JPH11329842A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】高精度で、高精細なパターンを有する高周波特
性の良好な電子部品を提供する。そして、高精度で、安
定した電気的特性を有し、量産性に優れた電子部品を提
供する。また、誤電子部品を製造するのに好適な製造方
法を提供する。 【解決手段】絶縁基板１と、導体パターン２とを含む。
絶縁基板１は無機焼結体でなる。導体パターン２は、回
路要素を構成するものであって、導体箔でなり、絶縁基
板１の表面１０上に、接着剤３によって接着されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品及びその
製造方法に関する。本発明に係る電子部品は、例えば、
携帯電話、自動車電話等の無線機器、或いはその他各種
通信機器等の分野において利用される表面実装電子部品
として好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】電子部品の製造方法の先行技術として、
例えば、特開平９−１９９３６５号公報には、電子部品
である高周波インダクタを製造するにあたり、アルミナ
等の絶縁基板上に銀等の導体ペーストを全面塗布し、導
体ペーストの焼結処理後に、フォトリソグラフィ工程を
実行することにより、例えばスパイラル状の導体パター
ンを多数個形成し、最後の工程において、スパイラル状
の導体パターン毎に、切り出す製造方法が開示されてい
る。

【０００３】この製造方法の場合、一枚の絶縁基板に形
成できる電子部品数が多い程、量産性が上がるので、量
産性を高めるためには、電子部品をできるだけ小型化す
ること、及び、絶縁基板の平面形状をできるだけ大きく
することが望ましい。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来は、絶
縁基板の一面の全面に導体ペーストを塗布してあったた
め、導体ペーストを絶縁基板に焼き付ける工程におい
て、導体ペーストと、絶縁基板との界面に発生するスト
レスにより、絶縁基板に反りが発生してしまう。

【０００５】この反りは、導体膜をフォトリソグラフィ
工程によってパターン化する際、フォトマスクと、絶縁
基板上のフォトレジストとの密着性を悪化させ、パター
ン精度を低下させる。

【０００６】また、絶縁基板上にフォトレジストを、例
えばスピンコート法等によって塗布する場合、フォトレ
ジストの塗布厚みが絶縁基板上で変動し、やはり、パタ
ーン精度及び安定度を低下させる。

【０００７】絶縁基板の反りは、量産性を高めるため
に、絶縁基板の平面積を増大させる程顕著に現れる。こ
のため、絶縁基板の大型化による量産性向上に限界があ
った。

【０００８】絶縁基板を厚くすれば、反りはある程度押
さえることができる。しかし、電子部品の形状を小さく
して行く程に、平面で見た横幅または縦幅と、厚みとが
近似してしまい、マザーボードに実装した時の安定性
（俗にいう座り）が悪くなる。また、絶縁基板が厚くな
ると、絶縁基板を切断して電子部品を個別に取り出し工
程に長時間を要し、量産性が低下する。

【０００９】更に、導体ペーストを、例えばスクリーン
印刷技術により絶縁基板に塗布する場合、導電ペースト
の粘度の変化や印刷作業環境の温度変化等の影響を受け
て、導電ペーストの塗布厚みが変化する。この塗布厚み
の変動は、特に、高周波電子部品において、定数値のば
らつきや、Ｑ値のばらつきを招く。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高精
度で、高精細なパターンを有する電子部品を提供するこ
とである。

【００１１】本発明のもう一つの課題は、高精度で、安
定した電気的特性を有する電子部品を提供することであ
る。

【００１２】本発明の更にもう一つの課題は、量産性に
優れた電子部品を提供することである。

【００１３】本発明の更にもう一つの課題は、上述した
電子部品を製造するのに好適な製造方法を提供すること
である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る電子部品は、絶縁基板と、導体パタ
ーンとを含む。前記絶縁基板は、無機焼結体でなる。前
記導体パターンは、回路要素を構成するものであって、
導体箔でなり、前記絶縁基板の表面上に接着されてい
る。

【００１５】上述したように、本発明に係る電子部品に
おいて、導体パターンは、導体箔でなり、絶縁基板の表
面上に接着されているから、絶縁基板に導体ペーストを
塗布し、かつ、焼き付ける工程が不要である。従って、
導体ペーストの塗布、焼き付けの際に問題となっていた
絶縁基板の反りを発生する余地がない。このため、導体
膜をフォトリソグラフィ工程によってパターン化する
際、フォトマスクと、絶縁基板上のフォトレジストとの
密着性を向上させ、パターン精度を向上させることがで
きる。

