JPH1131728A - 基板検査装置における半導体素子検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 種々の半導体素子の良否を正確かつ迅速に検
査する。 【解決手段】 半導体素子の電流入力端子および電流出
力端子に電流出力用プローブおよび電流入力用プローブ
を接触させ、両プローブを介して電流入力端子から電流
出力端子に向けての順方向に第１の検査電流を導通させ
て両プローブ間の電圧を第１の順方向電圧として測定
し、第１の検査電流の電流値に対してｎ倍の電流値であ
る第２の検査電流を順方向に導通させて両プローブ間の
電圧を第２の順方向電圧として測定し、第２の順方向電
圧が、第１の順方向電圧に対して所定の関係を満たすと
きに、半導体素子が良品であると判定する基板検査装置
における半導体素子検査方法であって、両検査電流の導
通経路における配線抵抗に起因して発生する電圧に基づ
いて両順方向電圧をそれぞれ補正し、補正後の両補正後
順方向電圧とその関係とに基づいて半導体素子の良否を
判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板検査装置にお
ける半導体素子検査方法に関し、詳しくは、検査対象基
板の所定位置に搭載されるべき半導体素子の有無、およ
び搭載されている半導体素子の良否を判定する基板検査
装置における半導体素子検査方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板検査装置における半導体素
子検査方法として、出願人は、ダイオードの有無および
良否を検査する基板検査装置におけるダイオード検査方
法を既に実施している。このダイオード検査方法では、
図４に示すように、測定対象のダイオードＤに所定の定
電流Ｉ₁ ，Ｉ₂ を導通させるための定電流源１１と、ダ
イオードＤが接続されている回路基板上の回路パターン
に接触可能な２つの測定用プローブ１２ａ，１２ｂと、
定電流源１１から出力された定電流Ｉ₁ ，Ｉ₂ が導通し
た際のダイオードＤの両端電圧を測定する電圧計１３と
が使用されている。

【０００３】次に、具体的な検査方法について、図５を
参照して説明する。

【０００４】最初に、測定用プローブ１２ａ，１２ｂを
ダイオードＤが接続されている回路パターンに接触させ
る。次いで、定電流源１１に対して、下記の式がそれ
ぞれ成立する定電流Ｉ₁ ，Ｉ₂ を測定用プローブ１２
ａ，１２ｂを介してダイオードＤの順方向に向けて出力
させることによりダイオードＤを導通させる。次に、そ
の際のダイオードのアノード−カソード間の順方向電圧
Ｖd1，Ｖd2をそれぞれ測定する。 Ｉ₁ ×１０＝Ｉ₂ ・・・・・・・・・・・・・・式

【０００５】次いで、定電流Ｉ₁ を導通させた際の順方
向電圧Ｖd1と、定電流Ｉ₂ を導通させた際の順方向電圧
Ｖd2とが、下記の式および式をそれぞれ満たしてい
るか否かを判定する。 Ｖd2＞Ｖd1・・・・・・・・・・・・・・・・・式 Ｖd1×４＞Ｖd2・・・・・・・・・・・・・・・式 この場合、上記の式および式を共に満たすときに
は、ダイオードＤが、回路基板の予め決められた所定位
置に正しく搭載されており、かつ素子特性が非線形な動
作領域である飽和領域内で作動していることが認められ
るため、良品と判定する。具体的に数値を挙げて説明す
れば、図５に示すように、定電流Ｉ₁ として１０ｍＡ、
定電流Ｉ₂ として１００ｍＡをそれぞれダイオードＤに
導通させ、順方向電圧Ｖd1，Ｖd2としてそれぞれ２００
ｍＶ，３００ｍＶが測定されたとする。この場合には、
上記した式および式を満たすため、測定対象のダイ
オードＤが正しく搭載され、かつ良品であると判定され
る。このように、このダイオード検査方法によれば、ダ
イオードＤの有無および良否を簡易に測定することが可
能となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、出願人が既
に実施しているダイオードの検査方法には、以下の改善
点がある。すなわち、基板検査装置に一般的に用いられ
ている測定用プローブ１２ａ，１２ｂ内では、回路パタ
ーンに接触させる基板接触ピンと、基板接触ピンを測定
用プローブ１２ａ，１２ｂから突出可能に保持するため
のバネとが溶接によって接続されている。この場合、溶
接部分の抵抗値は、当初においてはわずかな値であった
としても、経年変化によって腐食したりして、その値が
５オーム程度に劣化することがある。かかる場合、両測
定用プローブ１２ａ，１２ｂにおける溶接部分の抵抗値
の合計値は１０オーム程度となる。このため、上記した
値の定電流Ｉ₁ を導通させたときは、実際には、溶接部
分の抵抗値によって電圧降下した電圧（Ｉ₁ ×１０オー
ム）が上記した順方向電圧Ｖd1に加算され、定電流Ｉ₂
を導通させたときは、その抵抗値によって電圧降下した
電圧（Ｉ２×１０オーム）が順方向電圧Ｖd2に加算され
る。この結果、上記の式は満たすが、式を満たさな
いことがある。したがって、正常な素子特性を有するダ
イオードＤに対して不良品と誤判定してしまうことがあ
り、経年変化によって溶接部分が劣化したとしてもダイ
オードＤの良否を正確に判定できるように改善が望まれ
ている。

