JPH11316916A - 近接触動作用頑強記録ヘッド - Google Patents

近接触動作用頑強記録ヘッド

Info

Publication number
JPH11316916A
JPH11316916A JP10341064A JP34106498A JPH11316916A JP H11316916 A JPH11316916 A JP H11316916A JP 10341064 A JP10341064 A JP 10341064A JP 34106498 A JP34106498 A JP 34106498A JP H11316916 A JPH11316916 A JP H11316916A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording head
magnetic flux
head according
flux guide
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10341064A
Other languages
English (en)
Inventor
James A Brug
ジェームス・エイ・ブラグ
Manoj K Bhattacharyya
マノジ・ケー・バタチャルヤ
Lung T Tran
ラング・ティ・トラン
Thomas C Anthony
トーマス・シー・アンソニー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of JPH11316916A publication Critical patent/JPH11316916A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/332Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3909Arrangements using a magnetic tunnel junction
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3916Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
    • G11B5/3919Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/40Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature 
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3268Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B19/00Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
    • G11B19/02Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
    • G11B19/04Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/10Structure or manufacture of housings or shields for heads
    • G11B5/11Shielding of head against electric or magnetic fields
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3912Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read

Abstract

(57)【要約】 記録ヘッドと記録媒体との間の境界から分離されて記録
ヘッドと記録媒体との間の境界で衝突および他の悪影響
により影響されないようにしたスピン・トンネル検知素
子を備えた頑強な記録ヘッドである。スピン・トンネル
検知素子は、一対の磁気素子を備え、磁気素子の一方
は、記録媒体から発せられる磁束を境界からスピン・ト
ンネル検知素子の活動区域まで導く磁束案内として働
く。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録ヘッドの分野
に関する。更に詳細に記せば、本発明は、記録媒体に近
接触して動作するのに適した頑強な記録ヘッドに関す
る。
【0002】
【従来の技術】磁気テープおよび磁気ディスクのような
記録媒体は広く多様な情報記憶の用途に普通に使用され
ている。このような記録媒体は、通常、記録媒体に格納
されている情報の内容に従ってその表面に沿って変わる
磁界または磁束を発生することができる磁気的に変化し
得る材料から構成されている。このような記録媒体は通
常、記憶域または遷移に細分されている。通常、記録媒
体の記憶密度は、記録媒体上の記憶域の表面寸法が減少
するにつれて増大する。
【0003】情報は普通、このような記録媒体から、記
録媒体が記録ヘドに対して移動するにつれて、記録媒体
の近くに設置されている記録ヘッドにより読み出され
る。記録ヘッドは通常、記録媒体から発せられる磁束を
検知する検知素子を備えている。通常、検知素子の電気
固有抵抗は、記録媒体から発せられる磁束に応答して変
化する。磁界に応答して電気固有抵抗を変化する検知素
子は普通、磁気抵抗性検知素子と言われる。
【0004】従来の磁気抵抗性検知素子は通常、その電
気固有抵抗が磁束に応答して変化する一つ以上の強磁性
素子を備えている。従来の磁気抵抗性検知素子は、検知