【００１６】しかも、導体箔は、極めて均一な厚みを有
する。従って、フォトレジストを、例えばスピンコート
法等によって絶縁基板上に塗布する場合、フォトレジス
トの塗布厚みを一定化し、パターン精度を向上させるこ
とができる。

【００１７】絶縁基板の平面積を増大させた場合でも、
絶縁基板の反りによる問題を生じることがない。このた
め、絶縁基板を大型化し、量産性を向上させることがで
きる。

【００１８】しかも、絶縁基板の反りを問題にする必要
がないので、絶縁基板を薄くすることができる。このた
め、マザーボードに実装した時の安定性、即ち、俗にい
う座りの良好な電子部品を得ることができる。また、絶
縁基板を薄くできるので、絶縁基板を切断して電子部品
を個別に取り出す切断工程時間を短縮し、量産性を向上
させることができる。

【００１９】更に、導体ペーストを、例えばスクリーン
印刷技術により絶縁基板に塗布する場合と異なって、導
体箔の厚みは常に一定である。このため、高周波電子部
品として用いた場合でも、定数値のばらつきや、Ｑ値の
ばらつきの小さな高精度の電子部品を得ることができ
る。

【００２０】また、回路要素となる導体パターンの構成
材料として、高周波帯域で低抵抗である銅箔を用いれ
ば、高い周波数帯まで高周波損失の少ない良好な導体パ
ターンを得ることができる。しかも、銅箔は、銀導体膜
と比較して、反応活性が低く、銀導体を用いた場合に問
題となる周囲の環境による導体パターン間の絶縁抵抗の
低下、及び、シルバーマイグレーションの発生等を招く
ことがない。

【００２１】絶縁基板は焼結体でなるので、成分等を適
切に選択することにより、切削性、強度、表面の平滑性
等をほぼ同時に満たすことができる。チップ化するため
にダイシングソウ等で個別に分割する場合でも、良好な
切削性を確保し、量産性を向上させることができる。

【００２２】また、絶縁基板を構成する無機成分の種類
または成分毎の含有量等の選択によって、表面の状態が
平滑で、且つ、欠陥の少ない絶縁基板を有する電子部品
を得ることもできる。

【００２３】絶縁基板は、好ましくは、セラミック成分
及びガラス成分を含む複合組成物でなる。更に好ましく
は、前記絶縁基板は、研磨された面を有する。セラミッ
ク成分及びガラス成分を含む複合組成物でなる絶縁基板
は、セラミック単体またはガラス単体による絶縁層との
対比において、欠陥が極めて少なく、且つ、平滑性を有
する絶縁基板とすることができる。また、セラミック成
分を含有することにより、ガラス単体よりも強度が大き
くなる。

【００２４】セラミック成分及びガラス成分を含む複合
組成物でなる絶縁基板は、セラミック成分単体を焼結さ
せた場合に比べ、１０００℃以下の比較的低温で、且
つ、約１０分程度の短い焼成温度保持時間で焼成が可能
である。このため、セラミック成分単体を焼成させる場
合に比べ、製造設備的にも安価であり、製造時間が短く
なるため、量産性がよい。本発明は、好ましいセラミッ
ク成分及びガラス成分の具体例を開示する。

【００２５】本発明において、導体パターンは受動回路
を構成する要素として用いられる。導体パターンは、単
独または他の構成要素と組み合わされて必要な受動回路
を構成する。受動回路は、具体的には、インダクタ、キ
ャパシタの少なくとも１つを含む。上述した受動回路
は、単機能回路であってもよいし、それらのいくつかを
組み合わせた機能回路を構成してもよい。組み合わせに
よる機能回路の代表例は、フィルタ、カプラまたは移相
器等の回路である。導体パターン及び他の構成要素は、
目的とする受動回路に応じて、適宜選択される。

【００２６】更に、別の態様として、本発明に係る電子
部品は、絶縁層と、別の導体パターンとを有していても
よい。この場合、前記絶縁層は前記導体パターンを覆っ
ており、前記別の導体パターンは前記絶縁層によって支
持されている。更に具体的には、前記別の導体パターン
は、銅を主成分とする導体膜でなる。