【０００７】また、定電流源１１と測定用プローブ１２
ａ，１２ｂとの間の計測ラインは、耐熱ビニル線などに
よって接続されているため、ある程度の抵抗値を有して
いる。したがって、小信号ダイオードを検査する場合な
ど、測定対象のダイオードＤに小電流を導通させるとき
には特に問題が生じないが、整流用ダイオードなどの大
電流型のダイオードＤを検査する場合には、問題が生じ
る。すなわち、電圧計１３によって測定される両順方向
電圧Ｖd1，Ｖd2は、実際には、計測ラインや測定用プロ
ーブ１２ａ，１２ｂにおける溶接部分などの配線抵抗に
よって生じる電圧降下分の電圧値が含まれている。この
場合、配線抵抗の抵抗値は、基板検査装置のタイプによ
っても異なるが、概ね５オーム程度となっている。した
がって、定電流源１１から測定用プローブ１２ａまでの
間における配線抵抗の抵抗値、および測定用プローブ１
２ｂから定電流源１１までの間における配線抵抗の抵抗
値の合計値は、概ね１０オーム程度となる。このため、
低電流型のダイオードを検査する場合において、定電流
Ｉ₁ として１ｍＡ程度、定電流Ｉ₂ として１０ｍＡ程度
をそれぞれ導通させたときは、上記の式および式を
満たすため良品と判定できる。一方、大電流型のダイオ
ードを検査する場合においては、定電流Ｉ₁として１０
ｍＡ程度、定電流Ｉ₂ として１００ｍＡ程度をそれぞれ
導通させたときは、上記の式を満たすが、配線抵抗に
よって電圧降下した電圧がダイオードＤの両順方向電圧
ＶD1，ＶD2に加算されるために、式については満たさ
ないことがある。したがって、正常な素子特性を有する
ダイオードＤに対して不良品と誤判定してしまうことが
あり、種々のタイプのダイオードＤについて良否を正確
に判定できるように改善が望まれている。

【０００８】なお、測定対象のダイオードＤに定電流Ｉ
₁ ，Ｉ₂ を導通させるべき測定用プローブ１２ａ，１２
ｂとは別個の他の測定用プローブをダイオードＤの両端
に接触させ、その他の測定用プローブによってダイオー
ドＤの順方向電圧を正確に測定することもできる。この
場合には、電圧計１３が高入力インピーダンスのため配
線抵抗の抵抗値などを無視することができるためであ
り、この方法によれば、ダイオードＤの良否を正確に判
定することができる。ところが、かかる場合には、１つ
のダイオードＤを検査するために、最低でも４つの測定
用プローブの移動を制御しなければならず、検査処理に
長時間を要してしまうという問題点が生じる。

