JP2972291B2 - ダイオードの特性検査方法 - Google Patents

ダイオードの特性検査方法

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はダイオードの特性検査方法に関し、特にダイ
オードの逆方向瞬時耐電力を検査するダイオードの特性
検査方法に関する。
[従来の技術] ダイオードに要求される特性の1つに逆方向瞬時耐電
力(以下、バックパワーという。)がある。このバック
パワーは、ダイオードの逆方向に瞬時的に高電圧が印加
され、あるいは逆方向の大電流が流れた時に発生する電
力である。
一般に回路条件を設定する場合、その回路に使用され
るダイオードの許容可能なバックパワーがどの程度であ
るかを考慮して設定される。そのため製造が完了したダ
イオードは、その検査工程において、バックパワーテス
トが実施され、保証値に満たないダイオードは不良とし
て選別される。この選別のためのテスト方法は、次のよ
うな方法により行なわれている。
まず、第5図にバックパワーの測定回路の模式図を示
す。
図において、バックパワーの測定回路は測定端子T1,T
2を有し、この測定端子間T1,T2には、直流電源Eと定電
流回路C−1およびスイッチSが接続され、また、測定
端子T1,T2間には、バックパワーを測定すべきダイオー
ド試料Dが図示のように接続される。
次に、スイッチSを閉にすることにより定電流回路C
−1を介して直流電源Eからのバックパワーが試料Dに
加えられることになる。しかしながら、この方法では次
のような問題がある。以下、これを第6図を参照して詳
述する。
第6図はダイオード試料Dに加えられる逆電流IRと逆
電圧VRの関係を示す逆電圧・逆電流特性曲線図である。
図では横軸に逆電圧VR、縦軸に逆電流IRが採ってある。
図において、加えられるバックパワーPW0の所定値を
例えばPwo=100Wとすると、そのダイオードの逆電圧Vr
が250Vあれば逆電流Ir=100W/250V=0.4Aとなり、スイ
ッチSを閉にして定電流回路Cから0.4Aの逆電流を流す
ことによって試料Dには100Wのバックパワーが加えられ
ることになる。しかしながら試料Dの逆電圧・逆電流特
性が実線で示した曲線ではなく、破線で示したような特
性であった場合には、定電流回路Cから供給する電流が
Ir=0.4Aで一定でVr1<Vrとなるから、この場合のバッ
クパワーはPW0からPW1になり、所定値である100Wは加え
らないことになる。
以上の結果、同一ロット内の多数のダイオードをテス
トすると、ダイオード試料Dの上記特性にバラツキによ
ってバックパワーPWが変動してしまう。また、印加する
逆電圧Vrを一定にした場合においても、逆電流特性のバ
ラツキによって、この場合もバックパワーPWがあらかじ
め定められた所定値にならない。
[発明が解決しようとする課題] 従来のダイオードの特性検査方法では、ダイオード試
料Dに所定値のバックパワーを加えるにあたり、逆電圧
若しくは逆電流を一定にして加えても、それぞれのダイ
オード試料Dの逆電圧・逆電流特性のバラツキにより意
図した一定のバックパワーを加えることができず、正確
な検査が実施できないという解決すべき課題があった。
[発明の目的] 本発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、ダイオード試料Dの逆電圧・逆電流特性のバラ
ツキがあっても常に意図する所定値のバックパワーを加
えることができ、正確な検査が実施できるダイオードの
特性検査方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明のダイオードの特性検査方法は、逆電流Ir1
流した時の逆電圧Vr1と逆電流Ir2を流した時の逆電圧V
r2とを計測する計測手段と、該計測手段から計測した結
果から逆電圧・逆電流特性曲線の延長線上に所定値の逆
方向瞬時耐電力P点を算出する演算手段と、該演算手段
により算出されたP点を満たす逆電圧を印加する電圧印
加手段とを備えたものである。
[作用] 本発明のダイオードの特性検査方法においては、ま
ず、ダイオード試料Dに可変定電圧・定電流回路により
2種類の逆電流Ir1,Ir2を印加し、その時の逆電圧Vr1,V
r2を測定する。この結果に基づいて演算手段により逆方
向瞬時耐電力P点を算出し、電圧印加手段によりP点を
満たす逆電圧をダイオード試料Dに印加する。このた
め、所期の逆電圧が印加でき、正確なバックパワー検査
が可能となる。
[実施例] 以下に本発明の一実施例を説明する。
まず、第1図に本発明の特許請求の範囲に対応する構
成をブロック図により示す。図において、1は、逆電流
Ir1を流した時の逆電圧Vr1と逆電流Ir2を流した時の逆
電圧Vr2とを計測するための計測手段である。2は、該
計測手段1から計測した値に基づいて逆電圧・逆電流特
性曲線の延長線上に所定値の逆方向瞬時耐電力P点を算
出するための演算手段である。3は、該演算手段2によ
り算出されたP点を満たす逆電圧を印加する電圧印加手
段である。
次に、第2図に本発明のダイオードの特性検査方法を
実施するための模式回路を示す。
図において、直流電源Eと直列に可変定電圧・定電流
回路C−2と、スイッチSとが接続されている。また、
ダイオード試料Dが短絡した場合の試験装置の保護およ
び測定誤差を小さくすることを目的として抵抗RSとが図
