JPH11328760A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH11328760A JPH11328760A JP13390198A JP13390198A JPH11328760A JP H11328760 A JPH11328760 A JP H11328760A JP 13390198 A JP13390198 A JP 13390198A JP 13390198 A JP13390198 A JP 13390198A JP H11328760 A JPH11328760 A JP H11328760A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＷＤＤ再生方式光磁気記録媒体の媒体が改
良され、ノイズ発生原因となるメモリ層からの信号成分
が減殺され、または除去されて信号品質の一段と向上し
た光磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 少なくとも第一、第二、第三の磁性層が
順次積層された光磁気記録媒体において、少なくとも再
生ビームスポット内の記録情報検出領域内では前記第三
の磁性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度
が大きな垂直磁化膜からなる第一の磁性層、該第一の磁
性層および第三の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性
層からなる第二の磁性層、および垂直磁化膜である第三
の磁性層、を有する光磁気記録媒体であって、該第三の
磁性層からの再生ビームの反射光により再生信号に対し
影響を及ぼすことがないように作製された光磁気記録媒
体。
良され、ノイズ発生原因となるメモリ層からの信号成分
が減殺され、または除去されて信号品質の一段と向上し
た光磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 少なくとも第一、第二、第三の磁性層が
順次積層された光磁気記録媒体において、少なくとも再
生ビームスポット内の記録情報検出領域内では前記第三
の磁性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度
が大きな垂直磁化膜からなる第一の磁性層、該第一の磁
性層および第三の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性
層からなる第二の磁性層、および垂直磁化膜である第三
の磁性層、を有する光磁気記録媒体であって、該第三の
磁性層からの再生ビームの反射光により再生信号に対し
影響を及ぼすことがないように作製された光磁気記録媒
体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光により記
録・再生を行う光磁気記録媒体、さらに詳しくは媒体の
高密度記録化を可能とする光磁気記録媒体に関する。
録・再生を行う光磁気記録媒体、さらに詳しくは媒体の
高密度記録化を可能とする光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の書き換え可能な大容量メモリの一
つとして、レーザー光を用いて再生、記録を行う光磁気
記録媒体が注目されている。再生光学系のレーザー波長
λと対物レンズの開口数ＮＡによりビームウェスト径が
決まるので、光磁気記録媒体は信号再生時の空間周波数
が２ＮＡ／λ程度まで検出可能である。しかしながら、
光磁気記録媒体のさらなる大容量化への要求は高まる一
方である。この要求を満たす目的で、すなわち、光磁気
記録媒体の記録密度を波長λと開口数ＮＡで決まる回折
限界を超える密度にまで高めるために、記録媒体の構成
や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開
発されている。
つとして、レーザー光を用いて再生、記録を行う光磁気
記録媒体が注目されている。再生光学系のレーザー波長
λと対物レンズの開口数ＮＡによりビームウェスト径が
決まるので、光磁気記録媒体は信号再生時の空間周波数
が２ＮＡ／λ程度まで検出可能である。しかしながら、
光磁気記録媒体のさらなる大容量化への要求は高まる一
方である。この要求を満たす目的で、すなわち、光磁気
記録媒体の記録密度を波長λと開口数ＮＡで決まる回折
限界を超える密度にまで高めるために、記録媒体の構成