【０００９】本発明は、かかる課題に鑑みてなされたも
のであり、タイプが異なる種々の半導体素子の良否を正
確かつ迅速に検査可能な基板検査装置における半導体素
子検査方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項１記載の基板検査装置における半導体素子検査方法
は、検査対象である半導体素子の電流入力端子および電
流出力端子にそれぞれ電流出力用プローブおよび電流入
力用プローブを接触させ、両プローブを介して電流入力
端子から電流出力端子に向けての順方向に所定電流値の
第１の検査電流を導通させることにより両プローブ間の
電圧を第１の順方向電圧として測定すると共に、第１の
検査電流の電流値に対してｎ（ｎは１よりも大きい正
数）倍の電流値である第２の検査電流を両プローブを介
して順方向に導通させることにより両プローブ間の電圧
を第２の順方向電圧として測定し、第２の順方向電圧
が、第１の順方向電圧よりも高電圧であって第１の順方
向電圧のｍ（ｍは、ｎよりも小さい正数）倍電圧よりも
低電圧であるとする関係を満たすときに、半導体素子が
良品であると判定する基板検査装置における半導体素子
検査方法であって、両検査電流の導通経路における配線
抵抗および両検査電流に起因して発生する電圧に基づい
て両順方向電圧をそれぞれ補正し、補正後の両補正後順
方向電圧とその関係とに基づいて半導体素子の良否を判
定することを特徴とする。なお、本発明における半導体
素子には、ダイオード、サイリスタ、トランジスタおよ
びＦＥＴなどが含まれる。また、本発明においては、第
１の順方向電圧および第２の順方向電圧のいずれを先に
測定することも可能である。

【００１１】第１の検査電流および第２の検査電流を導
通させた際には、その導通経路における配線抵抗に起因
する電圧降下が生じ、その電圧降下に応じた電圧が第１
および第２の順方向電圧に加算される。一方、この基板
検査装置における半導体素子検査方法では、その電圧降
下に応じた電圧に基づいて、測定された両順方向電圧を
補正することにより、測定対象半導体素子の順方向電圧
を正確に測定することが可能となる。したがって、半導
体素子が非線形な動作領域内で作動しているか否かを正
確に判定することが可能となる。また、１つの半導体素
子の良否を検査する際には、電流出力用および電流入力
用の２つの測定用プローブのみを使用して検査すること
が可能となる。したがって、短時間で測定用プローブを
移動させることができるため、迅速に検査することが可
能となる。

【００１２】請求項２記載の基板検査装置における半導
体素子検査方法は、請求項１記載の基板検査装置におけ
る半導体素子検査方法において、両順方向電圧の測定に
先立って配線抵抗の抵抗値を測定し、測定した配線抵抗
の抵抗値および両検査電流に基づいて両順方向電圧を補
正することを特徴とする。

【００１３】設計値である配線抵抗の抵抗値や、測定し
た配線抵抗の抵抗値を記憶手段に予め固定的に記憶さ
せ、記憶されている配線抵抗値と検査電流とに基づいて
順方向電圧を補正することもできる。一方、配線抵抗の
抵抗値は経年変化によって変化する。この基板検査装置
における半導体素子検査方法では、順方向電圧の測定に
先立って配線抵抗の抵抗値を測定し、その測定した配線
抵抗の抵抗値と検査電流とに基づいて順方向電圧を補正
することにより、経年変化に起因して変化する配線抵抗
の抵抗値に伴って変化する電圧降下に応じた電圧を順方
向電圧から確実に相殺することが可能となる。この結
果、半導体素子の順方向電圧を正確に求めることが可能
となる。

【００１４】請求項３記載の基板検査装置における半導
体素子検査方法は、請求項１または２記載の基板検査装
置における半導体素子検査方法において、両検査電流の
電流値を半導体素子が飽和領域で作動可能な範囲内にそ
れぞれ設定することを特徴とする。

【００１５】半導体素子に導通させる検査電流の電流値
を、非飽和領域、または飽和領域と非飽和領域との境界
部分に設定することも可能ではあるが、線形動作に起因
して上記した式を満たさないことがあり、良品の半導
体素子を不良品と誤判定することもある。この基板検査
装置における半導体素子検査方法では、測定対象半導体
素子の種類に応じて一義的に定まる飽和領域おいて半導
体素子が作動する電流値になるように、検査電流の電流
値を設定する。したがって、半導体素子の良否を正確に
判定することが可能となる。この場合、大電流型の半導
体素子を検査するときには、配線抵抗に基づいて発生す
る電圧降下に応じた電圧を確実に相殺することができる
ため、大電流値の検査電流を導通させることが可能とな
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る基板検査装置における半導体素子検査方法を適
用した好適な実施の形態について説明する。

【００１７】図２は、いわゆるインサーキットテスタで
ある基板検査装置１における主要部のブロック図を示し
ている。同図に示すように、基板検査装置１は、回路基
板２上に搭載されている各種回路部品の良否を判定する
検査処理などを実行する制御部としてのＣＰＵ３と、Ｃ
ＰＵ３の動作プログラムなどを記憶するＲＯＭ４と、回
路部品の検査に先立って測定した配線抵抗の抵抗値など
を一時的に記憶するＲＡＭ５と、定電流源１１および電
圧計１３を有し電圧計１３によって測定された測定値を
ＣＰＵ３に出力する計測部６とを備えている。なお、同
図において、図４に記載した構成要素と同一の構成要素
については同一の符号を付して重複説明を省略する。

