JPH11330900A - タップ付遅延線装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＤＴや符号化電極の電極指を保護するとと
もに、タップ付遅延線装置内でのタップ付遅延線ごとの
中心周波数のバラツキを低減することができるタップ付
遅延線装置を提供する 【解決手段】 圧電基板２ａ、２ｂ上に、ＩＤＴ３ａ、
３ｂを形成し、ＩＤＴ３ａ、３ｂから間隔を隔てて、複
数のタップ４ａ、４ｂから構成される符号化電極５５
ａ、５ｂとを形成し、タップ電極４ａ間、４ｂ間のうち
少なくとも一つのタップ電極４ａ間、４ｂ間に露出部８
ａ、８ｂが形成されるように絶縁性保護膜７ａ、７ｂで
被覆する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコリレータ
やマッチドフィルタとして用いられるタップ付遅延線装
置に関し、特にスペクトル拡散通信のダイレクトシーケ
ンス方式の１種であるＣＳＫ（Ｃｏｄｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋ
ｅｙｉｎｇ）方式に用いられるタップ付遅延線装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えばスペクトル拡散通信の
受信機の復調部において、弾性表面波を利用したタップ
付遅延線装置がコリレータあるいはマッチドフィルタと
して用いられている。特にデジタルベースバンド信号の
極性に応じて、２種類の異なる符号を切り替えて変調す
るＣＳＫ方式では、２種類の符号を必要とするため、符
号の異なる２種類のタップ付遅延線を有するタップ付遅
延線装置を用いている。

【０００３】このようなタップ付遅延線装置２１として
図５に示すものが知られている。図５に示すように、タ
ップ付遅延線装置２１は、２個のタップ付遅延線２１
ａ、２１ｂが平行に並べて配置されて構成されている。

【０００４】タップ付遅延線２１ａは、圧電基板２２ａ
上にＩＤＴ２３ａ及び符号化電極２５ａが形成されて構
成されている。

【０００５】同様にタップ付遅延線２１ｂは、圧電基板
２２ｂ上にＩＤＴ２３ｂ及び符号化電極２５ｂが形成さ
れて構成されている。

【０００６】ＩＤＴ２３ａ、２３ｂは、その電極指がす
べて一定幅に交叉するように設定された正規形のパター
ンを有している。また、ＩＤＴ２３ａ、２３ｂは図示し
ない入力端子にそれぞれ接続される。

【０００７】符号化電極２５ａ、２５ｂは、一対の交叉
する電極指からなるタップ２４ａ、２４ｂから構成され
ている。このタップ２４ａ、２４ｂは電極指の交叉の向
きにより符号化されている。

【０００８】例えば、タップ付遅延線２１ａの正規形の
ＩＤＴ２３ａ側から数えて一番目のタップ２４ａはその
電極指の交叉の向きは「１」、正規形のＩＤＴ２３ａ側
から数えて二番目のタップ２４ａはその電極指の交叉の
向きが「０」となっている。

【０００９】また、タップ付遅延線２１ｂの正規形のＩ
ＤＴ２３ｂ側から数えて一番目のタップ２４ｂはその電
極指の交叉の向きは「０」、正規形のＩＤＴ２３ｂ側か
ら数えて二番目のタップ２４ｂはその電極指の交叉の向
きが「１」となっている。

【００１０】このように符号化電極２５ａのタップ２４
ａの交叉の向きの配列と、符号化電極２５ｂのタップ２
４ｂの交叉の向きの配列とを異ならせて、符号化電極２
５ａの符号と符号化電極２５ｂの符号を異ならせてい
る。なお、符号化電極２５ａ、２５ｂは図示しない出力
端子にそれぞれ接続される。

【００１１】また、圧電基板２２ａ、２２ｂの両端には
ダンピング材１６ａ、１６ｂが形成されている。これ
は、圧電基板２２ａ、２２ｂの両端で表面波が反射して
タップ付遅延線装置の特性を乱さないように、表面波を
吸収するためのものである。

