JPH11326087A - センサチップの接合構造及びセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産性及び感度特性に優れたセンサチップの
接合構造を提供すること。 【解決手段】 このセンサチップ６の接合構造では、シ
リコーン接着剤１０を用いて、ダイアフラムタイプのセ
ンサチップ６がダイボンディングされる。センサチップ
６はシリコーン封止材９により封止される。シリコーン
封止材９は、シリコーン接着剤１０とは有機基の分子構
造が異なる別系統のものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、センサチップの接
合構造及びセンサの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ダイアフラムタイプの感圧センサ
チップを利用した圧力センサや加速度センサ等が多数提
案されている。

【０００３】図６（ａ）〜図６（ｃ）には、感圧センサ
チップ２１をリードフレーム２２上にダイボンディング
した状態が概略的に示されている。感圧センサチップ２
１は、肉厚の基部２１ａと肉薄のダイアフラム部２１ｂ
とを備えている。ダイアフラム部２１ｂの表面側には、
不純物拡散等の手法によって複数の歪みゲージ２３が形
成されている。これらの歪みゲージ２３は１つのブリッ
ジ回路を構成している。感圧センサチップ２１の基部２
１ａは、リードフレーム２２に対して接着剤２４を介し
てダイボンドされている。前記接着剤２４としては、熱
応力や硬化収縮応力の低減を図る必要があることから、
通常はシリコーン接着剤（具体的にはジメチルシリコー
ン系の接着剤）２４を使用することが多い。また、感圧
センサチップ２１は、ダイボンディング後にゲル状のシ
リコーン封止材（具体的にはジメチルシリコーン系の封
止材）で封止されるようになっている。

【０００４】例えばこれが加速度センサである場合に
は、加速度の変動の影響をまずシリコーンゲルが受ける
とともに、そのシリコーン封止材を介してダイアフラム
部２１ｂにその影響が波及する。すると、ダイアフラム
部２１ｂにはその加速度の大小・方向に応じた撓みが生
じ、各歪みゲージ２３の抵抗値にも変化が起こる。従っ
て、このときの抵抗値の変化に基づいて加速度が感知さ
れるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の接着
剤２４及び封止材はともにジメチルシリコーン系、つま
り同系統のものであるため、封止を行うとシリコーン接
着剤２４内にシリコーン封止材中の未硬化分（即ち液状
分子）が浸透しやすい。従って、液状分子の浸透による
シリコーン接着剤２４の膨潤量はかなり大きなものとな
る。また、シリコーン接着剤２４の膨潤は、通常、チッ
プ外周部からチップ中心部へと徐々に進行することが知
られている。

【０００６】図６（ａ）は、封止前の状態を概略的に示
している。このとき、感圧センサチップ２１の周囲にシ
リコーン封止材は存在しておらず、ダイアフラム部２１
ｂにはまだ撓みが生じていない。図６（ｂ）は、封止を
行なってから数時間経過した後の状態を概略的に示して
いる。このとき、シリコーン接着剤２４においてチップ
外周部に対応する箇所が膨潤する。図中のＡ1 は膨潤部
である。従って、ダイアフラム部２１ｂには同図のよう
な撓みが生じる。すると、歪みゲージ２３に応力が加わ
る結果、封止前の状態に比べて抵抗値が大きく変化して
しまう。図６（ｃ）は、封止を行なってから百数十時間
経過した後の状態を概略的に示している。このとき、シ
リコーン接着剤２４の膨潤は全体に及ぶ。従って、ダイ
アフラム部２１ｂは撓みのない元の状態に復帰する。よ
って、歪みゲージ２３の抵抗値も封止前の値にほぼ等し
くなる。

【０００７】つまり、従来のこの種のセンサ２１では、
抵抗値が経時的に変化すること、言い換えると感度が経
時的に変化することが不可避であった。そのため、最終
製品とする前に、加熱によって膨潤の進行を加速するこ
とにより感度変化率を早期に１％以内に収束させる、と
いう安定化処理を行なう必要があった。

