JP2001116644A - 半導体式センサ - Google Patents
半導体式センサInfo
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂ケース／リード端子間の接着界面からの空
気，湿気の侵入、およびコーティング樹脂層内の気泡発
生を防止して厳しい使用環境下でも高い信頼性が確保で
きるようにする。 【解決手段】外部導出用リード端子４をインサート成形
した樹脂ケース４に半導体の感圧センサチップ１を組み
込んだ上で、センサチップとリード端子の間をボンディ
ングワイヤ５で接続するとともに、樹脂ケース内にコー
ティング樹脂６を充填してセンサチップ，ボンディング
ワイヤの周域を封止した半導体圧力センサにおいて、前
記樹脂ケース３を、エポキシ樹脂を成形材料として射出
成形することにより、樹脂ケース／端子リードの間の界
面を水素結合の働きにより密着接合させて周囲からの空
気，湿気の侵入防止を図り、使用環境温度（−４０〜１
３０℃）の変化に対しても安定した状態で使用できるよ
うにする。
気，湿気の侵入、およびコーティング樹脂層内の気泡発
生を防止して厳しい使用環境下でも高い信頼性が確保で
きるようにする。 【解決手段】外部導出用リード端子４をインサート成形
した樹脂ケース４に半導体の感圧センサチップ１を組み
込んだ上で、センサチップとリード端子の間をボンディ
ングワイヤ５で接続するとともに、樹脂ケース内にコー
ティング樹脂６を充填してセンサチップ，ボンディング
ワイヤの周域を封止した半導体圧力センサにおいて、前
記樹脂ケース３を、エポキシ樹脂を成形材料として射出
成形することにより、樹脂ケース／端子リードの間の界
面を水素結合の働きにより密着接合させて周囲からの空
気，湿気の侵入防止を図り、使用環境温度（−４０〜１
３０℃）の変化に対しても安定した状態で使用できるよ
うにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車用を中心に
各種分野に適用する半導体圧力センサ，半導体加速度セ
ンサなどを対象とした半導体式センサに関する。
各種分野に適用する半導体圧力センサ，半導体加速度セ
ンサなどを対象とした半導体式センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、本発明の実施対象となる半導体式
センサとして、表面加圧型半導体圧力センサの構成を図
１に示す。図において、１はシリコンチップの表面に半
導体歪ゲージを含む測定回路を形成した感圧センサチッ
プ、２は感圧センサチップ１を搭載して陽極接合したガ
ラス台座（スペーサ）、３は樹脂ケース、４は樹脂ケー
ス３と一体にインサート成形した外部導出用のリード端
子（リードフレーム）、５は感圧センサチップ１の回路
とリード端子４との間を内部接続したボンディングワイ
ヤ、６は感圧センサチップ１の表面，ボンデイングワイ
ヤ５を汚染物質，湿気から保護するシリコーンゲルなど
の軟質なコーティング樹脂、７は前記樹脂ケース３に結
合した導圧ポート付きキャップである。
センサとして、表面加圧型半導体圧力センサの構成を図
１に示す。図において、１はシリコンチップの表面に半
導体歪ゲージを含む測定回路を形成した感圧センサチッ
プ、２は感圧センサチップ１を搭載して陽極接合したガ
ラス台座（スペーサ）、３は樹脂ケース、４は樹脂ケー
ス３と一体にインサート成形した外部導出用のリード端
子（リードフレーム）、５は感圧センサチップ１の回路
とリード端子４との間を内部接続したボンディングワイ
ヤ、６は感圧センサチップ１の表面，ボンデイングワイ
ヤ５を汚染物質，湿気から保護するシリコーンゲルなど
の軟質なコーティング樹脂、７は前記樹脂ケース３に結
合した導圧ポート付きキャップである。
【０００３】かかる半導体圧力センサの動作原理は周知
であり、被測定圧がキャップ７の導圧ポートを通じて感
圧センサチップ１の表面に加わると、感圧センサチップ
１に形成した肉薄なダイヤフラム部１ａが変形して半導
体歪ゲージのゲージ抵抗値が変化し、被測定圧力に相応
した電気信号がリード端子４より外部回路に取り出され
る。
であり、被測定圧がキャップ７の導圧ポートを通じて感
圧センサチップ１の表面に加わると、感圧センサチップ
１に形成した肉薄なダイヤフラム部１ａが変形して半導