や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開
発されている。
【０００３】以下に光学的な回折限界を超えた微小記録
磁区長まで記録密度を上げた光磁気記録媒体の例を示
す。例えば、特開平３-９３０５８、同６-１２４５００
各号において、磁気的に結合される再生層と記録層とを
有してなる多層膜の記録層に信号記録を行うとともに再
生層の磁化の向きを揃えた後(特開平６-１２４５００号
の磁化方向は面内)、レーザー光を照射して加熱し、再
生層の昇温領域に記録層に記録された信号を転写しなが
ら読み取る信号再生方法が提案されている。
磁区長まで記録密度を上げた光磁気記録媒体の例を示
す。例えば、特開平３-９３０５８、同６-１２４５００
各号において、磁気的に結合される再生層と記録層とを
有してなる多層膜の記録層に信号記録を行うとともに再
生層の磁化の向きを揃えた後(特開平６-１２４５００号
の磁化方向は面内)、レーザー光を照射して加熱し、再
生層の昇温領域に記録層に記録された信号を転写しなが
ら読み取る信号再生方法が提案されている。
【０００４】この方法によれば、再生用のレーザーのス
ポット径に対して、このレーザーによって加熱された転
写温度に達し信号が検出される領域(アパーチャー)はよ
り小さな領域に限定できるため、再生時の符号間干渉を
減少させ、光学的な検出限界λ／２ＮＡ以下のピット周
期の信号が再生可能となる。
ポット径に対して、このレーザーによって加熱された転
写温度に達し信号が検出される領域(アパーチャー)はよ
り小さな領域に限定できるため、再生時の符号間干渉を
減少させ、光学的な検出限界λ／２ＮＡ以下のピット周
期の信号が再生可能となる。
【０００５】上記の再生方法はＭＳＲ(a Magnetically
induced Superresolusion Readoutmethod)再生方式と呼
ばれている。このＭＳＲ再生方式は、再生用のレーザー
のスポット径に対して有効に使用される信号検出領域が
小さくなるため、再生信号振幅が大幅に低下し、十分な
再生出力が得られない欠点を有している。
induced Superresolusion Readoutmethod)再生方式と呼
ばれている。このＭＳＲ再生方式は、再生用のレーザー
のスポット径に対して有効に使用される信号検出領域が
小さくなるため、再生信号振幅が大幅に低下し、十分な
再生出力が得られない欠点を有している。
【０００６】また別の例として、上記ＭＳＲ再生方式の
欠点を補った光磁気記録媒体、再生方法および再生装置
が、特開平６-２９０４９６号に提案されている。特開
平６-２９０４９６号は、交換結合多層膜からなる光磁
気記録媒体により、再生信号振幅を低下させることなく
光学的な検出限界以下の周期の信号が高速で再生可能
な、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁
気記録媒体、再生方法および再生装置を提案している。
欠点を補った光磁気記録媒体、再生方法および再生装置
が、特開平６-２９０４９６号に提案されている。特開
平６-２９０４９６号は、交換結合多層膜からなる光磁
気記録媒体により、再生信号振幅を低下させることなく
光学的な検出限界以下の周期の信号が高速で再生可能
な、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁
気記録媒体、再生方法および再生装置を提案している。
【０００７】すなわち、特開平６-２９０４９６号にお
いては、付属の加熱装置により再生記録マークに温度分
布をもたせ、この温度分布と再生記録マーク中の磁壁エ
ネルギーの温度依存性とにより、磁壁に再生光スポット
内へ移動する圧力が誘発(図２参照)される。この結果、
図２に示す第二の磁性層のキュリー温度近傍まで再生記
録マークが昇温された場合、第一の磁性層と他の磁性層
との交換結合が切断され、磁壁が瞬間的に再生光スポッ
ト内へ移動し、再生光スポット内の原子スピンの向きが
反転して全て一方向にそろい、再生記録マークが拡大さ
れる。
いては、付属の加熱装置により再生記録マークに温度分
布をもたせ、この温度分布と再生記録マーク中の磁壁エ
ネルギーの温度依存性とにより、磁壁に再生光スポット
内へ移動する圧力が誘発(図２参照)される。この結果、
図２に示す第二の磁性層のキュリー温度近傍まで再生記
録マークが昇温された場合、第一の磁性層と他の磁性層
との交換結合が切断され、磁壁が瞬間的に再生光スポッ
ト内へ移動し、再生光スポット内の原子スピンの向きが