【０００８】しかしながら、安定化処理には最低でも１
６時間を要するため、同処理を行なったとしても依然と
して生産性が低かった。本発明は上記の課題に鑑みてな
されたものであり、その目的は、生産性及び感度特性に
優れたセンサチップの接合構造を提供することにある。

【０００９】また、本発明の別の目的は、安定化処理を
行うことなく感度特性に優れたセンサを確実に得ること
ができるセンサの製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、シリコーン接着剤を
用いてダイアフラムタイプのセンサチップがダイボンデ
ィングされ、かつ前記シリコーン接着剤とは有機基の分
子構造が異なる別系統のシリコーン封止材により前記セ
ンサチップが封止されていることを特徴とするセンサチ
ップの接合構造をその要旨とする。

【００１１】請求項２に記載の発明では、請求項１にお
いて、前記シリコーン接着剤及び前記シリコーン封止材
の溶解度パラメータ（ＳＰ値）の差は、少なくとも１．
０以上であるとした。

【００１２】請求項３に記載の発明では、請求項１また
は２において、前記シリコーン接着剤は有機基内にハロ
ゲン原子を有する系統のものであり、前記シリコーン封
止材は有機基内にハロゲン原子を有しない系統のもので
あるとした。

【００１３】請求項４に記載の発明では、請求項３にお
いて、前記シリコーン接着剤はフルオロシリコーン系で
あり、前記シリコーン封止材はジメチルシリコーン系で
あるとした。

【００１４】請求項５に記載の発明では、ダイアフラム
タイプのセンサチップを利用したセンサの製造方法にお
いて、シリコーン接着剤を用いて前記センサチップをダ
イボンディングした後、前記シリコーン接着剤とは有機
基の分子構造が異なる別系統のシリコーン封止材によ
り、前記センサチップを封止することを特徴とするセン
サの製造方法をその要旨としている。

【００１５】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１〜４に記載の発明の作用は次の通りであ
る。シリコーン接着剤とは有機基の分子構造が異なる別
系統のシリコーン封止材を用いたことにより、封止材中
に含まれる液状分子が接着剤内に浸透しにくくなる。従
って、封止材に晒されたとしても接着剤には殆ど膨潤が
起こらない。ゆえに、封止後におけるダイアフラム部の
撓みが防止され、感度の経時的変化も未然に回避され
る。よって、安定化処理を行わなくても感度特性に優れ
たセンサチップの接合構造とすることができる。また、
安定化処理が不要になることで大幅な時間短縮が図られ
るため、生産性に優れたセンサチップの接合構造とする
ことができる。さらに、シリコーン接着剤は元来軟接着
が可能な接着剤であるため、熱応力や硬化収縮応力が緩
和され、結果としてダイアフラム部の撓みが防止され
る。ここで軟接着が可能な接着剤とは、硬化後に弾性体
となる性質を有するため、センサチップをダイエリアに
対して弾性的に接着することができる接着剤のことを指
している。

【００１６】請求項２に記載の発明によると、シリコー
ン接着剤及びシリコーン封止材のＳＰ値に一定以上の差
を設けておくことにより、両者間での溶解性を低く保つ
ことができる。よって、接着剤内に液状分子がより浸透
しにくくなり、接着剤の膨潤を確実に防止することがで
きる。

【００１７】請求項３に記載の発明によると、シリコー
ン接着剤及びシリコーン封止材における有機基の分子構
造が大きく異なるものとなるので、封止材中に含まれる
液状分子が接着剤内に浸透しにくくなる。従って、接着
剤内に液状分子がより浸透しにくくなり、接着剤の膨潤
を確実に防止することができる。

【００１８】請求項４に記載の発明によると、ＳＰ値の
差が２．１という大きな値になるので、両者間での溶解
性を極めて低く保つことができる。また、接着剤に比較
して多量に使用さる封止材を廉価なジメチルシリコーン
系とすることにより、高コスト化が防止される。この場
合、前記シリコーン封止材をゲル状物とすれば、液状物
を用いたときの「おどり現象」が回避される結果、感度
特性の向上を図ることができる。