示のように測定端子T1とスイッチSに接続されている。
この模式回路において、検査すべきダイオード試料Dは
測定端子T1,T2間に接続される。
第3図はダイオード試料Dの逆電圧・逆電流特性曲線
を示すグラフである。
グラフは横軸に逆電圧VR、縦軸に逆電流IRを採ってあ
る。また、図中、符号Pがダイオード試料Dに加える所
定値のバックパワーである。
次に、第4図にダイオード試料Dの等価回路図を示
す。
図において、RZはダイオード試料Dの内部抵抗、VZ
同じく試料Dの逆電圧である。
そこで、再び第2図に戻って、まず当該回路C−2を
定電流回路として動作させ、ダイオード試料Dに逆電流
Ir1を流し、その時のダイオード試料Dの両端の逆電圧V
r1を測定する。
次に、ダイオード試料Dに逆電流Ir2を流し、その時
の逆電圧Vr2を測定する。
これらの値を基礎して次の式よりダイオード試料Dの
第4図に示した内部抵抗RZを求める。
RZ=Δv/Δi =(Vr2−Vr1)/(Ir2−Ir1)[Ω] ・・・・・(1) 次に、上記(1)式により求めた内部抵抗RZを用い
て、次式より逆電流VZを求める。
VZ=Vr2−(Ir2・RZ) =Vr1−(Ir1・RZ)[V] ・・・(2) 次に、ダイオード試料Dに加えられるバックパワーを
所定値のPとすると、第3図から逆電流IP、逆電圧VP
時にPとなることが分かる。
ところで、バックパワーの所定値は、 P=IP・VP ・・・・・・・・・・・・(3) によって表わされ、また、逆電流IPは、 IP=VP−VZ/RZ ・・・・・・・・・(4) によって表わされる。
次に、上記(4)式を(3)式に代入すると、 P=(VP−VZ/RZ)VP =(VP 2−VP・VZ)/RZ ・・・(5) となる。
また、上記(5)式を書き換えると、 PW・PZ=VP 2−VP・VZとなり、さらにPW・PZを右辺に
移すと、 VP 2−VP・VZ−PW・PZ=0 ・・・(6) となる。上記(6)式の2次方程式の解は、 となる。
故にIP=P/VP ・・・・・・・・・・(8) を得る。
したがって、当該回路C−2で出力する定電圧は、 VC=IP・RS+VP ・・・・・・・・(9) となる。
以上から所定のバックパワーPをダイオード試料Dに
加えるには、次に順序で行なう。
第2図において、スイッチSを閉じて当該回路C−2
から定電流Ir1をダイオード試料Dに流し、その時の逆
電圧Vr1を測定する。
次に、上記と同様にして定電流Ir2をダイオード試料
Dに流し、逆電圧Vr2を測定する。
次に、スイッチSを開にする。
上記,から得た値を前記(1)式、(2)式に代
入し、内部抵抗RZおよび逆電圧VZを求める。
上記から求められた内部抵抗RZおよび逆電圧VZを前
記(7)式に代入し、また、バックパワーPを所定の値
に決めておけば、逆電圧VPが求まる。
その結果、前記(8)式により逆電流IPが得られる。
当該回路C−2を定電圧回路として、前記(9)式か
ら定電圧VCを設定する。そして、スイッチSを閉にして
約10μsのパルス電圧をダイオード試料Dに印加する。
なお、前記(9)式のRSは、回路保護とダイオード試
料Dの内部抵抗RZのバラツキの影響を小さくするための
もので、RS=0であってもよい。また、第1図に模式的
に示したスイッチは半導体スイッチである。さらに、ダ
イオード試料Dの両端電圧Vr1,Vr2およびVPを測定する
手段は公知の手段であるため、特に図示してない。
また、上記各式を計算する演算手段も図示を省略した
が、例えばマイクロコンピュータにより処理される。
[発明の効果] 本発明は上記のように構成したので、ダイオード試料
Dに所定値のバックパワーを加えるにあたり、それぞれ
のダイオード試料Dの逆電圧・逆電流特性のバラツキが
あっても意図した正確なバックパワーを印加することが
でき、その結果、正確な検査の実施が可能となるなどの
優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の特許請求の範囲に対応するブロック
図、第2図は本発明を実施するための模式回路図、第3
図はダイオード試料Dの逆電圧・逆電流特性曲線図、第
4図はダイオード試料の等価回路図、第5図は従来のダ
イオードの特性検査方法を実施するための模式回路図、
第6図はダイオード試料Dの特性のバラツキにより逆電
圧・逆電流特性曲線が変化することを説明するための逆
電圧・逆電流特性曲線図である。 1……計測手段、2……演算手段、 3……電圧印加手段、 Ir1,Ir2……逆電流、 Vr1,Vr2……逆電圧、 P……逆方向瞬時耐電力。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】逆方向に電圧・電流を加えて逆方向瞬時耐
    電力を検査するダイオードの特性検査方法において、 逆電流Ir1を流した時の逆電圧Vr1と逆電流Ir2を流した
    時の逆電圧Vr2とを計測する計測手段と、 該計測手段から計測した値に基づいて逆電圧・逆電流特
    性曲線の延長線上に所定値の逆方向瞬時耐電力P点を算
    出する演算手段と、 該演算手段により算出されたP点を満たす逆電圧を印加
    する電圧印加手段と、 を有することを特徴とするダイオードの特性検査方法。
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