JPH11317179A - 画像形成装置とそれに用いるスペーサの形成方法 - Google Patents
画像形成装置とそれに用いるスペーサの形成方法Info
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- JPH11317179A JPH11317179A JP12252398A JP12252398A JPH11317179A JP H11317179 A JPH11317179 A JP H11317179A JP 12252398 A JP12252398 A JP 12252398A JP 12252398 A JP12252398 A JP 12252398A JP H11317179 A JPH11317179 A JP H11317179A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定な電子軌道が得られる画像形成装置を提
供することを課題とする。 【解決手段】 複数の電子放出素子及び配線が形成され
たリアプレートと、前記リアプレートに対向して配置さ
れた蛍光部材及び加速電極が形成されたフェースプレー
トと、前記フェースプレートと前記リアプレートとの間
に配置された導電性のスペーサと、前記スペーサを電気
的及び機械的に接続する接続部材を有する画像形成装置
において、前記スペーサの導電性はイオン交換法によ
り、前記スペーサの表面に付与されていることを特徴と
する。また、請求項１に記載の画像形成装置において、
前記スペーサの表面層は、１０の５乗ないし１０の１２
乗（Ω／□）の表面抵抗値を有することを特徴とする。
供することを課題とする。 【解決手段】 複数の電子放出素子及び配線が形成され
たリアプレートと、前記リアプレートに対向して配置さ
れた蛍光部材及び加速電極が形成されたフェースプレー
トと、前記フェースプレートと前記リアプレートとの間
に配置された導電性のスペーサと、前記スペーサを電気
的及び機械的に接続する接続部材を有する画像形成装置
において、前記スペーサの導電性はイオン交換法によ
り、前記スペーサの表面に付与されていることを特徴と
する。また、請求項１に記載の画像形成装置において、
前記スペーサの表面層は、１０の５乗ないし１０の１２
乗（Ω／□）の表面抵抗値を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐大気圧支持部材
（以下、スペーサと称する）を有する平面型の画像形成
装置とこのスペーサの形成方法に関する。
（以下、スペーサと称する）を有する平面型の画像形成
装置とこのスペーサの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、一般に電子を用いた画像表示
装置においては、フェースプレート、リアプレートから
なる真空（減圧）雰囲気を維持する外囲器と、電子を放
出させるための電子源とその駆動回路と、電子の衝突に
より発光する蛍光体等を有する画像形成部材と、電子を
画像形成部材に向けて加速するための加速電極とその高
圧電源等が必要である。また、薄型画像表示装置等のよ
うに扁平な外囲器を用いる画像表示装置においては、耐
大気圧構造体としてスペーサを用いる場合がある。
装置においては、フェースプレート、リアプレートから
なる真空（減圧）雰囲気を維持する外囲器と、電子を放
出させるための電子源とその駆動回路と、電子の衝突に
より発光する蛍光体等を有する画像形成部材と、電子を
画像形成部材に向けて加速するための加速電極とその高
圧電源等が必要である。また、薄型画像表示装置等のよ
うに扁平な外囲器を用いる画像表示装置においては、耐
大気圧構造体としてスペーサを用いる場合がある。
【０００３】一般に、画像表示装置は、対向するフェー
スプレート及びリアプレート及びスペーサがフリットガ
ラスにより封着されて作製される。たとえば、本出願人
の特開平８−１８０８２１号公報によれば、スペーサの
上下に当たる部分と、対向するフェースプレート及びリ
アプレートとの間にフリットガラスを形成・焼成するこ
とにより画像表示装置が作製される。
スプレート及びリアプレート及びスペーサがフリットガ
ラスにより封着されて作製される。たとえば、本出願人
の特開平８−１８０８２１号公報によれば、スペーサの
上下に当たる部分と、対向するフェースプレート及びリ
アプレートとの間にフリットガラスを形成・焼成するこ
とにより画像表示装置が作製される。
【０００４】以下に、画像表示装置の電子源に用いられ
る電子放出素子について説明する。従来より電子放出素
子には大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を
用いた２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素
子には電界放出型（以下、〔「ＦＥ型」という。）、金
属／絶縁層／金属型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や
表面伝導型電子放出素子等がある。ＦＥ型の例として
は、W.P.Dyke & W.W.Doran “Field Emission",Advance