【００１２】さらに、圧電基板２２ａ、２２ｂの表面全
体にはそれぞれ絶縁性保護膜２７ａ、２７ｂが形成され
ている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
タップ付遅延線装置では、製造工程の際に圧電基板表面
に金属粉が付着してＩＤＴや符号化電極を短絡させるこ
とを防ぐために、上述したように絶縁性保護膜が形成さ
れていた。

【００１４】そして、絶縁性保護膜を形成した後に、そ
れぞれのタップ付遅延線の中心周波数の測定を行ってい
たが、この測定においてそれぞれのタップ付遅延線の中
心周波数が大きくばらつくことにより、タップ付遅延線
装置内のタップ付遅延線同士の中心周波数の差が大きく
なることがあった。

【００１５】すなわち、ＣＳＫ方式には、ほぼ同じ周波
数の２種類のタップ付遅延線装置を必要とするが、この
２種類のタップ付遅延線装置の各々の周波数が大きく異
なってしまうと、ＣＳＫ方式に用いることができなくな
ってしまうという問題が生じていた。

【００１６】このタップ付遅延線ごとの中心周波数のバ
ラツキの原因を調べるために、各製造条件を振って中心
周波数の測定したところ、絶縁性保護膜の膜厚が厚くな
ればなるほど、このバラツキが大きくなる傾向があっ
た。したがって、絶縁性保護膜の厚みがタップ付遅延線
装置の製品ごとに中心周波数のバラつく原因の一つで有
ることが判明した。

【００１７】そこで、本発明は、ＩＤＴや符号化電極の
電極指を保護するとともに、タップ付遅延線装置内での
タップ付遅延線ごとの中心周波数のバラツキを低減する
ことができるタップ付遅延線装置を提供することを目的
とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】そこで、請求項１に係る
発明では、複数の圧電基板と、前記複数の圧電基板のそ
れぞれに形成されるＩＤＴと、前記複数の圧電基板のそ
れぞれに前記ＩＤＴと間隔を隔てて形成され複数のタッ
プから構成される符号化電極と、前記ＩＤＴと前記符号
化電極により構成されるタップ付遅延線と、前記符号化
電極を構成するタップ間のうち少なくとも一つのタップ
間の少なくとも一部を除いて前記符号化電極上にそれぞ
れ形成される絶縁性保護膜とを有している。

【００１９】これにより、製品ごとの中心周波数のバラ
ツキを低減することができる。

【００２０】また、請求項２に係る発明では、圧電基板
と、前記圧電基板上に形成される複数のＩＤＴと、前記
圧電基板上に前記複数のＩＤＴと間隔を隔てて形成され
複数のタップから構成される複数の符号化電極と、前記
複数のＩＤＴと複数の符号化電極により構成される複数
のタップ付遅延線と、前記符号化電極を構成するタップ
間のうち少なくとも一つのタップ間の少なくとも一部を
除いて前記圧電基板上及び前記符号化電極上に形成され
る絶縁性保護膜とを有している。

【００２１】これにより、同一基板上に複数のフィルタ
を構成することができる。

【００２２】さらに、請求項３に係る発明では、圧電基
板を用意する工程と、圧電基板上に金属層を形成しエッ
チングして複数の正規形のＩＤＴ及び複数のタップから
なる複数の符号化電極を形成する工程と、前記複数の符
号化電極を含む圧電基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記タップ間のうち少なくとも一つの少なくとも一部の
タップ間の前記絶縁層をエッチングして除去する工程と
を有している。

【００２３】これにより、製品ごとに中心周波数のバラ
ツキの小さいタップ付遅延線装置を得ることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を説明する。図１に示すように、タップ付遅延線装置１
は、２個のタップ付遅延線１ａ、１ｂが平行に並べて配
置されて構成されている。

【００２５】タップ付遅延線１ａは、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、水晶等の圧電基板２ａ上に、
アルミニウム等の金属を蒸着してＩＤＴ３ａ及び符号化
電極５ａが形成されて構成されている。

