JPH11322768A - ヒドロシリル化触媒のアミンボラン錯体及びホスフィンボラン錯体 - Google Patents
ヒドロシリル化触媒のアミンボラン錯体及びホスフィンボラン錯体Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/14—Preparation thereof from optionally substituted halogenated silanes and hydrocarbons hydrosilylation reactions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不飽和反応物をヒドロシリル化してオルガノ
シランを調製する方法を提供することである。 【構成】 その方法は、水素化ケイ素(シラン)と不飽
和反応物を、アミンボラン錯体及びホスフィンボラン錯
体からなる群から選択した触媒の存在下で接触させるこ
とからなる。これらの触媒は、特に、内部に不飽和結合
をもつ不飽和有機化合物を選択的にヒドロシリル化して
ヒドロシリル化生成物の収率を高めるのに有用である。
シランを調製する方法を提供することである。 【構成】 その方法は、水素化ケイ素(シラン)と不飽
和反応物を、アミンボラン錯体及びホスフィンボラン錯
体からなる群から選択した触媒の存在下で接触させるこ
とからなる。これらの触媒は、特に、内部に不飽和結合
をもつ不飽和有機化合物を選択的にヒドロシリル化して
ヒドロシリル化生成物の収率を高めるのに有用である。
Description
【0001】
【産業の利用分野】本発明は、水素化ケイ素(シラン)
と不飽和反応物を、アミンボラン錯体及びホスフィンボ
ラン錯体からなる群から選択した触媒の存在下で接触さ
せることからなるヒドロシリル化法である。これらの触
媒は、特に、不飽和が反応物の構造内部にある場合に不
飽和反応物のヒドロシリル化を選択的に高めるのに有用
である。
と不飽和反応物を、アミンボラン錯体及びホスフィンボ
ラン錯体からなる群から選択した触媒の存在下で接触さ
せることからなるヒドロシリル化法である。これらの触
媒は、特に、不飽和が反応物の構造内部にある場合に不
飽和反応物のヒドロシリル化を選択的に高めるのに有用
である。
【0002】
【従来の技術】触媒の存在下で水素化ケイ素含有化合物
と不飽和有機化合物を反応させることによって有機ケイ
素化合物を製造することは技術的に知られている。この
反応は、一般にヒドロシリル化と呼ばれる。典型的にそ
の触媒は、支持体上の白金金属、一般に溶媒中の白金化
合物又は白金化合物である。
と不飽和有機化合物を反応させることによって有機ケイ
素化合物を製造することは技術的に知られている。この
反応は、一般にヒドロシリル化と呼ばれる。典型的にそ
の触媒は、支持体上の白金金属、一般に溶媒中の白金化
合物又は白金化合物である。
【0003】米国特許第2,823,218号は、クロ
ロ白金酸の存在下でSi−Hと、多重結合によって結合
された脂肪族炭素原子を含有する化合物とを反応させる
ことによってかかる有機ケイ素化合物の製造法を開示し
ている。同様に、米国特許第3,220,972号は、
クロロ白金酸の反応生成物である触媒の使用を教示して
いる。
ロ白金酸の存在下でSi−Hと、多重結合によって結合
された脂肪族炭素原子を含有する化合物とを反応させる
ことによってかかる有機ケイ素化合物の製造法を開示し
ている。同様に、米国特許第3,220,972号は、
クロロ白金酸の反応生成物である触媒の使用を教示して
いる。
【0004】
【本発明が解決しようしする課題】ヒドロシリル化触媒
としての白金の主な制約は、内部不飽和結合を持った不
飽和有機化合物のヒドロシリル化に格別に有効でないこ
とである。白金は、分離が非常に困難なヒドロシリル化
生成物を生成することも知られている。さらに、シリル
基が末端の炭素基に結合するように、不飽和結合がしば
しば移動することである。
としての白金の主な制約は、内部不飽和結合を持った不
飽和有機化合物のヒドロシリル化に格別に有効でないこ
とである。白金は、分離が非常に困難なヒドロシリル化
生成物を生成することも知られている。さらに、シリル
基が末端の炭素基に結合するように、不飽和結合がしば
しば移動することである。
【0005】本発明は、有機シランの製造のために、不
飽和反応物のヒドロシリル化法を提供する。我々は、予
想外なことに、アミンボラン錯体及びホスフィンボラン
錯体からなる群から選択した触媒がかかるヒドロシリル
化反応に極めて有用であることを発見した。特に、これ
らの触媒は、内部不飽和結合を有する不飽和有機化合物
を選択的にヒドロシリル化して、ヒドロシリル化生成物
の収率を高める。
飽和反応物のヒドロシリル化法を提供する。我々は、予
