JPH11330138A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
- Publication number
- JPH11330138A JPH11330138A JP10138283A JP13828398A JPH11330138A JP H11330138 A JPH11330138 A JP H11330138A JP 10138283 A JP10138283 A JP 10138283A JP 13828398 A JP13828398 A JP 13828398A JP H11330138 A JPH11330138 A JP H11330138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- transducer
- capillary
- work
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
グ位置のずれを低減するようにしたワイヤボンディング
装置を提供すること。 【解決手段】 ワイヤボンディング装置のボンディング
ヘッド14が、ボンディングワイヤを挿通されるキャピ
ラリ14cと、このキャピラリを先端に支持するトラン
スデューサ14bと、トランスデューサを介してキャピ
ラリに伝達される超音波振動を発生する超音波振動子1
4aと、キャピラリの先端から突出するボンディングワ
イヤとの間に放電を発生させて溶融する放電用電極14
dとを備えていて、上記トランスデューサ14bに隣接
して、トランスデューサを加熱するための加熱手段14
eを備えている。
Description
の際に、半導体素子チップをリードフレームの外部端子
となるべき部分に対してワイヤボンディングするための
ワイヤボンディング装置に関するものである。
いて、例えばIC等の半導体チップ上に形成された電極
部とパッケージのインナーリードとを金線等の導体金属
細線により電気的に接続(ワイヤボンディング)するよ
うになっている。
的には、例えば図9に示すワイヤボンディング装置を使
用したボールボンド方式により、行なわれる。図9にお
いて、ワイヤボンディング装置1は、ワイヤボンディン
グすべきワーク2が載置されるボンディングステージ3
と、ボンディングステージ3の上方にて、ワイヤステー
ション部4から供給されるボンディングワイヤWにより
ボンディングステージ3上のワーク2に対して所定のワ
イヤボンディングを行なうボンディングヘッド5とを備
えている。
チップが搭載されたリードフレームであって、ボンディ
ングステージ3上に図示しないクランプ等により固定保
持されるようになっている。
がワーク2の載置面として形成されていると共に、ワー
ク2を加熱するために高温加熱されている。
ングワイヤWが巻回されたワイヤスプール4aと、ワイ
ヤスプール4aから引き出されたボンディングワイヤW
に対して所定の張力を付与するエアノズル4bと、ボン
ディングワイヤWをボンディングヘッド5に案内するワ
イヤガイド4cと、さらにボンディングワイヤWに張力
を付与するエアステーション4dと、ボンディングワイ
ヤWの先端付近を把持するワイヤクランパ4eとを備え
ている。
子5aと、超音波振動子5aにより超音波振動が付与さ
れるトランスデューサ5bと、トランスデューサ5bの
先端に取り付けられたキャピラリ5cと、キャピラリ5
cの先端に近接して配設された放電用電極5dと、トラ
ンスデューサ5bに冷気を吹き付けるエアーノズル5e
とを備えている。
1によれば、前以てワーク2がボンディングステージ3
上に載置され、図示しないクランプ等により固定保持さ
れる。この状態から、ボンディングヘッド5が、ボンデ
ィングステージ3上に載置されたワーク2の上方に移動
される。そして、ボンディングヘッド5が下降すること
により、キャピラリ5cの先端がワーク2の例えば半導
体チップ上のボンディングパッドに対して当接し、放電
用電極5dによりボール状に溶融したボンディングワイ
ヤWの先端が当該ボンディングパッドに対して接合され
る。その後、ボンディングヘッド5が、ボンディングワ
イヤWを繰り出しながら対応するリードフレームのイン
ナーリードに当接する。これにより、このインナーリー
ドに対してボンディングワイヤWが接合される。
上のボンディングパッドからリードフレームの対応する
インナーリードまで続く一本のボンディングワイヤWに
よってワイヤボンディングが完成する。そして、ワーク
2である半導体チップ上のすべてのボンディングパッド
とリードフレームの対応するインナーリード間につい
て、上述した作業を繰返し行なうことにより、ワーク2
のワイヤボンディング作業が完了することになる。
体装置等における高密度・高集積化に伴って、半導体チ
ップ上の電極の縮小化及び狭ピッチ化が進んでおり、こ