in Electron Physics,8,89(1956)、あるいはC.A.Spind
t"Physicsl Properties of thin-film field emission
cathodes with molybdenium cones",J.Appl.Phys.,47,5
248(1976)等に開示されたものが知られている。
る電子放出素子について説明する。従来より電子放出素
子には大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を
用いた２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素
子には電界放出型（以下、〔「ＦＥ型」という。）、金
属／絶縁層／金属型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や
表面伝導型電子放出素子等がある。ＦＥ型の例として
は、W.P.Dyke & W.W.Doran “Field Emission",Advance
in Electron Physics,8,89(1956)、あるいはC.A.Spind
t"Physicsl Properties of thin-film field emission
cathodes with molybdenium cones",J.Appl.Phys.,47,5
248(1976)等に開示されたものが知られている。
【０００５】また、ＭＩＭ型では、C.A.Mead,“Operati
on of Tunnel-Emission Devices",J.Appl.Phys.,32,646
(1961)等に開示されたものが知られている。
on of Tunnel-Emission Devices",J.Appl.Phys.,32,646
(1961)等に開示されたものが知られている。
【０００６】また、表面伝導型電子放出素子型の例とし
ては、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,1290
(1965)等に開示されたものがある。
ては、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,1290
(1965)等に開示されたものがある。
【０００７】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生じる。この表面伝導型電子放出素子と
しては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2 薄膜を用いた
もの、Ａｕ薄膜によるもの［G.Dittmer.Thin Solid Fil
ms,9,317(1972)］、Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ2 薄膜によるも
の［M.Hartwell and C.G.Fonstad:IEEE Trans.ED Con
f.,519(1975)］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：
真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報
告されている。
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生じる。この表面伝導型電子放出素子と
しては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2 薄膜を用いた
もの、Ａｕ薄膜によるもの［G.Dittmer.Thin Solid Fil
ms,9,317(1972)］、Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ2 薄膜によるも
の［M.Hartwell and C.G.Fonstad:IEEE Trans.ED Con
f.,519(1975)］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：
真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報
告されている。
【０００８】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図２に
模式的に示す。同図において、２０１は基板である。２
０４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタで
形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォ
ーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部２０５が
形成される。尚、図中の素子電極２０２，２０３の間隔
Ｌ１は０．５〜１ｍｍ、導電性薄膜２０４の幅Ｗ′は
０．１ｍｍで設定されている。
な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図２に