【００２６】同様にタップ付遅延線１ｂは、水晶等の圧
電基板２ｂ上に、アルミニウム等の金属を蒸着してＩＤ
Ｔ３ｂ及び符号化電極５ｂが形成されて構成されてい
る。

【００２７】ＩＤＴ３ａ、３ｂは互いに間挿し合う電極
指を有する一対の電極により構成されている。ＩＤＴ３
ａ、３ｂの電極指の交叉幅はすべて一定に設定されてお
り、正規形のパターンに形成されている。また、ＩＤＴ
３ａ、３ｂは図示しない入力端子に接続される。

【００２８】符号化電極５ａ、５ｂは、互いに間挿し合
う電極指を有する一対の電極により構成されている。ま
た、符号化電極５ａ、５ｂは一対の交叉する電極指から
なるタップ４ａ、４ｂから構成されている。このタップ
４ａ、４ｂは電極指の交叉の向きにより符号化されてい
る。

【００２９】例えば、正規形のＩＤＴ３ａ側から数えて
一番目のタップ４ａはその電極指の交叉の向きは
「１」、正規形のＩＤＴ３ａ側から数えて二番目のタッ
プ４ａはその電極指の交叉の向きが「０」となってい
る。

【００３０】また、タップ付遅延線１ｂの正規形のＩＤ
Ｔ３ｂ側から数えて一番目のタップ４ｂはその電極指の
交叉の向きは「０」、正規形のＩＤＴ３ｂ側から数えて
二番目のタップ４ｂはその電極指の交叉の向きが「１」
となっている。なお、符号化電極５ａ、５ｂは図示しな
い出力端子にそれぞれ接続される。

【００３１】さらに、圧電基板２ａの一端とＩＤＴ３ａ
との間及び圧電基板２ａの他端と符号化電極５ａとの間
にはダンピング材６ａ、６ａが形成されている。また、
圧電基板２ｂの一端とＩＤＴ３ｂとの間及び圧電基板２
ｂの他端と符号化電極５ｂとの間にはダンピング材６
ｂ、６ｂが形成されている。これは、圧電基板２ａ、２
ｂの両端で表面波が反射してそれぞれのタップ付遅延線
の特性を乱さないように、表面波を吸収するためのもの
である。

【００３２】圧電基板２ａ、２ｂ表面全体にはＩＤＴ３
ａ、３ｂや符号化電極５ａ、５ｂの電極指を保護するた
めの酸化シリコン等の絶縁性保護膜７ａ、７ｂが形成さ
れており、タップ４ａ同士の間及びタップ４ｂ同士の間
には露出部８ａ、８ｂが形成されている。

【００３３】このようなタップ付遅延線装置の製造工程
の一例を以下に説明するまず、水晶等の所定の圧電特性
を有する圧電母基板を用意する。次に、圧電母基板の一
方主面に蒸着等の手法でアルミニウム等の金属膜を形成
する。そして、複数のＩＤＴ３ａ及び複数の符号化電極
５ａがほぼ平行に配列されるようにエッチングする。さ
らに、圧電母基板の一方主面側全面に酸化シリコン等の
絶縁体をスパッタリングにより付着させて絶縁性保護膜
７ａを形成する。そして、符号化電極５ａを構成するタ
ップ４ａ同士の間の絶縁性保護膜７ａのみをフォトリソ
エッチングによって除去し、露出部８ａを形成する。ま
た、圧電母基板の一方主面側において、ＩＤＴ３ａの隣
及び符号化電極５ａの隣にダンピング材６ａを形成す
る。最後に一組のＩＤＴ３ａ及び符号化電極５ａ毎に切
断してタップ付遅延線１ａを得る。

【００３４】以上のような工程により、図１のタップ付
遅延線１ａと同じものを形成することができる。また、
タップ付遅延線１ｂも同様の工程により形成される。

【００３５】このように、タップ４ａ間に絶縁性保護膜
７ａを除去した部分及びタップ４ｂ間に絶縁性保護膜７
ｂを除去した部分を形成することによって、タップ付遅
延線装置１の２種類のタップ付遅延線１ａ、１ｂの中心
周波数の差にバラツキが生じることを抑えることができ
る。