【００１９】請求項５に記載の発明によると、シリコー
ン接着剤とは有機基の分子構造が異なる別系統のシリコ
ーン封止材を用いたことにより、封止材中に含まれる液
状分子が接着剤内に浸透しにくくなる。従って、封止材
に晒されたとしても接着剤には殆ど膨潤が起こらない。
ゆえに、封止後におけるダイアフラム部の撓みが防止さ
れ、感度の経時的変化も未然に回避される。よって、安
定化処理を行わなくても感度特性に優れたセンサを確実
に得ることができる。また、安定化処理が不要になるこ
とで大幅な時間短縮が図られるため、生産性も確実に向
上する。さらに、シリコーン接着剤は軟接着が可能な接
着剤であるため、熱応力や硬化収縮応力が緩和され、ダ
イアフラム部の撓みが防止される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を加速度センサの製
造方法に具体化した一実施の形態を図１〜図５に基づき
詳細に説明する。

【００２１】図１には、本実施形態の加速度センサ１が
示されている。この加速度センサ１は、いわゆるプラス
ティックモールドパッケージの形態を採っている。即
ち、プラスティックからなるモールド材２によって、リ
ードフレーム３をモールドした構成となっている。リー
ドフレーム３はダイパッド４，５を有している。ダイパ
ッド４には感圧センサチップ６がダイボンディングさ
れ、ダイパッド５には信号処理用のＩＣチップ７がダイ
ボンディングされている。リードフレーム３のインナー
リード部３ａはダイパッド４，５を包囲している。リー
ドフレーム３のアウターリード部３ｂは、モールド材２
から突出しており、外部接続端子として使用されるよう
になっている。

【００２２】モールド材２の一部には有底筒状のゲル収
容部８が形成されている。前記ダイパッド４は、ゲル収
容部８の底面中央部に位置している。そして、このゲル
収容部８内の空間には、ゲル状のシリコーン封止材９が
充填されている。その結果、ダイパッド４に搭載された
感圧センサチップ６の封止が図られている。なお、シリ
コーン封止材９は加速度を感圧センサチップ６に伝達す
る媒体としての役割も果たす。

【００２３】図２に概略的に示されるように、感圧セン
サチップ６は、肉厚の基部６ａと肉薄のダイアフラム部
６ｂとを備えている。ダイアフラム部６ｂの表面側に
は、不純物拡散等の手法によって複数の歪みゲージ１１
が形成されている。これらの歪みゲージ１１は１つのブ
リッジ回路を構成している。ブリッジ回路からの出力信
号は、信号処理用のＩＣチップ７において処理された後
にセンサ外部に出力されるようになっている。そして、
感圧センサチップ６の基部６ａは、リードフレーム３の
ダイパッド４に対してシリコーン接着剤１０を介してダ
イボンドされている。

【００２４】本実施形態において用いられるシリコーン
接着剤１０及びシリコーン封止材９は、互いに有機基の
分子構造が異なる別系統のシリコーンからなるものであ
る必要がある。これを図５に基づき具体的に説明する。

【００２５】図５には、シリコーンの分子構造式が示さ
れている。シリコーンはジオルガノシロキサン単位が高
度に重合してなるものである。つまり、１つのシロキサ
ン単位中に２つの有機基を有した構造となっている。