【００２７】本発明に係る電子部品は、通常、外部接続
用電極を含んでいる。この外部接続用電極は前記絶縁層
上に設けられる。前記外部接続用電極は、表面に半田層
を有していてもよい。

【００２８】上述した電子部品を製造するため、本発明
に係る製造方法では、 前記絶縁基板上に接着剤を塗布
し、前記接着剤に導体箔を貼りつける。次に、前記導体
箔にフォトリソグラフィ技術を適用することにより、導
体箔のパターンを形成する。

【００２９】かかる製造方法によれば、上述した利点を
有する本発明に係る電子部品が得られることは明らかで
ある。

【００３０】本発明の他の目的、特徴及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、さらに詳しく説
明する。図面は、単に、実施例を示すものに過ぎない。

【００３１】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る電子部品の分
解斜視図、図２は図１に示した電子部品の断面図であ
る。図を参照すると、本発明に係る電子部品は、絶縁基
板１と、導体パターン２とを含む。絶縁基板１は無機焼
結体でなる。導体パターン２は、回路要素を構成するも
のであって、銅箔でなり、絶縁基板１の表面１０上に接
着されている。導体パターン２を構成する銅箔は、接着
剤３によって絶縁基板１の表面に接着されている。銅箔
としては、厚み１８〜３５μｍ程度の圧延銅箔または電
解銅箔等を用いることができる。接着剤３としては、エ
ポキシ系接着剤やアクリル系接着剤等を選択することが
可能である。

【００３２】実施例において、導体パターン２はうず巻
き状のパターン２０３を有しており、コイルとして機能
する。うず巻き状パターン２０３の両端のうち、外側に
現れる一端は、端子電極２０１に接続されている。端子
電極２０１も、銅箔でなり、接着剤３によって絶縁基板
１の表面１０に接着されている。端子電極２０１の表面
には、外部接続用電極５１が付着されている。

【００３３】うず巻き状パターン２０３は有機絶縁材料
等でなる絶縁層４によって覆われている。絶縁層４の表
面には他の導体パターン５が形成されている。うず巻き
状パターン２０３の内端部は、絶縁層４に設けられたビ
アホール４０を通して、絶縁層４の表面側に導出され、
絶縁層４の表面に設けた導体パターン５のリード導体５
０を介して、外部接続用電極５２に接続されている。外
部接続用電極５２は絶縁基板１の表面１０に接着剤３に
よって接着された端子電極２０２に付着されている。端
子電極２０２は銅箔でなる。外部接続用電極５１、５２
は表面１０に半田層を有していてもよい。

【００３４】上述したように、本発明に係る電子部品に
おいて、導体パターン２は、銅箔でなり、絶縁基板１の
表面１０上に接着されているから、絶縁基板１に導体ペ
ーストを塗布し、かつ、焼き付ける工程が不要である。
従って、導体ペーストの塗布、焼き付けの際に問題とな
っていた絶縁基板１の反りを発生する余地がない。この
ため、銅箔をフォトリソグラフィ工程によってパターン
化して導体パターン２を得る際、フォトマスクと、絶縁
基板１上のフォトレジストとの密着性を向上させ、パタ
ーン精度を向上させることができる。

【００３５】しかも、導体パターン２を構成する銅箔
は、極めて均一な厚みを有する。従って、フォトレジス
トを、例えばスピンコート法等によって絶縁基板１上に
塗布する場合、フォトレジストの塗布厚みを一定化し、
パターン精度を向上させることができる。

【００３６】絶縁基板１の平面積を増大させた場合で
も、絶縁基板１の反りによる問題を生じることがない。
このため、絶縁基板１を大型化し、量産性を向上させる
ことができる。

【００３７】しかも、絶縁基板１の反りを問題にする必
要がないので、絶縁基板１を薄くすることができる。こ
のため、回路基板１に実装した時の安定性、即ち、俗に
いう座りの良好な電子部品を得ることができる。また、
絶縁基板１を薄くできるので、絶縁基板１を切断して電
子部品を個別に取り出す切断工程時間を短縮し、量産性
を向上させることができる。