模式的に示す。同図において、２０１は基板である。２
０４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタで
形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォ
ーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部２０５が
形成される。尚、図中の素子電極２０２，２０３の間隔
Ｌ１は０．５〜１ｍｍ、導電性薄膜２０４の幅Ｗ′は
０．１ｍｍで設定されている。
【０００９】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜２０４を予め
通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出
部２０５を形成するのが一般的であった。即ち、通電フ
ォーミングとは前記導電性薄膜２０４両端の素子電極２
０２，２０３間に、一定レベルの三角波パルス電圧ある
いは非常にゆっくりとした昇電圧の三角波パルスを一定
周期で印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形も
しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放
出部２０５を形成することである。尚、電子放出部２０
５は導電性薄膜２０４の一部に亀裂が発生し、その亀裂
付近から電子放出が行われる。前記通電フォーミング処
理をした表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜２
０４に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述
の電子放出部２０５より電子を放出せしめるものであ
る。
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜２０４を予め
通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出
部２０５を形成するのが一般的であった。即ち、通電フ
ォーミングとは前記導電性薄膜２０４両端の素子電極２
０２，２０３間に、一定レベルの三角波パルス電圧ある
いは非常にゆっくりとした昇電圧の三角波パルスを一定
周期で印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形も
しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放
出部２０５を形成することである。尚、電子放出部２０
５は導電性薄膜２０４の一部に亀裂が発生し、その亀裂
付近から電子放出が行われる。前記通電フォーミング処
理をした表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜２
０４に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述
の電子放出部２０５より電子を放出せしめるものであ
る。
【００１０】上述の表面伝導型放出素子は、構造が単純
で、製造も容易であることから、大面積にわたって多数
素子を配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を活
かした荷電ビーム源、表示装置等の応用研究がなされて
いる。多数の表面伝導型放出素子を配列形成した例とし
ては、後述する様に梯型配置と呼ぶ並列に表面伝導型電
子放出素子を配列し、個々の素子の両端を配線（共通配
線とも呼ぶ）で、それぞれ結線した行を多数行配列した
電子源があげられる（例えば、特開昭６４−０３１３３
２号公報、特開平１−２８３７４９号公報、特開平２−
２５７５５２号公報等）。また、特に表示装置等の画像
形成装置においては、近年、液晶を用いた平板型表示装
置がＣＲＴに替わって普及してきたが、自発光型でない
ためバックライトを持たなければならない等の問題点が
あり、自発光型の表示装置の開発が望まれてきた。自発
光型表示装置としては、表面伝導型電子放出素子を多数
配置した電子源と電子源より放出された電子によって、
可視光を発光せしめる蛍光体とを組み合わせた表示装置
である画像形成装置があげられる（例えば、ＵＳＰ５０
６６８８３）。
で、製造も容易であることから、大面積にわたって多数
素子を配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を活
かした荷電ビーム源、表示装置等の応用研究がなされて
いる。多数の表面伝導型放出素子を配列形成した例とし
ては、後述する様に梯型配置と呼ぶ並列に表面伝導型電
子放出素子を配列し、個々の素子の両端を配線（共通配
線とも呼ぶ）で、それぞれ結線した行を多数行配列した
電子源があげられる（例えば、特開昭６４−０３１３３
２号公報、特開平１−２８３７４９号公報、特開平２−
２５７５５２号公報等）。また、特に表示装置等の画像
形成装置においては、近年、液晶を用いた平板型表示装