反転して全て一方向にそろい、再生記録マークが拡大さ
れる。
【０００８】したがって、再生信号振幅は記録されてい
る磁壁の間隔(すなわち記録マーク長)によらず、常に一
定且つ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した
波形干渉等の問題から完全に解放されるのである。この
再生方法は、ＤＷＤＤ(Domain Wall Displacement Dete
ction)再生方式と呼ばれている。
る磁壁の間隔(すなわち記録マーク長)によらず、常に一
定且つ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した
波形干渉等の問題から完全に解放されるのである。この
再生方法は、ＤＷＤＤ(Domain Wall Displacement Dete
ction)再生方式と呼ばれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のＤＷＤＤ再生方
式においては、記録マークの磁壁の移動、および磁区の
拡大現象を実現するために、少なくとも三層の交換結合
磁性膜からなっている。一層は、記録情報を保存する役
割を担うメモリ層(第三の磁性層)である。他の一層は、
メモリ層からの記録磁区が転写され、転写磁区を形成す
る磁壁を移動して記録磁区を拡大する磁壁移動層(第一
の磁性層)である。さらにもう一層は、メモリ層と磁壁
移動層との間に位置し、加熱装置による高温領域の温度
分布の形成によりメモリ層と移動層との磁気的結合を分
断して、再生ビームスポット内への移動層の磁壁移動磁
区拡大動作を引き起こすために必要不可欠なスイッチン
グ層(第二の磁性層)である。
式においては、記録マークの磁壁の移動、および磁区の
拡大現象を実現するために、少なくとも三層の交換結合
磁性膜からなっている。一層は、記録情報を保存する役
割を担うメモリ層(第三の磁性層)である。他の一層は、
メモリ層からの記録磁区が転写され、転写磁区を形成す
る磁壁を移動して記録磁区を拡大する磁壁移動層(第一
の磁性層)である。さらにもう一層は、メモリ層と磁壁
移動層との間に位置し、加熱装置による高温領域の温度
分布の形成によりメモリ層と移動層との磁気的結合を分
断して、再生ビームスポット内への移動層の磁壁移動磁
区拡大動作を引き起こすために必要不可欠なスイッチン
グ層(第二の磁性層)である。
【００１０】このとき得られる信号としては、移動層、
またはスイッチング層の膜厚によっては、移動層に形成
された拡大磁区からの再生信号だけではなく、メモリ層
に記録された磁区をも再生した信号が重畳される場合が
ある。この不必要なメモリ層からの再生信号は、ノイズ
成分の増加をもたらし信号品質の低下を招く。
またはスイッチング層の膜厚によっては、移動層に形成
された拡大磁区からの再生信号だけではなく、メモリ層
に記録された磁区をも再生した信号が重畳される場合が
ある。この不必要なメモリ層からの再生信号は、ノイズ
成分の増加をもたらし信号品質の低下を招く。
【００１１】本発明は上記に鑑みなされたものであっ
て、ＤＷＤＤ再生方式の光磁気記録媒体において、媒体
を改良することによりノイズ発生原因になり得るメモリ
層からの信号成分を減少させ、または除去して、信号品
質の一段と向上したＤＷＤＤ再生方式光磁気記録媒体の
提供を目的とするものである。
て、ＤＷＤＤ再生方式の光磁気記録媒体において、媒体
を改良することによりノイズ発生原因になり得るメモリ
層からの信号成分を減少させ、または除去して、信号品
質の一段と向上したＤＷＤＤ再生方式光磁気記録媒体の
提供を目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題・目的は以下
に示す本発明によって解決・達成される。すなわち本発
明は、少なくとも第一、第二、第三の磁性層が順次積層
されてなる光磁気記録媒体において、少なくとも再生ビ
ームスポット内の記録情報検出領域内では前記第三の磁
性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大
きな垂直磁化膜からなる第一の磁性層、および該第一の
磁性層、第三の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層
からなる第二の磁性層、および垂直磁化膜である第三の
磁性層を有する光磁気記録媒体であって、該第三の磁性
層からの再生ビームの反射光により再生信号に対し影響
を及ぼすことがないように作製されてなることを特徴と