【００３８】更に、導体ペーストを、例えばスクリーン
印刷技術により絶縁基板１に塗布する場合と異なって、
導体パターン２を得るために供される銅箔の厚みは常に
一定である。このため、高周波電子部品として用いた場
合でも、定数値のばらつきや、Ｑ値のばらつきの小さな
高精度の電子部品を得ることができる。

【００３９】また、回路要素となる導体パターン２の構
成材料として、高周波帯域で低抵抗である銅箔を用いた
場合、高い周波数帯まで高周波損失の少ない良好な導体
パターン２を得ることができる。しかも、銅箔は、銀導
体膜と比較して、反応活性が低く、銀導体を用いた場合
に問題となる周囲の環境による導体パターン２の相互間
の絶縁抵抗の低下、及び、シルバーマイグレーションの
発生等を招くことがない。

【００４０】絶縁基板１は焼結体でなるので、成分等を
適切に選択することにより、切削性、強度、表面１０の
平滑性等をほぼ同時に満たすことができる。チップ化す
るためにダイシングソウ等で個別に分割する場合でも、
良好な切削性を確保し、量産性を向上させることができ
る。

【００４１】また、絶縁基板１を構成する無機成分の種
類または成分毎の含有量等の選択によって、表面１０の
状態が平滑で、且つ、欠陥の少ない絶縁基板１を有する
電子部品を得ることもできる。

【００４２】絶縁基板１は、好ましくは、セラミック成
分及びガラス成分を含む複合組成物でなる。更に好まし
くは、絶縁基板１は、研磨された面を有する。セラミッ
ク成分及びガラス成分を含む複合組成物でなる絶縁基板
１は、セラミック単体またはガラス単体による絶縁層と
の対比において、欠陥が極めて少なく、且つ、平滑性を
有する絶縁基板１とすることができる。また、セラミッ
ク成分を含有することにより、ガラス単体よりも強度が
大きくなる。

【００４３】セラミック成分及びガラス成分を含む複合
組成物でなる絶縁基板１は、セラミック成分単体を焼結
させた場合に比べ、１０００℃以下の比較的低温で、且
つ、約１０分程度の短い焼成温度保持時間で焼成が可能
である。このため、セラミック成分単体を焼成させる場
合に比べ、製造設備的にも安価であり、製造時間が短く
なるため、量産性がよい。

【００４４】絶縁基板１を構成するためのセラミック成
分としては、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ
カ、ムライト、フォルステライト、ステアタイト、コー
ジェライト、ストロンチウム長石、石英、ケイ酸亜鉛及
びジルコニアの群から選ばれた少なくとも一種を含むも
のを用いることができる。

【００４５】ガラス成分としては、ホウケイ酸ガラス、
鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、ホウ
ケイ酸ストロンチウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス及
びホウケイ酸カリウムガラスの群から選ばれた少なくと
も一種を含むものを用いることができる。ガラス成分の
含有率は、複合組成物の全体積に対する体積比で５０％
以上であることが望ましい。特に、体積比で６０〜７０
％の範囲が最適である。

【００４６】図３は図１及び図２に示した電子部品をマ
ザーボード７０に搭載した状態を示した図である。図示
するように、本発明に係る電子部品は、導体パターン２
の形成された面を、マザーボード７０の搭載面７３に向
き合わせて、マザーボード７０の上に搭載されている。
外部接続用電極５１、５２上に設けた半田層８１、８２
は、マザーボード７０上の電極７１、７２上で半田リフ
ロー等の熱処理により溶融させる。これにより、電子部
品の外部接続用電極５１、５２及びマザーボード７０の
上に設けられた電極７１、７２が電気的、機械的に接続
される。

【００４７】本発明において、導体パターン２は受動回
路を構成する要素として用いられる。導体パターン２
は、単独または他の構成要素と組み合わされて必要な受
動回路を構成する。受動回路は、具体的には、インダク
タまたはキャパシタの少なくとも１つを含む。上述した
受動回路は、単機能回路であってもよいし、それらのい
くつかを組み合わせた機能回路を構成してもよい。組み
合わせによる機能回路の代表例は、フィルタ、カプラま
たは移相器等の回路である。導体パターン２及び他の構
成要素は、目的とする受動回路に応じて、適宜選択され
る。次にそのような適用例を示す。

【００４８】図４は本発明に係る電子部品の実施例であ
るローパスフィルタ(Low Pass Filter 以下LPFと称す
る）の分解斜視図、図５は図４の５ー５線に沿った断面
図、図６は図４の６ー６線に沿った断面図、図７は図４
の７ー７線に沿った断面図、図８は図４〜図７に示した
ＬＰＦの等価回路図を示している。図において、図１及
び図２に図示された構成部分と同一の構成部分について
は、同一の参照符号を付してある。

【００４９】絶縁基板１は前述した用に無機焼結体でな
る。導体パターン２は、第１のコンデンサ電極２０４
と、第２のコンデンサ電極２０５と、インダクタ電極２
０３と、端子電極２０１、２０２とを備える。これらの
電極２０１〜２０５を含む導体パターン２は、銅箔でな
り、絶縁基板１の表面１０に接着剤３によって接着され
ている。

【００５０】導体パターン２は、絶縁膜４によって覆わ
れている。絶縁膜４の表面には銅を主成分とする導体パ
ターン５が付着されている。導体パターン５は、コンデ
ンサ電極５０１〜５０３と、外部接続用電極５１〜５４
とを有する。コンデンサ電極５０１は、絶縁膜４を間に
挟んで、導体パターン２を構成するコンデンサ電極２０
５と対向する。コンデンサ５０１は外部接続用電極５２
に導通されている。コンデンサ電極５０２及び５０３
は、互いに間隔を隔てて、絶縁膜４の表面に付着され、
導体パターン２を構成するコンデンサ電極２０４に共通
に対向している。コンデンサ電極５０２はコンデンサ電
極５０１と共に、外部接続用電極５２に導通されてい
る。コンデンサ電極５０３は外部接続用電極５１に接続
されている。

【００５１】外部接続用電極５２は、リード導体５０４
を有しており、リード導体５０４は、絶縁膜４に設けら
れた孔４５を通してコイル導体２０３の内周端に接続さ
れている。これにより、コイル導体２０３が外部接続用
電極５２に接続される。

【００５２】外部接続用電極５１は、絶縁膜４に設けら
れた貫通孔４１を通して、導体パターン２の端子電極２
０１に接続され、外部接続用電極５２は貫通孔４２を通
して導体パターン２の端子電極２０２に接続される。外
部接続用電極５３、５４は、絶縁膜４に設けられた貫通
孔４３、４４により、導体パターン２を構成するコンデ
ンサ電極２０４に接続される。

【００５３】図８は図４〜図７に示したＬＰＦの電気回
路を示している。図８において、コンデンサＣ１は、絶
縁膜４を挟んで対向するコンデンサ電極２０５及びコン
デンサ電極５０１によって取得される。コンデンサＣ２
は絶縁膜４を挟んで対向するコンデンサ電極２０４及び
コンデンサ電極５０３によって取得される。コンデンサ
Ｃ３は絶縁膜４を挟んで対向するコンデンサ電極２０４
及びコンデンサ電極５０２によって取得される。インダ
クタンスＬ１はコイル導体２０３によって発生する。図
８の回路図から明らかなように、図４〜図７によれば、
小型のＬＰＦが得られる。

【００５４】図９は図４〜図８に示した電子部品をマザ
ーボード７０に搭載した状態を示す図である。図示する
ように、本発明に係る電子部品９は、絶縁膜６の表面
を、マザーボード７０の搭載面７３に向き合わせて、マ
ザーボード７０の上に搭載されている。電子部品９の外
部接続用電極５３、５４及びマザーボード７０の上に設
けられた電極７１、７２は、半田層８１、８２によっ
て、電気的、機械的に接続される。半田層８１、８２
は、外部接続用電極５１〜５４上に予め付着させてお
き、マザーボード７０上の電極７１、７２上で半田リフ
ロー等の熱処理により溶融させることができる。実際の
機器の高周波回路部では、金属製のシールドカバーによ
り、高周波回路部の全体を覆うことが望ましい。

【００５５】次に、本発明に係る電子部品の製造方法に
ついて、図１０〜図２２を参照して説明する。図１０は
本発明に係る電子部品の製造工程を示すフローチャー
ト、図１１〜図２２は図１０に表示された各工程を示す
図である。以下、図１０を参照して工程の順序を説明
し、図１１〜図２２を参照して各工程を個別に詳説す
る。

