JPH11317630A - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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JPH11317630A
JPH11317630A JP10122392A JP12239298A JPH11317630A JP H11317630 A JPH11317630 A JP H11317630A JP 10122392 A JP10122392 A JP 10122392A JP 12239298 A JP12239298 A JP 12239298A JP H11317630 A JPH11317630 A JP H11317630A
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JP
Japan
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output
current
transistor
amplitude
idling current
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JP10122392A
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English (en)
Inventor
Osamu Tajima
修 田島
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Mitsumi Electric Co Ltd
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Mitsumi Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 入力信号に応じて出力トランジスタをドライ
ブして出力信号を出力する増幅回路に関し、周波数特性
を劣化させることなく、低消費電流化が行える増幅回路
を提供することを目的とする。 【解決手段】 出力電圧Vout に応じて第1及び第2の
出力トランジスタQ20、Q21のアイドリング電流を出力
電圧Vout が中心電圧Vref2付近のときに、固定のアイ
ドリング電流I0 のみが流れ、出力電圧Vout が中心電
圧Vref2より大きくなるにしたがって、第1の出力トラ
ンジスタQ20のアイドリング電流を大きくし、出力電圧
Vout が中心電圧Vref2より小さくなるにしたがって、
第2の出力トランジスタQ21のアイドリング電流を大き
くするように制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は増幅回路に係り、特
に、入力信号に応じて出力トランジスタをドライブして
出力信号を出力する増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に従来の一例の回路構成図を示す。
従来の増幅回路1は、基準電圧を供給する基準電圧源
2、入力信号を差動増幅する差動増幅回路部3、高電位
側で駆動される第1の出力トランジスタQ20、低電位側
で駆動される第2の出力トランジスタQ21、第1及び第
2の出力トランジスタQ20、Q21にアイドリング電流を
供給するアイドリング電流生成回路4から構成される。
【0003】基準電圧源2は、基準電圧Vref0を生成す
る。基準電圧源2で生成された基準電圧Vref0は、入力
抵抗R10を介して差動増幅回路部3の反転入力端子に入
力される。また、差動増幅回路部3の反転入力端子は、
帰還抵抗R11を介して出力端子Tout に接続されてい
る。差動増幅回路部3は、PNPトランジスタQ1 〜Q
4 、Q7 、Q8 、NPNトランジスタQ5 、Q6 、Q9
、Q10、抵抗R1 〜R6 から構成される。差動増幅回
路部3は、入力端子Tinに供給される入力信号と基準電
圧供給回路2から供給される基準電圧との差に応じた信
号をトランジスタQ9 のエミッタとトランジスタQ10の
コレクタとの接続点から出力する。
【0004】差動増幅回路3のトランジスタQ9 のエミ
ッタとトランジスタQ10のコレクタとの接続点は、第2
の出力トランジスタQ21のベース及びアイドリング電流
生成回路4を構成するトランジスタQ17のエミッタに接
続される。アイドリング電流生成回路4は、PNPトラ
ンジスタQ11、Q14、Q15、Q18、Q19、NPNトラン
ジスタQ12、Q13、Q16、Q17、抵抗R7 〜R9 から構
成される。アイドリング電流生成回路4では、第1の出
力トランジスタQ20及び第2の出力トランジスタQ21の
ベースに所定の電位を印加して、第1の出力トランジス
タQ20及び第2の出力トランジスタQ21にアイドリング
電流を流す。
【0005】トランジスタQ11、Q12、Q13、Q17、抵
抗R7 は、定電流回路を構成しており、第2の出力トラ
ンジスタQ21のベースに一定の電流を供給し、第2の出
力トランジスタQ21にアイドリング電流を流す。また、
トランジスタQ14、Q15、Q16、Q19、抵抗R8 は、定
電流回路を構成しており、第1の出力トランジスタQ20
のベースから一定の電流を引き込み、第1の出力トラン
ジスタQ20にアイドリング電流を流す。
【0006】従来の増幅回路1において、トランジスタ
Q14のベース−エミッタ電圧をVBEQ14 、トランジスタ
Q15のベース−エミッタ間電圧をVBEQ15 、トランジス
タQ19のベース−エミッタ間電圧をVBEQ19 、出力トラ
ンジスタQ20のベース−エミッタ間電圧をVBEQ20 とす
ると、 VBEQ14 +VBEQ15 =VBEQ19 +VBEQ20 ・・・(1) が成り立つ。
【0007】また、トランジスタQ12のベース−エミッ
タ電圧をVBEQ12 、トランジスタQ13のベース−エミッ
タ間電圧をVBEQ13 、トランジスタQ17のベース−エミ
ッタ間電圧をVBEQ17 、出力トランジスタQ21のベース
−エミッタ間電圧をVBEQ21とすると、 VBEQ12 +VBEQ13 =VBEQ17 +VBEQ21 ・・・(2) が成り立つ。
【0008】無負荷時の出力トランジスタQ20に流れる
電流、すなわち、アイドリング電流は、式(1)からト
ランジスタQ14、Q15に流す電流とトランジスタQ19、
Q20の面積比により決まる。また、無負荷時の出力トラ
ンジスタQ21に流れる電流、すなわち、アイドリング電
流は、式(2)からトランジスタQ12、Q13に流す電流
とトランジスタQ17、Q21の面積比により決まる。
【0009】このように、無負荷時の第1及び第2の出
力トランジスタQ20、Q21に流れる電流、すなわち、ア
イドリング電流は式(1)、(2)の条件により固定的
に設定されていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の増幅
回路では、第1及び第2の出力トランジスタに流される
アイドリング電流は、式(1)、(2)の条件により固
定的に設定されてしまうため、大振幅出力信号に対して
周波数特性を向上させようとして、アイドリング電流を
大きくすると、無負荷時や小振幅信号時に不要に大きな
アイドリング電流が流れることになるので、消費電流が
増大してしまい、また、逆に、消費電流を減少させるた
めにアイドリング電流を小さくすると、大振幅出力信号
時に周波数特性が劣化してしまう等の問題点があった。
【0011】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、周波数特性を劣化させることなく、低消費電流化が
行える増幅回路を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、入
力信号に応じて出力トランジスタを制御して、出力信号
を出力する増幅回路において、前記出力信号の振幅に応
じて前記出力トランジスタのアイドリング電流を制御す
るアイドリング電流制御回路を有することを特徴とす
る。
【0013】また、請求項2は、請求項1において、前
記アイドリング電流制御回路が、前記出力信号の振幅が
大きいときに、前記出力トランジスタのアイドリング電
流を大きくし、前記出力信号の振幅が小さいときに、前
記出力トランジスタのアイドリング電流を小さくするよ
うに制御することを特徴とする。請求項1、2によれ
ば、アイドリング電流制御回路により出力信号の振幅が
大きいときに、出力トランジスタのアイドリング電流を
大きくし、出力信号の振幅が小さいときに、出力トラン
ジスタのアイドリング電流を小さくするように制御する
ことにより、出力振幅が大きいときには、出力トランジ
スタのドライブ電流が増加し、大振幅時の周波数を向上
させることができ、また、出力振幅が小さいときには、
出力トランジスタのドライブ電流が減少し、不要に大き
なドライブ電流を流すことがないので、低消費電流化で
きる。
【0014】請求項3は、入力信号の正極性側に応じて
制御され、出力信号の正極性側のレベルを制御する第1
の出力トランジスタと、該入力信号の負極性側に応じて
制御され、出力信号の負極性側のレベルを制御する第2
の出力トランジスタとを具備する増幅回路において、前
記出力信号の振幅に応じて前記第1の出力トランジスタ
のアイドリング電流を制御する第1のアイドリング電流
制御回路と、前記出力信号の振幅に応じて前記第2の出
力トランジスタのアイドリング電流を制御する第2のア
イドリング電流制御回路とを有することを特徴とする。
【0015】また、請求項4は、請求項3において、前
記第1のアイドリング電流制御回路は、前記出力信号の
振幅が大きいときに、前記第1の出力トランジスタのア
イドル電流を大きくし、前記出力信号の振幅が小さいと
きに、前記第1の出力トランジスタのアイドリング電流
を小さくするように制御し、前記第2のアイドリング電
流制御回路は、前記出力信号の振幅が大きいときに、前
記第2の出力トランジスタのアイドル電流を大きくし、
前記出力信号の振幅が小さいときに、前記第2の出力ト
ランジスタのアイドリング電流を小さくするように制御
することを特徴とする。
【0016】請求項3、4によれば、第1及び第2のア
イドリング電流制御回路により出力信号の振幅が大きい
ときに、第1及び第2の出力トランジスタのアイドリン
グ電流を大きくし、出力信号の振幅が小さいときに、第
1及び第2の出力トランジスタのアイドリング電流を小
さくするように制御することにより、出力振幅が大きい
ときには、第1及び第2の出力トランジスタのドライブ
電流が増加し、大振幅時の周波数を向上させることがで
き、また、出力振幅が小さいときには、第1及び第2の
出力トランジスタのドライブ電流が減少し、不要に大き
なドライブ電流を流すことがないので、低消費電流化で
きる。
【0017】
【発明の実施の形態】図1に本発明の一実施例の回路構
成図を示す。同図中、図 と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。本実施例の増幅回路10
0は、出力信号の振幅に応じてアイドリング電流を制御
するアイドリング電流制御回路110を有する。
【0018】アイドリング電流制御回路110は、正極
性側出力トランジスタQ20を制御する第1のアイドリン
グ電流制御回路111と、負極性側出力トランジスタQ
21を制御する第2のアイドリング電流制御回路112と
から構成される。第1のアイドリング電流制御回路11
1は、NPNトランジスタQ22、Q23、、Q26、PNP
トランジスタQ24、Q25、抵抗R12〜R16から構成され
る。
【0019】トランジスタQ26、抵抗R16は、バイアス
電圧Vbias2 に応じた定電流I26を引き込む定電流源を
構成している。トランジスタQ24、Q25、抵抗R14、R
15は、カレントミラー回路を構成しており、トランジス
タQ26、抵抗R16から引き込まれる定電流I26に応じた
電流を出力する。トランジスタQ24のエミッタは、抵抗
R14を介して出力端子Tout に接続されている。トラン
ジスタQ24は出力信号レベルに応じて電流I24を出力す
る。
【0020】トランジスタQ22、Q23、抵抗R12、R13
は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタ
Q24から出力される電流I24に応じた電流I24をトラン
ジスタQ22のコレクタから引き込む。トランジスタQ22
のコレクタは、トランジスタQ19のベースに接続され
る。電流I24の増減に応じてトランジスタQ14、Q15の
ベース−エミッタ間電圧VBEが増減する。トランジスタ
Q14、Q15のベース−エミッタ間電圧VBEの増減に応じ
てトランジスタQ19のベース−エミッタ間電圧VBEも増
減することから出力トランジスタQ20のアイドリング電
流が増減する。
【0021】第2のアイドリング電流制御回路112
は、PNPトランジスタQ27、Q28、、Q31、NPNト
ランジスタQ29、Q30、抵抗R17〜R21から構成され
る。トランジスタQ31、抵抗R21は、バイアス電圧Vbi
as1 に応じた定電流I31を発生する定電流源を構成して
いる。トランジスタQ29、Q30、抵抗R19、R20は、カ
レントミラー回路を構成しており、トランジスタQ31、
抵抗R21で発生した定電流I31に応じた電流を出力す
る。トランジスタQ29のエミッタは、抵抗R19を介して
出力端子Tout に接続されている。トランジスタQ29は
出力信号レベルに応じて電流I31に対応する電流I29を
引き込む。
【0022】トランジスタQ27、Q28、抵抗R17、R18
は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタ
Q29から引き込まれる電流I29と同等の電流I29をトラ
ンジスタQ27のコレクタから出力する。トランジスタQ
27のコレクタは、トランジスタQ17のベースに接続され
る。電流I29の増減に応じてトランジスタQ27、Q28の
ベース−エミッタ間電圧VBEが増減する。トランジスタ