する、光磁気記録媒体を提案するものである。
に示す本発明によって解決・達成される。すなわち本発
明は、少なくとも第一、第二、第三の磁性層が順次積層
されてなる光磁気記録媒体において、少なくとも再生ビ
ームスポット内の記録情報検出領域内では前記第三の磁
性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大
きな垂直磁化膜からなる第一の磁性層、および該第一の
磁性層、第三の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層
からなる第二の磁性層、および垂直磁化膜である第三の
磁性層を有する光磁気記録媒体であって、該第三の磁性
層からの再生ビームの反射光により再生信号に対し影響
を及ぼすことがないように作製されてなることを特徴と
する、光磁気記録媒体を提案するものである。
【００１３】さらに本発明は、具体的手法として、第一
の磁性層および／または第二の磁性層が、第三の磁性層
からの再生ビームの反射光により、再生信号に対し影響
を及ぼすことがないような膜厚を有する磁性膜からなる
ように作製されることを特徴とする、光磁気記録媒体を
提案するものである。
の磁性層および／または第二の磁性層が、第三の磁性層
からの再生ビームの反射光により、再生信号に対し影響
を及ぼすことがないような膜厚を有する磁性膜からなる
ように作製されることを特徴とする、光磁気記録媒体を
提案するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施態様を具体的
に説明する。図１は、本発明における基本媒体構成を示
す模式図である。本発明において、特に、各磁性層が希
土類遷移金属からなる光磁気記録媒体の場合は、第一の
磁性層(移動層)の膜厚をＴ(Ｒ)、第二の磁性層(スイッ
チング層)の膜厚をＴ(Ｓ)としたとき、Ｔ(Ｒ)+Ｔ(Ｓ)≧
４０ｎｍであることにより効果を奏する。
に説明する。図１は、本発明における基本媒体構成を示
す模式図である。本発明において、特に、各磁性層が希
土類遷移金属からなる光磁気記録媒体の場合は、第一の
磁性層(移動層)の膜厚をＴ(Ｒ)、第二の磁性層(スイッ
チング層)の膜厚をＴ(Ｓ)としたとき、Ｔ(Ｒ)+Ｔ(Ｓ)≧
４０ｎｍであることにより効果を奏する。
【００１５】また、第一の磁性層の膜厚Ｔ(Ｒ)、および
第二の磁性層の膜厚Ｔ(Ｓ)において移動層のメモリ層
(第三の磁性層)からの記録磁区転写、および移動層の磁
壁移動磁区拡大現象を確実に動作させるために、Ｔ(Ｒ)
+Ｔ(Ｓ)≧４０ｎｍであり、且つ、１０≦Ｔ(Ｒ)≦５０
ｎｍであり、５≦Ｔ(Ｓ)≦５０ｎｍであること、さらに
は、より一層の信号品質の向上を考慮すると、Ｔ(Ｒ)+
Ｔ(Ｓ)≧４０ｎｍであり、且つ、２０≦Ｔ(Ｒ)≦４０ｎ
ｍであり、１０≦Ｔ(Ｓ)≦４０ｎｍであることが望まし
い。
第二の磁性層の膜厚Ｔ(Ｓ)において移動層のメモリ層
(第三の磁性層)からの記録磁区転写、および移動層の磁
壁移動磁区拡大現象を確実に動作させるために、Ｔ(Ｒ)
+Ｔ(Ｓ)≧４０ｎｍであり、且つ、１０≦Ｔ(Ｒ)≦５０
ｎｍであり、５≦Ｔ(Ｓ)≦５０ｎｍであること、さらに
は、より一層の信号品質の向上を考慮すると、Ｔ(Ｒ)+
Ｔ(Ｓ)≧４０ｎｍであり、且つ、２０≦Ｔ(Ｒ)≦４０ｎ
ｍであり、１０≦Ｔ(Ｓ)≦４０ｎｍであることが望まし
い。
【００１６】上記の構成を有する本発明の光磁気記録媒
体により、メモリ層からの反射光による信号振幅を磁壁
移動層からの信号振幅に対し十分に抑制することがで
き、メモリ層からの反射光の再生信号への影響が排除さ
れ、信号品質の一段と向上したＤＷＤＤ再生方式光磁気
記録媒体が提供可能となる。
体により、メモリ層からの反射光による信号振幅を磁壁
移動層からの信号振幅に対し十分に抑制することがで
き、メモリ層からの反射光の再生信号への影響が排除さ
れ、信号品質の一段と向上したＤＷＤＤ再生方式光磁気
記録媒体が提供可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の詳細を実施例により説明する
が、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
が、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００１８】［実施例１］本実施例で使用した基板は、
ポリカーボネート(ＰＣ)を用いて射出成形により作製し
た。基板はトラックピッチが１.１μｍ、溝深さが０.３