のためワイヤボンディング時に隣接する電極とのショー
トや半導体チップ内の配線とのショートの発生が大きな
問題になってきている。これは、ワイヤボンディング装
置1自体のボンディング位置の精度と、ワイヤボンディ
ング時のボンディングワイヤ先端のボールの変形や偏心
とによるものであると考えられる。
ボンディング位置の精度に関しては、装置によるワーク
2のパターン認識精度や、モータ停止精度の他に、使用
に伴って発生する熱によるトランスデューサ5bの長手
方向の伸縮によるボンディング位置のずれが大きな原因
になっている。この熱の発生は、ワイヤボンディング時
のボンディングヘッド5の上下動用モータの発熱や、特
にボンディングステージ3の熱によるものである。
ランスデューサ5bの温度上昇のメカニズムは、以下の
通りと考えられる。すなわち、装置停止時には、ボンデ
ィングヘッド5が加熱されているボンディングステージ
3から離れた位置に退避しているが、動作開始と共に、
トランスデューサ5bがボンディングステージ3上に移
動され、ボンディングステージ3からの熱がトランスデ
ューサ5bに伝達されてしまう。
ンスデューサ5bに取り付けられたキャピラリ5cがボ
ンディングステージ3上に載置されたワーク2に接触す
ることにより、ボンディングステージ3からの熱がキャ
ピラリ5cを介してトランスデューサ5bに伝達される
ことになり、トランスデューサ5cの温度は、動作開始
と共に、徐々に上昇する。従って、トランスデューサ5
cの先端のキャピラリ5cの位置、即ちボンディング位
置は、トランスデューサ5bの温度上昇が安定するまで
の間、トランスデューサ5bの熱膨張によって経時的に
変化することになる。
5bに対して、エアーノズル5eにより冷気を吹き付け
て、冷却することにより、このトランスデューサ5bの
熱膨張を抑制するようにしている。
eによる冷気の吹き付けは、ワイヤボンディング装置1
の停止時には冷却が十分に行なわれることになるが、動
作開始と共に、トランスデューサ5bの温度が上昇する
ことになるので、結果的に停止時とワイヤボンディング
時のトランスデューサ5bの温度差が大きくなり、熱膨
張によるボンディング位置のずれは却って大きくなって
しまうという問題があった。
ーサの熱膨張によるボンディング位置のずれを低減する
ようにした、ワイヤボンディング装置を提供することを
目的としている。
れば、ワイヤボンディングすべきワークを支持するボン
ディングステージと、ボンディングワイヤを供給するワ
イヤステーション部と、ワイヤステーション部からのボ
ンディングワイヤにより、ボンディングステージ上のワ
ークに対してワイヤボンディングを行なうボンディング
ヘッドとを含んでおり、このボンディングヘッドが、ボ
ンディングワイヤを挿通されるキャピラリと、このキャ
ピラリを先端に支持するトランスデューサと、トランス
デューサを介してキャピラリに伝達される超音波振動を
発生する超音波振動子と、キャピラリの先端から突出す
るボンディングワイヤとの間に放電を発生させて溶融す
る放電用電極とを備え、さらに、上記トランスデューサ
を加熱するための加熱手段を設けた、ワイヤボンディン
グ装置により、達成される。
前以て待機時に加熱手段好ましくは加熱エアーノズルに
よって加熱されることにより、動作時のボンディングス
テージからの熱による熱膨張が低減されることになる。
従って、トランスデューサの動作開始からの熱膨張によ
って、キャピラリによるボンディング位置のずれが低減
されることになり、ボンディング位置の精度が向上す
る。これにより、ワイヤボンディングすべきワークの高
密度化・高集積化に伴う半導体チップ上の電極の縮小化
や狭ピッチ化においても、隣接する電極とのショートや
半導体チップ内の配線とのショートが確実に回避される
ことになる。
を図1乃至図8を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
装置の一実施形態を示している。図1において、ワイヤ
ボンディング装置10は、ワイヤボンディングすべきワ
ーク11が載置されるボンディングステージ12と、ボ
ンディングステージ12の上方にて、ワイヤステーショ
ン部13から供給されるボンディングワイヤWによりボ
ンディングステージ12上のワーク11に対して所定の
ワイヤボンディングを行なうボンディングヘッド14と
を備えている。
体チップが搭載されたリードフレームであって、ボンデ
ィングステージ12上に図示しないクランプ等により固
定保持されるようになっている。
面がワーク11の載置面として形成されていると共に、
ワーク11を加熱するために高温加熱されている。
ィングワイヤWが巻回されたワイヤスプール13aと、
ワイヤスプール13aから引き出されたボンディングワ
イヤWに対して所定の張力を付与するエアノズル13b
と、ボンディングワイヤWをボンディングヘッド14に
