JPH0474975A - ダイオードの特性検査方法 - Google Patents
ダイオードの特性検査方法Info
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- JPH0474975A JPH0474975A JP18717790A JP18717790A JPH0474975A JP H0474975 A JPH0474975 A JP H0474975A JP 18717790 A JP18717790 A JP 18717790A JP 18717790 A JP18717790 A JP 18717790A JP H0474975 A JPH0474975 A JP H0474975A
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- 241000167857 Bourreria Species 0.000 description 1
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- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
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- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
本発明はダイオードの特性検査方法に関し、特にダイオ
ードの逆方向瞬時耐電力を検査するダイオードの特性検
査方法に関する。
ードの逆方向瞬時耐電力を検査するダイオードの特性検
査方法に関する。
[従来の技術]
ダイオードに要求される特性の1つに逆方向瞬時耐電力
(以下、バックパワーという。)がある。
(以下、バックパワーという。)がある。
このバックパワーは、ダイオードの逆方向に瞬時的に高
電圧が印加され、あるいは逆方向の大電流が流れた時に
発生する電力である。
電圧が印加され、あるいは逆方向の大電流が流れた時に
発生する電力である。
一般に回路条件を設定する場合、その回路に使用される
ダイオードの許容可能なバックパワーがどの程度である
かを考慮して設定される。そのため製造が完了したダイ
オードは、その検査工程において、バックパワーテスト
が実施され、保証値に満たないダイオードは不良として
選別される。
ダイオードの許容可能なバックパワーがどの程度である
かを考慮して設定される。そのため製造が完了したダイ
オードは、その検査工程において、バックパワーテスト
が実施され、保証値に満たないダイオードは不良として
選別される。
この選別のためのテスト方法は、次のような方法により
行なわれている。
行なわれている。
まず、第5図にバックパワーの測定回路の模式図におい
て、バックパワーの測定回路は測定端子T r 、 T
2を有し、この測定端子間T t 、T 2には、直
流電源Eと定電流回路C−1およびスイッチSが接続さ
れ、また、測定端子T、、T2間には、バックパワーを
測定すべきダイオード試料りが図示のように接続される
。
て、バックパワーの測定回路は測定端子T r 、 T
2を有し、この測定端子間T t 、T 2には、直
流電源Eと定電流回路C−1およびスイッチSが接続さ
れ、また、測定端子T、、T2間には、バックパワーを
測定すべきダイオード試料りが図示のように接続される
。
次に、スイッチSを閉にすることにより定電流回路C−
1を介して直流電源Eからのバックパワーが試料りに加
えられることになる。しかしながら、この方法では次の
ような問題がある。以下、これを第6図を参照して詳述
する。
1を介して直流電源Eからのバックパワーが試料りに加
えられることになる。しかしながら、この方法では次の
ような問題がある。以下、これを第6図を参照して詳述
する。
第6図はダイオード試料りに加えられる逆電流丁3と逆
電圧■2の関係を示す逆電圧・逆電流特性曲線図である
。図では横軸に逆電圧v2、縦軸に逆電流工、が採っで
ある。
電圧■2の関係を示す逆電圧・逆電流特性曲線図である
。図では横軸に逆電圧v2、縦軸に逆電流工、が採っで
ある。
図において、加えられるバックパワーPwoの所定値を
例えばpwo=100Wとすると、そのダイオードの逆
電圧vrが250vあれば逆電流工、=100W/25
0V=0.4Aとなり、スイッチSを閉にして定電流回
路Cから0.4Aの逆電流を流すことによって試料りに
は100Wのバックパワーが加えられることになる。し
かしながら試料りの逆電圧・逆電流特性が実線で示した
曲線ではなく、破線で示したような特性であった場合に
は、定電流回路Cから供給する電流がI、=0.4Aで
一定でV、、<V、となるから、この場合のハックパワ
ーはPwoからPwlになり、所定値である100Wは
加えらないことになる。
例えばpwo=100Wとすると、そのダイオードの逆
電圧vrが250vあれば逆電流工、=100W/25
0V=0.4Aとなり、スイッチSを閉にして定電流回
路Cから0.4Aの逆電流を流すことによって試料りに
は100Wのバックパワーが加えられることになる。し
かしながら試料りの逆電圧・逆電流特性が実線で示した
曲線ではなく、破線で示したような特性であった場合に
は、定電流回路Cから供給する電流がI、=0.4Aで
一定でV、、<V、となるから、この場合のハックパワ
ーはPwoからPwlになり、所定値である100Wは
加えらないことになる。
以上の結果、同一ロット内の多数のダイオードをテスト