μｍのグルーブ記録用基板である。本実施例では射出成
形基板にポリカーボネート(ＰＣ)を用いたが、ポリメチ
ルメタクリレート(ＰＭＭＡ)、アモルファスポリオレフ
ィン(ＡＰＯ)等を成形材料として用いてもよい。また、
紫外線硬化樹脂による、いわゆる２Ｐ成形基板を使用す
ることもできる。また、本実施例では、グルーブ記録用
基板を用いたが、当然、ランド記録用基板でも、ランド
・グルーブ記録用基板でも使用可能である。
ポリカーボネート(ＰＣ)を用いて射出成形により作製し
た。基板はトラックピッチが１.１μｍ、溝深さが０.３
μｍのグルーブ記録用基板である。本実施例では射出成
形基板にポリカーボネート(ＰＣ)を用いたが、ポリメチ
ルメタクリレート(ＰＭＭＡ)、アモルファスポリオレフ
ィン(ＡＰＯ)等を成形材料として用いてもよい。また、
紫外線硬化樹脂による、いわゆる２Ｐ成形基板を使用す
ることもできる。また、本実施例では、グルーブ記録用
基板を用いたが、当然、ランド記録用基板でも、ランド
・グルーブ記録用基板でも使用可能である。
【００１９】以上のように作製した基板上に記録膜をス
パッタ法により成膜した。記録膜としては、図３に示す
ような媒体構成とし、基板上に第一の誘電体層(Ｓi
Ｎ)、第一の磁性層(ＧdＴbＦeＣo、膜厚３５ｎｍ)、第
二の磁性層(ＴbＦe、膜厚３０ｎｍ)、第三の磁性層(Ｔb
ＦeＣo)、第二の誘電体層(ＳiＮ)が順次積層されてい
る。各誘電体層としては、上記誘電体層の他に例えば、
ＡlＮ,ＳiＯ2,ＳiＯ,ＺnＳ,ＭgＦ2などの透明誘電材料
が使用できる。
パッタ法により成膜した。記録膜としては、図３に示す
ような媒体構成とし、基板上に第一の誘電体層(Ｓi
Ｎ)、第一の磁性層(ＧdＴbＦeＣo、膜厚３５ｎｍ)、第
二の磁性層(ＴbＦe、膜厚３０ｎｍ)、第三の磁性層(Ｔb
ＦeＣo)、第二の誘電体層(ＳiＮ)が順次積層されてい
る。各誘電体層としては、上記誘電体層の他に例えば、
ＡlＮ,ＳiＯ2,ＳiＯ,ＺnＳ,ＭgＦ2などの透明誘電材料
が使用できる。
【００２０】また各磁性層としては、上記磁性材料を含
む種々の磁性材料によって構成することが考えられる
が、例えば、Ｐr,Ｎd,Ｓm,Ｇd,Ｔb,Ｄy,Ｈoなどの希土
類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０ａ
ｔ％と、Ｆe,Ｃo,Ｎiなどの遷移金属の一種類あるいは
二種類以上が６０〜９０ａｔ％とで構成される希土類・
遷移金属非晶質合金によって構成し得る。また、耐食性
向上などのために、Ｃr,Ｍn,Ｃu,Ｔi,Ａl,Ｓi,Ｐt,Ｉn
などの元素を少量添加してもよい。
む種々の磁性材料によって構成することが考えられる
が、例えば、Ｐr,Ｎd,Ｓm,Ｇd,Ｔb,Ｄy,Ｈoなどの希土
類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０ａ
ｔ％と、Ｆe,Ｃo,Ｎiなどの遷移金属の一種類あるいは
二種類以上が６０〜９０ａｔ％とで構成される希土類・
遷移金属非晶質合金によって構成し得る。また、耐食性
向上などのために、Ｃr,Ｍn,Ｃu,Ｔi,Ａl,Ｓi,Ｐt,Ｉn
などの元素を少量添加してもよい。
【００２１】以上のようにして作製した光磁気記録媒体
に情報を記録し、光磁気ディスク記録再生装置の光学系
に加熱用レーザーを付加した測定装置を用いてＣ／Ｎ比
(キャリアレベル対ノイズレベルの比)を測定した。記録
情報は、レーザーパワー(記録パワー)４.０ｍＷ(λ＝６
８０ｎｍ,ＮＡ＝０.５５)のレーザー光を照射しながら
外部磁界２００Ｏｅを変調して、ディスク回転速度２ｍ
／ｓｅｃ、記録周波数５ＭＨｚでキャリア信号を書込ん
だ。
に情報を記録し、光磁気ディスク記録再生装置の光学系
に加熱用レーザーを付加した測定装置を用いてＣ／Ｎ比
(キャリアレベル対ノイズレベルの比)を測定した。記録
情報は、レーザーパワー(記録パワー)４.０ｍＷ(λ＝６
８０ｎｍ,ＮＡ＝０.５５)のレーザー光を照射しながら
外部磁界２００Ｏｅを変調して、ディスク回転速度２ｍ
／ｓｅｃ、記録周波数５ＭＨｚでキャリア信号を書込ん
だ。
【００２２】情報の再生は、λ＝６８０ｎｍ,ＮＡ＝０.
５５、レーザーパワー(再生パワー)２.０ｍＷで行った
場合、５２ｄＢのＣ／Ｎ比(図４,５参照)が得られた。
このとき、記録パワー、再生パワーは、Ｃ／Ｎ比が最大
値を示したときの値を設定している。図４および図５
は、それぞれ第一の磁性層、および第二の磁性層の膜厚
に対するＣ／Ｎ比の依存性を示すグラフ図である。
５５、レーザーパワー(再生パワー)２.０ｍＷで行った
場合、５２ｄＢのＣ／Ｎ比(図４,５参照)が得られた。
このとき、記録パワー、再生パワーは、Ｃ／Ｎ比が最大
値を示したときの値を設定している。図４および図５
は、それぞれ第一の磁性層、および第二の磁性層の膜厚
に対するＣ／Ｎ比の依存性を示すグラフ図である。
【００２３】［実施例２］第一の磁性層の膜厚を１０ｎ
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４７ｄＢ(図４参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４７ｄＢ(図４参照)を示し
た。
【００２４】［実施例３］第一の磁性層の膜厚を２０ｎ
ｍ、記録パワー３.８ｍＷ、再生パワー１.９ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５０ｄＢ(図４参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー３.８ｍＷ、再生パワー１.９ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５０ｄＢ(図４参照)を示し
た。
【００２５】［実施例４］第一の磁性層の膜厚を４０ｎ
ｍ、記録パワー４.０ｍＷ、再生パワー２.０ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢ(図４参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー４.０ｍＷ、再生パワー２.０ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢ(図４参照)を示し
た。
【００２６】［実施例５］第一の磁性層の膜厚を５０ｎ
ｍ、記録パワー４.３ｍＷ、再生パワー２.１ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４８ｄＢ(図４参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー４.３ｍＷ、再生パワー２.１ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４８ｄＢ(図４参照)を示し
た。
【００２７】［比較例１］第一の磁性層の膜厚を８ｎ
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４１ｄＢ(図４参照)を示し
た。ここで、実施例１〜５と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、移動層の膜厚を薄くすることによ
り、移動層からの信号の寄与が減少するとともに、メモ
リ層からの反射光が再生信号に影響を及ぼしていること
が原因と考えられる。後者に関しては、再生信号波形か
らも確認されており、メモリ層からの反射光による信号
振幅は磁壁移動層からの信号振幅のおよそ１５％程度を
占めていた。
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４１ｄＢ(図４参照)を示し
た。ここで、実施例１〜５と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、移動層の膜厚を薄くすることによ
り、移動層からの信号の寄与が減少するとともに、メモ
リ層からの反射光が再生信号に影響を及ぼしていること
が原因と考えられる。後者に関しては、再生信号波形か
らも確認されており、メモリ層からの反射光による信号
振幅は磁壁移動層からの信号振幅のおよそ１５％程度を
占めていた。
【００２８】［比較例２］第一の磁性層の膜厚を５５ｎ
ｍ、記録パワー４.３ｍＷ、再生パワー２.１ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４３ｄＢ(図４参照)を示し
た。ここで、実施例１〜５と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、移動層の膜厚を厚くすることによ
り、メモリ層から移動層への記録磁区の転写が不十分に
なっているということが原因と考えられる。
ｍ、記録パワー４.３ｍＷ、再生パワー２.１ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４３ｄＢ(図４参照)を示し