案内するワイヤガイド13cと、さらにボンディングワ
イヤWに張力を付与するエアステーション13dと、ボ
ンディングワイヤWの先端付近を把持するワイヤクラン
パ13eとを備えている。
動子14aと、超音波振動子14aにより超音波振動が
付与されるトランスデューサ14bと、トランスデュー
サ14bの先端に取り付けられたキャピラリ14cと、
キャピラリ14cの先端に近接して配設された放電用電
極14dと、トランスデューサ14bに空気を吹き付け
るエアーノズル14eと、から構成されている。
電されることにより、超音波振動を発生するようになっ
ている。トランスデューサ14bは、超音波振動子14
aからの超音波振動をキャピラリ14cに伝送するよう
になっている。キャピラリ14cは、トランスデューサ
14bの先端から下方に延びるように取り付けられてお
り、その軸心に設けられた孔(図示せず)に、前記ボン
ディングワイヤWが挿通されるようになっている。放電
用電極14dは、キャピラリ14cの下端から下方に延
びるボンディングワイヤWの先端との間に放電を発生さ
せて、ボンディングワイヤWの先端をボール状に溶融さ
せるようになっている。
ル状に溶融されたボンディングワイヤWは、キャピラリ
14cがワーク11の所定のボンディング位置に押し付
けられることにより、圧力,熱及び超音波等によって、
ワーク11のボンディングパッドに対して接合されるよ
うになっている。ここで、ボンディングの際に、キャピ
ラリ14cの下端が、ワーク11の所定のボンディング
位置に移動されるように、ボンディングヘッド14は、
図示しない駆動制御装置により、ボンディングステージ
12に対して3軸方向に移動されるようになっている。
装置10においては、トランスデューサ14bの加熱手
段を備えている。この加熱手段は、本実施形態では、例
えば上記エアーノズル14eにより構成されている。こ
のエアーノズル14eは、高熱エアー源16に接続され
ていて、加熱された熱気を、トランスデューサ14bに
対して吹き付けるようになっている。このエアーノズル
14eは、図2乃至図4に示すように、例えばトランス
デューサ14bに近接して配置され、その長手方向に沿
って長く延びるノズル部14eと、このノズル部14e
の側面に、列状に並ぶように形成された複数の噴射口1
4gを備えている。これにより、トランスデューサ14
bはその長さ方向に沿って、エアーノズル14eの各噴
射口14gから高温のエアーが吹きつけられ、トランス
デューサ14b全体が加熱されるようになっている。
10は、以上のように構成されており、前以てワーク1
1がボンディングステージ12上に載置され、図示しな
いクランプ等により固定保持される。この状態から、ボ
ンディングヘッド14が、ボンディングステージ12上
に載置されたワーク11の上方に移動される。そして、
ボンディングヘッド14が下降することにより、キャピ
ラリ14cの先端がワーク11の例えば半導体チップ上
のボンディングパッドに対して当接し、放電用電極14
dによりボール状に溶融したボンディングワイヤWの先
端が当該ボンディングパッドに対して接合される。その
後、ボンディングヘッド14が、ボンディングワイヤW
を繰り出しながら対応するリードフレームのインナーリ
ードに当接する。これにより、このインナーリードに対
してボンディングワイヤWが接合される。
プ上のボンディングパッドからリードフレームの対応す
るインナーリードまでの一本のボンディングワイヤWの
ワイヤボンディングが完成する。そして、上述した作業
を、ワーク11である半導体チップ上のすべてのボンデ
ィングパッドとリードフレームの対応するインナーリー
ド間について、繰返し行なうことにより、ワーク2のワ
イヤボンディング作業が完了することになる。
は、待機状態にて、加熱エアーノズル14eの噴射口か
ら加熱エアーが吹き付けられることによって、加熱され
ている。これにより、トランスデューサ14bは、加熱
によって熱膨張することになる。従って、動作開始と共
に、ボンディングヘッド14がボンディングステージ1
2の近くに移動され、あるいはワイヤボンディング時に
キャピラリ14cの下端がボンディングステージ12上
のワーク11に当接して、ボンディングステージ12か
らの熱が伝達されても、温度変化が殆ど発生しない。こ
のため、動作開始と共に、徐々に熱膨張によって、トラ
ンスデューサ14bの先端に取り付けられたキャピラリ
14cによるボンディング位置がずれてしまうようなこ
とがない。かくして、ボンディング位置の精度が向上す
ることになり、高密度化・高集積化に対応した正確なワ
イヤボンディングが行われることになる。
に示すように、ボンディングステージ12から外れた待
機位置に停止し、従来のようにエアーノズルによって冷
気が吹き付けられた場合には、トランスデューサ14b
は十分に冷却されることになる。そして、ワイヤボンデ