【００５６】＜シート成形工程＞シート成形工程では、
誘電体材料を用いて、絶縁基板のためのシートを成形す
る。誘電体材料には、材料的な制限はない。

【００５７】また、１GHzを越す高周波帯で使用する電
子部品を得る場合は、比誘電率が１５以下、好ましくは
１０以下の誘電体材料を使用するのが望ましい。その理
由は、前述のような高周波帯では、比誘電率が大き過ぎ
ると、形成される導体パターン間の浮遊容量が無視でき
なくなり、パターン設計に困難を伴うからである。絶縁
基板は後述する加工に対する切削性の良好さも必要であ
る。従って、誘電体材料は、ガラス材料を母材とし、セ
ラミック材料を骨材として混合した複合組成物が最適で
ある。

【００５８】誘電体材料の具体例としては、例えば、ア
ルミナ（εｒ≒１０）、マグネシア（εｒ≒９）、スピ
ネル（εｒ≒９）、シリカ（εｒ≒４）、ムライト（ε
ｒ≒６．５）、フォルステライト（εｒ≒６）、ステア
タイト（εｒ≒６）、コージェライト（εｒ≒５）、ジ
ルコニア（εｒ≒１０）等があり、これらのグループか
ら、比誘電率（εｒ）や焼成温度等に応じ、例えば、１
種類以上を適宜選択すればよい。

【００５９】複合組成物でなる誘電体材料中のガラスの
含有率は、体積率で５０％以上、特に６０〜７０％であ
ることが好ましい。ガラスの含有率が前記範囲未満であ
ると、複合組成物となりにくく、強度及び成形性が低下
する。またガラス材料は、骨材であるセラミック材料と
同等程度の比誘電率を有することが望ましい。具体例と
しては、ホウケイ酸カリウムガラス、ホウケイ酸ガラ
ス、鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、
ホウケイ酸ストロンチウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラ
ス等の一般にガラスフリットとして用いられるものが挙
げられ、特に、ホウケイ酸カリウムガラス、鉛ホウケイ
酸ガラス、ホウケイ酸ストロンチウムガラスが好適であ
る。ガラスの組成の一例としては、SiO₂：５０〜６５重
量％、Al₂O₃：５〜１５重量％、B₂O₃：８重量％以下、C
aO、SrO、BaO、及びMgOの１〜４種：１５〜４０重量
％、PbO：３０重量％以下の例を上げることができる。
上記組成に、更に、Bi₂O₃、TiO₂、ZrO₂、Y₂O₃から選ば
れた１種以上が、５重量％以下の含有率で含有されても
よい。

【００６０】シート製造方法としては、グリーンシート
法が好ましい。グリーンシート法では、セラミックの粒
子及びガラスフリットを混合し、これにバインダ、溶剤
等のビヒクルを加え、これらを混練してペースト（スラ
リー）とし、このペーストを用いて、例えばドクターブ
レード法、押し出し法等により、好ましくは０．０５〜
０．５mm程度の厚さのグリーンシートを所定枚数作製す
る。この場合、ガラスの粒径は、０．１〜５μm程度、
骨材のセラミック粒子は１〜８μm程度であることが好
ましい。ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポリビ
ニルブチラールや、メタクリル樹脂、ブチルメタアクリ
レート等のアクリル系樹脂等のバインダ、エチルセルロ
ース、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、
その他各種分散材、活性剤、可塑剤等から、目的に応じ
て適宜選択すればよい。

【００６１】＜積層及び熱プレス工程＞積層及び熱プレ
ス工程では、前述した各工程を経て得られたグリーンシ
ート１０１〜１０４を、図１１に示すような順序で積層
する。そして、４０〜１２０℃、５０〜１０００Kgf/cm
²程度で熱プレスを行うことにより、グリーンシート１
０１〜１０４による積層体１が得られる。グリーンシー
ト１０１〜１０４は絶縁基板全体の厚みに応じた枚数だ
け用意されるもので、その枚数等は任意である。

【００６２】＜脱バインダ及び焼成工程＞積層及び熱プ
レス工程を経て得られた積層体は、脱バインダ工程に付
され、積層体中に存在するバインダが熱処理により取り
除かれ、更に、１０００℃以下好ましくは８００〜１０
００℃程度、更に好ましくは８５０〜９００℃の温度条
件で、約１０分程度保持することにより焼成する。図１
２は脱バインダ及び焼成工程を経た後の積層体を示して
おり、グリーンシート１０１〜１０４の一体焼結でなる
絶縁基板１が得られる。

【００６３】＜絶縁基板研磨工程＞本発明に係る電子部
品の絶縁基板表面に形成される導体パターンは後述する
フォトリソグラフィ技術により形成するため、導体パタ
ーンの精度は絶縁基板の平面性に左右される。フォトリ
ソグラフィによるパターン精度を高めるためには、フォ
トマスクとの密着性向上、フォトレジストの均一塗布及
び露光の均一化を確保する必要がある。そこで、絶縁基
板研磨工程において、図１３に示すように、絶縁基板１
の表面１０を△Ｈだけ研磨する。ここで、絶縁基板１は
無機焼結体、具体的には、ガラスとセラミックとの複合
組成物でなり、切削性が良好であるので容易にラッピン
グを行うことができる。これにより絶縁基板１の表面の
平滑性が良好になり、フォトリソグラフィによる高精度
パターン形成が可能になる。

【００６４】＜接着剤塗布工程＞次に、図１３に示すよ
うに、絶縁基板研磨工程の終了した絶縁基板１に対し、
その表面１０の略全面に対し、接着剤３を塗布する。接
着剤３を塗布する方法については制限はない。代表的な
具体例はスクリーン印刷法であるが、絶縁基板１は研磨
により平面性が得られているので、絶縁基板１を回転さ
せながら、接着剤３を滴下して塗布するスピンコートを
用いることができる。接着剤３としては、特に限定はな
いが、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤等を選択す
ることが可能である。

【００６５】また、銅箔の貼りつけに備えて、その接着
面に黒化処理またはケミカルエッチング処理等を施すこ
とが好ましい。

【００６６】＜導体箔貼りつけ工程＞次に、図１５に示
すように、接着剤３の表面に導体箔として銅箔２を貼り
つける。銅箔２としては、厚み１８〜３５μｍ程度の圧
延銅箔または電解銅箔等を用いることができる。また、
銅箔２の接着面に黒化処理またはケミカルエッチング処
理等を施すことが好ましい。

【００６７】＜接着剤硬化工程＞接着剤３により銅箔２
を絶縁基板１上に接着した後、接着剤３を硬化させる。
硬化処理は選択された接着剤３において要求される処理
に応じて行われる。硬化処理は通常は熱処理を伴う。

【００６８】＜パターン形成工程＞次に、銅箔２に対し
てフォトリソグラフィ技術を適用し、目的とする導体パ
ターンとなるように、パターン化処理を行なう。パター
ン化に当たっては、先ず、銅箔２の全表面に、フォトレ
ジストを塗布する。塗布方法としてはスピンコート法が
好ましい。

【００６９】次に、目的のパターンが形成されたフォト
マスクをとおして露光を行う。その後、フォトレジスト
の硬化していない部分を除去する。導体膜の露出した部
分は、例えば、化学的エッチング処理によって除去す
る。このパターン形成工程を経ることにより、図１６に
示すように、目的のパターンを有する銅箔による導体パ
ターン２が得られる。

【００７０】＜絶縁層形成工程＞次に、図１７に示すよ
うに、導体パターン２の形成された面上に、スピンコー
ト等の手段によって、絶縁膜４を塗布する。絶縁膜４は
ポリイミド系、エポキシ系といった樹脂系材料が適して
いる。

【００７１】＜上部導体形成工程＞次に、図１８に示す
ように、絶縁膜４に対して、フォトリソグラフィ技術を
適用し、次工程のためのパターン処理を行なう。図１８
において、参照符号４００は抜きパターンを示してい
る。

【００７２】次に、図１９に示すように、蒸着、スパッ
タ、メッキ等を用いて、絶縁膜４の上に銅を付着させ、
銅よりなる導体膜５を形成する。銅よりなる導体膜５の
膜厚は０．５〜３μ程度でよく、処理が比較的早いスパ
ッタを用いることができる。

【００７３】次に、図２０に示すように、銅よりなる導
体膜５にフォトリソグラフィ技術を適用して目的の導体
パターン５を得る。図２０の参照符号５００は銅よりな
る導体膜５のパターン処理によって生じた抜きパターン
を示している。