た。ここで、実施例１〜５と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、移動層の膜厚を厚くすることによ
り、メモリ層から移動層への記録磁区の転写が不十分に
なっているということが原因と考えられる。
【００２９】［実施例６］第二の磁性層の膜厚を５ｎ
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４９ｄＢ(図５参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４９ｄＢ(図５参照)を示し
た。
【００３０】［実施例７］第二の磁性層の膜厚を１０ｎ
ｍ、記録パワー３.８ｍＷ、再生パワー１.９ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢ(図５参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー３.８ｍＷ、再生パワー１.９ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢ(図５参照)を示し
た。
【００３１】［実施例８］第二の磁性層の膜厚を４０ｎ
ｍ、記録パワー４.３ｍＷ、再生パワー２.１ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢ(図５参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー４.３ｍＷ、再生パワー２.１ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢ(図５参照)を示し
た。
【００３２】［実施例９］第二の磁性層の膜厚を５０ｎ
ｍ、記録パワー４.５ｍＷ、再生パワー２.２ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４８ｄＢ(図５参照)を示し
た。
ｍ、記録パワー４.５ｍＷ、再生パワー２.２ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４８ｄＢ(図５参照)を示し
た。
【００３３】［比較例３］第二の磁性層の膜厚を３ｎ
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４１ｄＢ(図５参照)を示し
た。ここで、実施例６〜９と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、スイッチング層の膜厚を薄くする
ことにより、メモリ層からの反射光が再生信号に影響を
及ぼしていることが原因と考えられる。このことは再生
信号波形からも確認されており、メモリ層からの反射光
による信号振幅は磁壁移動層からの信号振幅のおよそ１
５％程度を占めていた。
ｍ、記録パワー３.５ｍＷ、再生パワー１.８ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４１ｄＢ(図５参照)を示し
た。ここで、実施例６〜９と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、スイッチング層の膜厚を薄くする
ことにより、メモリ層からの反射光が再生信号に影響を
及ぼしていることが原因と考えられる。このことは再生
信号波形からも確認されており、メモリ層からの反射光
による信号振幅は磁壁移動層からの信号振幅のおよそ１
５％程度を占めていた。
【００３４】［比較例４］第二の磁性層の膜厚を５５ｎ
ｍ、記録パワー４.８ｍＷ、再生パワー２.３ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４４ｄＢ(図５参照)を示し
た。ここで、実施例６〜９と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、スイッチング層の膜厚を厚くする
ことにより、メモリ層から移動層への記録磁区の転写が
不十分になっていることが原因と考えられる。
ｍ、記録パワー４.８ｍＷ、再生パワー２.３ｍＷにした
こと以外は実施例１と同様にして作製、および測定を行
った。このとき、Ｃ／Ｎ＝４４ｄＢ(図５参照)を示し
た。ここで、実施例６〜９と比較して、信号品質が急激
に低下しているのは、スイッチング層の膜厚を厚くする
ことにより、メモリ層から移動層への記録磁区の転写が
不十分になっていることが原因と考えられる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体によって、メモ