すると、ダイオード試料りの上記特性にバラツキによっ
てバンクパワーPwが変動してしまう。また、印加する
逆電圧Vrを一定にした場合においても、逆電流特性の
バラツキによって、この場合もバックパワーPWがあら
かじめ定められた所定値にならない。
すると、ダイオード試料りの上記特性にバラツキによっ
てバンクパワーPwが変動してしまう。また、印加する
逆電圧Vrを一定にした場合においても、逆電流特性の
バラツキによって、この場合もバックパワーPWがあら
かじめ定められた所定値にならない。
[発明が解決しようとする課題]
従来のダイオードの特性検査方法では、ダイオード試料
りに所定値のバックパワーを加えるにあたり、逆電圧若
しくは逆電流を一定にして加えても、それぞれのダイオ
ード試料りの逆電圧・逆電流特性のバラツキにより意図
した一定のバックパワーを加えることができず、正確な
検査が実施できないという解決すべき課題があった。
りに所定値のバックパワーを加えるにあたり、逆電圧若
しくは逆電流を一定にして加えても、それぞれのダイオ
ード試料りの逆電圧・逆電流特性のバラツキにより意図
した一定のバックパワーを加えることができず、正確な
検査が実施できないという解決すべき課題があった。
[発明の目的]
本発明は上記のような課題を解決するためになされたも
ので、ダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性のバラツ
キがあっても常に意図する所定値のバックパワーを加え
ることができ、正確な検査が実施できるダイオードの特
性検査方法を提供することを目的とする。
ので、ダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性のバラツ
キがあっても常に意図する所定値のバックパワーを加え
ることができ、正確な検査が実施できるダイオードの特
性検査方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明のダイオードの特性検査方法は、逆電流■、□を
流した時の逆電圧vrlと逆電流Ir゜を流した時の逆
電圧vr2とを計測する計測手段と、該計測手段から計
測した結果から逆電圧・逆電流特性曲線の延長線上に所
定値の逆方向瞬時耐電力P点を算出する演算手段と、該
演算手段により算出されたP点を満たす逆電圧を印加す
る電圧印加手段とを備えたものである。
流した時の逆電圧vrlと逆電流Ir゜を流した時の逆
電圧vr2とを計測する計測手段と、該計測手段から計
測した結果から逆電圧・逆電流特性曲線の延長線上に所
定値の逆方向瞬時耐電力P点を算出する演算手段と、該
演算手段により算出されたP点を満たす逆電圧を印加す
る電圧印加手段とを備えたものである。
[作用]
本発明のダイオードの特性検査方法においては、まず、
ダイオード試料りに可変定電圧・定電流回路により2種
類の逆電流Ir1tIr。を印加し、その時の逆電圧V
r l y V r 2を測定する。この結果に基づ
いて演算手段により逆方向瞬時耐電力P点を算出し、電
圧印加手段によりP点を満たす逆電圧をダイオード試料
りに印加する。このため、所期の逆電圧が印加でき、正
確なバンクパワー検査が可能となる。
ダイオード試料りに可変定電圧・定電流回路により2種
類の逆電流Ir1tIr。を印加し、その時の逆電圧V
r l y V r 2を測定する。この結果に基づ
いて演算手段により逆方向瞬時耐電力P点を算出し、電
圧印加手段によりP点を満たす逆電圧をダイオード試料
りに印加する。このため、所期の逆電圧が印加でき、正
確なバンクパワー検査が可能となる。
[実施例]
以下に本発明の一実施例を説明する。
まず、第1図に本発明の特許請求の範囲に対応する構成
をブロック図により示す。図において、1は、逆電流工
、を流した時の逆電圧vr1と逆電流Ir゜を流した時
の逆電圧Vr2とを計測するための計測手段である。2
は、該計測手段1から計測した値に基づいて逆電圧・逆
電流特性曲線の延長線上に所定値の逆方向瞬時耐電力P
点を算出するための演算手段である。3は、該演算手段
2により算出されたP点を満たす逆電圧を印加する電圧
印加手段である。
をブロック図により示す。図において、1は、逆電流工
、を流した時の逆電圧vr1と逆電流Ir゜を流した時
の逆電圧Vr2とを計測するための計測手段である。2
は、該計測手段1から計測した値に基づいて逆電圧・逆
電流特性曲線の延長線上に所定値の逆方向瞬時耐電力P
点を算出するための演算手段である。3は、該演算手段
2により算出されたP点を満たす逆電圧を印加する電圧
印加手段である。
次に、第2図に本発明のダイオードの特性検査方法を実
施するための模式回路を示す。
施するための模式回路を示す。
図において、直流電源Eと直列に可変定電圧・定電流回
路C−2と、スイッチSとが接続されている。また、ダ
イオード試料りが短絡した場合の試験装置の保護および
測定誤差を小さくすることを目的として抵抗Rsとが図
示のように測定端子T、とスイッチSに接続されている
。この模式回路において、検査すべきダイオード試料り
は測定端子T、、T2間に接続される。
路C−2と、スイッチSとが接続されている。また、ダ
イオード試料りが短絡した場合の試験装置の保護および
測定誤差を小さくすることを目的として抵抗Rsとが図
示のように測定端子T、とスイッチSに接続されている
。この模式回路において、検査すべきダイオード試料り
は測定端子T、、T2間に接続される。
第3図はダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性曲線を