置がＣＲＴに替わって普及してきたが、自発光型でない
ためバックライトを持たなければならない等の問題点が
あり、自発光型の表示装置の開発が望まれてきた。自発
光型表示装置としては、表面伝導型電子放出素子を多数
配置した電子源と電子源より放出された電子によって、
可視光を発光せしめる蛍光体とを組み合わせた表示装置
である画像形成装置があげられる（例えば、ＵＳＰ５０
６６８８３）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、マトリクス型の電子源を用いた画像形成装置にお
いて、電子放出素子及び配線が形成されたリアプレート
と、前記リアプレートに対向して配置された蛍光部材及
び加速電極が形成されたフェースプレートとの間に配置
されたスペーサが、誘電体である場合、電子の軌道が本
来の設計値に対して、ずれを生ずることを見い出した。
者は、マトリクス型の電子源を用いた画像形成装置にお
いて、電子放出素子及び配線が形成されたリアプレート
と、前記リアプレートに対向して配置された蛍光部材及
び加速電極が形成されたフェースプレートとの間に配置
されたスペーサが、誘電体である場合、電子の軌道が本
来の設計値に対して、ずれを生ずることを見い出した。
【００１２】このずれの生じる原因は、一つには、電子
放出部からフェースプレートの加速電極に至る電子の経
路に、電子放出部と加速電極間の高電圧差による電界に
より、スペーサに静電気が誘導され、外静電気に電子が
吸引されるためであると考えられる。
放出部からフェースプレートの加速電極に至る電子の経
路に、電子放出部と加速電極間の高電圧差による電界に
より、スペーサに静電気が誘導され、外静電気に電子が
吸引されるためであると考えられる。
【００１３】本発明は、上記の問題点に鑑み、安定な電
子軌道が得られる画像形成装置を提供することを目的と
する。
子軌道が得られる画像形成装置を提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、複数の電子放出素子及び配線が形成されたリアプ
レートと、前記リアプレートに対向して配置された蛍光
部材及び加速電極が形成されたフェースプレートと、前
記フェースプレートと前記リアプレートとの間に配置さ
れた導電性の膜に被覆されたスペーサと、前記スペーサ
を電気的及び機械的に接続する接続部材を有する画像形
成装置において、前記スペーサの導電性はイオン交換法
により、前記スペーサの表面に付与されていることを特
徴とする。
めに、複数の電子放出素子及び配線が形成されたリアプ
レートと、前記リアプレートに対向して配置された蛍光
部材及び加速電極が形成されたフェースプレートと、前
記フェースプレートと前記リアプレートとの間に配置さ
れた導電性の膜に被覆されたスペーサと、前記スペーサ
を電気的及び機械的に接続する接続部材を有する画像形
成装置において、前記スペーサの導電性はイオン交換法
により、前記スペーサの表面に付与されていることを特
徴とする。
【００１５】また、本発明は、上記画像形成装置におい
て、前記スペーサの表面層は、１０の５乗ないし１０の
１２乗（Ω／□）の表面抵抗値を有することを特徴とす
る。
て、前記スペーサの表面層は、１０の５乗ないし１０の
１２乗（Ω／□）の表面抵抗値を有することを特徴とす
る。
【００１６】さらに、上記画像形成装置において、前記
スペーサ表面にイオン交換法により導入される導電性付
与イオンが１価の陽イオンであることを特徴とする。
スペーサ表面にイオン交換法により導入される導電性付
与イオンが１価の陽イオンであることを特徴とする。
【００１７】また、本発明は、複数の電子放出素子及び
配線が形成されたリアプレートと、前記リアプレートに
対向して配置された蛍光部材及び加速電極が形成された
フェースプレートとを有する画像形成装置の前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間に配置される導電
性のスペーサの形成方法において、前記スペーサの導電
性をイオン交換法により、前記スペーサの表面に付与す
ることを特徴とする。
配線が形成されたリアプレートと、前記リアプレートに
対向して配置された蛍光部材及び加速電極が形成された
フェースプレートとを有する画像形成装置の前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間に配置される導電
性のスペーサの形成方法において、前記スペーサの導電
性をイオン交換法により、前記スペーサの表面に付与す
ることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】［実施形態１］本発明の実施形態
として、図１に示す表面伝導型電子放出素子を用いた画
像形成装置について説明する。
として、図１に示す表面伝導型電子放出素子を用いた画
像形成装置について説明する。
【００１９】図１は表面伝導型電子放出素子を用いた画
像形成装置の概略的な断面図である。図１において、１
０１はソーダライムガラスからなるリアプレート、１０
３は素子電極用に行配線又は列配線として配線された配
線電極、１０２は電子放出部を有する電子放出素子であ