リ層からの反射光による信号振幅を磁壁移動層からの信
号振幅に対し十分に抑えることを可能となり、その結
果、メモリ層からの反射光の再生信号への影響が抑制さ
れ、信号品質の一段と向上したＤＷＤＤ再生方式光磁気
記録媒体が提供される。
リ層からの反射光による信号振幅を磁壁移動層からの信
号振幅に対し十分に抑えることを可能となり、その結
果、メモリ層からの反射光の再生信号への影響が抑制さ
れ、信号品質の一段と向上したＤＷＤＤ再生方式光磁気
記録媒体が提供される。
【図１】本発明における光磁気記録媒体の基本構成を示
す概念図。
す概念図。
【図２】ＤＷＤＤ再生方式の原理を示す模式説明図。
【図３】本発明の実施例および比較例における光磁気記
録媒体の構成を示す概念図。
録媒体の構成を示す概念図。
【図４】本発明の実施例および比較例における第一磁性
層の膜厚とＣ／Ｎ比との相関を示すグラフ図。
層の膜厚とＣ／Ｎ比との相関を示すグラフ図。
【図５】本発明の実施例および比較例における第二磁性
層の膜厚とＣ／Ｎ比との相関を示すグラフ図。
層の膜厚とＣ／Ｎ比との相関を示すグラフ図。
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも第一、第二、第三の磁性層が
順次積層されてなる光磁気記録媒体において、少なくと
も再生ビームスポット内の記録情報検出領域内では前記
第三の磁性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移
動度が大きな垂直磁化膜からなる第一の磁性層、および
該第一の磁性層、第三の磁性層よりもキュリー温度の低
い磁性層からなる第二の磁性層、および垂直磁化膜であ
る第三の磁性層を有する光磁気記録媒体であって、該第
三の磁性層からの再生ビームの反射光により再生信号に
対し影響を及ぼすことがないように作製されてなること
を特徴とする、光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第一の磁性層および／または第二の
磁性層が、第三の磁性層からの再生ビームの反射光によ
り再生信号に対し影響を及ぼすことがないような膜厚を
有する磁性膜からなるように作製されてなることを特徴
とする、請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記各磁性層が希土類遷移金属からなる
光磁気記録媒体であって、第一の磁性層の膜厚をＴ
(Ｒ)、第二の磁性層の膜厚をＴ(Ｓ)としたとき、Ｔ(Ｒ)
+Ｔ(Ｓ)≧４０ｎｍであることを特徴とする、請求項２
記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記第一の磁性層の膜厚Ｔ(Ｒ)が、１０
≦Ｔ(Ｒ)≦５０ｎｍであり、第二の磁性層の膜厚Ｔ(Ｓ)
が、５≦Ｔ(ｓ)≦５０ｎｍであることを特徴とする、請
求項３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記第一の磁性層の膜厚Ｔ(Ｒ)が、２０
≦Ｔ(Ｒ)≦４０ｎｍであり、第二の磁性層の膜厚Ｔ(Ｓ)
が、１０≦Ｔ(ｓ)≦４０ｎｍであることを特徴とする、
請求項３記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390198A JPH11328760A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390198A JPH11328760A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11328760A true JPH11328760A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15115758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13390198A Pending JPH11328760A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11328760A (ja) |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP13390198A patent/JPH11328760A/ja active Pending
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