体歪ゲージのゲージ抵抗値が変化し、被測定圧力に相応
した電気信号がリード端子４より外部回路に取り出され
る。
【０００４】次に、半導体式センサの別な例として、半
導体加速度センサの構成を図２に示す。図において、８
はセンサチップであり、該シリコンチップにはカンチレ
バー部８ａ，梁部８ｂが作られ、梁部８ｂには半導体歪
ゲージ８ｃが形成されている。このセンサチップ８は、
その上下面にガラスカバー９，ガラス台座１０を陽極接
合してセンサユニットを構成しており、かつセンサユニ
ットは樹脂ケース１１に収容し、さらに樹脂ケース１１
と一体にインサート成形されたリード端子１２（リード
フレーム）とチップ表面に形成したボンディングパット
との間をボンデイングワイヤ１３により接続している。
なお、センサチップ８，およびボンデイングワイヤ１３
はその周域に充填したＪＣＲ（Junction Coating Resi
n) などのコーティング樹脂１４により封止して保護さ
れている。また、樹脂ケース１１の上面には樹脂キャッ
プ１５を被着している。
導体加速度センサの構成を図２に示す。図において、８
はセンサチップであり、該シリコンチップにはカンチレ
バー部８ａ，梁部８ｂが作られ、梁部８ｂには半導体歪
ゲージ８ｃが形成されている。このセンサチップ８は、
その上下面にガラスカバー９，ガラス台座１０を陽極接
合してセンサユニットを構成しており、かつセンサユニ
ットは樹脂ケース１１に収容し、さらに樹脂ケース１１
と一体にインサート成形されたリード端子１２（リード
フレーム）とチップ表面に形成したボンディングパット
との間をボンデイングワイヤ１３により接続している。
なお、センサチップ８，およびボンデイングワイヤ１３
はその周域に充填したＪＣＲ（Junction Coating Resi
n) などのコーティング樹脂１４により封止して保護さ
れている。また、樹脂ケース１１の上面には樹脂キャッ
プ１５を被着している。
【０００５】かかる構成でセンサチップ８に加速度が加
わると、歪ゲージ８ｃのゲージ抵抗値が変化して加速度
に相当する電気信号を検出することは周知の通りであ
る。ここで、従来における半導体圧力センサ，半導体加
速度センサの製品では、前記した樹脂ケース３，１１
は、いずれもＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド），
ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の熱可塑性樹
脂のモールド成形品として作られている。
わると、歪ゲージ８ｃのゲージ抵抗値が変化して加速度
に相当する電気信号を検出することは周知の通りであ
る。ここで、従来における半導体圧力センサ，半導体加
速度センサの製品では、前記した樹脂ケース３，１１
は、いずれもＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド），
ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の熱可塑性樹
脂のモールド成形品として作られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した半
導体式センサについて、その樹脂ケース３，１１をＰＰ
Ｓ，ＰＢＴ等の熱可塑性樹脂で成形した従来製品では耐
使用環境性，信頼性の面で次に記すような問題点があ
る。すなわち、 (1) 樹脂ケースの成形材料であるＰＰＳ，ＰＢＴ樹脂は
末端に極性基を持たず、化学的に安定した状態にあるこ
とから、樹脂ケースと一体にインサート成形されたリー
ド端子の表面と樹脂の間の界面はミクロ的に見ると、図
３(a) で表すように表面の凹凸面が物理的に重なり合っ
たアンカー効果が働くだけで、水素結合が働かないため
に十分な接合性が得られない。しかも、樹脂ケース３，
１１の成形硬化後の樹脂収縮，およびリード端子４，１
２との線膨張係数差に起因してヒートサイクルが加わる
と両者間の接合界面には微小な隙間ｇが発生する。この
ために、図１に示した半導体圧力センサにおいては、加
圧，減圧を繰り返すサイクル試験などで急激な負圧が加
わると、図示のように樹脂ケース３とリードフレーム４
との接触界面に残る微小な隙間ｇを通じて外部から空
気，湿気が吸引されて樹脂ケース内に侵入し、ゲル状コ
ーティング樹脂６の層内に気泡を生成する。しかも、感
圧センサチップ１の表面に負庄が繰り返し加わるとコー
ティング樹脂層内に生成した気泡が成長し、これが原因
でボンデイングワイヤ５が腐食を受けて断線することが
あるほか、圧力センサに導入した被測定圧力が正しく感
圧センサチップ１に伝達されなくなって圧力センサの測
定特性にも悪影響を及ぼすといった問題がある。また、
半導体加速度センサにおいても、周囲温度の変化などに
伴うヒートサイクルにより樹脂ケース１１とリード端子
１２との間の界面に残る隙間を通じて外部から湿気など
の水分が侵入し、これが原因でリード端子１２，ボンデ
ィングワイヤ１３を腐食させたり，断線させるといった
問題が発生する。
導体式センサについて、その樹脂ケース３，１１をＰＰ
Ｓ，ＰＢＴ等の熱可塑性樹脂で成形した従来製品では耐
使用環境性，信頼性の面で次に記すような問題点があ
る。すなわち、 (1) 樹脂ケースの成形材料であるＰＰＳ，ＰＢＴ樹脂は
末端に極性基を持たず、化学的に安定した状態にあるこ
とから、樹脂ケースと一体にインサート成形されたリー
ド端子の表面と樹脂の間の界面はミクロ的に見ると、図
３(a) で表すように表面の凹凸面が物理的に重なり合っ
たアンカー効果が働くだけで、水素結合が働かないため
に十分な接合性が得られない。しかも、樹脂ケース３，
１１の成形硬化後の樹脂収縮，およびリード端子４，１
２との線膨張係数差に起因してヒートサイクルが加わる
と両者間の接合界面には微小な隙間ｇが発生する。この
ために、図１に示した半導体圧力センサにおいては、加
圧，減圧を繰り返すサイクル試験などで急激な負圧が加
わると、図示のように樹脂ケース３とリードフレーム４
との接触界面に残る微小な隙間ｇを通じて外部から空
気，湿気が吸引されて樹脂ケース内に侵入し、ゲル状コ
ーティング樹脂６の層内に気泡を生成する。しかも、感
圧センサチップ１の表面に負庄が繰り返し加わるとコー
ティング樹脂層内に生成した気泡が成長し、これが原因
でボンデイングワイヤ５が腐食を受けて断線することが
あるほか、圧力センサに導入した被測定圧力が正しく感
圧センサチップ１に伝達されなくなって圧力センサの測
定特性にも悪影響を及ぼすといった問題がある。また、
半導体加速度センサにおいても、周囲温度の変化などに
伴うヒートサイクルにより樹脂ケース１１とリード端子
１２との間の界面に残る隙間を通じて外部から湿気など
の水分が侵入し、これが原因でリード端子１２，ボンデ
ィングワイヤ１３を腐食させたり，断線させるといった
問題が発生する。
【０００７】(2) また、従来の樹脂ケース３，１１の成
形材料に使用されているＰＰＳ，ＰＢＴ等の熱可塑性樹
脂はガラス転移温度が１００℃以下であり、車載用など
に適用する場合には周囲温度（−４０〜１３０℃）の変
動に伴う樹脂の熱膨張係数，力学的性質の変化に起因す
る熱的ストレスの影響が懸念される。本発明は上記の点
に鑑みなされたものであり、樹脂ケースと金属製のリー
ド端子との間を確実に密着接合させて樹脂ケース／リー
ド端子間の界面に隙間が発生するのを抑え、樹脂ケース
内への空気，湿気の侵入，およびコーティング樹脂層内
の気泡発生を防ぎ、厳しい使用環境下でも高い信頼性が
確保できるようにした半導体圧力センサ，半導体加速度
センサなどを対象とする半導体式センサを提供すること
を目的とする。
形材料に使用されているＰＰＳ，ＰＢＴ等の熱可塑性樹
脂はガラス転移温度が１００℃以下であり、車載用など
に適用する場合には周囲温度（−４０〜１３０℃）の変
動に伴う樹脂の熱膨張係数，力学的性質の変化に起因す
る熱的ストレスの影響が懸念される。本発明は上記の点
に鑑みなされたものであり、樹脂ケースと金属製のリー
ド端子との間を確実に密着接合させて樹脂ケース／リー
ド端子間の界面に隙間が発生するのを抑え、樹脂ケース
内への空気，湿気の侵入，およびコーティング樹脂層内
の気泡発生を防ぎ、厳しい使用環境下でも高い信頼性が
確保できるようにした半導体圧力センサ，半導体加速度
センサなどを対象とする半導体式センサを提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明によれば、外部導出用リード端子をインサ
ート成形した樹脂ケースに半導体センサチップを組み込
んだ上で、センサチップとリード端子の間をボンディン
グワイヤで接続するとともに、樹脂ケース内にコーティ
ング樹脂を充填してセンサチップ，ボンディングワイヤ
の周域を封止した半導体式センサにおいて、前記樹脂ケ
ースを、エポキシ樹脂を成形材料として射出成形法によ
り成形するものとする。
めに、本発明によれば、外部導出用リード端子をインサ
ート成形した樹脂ケースに半導体センサチップを組み込
んだ上で、センサチップとリード端子の間をボンディン
グワイヤで接続するとともに、樹脂ケース内にコーティ
ング樹脂を充填してセンサチップ，ボンディングワイヤ
の周域を封止した半導体式センサにおいて、前記樹脂ケ
ースを、エポキシ樹脂を成形材料として射出成形法によ
り成形するものとする。
【０００９】かかる構成により、半導体圧力センサにお
いては、エポキシ樹脂の射出成形品としてなる樹脂ケー
スと該ケースと一体にインサート成形されたリード端子
との間の界面には化学結合の一種である水素結合の働き
によってその接合界面の全域が密着接合された状態とな
る。これにより、圧力センサに負圧が作用した場合で
も、樹脂ケースとリード端子との間の界面を通して周囲
から樹脂ケースの内部に空気，湿気が侵入することがな
く、樹脂ケース内に充填したコーティング樹脂層に気泡
の発生を防止することができ、この気泡発生に起因する
ボンデイングワイヤーの腐食，断線、および被測定圧に
対する感圧ダイヤフラムの動特性低下を確実に防止でき
る。また、半導体加速度センサにおいても、樹脂ケース
（エポキシ樹脂製）とリード端子との間が密着接合され
ているので、ヒートサイクルが加わっても外部から湿気
が侵入することがなく、これによりリード端子，ボンデ
ィングワイヤの腐食を防止して使用環境の変化に対する
信頼性が向上する。
いては、エポキシ樹脂の射出成形品としてなる樹脂ケー
スと該ケースと一体にインサート成形されたリード端子
との間の界面には化学結合の一種である水素結合の働き
によってその接合界面の全域が密着接合された状態とな
る。これにより、圧力センサに負圧が作用した場合で
も、樹脂ケースとリード端子との間の界面を通して周囲
から樹脂ケースの内部に空気，湿気が侵入することがな
く、樹脂ケース内に充填したコーティング樹脂層に気泡
の発生を防止することができ、この気泡発生に起因する
ボンデイングワイヤーの腐食，断線、および被測定圧に
対する感圧ダイヤフラムの動特性低下を確実に防止でき
る。また、半導体加速度センサにおいても、樹脂ケース
（エポキシ樹脂製）とリード端子との間が密着接合され
ているので、ヒートサイクルが加わっても外部から湿気
が侵入することがなく、これによりリード端子，ボンデ
ィングワイヤの腐食を防止して使用環境の変化に対する
信頼性が向上する。
【００１０】また、エポキシ樹脂のガラス転移温度は１
８０℃付近でＰＰＳ，ＰＢＴ樹脂に比べて高く、通常の
車載用としての使用する場合の温度（−４０〜１３０
℃）ではガラス転移温度以下で使用できるため、熱スト
レスの変化が少ない安定した状態での使用が可能とな
り、それだけ耐使用環境性が向上する。さらにエポキシ
樹脂は特に金属との接着性に優れており、エポキシ樹脂
を成形材料とした射出成形では、射出成形時の樹脂粘度
が低くて高い流動性が得られることから、ゲート，ラン
ナーを短小化して樹脂ロスを低く抑え、従来のトランス
ファー成形法の樹脂効率４０〜６０％と比べて９０％以
上の樹脂効率も可能で廃棄樹脂の量を低減できる。
８０℃付近でＰＰＳ，ＰＢＴ樹脂に比べて高く、通常の
車載用としての使用する場合の温度（−４０〜１３０
℃）ではガラス転移温度以下で使用できるため、熱スト
レスの変化が少ない安定した状態での使用が可能とな
り、それだけ耐使用環境性が向上する。さらにエポキシ
樹脂は特に金属との接着性に優れており、エポキシ樹脂
を成形材料とした射出成形では、射出成形時の樹脂粘度
が低くて高い流動性が得られることから、ゲート，ラン
ナーを短小化して樹脂ロスを低く抑え、従来のトランス
ファー成形法の樹脂効率４０〜６０％と比べて９０％以
上の樹脂効率も可能で廃棄樹脂の量を低減できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を述べ
る。まず、図１に示した半導体圧力センサにおいて、リ
ード端子４を一体にインサート成形した樹脂ケース３
は、本発明によりエポキシ樹脂を成形材料とした射出成
形法により成形するものとする。このようにエポキシ樹
脂を成形材料とした射出成形工程では、成形樹脂が流動
性の高い液状を保ったままリード端子４がインサートさ
れている金型に導入されるので、エポキシ樹脂の分子が
ミクロ的に凹凸面を呈しているリード端子４の表面を十
分に濡らした状態でエポキシ基が触媒反応で開環して近
接分子のエポキシ基同士が接合するとともに、リード端
子４との間の接触界面には端子表面に生じている水酸基
（ＯＨ）とエポキシ基（官能基）との水素結合が働いて
密着結合する（図４(a),(b) に表した模式図参照）。こ
のように、樹脂ケース３の材料であるエポキシ樹脂と、
樹脂ケース３にインサート形成されるリード端子４との
間に分子間の化学結合（水素結合）が働くことにより、
図３(b) で表すように樹脂ケース３とリード端子４との
間の接着界面が強力に密着接合されようになる。
る。まず、図１に示した半導体圧力センサにおいて、リ
ード端子４を一体にインサート成形した樹脂ケース３
は、本発明によりエポキシ樹脂を成形材料とした射出成
形法により成形するものとする。このようにエポキシ樹
脂を成形材料とした射出成形工程では、成形樹脂が流動
性の高い液状を保ったままリード端子４がインサートさ
れている金型に導入されるので、エポキシ樹脂の分子が
ミクロ的に凹凸面を呈しているリード端子４の表面を十
分に濡らした状態でエポキシ基が触媒反応で開環して近
接分子のエポキシ基同士が接合するとともに、リード端
子４との間の接触界面には端子表面に生じている水酸基
（ＯＨ）とエポキシ基（官能基）との水素結合が働いて
密着結合する（図４(a),(b) に表した模式図参照）。こ
のように、樹脂ケース３の材料であるエポキシ樹脂と、
樹脂ケース３にインサート形成されるリード端子４との
間に分子間の化学結合（水素結合）が働くことにより、
図３(b) で表すように樹脂ケース３とリード端子４との
間の接着界面が強力に密着接合されようになる。
【００１２】これにより、圧力センサの製品組立後の状
態では、樹脂ケース３とリード端子４との接合界面を通
じて周囲から樹脂ケース３の内部に空気，湿気が侵入す
ることがなくなり、これにより樹脂ケース内に充填した
コーティング樹脂６の層内に気泡の発生を防ぎ、この気
泡発生に起因するボンデイングワイヤーの腐食，断線、
および被測定圧に対する感圧ダイヤフラムの動特性低下
を確実に防止できる。また、エポキシ樹脂のガラス転移
温度は１８０℃付近でＰＰＳ，ＰＢＴ樹脂に比べて高
く、通常の車載用としての周囲温度での使用（−４０〜
１３０℃）ではガラス転移温度以下で使用できるため、
熱ストレスの変化が少ない安定した状態での使用が可能
となる。なお、この点については、発明者等が行った各
種の信頼性試験（加圧サイクル，ヒートサイクル試験な
ど）の結果から、過酷な使用環境（周囲温度：−４０〜
１３０℃，最大圧力差：５気圧程度）でも樹脂ケースの
安定した気密性が確保されることが確認されている。
態では、樹脂ケース３とリード端子４との接合界面を通
じて周囲から樹脂ケース３の内部に空気，湿気が侵入す
ることがなくなり、これにより樹脂ケース内に充填した
コーティング樹脂６の層内に気泡の発生を防ぎ、この気
泡発生に起因するボンデイングワイヤーの腐食，断線、
および被測定圧に対する感圧ダイヤフラムの動特性低下
を確実に防止できる。また、エポキシ樹脂のガラス転移
温度は１８０℃付近でＰＰＳ，ＰＢＴ樹脂に比べて高
く、通常の車載用としての周囲温度での使用（−４０〜
１３０℃）ではガラス転移温度以下で使用できるため、
熱ストレスの変化が少ない安定した状態での使用が可能
となる。なお、この点については、発明者等が行った各
種の信頼性試験（加圧サイクル，ヒートサイクル試験な
ど）の結果から、過酷な使用環境（周囲温度：−４０〜
１３０℃，最大圧力差：５気圧程度）でも樹脂ケースの
安定した気密性が確保されることが確認されている。
【００１３】また、図２に示した半導体加速度センサに
おいても、本発明により樹脂ケース１１は、エポキシ樹
脂を成形材料として射出成形法によりリード端子１２と
一体にインサート成形するものとする。これにより、前
述と同様に樹脂ケース１１とリード端子１２との間が水
素結合の働きにより密着接合されるので、使用環境の温
度変化などによりヒートサイクルが加わっても外部から
湿気が侵入することがなく、これによりリード端子１
２，ボンディングワイヤ１３の腐食を防止して耐使用環
境性が向上する。
おいても、本発明により樹脂ケース１１は、エポキシ樹
脂を成形材料として射出成形法によりリード端子１２と
一体にインサート成形するものとする。これにより、前
述と同様に樹脂ケース１１とリード端子１２との間が水
素結合の働きにより密着接合されるので、使用環境の温
度変化などによりヒートサイクルが加わっても外部から
湿気が侵入することがなく、これによりリード端子１
２，ボンディングワイヤ１３の腐食を防止して耐使用環
境性が向上する。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体式セ
ンサによれば、外部導出用リード端子と一体成形して半
導体式センサのパッケージを構成する樹脂ケースを、エ
ポキシ樹脂を成形材料として射出成形法により成形した
ことにより、樹脂ケースのエポキシ樹脂と金属のリード
端子との間の界面には分子間の化学結合（水素結合）に
より密着接合された状態となる。これにより、自動車に
搭載して使用する場合の使用環境（−４０℃〜１３０
℃、圧力差５気圧程度）でも樹脂ケースとリード端子と
の間の接着界面の気密性を安定保持して周囲からの空気
侵入により樹脂ケース内に充填したゲル状コーティング
樹脂層内に気泡が発生するのを抑えることができ、厳し
い環境で使用可能な高信頼性の半導体式センサを提供で
きる。
ンサによれば、外部導出用リード端子と一体成形して半
導体式センサのパッケージを構成する樹脂ケースを、エ
ポキシ樹脂を成形材料として射出成形法により成形した
ことにより、樹脂ケースのエポキシ樹脂と金属のリード
端子との間の界面には分子間の化学結合（水素結合）に
より密着接合された状態となる。これにより、自動車に
搭載して使用する場合の使用環境（−４０℃〜１３０
℃、圧力差５気圧程度）でも樹脂ケースとリード端子と
の間の接着界面の気密性を安定保持して周囲からの空気
侵入により樹脂ケース内に充填したゲル状コーティング
樹脂層内に気泡が発生するのを抑えることができ、厳し
い環境で使用可能な高信頼性の半導体式センサを提供で
きる。
【００１５】また、エポキシ樹脂のガラス転移温度は１
８０℃付近と高く、通常の車載用としての使用する場合
の環境温度（−４０〜１３０℃）ではガラス転移温度以
下で使用できるため、熱的ストレスの変化が少ない安定
した状態での使用が可能であり、さらに射出成形法を採
用することにより、成形時の樹脂粘度が低く、かつ金型
内の流動性が良いので、ゲート，ランナーでの樹脂のロ
ス分を低減して高い樹脂効率（廃棄樹脂の低減）が得ら
れる利点もある。
８０℃付近と高く、通常の車載用としての使用する場合
の環境温度（−４０〜１３０℃）ではガラス転移温度以
下で使用できるため、熱的ストレスの変化が少ない安定
した状態での使用が可能であり、さらに射出成形法を採
用することにより、成形時の樹脂粘度が低く、かつ金型
内の流動性が良いので、ゲート，ランナーでの樹脂のロ
ス分を低減して高い樹脂効率（廃棄樹脂の低減）が得ら
れる利点もある。
【図１】本発明の実施対象となる半導体圧力センサの構
成断面図
成断面図
【図２】本発明の実施対象となる半導体加速度センサの
構成断面図
構成断面図
【図３】樹脂ケースと該ケースにインサート成形したリ
ード端子との接合部分の拡大図であり、(a),(b) はそれ
ぞれ従来，本発明の実施例による接合状態を表す図
ード端子との接合部分の拡大図であり、(a),(b) はそれ
ぞれ従来，本発明の実施例による接合状態を表す図
【図４】図２(b) におけるエポキシ樹脂／リード端子表
面間の化学結合状態を表す図であり、(a),(b) はその水
素結合を表す模式図
面間の化学結合状態を表す図であり、(a),(b) はその水
素結合を表す模式図
１，８ センサチップ ３，１１ 樹脂ケース ４，１２ リード端子 ５，１３ ボンディングワイヤ ６，１４ コーティング樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｋ 23/28 29/84 Ｂ 29/84 Ａ Ｇ０１Ｐ 15/08 Ｐ (72)発明者 金井 満 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 CC12 DD04 DD11 EE13 FF01 FF23 FF38 GG01 GG11 HH11 4M109 AA01 BA07 CA02 CA05 DA10 DB10 EA02 GA10 4M112 AA01 AA02 BA01 CA11 CA13 CA31 CA33 EA02 EA14 FA08 GA01 5F061 AA01 CA05 CA21 CB04 DE03 FA06
Claims (1)
- 【請求項１】外部導出用リード端子をインサート成形し
た樹脂ケースに半導体センサチップを組み込んだ上で、
センサチップとリード端子の間をボンディングワイヤで
接続するとともに、樹脂ケース内にコーティング樹脂を
充填してセンサチップ，ボンディングワイヤの周域を封
止した半導体式センサにおいて、前記樹脂ケースを、エ
ポキシ樹脂を成形材料として射出成形法により成形した
ことを特徴とする半導体式センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088799A JP2001116644A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体式センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088799A JP2001116644A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体式センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001116644A true JP2001116644A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17890326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30088799A Withdrawn JP2001116644A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体式センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001116644A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010002198A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Denso Corp | 圧力センサの製造方法 |
| CN104568285A (zh) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 株式会社日立制作所 | 压力传送器 |
| JP2015092193A (ja) * | 2015-02-10 | 2015-05-14 | 大日本印刷株式会社 | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30088799A patent/JP2001116644A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010002198A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Denso Corp | 圧力センサの製造方法 |
| CN104568285A (zh) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 株式会社日立制作所 | 压力传送器 |
| JP2015092193A (ja) * | 2015-02-10 | 2015-05-14 | 大日本印刷株式会社 | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス |
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