る。電子放出素子１０２は行配線及び列配線の配線電極
１０３と電気的に接続されている。
像形成装置の概略的な断面図である。図１において、１
０１はソーダライムガラスからなるリアプレート、１０
３は素子電極用に行配線又は列配線として配線された配
線電極、１０２は電子放出部を有する電子放出素子であ
る。電子放出素子１０２は行配線及び列配線の配線電極
１０３と電気的に接続されている。
【００２０】また、１０４は導電膜１０５で覆われた耐
大気圧の強度を備えた支持部材（以下、スペーサと称す
る）、１０６はスペーサ／リアプレート接続部材、１０
７はスペーサ／フェースプレート接続部材である。
大気圧の強度を備えた支持部材（以下、スペーサと称す
る）、１０６はスペーサ／リアプレート接続部材、１０
７はスペーサ／フェースプレート接続部材である。
【００２１】また、フェースプレート１１１は、加速電
極１０８、ブラックストライプ１０９及び、蛍光体１１
０を有する。
極１０８、ブラックストライプ１０９及び、蛍光体１１
０を有する。
【００２２】ここで、スペーサ１０４を両端部のリアプ
レート１０１とフェースプレート１１１との接続につい
て述べる。スペーサの導電膜１０５１０５は、フェース
プレート１１１及びリアプレート１０１と接続部材１０
６及び１０７により接続している。この接続により、フ
ェースプレート１１１とリアプレート１０１とを機械的
に支持している。
レート１０１とフェースプレート１１１との接続につい
て述べる。スペーサの導電膜１０５１０５は、フェース
プレート１１１及びリアプレート１０１と接続部材１０
６及び１０７により接続している。この接続により、フ
ェースプレート１１１とリアプレート１０１とを機械的
に支持している。
【００２３】スペーサ／リアプレート接続部材１０６及
び、スペーサ／フェースプレート接続部材１０７は、ガ
ラスフリットのフィラーを除き、平均粒径２０ミクロン
のシリカガラス球にＡｕ鍍金を形成したものをフィラー
として添加し、接着強度と同時に、導電性を付与した。
び、スペーサ／フェースプレート接続部材１０７は、ガ
ラスフリットのフィラーを除き、平均粒径２０ミクロン
のシリカガラス球にＡｕ鍍金を形成したものをフィラー
として添加し、接着強度と同時に、導電性を付与した。
【００２４】
【実施例】図１に示す本発明による画像形成装置におけ
るスペーサの形成方法は、具体的な実施例として、以下
のような方法で実施した。
るスペーサの形成方法は、具体的な実施例として、以下
のような方法で実施した。
【００２５】本実施例による耐大気圧支持部材（スペー
サ）に導電性を付与するためのイオン交換処理は、所望
の抵抗値を得るために、適宜の処理としている。ここ
で、所望の抵抗値としては、フェースプレート１１１の
加速電極１０８に印加する電圧による電子放出部と加速
電極１０８間の電界強度と、電子が加速電極１０８に至
る通路とスペーサとの距離と、フェースプレート１１１
の１画素当たりの蛍光体の大きさ等をパラメータの一つ
として考慮される。
サ）に導電性を付与するためのイオン交換処理は、所望
の抵抗値を得るために、適宜の処理としている。ここ
で、所望の抵抗値としては、フェースプレート１１１の
加速電極１０８に印加する電圧による電子放出部と加速
電極１０８間の電界強度と、電子が加速電極１０８に至
る通路とスペーサとの距離と、フェースプレート１１１
の１画素当たりの蛍光体の大きさ等をパラメータの一つ
として考慮される。
【００２６】下記に示す組成及び熱物性を有するソーダ
ライムガラスを、厚さ０．２ｍｍ、高さ４ｍｍ長さ４０
ｍｍの薄片状に研磨加工した後に、３００℃に保持した
硝酸銀の溶融塩中に浸漬し、ガラス中のナトリウムイオ
ンと溶融塩中の銀イオンとの交換を行う。
ライムガラスを、厚さ０．２ｍｍ、高さ４ｍｍ長さ４０
ｍｍの薄片状に研磨加工した後に、３００℃に保持した
硝酸銀の溶融塩中に浸漬し、ガラス中のナトリウムイオ
ンと溶融塩中の銀イオンとの交換を行う。
【００２７】ガラス表面から銀イオンがガラス中に導入
されると、ガラスの表面の電気抵抗が下がり所望の導電
性が得られた時点で、ガラスを溶融塩中から取り出し、
水で洗浄する。
されると、ガラスの表面の電気抵抗が下がり所望の導電
性が得られた時点で、ガラスを溶融塩中から取り出し、
水で洗浄する。
【００２８】導電性は表面のシート抵抗値で、１０の５
乗Ω／□ないし１０の１２乗Ω／□、好ましくは、１０
の７乗Ω／□ないし１０の１０乗Ω／□となるようにし
た。
乗Ω／□ないし１０の１２乗Ω／□、好ましくは、１０
の７乗Ω／□ないし１０の１０乗Ω／□となるようにし
た。
【００２９】ここで、ソーダライムガラスの組成（ｗｔ
％）および、ソーダライムガラスの熱物性は、表１及び
表２に示す組成である。
％）および、ソーダライムガラスの熱物性は、表１及び
表２に示す組成である。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオン交換法により、導電性がその表面層に付与されて
いるスペーサを使用することにより、薄膜法にて導電性
被膜が基板表面に形成されたスペーサに比べ、画像形成
装置の製造時における加熱等の工程中でも、スペーサ表