【００１８】この基板検査装置１では、ＣＰＵ３が、Ｒ
ＯＭ４に予め記憶されている回路部品の位置データに基
づいて、回路基板２上の所定位置に搭載されているべき
ダイオードＤの有無、および搭載されているダイオード
Ｄの良否を検査する。この場合、ＣＰＵ３は、図外のモ
ータを位置データに基づいて駆動することにより、測定
用プローブ１２ａ，１２ｂを移動させてダイオードＤが
接続されているべき回路パターンに接触させる。次い
で、ＣＰＵ３は、ＲＯＭ４に記憶されている動作プログ
ラムに従い、定電流源１１から第１の検査電流としての
定電流Ｉ₁ を出力させると共に、その際に電圧計１３に
よって測定された定電流源１１の両端電圧Ｖ₁ に基づい
てダイオードＤの順方向電圧Ｖd1を演算する。次に、Ｃ
ＰＵ３は、同じく動作プログラムに従い、第１の検査電
流に対して例えば１０倍の電流値である第２の検査電流
としての定電流Ｉ₂ を定電流源１１から出力させると共
に、その際に電圧計１３によって測定された定電流源１
１の両端電圧Ｖ₂ に基づいてダイオードＤの順方向電圧
Ｖd2を演算する。この後、ＣＰＵ３は、定電流Ｉ₁ ，Ｉ
₂ の電流値と、演算した２つの順方向電圧Ｖd1，Ｖd2と
に基づいて、ダイオードＤの有無および良否を検査す
る。

【００１９】次に、図１，３を参照して、この基板検査
装置１における半導体素子の具体的な検査処理につい
て、ダイオード検査を例に挙げて基本検査原理と共に説
明する。

【００２０】図１に示すように、ＣＰＵ３は、実際の検
査に先立って配線抵抗Ｒｘの抵抗値の吸収・記憶処理を
実行する（ステップ２１）。この処理では、ＣＰＵ３
は、測定用プローブ１２ａ，１２ｂを所定の回路パター
ンにそれぞれ接触させることにより、測定用プローブ１
２ａ，１２ｂを短絡させる。次に、ＣＰＵ３は、その状
態で定電流源１１から所定の定電流を出力させると共
に、定電流源１１の出力端子と入力端子間の電圧を電圧
計１３に測定させる。次いで、ＣＰＵ３は、その定電流
値と定電流源１１の両端電圧とに基づいて、計測ライン
の抵抗値、および測定用プローブ１２ａ，１２ｂ内にお
ける溶接部分の抵抗値などを含む配線抵抗Ｒｘの抵抗値
を測定する。なお、図２においては、配線抵抗Ｒｘを等
価的に表している。この後、ＣＰＵ３は、測定した配線
抵抗Ｒｘの抵抗値をＲＡＭ５に記憶させる。

【００２１】次いで、ＣＰＵ３は、測定用プローブ１２
ａ，１２ｂを測定対象のダイオードＤのアノードおよび
カソードに接続されている回路パターンにそれぞれ接触
させる。次に、ＣＰＵ３は、定電流源１１から定電流Ｉ
₁ を出力させてダイオードＤを導通させる（ステップ２
２）と共に、電圧計１３に対して、定電流源１１の両端
における電圧Ｖ₁ を測定させる（ステップ２３）。この
場合、電圧Ｖ₁ には、定電流Ｉ₁ が配線抵抗Ｒｘに流れ
ることによって発生する電圧降下に応じた電圧と、ダイ
オードＤの順方向電圧Ｖd1とが含まれている。このた
め、ＣＰＵ３は、ダイオードＤの順方向電圧Ｖd1を下記
の式に従って演算する（ステップ２４）。なお、以
下、配線抵抗Ｒｘの抵抗値を「Ｒｘ」と表記する。 Ｖd1＝Ｖ₁ −Ｒｘ×Ｉ₁ ・・・・・・・・・式

【００２２】次に、ＣＰＵ３は、定電流源１１から定電
流Ｉ₂ を出力させてダイオードＤを導通させる（ステッ
プ２５）と共に、電圧計１３に対して、定電流源１１の
両端における電圧Ｖ₂ を測定させる（ステップ２６）。
この場合にも、電圧Ｖ₂ には、定電流Ｉ₂ が配線抵抗Ｒ
ｘに流れることによって発生する電圧降下に応じた電圧
と、ダイオードＤの順方向電圧Ｖd2とが含まれている。
このため、ＣＰＵ３は、ダイオードＤの順方向電圧Ｖd2
を下記の式に従って演算する（ステップ２７）。 Ｖd2＝Ｖ₂ −Ｒｘ×Ｉ₂ ・・・・・・・・・式

【００２３】この場合、上記したステップ２４，２７に
おいて、順方向電圧Ｖd1，Ｖd2を演算することにより、
ダイオードＤのアノード−カソ−ド間の正確な順方向電
圧が演算される。つまり、例えば、１０ｍＡの定電流Ｉ
₁ と１００ｍＡの定電流Ｉ₂とをそれぞれ導通させた場
合、図３の実線で示すように、測定した電圧Ｖ₁ ，Ｖ₂
は、一点鎖線で示すダイオードＤの実際の順方向電圧Ｖ
d1，Ｖd2に、破線で示す配線抵抗Ｒｘによって生じた電
圧とをそれぞれ加算した電圧となる。したがって、測定
した電圧Ｖ₁ ，Ｖ₂ から、配線抵抗Ｒｘによって生じた
電圧（Ｒｘ×Ｉ₁ ，Ｒｘ×Ｉ₂ ）を減算することによ
り、同図のＡ点およびＢ点における実際の順方向電圧Ｖ
d1，Ｖd2を求めることができる。なお、同図は、配線抵
抗Ｒｘが１０オームの場合の検査電流に対する、測定電
圧、配線抵抗Ｒｘによって生じた電圧、および実際の順
方向電圧の関係を示している。

【００２４】次いで、ＣＰＵ３は、上記した式および
式、つまり、Ｖd2＞Ｖd1、およびＶd1×４＞Ｖd2の関
係を満たすか否かを判定する（ステップ２８）。満たす
と判定したときには、ＣＰＵ３は、順方向電圧Ｖd1，Ｖ
d2が、例えばダイオードがショットキーダイオードのと
きは、０．１５〜０．４の範囲内であるかを判定する
（ステップ２９）。なお、例えば、一般的なシリコンダ
イオードのときには、０．５〜０．８Ｖの範囲内である
かを判定する。その範囲内であるときは、ＣＰＵ３は、
良品のダイオードＤが回路基板２の搭載されるべき位置
に正しく搭載さていると判定して（ステップ３０）、こ
の検査処理を終了する。一方、ステップ２８において、
上記した関係を満たしていないとき、およびステップ２
９において所定の範囲内にないときは、ダイオードＤが
搭載されていないか、品違いまたは不良品であると判定
して（ステップ３１）、この検査処理を終了する。

【００２５】以上のように、この実施形態に係る基板検
査装置１によれば、配線抵抗Ｒｘがある程度大きな抵抗
値を有している場合や、検査対象ダイオードＤに大電流
を導通させる場合において、配線抵抗Ｒｘに検査電流Ｉ
₁ ，Ｉ₂ が導通することに起因して発生する電圧を、電
圧計１３によって測定された電圧Ｖ₁ ，Ｖ₂ から減算す
ることにより、ダイオードＤの順方向電圧Ｖd1，Ｖd2を
正確に測定することができる。これにより、ダイオード
Ｄの飽和領域における非線形特性を利用してのダイオー
ドの良否判定を正確に行うことができる。

【００２６】なお、本発明は、上記実施形態に示した構
成に限定されない。例えば、本発明に係る基板検査装置
における半導体素子検査方法では、ダイオードなどの二
端子素子の半導体素子に限らず、トランジスタなどの三
端子素子またはＦＥＴなどの四端子素子についても検査
対象に含めることができる。これら三端子素子および四
端子素子を検査する場合には、測定用プローブ１２ａ，
１２ｂとは別個独立した測定用プローブを予め用意し、
その測定用プローブを例えば、トランジスタのベースま
たはＦＥＴのゲートに接触させた後に制御電圧を加えた
状態で検査すればよい。また、本発明における「ｎ」お
よび「ｍ」の値についても、本発明の実施の形態に示し
た数値に限定されず、適宜変更することが可能である。

【００２７】

【発明の効果】以上のように、請求項１記載の基板検査
装置における半導体素子検査方法によれば、第１および
第２の検査電流の導通経路における配線抵抗の電圧降下
に応じた電圧に基づいて、測定された両順方向電圧をそ
れぞれ補正することにより、測定対象半導体素子の順方
向電圧を正確に測定することができ、これにより、補正
後の両補正後順方向電圧と所定の関係とに基づいて、半
導体素子が非線形な飽和領域内で作動しているか否かを
正確に判定することができる。また、１つの半導体素子
の良否を検査する際には、電流出力用および電流入力用
の２つの測定用プローブのみを使用して検査することが
できるため、短時間で測定用プローブを移動させること
ができ、これにより、迅速に検査することができる。

【００２８】また、請求項２記載の基板検査装置におけ
る半導体素子検査方法によれば、両順方向電圧の測定に
先立って配線抵抗の抵抗値を測定し、測定した配線抵抗
の抵抗値および両検査電流に基づいて両順方向電圧を補
正することにより、経年変化に起因して変化する配線抵
抗の抵抗値に伴って変化する電圧降下に応じた電圧を順
方向電圧から確実に相殺することができ、これにより、
測定対象半導体素子の順方向電圧を正確に求めることが
できる。

【００２９】さらに、請求項３記載の基板検査装置にお
ける半導体素子検査方法によれば、両検査電流の電流値
を半導体素子が飽和領域で作動可能な範囲内に設定する
ことにより、半導体素子の良否を正確に判定することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る基板検査装置におけ
る検査処理を示すフローチャートである。

【図２】本発明の実施の形態に係る基板検査装置におけ
る主要部のブロック図である。

【図３】本発明の実施の形態に係る基板検査装置の検査
処理におけるダイオードの良否判定の原理を説明するた
めの、検査電流に対する、測定電圧、配線抵抗Ｒｘによ
って生じた電圧、および実際の順方向電圧の関係を示す
電流−電圧特性図である。

【図４】出願人が既に実施している基板検査装置におけ
るダイオード検査方法に用いられる測定系を示すブロッ
ク図である。

【図５】出願人が既に実施している基板検査装置におけ
るダイオード検査方法におけるダイオードの良否判定の
原理を説明するための、検査電流に対する測定電圧の関
係を示す電流−電圧特性図である。

【符号の説明】

１ 基板検査装置 ２ 回路基板 ３ ＣＰＵ ４ ＲＯＭ ５ 計測部 １１ 定電流源 １２ａ 測定用プローブ １２ｂ 測定用プローブ １３ 電圧計

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査対象である半導体素子の電流入力端
   子および電流出力端子にそれぞれ電流出力用プローブお
   よび電流入力用プローブを接触させ、前記両プローブを
   介して前記電流入力端子から前記電流出力端子に向けて
   の順方向に所定電流値の第１の検査電流を導通させるこ
   とにより当該両プローブ間の電圧を第１の順方向電圧と
   して測定すると共に、前記第１の検査電流の電流値に対
   してｎ（ｎは１よりも大きい正数）倍の電流値である第
   ２の検査電流を前記両プローブを介して前記順方向に導
   通させることにより当該両プローブ間の電圧を第２の順
   方向電圧として測定し、当該第２の順方向電圧が、前記
   第１の順方向電圧よりも高電圧であって当該第１の順方
   向電圧のｍ（ｍは、ｎよりも小さい正数）倍電圧よりも
   低電圧であるとする関係を満たすときに、前記半導体素
   子が良品であると判定する基板検査装置における半導体
   素子検査方法であって、 前記両検査電流の導通経路における配線抵抗および前記
   両検査電流に起因して発生する電圧に基づいて前記両順
   方向電圧をそれぞれ補正し、補正後の両補正後順方向電
   圧と前記関係とに基づいて前記半導体素子の良否を判定
   することを特徴とする基板検査装置における半導体素子
   検査方法。
2. 【請求項２】 前記両順方向電圧の測定に先立って前記
   配線抵抗の抵抗値を測定し、当該測定した配線抵抗の抵
   抗値および前記両検査電流に基づいて前記両順方向電圧
   を補正することを特徴とする請求項１記載の基板検査装
   置における半導体素子検査方法。
3. 【請求項３】 前記両検査電流の電流値を前記半導体素
   子が飽和領域で作動可能な範囲内にそれぞれ設定するこ
   とを特徴とする請求項１または２記載の基板検査装置に
   おける半導体素子検査方法。