ィングが開始されると、時間経過と共に、トランスデュ
ーサ14bは、ボンディングステージ12からの熱によ
って徐々に加熱されることにより、温度変化が非常に大
きくなる。従って、熱膨張によるキャピラリ14cの変
位も、図8のグラフAに示すように、非常に大きくなっ
てしまう。
示すように、ボンディングステージ12上に停止し、従
来のようにエアーノズルによって冷気が吹き付けられた
場合には、トランスデューサ14bは冷却されることに
なる。そして、ワイヤボンディングが開始されると、時
間経過と共に、トランスデューサ14bは、ボンディン
グステージ12からの熱によって徐々に加熱されること
により、温度変化が大きくなる。従って、熱膨張による
キャピラリ14cの変位も、図8のグラフBに示すよう
に、大きくなってしまう。
に示すように、ボンディングステージ12上に停止し、
冷気が吹き付けられない場合には、トランスデューサ1
4bはボンディングステージ12からの熱を受けて温度
上昇する。従って、ワイヤボンディングが開始される
と、時間経過と共に、トランスデューサ14bは、ボン
ディングステージ12からの熱によってさらに加熱され
ることにより、温度変化がやや大きくなる。かくして、
熱膨張によるキャピラリ14cの変位も、図8のグラフ
Cに示すように、やや大きくなってしまう。
が、図5の待機位置または図6に示すボンディングステ
ージ12上の位置に停止し、本実施形態による加熱エア
ーノズル14eによって適宜の温度の熱気が吹き付けら
れた場合には、トランスデューサ14bは前以て加熱さ
れることになる。これにより、ワイヤボンディングが開
始されたとき、時間経過と共に、トランスデューサ14
bは、ボンディングステージ12からの熱を受けるが、
殆ど温度上昇せず、従って、熱膨張によるキャピラリ1
4cの変位も、図8のグラフDに示すように、殆ど変化
しない。かくして、図7に示すように、ワイヤボンディ
ングを行なう場合に、トランスデューサ14bは、最初
から熱膨張した状態にあるので、ワイヤボンディング開
始からの時間経過と共に、ボンディング位置のずれは発
生せず、ボンディング位置の精度が向上することにな
る。
ば、トランスデューサが、前以て待機時に加熱手段好ま
しくは加熱エアーノズルによって加熱されることによ
り、動作時のボンディングステージからの熱による熱膨
張が低減されることになる。従って、トランスデューサ
の動作開始からの熱膨張によって、キャピラリによるボ
ンディング位置のずれが低減されることになり、ボンデ
ィング位置の精度が向上する。これにより、ワイヤボン
ディングすべきワークの高密度化・高集積化に伴う半導
体チップ上の電極の縮小化や狭ピッチ化においても、隣
接する電極とのショートや半導体チップ内の配線とのシ
ョートが確実に回避されることになる。
ューサ14bを加熱するための加熱手段として、加熱エ
アーノズル14eが備えられているが、これに限らず、
トランスデューサ14bを加熱できるものであれば、他
の任意の構成の加熱手段が使用されることは明らかであ
る。
ランスデューサの熱膨張によるボンディング位置のずれ
を低減するようにした、ワイヤボンディング装置を提供
することができる。
形態の全体構成を示す概略図である。
分拡大平面図である。
分拡大側面図である。
分拡大正面図である。
スデューサの待機位置を示す概略図である。
スデューサの動作位置を示す概略図である。
スデューサの動作状態を示す概略図である。
件でのトランスデューサの熱膨張による変位の時間変化
を示すグラフである。
略図である。
ク、12・・・ボンディングステージ、13・・・ワイ
ヤステーション部、14・・・ボンディングヘッド、1
4a・・・超音波振動子、14b・・・トランスデュー
サ、14c・・・キャピラリ、14d・・・放電用電
極、14e・・・加熱エアーノズル(加熱手段)、14
f・・・電源。
Claims (4)
- 【請求項1】 ワイヤボンディングすべきワークを支持
するボンディングステージと、ボンディングワイヤを供
給するワイヤステーション部と、ワイヤステーション部
からのボンディングワイヤにより、ボンディングステー
ジ上のワークに対してワイヤボンディングを行なうボン
ディングヘッドとを含んでおり、 このボンディングヘッドが、ボンディングワイヤを挿通
されるキャピラリと、このキャピラリを先端に支持する
トランスデューサと、トランスデューサを介してキャピ
ラリに伝達される超音波振動を発生する超音波振動子
と、キャピラリの先端から突出するボンディングワイヤ
との間に放電を発生させて溶融する放電用電極とを備
え、 さらに、上記トランスデューサを加熱するための加熱手
段を設けたことを特徴とするワイヤボンディング装置。 - 【請求項2】 上記加熱手段が、装置の待機時にも、ト
ランスデューサを加熱することを特徴とする請求項1に
記載のワイヤボンディング装置。 - 【請求項3】 上記加熱手段が、トランスデューサに近