【００２６】図５においてＲで表わされる有機基として
は、例えばメチル基、ビニル基、フェニル基、エチル
基、プロピル基等のように基内にハロゲン原子を有しな
いもののほか、トリフルオロプロピル基、トリクロロプ
ロピル基等のように基内にハロゲン原子を有するものが
挙げられる。シロキサン単位中には２つの有機基がある
ことから、これをもとにすると１つのシロキサン単位に
おけるＲの組み合わせとしては次のようなものが考えら
れる。即ち、 １）メチル基−メチル基、２）メチル基−ビニル基、
３）メチル基−フェニル基、４）メチル基−エチル基、
５）メチル基−プロピル基、６）メチル基−トリフルオ
ロプロピル基、７）メチル基−トリクロロプロピル基、
８）ビニル基−ビニル基、９）ビニル基−フェニル基、
１０）ビニル基−エチル基、１１）ビニル基−プロピル
基、１２）ビニル基−トリフルオロプロピル基、１３）
ビニル基−トリクロプロピル基、１４）フェニル基−フ
ェニル基、１５）フェニル基−エチル基、１６）フェニ
ル基−プロピル基、１７）フェニル基−トリフルオロプ
ロピル基、１８）フェニル基−トリクロプロピル基、１
９）エチル基−エチル基、２０）エチル基−プロピル
基、２１）エチル基−トリフルオロプロピル基、２２）
エチル基−トリクロプロピル基、２３）プロピル基−プ
ロピル基、２４）プロピル基−トリフルオロプロピル
基、２５）プロピル基−トリクロプロピル基、２６）ト
リフルオロプロピル基−トリフルオロプロピル基、２
７）トリフルオロプロピル基−トリクロロプロピル基、
２８）トリクロロプロピル基−トリクロロプロピル基、
という各種の組み合わせである。

【００２７】上記の１）〜２８）をそれぞれ系統の異な
るものであると定義すると、接着剤１０用のシリコーン
（便宜上Ｓ1 とする。）及び封止材９用のシリコーン
（便宜上Ｓ2 とする。）は、それら２８種の中から任意
の２つを選択して組み合わせればよいことになる。つま
り、Ｓ1 −Ｓ2 ：１−２、１−３、１−４・・・、１−
２８、２−２、２−３、２−４・・・、２−２８、３−
１・・・、２６−２７、２６−２８、２７−２８、のご
とくである。

【００２８】なお、シリコーン接着剤１０及びシリコー
ン封止材９のＳＰ値の差は、少なくとも１．０以上、よ
り好ましくは１．５以上、特に好ましくは２．０以上で
あることがよい。ＳＰ値が小さすぎると、シリコーン接
着剤１０及びシリコーン封止材９間での溶解性を低く保
てなくなり、シリコーン接着剤１０内への液状分子の浸
透を有効に阻止することができなくなる。従って、シリ
コーン接着剤１０の膨潤を防止することができなくなる
からである。

【００２９】以上の事情に鑑みて本実施形態では、具体
的には有機基Ｒ内にハロゲン原子を有するフルオロシリ
コーン系のもの（上記６のもの）を、接着剤１０として
用いている。また、有機基Ｒ内にハロゲン原子を有しな
いジメチルシリコーン系のもの（上記１のもの）を、封
止材９として用いている。なお、フルオロシリコーン系
の接着剤１０のＳＰ値は９．６であり、ジメチルシリコ
ーン系の封止材９のＳＰ値は７．５である。ゆえに、両
者のＳＰ値の差は２．１という大きな値になっている。

【００３０】上記の加速度センサ１では、加速度の変動
の影響をまずゲル状のシリコーン封止材９が受けるとと
もに、そのシリコーン封止材９を介してダイアフラム部
６ｂにその影響が波及する。すると、ダイアフラム部６
ｂにはその加速度の大小・方向に応じた撓みが生じる。
より具体的にいうと、図１において加速度センサ１が上
側から下側に向かって加速されたとき（正圧時）には、
ダイアフラム部６ｂは下面側に撓むようになる。図１に
おいて加速度センサ１が下側から上側に向かって加速さ
れたとき（負圧時）には、ダイアフラム部６ｂは上面側
に撓むようになる。このような撓みが生じると、各歪み
ゲージ１１の抵抗値にも変化が起こる。従って、このと
きの抵抗値の変化に基づいて加速度が感知されるように
なっている。

【００３１】次に、図１の加速度センサ１を製造する手
順について説明する。まず、４２アロイ等の導電性金属
板をプレス加工またはエッチング加工することによっ
て、所定パターンを備えるリードフレーム３を製造す
る。

【００３２】リードフレーム製造工程の後、従来公知の
方法によりダイパッド５上に接着剤を塗布する。塗布方
法としては転写法またはディスペンス法がある。前記塗
布工程の後、リードフレーム３をダイボンダにセットし
て、ＩＣチップ７をダイパッド５上にダイボンディング
する。この後、接着剤を熱硬化させ、ＩＣチップ７をダ
イパッド５上に完全に接着する。

【００３３】ダイボンディング工程の後、リードフレー
ム３をワイヤボンダにセットして、第１回めのワイヤボ
ンディングを行う。その結果、複数本のボンディングワ
イヤを介して、ＩＣチップ７がインナーリード部３ａに
電気的に接続される。

【００３４】第１回めのワイヤボンディング工程の後、
リードフレーム３を成形用金型内にセットして、モール
ド材２によるモールドを行う。モールドを行うと、ＩＣ
チップ７は完全にモールド材２の中に封入されてしま
う。一方、ダイパッド４の周囲にはゲル収容部８が形成
される。

【００３５】モールド工程の後、上記従来公知の方法に
よりダイパッド４上に液状（即ち未硬化状態）のシリコ
ーン接着剤１０を所定厚さに塗布する。このとき、塗布
厚は数十μｍ程度に設定される。塗布工程の後、リード
フレーム３をダイボンダにセットして、感圧センサチッ
プ６をダイパッド４上にダイボンディングする。この
後、シリコーン接着剤１０を所定温度に加熱することに
より熱硬化を行う。従って、シリコーン接着剤１０には
熱硬化性が付与されていることが望ましい。そして、こ
のような熱硬化処理を行うと、シリコーン接着剤１０の
流動性が失われて弾性体化する。その結果、感圧センサ
チップ６がダイパッド４に対して軟接着される。

【００３６】ダイボンディング工程後、リードフレーム
３をワイヤボンダにセットして、第２回めのワイヤボン
ディングを行う。その結果、複数本のボンディングワイ
ヤを介して、感圧センサチップ６がインナーリード部３
ａに電気的に接続される。

【００３７】第２回めのワイヤボンディング工程の後、
ゲル収容部８内にシリコーン封止材９を充填し、感圧セ
ンサチップ６をそのシリコーン封止材９によって完全に
封止する。そして、ゲル充填工程の後、アウターリード
部３ｂを略Ｌ字状に屈曲させるリードフォーミング工程
を実施する。勿論、それ以前の時点においてリードフォ
ーミング工程を実施しても構わない。以上の結果、図１
に示す所望の加速度センサ１を得ることができる。

【００３８】図４は、封止工程を完了してからの経過時
間（時間）と、封止工程実施前の感度を基準とした場合
の感度変化率（％）との関係を示したグラフである。同
グラフにおいて、黒塗りの四角（■）は、上記フルオロ
シリコーン系の接着剤１０と、ジメチルシリコーン系の
封止材９とを組み合わせて使用した実施形態の加速度セ
ンサ１（サンプル１）における負圧時のデータをプロッ
トしたものである。

【００３９】白抜きの四角（□）は、上記フルオロシリ
コーン系の接着剤１０と、ジメチルシリコーン系の封止
材９とを組み合わせて使用した実施形態の加速度センサ
１（サンプル２）における正圧時のデータをプロットし
たものである。

【００４０】一方、黒塗りの丸（●）は、ジメチルシリ
コーン系の接着剤と、ジメチルシリコーン系の封止材９
とを組み合わせて使用した従来の加速度センサ（サンプ
ル３）における負圧時のデータをプロットしたものであ
る。

【００４１】白抜きの丸（○）は、ジメチルシリコーン
系の接着剤と、ジメチルシリコーン系の封止材９とを組
み合わせて使用した従来の加速度センサ（サンプル４）
における正圧時のデータをプロットしたものである。

【００４２】図４のグラフによると、比較例である従来
の加速度センサ（サンプル３，４）では、感度変化率は
封止工程実施直後から急激に増大し、２０時間経過後に
おいて約５．６％というピーク値を記録した。その後、
感度変化率は減少傾向に転じ、約１５０時間を経過した
段階でようやく１％以内の値に落ち着くことがわかっ
た。即ち、感度の経時的変化が起こることがあらためて
確認された。

【００４３】それに対して実施形態の加速度センサ１
（サンプル１，２）では、感度変化率の顕著な増大は確
認されず、数百時間にわたって感度変化率が１％以内に
抑えられることがわかった。即ち、感度の経時的変化が
起こらないことが裏付けられる結果となった。

【００４４】なお、図３のグラフには、温度（℃）と感
度変化率（％）との関係が示されている。ここでは室温
（２５℃）の値を基準（０％）としている。同グラフに
よると、温度が高くなるほど感度変化率がマイナス側に
推移し、温度が低くなるほど感度変化率がプラス側に推
移する傾向が、４種のサンプル全てについて確認され
た。もっとも、実施形態であるサンプル１，２のほう
が、比較例であるサンプル３，４に比べて高温における
感度変化率が小さくなる傾向がみられた。

【００４５】さて、以下に本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 （１）本実施形態の加速度センサ１では、シリコーン接
着剤１０とは有機基の分子構造が異なる別系統のシリコ
ーン封止材９を用いているため、封止材９中に含まれる
液状分子が接着剤１０内に浸透しにくくなっている。従
って、シリコーン封止材９に晒されたとしてもシリコー
ン接着剤１０には殆ど膨潤が起こらない。ゆえに、封止
後におけるダイアフラム部６ｂの撓みが防止され、感度
の経時的変化も未然に回避される。よって、安定化処理
を行わなくても感度特性に優れたセンサチップ１の接合
構造とすることができる。また、安定化処理が不要にな
ることで大幅な時間短縮が図られるため、生産性に優れ
たセンサチップ１の接合構造とすることができる。さら
に、シリコーン接着剤１０は元来軟接着が可能なもので
あるため、熱応力や硬化収縮応力が緩和され、結果とし
てダイアフラム部６ｂの撓みが防止される。

【００４６】（２）本実施形態の加速度センサ１では、
シリコーン接着剤１０及びシリコーン封止材９のＳＰ値
に一定以上の差を設けているため、両者間での溶解性を
低く保つことができる。よって、シリコーン接着剤１０
内に液状分子がより浸透しにくくなり、シリコーン接着
剤１０の膨潤を確実に防止することができる。勿論、こ
のことはダイアフラム部６ｂにおける撓み発生の防止、
ひいては安定化処理の省略による生産性の向上に寄与す
る。

【００４７】特に本実施形態では、シリコーン接着剤１
０をフルオロシリコーン系とし、かつシリコーン封止材
９をジメチルシリコーン系としているので、ＳＰ値の差
が２．１という大きな値になっている。ゆえに、両者間
での溶解性を極めて低く保つことができる。また、接着
剤１０に比較して多量に使用さる封止材９を廉価なジメ
チルシリコーン系とすることにより、加速度センサ１の
高コスト化を防止することができる。

【００４８】（３）本実施形態の加速度センサ１では、
シリコーン封止材９をゲル状物としている。そのため、
シリコーンオイル等の液状物を用いたときのような「お
どり現象」、即ち加速度印加時にオイルの振動が一定時
間継続してしまう現象を確実に回避することができる。
従って、加速度センサ１の感度特性の向上を図ることが
できる。

【００４９】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 前記実施形態において使用したフルオロシリコーン
系の接着剤１０には、少量であれば、上記６のもの以外
のシロキサン単位が共重合されていても構わない。同様
に、前記実施形態において使用したジメチルシリコーン
系の封止材９には、少量であれば、上記１のもの以外の
シロキサン単位が共重合されていても構わない。

【００５０】・ シリコーン封止材９は実施形態のよう
なゲル状物に限定されることはなく、例えばシリコーン
オイル等の液状物であってもよい。 ・ ブリッジ回路を構成する抵抗体である歪みゲージ１
１は、不純物拡散以外の手法によって形成されたもので
あっても勿論よい。例えば、印刷法や貼付法などにより
形成された抵抗体によってブリッジ回路を構成してもよ
い。

【００５１】・ 前記実施形態はリードフレーム３に感
圧センサチップ６を軟接着する場合について例示した
が、リードフレーム３に代えて例えばアルミナ基板等の
セラミックス基板に感圧センサチップ６を軟接着する場
合に具体化しても同様の作用効果が得られる。

【００５２】・ 前記実施形態では本発明を加速度セン
サ１の製造方法として具体化したが、その他にも例えば
センサチップ６を使用した圧力センサの製造方法として
具体化することも勿論許容される。

【００５３】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１において、前記シリコーン接着剤及び
前記シリコーン封止材の溶解度パラメータ（ＳＰ値）の
差は、少なくとも１．５以上（好ましくは２．０以上）
であることを特徴とするセンサチップの接合構造。従っ
て、この技術的思想１に記載の発明によれば、極めて生
産性に優れ、かつ感度特性に優れたセンサチップの接合
構造を提供することができる。

【００５４】（２） 請求項１または２において、前記
シリコーン封止材は、メチルシリコーン系、エチルシリ
コーン系、プロピルシリコーン系及びビニルシリコーン
系から選択される１つであることを特徴とするセンサチ
ップの接合構造。

【００５５】（３） 請求項１または２において、前記
シリコーン封止材はジメチルシリコーン系であることを
特徴とするセンサチップの接合構造。従って、この技術
的思想２に記載の発明によれば、高コスト化を防止する
ことができる。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜４に記
載の発明によれば、生産性及び感度特性に優れたセンサ
チップの接合構造を提供することができる。

【００５７】請求項２，３に記載の発明によれば、接着
剤の膨潤が確実に防止される結果、より生産性に優れた
ものとすることができる。請求項４に記載の発明によれ
ば、よりいっそうの生産性の向上及び高コスト化の防止
を図ることができる。

【００５８】請求項５に記載の発明によれば、安定化処
理を行うことなく感度特性に優れたセンサを確実に得る
ことが可能なセンサの製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施形態の加速度センサを示す断面図。

【図２】前記加速度センサの感圧センサチップをダイパ
ッドに接着した状態を概略的に示した断面図。

【図３】温度と感度変化率との関係を示したグラフ。

【図４】経過時間と感度変化率との関係を示したグラ
フ。

【図５】シリコーンの分子構造を説明するための構造
式。

【図６】（ａ）は封止前の状態を概略的に示した断面
図、（ｂ）は封止を行なってから数時間経過した後の状
態を概略的に示した断面図、（ｃ）は封止を行なってか
ら百数十時間経過した後の状態を概略的に示した断面
図。

【符号の説明】

１…センサとしての加速度センサ、６…センサチップと
しての感圧センサチップ、９…シリコーン封止材、１０
…シリコーン接着剤。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコーン接着剤を用いてダイアフラムタ
   イプのセンサチップがダイボンディングされ、かつ前記
   シリコーン接着剤とは有機基の分子構造が異なる別系統
   のシリコーン封止材により前記センサチップが封止され
   ていることを特徴とするセンサチップの接合構造。
2. 【請求項２】前記シリコーン接着剤及び前記シリコーン
   封止材の溶解度パラメータ（ＳＰ値）の差は、少なくと
   も１．０以上であることを特徴とする請求項１に記載の
   センサチップの接合構造。
3. 【請求項３】前記シリコーン接着剤は有機基内にハロゲ
   ン原子を有する系統のものであり、前記シリコーン封止
   材は有機基内にハロゲン原子を有しない系統のものであ
   ることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサチ
   ップの接合構造。
4. 【請求項４】前記シリコーン接着剤はフルオロシリコー
   ン系であり、前記シリコーン封止材はジメチルシリコー
   ン系であることを特徴とする請求項３に記載のセンサチ
   ップの接合構造。
5. 【請求項５】ダイアフラムタイプのセンサチップを利用
   したセンサの製造方法において、 シリコーン接着剤を用いて前記センサチップをダイボン
   ディングした後、前記シリコーン接着剤とは有機基の分
   子構造が異なる別系統のシリコーン封止材により、前記
   センサチップを封止することを特徴とするセンサの製造
   方法。