981B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レーザによるプリント配線基板の切断装置及び切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14317698A JP3378981B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レーザによるプリント配線基板の切断装置及び切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333579A true JPH11333579A (ja) | 1999-12-07 |
| JP3378981B2 JP3378981B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=15332682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14317698A Expired - Fee Related JP3378981B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レーザによるプリント配線基板の切断装置及び切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3378981B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308492A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 炭酸ガスレーザーによる銅張板への孔形成方法 |
| WO2004052061A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Sony Chemicals Corp. | フレキシブル配線回路基板の製造方法 |
| KR101488783B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2015-02-06 | 파스텍(주) | 레이저 패터닝 장치 |
| CN112157353A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-01 | 安徽中科春谷激光产业技术研究院有限公司 | 一种uv激光切割fpc覆盖膜工艺 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14317698A patent/JP3378981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308492A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 炭酸ガスレーザーによる銅張板への孔形成方法 |
| WO2004052061A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Sony Chemicals Corp. | フレキシブル配線回路基板の製造方法 |
| KR101488783B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2015-02-06 | 파스텍(주) | 레이저 패터닝 장치 |
| CN112157353A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-01 | 安徽中科春谷激光产业技术研究院有限公司 | 一种uv激光切割fpc覆盖膜工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3378981B2 (ja) | 2003-02-17 |
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