電流が強磁性素子の平面に沿って流れる異方性検知素子
を備えている。従来の磁気抵抗性検知素子はまた、検知
電流が誘電体障壁を貫通して強磁性素子の平面に垂直に
流れるスピン・トンネル検知素子を備えている。
【0005】従来の記録ヘッドの検知素子は、異方性で
あろうとスピン・トンネル型であろうと、普通、検知さ
れる磁束の強さが最大である、記録ヘッドと記録媒体と
の間の境界近くに設置される。通常、弱い磁界を検知す
るために、および高密度記録媒体の別々の記憶域を区別
するために、記録ヘッドおよびその検知素子を記録媒体
と接触に近い状態で設置しなければならない。
【0006】このような近接触動作中に、特に着脱可能
媒体の場合、記録ヘッドと記録媒体との間に衝突が生ず
る可能性がある。このような衝突は、通常記録媒体との
境界近くに設置されている検知素子の変形を生ずる可能
性がある。残念ながら、このような変形は、検知素子の
精密に整合させた磁気特性を変化させ、記録媒体から発
する磁束に対する検知素子の感度を減らす可能性があ
る。検知素子のこのような磨耗は、記録ヘッドがもはや
記録媒体を確実に読取ることができない点に到達する可
能性がある。記録媒体と検知素子との間の衝突は、検知
素子に熱スパイクを導入する可能性もある。残念なが
ら、このような熱スパイクは通常、検知素子の電気固有
抵抗を変化させ、それにより読取り動作に雑音を導入す
る可能性がある。
【0007】加えて、記録媒体との境界に近く設置され
る検知素子を有する従来の記録ヘッドは、多様な他の悪
影響を受ける。たとえば、このような検知素子は、記録
媒体との境界近くに発生する腐食からしばしば損傷を受
ける。その上、記録媒体近くに検知素子を有する記録ヘ
ッドは、通常、記録媒体との境界に近く設置される導体
を備えている。これは腐食および汚れの効果を生ずる可
能性があり、導体と記録ヘッドのシールドとの間に短絡
を生ずる可能性がある。
【0008】更に、通常の従来の検知素子での電気固有
抵抗の変化は普通、検知素子に電圧電位を生ずる。この
ような検知素子にかかる電位は、検知素子と従来の記録
ヘッドのシールドとの間に短絡を生ずることがある。検
知素子とシールドとの間の電位差は、検知素子と記録媒
体との間の電位差を生ずる可能性があり、これは、検知
素子に読出雑音を生ずる可能性がある。
【0009】
【発明の概要】近接触動作中記録ヘッドと記録媒体との
間の境界で生ずる衝突および他の悪影響に関連する問題
を減らす頑強な記録ヘッドを開示する。記録ヘッドは、
記録ヘッドと記録媒体との間の境界での衝突および他の
悪効果に影響されないように、記録ヘッドと記録媒体と
の間の境界から分離されているスピン・トンネル検知素
子を採用している。スピン・トンネル検知素子は、磁束
案内として働き、記録媒体から発せられる磁束を境界か
ら遠くにスピン・トンネル検知素子の活動域に導く磁気
素子を備えている。頑強な記録ヘッドの構造は検知素子
用導体を記録媒体に露出させず、磁束案内と記録ヘッド
のシールドとの間に短絡が形成されないようにしてい
る。
【0010】本発明の他の特徴および長所は、以下の詳
細説明から明らかになるであろう。
【0011】本発明をその特定の例示実施形態に関して
説明する。
【0012】
【好適な実施例の詳細な説明】図1は、記録媒体22との
近接触動作に適する記録ヘッド10の読取り部分の断面図
を示す。記録ヘッド10は、記録媒体22の表面20に向いて
いる状態を示している。この断面は、記録媒体22の一組
の遷移80−81を横切る方向に取ってある。記録ヘッド10
は、記録媒体22の表面20から発せられる磁束を上方に表
面20から遠ざかる方向に導く磁束案内30を備えている。
磁束案内30は、ピン留め磁性膜32および介在誘電体障壁
34と組み合わされて記録ヘッド10の中にスピン・トンネ
ル磁気抵抗性検知素子(今後トンネル・センサという)
を形成している。トンネル・センサは、記録ヘッド10の
シールド12および14に囲まれている。
【0013】磁束案内30に重なるピン留め磁性膜32の区
域は、トンネル・センサの活動領域を形成している。誘
電体障壁34はトンネル・センサの活動領域において薄い
トンネル障壁を与える。一実施形態での誘電体障壁34の
厚さは、0.5と5ナノメートルとの間にある。
【0014】ピン留め磁性膜32は、反強磁性材料の交換
層(図示せず)によりピン留めされている。交換層は、
ピン留め磁性膜32の磁化の向きを固定する。ピン留め磁
性膜32の磁化の向きは、好適には、検知信号を線形にす
るためにトンネル・センサの活動領域において磁束案内
30の磁化に直交する。
【0015】磁束案内30は、記録ヘッド10のトンネル・
センサの一方の電極として働き、ピン留め磁性膜32は、
他方の電極として働く。一実施形態では、一対の導体層
36および38がトンネル・センサを流れる検知電流の電気
的経路を与えている。導体層36は、磁束案内30から記録
ヘッド10のシールド12までの磁束の漏れを減らす。同様
に、導体層38は、シールド14までの磁束の漏れを減らす
働きをする。他の実施形態では、導体層36および38は存
在せず、検知電流は、磁束案内30および磁性膜32を経て
直接流れる。
【0016】検知電流は、記録ヘッド10が媒体22を読ん
でいる間トンネル・センサを流れる。検知電流は、ピン
留め磁性膜32と磁束案内30の活動領域との間を誘電体障
壁34を横断して流れる。その間に、磁束案内30表面20か
ら出る磁束を上方にトンネル・センサの活動領域まで導
く。この磁束は、磁束案内30の活動領域における磁化の
向きを変え、それによ活動領域におけるトンネル・セン
サの電気固有抵抗を変える。変化する電気固有抵抗は、
外部検知回路(図示せず)により検出され、記録ヘッド
10からの読出信号を与える。