面の抵抗値の変化か少なく、安定な導電性が得られ、よ
って良好な画像を有する画像形成装置を作製することが
可能となった。
イオン交換法により、導電性がその表面層に付与されて
いるスペーサを使用することにより、薄膜法にて導電性
被膜が基板表面に形成されたスペーサに比べ、画像形成
装置の製造時における加熱等の工程中でも、スペーサ表
面の抵抗値の変化か少なく、安定な導電性が得られ、よ
って良好な画像を有する画像形成装置を作製することが
可能となった。
【図１】本発明の実施形態を説明するための断面図であ
る。
る。
【図２】従来例を説明するための模式図である。
１０１ ソーダライムガラスからなるリアプレート １０２ 電子放出部を有する電子放出素子 １０３ 配線電極 １０４ 耐大気圧支持部材（スペーサ） １０５ 導電膜 １０６ スペーサ／リアプレート接続部材 １０７ スペーサ／フェースプレート接続部材 １０８ 加速電極 １０９ ブラックストライプ １１０ 蛍光体 １１１ フェースプレート ２０１ 基板 ２０２ 素子電極 ２０３ 素子電極 ２０４ 導電性薄膜 ２０５ 電子放出部
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の電子放出素子及び配線が形成され
たリアプレートと、前記リアプレートに対向して配置さ
れた蛍光部材及び加速電極が形成されたフェースプレー
トと、前記フェースプレートと前記リアプレートとの間
に配置された導電性の膜に被覆されたスペーサと、前記
スペーサを電気的及び機械的に接続する接続部材を有す
る画像形成装置において、 前記スペーサの導電性はイオン交換法により、前記スペ
ーサの表面に付与されていることを特徴とする画像形成
装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサの表面層は、１０の５乗ないし１０の
１２乗（Ω／□）の表面抵抗値を有することを特徴とす
る画像形成装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサ表面にイオン交換法により導入される
導電性付与イオンが１価の陽イオンであることを特徴と
する画像形成装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサ表面にイオン交換法により導入される
導電性付与イオンが銀イオンであることを特徴とする画
像形成装置。 - 【請求項５】 複数の電子放出素子及び配線が形成され
たリアプレートと、前記リアプレートに対向して配置さ
れた蛍光部材及び加速電極が形成されたフェースプレー
トとを有する画像形成装置の前記フェースプレートと前
記リアプレートとの間に配置される導電性のスペーサの
形成方法において、 前記スペーサの導電性をイオン交換法により、前記スペ
ーサの表面に付与することを特徴とするスペーサの形成
方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載のスペーサの形成方法に
おいて、前記スペーサの表面層は、１０の５乗ないし１
０の１２乗（Ω／□）の表面抵抗値を有することを特徴
とするスペーサの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12252398A JPH11317179A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 画像形成装置とそれに用いるスペーサの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12252398A JPH11317179A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 画像形成装置とそれに用いるスペーサの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317179A true JPH11317179A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14837968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12252398A Withdrawn JPH11317179A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 画像形成装置とそれに用いるスペーサの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11317179A (ja) |
-
1998
- 1998-05-01 JP JP12252398A patent/JPH11317179A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050428 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20060214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |