JPH1131753A - 電子部品収納用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基体と蓋体とからなる容器の内部に電子部
品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が電子部
品に作用して特性に変化を招来せしめ、電子部品を正常
に作動させることができない。 【解決手段】絶縁基体１と蓋体２とを封止材７を介して
接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に
電子部品３を気密に収容する電子部品収納用容器であっ
て、前記封止材７を酸化鉛５乃至２５重量％、酸化錫２
０乃至４０重量％、弗化鉛２０乃至４０重量％、五酸化
燐５乃至２０重量％を含むガラス成分に、フイラーとし
てのチタン酸鉛系化合物を１０乃至４０重量％添加した
ガラスで形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や圧電振
動子等の電子部品を気密に封止して収容するための電子
部品収納用容器に関し、特に封止材にガラスを用いて封
止を行なう電子部品収納用容器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路素子を初めとする
半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といっ
た圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品収
納用容器は、例えば酸化アルミニウム質焼結体等の電気
絶縁材料から成り、その上面あるいは下面の略中央部に
電子部品を収容するための凹部およびその凹部周辺から
下面にかけて導出された、例えばタングステンやモリブ
デン等の高融点金属粉末から成る複数個のメタライズ配
線層を有する絶縁基体と、同じく酸化アルミニウム質焼
結体やガラス等の電気絶縁材料から成る蓋体とから構成
されている。

【０００３】そして、電子部品が例えば半導体素子の場
合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラス、
樹脂、ロウ材等から成る接着剤を介して接着固定すると
ともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とをボン
ディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接
続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を有機樹脂や半
田等のロウ材あるいはガラス等から成る封止材を介して
接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体
素子を気密に収容することによって最終製品としての半
導体装置となる。

【０００４】また、電子部品が例えば圧電振動子の場合
には、絶縁基体の凹部の底面に形成された一対の段差部
に、真空中において圧電振動子の一端をポリイミド導電
性樹脂等から成る接着剤を介して接着固定するとともに
圧電振動子の各電極をメタライズ配線層に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を有機樹脂や半田
等のロウ材あるいはガラス等から成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に圧電振動
子を気密に収容することによって最終製品としての電子
部品装置となる。

【０００５】なお、絶縁基体に蓋体を接合させる封止材
として使用されるガラスは、一般に例えば酸化鉛５６〜
６６重量％、酸化ホウ素４〜１４重量％、酸化珪素１〜
６重量％、酸化ビスマス０．５〜５重量％、酸化亜鉛
０．５〜３重量％を含むガラス成分にフィラーとしての
コージェライト系化合物を９〜１９重量％、チタン酸錫
系化合物を１０〜２０重量％添加したガラスが使用され
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品収納用容器においては、封止材として有機
樹脂を使用した場合、有機樹脂は耐湿性に劣るため大気
中に含まれる水分が封止材を通して絶縁基体と蓋体とか
ら成る容器内部に入り込むとともに容器内部に収容され
ている半導体素子や圧電振動子の表面に付着し、これが
半導体素子や圧電振動子の表面に形成されている電極を
酸化腐蝕して半導体素子はその機能が喪失したり、誤動
作するようになったりし、また圧電振動子は振動周波数
にバラツキが発生してしまうという欠点を有していた。

【０００７】また、封止材として半田等のロウ材を使用
した場合、該ロウ材には通常フラックスが含有されてい
るため、絶縁基体と蓋体とを接合させて容器内部に半導
体素子や圧電振動子を気密に収容する際、封止材に含有
されているフラックスの一部が容器内部に入り込んで容
器内部に収容する半導体素子や圧電振動子の表面に付着
し、これが半導体素子や圧電振動子の表面に形成されて
いる電極を腐蝕して半導体素子はその機能が喪失した
り、誤動作するようになったりし、また圧電振動子は振
動周波数にバラツキが発生してしまうという欠点を有し
ていた。

【０００８】更に、封止材として従来のガラスを使用し
た場合、該ガラスはその軟化溶融温度が約４００℃であ
り、若干高いため絶縁基体と蓋体とを接合させて容器内
部に半導体素子や圧電振動子を気密に収容すると、封止
材を加熱溶融させる熱が半導体素子や圧電振動子を接着
固定している導電性樹脂に作用して半導体素子の特性に
熱変化を招来したり、圧電振動子の接着固定の強度が大
幅に低下し、圧電振動子の固定の信頼性が大きく劣化す
るという欠点を有していた。

【０００９】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体と蓋体とからなる容器の気密封
止を完全とし、かつ容器内部に収容される電子部品の固
定を確実、強固なものとするとともに電子部品表面の電
極に酸化腐蝕等が発生するのを有効に防止して、電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できる電子部品収納用容器を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体と蓋
体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから
成る容器内部に電子部品を気密に収容する電子部品収納
用容器であって、前記封止材が酸化鉛５乃至２５重量
％、酸化錫２０乃至４０重量％、弗化鉛２０乃至４０重
量％、五酸化燐５乃至２０重量％を含むガラス成分に、
フイラーとしてのチタン酸鉛系化合物を１０乃至４０重
量％添加したガラスから成ることを特徴とするものであ
る。

【００１１】本発明の電子部品収納用容器によれば、絶
縁基体と蓋体とを接合させる封止材として、酸化鉛５乃
至２５重量％、酸化錫２０乃至４０重量％、弗化鉛２０
乃至４０重量％、五酸化燐５乃至２０重量％を含むガラ
ス成分に、フイラーとしてのチタン酸鉛系化合物を１０
乃至４０重量％添加したガラスを使用したことから、封
止材の耐湿性を極めて優れたものとなすことができ、大
気中に含まれる水分が封止材を通して電子部品が収容さ
れる容器内部に入り込もうとしてもその入り込みは封止
材で完全に阻止され、その結果、容器内部に収容する電
子部品に水分が付着し、電子部品の表面に形成されてい
る電極に酸化腐蝕が発生することはなく、これによって
電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
ことが可能となる。

【００１２】また前記ガラスから成る封止材はその内部
に電子部品の電極を腐蝕するようなフラックス等の含有
がないことから絶縁基体と蓋体とを接合させて容器内部
に電子部品を気密に収容する際、容器内部に電子部品の
電極を腐蝕するような成分が入り込むことは一切なく、
これによって容器内部に収容する電子部品の電極に腐蝕
が発生するのを有効に防止して電子部品を長期間にわた
り正常、かつ安定に作動させることが可能となる。

【００１３】更に前記ガラスから成る封止材はその軟化
溶融温度が３００℃以下と低いため絶縁基体と蓋体とを
接合させる際の熱によって電子部品の特性に熱変化を招
来させたり、電子部品の固定に劣化を招来させたりする
ことはなく、電子部品の固定の信頼性を高いものとして
電子部品を常に正常、かつ安定に作動させることが可能
となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用容器の
実施の形態の一例を示す断面図であり、同図においては
電子部品が半導体集積回路素子であり、電子部品収納用
容器が半導体素子収納用パッケージである場合の例を示
している。

【００１５】図１において１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体集積回路素子３
を収容するための容器４が構成される。

【００１６】前記絶縁基体１はその上面あるいは下面の
略中央部に半導体集積回路素子３を収容する空所を形成
するための凹部１ａが設けてあり、この凹部１ａの底面
には半導体集積回路素子３がガラス、樹脂、ロウ材等か
ら成る接着剤を介して接着固定される。

【００１７】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば酸
化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化ア
ルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム・酸化カルシ
ウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑
剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、その泥漿物
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のシート成形法を採用し、シート状に成形してセラミ
ックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しか
る後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００
℃の高温で焼成することによって製作される。

【００１８】また前記絶縁基体１は凹部１ａ周辺から上
面にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形成され
ており、このメタライズ配線層５の凹部１ａ周辺部には
半導体集積回路素子３の各電極がボンディングワイヤ６
を介して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面に導
出された部位には外部電気回路と接続される外部リード
端子７が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。

【００１９】前記メタライズ配線層５は半導体集積回路
素子３の各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の
導電路として作用し、タングステン、モリブデン、マン
ガン等の高融点金属粉末により形成されている。

【００２０】前記メタライズ配線層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金属ペースト
を従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して
絶縁基体１と成るセラミックグリーンシートに予め印刷
塗布しておき、これをセラミックグリーンシートと同時
に焼成することによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から
上面にかけて所定パターンに被着形成される。

【００２１】なお、前記メタライズ配線層５はその表面
にニッケル、金等の良導電性でかつ耐蝕性およびロウ材
との濡れ性が良好な金属をメッキ法により１〜２０μｍ
の厚みに被着させておくと、メタライズ配線層５の酸化
腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層５とボンディングワイヤ６との接続およびメタラ
イズ配線層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて
強固となすことができる。従って、前記メタライズ配線
層５の酸化腐食を防止し、メタライズ配線層５とボンデ
ィングワイヤ６との接続およびメタライズ配線層５と外
部リード端子７とのロウ付けを強固となすには、メタラ
イズ配線層５の表面にニッケル、金等をメッキ法により
１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。

【００２２】また一方、前記メタライズ配線層５にロウ
付けされる外部リード端子７は容器４の内部に収容する
半導体集積回路素子３を外部電気回路に接続する作用を
為し、外部リ一ド端子７を外部電気回路に接続すること
によって内部に収容される半導体集積回路素子３はボン
ディングワイヤ６、メタライズ配線層５およぴ外部リー
ド端子７を介して外部電気回路に電気的に接続されるこ
ととなる。

【００２３】前記外部リード端子７は鉄−ニッケルーコ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
鉄−ニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。

【００２４】前記外部リード端子７はまたその表面にニ
ッケル、金等から成る良導電性でかつ耐蝕性に優れた金
属をメッキ法により１〜２０μｍの厚みに被着させてお
くと、外部リード端子７の酸化腐食を有効に防止するこ
とができるとともに外部リード端子７と外部電気回路と
の電気的接続を良好となすことができる。そのため、前
記外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をメッ
キ法によリ１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが
好ましい。

【００２５】更に前記外部リード端子７が取着された絶
縁基体１はその上面あるいは下面に蓋体２が封止材８を
介して接合され、これによって絶縁基体１と蓋体２とか
ら成る容器４の内部に半導体集積回路素子３が気密に収
容される。

【００２６】前記封止材８は酸化鉛５乃至２５重量％、
酸化錫２０乃至４０重量％、弗化鉛２０乃至４０重量
％、五酸化燐５乃至２０重量％を含むガラス成分に、フ
イラーとしてのチタン酸鉛系化合物を１０乃至４０重量
％添加したガラスで形成されており、このような組成成
分および組成比から成る封止材８は、その軟化溶融温度
が３００℃以下と低い。そのため、封止材８を加熱溶融
させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半
導体集積回路素子３を気密に収容する際、封止材８を加
熱溶融させる熱が容器４の内部に収容する半導体集積回
路素子３に作用しても半導体集積回路素子３の特性に熱
変化を招来させることはなく、半導体集積回路素子３を
長期間にわたり正常に作動させることが可能となる。

【００２７】また前記封止材８はガラスから成り、耐湿
性が極めて優れていることから大気中に含まれる水分が
封止材８を通して容器４内部に入り込もうとしてもその
入り込みは封止材８で完全に阻止され、その結果、容器
４内部に収容する半導体集積回路素子３に水分が付着
し、半導体集積回路素子３の表面に形成されている電極
に酸化腐蝕が発生することはなく、これによって半導体
集積回路素子３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動
させることも可能となる。

【００２８】更に前記ガラスから成る封止材８はその内
部に半導体集積回路素子３の電極を腐蝕するようなフラ
ックス等の含有がないことから絶縁基体１と蓋体２とを
接合させて容器４内部に半導体集積回路素子３を気密に
収容する際、容器４の内部に半導体集積回路素子３の電
極を腐蝕するような成分が入り込むことは一切なく、こ
れによって容器４内部に収容する半導体集積回路素子３
の電極に腐蝕が発生することはなく半導体集積回路素子
３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。

【００２９】なお、前記封止材８はそれを構成する酸化
鉛（ＰｂＯ）が５重量％未満であるとガラスの軟化溶融
温度が高くなり、封止材８を介して容器４を気密封止す
る際、封止材８を軟化溶融させる熱によって半導体集積
回路素子３の特性に熱変化を招来させてしまう危険性が
あり、また２５重量％を超えると封止材８の耐薬品性が
低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下する傾
向がある。従って、前記酸化鉛（ＰｂＯ）はその量が５
〜２５重量％の範囲に特定される。

【００３０】また酸化錫（ＳｎＯ₂ ）はその量が２０重
量％未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなり、封
止材８を介して容器４を気密封止する際、封止材８を軟
化溶融させる熱によって半導体集積回路素子３の特性に
熱変化を招来させてしまう危険性があり、また４０重量
％を超えると封止材８の耐薬品性が低下し、容器４の気
密封止の信頼性が大きく低下する傾向がある。従って、
前記酸化錫（ＳｎＯ₂）はその量が２０〜４０重量％の
範囲に特定される。

【００３１】また弗化鉛（ＰｂＦ₂ ）はその量が２０重
量％未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなり、封
止材８を介して容器４を気密封止する際、封止材８を軟
化溶融させる熱によって半導体集積回路素子３の特性に
熱変化を招来させてしまう危険性があり、また４０重量
％を超えると封止材８の熱膨張係数が絶縁基体１及び蓋
体２の熱膨張係数と合わなくなり、容器４の気密封止の
信頼性が大きく低下する傾向がある。従って、前記弗化
鉛（ＰｂＦ₂ ）はその量が２０〜４０重量％の範囲に特
定される。

【００３２】また五酸化燐（Ｐ₂ Ｏ₅ ）はその量が５重
量％未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなり、封
止材８を介して容器４を気密封止する際、封止材８を軟
化溶融させる熱によって半導体集積回路素子３の特性に
熱変化を招来させてしまう危険性があり、また２０重量
％を超えると封止材８の熱膨張係数が絶縁基体１及び蓋
体２の熱膨張係数と合わなくなり、容器４の気密封止の
信頼性が大きく低下する傾向がある。従って、前記五酸
化燐（Ｐ₂ Ｏ₅ ）はその量が５〜２０重量％の範囲に特
定される。

【００３３】さらにフィラーとして添加されるチタン酸
鉛系化合物はその量が１０重量％未満であると封止材８
の熱膨張係数が絶縁基体１及び蓋体２の熱膨張係数と合
わなくなり、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下す
る傾向があり、また４０重量％を超えると封止材８の流
動性が低下し、容器４の封止が困難となる傾向がある。
従って、前記フィラーとして添加されるチタン酸鉛系化
合物はその量が１０〜４０重量％の範囲に特定される。

【００３４】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体集積回
路素子３をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着剤を介
して接着固定するとともに半導体集積回路素子３の各電
極をメタライズ配線層５にボンディングワイヤ６を介し
て電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に凹部
１ａを覆うように蓋体２を封止材８を介して接合させ、
絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体集
積回路素子３を気密に封止することによって最終製品と
しての半導体装置が完成する。

【００３５】次に、図２は本発明の電子部品収納用容器
の実施の形態の他の例を示す断面図であり、同図におい
ては電子部品が水晶振動子等の圧電振動子であり電子部
品収納用容器が圧電振動子収納用容器である場合の例を
示している。

【００３６】図２において１１は絶縁基体、１２は蓋体
である。この絶縁基体１１と蓋体１２とで圧電振動子１
３を収容するための容器１４が構成される。

【００３７】前記絶縁基体１１はその上面に圧電振動子
１３を収容する空所を形成するための段差部を有する凹
部１１ａが設けてあり、この凹部１１ａの段差部には圧
電振動子１３が樹脂等から成る接着剤１５を介して接着
固定される。

【００３８】前記接着剤１５は、例えば、エポキシ樹脂
系の導電性樹脂から成り、絶縁基体１１の凹部１１ａの
段差部に接着剤１５を介して圧電振動子１３を載置さ
せ、しかる後、接着剤１５に熱硬化処理を施して熱硬化
させることによって圧電振動子１３を絶縁基体１１に接
着固定する。本発明の電子部品収納用容器によれば、容
器１４の封止温度が３００℃以下と低いので接着剤１５
として耐衝撃性に優れるが耐熱性の低いエポキシ樹脂系
の導電性樹脂を用いることができ、これにより圧電振動
子１３の耐衝撃性を高めて固定の信頼性を高めることが
でき、圧電振動子１３を長期間にわたり正常かつ安定に
差動させることができる。

【００３９】なお、前記絶縁基体１１は前述の半導体素
子収納用パッケージに使用される絶縁基体１と同様の材
料により同様に製作される。

【００４０】また、前記絶縁基体１１には凹部１１ａの
段差部より底面にかけて導出するメタライズ配線層１６
が形成されており、このメタライズ配線層１６の凹部１
１ａ段差部に位置する部位には圧電振動子１３の各電極
がエポキシ系導電性樹脂から成る接着剤１５を介して電
気的に接続され、絶縁基体１１の底面に導出された部位
には外部電気回路の配線導体が半田等のロウ材を介して
接続される。

【００４１】前記メタライズ配線層１６もまた前述した
半導体素子収納用パッケージのメタライズ配線層５と同
様の材料により同様に形成される。更に、メタライズ配
線層１６にもその露出する外表面にニッケル、金等の艮
導電性でかつ耐蝕性およびロウ材との濡れ性が良好な金
属をメッキ法により１〜２０μｍの厚みに被着させてお
くと、メタライズ配線層１６の酸化腐食を有効に防止す
ることができるとともにメタライズ配線層１６を外部電
気回路の配線導体に半田等のロウ材を介してロウ付けす
る際、そのロウ付け強度を極めて強固なものとなすこと
ができる。従って、前記メタライズ配線層１６の露出す
る外表面にはニッケル、金等をメッキ法によリ１〜２０
μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。

【００４２】そして、圧電振動子１３が接着固定された
絶縁基体１１の上面に電気絶縁材料等から成る蓋体１２
が封止材１７を介して接合され、これによって絶縁基体
１１と蓋体１２とから成る容器１４の内部に圧電振動子
１３が気密に収容される。

【００４３】封止材１７は、前述の半導体素子収納用パ
ッケージに使用した封止材８と同様に、酸化鉛５乃至２
５重量％、酸化錫２０乃至４０重量％、弗化鉛２０乃至
４０重量％、五酸化燐５乃至２０重量％を含むガラス成
分に、フイラーとしてのチタン酸鉛系化合物を１０乃至
４０重量％添加したガラスで形成されており、この酸化
鉛、酸化錫、弗化鉛、五酸化燐等から成る封止材１７は
その軟化溶融温度が３００℃以下と低いことから封止材
１７を加熱溶融させ、絶縁基体１１と蓋体１２とから成
る容器１４の内部に圧電振動子１３を気密に収容する
際、封止材１７を溶融させる熱が容器１４の内部に収容
する圧電振動子１３に作用しても圧電振動子１３に特性
の変化を招来させることはなく、その結果、圧電振動子
１３を長期間にわたり正常に作動させることが可能とな
る。

【００４４】また、封止材１７はガラスから成り、耐湿
性に優れていることから、大気中に含まれる水分が封止
材１７を通して容器１４内部に入り込もうとしてもその
入り込みは封止材１７で完全に阻止され、その結果、容
器１４内部に収容する圧電振動子１３に水分が付着し、
圧電振動子１３表面の電極に酸化腐食が発生するのを有
効に防止することができ、これによって圧電振動子１３
を長期間にわたり安定にして、かつ所定の振動周波数で
振動させることが可能となる。

【００４５】更に前記ガラスから成る封止材１７はその
内部に圧電振動子１３の電極を腐蝕するようなフラック
ス等の含有がないことから絶縁基体１１と蓋体１２とを
接合させて容器１４内部に圧電振動子１３を気密に収容
する際、容器１４の内部に圧電振動子１３の電極を腐蝕
するような成分が入り込むことは一切なく、これによっ
て容器１４内部に収容する圧電振動子１３の電極に腐蝕
が発生することはなく、圧電振動子１３を長期間にわた
り正常、かつ安定に作動させることが可能となる。

【００４６】かくして本発明の電子部品収納用容器によ
れば、真空中もしくは中性雰囲気中において絶縁基体１
１の凹部１１ａの段差部に圧電振動子１３の一端をエポ
キシ系導電性樹脂等から成る接着剤１５を介して接着固
定するとともに圧電振動子１３の各電極をメタライズ配
線層１６に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１１の
上面に凹部１１ａを覆うように蓋体１２を封止材１７を
介して接合させ、絶縁基体１１と蓋体１２とから成る容
器１４の内部に圧電振動子１３を気密に封止することに
よって最終製品としての圧電振動子装置が完成する。

【００４７】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本光明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。例え
ば、前述の例では圧電振動子１３として水晶振動子を例
示したが、圧電磁気振動子や弾性表面波振動子等を収容
する圧電振動子収納用容器にも適用できることは言うま
でもない。

【００４８】

【発明の効果】本発明の電子部品収納用容器によれば、
絶縁基体と蓋体とを接合させる封止材として、酸化鉛５
乃至２５重量％、酸化錫２０乃至４０重量％、弗化鉛２
０乃至４０重量％、五酸化燐５乃至２０重量％を含むガ
ラス成分に、フイラーとしてのチタン酸鉛系化合物を１
０乃至４０重量％添加したガラスを使用したことから、
封止材の耐湿性を極めて優れたものとなすことができ、
大気中に含まれる水分が封止材を通して電子部品が収容
される容器内部に入り込もうとしてもその入り込みは封
止材で完全に阻止され、その結果、容器内部に収容する
電子部品に水分が付着し、電子部品の表面に形成されて
いる電極に酸化腐蝕が発生することはなく、これによっ
て電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させ
ることが可能となる。

【００４９】また前記ガラスから成る封止材はその内部
に電子部品の電極を腐蝕するようなフラックス等の含有
がないことから絶縁基体と蓋体とを接合させて容器内部
に電子部品を気密に収容する際、容器内部に電子部品の
電極を腐蝕するような成分が入り込むことは一切なく、
これによって容器内部に収容する電子部品の電極に腐蝕
が発生するのを有効に防止して電子部品を長期間にわた
り正常、かつ安定に作動させることが可能となる。

【００５０】更に前記ガラスから成る封止材はその軟化
溶融温度が３００℃以下と低いため絶縁基体と蓋体とを
接合させる際の熱によって電子部品の特性に熱変化を招
来させたり、電子部品の固定に劣化を招来させたりする
ことはなく、電子部品の固定の信頼性を高いものとして
電子部品を常に正常、かつ安定に作動させることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の一
例を示す断面図である。

【図２】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の他
の例を示す断面図である。

【符号の説明】

１、１１・・・・・絶縁基体 ２、１２・・・・・蓋体 ３・・・・・・・・電子部品（半導体集積回路素子） １３・・・・・・・電子部品（圧電振動子） ４、１４・・・・・容器 ８、１７・・・・・封止材

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合さ
   せ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に電子部品を気
   密に収容する電子部品収納用容器であって、前記封止材
   が酸化鉛５乃至２５重量％、酸化錫２０乃至４０重量
   ％、弗化鉛２０乃至４０重量％、五酸化燐５乃至２０重
   量％を含むガラス成分に、フイラーとしてのチタン酸鉛
   系化合物を１０乃至４０重量％添加したガラスから成る
   ことを特徴とする電子部品収納用容器。