【００３６】なお、本実施の形態における図１のタップ
付遅延線１ａ、１ｂではタップ４ａ、４ｂの交叉幅とほ
ぼ同寸法の部分を除去しているが、これに限るものでは
なく、例えば符号化電極５ａ、５ｂの電極指が共通に接
続されている電極が露出する程度の大きさに設定されて
もよい。要は符号化電極５ａ、５ｂを構成する電極指が
絶縁性保護膜７ａ、７ｂに被覆されていればよい。

【００３７】また、本実施の形態における製造方法で
は、絶縁性保護膜７ａ、７ｂを除去することにより露出
部８ａ、８ｂを形成したがこれに限るものではなく、例
えば、露出部８ａ、８ｂを除いて絶縁性保護膜７ａ、７
ｂを形成してもよい。この場合、絶縁性保護膜７ａ、７
ｂを形成して除去し露出部８ａ、８ｂを形成するという
二工程を一工程にすることができる。

【００３８】さらに、本実施の形態では、ＩＤＴ３ａ、
３ｂを正規形にして説明しているがこれに限るものでは
なく、例えば交叉幅を変えた重み付けを行ってもよい。
また、符号化電極も重み付けを行っても、本願発明の効
果を奏することができる。

【００３９】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。図２に示すように、タップ付遅延線装置１１は、同
一の圧電基板１２上にタップ付遅延線１１ａ、１１ｂが
平行に並べて配置されて構成されている点で第１の実施
の形態と異なる。

【００４０】すなわち、タップ付遅延線１１ａのＩＤＴ
１３ａ及びタップ４ａからなる符号化電極１５ａとタッ
プ付遅延線１１ｂのＩＤＴ１３ｂ及びタップ４ｂからな
る符号化電極１５ｂは、圧電基板１２上に形成されてい
る。

【００４１】圧電基板１２の表面全体にはＩＤＴ１３
ａ、１３ｂや符号化電極１５ａ、１５ｂの電極指を保護
するための酸化シリコン等の絶縁性保護膜１７が形成さ
れており、タップ１４ａ同士の間及びタップ１４ｂ同士
の間には露出部１８ａ、１８ｂが形成されている。

【００４２】さらに、ＩＤＴ１３ａの隣及び符号化電極
１５ａの隣にはダンピング材１６ａ、１６ａが形成され
ており、ＩＤＴ１３ｂの隣及び符号化電極１５ｂの隣に
はダンピング材１６ｂ、１６ｂが形成されている。ま
た、タップ付遅延線１１ａ、１１ｂ間にはダンピング材
１６ｃが形成されている。

【００４３】このように同一圧電基板上に複数のタップ
付遅延線を形成することにより、第１の実施形態のよう
に別個のタップ付遅延線を平行に配置する構成に比べ
て、同一圧電基板であるため、複数のタップ付遅延線の
特性をほぼ同じ特性にすることができ、さらに複数のタ
ップ付遅延線間の中心周波数の差にバラツキが生じるこ
とを低減することができる。

【００４４】さらに、第１の実施形態で説明した製造方
法の圧電母基板切断工程において隣接する２個のタップ
付遅延線を一組にして切断すれば、本実施の形態のタッ
プ付遅延線装置を得ることができる。

【００４５】次に、本発明の構成によって複数のタップ
付遅延線間の中心周波数の差にバラツキが生じることを
低減できることを、具体的な実施例に基づき図３、図４
を用いて説明する。

【００４６】ここでは、タップ付遅延線装置として、圧
電基板１２に６×１７ｍｍの寸法の水晶を用い、符化電
極１５ａ、１５ｂをアルミニウムでそれぞれ異なる１５
チップ系列に作製し、酸化シリコンからなる厚み８００
Åの絶縁性保護膜１７を形成したものの相互の中心周波
数の差をそれぞれ測定した。

【００４７】図３は、絶縁性保護膜１７に７２０×１８
５０μｍの寸法の露出部１８ａ、１８ｂをタップ１４
ａ、１４ｂ間毎に形成したタップ付遅延線装置１１を１
４０個作製し、２種類のタップ付遅延線の相互の中心周
波数差をそれぞれ測定した結果を示したものである。

【００４８】また、図４は、絶縁性保護膜１７に露出部
１８ａ、１８ｂを形成しないタップ付遅延線を１０９個
作製し、２種類のタップ付遅延線の相互の中心周波数差
をそれぞれ測定した結果を示したものである。

【００４９】なお、図３と図４で個数が異なるのは相互
の中心周波数差を測定することが可能な個数が異なって
いたためである。また、図３、図４の横軸のスケールは
設計中心周波数差からどの程度ずれているかを示してい
る。

【００５０】図３と図４から明らかなように、両者を比
較すると露出部８ａを形成した方が中心周波数のバラツ
キが低減されることがわかる。

【００５１】

【発明の効果】以上のように、本発明ではタップ同士の
間を除いて絶縁性保護膜を形成しているので、絶縁性保
護膜を形成することによる製品ごとの中心周波数のバラ
ツキを抑えることができる。したがって、絶縁性保護膜
を形成してもタップ付遅延線装置内のタップ付遅延線同
士の特性差を低減することができるので、良品率が下が
ることが無く、コストの上昇も抑えることができる。

【００５２】特に、請求項２に係るタップ付遅延線装置
では、同一圧電基板上に形成することにより、タップ付
遅延線装置内のタップ付遅延線同士の特性差をさらに低
減することができる。また、タップ付遅延線装置を回路
に組込む際には、１つの素子として扱うことができるの
で、取扱いが容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態にかかるタップ付遅延線装置の
平面図である。

【図２】第２の実施形態にかかるタップ付遅延線装置の
平面図である。

【図３】第１の実施形態にかかるタップ付遅延線の周波
数測定結果を示す図である。

【図４】タップ付遅延線の比較例の周波数測定結果を示
す図である。

【図５】従来のタップ付遅延線装置の平面図である。

【符号の説明】

１ タップ付遅延線装置 １ａ、１ｂ タップ付遅延線 ２ａ、２ｂ 圧電基板 ３ａ、３ｂ ＩＤＴ ４ａ、４ｂ タップ ５ａ、５ｂ 符号化電極 ６ａ、６ｂ ダンピング材 ７ａ、７ｂ 絶縁性保護膜 ８ａ、８ｂ 露出部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の圧電基板と、 前記複数の圧電基板のそれぞれに形成されるＩＤＴと、 前記複数の圧電基板のそれぞれに前記ＩＤＴと間隔を隔
   てて形成され複数のタップから構成される符号化電極
   と、 前記ＩＤＴと前記符号化電極により構成されるタップ付
   遅延線と、 前記符号化電極を構成するタップ間のうち少なくとも一
   つのタップ間の少なくとも一部を除いて前記符号化電極
   上にそれぞれ形成される絶縁性保護膜と、を有すること
   を特徴とするタップ付遅延線装置。
2. 【請求項２】圧電基板と、 前記圧電基板上に形成される複数のＩＤＴと、 前記圧電基板上に前記複数のＩＤＴと間隔を隔てて形成
   され複数のタップから構成される複数の符号化電極と、 前記複数のＩＤＴと複数の符号化電極により構成される
   複数のタップ付遅延線と、 前記符号化電極を構成するタップ間のうち少なくとも一
   つのタップ間の少なくとも一部を除いて前記圧電基板上
   及び前記符号化電極上に形成される絶縁性保護膜と、を
   有することを特徴とするタップ付遅延線装置。
3. 【請求項３】圧電基板を用意する工程と、 圧電基板上に金属層を形成しエッチングして複数の正規
   形のＩＤＴ及び複数のタップからなる複数の符号化電極
   を形成する工程と、 前記複数の符号化電極を含む圧電基板上に絶縁層を形成
   する工程と、 前記タップ間のうち少なくとも一つの少なくとも一部の
   タップ間の前記絶縁層をエッチングして除去する工程
   と、 を含むことを特徴とするタップ付遅延線装置の製造方
   法。