想外なことに、アミンボラン錯体及びホスフィンボラン
錯体からなる群から選択した触媒がかかるヒドロシリル
化反応に極めて有用であることを発見した。特に、これ
らの触媒は、内部不飽和結合を有する不飽和有機化合物
を選択的にヒドロシリル化して、ヒドロシリル化生成物
の収率を高める。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、アミンボラン
錯体及びホスフィンボラン錯体からなる群から選択した
触媒の存在下で、水素化ケイ素を不飽和反応物と接触さ
せることからなるヒドロシリル化法である。それらの触
媒は、内部不飽和結合を有する不飽和有機化合物を選択
的にヒドロシリル化して、必要なヒドロシリル化生成物
の収率を高める。
錯体及びホスフィンボラン錯体からなる群から選択した
触媒の存在下で、水素化ケイ素を不飽和反応物と接触さ
せることからなるヒドロシリル化法である。それらの触
媒は、内部不飽和結合を有する不飽和有機化合物を選択
的にヒドロシリル化して、必要なヒドロシリル化生成物
の収率を高める。
【0007】本発明のヒドロシリル化法は、(A) 式
【化1】 R1 aHbSiX4−a−b (1) 〔各R1は、炭素原子数が1〜20のアルキル、炭素原
子数が4〜12のシクロアルキル、炭素原子数が7〜2
0のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリ
ールから独立に選択し;Xはハロゲン原子であり、a=
0〜3、a+b=1〜4である〕で表される水素化ケイ
素と; (B)(i)置換又は非置換不飽和有機化合物、 (ii)置換又は非置換不飽和有機置換基からなるケイ
素化合物、及び(iii)(i)と(ii)の混合物、
からなる群から選択した不飽和反応物を、式R2 3NB
H3で表されるアミンボラン錯体又は式R2 3PBH3
で表されるホスフィンボラン錯体〔式中の各R2は、炭
素原子数が1〜10のアルキル、炭素原子数が7〜20
のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリー
ルから独立に選択する〕の存在下で接触させる工程から
なる。
子数が4〜12のシクロアルキル、炭素原子数が7〜2
0のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリ
ールから独立に選択し;Xはハロゲン原子であり、a=
0〜3、a+b=1〜4である〕で表される水素化ケイ
素と; (B)(i)置換又は非置換不飽和有機化合物、 (ii)置換又は非置換不飽和有機置換基からなるケイ
素化合物、及び(iii)(i)と(ii)の混合物、
からなる群から選択した不飽和反応物を、式R2 3NB
H3で表されるアミンボラン錯体又は式R2 3PBH3
で表されるホスフィンボラン錯体〔式中の各R2は、炭
素原子数が1〜10のアルキル、炭素原子数が7〜20
のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリー
ルから独立に選択する〕の存在下で接触させる工程から
なる。
【0008】水素化ケイ素と不飽和反応物との接触は、
ヒドロシリル化プロセスを行う標準型反応器で便利に行
われる。この接触は連続法、半連続法又はバッチ法とし
て行うことができる。
ヒドロシリル化プロセスを行う標準型反応器で便利に行
われる。この接触は連続法、半連続法又はバッチ法とし
て行うことができる。
【0009】本法に有用な水素化ケイ素は、式(1)で
表される〔各R1は、炭素原子数が1〜20のアルキ
ル、炭素原子数が4〜12のシクロアルキル、炭素原子
数が7〜20のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜
20のアリールから独立に選択し;Xはハロゲン原子で
あり、a=0〜3,a+b=1〜4である〕。R1は、
例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル及びドデシルのような置換又は非置換アルキ
ル;シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、シクロヘプチル及びシクロブチルのよ
うなシクロアルキル;フェニル、ベンジル、トリル及び
ナフチルのようなアリール;又はアルキルフェニル又は
アルキルナフチルのようなアルキルアリールである。R
1はメチルが望ましい。式(1)において、各R1は、
炭素原子数が1〜6のアルキルから独立に選択すること
が望ましい。R1がメチルのときがさらに望ましい。X
はハロゲン原子であるが、塩素原子が最適である。
表される〔各R1は、炭素原子数が1〜20のアルキ
ル、炭素原子数が4〜12のシクロアルキル、炭素原子
数が7〜20のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜
20のアリールから独立に選択し;Xはハロゲン原子で
あり、a=0〜3,a+b=1〜4である〕。R1は、
例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル及びドデシルのような置換又は非置換アルキ
ル;シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、シクロヘプチル及びシクロブチルのよ
うなシクロアルキル;フェニル、ベンジル、トリル及び
ナフチルのようなアリール;又はアルキルフェニル又は
アルキルナフチルのようなアルキルアリールである。R
1はメチルが望ましい。式(1)において、各R1は、
炭素原子数が1〜6のアルキルから独立に選択すること
が望ましい。R1がメチルのときがさらに望ましい。X
はハロゲン原子であるが、塩素原子が最適である。
【0010】式(1)で表される有用な水素化ケイ素の
例は、トリメチルシラン、ジメチルシラン、トリエチル
シラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、メチルジ
クロロシラン、ジメチルクロロシラン、エチルジクロロ
シラン、シクロペンチルジクロロシラン、メチルフェニ
ルクロロシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピ
ル)−ジクロロシラン及びメチルクロロシランである。
式(1)で表される好適な水素化ケイ素の例は、メチル
ジクロロシラン、トリクロロシラン及びジクロロシラン
を含む。
例は、トリメチルシラン、ジメチルシラン、トリエチル
シラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、メチルジ
クロロシラン、ジメチルクロロシラン、エチルジクロロ
シラン、シクロペンチルジクロロシラン、メチルフェニ
ルクロロシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピ
ル)−ジクロロシラン及びメチルクロロシランである。
式(1)で表される好適な水素化ケイ素の例は、メチル
ジクロロシラン、トリクロロシラン及びジクロロシラン
を含む。
【0011】その水素化ケイ素は、最初に(i)置換又
は非置換不飽和有機化合物、(ii)置換又は非置換不
飽和有機置換基からなるケイ素化合物、及び(iii)
(i)及び(ii)の混合物からなる群から選択される
不飽和反応物と接触される。本発明における用語「不飽
和」は、化合物が少なくとも一つの不飽和結合を含有す
ることを意味する。ここでの用語「不飽和」は、不飽和
反応物の少なくとも一部がハロゲン原子又はアルコキシ
基によって置換されていることを意味する。
は非置換不飽和有機化合物、(ii)置換又は非置換不
飽和有機置換基からなるケイ素化合物、及び(iii)
(i)及び(ii)の混合物からなる群から選択される
不飽和反応物と接触される。本発明における用語「不飽
和」は、化合物が少なくとも一つの不飽和結合を含有す
ることを意味する。ここでの用語「不飽和」は、不飽和
反応物の少なくとも一部がハロゲン原子又はアルコキシ
基によって置換されていることを意味する。
【0012】我々の請求した方法に有用な不飽和反応物
の特定例は、炭素原子数が少なくとも4の不飽和シクロ
アルキレン化合物;炭素原子数が少なくとも4の置換シ
クロアルキレン化合物;炭素原子数が2〜30の線状ア
ルケン化合物;炭素原子数が4〜30の枝分れアルケン
化合物;炭素原子数が2〜30のアルケン化合物;及び
上記の混合物を含む。置換された不飽和反応物は、ハロ
ゲン原子又はアルコキシ置換基をもった上記のものと同
一である。
の特定例は、炭素原子数が少なくとも4の不飽和シクロ
アルキレン化合物;炭素原子数が少なくとも4の置換シ
クロアルキレン化合物;炭素原子数が2〜30の線状ア
ルケン化合物;炭素原子数が4〜30の枝分れアルケン
化合物;炭素原子数が2〜30のアルケン化合物;及び
上記の混合物を含む。置換された不飽和反応物は、ハロ
ゲン原子又はアルコキシ置換基をもった上記のものと同
一である。
【0013】本法の置換及び非置換シクロアルケン化合
物は、環に1個以上の不飽和結合を含有するものであ
る。非置換シクロアルケン化合物は、シクロブテン、シ
クロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シク
ロオクテン、1,3−シクロヘキサジエン、1,3,5
−シクロヘプタジエン、1−メチルシクロペンテン、4
−フェニルシクロヘキセン及び3−メチルシクロペンタ
ジエンを含む。好適なシクロアルケン化合物はシクロヘ
キセン又はシクロペンテンであるが、シクロヘキセンが
最適である。置換された不飽和反応物は、ハロゲン原子
又はアルコキシ置換基をもった上記のものと同一であ
る。
物は、環に1個以上の不飽和結合を含有するものであ
る。非置換シクロアルケン化合物は、シクロブテン、シ
クロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シク
ロオクテン、1,3−シクロヘキサジエン、1,3,5
−シクロヘプタジエン、1−メチルシクロペンテン、4
−フェニルシクロヘキセン及び3−メチルシクロペンタ
ジエンを含む。好適なシクロアルケン化合物はシクロヘ
キセン又はシクロペンテンであるが、シクロヘキセンが
最適である。置換された不飽和反応物は、ハロゲン原子
又はアルコキシ置換基をもった上記のものと同一であ
る。
【0014】本法の不飽和反応物は、置換及び非置換有
機化合物であって、1−ヘキセン、1,5−ヘキサジエ
ン、トランス−2−ヘキセン、1−メチル−シクロヘキ
セン、2−メチル−2−ブテン、2,3−ジメチル−2
−ヘキセン、3−メチル−3−ヘキセン、3−エチル−
2,2−ジメチル−3−ヘプテン、4−メチル−2−ヘ
キセン、4−ブチル−7−メチル−2−オクテン、2,
2,5,5−テトラメチル−3−ヘキセン、2−ペンテ
ン、3−ヘキセン、2−メチル−2−ペンテル、2,
4,4−トリメチル−2−ペンテン、3−メチル−2−
ペンテン、4−メチル−2−ペンテンのようなアルケン
類;及びスチレン又はα−メチル−スチレンのような炭
素原子数が6〜20のアリールを含む。本法は、特に、
不飽和が不飽和反応物の内部構造にある場合の不飽和反
応物に有用である。置換された不飽和反応物は、ハロゲ
ン原子又はアルコキシ置換基をもった上記のものと同一
である。
機化合物であって、1−ヘキセン、1,5−ヘキサジエ
ン、トランス−2−ヘキセン、1−メチル−シクロヘキ
セン、2−メチル−2−ブテン、2,3−ジメチル−2
−ヘキセン、3−メチル−3−ヘキセン、3−エチル−
2,2−ジメチル−3−ヘプテン、4−メチル−2−ヘ
キセン、4−ブチル−7−メチル−2−オクテン、2,
2,5,5−テトラメチル−3−ヘキセン、2−ペンテ
ン、3−ヘキセン、2−メチル−2−ペンテル、2,
4,4−トリメチル−2−ペンテン、3−メチル−2−
ペンテン、4−メチル−2−ペンテンのようなアルケン
類;及びスチレン又はα−メチル−スチレンのような炭
素原子数が6〜20のアリールを含む。本法は、特に、
不飽和が不飽和反応物の内部構造にある場合の不飽和反
応物に有用である。置換された不飽和反応物は、ハロゲ
ン原子又はアルコキシ置換基をもった上記のものと同一
である。
【0015】本法に有用な不飽和アルケンは、炭素原子
数が2〜30の化合物、例えば、6−メチル−3−オク
チン、2−ブチン、2−ヘキシン、3−ヘキシン、2−
メチル−4−オクチン、5−デシン及び2−ペンチンを
含む。置換された不飽和反応物は、ハロゲン原子又はア
ルコキシ置換基をもった上記のものと同一である。
数が2〜30の化合物、例えば、6−メチル−3−オク
チン、2−ブチン、2−ヘキシン、3−ヘキシン、2−
メチル−4−オクチン、5−デシン及び2−ペンチンを
含む。置換された不飽和反応物は、ハロゲン原子又はア
ルコキシ置換基をもった上記のものと同一である。
【0016】不飽和反応物:水素化ケイ素のモル比は、
一般に0.4:1〜1.6:1の範囲内、望ましくは
0.8:1〜1.2:1の範囲内である。
一般に0.4:1〜1.6:1の範囲内、望ましくは
0.8:1〜1.2:1の範囲内である。
【0017】水素化ケイ素と不飽和反応物は、アミンボ
ラン錯体又はホスフィンボラン錯体から選択したボラン
触媒の存在下で反応させる。有用なアミンボラン錯体
は、式R2 3NBH3で表される。〔式中の各R2は、
炭素原子数が1〜10のアルキル、炭素原子数が7〜2
0のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリ
ールから独立に選択する〕。置換基R2は、例えば、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第三
級ブチル、ペンチル及びヘキシルのようなアルキル;ア
ルキルフェニル又はアルキルナフチルのようなアリール
アルキル;又はフェニル、ベンジル、トリル及びナフチ
ルのようなアリールである。
ラン錯体又はホスフィンボラン錯体から選択したボラン
触媒の存在下で反応させる。有用なアミンボラン錯体
は、式R2 3NBH3で表される。〔式中の各R2は、
炭素原子数が1〜10のアルキル、炭素原子数が7〜2
0のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリ
ールから独立に選択する〕。置換基R2は、例えば、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第三
級ブチル、ペンチル及びヘキシルのようなアルキル;ア
ルキルフェニル又はアルキルナフチルのようなアリール
アルキル;又はフェニル、ベンジル、トリル及びナフチ
ルのようなアリールである。
【0018】アミンボラン錯体は、トリメチルアミンボ
ラン、トリシクロペンチルアミンボラン、トリフェニル
アミンボラン、ジメチルベンジルアミンボラン、α−メ
チルベンジルジメチルアミン及びトリエチルアミンボラ
ンのようなトリアルキルアミンボランであるが、トリメ
チルアミンボランが望ましい。
ラン、トリシクロペンチルアミンボラン、トリフェニル
アミンボラン、ジメチルベンジルアミンボラン、α−メ
チルベンジルジメチルアミン及びトリエチルアミンボラ
ンのようなトリアルキルアミンボランであるが、トリメ
チルアミンボランが望ましい。
【0019】ホスフィンボラン錯体は式R2 3PBH3
で表される(式中のR2は上記の定義の通りである)。
適当なホスフィンボラン錯体は、トリメチルホスフィン
ボラン、トリブチルホスフィンボラン、トリフェニルホ
スフィンボラン、トリ−p−トリルホスフィンボラン及
びトリ−9−フェナントリルホスフィンボランである
が、トリフェニルホスフィンボランが望ましい。
で表される(式中のR2は上記の定義の通りである)。
適当なホスフィンボラン錯体は、トリメチルホスフィン
ボラン、トリブチルホスフィンボラン、トリフェニルホ
スフィンボラン、トリ−p−トリルホスフィンボラン及
びトリ−9−フェナントリルホスフィンボランである
が、トリフェニルホスフィンボランが望ましい。
【0020】不飽和反応物とボラン触媒とのモル比は、
25:1〜1000:1、望ましくは50:1〜10
0:1の範囲内である。
25:1〜1000:1、望ましくは50:1〜10
0:1の範囲内である。
【0021】本法を実施する温度は、一般に−10℃〜
260℃の範囲内、望ましくは15℃〜170℃の範囲
内、最適にはである。30℃〜15℃の範囲内である。
260℃の範囲内、望ましくは15℃〜170℃の範囲
内、最適にはである。30℃〜15℃の範囲内である。
【0022】
【実施例】実施例1(本発明の範囲外) この例は、触媒を使用することなく、トリクロロシラン
での2−メチル−2−ブテンのヒドロシリル化の評価で
ある。2−メチル−2−ブテン:トリクロロシランの
1:1のモル比溶液を、触媒無しでガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、2
50℃で1時間加熱した。1時間後、その管を冷却し、
内容物をC13NMR分光法及び熱伝導率検出器使用の
ガスクロマトグラフィー(GC−TC)によって分析し
た。そのGC−TC分析は、GC−TCトレース下で2
−メチル−3−トリクロロシリルブタンの2.8%(面
積)の形成を示した。
での2−メチル−2−ブテンのヒドロシリル化の評価で
ある。2−メチル−2−ブテン:トリクロロシランの
1:1のモル比溶液を、触媒無しでガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、2
50℃で1時間加熱した。1時間後、その管を冷却し、
内容物をC13NMR分光法及び熱伝導率検出器使用の
ガスクロマトグラフィー(GC−TC)によって分析し
た。そのGC−TC分析は、GC−TCトレース下で2
−メチル−3−トリクロロシリルブタンの2.8%(面
積)の形成を示した。
【0023】実施例2 この実施例は、トリメチルアミンボランで触媒したトリ
クロロシランでの2−メチル−2−ブテンのヒドロシリ
ル化の評価である。2−メチル−2−ブテン、トリクロ
ロシラン、トリクロロシラン及びトリメチルアミンボラ
ンの50:50:1のモル比溶液をガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、2
50℃で1時間加熱した。1時間後、その管を冷却し、
内容物をNMR及びGC−TCによって分析した。その
GC−TC分析は、2−メチル−3−トリクロロシリル
ブタンの31%(面積)の形成を示した。
クロロシランでの2−メチル−2−ブテンのヒドロシリ
ル化の評価である。2−メチル−2−ブテン、トリクロ
ロシラン、トリクロロシラン及びトリメチルアミンボラ
ンの50:50:1のモル比溶液をガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、2
50℃で1時間加熱した。1時間後、その管を冷却し、
内容物をNMR及びGC−TCによって分析した。その
GC−TC分析は、2−メチル−3−トリクロロシリル
ブタンの31%(面積)の形成を示した。
【0024】実施例3(本発明の範囲外) この例は、触媒無しでトリクロロシランでの1−メチル
クロロヘキセンのヒドロシリル化の評価である。1−メ
チルクロロヘキセントとHSiCl3の1:1.26の
モル比溶液を、ガラス管内て調製した。その管をアルゴ
ンパージ下でヒートシールして、250℃で1時間加熱
した。1時間後、その管を冷却し、内容物をGC−TC
によって分析した。そのGC−TC分析は、1−メチル
−2−トリクロロシリルシクロヘキセンの5%(面積)
の形成を示した。
クロロヘキセンのヒドロシリル化の評価である。1−メ
チルクロロヘキセントとHSiCl3の1:1.26の
モル比溶液を、ガラス管内て調製した。その管をアルゴ
ンパージ下でヒートシールして、250℃で1時間加熱
した。1時間後、その管を冷却し、内容物をGC−TC
によって分析した。そのGC−TC分析は、1−メチル
−2−トリクロロシリルシクロヘキセンの5%(面積)
の形成を示した。
【0025】実施例4 この実施例は、トリメチルアミンボランで触媒したトリ
クロロシランでの1−メチルクロロヘキセンのヒドロシ
リル化の評価である。実施例3と同じ溶液12gを含有
するガラス管にトリメチルアミンボラン0.066gを
添加した。その管をアルゴンパージ下でヒートシールし
て、250℃で1時間加熱した。1時間後、その管を冷
却し、内容物をGC−TCによって分析した。そのGC
−TC分析は、1−メチル−2−トリクロロシリルシク
ロヘキセン70%(面積)の形成を示した。
クロロシランでの1−メチルクロロヘキセンのヒドロシ
リル化の評価である。実施例3と同じ溶液12gを含有
するガラス管にトリメチルアミンボラン0.066gを
添加した。その管をアルゴンパージ下でヒートシールし
て、250℃で1時間加熱した。1時間後、その管を冷
却し、内容物をGC−TCによって分析した。そのGC
−TC分析は、1−メチル−2−トリクロロシリルシク
ロヘキセン70%(面積)の形成を示した。
【0026】実施例5 この実施例は、トリフェニルホスフィンで触媒したトリ
クロロシランでの1−メチルクロロヘキセンのヒドロシ
リル化の評価である。1−メチルクロロヘキセン、トリ
クロロシラン、溶媒としてのベンゼン及びトリフェニル
ホスフィンボランの150:210:150:1のモル
比溶液をガラス管内で調製した。その管をアルゴンパー
ジ下でヒートシールして、210℃で4時間加熱した。
4時間後、その管を冷却し、内容物をGC−TC及びN
MRによって分析した。その分析は、1−メチルクロロ
ヘキセンを残留することなく1−メチル−2−トリクロ
ロシリルシクロヘキサン54%(面積)の形成を示し
た。
クロロシランでの1−メチルクロロヘキセンのヒドロシ
リル化の評価である。1−メチルクロロヘキセン、トリ
クロロシラン、溶媒としてのベンゼン及びトリフェニル
ホスフィンボランの150:210:150:1のモル
比溶液をガラス管内で調製した。その管をアルゴンパー
ジ下でヒートシールして、210℃で4時間加熱した。
4時間後、その管を冷却し、内容物をGC−TC及びN
MRによって分析した。その分析は、1−メチルクロロ
ヘキセンを残留することなく1−メチル−2−トリクロ
ロシリルシクロヘキサン54%(面積)の形成を示し
た。
【0027】実施例6 この実施例は、トリメチルアミンボランで触媒したトリ
クロロシランでの2、3−ジメチル−2−ブテンのヒド
ロシリル化の評価である。2、3−ジメチル−2−ブテ
ン、トリクロロシラン及びトリメチルアミンボランの1
00:100:1のモル比溶液をガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、1
90℃で4時間加熱した。4時間後、その管を冷却し、
内容物をGC−TCによって分析した。その分析は、ト
リクロロシランの22%(面積)、2、3−ジメチル−
2−ブテンの3%(面積)及び2、3−ジメチル−2−
トリクロロシリル−ブテンの47%(面積)の形成を示
した。190℃で18時間後、トリクロロシランの5%
(面積)、2、3−ジメチル−2−ブテンの3%(面
積)及び2、3−ジメチル−2−トリクロロシリル−ブ
テンの76%(面積)の形成を示した。
クロロシランでの2、3−ジメチル−2−ブテンのヒド
ロシリル化の評価である。2、3−ジメチル−2−ブテ
ン、トリクロロシラン及びトリメチルアミンボランの1
00:100:1のモル比溶液をガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、1
90℃で4時間加熱した。4時間後、その管を冷却し、
内容物をGC−TCによって分析した。その分析は、ト
リクロロシランの22%(面積)、2、3−ジメチル−
2−ブテンの3%(面積)及び2、3−ジメチル−2−
トリクロロシリル−ブテンの47%(面積)の形成を示
した。190℃で18時間後、トリクロロシランの5%
(面積)、2、3−ジメチル−2−ブテンの3%(面
積)及び2、3−ジメチル−2−トリクロロシリル−ブ
テンの76%(面積)の形成を示した。
【0028】実施例7 この実施例は、トリメチルアミンボランで触媒したジメ
チルクロロシランでの2、3−ジメチル−2−ブテンの
ヒドロシリル化の評価である。2、3−ジメチル−2−
ブテン、トリクロロシラン及びトリメチルアミンボラン
の100:20:1のモル比溶液をガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、2
50℃で0.5時間加熱した。0.5時間後、その管を
冷却し、内容物をGC−TCによって分析した。その分
析は、2−メチル−3−メチルジクロロシリルブテンの
10%(面積)の形成を示した。250℃で2時間後、
その分析は、2−メチル−3−メチルジクロロシリルブ
テンの16%(面積)の形成を示した。230℃で18
時間後、その分析は、2−メチル−3−メチルジクロロ
シリルブテンの19%(面積)の形成を示した。
チルクロロシランでの2、3−ジメチル−2−ブテンの
ヒドロシリル化の評価である。2、3−ジメチル−2−
ブテン、トリクロロシラン及びトリメチルアミンボラン
の100:20:1のモル比溶液をガラス管内で調製し
た。その管をアルゴンパージ下でヒートシールして、2
50℃で0.5時間加熱した。0.5時間後、その管を
冷却し、内容物をGC−TCによって分析した。その分
析は、2−メチル−3−メチルジクロロシリルブテンの
10%(面積)の形成を示した。250℃で2時間後、
その分析は、2−メチル−3−メチルジクロロシリルブ
テンの16%(面積)の形成を示した。230℃で18
時間後、その分析は、2−メチル−3−メチルジクロロ
シリルブテンの19%(面積)の形成を示した。
Claims (5)
- 【請求項1】(A) 式 R1 aHbSiX4−a−b (1) 〔各R1は、炭素原子数が1〜20のアルキル、炭素原
子数が4〜12のシクロアルキル、炭素原子数が7〜2
0のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20のアリ
ールから独立に選択し;Xはハロゲン原子であり、a=
0〜3、a+b=1〜4である〕で表される水素化ケイ
素と; (B)(i)置換又は非置換不飽和有機化合物、 (ii)置換又は非置換不飽和有機置換基からなるケイ
素化合物、及び (iii)(i)と(ii)の混合物、 からなる群から選択した不飽和反応物を、式R2 3NB
H3で表されるアミンボラン錯体又は式R2 3PBH3
で表されるホスフィンボラン錯体〔式中の各R2は、炭
素原子数が1〜10のアルキル、炭素原子数が7〜20
のアリールアルキル及び炭素原子数が6〜20アリール
から独立に選択する〕の存在下で接触させる工程からな
ることを特徴とするヒドロシリル化法。 - 【請求項2】 前記不飽和反応物(B)が内部不飽和結
合を有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 前記不飽和反応物:水素化ケイ素のモル
比が0.4:1〜1.6:1の範囲内にあることを特徴
とする請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 前記不飽和反応物:前記ボラン触媒のモ
ル比が25:1〜1000:1の範囲内にあることを特
徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 前記水素化ケイ素と、前記不飽和反応物
との接触は、−10℃〜260℃の範囲の温度で行うこ
とを特徴とする請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/062,076 US5922895A (en) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | Amine borane complexes and phosphineborane complexes as catalyst for hydrosilation |
US09/062076 | 1998-04-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11322768A true JPH11322768A (ja) | 1999-11-24 |
Family
ID=22040078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11107708A Withdrawn JPH11322768A (ja) | 1998-04-17 | 1999-04-15 | ヒドロシリル化触媒のアミンボラン錯体及びホスフィンボラン錯体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5922895A (ja) |
EP (1) | EP0957104A3 (ja) |
JP (1) | JPH11322768A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2812564B1 (fr) * | 2000-08-04 | 2003-02-21 | Rhodia Chimie Sa | Utilisation d'un derive du bore a titre de catalyseur pour l'hydrosilylation de reactifs insatures |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE553159A (ja) * | 1955-12-05 | |||
US3257440A (en) * | 1955-12-23 | 1966-06-21 | Union Carbide & Carbon Corp | Beta-cyanoethylpolysiloxane and process for producing beta-cyanoethylsilanes |
US3220972A (en) * | 1962-07-02 | 1965-11-30 | Gen Electric | Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst |
US3658866A (en) * | 1968-08-26 | 1972-04-25 | Toray Industries | Catalyst for a hydrosilation reactor |
US5191103A (en) * | 1991-12-30 | 1993-03-02 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Process and composition for promoting hydrosilylation reactions using sterically hindered nitrogen-containing and phosphorus-containing compounds |
US5262554A (en) * | 1992-12-30 | 1993-11-16 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of beta-cyanoalkylsilanes |
US5621129A (en) * | 1995-03-09 | 1997-04-15 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Optically active tertiary phosphine compound, transition metal complex comprising the same as ligand and process for preparing optically active organic silicon compound using said transition metal complex |
US5654455A (en) * | 1995-12-21 | 1997-08-05 | Ciba-Geigy Corporation | Tris-phosphite ligands and their use in transitioin metal catalyzed processes |
-
1998
- 1998-04-17 US US09/062,076 patent/US5922895A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-15 JP JP11107708A patent/JPH11322768A/ja not_active Withdrawn
- 1999-04-16 EP EP99302981A patent/EP0957104A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0957104A2 (en) | 1999-11-17 |
EP0957104A3 (en) | 2000-12-06 |
US5922895A (en) | 1999-07-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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