示すグラフである。
示すグラフである。
グラフは横軸に逆電圧V R,縦軸に逆電漆工2を採っ
である。また、図中、符号Pがダイオード試料りに加え
る所定値のバックパワーである。
である。また、図中、符号Pがダイオード試料りに加え
る所定値のバックパワーである。
次に、第4図にダイオード試料りの等価回路図を示す。
図において、R2はダイオード試料りの内部抵抗、■2
は同じく試料りの逆電圧である。
は同じく試料りの逆電圧である。
そこで、再び第2図に戻って、まず当該回路C2を定電
流回路として動作させ、ダイオード試料りに逆電流Ir
lを流し、その時のダイオード試料りの両端の逆電圧v
r1を測定する。
流回路として動作させ、ダイオード試料りに逆電流Ir
lを流し、その時のダイオード試料りの両端の逆電圧v
r1を測定する。
次に、ダイオード試料りに逆電流1.、。を流し、その
時の逆電圧Vr2を測定する。
時の逆電圧Vr2を測定する。
これらの値を基礎して次の式よりダイオード試料りの第
4図に示した内部抵抗R2を求める。
4図に示した内部抵抗R2を求める。
R2=ΔV/Δi
= (V、2−V、I)/ (I、2−I、l)
[Ω]・ ・ ・ ・ ・ (1) 次に、上記(1)式により求めた内部抵抗R2を用いて
、次式より逆電流v2を求める。
[Ω]・ ・ ・ ・ ・ (1) 次に、上記(1)式により求めた内部抵抗R2を用いて
、次式より逆電流v2を求める。
VZ” Vr2 (I r2 ・R2)=V、l−(
I、l−R,)[V] ・・・ (2)次に、ダイオ
ード試料りに加えられるバンクパワーを所定値のPとす
ると、第3図から逆電漆工2、逆電圧vPの時にPとな
ることが分かる。
I、l−R,)[V] ・・・ (2)次に、ダイオ
ード試料りに加えられるバンクパワーを所定値のPとす
ると、第3図から逆電漆工2、逆電圧vPの時にPとな
ることが分かる。
ところで、バックパワーの所定値は、
P ” I p・Vp・・・・・・・・・・・・ (3
)によって表わされ、また、逆電流■2は、■2=vP
−V2/R7,・・・・・ ・・・・ (4)によって
表わされる。
)によって表わされ、また、逆電流■2は、■2=vP
−V2/R7,・・・・・ ・・・・ (4)によって
表わされる。
次に、上記(4)式を(3)式に代入すると、P= (
Vp Vz/Rz)Vp (Vp’ Vp−Vz)/Rz −・・ (5)とな
る。
Vp Vz/Rz)Vp (Vp’ Vp−Vz)/Rz −・・ (5)とな
る。
また、上記(5)式を書き換えると、
pw−Pz=Vp2 Vp” vZとなり、ざらニPw
−pzを右辺に移すと、 VP’ VP−vz PW−PZ=O+ + +
(6)となる。 上記(6)式の2次方程式の解は、
VP= (V2+ )/’E苧+4−了コ[)/2・・
・・・・・・・・・ (7) となる。
−pzを右辺に移すと、 VP’ VP−vz PW−PZ=O+ + +
(6)となる。 上記(6)式の2次方程式の解は、
VP= (V2+ )/’E苧+4−了コ[)/2・・
・・・・・・・・・ (7) となる。
故にI p = P / V p・・・・・・・・・・
(8)を得る。
(8)を得る。
したがって、当該回路C−2で出力する定電圧は、
vo=IP−R5+vP・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ (9)となる。
・ (9)となる。
以上から所定のバックパワーPをダイオード試料りに加
えるには、次に順序で行なう。
えるには、次に順序で行なう。
■第2図において、スイッチSを閉じて当該回路C−2
から定電流Ir□をダイオード試料りに流し、その時の
逆電圧vrIを測定する。
から定電流Ir□をダイオード試料りに流し、その時の
逆電圧vrIを測定する。
■次に、上記と同様にして定電流Ir2をダイオード試
料りに流し、逆電圧■r2を測定する。
料りに流し、逆電圧■r2を測定する。
■次に、スイッチSを開にする。
■上記■、■から得た値を前記(1)式、(2)式に代
入し、内部抵抗R2および逆電圧■7を求める。
入し、内部抵抗R2および逆電圧■7を求める。
■上記■から求められた内部抵抗R2および逆電圧v2
を前記(7)式に代入し、また、バックパワーPを所定
の値に決めておけば、逆電圧■2が求まる。
を前記(7)式に代入し、また、バックパワーPを所定
の値に決めておけば、逆電圧■2が求まる。
■その結果、前記(8)式により逆電流■2が得られる
。
。
■当該回路C−2を定電圧回路として、前記(9)式か
ら定電圧V。を設定する。そして、スイッチSを閉にし
て約10μsのパルス電圧をダイオード試料りに印加す
る。
ら定電圧V。を設定する。そして、スイッチSを閉にし
て約10μsのパルス電圧をダイオード試料りに印加す
る。
なお、前記(9)式のR5は、回路保護とダイオード試
料りの内部抵抗R2のバラツキの影響を小さくするため
のもので、Rs=0であってもよい。また、第1図に模
式的に示したスイッチは半導体スイッチである。さらに
、ダイオード試料りの両端電圧V r+ y V r2
および■2を測定する手段は公知の手段であるため、特
に図示してない。
料りの内部抵抗R2のバラツキの影響を小さくするため
のもので、Rs=0であってもよい。また、第1図に模
式的に示したスイッチは半導体スイッチである。さらに
、ダイオード試料りの両端電圧V r+ y V r2
および■2を測定する手段は公知の手段であるため、特
に図示してない。
また、上記各式を計算する演算手段も図示を省略したが