Q27、Q28のベース−エミッタ間電圧VBEの増減に応じ
てトランジスタQ29のベース−エミッタ間電圧VBEも増
減することから出力トランジスタQ20のアイドリング電
流が増減する。
【0023】ここで、出力電圧をVout とし、トランジ
スタQ24のベース−エミッタ間電圧をVBEQ24 、トラン
ジスタQ25のベース−エミッタ間電圧をVBEQ25 、トラ
ンジスタQ26のコレクタ電流をI26とすると、第1のア
イドリング電流制御回路111について、 Vout +I24・R14+VBEQ24 =I26・R15+VBEQ25 ・・・(3) が成り立つ。
【0024】また、出力電圧をVout とし、トランジス
タQ29のベース−エミッタ間電圧をVBEQ29 、トランジ
スタQ30のベース−エミッタ間電圧をVBEQ30 、トラン
ジスタQ30のコレクタ電流をI30とすると、第1のアイ
ドリング電流制御回路111について、 Vout +I29・R19+VBEQ29 =I30・R20+VBEQ30 ・・・(4) が成り立つ。
【0025】このとき、式(3)の右辺(I26・R15+
VBEQ25 )及び式(4)の右辺(I30・R20+VBEQ30
)並びに、各抵抗R14、R15、及び、R19、R20は、
定数であるから、出力電圧Vout に比例して、電流I2
4、I29が増加することがわかる。電流I24は、第1の
アイドリング電流制御回路111で、トランジスタQ2
2、Q23、抵抗R12、R13からなるカレントミラー回路
により折り返され、トランジスタQ14〜Q16、抵抗R8
からなる定電流源から引き込まれる電流I16に加算さ
れ、トランジスタQ19のベースから電流を引き込む。こ
のため、トランジスタQ20のベースから電流が引き込ま
れ、第1の出力トランジスタQ20がオンし、第1の出力
トランジスタQ20のアイドリング電流が増加する。
【0026】また、電流I29は、第2のアイドリング電
流制御回路112で、トランジスタQ27、Q28、抵抗R
17、R18からなるカレントミラー回路により折り返さ
れ、トランジスタQ11〜Q13、抵抗R7 からなる定電流
源から出力される電流I11に加算され、トランジスタQ
17のベースに電流を供給する。このため、トランジスタ
Q21のベースに電流が供給され、第2の出力トランジス
タQ21がオンし、第2の出力トランジスタQ21のアイド
リング電流が増加する。
【0027】図2に本発明の一実施例の動作説明図を示
す。図2で横軸は出力電圧Vout 、縦軸は第1及び第2
の出力トランジスタQ20、Q21のアイドリング電流を示
す。図2に示すように無負荷時及び小信号出力時には、
出力電圧Vout は、基準電圧Vref2=(Vcc/2)とな
るので、トランジスタQ24、Q29は共にオフとなるトラ
ンジスタQ24、Q29がオフとなると、トランジスタQ1
7、Q19は固定の電流I11、I16だけで駆動され、第1
及び第2の出力トランジスタQ20、Q21も固定のアイド
リング電流I0 だけが流れることになる。
【0028】よって、固定の電流I11、I16を低減する
ことにより、無負荷時及び小信号時に第1及び第2の出
力トランジスタQ20、Q21に流れるアイドリング電流を
減少させることができ、消費電流を低減できる。また、
高電位側に大振幅信号が出力される時には、出力振幅が
増大するのに比例して、電流I24が増加し、よって、ト
ランジスタQ19により第1の出力トランジスタQ20のベ
ースから引き込まれる電流が増加するので、第1の出力
トランジスタQ20に流れるドライブ電流が増加する。こ
のため、高周波の信号に応答できる。
【0029】また、低電位側に大振幅信号が出力される
時には、出力振幅が減少するのに比例して、電流I29が
増加し、よって、トランジスタQ17により第2の出力ト
ランジスタQ21のベースに供給される電流が増加するの
で、第2の出力トランジスタQ21に流れるドライブ電流
が増加する。このため、高周波の信号に応答できる。こ
のように、大振幅信号出力時には、第1及び第2の出力
トランジスタQ20、Q21のドライブ電流が増大するの
で、高周波信号に応答できる。よって、周波数特性を向
上させることができる。
【0030】本実施例によれば、出力信号の振幅に応じ
て第1及び第2の出力トランジスタQ20、Q21のドライ
ブ電流を無負荷時及び小振幅信号出力時に小さく、大振
幅信号出力時に大きく制御することにより、大振幅信号
時における周波数特性を劣化させることなく、消費電流
を低減できる。なお、本実施例では、入力段に差動増幅
回路を用いた回路について説明したが、入力段の回路構
成は、差動増幅回路に限定されるものではなく、他の増
幅回路でもよい。
