JPH11329822A - 高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体およびチョークコイル - Google Patents
高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体およびチョークコイルInfo
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- JPH11329822A JPH11329822A JP10139079A JP13907998A JPH11329822A JP H11329822 A JPH11329822 A JP H11329822A JP 10139079 A JP10139079 A JP 10139079A JP 13907998 A JP13907998 A JP 13907998A JP H11329822 A JPH11329822 A JP H11329822A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子機器の高集積化および大電流化における
発熱の問題に対して、信頼性の高いフェライトコアおよ
びこれを用いたチョークコイルを提供する。 【解決手段】 酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ
％、、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、
０を含まず）および残部が酸化マンガンからり、測定磁
界が１０００Ａ／ｍにおいて、１００℃での飽和磁束密
度が４５０ｍＴ以上であるフェライト焼結体。
発熱の問題に対して、信頼性の高いフェライトコアおよ
びこれを用いたチョークコイルを提供する。 【解決手段】 酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ
％、、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、
０を含まず）および残部が酸化マンガンからり、測定磁
界が１０００Ａ／ｍにおいて、１００℃での飽和磁束密
度が４５０ｍＴ以上であるフェライト焼結体。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、１００℃程度の高
温度において高い飽和磁束密度を有するフェライト焼結
体およびこれを用いたチョークコイル、特に大電流用チ
ョークコイルに関する。
温度において高い飽和磁束密度を有するフェライト焼結
体およびこれを用いたチョークコイル、特に大電流用チ
ョークコイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器はＬＳＩの微細化、
高集積化および高周波化により、多機能化、小型軽量化
がいっそう加速されている。このように各種部品の集積
度が上がり高速化、高性能化が進むことにより、電力を
供給する電源ラインにも高パワーが要求されるととも
に、回路の高効率化の要求もいっそう高くなっている。
高集積化および高周波化により、多機能化、小型軽量化
がいっそう加速されている。このように各種部品の集積
度が上がり高速化、高性能化が進むことにより、電力を
供給する電源ラインにも高パワーが要求されるととも
に、回路の高効率化の要求もいっそう高くなっている。
【０００３】例えば、ノート型パソコンを例にあげる
と、多機能、高品位の流れとして、ＣＰＵの高速化、す
なわち処理能力の向上、記憶装置の大容量化と高スピー
ド化などにより、電力を供給するＤＣ／ＤＣコンバータ
の大電流化が進んでいる。
と、多機能、高品位の流れとして、ＣＰＵの高速化、す
なわち処理能力の向上、記憶装置の大容量化と高スピー
ド化などにより、電力を供給するＤＣ／ＤＣコンバータ
の大電流化が進んでいる。
【０００４】また、部品の集積度があがってくること
や、ＣＰＵからの発熱が大きくなることなどから、回路
周辺の熱のコントロールが重要な課題となっている。つ
まり、高性能なＣＰＵを用いたノート型パソコンのＤＣ
／ＤＣコンバータには、大電流であることと、高温にお
いても所定の性能を保つことが重要であると言える。
や、ＣＰＵからの発熱が大きくなることなどから、回路
周辺の熱のコントロールが重要な課題となっている。つ
まり、高性能なＣＰＵを用いたノート型パソコンのＤＣ
／ＤＣコンバータには、大電流であることと、高温にお
いても所定の性能を保つことが重要であると言える。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の理由により、ノ
ート型パソコン等のＤＣ／ＤＣコンバータに用いられる
チョークコイルにも、大電流であるとともに、高温にお
いて所定の性能を保つことが要求されている。
ート型パソコン等のＤＣ／ＤＣコンバータに用いられる
チョークコイルにも、大電流であるとともに、高温にお
いて所定の性能を保つことが要求されている。
【０００６】これらチョークコイルのコアに使用される
磁性材料としては、金属系磁性材料とフェライトの２種
類があり、フェライトはさらに、Ｎｉ系とＭｎ系に分け
られる。金属系磁性材料は、フェライトに比べて飽和磁
束密度が高く、このため大きな電流を流しても磁気飽和
しにくいというメリットがあるが、一般的に値段が高
く、また高周波になると使用できないと言う問題があ
る。この点、フェライトに関しては、高周波でも使用可
能であり、また価格も安いというメリットがある。なか
でもフェライトにおいては、一般的にＮｉ系フェライト
に比べてＭｎ系フェライトの方が飽和磁束密度が高く、
大電流用に適している。
磁性材料としては、金属系磁性材料とフェライトの２種
類があり、フェライトはさらに、Ｎｉ系とＭｎ系に分け
られる。金属系磁性材料は、フェライトに比べて飽和磁
束密度が高く、このため大きな電流を流しても磁気飽和
しにくいというメリットがあるが、一般的に値段が高
く、また高周波になると使用できないと言う問題があ
る。この点、フェライトに関しては、高周波でも使用可
能であり、また価格も安いというメリットがある。なか
でもフェライトにおいては、一般的にＮｉ系フェライト
に比べてＭｎ系フェライトの方が飽和磁束密度が高く、
大電流用に適している。
【０００７】しかしながら、従来のＭｎ系フェライトに
おいては、２０℃程度の飽和磁束密度は高いものの、高
温になると飽和磁束密度が低くなり、通常、１００℃で
の飽和磁束密度は２０℃での飽和磁束密度に比べて２０
〜２５％程度低下していた。このため、大電流用のチョ
ークコイルにＭｎ系のフェライトを使用した場合、ＣＰ
Ｕ等の発熱によりフェライトコアの温度が上昇すると、
飽和磁束密度が低下してしまうという問題があった。
おいては、２０℃程度の飽和磁束密度は高いものの、高
温になると飽和磁束密度が低くなり、通常、１００℃で
の飽和磁束密度は２０℃での飽和磁束密度に比べて２０
〜２５％程度低下していた。このため、大電流用のチョ
ークコイルにＭｎ系のフェライトを使用した場合、ＣＰ
Ｕ等の発熱によりフェライトコアの温度が上昇すると、
飽和磁束密度が低下してしまうという問題があった。
【０００８】本発明は、上記の事を鑑みて、１００℃程
度の高温度において高い飽和磁束密度を有するフェライ
ト焼結体およびこれを用いたチョークコイル、特に大電
流用のチョークコイルを提供することを目的とする。
度の高温度において高い飽和磁束密度を有するフェライ
ト焼結体およびこれを用いたチョークコイル、特に大電
流用のチョークコイルを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、測定磁界が１
０００Ａ／ｍにおいて、１００℃での飽和磁束密度が４
５０ｍＴ以上であることを特徴とする高温度高飽和磁束
密度フェライト焼結体である。
０００Ａ／ｍにおいて、１００℃での飽和磁束密度が４
５０ｍＴ以上であることを特徴とする高温度高飽和磁束
密度フェライト焼結体である。
【００１０】また本発明は、測定磁界が１０００Ａ／ｍ
において、２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃で
の飽和磁束密度の変化率が１５％以下であることを特徴
とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体である。
において、２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃で
の飽和磁束密度の変化率が１５％以下であることを特徴
とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体である。
【００１１】また本発明の高温度高飽和磁束密度フェラ
イト焼結体は、酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ
％、、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、
０を含まず）および残部が酸化マンガンである主成分の
ＭｎＺｎ系フェライト焼結体であることが好ましい。
イト焼結体は、酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ
％、、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、
０を含まず）および残部が酸化マンガンである主成分の
ＭｎＺｎ系フェライト焼結体であることが好ましい。
【００１２】また本発明のＭｎＺｎ系フェライト焼結体
は、焼成温度が１１５０℃以上であり、焼成時の保持部
の酸素濃度が１％以下の焼成条件にて焼成されることが
好ましい。なお、仮焼成を窒素中で行うと、飽和磁束密
度はさらに向上する。
は、焼成温度が１１５０℃以上であり、焼成時の保持部
の酸素濃度が１％以下の焼成条件にて焼成されることが
好ましい。なお、仮焼成を窒素中で行うと、飽和磁束密
度はさらに向上する。
【００１３】また本発明は、測定磁界が１０００Ａ／ｍ
において、１００℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上
であることを特徴とするフェライト焼結体を用いて作製
したチョークコイルである。
において、１００℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上
であることを特徴とするフェライト焼結体を用いて作製
したチョークコイルである。
【００１４】また本発明は、測定磁界が１０００Ａ／ｍ
において、２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃で
の飽和磁束密度の変化率が１５％以下であることを特徴
とするフェライト焼結体を用いて作製したチョークコイ
ルである。
において、２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃で
の飽和磁束密度の変化率が１５％以下であることを特徴
とするフェライト焼結体を用いて作製したチョークコイ
ルである。
【００１５】
【発明の実施の形態】従来のフェライトでは、２０℃に
おける飽和磁束密度は、５００ｍＴを超えるものがあ
る。しかし、１００℃となると、４００ｍＴ程度に減少
し、１００℃で高い飽和磁束密度を有するものは無かっ
た。また、２０℃と１００℃の飽和磁束密度の変化率を
みても、少ないもので２０％程度劣化していた。
おける飽和磁束密度は、５００ｍＴを超えるものがあ
る。しかし、１００℃となると、４００ｍＴ程度に減少
し、１００℃で高い飽和磁束密度を有するものは無かっ
た。また、２０℃と１００℃の飽和磁束密度の変化率を
みても、少ないもので２０％程度劣化していた。
【００１６】本発明は、高温度で高飽和磁束密度のフェ
ライト焼結体を得ることができた。本発明のフェライト
焼結体は、測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、１００
℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上である。好ましく
は、１００℃での飽和磁束密度が４７０ｍＴ以上、さら
に好ましくは、１００℃での飽和磁束密度が５００ｍＴ
以上である。また本発明のフェライト焼結体は、測定磁
界が１０００Ａ／ｍにおいて、２０℃での飽和磁束密度
に対する１００℃での飽和磁束密度の変化率が１５％以
下である。好ましくは、２０℃での飽和磁束密度に対す
る１００℃での飽和磁束密度の変化率が１０％以下、さ
らに好ましくは、５％以下である。
ライト焼結体を得ることができた。本発明のフェライト
焼結体は、測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、１００
℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上である。好ましく
は、１００℃での飽和磁束密度が４７０ｍＴ以上、さら
に好ましくは、１００℃での飽和磁束密度が５００ｍＴ
以上である。また本発明のフェライト焼結体は、測定磁
界が１０００Ａ／ｍにおいて、２０℃での飽和磁束密度
に対する１００℃での飽和磁束密度の変化率が１５％以
下である。好ましくは、２０℃での飽和磁束密度に対す
る１００℃での飽和磁束密度の変化率が１０％以下、さ
らに好ましくは、５％以下である。
【００１７】以下に本発明の実施例および比較例を詳細
に説明する。本発明において、フェライトの特性および
製造方法を限定した理由は、以下の通りである。
に説明する。本発明において、フェライトの特性および
製造方法を限定した理由は、以下の通りである。
【００１８】測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、１０
０℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ未満の場合、大きな
電流を流すとフェライトコアの磁束密度が飽和に達して
変化しなくなるため、透磁率などの磁気特性が低下し、
いわゆる直流重畳特性が劣化する。このため、大電流を
流すことができない。
０℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ未満の場合、大きな
電流を流すとフェライトコアの磁束密度が飽和に達して
変化しなくなるため、透磁率などの磁気特性が低下し、
いわゆる直流重畳特性が劣化する。このため、大電流を
流すことができない。
【００１９】また、測定磁界が１０００Ａ／ｍにおい
て、２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃での飽和
磁束密度の変化率が２０％以上の場合、上記の理由によ
り直流重畳特性が劣化するため、大電流を流すことがで
きない。
て、２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃での飽和
磁束密度の変化率が２０％以上の場合、上記の理由によ
り直流重畳特性が劣化するため、大電流を流すことがで
きない。
【００２０】このフェライトの主成分組成としては、酸
化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ％、、酸化亜鉛の含有
量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残
部が酸化マンガンであることが好適である。酸化鉄の含
有量が６０ｍｏｌ％未満であると、高温における飽和磁
束密度が低下し、飽和磁束密度の変化率が大きくなって
しまう。また、酸化鉄の含有量が８５ｍｏｌ％を越える
と、焼結密度が低くなり、結果として、透磁率および飽
和磁束密度が低くなってしまう。よって、酸化鉄の含有
量は６０〜８５ｍｏｌ％が良い。好ましくは、６５〜８
０ｍｏｌ％である。また、酸化亜鉛の含有量が２０ｍｏ
ｌ％を越えても、飽和磁束密度の変化率が大きくなって
しまう。よって、酸化亜鉛の含有量は０〜２０ｍｏｌ％
（ただし、０を含まず）が良い。
化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ％、、酸化亜鉛の含有
量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残
部が酸化マンガンであることが好適である。酸化鉄の含
有量が６０ｍｏｌ％未満であると、高温における飽和磁
束密度が低下し、飽和磁束密度の変化率が大きくなって
しまう。また、酸化鉄の含有量が８５ｍｏｌ％を越える
と、焼結密度が低くなり、結果として、透磁率および飽
和磁束密度が低くなってしまう。よって、酸化鉄の含有
量は６０〜８５ｍｏｌ％が良い。好ましくは、６５〜８
０ｍｏｌ％である。また、酸化亜鉛の含有量が２０ｍｏ
ｌ％を越えても、飽和磁束密度の変化率が大きくなって
しまう。よって、酸化亜鉛の含有量は０〜２０ｍｏｌ％
（ただし、０を含まず）が良い。
【００２１】また、このフェライトの製造方法として
は、焼成温度が１１５０℃以上であり、焼成時の保持部
の酸素濃度が１％以下の条件で焼成することが望まし
い。なお、仮焼成を窒素中で行うと、さらに飽和磁束密
度が向上する。焼成温度が１１５０℃未満であると、焼
結密度が低くなり、結果として飽和磁束密度が低くなっ
てしまう。また、焼成時の保持部の酸素濃度が１％を越
えても、焼結密度が低くなり、結果として飽和磁束密度
が低くなってしまう。また、窒素中で仮焼成を行うと、
空気中で行う場合に比べて組成分布が均一化され、特性
が向上する。なお、主成分の一部をＬｉ、Ｍｇ、Ｔｉ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎで、それぞれ５ｍｏｌ％以下置
換しても良い。また添加物としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、
Ｃａ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｂｉの酸化物、あるいはこれらの化合物を、それぞ
れ０．２ｗｔ％以下含んでも良い。
は、焼成温度が１１５０℃以上であり、焼成時の保持部
の酸素濃度が１％以下の条件で焼成することが望まし
い。なお、仮焼成を窒素中で行うと、さらに飽和磁束密
度が向上する。焼成温度が１１５０℃未満であると、焼
結密度が低くなり、結果として飽和磁束密度が低くなっ
てしまう。また、焼成時の保持部の酸素濃度が１％を越
えても、焼結密度が低くなり、結果として飽和磁束密度
が低くなってしまう。また、窒素中で仮焼成を行うと、
空気中で行う場合に比べて組成分布が均一化され、特性
が向上する。なお、主成分の一部をＬｉ、Ｍｇ、Ｔｉ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎで、それぞれ５ｍｏｌ％以下置
換しても良い。また添加物としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、
Ｃａ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｂｉの酸化物、あるいはこれらの化合物を、それぞ
れ０．２ｗｔ％以下含んでも良い。
【００２２】本発明に係る実施例を以下に示す。 実施例１ 酸化鉄、酸化亜鉛および四三酸化マンガンを各々所定
量、秤量し、これに水および分散剤を加えて媒体撹拌ミ
ルにて混合し、乾燥後、窒素中、９１０℃にて１．５時
間仮焼成した。これに、添加物として、ＣａＣＯ３ ７
００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ ６０ｐｐｍ、Ｎｂ２Ｏ５ ２５
０ｐｐｍおよびＴａ２Ｏ５ ５０ｐｐｍを加え、さらに
水および分散剤を加えて媒体撹拌ミルにて混合および粉
砕を行い、スラリーを作製した。このようにして作製し
たスラリーに、バインダーを所定量加えて撹拌し、乾燥
した後、乾式のプレス成形によりリング状のコアを作製
した。これを、酸素濃度１％、１３００℃にて５時間焼
成し、得られたフェライト焼結体の焼結密度、初透磁
率、２０℃および１００℃の飽和磁束密度および飽和磁
束密度の変化率を測定した。なお、飽和磁束密度の変化
率は、（２０℃の飽和磁束密度―１００℃の飽和磁束密
度）／２０℃の飽和磁束密度×１００［％］の式にて計
算した。結果を表１に示す。
量、秤量し、これに水および分散剤を加えて媒体撹拌ミ
ルにて混合し、乾燥後、窒素中、９１０℃にて１．５時
間仮焼成した。これに、添加物として、ＣａＣＯ３ ７
００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ ６０ｐｐｍ、Ｎｂ２Ｏ５ ２５
０ｐｐｍおよびＴａ２Ｏ５ ５０ｐｐｍを加え、さらに
水および分散剤を加えて媒体撹拌ミルにて混合および粉
砕を行い、スラリーを作製した。このようにして作製し
たスラリーに、バインダーを所定量加えて撹拌し、乾燥
した後、乾式のプレス成形によりリング状のコアを作製
した。これを、酸素濃度１％、１３００℃にて５時間焼
成し、得られたフェライト焼結体の焼結密度、初透磁
率、２０℃および１００℃の飽和磁束密度および飽和磁
束密度の変化率を測定した。なお、飽和磁束密度の変化
率は、（２０℃の飽和磁束密度―１００℃の飽和磁束密
度）／２０℃の飽和磁束密度×１００［％］の式にて計
算した。結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１から分かるように、本発明の実施例
は、１００℃における飽和磁束密度が高く、また、飽和
磁束密度の変化率も小さいことが分かる。これに対し、
酸化鉄の含有量が６０ｍｏｌ％未満になると、１００℃
における飽和磁束密度が低下し、飽和磁束密度の変化率
が１５％を越えてしまう。また、酸化鉄の含有量が８５
ｍｏｌ％を越えると、焼結密度が低下し、その結果、初
透磁率および飽和磁束密度が低下することが分かる。ま
た、酸化亜鉛の含有量が２０ｍｏｌ％を越えても、飽和
磁束密度の変化率が１５％を越えてしまう。
は、１００℃における飽和磁束密度が高く、また、飽和
磁束密度の変化率も小さいことが分かる。これに対し、
酸化鉄の含有量が６０ｍｏｌ％未満になると、１００℃
における飽和磁束密度が低下し、飽和磁束密度の変化率
が１５％を越えてしまう。また、酸化鉄の含有量が８５
ｍｏｌ％を越えると、焼結密度が低下し、その結果、初
透磁率および飽和磁束密度が低下することが分かる。ま
た、酸化亜鉛の含有量が２０ｍｏｌ％を越えても、飽和
磁束密度の変化率が１５％を越えてしまう。
【００２５】実施例２ 酸化鉄を７０ｍｏｌ％、酸化亜鉛を１０ｍｏｌ％および
四三酸化マンガンを２０ｍｏｌ％（ＭｎＯ換算）秤量
し、これに水および分散剤を加えて媒体撹拌ミルにて混
合し、乾燥後、所定の雰囲気で、９１０℃にて１．５時
間仮焼成した。これに、添加物として、ＣａＣＯ３ ７
００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ １００ｐｐｍ、およびＴａ２Ｏ
５ ３００ｐｐｍを加え、さらに水および分散剤を加え
て媒体撹拌ミルにて混合および粉砕を行い、スラリーを
作製した。このようにして作製したスラリーに、バイン
ダーを所定量加えて撹拌し、乾燥した後、乾式のプレス
成形によりリング状のコアを作製した。これを、所定の
酸素濃度および温度にて５時間焼成し、得られたフェラ
イト焼結体の焼結密度、初透磁率、２０℃および１００
℃の飽和磁束密度および飽和磁束密度の変化率を測定し
た。なお、飽和磁束密度の変化率は、（２０℃の飽和磁
束密度―１００℃の飽和磁束密度）／２０℃の飽和磁束
密度×１００［％］の式にて計算した。結果を表２に示
す。
四三酸化マンガンを２０ｍｏｌ％（ＭｎＯ換算）秤量
し、これに水および分散剤を加えて媒体撹拌ミルにて混
合し、乾燥後、所定の雰囲気で、９１０℃にて１．５時
間仮焼成した。これに、添加物として、ＣａＣＯ３ ７
００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ １００ｐｐｍ、およびＴａ２Ｏ
５ ３００ｐｐｍを加え、さらに水および分散剤を加え
て媒体撹拌ミルにて混合および粉砕を行い、スラリーを
作製した。このようにして作製したスラリーに、バイン
ダーを所定量加えて撹拌し、乾燥した後、乾式のプレス
成形によりリング状のコアを作製した。これを、所定の
酸素濃度および温度にて５時間焼成し、得られたフェラ
イト焼結体の焼結密度、初透磁率、２０℃および１００
℃の飽和磁束密度および飽和磁束密度の変化率を測定し
た。なお、飽和磁束密度の変化率は、（２０℃の飽和磁
束密度―１００℃の飽和磁束密度）／２０℃の飽和磁束
密度×１００［％］の式にて計算した。結果を表２に示
す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２からわかるように、本発明の実施例
は、１００℃における飽和磁束密度が高いことが分か
る。これに対し、焼成時の酸素濃度が１％を越えたり、
あるいは焼成温度が１１５０℃未満になると、１００℃
における飽和磁束密度が低下してしまう。また仮焼成を
窒素中で行うと、空気中で行う場合に比べて焼結密度が
向上し、結果として２０℃および１００℃における飽和
磁束密度が向上することが分かる。
は、１００℃における飽和磁束密度が高いことが分か
る。これに対し、焼成時の酸素濃度が１％を越えたり、
あるいは焼成温度が１１５０℃未満になると、１００℃
における飽和磁束密度が低下してしまう。また仮焼成を
窒素中で行うと、空気中で行う場合に比べて焼結密度が
向上し、結果として２０℃および１００℃における飽和
磁束密度が向上することが分かる。
【００２８】実施例３ 実施例２において、表２のＮｏ．６の原料を用いて、チ
ョークコイルを作製し、直流重畳特性を測定した。また
比較例として、酸化鉄を５５ｍｏｌ％、酸化亜鉛を１０
ｍｏｌ％および四三酸化マンガンを３５ｍｏｌ％（Ｍｎ
Ｏ換算）の組成を持つ同形状のフェライト焼結体を用い
てチョークコイルを作製し、直流重畳特性を測定した。
結果を図１に示す。
ョークコイルを作製し、直流重畳特性を測定した。また
比較例として、酸化鉄を５５ｍｏｌ％、酸化亜鉛を１０
ｍｏｌ％および四三酸化マンガンを３５ｍｏｌ％（Ｍｎ
Ｏ換算）の組成を持つ同形状のフェライト焼結体を用い
てチョークコイルを作製し、直流重畳特性を測定した。
結果を図１に示す。
【００２９】図１からわかるように、本発明の実施例
は、従来材である比較例に比べて、高い電流値までイン
ダクタンスの低下が少なく、大きな電流を流せることが
分かる。また、本発明の実施例は、従来材である比較例
に比べて、高温における直流重畳特性の劣化も少なく、
発熱に対して安定した特性を発揮できることが分かる。
は、従来材である比較例に比べて、高い電流値までイン
ダクタンスの低下が少なく、大きな電流を流せることが
分かる。また、本発明の実施例は、従来材である比較例
に比べて、高温における直流重畳特性の劣化も少なく、
発熱に対して安定した特性を発揮できることが分かる。
【００３０】上記のとおり、本発明に係るフェライト焼
結体およびチョークコイルは、１００℃における飽和磁
束密度が高く、また２０℃の飽和磁束密度に対する１０
０℃の飽和磁束密度の変化率が、従来のフェライト焼結
体に比べて小さいため、電子機器の高集積化および大電
流化における発熱の問題に対して、安定した特性を発揮
することができ、電子機器の小型化に対して、非常に有
効な電子部品である。
結体およびチョークコイルは、１００℃における飽和磁
束密度が高く、また２０℃の飽和磁束密度に対する１０
０℃の飽和磁束密度の変化率が、従来のフェライト焼結
体に比べて小さいため、電子機器の高集積化および大電
流化における発熱の問題に対して、安定した特性を発揮
することができ、電子機器の小型化に対して、非常に有
効な電子部品である。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、１００℃における飽和
磁束密度が高く、また２０℃の飽和磁束密度に対する１
００℃の飽和磁束密度の変化率が小さいフェライト焼結
体を得ることが出来る。これにより、ノート型パソコン
などのＤＣ／ＤＣコンバータに使用されるチョークコイ
ルにおいて、フェライトコアの高温時における飽和磁束
密度などの特性の劣化を抑制することができ、しかも高
温時の飽和磁束密度が高いため、電子機器の高集積化お
よび大電流化における発熱の問題に対して、安定した特
性を発揮することができ、電子機器の小型化に非常に有
用である。
磁束密度が高く、また２０℃の飽和磁束密度に対する１
００℃の飽和磁束密度の変化率が小さいフェライト焼結
体を得ることが出来る。これにより、ノート型パソコン
などのＤＣ／ＤＣコンバータに使用されるチョークコイ
ルにおいて、フェライトコアの高温時における飽和磁束
密度などの特性の劣化を抑制することができ、しかも高
温時の飽和磁束密度が高いため、電子機器の高集積化お
よび大電流化における発熱の問題に対して、安定した特
性を発揮することができ、電子機器の小型化に非常に有
用である。
【図１】本発明に係る実施例および比較例の直流重畳特
性を表す図である。
性を表す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上田 等 鳥取県鳥取市南栄町70番地２号日立金属株 式会社鳥取工場内
Claims (7)
- 【請求項１】 測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、１
００℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上であることを
特徴とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。 - 【請求項２】 主成分が、酸化鉄の含有量が６０〜８５
ｍｏｌ％、、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（た
だし、０を含まず）および残部が酸化マンガンから成る
ことを特徴とする請求項１記載の高温度高飽和磁束密度
フェライト焼結体。 - 【請求項３】 焼成温度が１１５０℃以上であり、焼成
時の保持部の酸素濃度が１％以下であることを特徴とす
る請求項２記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結
体。 - 【請求項４】 測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、２
０℃での飽和磁束密度に対する１００℃での飽和磁束密
度の変化率が１５％以下であることを特徴とする高温度
高飽和磁束密度フェライト焼結体。 - 【請求項５】 主成分が、酸化鉄の含有量が６０〜８５
ｍｏｌ％、、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（た
だし、０を含まず）および残部が酸化マンガンから成る
ことを特徴とする請求項４記載の高温度高飽和磁束密度
フェライト焼結体。 - 【請求項６】 焼成温度が１１５０℃以上であり、焼成
時の保持部の酸素濃度が１％以下であることを特徴とす
る請求項５記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結
体。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれかの高温度高飽
和磁束密度フェライト焼結体を用いて作製したことを特
徴とするチョークコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139079A JPH11329822A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体およびチョークコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139079A JPH11329822A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体およびチョークコイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329822A true JPH11329822A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15237004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139079A Pending JPH11329822A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体およびチョークコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329822A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005061412A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Hitachi Metals, Ltd. | フェライト焼結体及びその製造方法並びにこれを用いた電子部品 |
| US7294284B2 (en) | 2004-01-30 | 2007-11-13 | Tdk Corporation | Method for producing Mn-Zn ferrite |
| US7968606B2 (en) | 2004-08-06 | 2011-06-28 | Takasago International Corporation | Perfume composition having sedative effect |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139079A patent/JPH11329822A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005061412A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Hitachi Metals, Ltd. | フェライト焼結体及びその製造方法並びにこれを用いた電子部品 |
| US7754094B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-07-13 | Hitachi Metals Ltd. | Sintered ferrite and its production method and electronic part using same |
| US7294284B2 (en) | 2004-01-30 | 2007-11-13 | Tdk Corporation | Method for producing Mn-Zn ferrite |
| US7968606B2 (en) | 2004-08-06 | 2011-06-28 | Takasago International Corporation | Perfume composition having sedative effect |
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