、例えばマイクロコンピュータにより処理される。
、例えばマイクロコンピュータにより処理される。
[発明の効果]
本発明は上記のように構成したので、ダイオード試料り
に所定値のバックパワーを加えるにあたり、それぞれの
ダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性のバラツキがあ
っても意図した正確なバックパワーを印加することがで
き、その結果、正確な検査の実施が可能となるなどの優
れた効果がある。
に所定値のバックパワーを加えるにあたり、それぞれの
ダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性のバラツキがあ
っても意図した正確なバックパワーを印加することがで
き、その結果、正確な検査の実施が可能となるなどの優
れた効果がある。
第1図は本発明の特許請求の範囲に対応するブロック図
、第2図は本発明を実施するための模式回路図、第3図
はダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性曲線図、第4
図はダイオード試料の等価回路図、第5図は従来のダイ
オードの特性検査方法を実施するための模式回路図、第
6図はダイオード試料りの特性のバラツキにより逆電圧
・逆電流特性曲線が変化することを説明するための逆電
圧・逆電流特性曲線図である。 1・・・計測手段、2・・・演算手段、3・・・電圧印
加手段、 Ir1tIr2・・・逆電流、 ■、ユpVr2・・・逆電圧、 P・・・逆方向瞬時耐電力。 特許呂願人 日本インター株式会社 第3図
、第2図は本発明を実施するための模式回路図、第3図
はダイオード試料りの逆電圧・逆電流特性曲線図、第4
図はダイオード試料の等価回路図、第5図は従来のダイ
オードの特性検査方法を実施するための模式回路図、第
6図はダイオード試料りの特性のバラツキにより逆電圧
・逆電流特性曲線が変化することを説明するための逆電
圧・逆電流特性曲線図である。 1・・・計測手段、2・・・演算手段、3・・・電圧印
加手段、 Ir1tIr2・・・逆電流、 ■、ユpVr2・・・逆電圧、 P・・・逆方向瞬時耐電力。 特許呂願人 日本インター株式会社 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 逆方向に電圧・電流を加えて逆方向瞬時耐電力を検査す
るダイオードの特性検査方法において、逆電流I_r_
1を流した時の逆電圧V_r_1と逆電流I_r_2を
流した時の逆電圧V_r_2とを計測する計測手段と、 該計測手段から計測した値に基づいて逆電圧・逆電流特
性曲線の延長線上に所定値の逆方向瞬時耐電力P点を算
出する演算手段と、 該演算手段により算出されたP点を満たす逆電圧を印加
する電圧印加手段と、 を有することを特徴とするダイオードの特性検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2187177A JP2972291B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ダイオードの特性検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2187177A JP2972291B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ダイオードの特性検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474975A true JPH0474975A (ja) | 1992-03-10 |
JP2972291B2 JP2972291B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=16201456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2187177A Expired - Lifetime JP2972291B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ダイオードの特性検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2972291B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111596195A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-28 | 北京星河泰视特科技有限公司 | 一种检测二极管电路的方法和装置 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2187177A patent/JP2972291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111596195A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-28 | 北京星河泰视特科技有限公司 | 一种检测二极管电路的方法和装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2972291B2 (ja) | 1999-11-08 |
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