【００７４】＜保護層形成工程＞次に、図２１に示すよ
うに、保護膜６を形成する。保護膜６の材料としては前
記した樹脂系が好ましい。保護膜６の内、外部接続用電
極となる端子電極に対応する部分は除去する。除去方法
としては、フォトリソグラフィ技術を適用して、不要部
分をエッチングによって除去する方法が適している。但
し、外部接続用電極は絶縁基板上に形成したパターンに
比べ、比較的大型のパターンとなるため、スクリーン印
刷法により形成してもよい。

【００７５】＜個別分割工程＞次に、図２２に示すよう
に、切断線Ｘ１ーＸ１に沿って分割し、個々の電子部品
に分割する。この時、絶縁基板はガラス−セラミック絶
縁基板であるので、ダイアモンドソウ等で容易に分割す
ることができる。以上により、本発明に係る電子部品が
完成する。

【００７６】上記実施例では、ＬＰＦを例にとって説明
したが、本発明は、バンドパスフィルタ、ハイパスフィ
ルタ、バンドエリミネイションフィルタ等の各種フィル
タ、カプラ、フェイズシフタ等の各種機能部品及び、前
記各機能の複合部品に応用が可能である。またコイル、
コンデンサといった単機能な個別部品に応用することも
可能である。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果を得ることができる。 （ａ）高精度で、高精細なパターンを有する電子部品を
提供することができる。 （ｂ）高精度で、安定した電気的特性を有する電子部品
を提供することができる。 （ｃ）量産性に優れた電子部品を提供することができ
る。 （ｄ）上述した電子部品を製造するのに好適な製造方法
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子部品の分解斜視図である。

【図２】図１に示した電子部品の断面図である。

【図３】図１、２に示した電子部品の実装状態を示す断
面図である。

【図４】本発明に係る電子部品の他の実施例を示す分解
斜視図である。

【図５】図４の５ー５線に沿った断面図である。

【図６】図４の６ー６線に沿った断面図である。

【図７】図４の７ー７線に沿った断面図である。

【図８】図４〜図７に示したＬＰＦの等価回路図であ
る。

【図９】図４〜図８に示したＬＰＦをマザーボードに実
装した状態を示す部分断面図である。

【図１０】本発明に係る電子部品の製造工程を示すフロ
ーチャートである。

【図１１】本発明に係る電子部品の製造工程を示す図で
ある。

【図１２】図１１に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１３】図１２に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１４】図１３に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１５】図１４に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１６】図１５に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１７】図１６に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１８】図１７に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図１９】図１８に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図２０】図１９に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図２１】図２０に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【図２２】図２１に示した製造工程の後の製造工程を示
す図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 １０ 研磨された面 ２ 導体パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/20 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、導体パターンとを含む電子
   部品であって、 前記絶縁基板は、無機焼結体でなり、 前記導体パターンは、回路要素を構成するものであっ
   て、導体箔でなり、前記絶縁基板の表面上に接着されて
   いる電子部品。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された電子部品であっ
   て、 前記導体箔は、銅箔である電子部品。
3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
   電子部品であって、 前記絶縁基板は、セラミック成分及びガラス成分を含む
   複合組成物でなる電子部品。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された電
   子部品であって、 前記絶縁基板は、前記表面が研磨されている電子部品。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載された電
   子部品であって、 前記導体パターンは、外部接続用電極を有しており、 前記外部接続用電極は、前記導体パターンの形成された
   前記表面側に備えられている電子部品。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された電
   子部品であって、 前記外部接続用電極の上に半田層を有する電子部品。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された電
   子部品であって、 更に、絶縁層と、別の導体パターンとを有しており、 前記絶縁層は、前記導体パターンを覆っており、 前記別の導体パターンは、前記絶縁層によって支持され
   ている電子部品。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７の何れかに記載された電
   子部品であって、 前記受動回路は、インダクタ、キャパシタの少なくとも
   １つを含む電子部品。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８の何れかに記載された電
   子部品であって、 前記受動回路は、フィルタ、カプラまたは移相器等の回
   路を構成する電子部品。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
    電子部品の製造方法であって、 前記絶縁基板上に接着剤を塗布し、 前記接着剤に導体箔を貼りつけ、 フォトリソグラフィ技術の適用により、前記導体箔をパ
    ターン化する工程を含む電子部品の製造方法。