【0031】
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項1、2によ
れば、アイドリング電流制御回路により出力信号の振幅
が大きいときに、出力トランジスタのアイドリング電流
を大きくし、出力信号の振幅が小さいときに、出力トラ
ンジスタのアイドリング電流を小さくするように制御す
ることにより、出力振幅が大きいときには、出力トラン
ジスタのドライブ電流が増加し、大振幅時の周波数を向
上させることができ、また、出力振幅が小さいときに
は、出力トランジスタのドライブ電流が減少し、不要に
大きなドライブ電流を流すことがないので、低消費電流
化できる等の特長を有する。
【0032】請求項3、4によれば、第1及び第2のア
イドリング電流制御回路により出力信号の振幅が大きい
ときに、第1及び第2の出力トランジスタのアイドリン
グ電流を大きくし、出力信号の振幅が小さいときに、第
1及び第2の出力トランジスタのアイドリング電流を小
さくするように制御することにより、出力振幅が大きい
ときには、第1及び第2の出力トランジスタのドライブ
電流が増加し、大振幅時の周波数を向上させることがで
き、また、出力振幅が小さいときには、第1及び第2の
出力トランジスタのドライブ電流が減少し、不要に大き
なドライブ電流を流すことがないので、低消費電流化で
きる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路構成図である。
【図2】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図3】従来の一例の回路構成図である。
【符号の説明】
2 基準電圧供給回路 3 差動増幅回路 4 アイドリング電流生成回路 100 増幅回路 110 アイドリング電流制御回路 111 第1のアイドリング電流制御回路 112 第2のアイドリング電流制御回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号に応じて出力トランジスタを制
    御して、出力信号を出力する増幅回路において、 前記出力信号の振幅に応じて前記出力トランジスタのア
    イドリング電流を制御するアイドリング電流制御回路を
    有することを特徴とする増幅回路。
  2. 【請求項2】 前記アイドリング電流制御回路は、前記
    出力信号の振幅が大きいときに、前記出力トランジスタ
    のアイドリング電流を大きくし、前記出力信号の振幅が
    小さいときに、前記出力トランジスタのアイドリング電
    流を小さくするように制御することを特徴とする請求項
    1記載の増幅回路。
  3. 【請求項3】 入力信号の高電位側に応じて制御され、
    出力信号の高電位側のレベルを制御する第1の出力トラ
    ンジスタと、該入力信号の低電位側に応じて制御され、
    出力信号の低電位側のレベルを制御する第2の出力トラ
    ンジスタとを具備する増幅回路において、 前記出力信号の振幅に応じて前記第1の出力トランジス
    タのアイドリング電流を制御する第1のアイドリング電
    流制御回路と、 前記出力信号の振幅に応じて前記第2の出力トランジス
    タのアイドリング電流を制御する第2のアイドリング電
    流制御回路とを有することを特徴とする増幅回路。
  4. 【請求項4】 前記第1のアイドリング電流制御回路
    は、前記出力信号の振幅が大きいときに、前記第1の出
    力トランジスタのアイドル電流を大きくし、前記出力信
    号の振幅が小さいときに、前記第1の出力トランジスタ
    のアイドリング電流を小さくするように制御し、 前記第2のアイドリング電流制御回路は、前記出力信号
    の振幅が大きいときに、前記第2の出力トランジスタの
    アイドル電流を大きくし、前記出力信号の振幅が小さい
    ときに、前記第2の出力トランジスタのアイドリング電
    流を小さくするように制御することを特徴とする請求項
    3記載の増幅回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003069346A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Fujitsu Ltd オペアンプ
JP2008098845A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 New Japan Radio Co Ltd 差動増幅回路

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