接して設けられ、このトランスデューサに対して適宜の
温度の熱気を吹き付ける加熱エアーノズルであることを
特徴とする請求項1に記載のワイヤボンディング装置。 - 【請求項4】 上記加熱エアーノズルが、トランスデュ
ーサの長手方向に沿って並んだ噴射口を備えていること
を特徴とする請求項3に記載のワイヤボンディング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10138283A JPH11330138A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10138283A JPH11330138A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11330138A true JPH11330138A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15218292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10138283A Abandoned JPH11330138A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11330138A (ja) |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP10138283A patent/JPH11330138A/ja not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05218147A (ja) | 制御システム | |
KR19990013284A (ko) | 캡슐봉입 볼본딩 장치 및 방법 | |
JP2004006465A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2889399B2 (ja) | テープ自動化ボンディング法 | |
JPH11330138A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3313568B2 (ja) | ワイヤボンディング装置およびその制御方法 | |
JP3392254B2 (ja) | ワイヤボンダ | |
JP3091701B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2829471B2 (ja) | ワイヤボンダ | |
JP3039116B2 (ja) | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 | |
JPH0682701B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法および装置 | |
JP3754538B2 (ja) | ボンディング方法及びバンプボンダー | |
KR100252005B1 (ko) | 와이어의 습기 제거를 위한 발열기구를 구비하는 와이어 본딩장치 | |
JP2000164624A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS63266845A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH01184841A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2024041367A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH1154541A (ja) | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 | |
JPH05235080A (ja) | 半田ワイヤーによるワイヤーボンディング装置 | |
JP2000332050A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2614896B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3740260B2 (ja) | バンプボンダー | |
JPH11297741A (ja) | ワイヤボンディング方法および装置 | |
KR200258231Y1 (ko) | 와이어 본딩 장치 | |
KR100421776B1 (ko) | 반도체패키지 제조용 와이어 본더의 트랜스듀서 냉각장치 및 그 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20061006 |