【0017】シールド12および14は、下方記録ヘッド10
の表面50まで広がる誘電体領域16により間を隔てられて
いる。誘電体領域16は、遷移80−81を横断する媒体22の
トラックに沿う方向に間隙幅40を規定している。記録ヘ
ッド10の表面50および媒体22の表面20は、ヘッド/媒体
境界を形成している。
【0018】記録ヘッド10のトンネル・センサの構造
は、シールド12および14および磁束案内30を同じ電位に
維持することができる。これは、磁束案内30とシールド
12および14との間のヘッド/媒体境界に短絡が形成され
ないようにする。一実施形態では、シールド12および 1
4および磁束案内30はすべて地電位に維持されている
が、導体層36は接地され、導体層38は地電位とは別の電
位にある。大地と導体層38との間の電位差が大きい程良
い。一般に、この電位差は、誘電体層16の厚さおよびそ
の破壊電圧により制限される。
【0019】記録ヘッド10の構造は、非常に薄い誘電体
領域16および非常に薄い磁束案内30を可能とし、これに
より非常に薄い間隙幅40が生ずる。誘電体領域16は、磁
束案内30を、シールド12および14から、その等電位のた
め電気的に分離しなくてよいから、非常に薄くできる。
磁束案内30も、検知電流またはバイアス電流をその平面
に沿って導かなくてよいから、非常に薄くすることがで
きる。これらの電流は代わりにトンネル・センサを横断
して流れる。間隙幅40の狭さは、記録ヘッド10に高密度
の媒体を読み取ることを可能とする。したがって媒体22
の遷移80−81の長さを非常に小さくできる。
【0020】記録ヘッド10の構造は、ヘッド/媒体境界
での衝突および悪影響がトンネル・センサの効率に影響
しないようにする。記録ヘッド10のトンネル・センサの
活動領域は、ヘッド/媒体境界から十分遠くに離れてい
るので、媒体22と記録ヘッド10との間に衝突の生ずる可
能性はない。ヘッド/媒体境界の近くで磁束案内30の部
分を損傷することのある衝突は、活動領域に影響せず、
したがって媒体22の表面20から発する磁束へのトンネル
・センサの応答には実質上影響しない。加えて、記録ヘ
ッド10と媒体22との間の衝突によって生ずる熱効果は、
トンネル・センサの活動領域からはるかに十分除去さ
れ、熱スパイクが実質的雑音をトンネル・センサを流れ
る検知電流に導入しないようにしている。
【0021】他に、記録ヘッド10のトンネル・センサの
活動領域は、ヘッド/媒体境界で生ずることのある腐食
から絶縁する。その上、記録ヘッド10は導体層36および
38をヘッド/媒体境界に露出させない。これにより、従
来の記録ヘッドに普通に生ずる導体の汚れまたは短絡に
より生ずる効果が回避される。
【0022】図2は、磁束案内30およびピン留め磁性膜
32の図を示す。この断面は、媒体22のトラックを遷移80
−81の一方に沿って横断する方向に切ったものである。
領域42および44は、磁束案内30の安定化領域を表してい
る。トンネル・センサの読取り幅は、安定化領域42およ
び44によりピン留めされていない磁束案内30のの領域に
より形成される。読取り幅は、遷移80−81の幅に直交す
る方向の媒体22の上のトラックの幅に対応する。
【0023】一実施形態では、安定化領域42および44
は、反強磁性材料の層により実現されている。反強磁性
材料は、マンガン鉄(FeMn)、ニッケル・マンガン
(NiMn)、またはイリジウム・マンガンのようなマン
ガン系材料でよい。代わりに、反強磁性材料を酸化ニッ
ケルまたはテルビウム鉄(TbFe)としてよい。
【0024】他の実施形態では、安定化領域42および44
は、永久磁石により実現されている。
【0025】M1と記した矢印は、磁束案内30の活動領
域における磁化の方向を示す。M1で示した方向は、媒
体22のトラックを横断する磁束案内30の最長の方向であ
る。いる。M1で示した方向は、安定化領域42および44
により設定され、媒体22から発せられる磁束に応答して
図示した方向のまわりで変化する。
【0026】M2と記した矢印は、ピン留め磁性膜32に
おける磁化の方向を示す。磁化M2の向きは、反強磁性
層によりピン留めされ、磁束案内30の活動領域における
M1に実質的に直交している。
【0027】図3は、記録ヘッド10のシールド12および
14に囲まれた層の一実施形態の詳細図である。この図
は、トンネル・センサの活動領域を描いている。構造の
基礎は、誘電体領域16の一部を成す誘電体層である。次
は、金のような導電材料から作られた導電層36である。
タンタル64の薄い層は、導電層36と磁束案内30との間の
拡散を防止する。
【0028】磁束案内30は、軟磁性膜の層である。一実
施形態では、磁束案内30は、ニッケル鉄のようなパーマ
ロイ層である。一対の薄い鉄の層66および68は、一実施
形態では各々20Åの厚さであるが、誘電体障壁34と層30
および32との間の境界で使用されている。
【0029】誘電体障壁34は、誘電体材料の層である。
一実施形態では、誘電体障壁は酸化アルミニウム(Al
23)の層である。
【0030】ピン留め磁性膜32は、軟磁性膜の層であ
る。一実施形態では、ピン留め磁性膜32は、ニッケル鉄
のようなパーマロイ層である。
【0031】ピン留め磁性膜32の磁化の向きは、反強磁
性層60によりピン留めされている。一実施形態では、反
強磁性層60は、マンガン鉄(FeMn)、ニッケル・マン
ガン(NiMn)、またはイリジウム・マンガンのような
マンガン系材料の層である。代わりに、反強磁性材料60
を酸化ニッケルまたはテルビウム鉄(TbFe)の層とし
てよい。
【0032】反強磁性層60の上に、タンタルまたはタン
タル/金としてよい導体層38がある。
【0033】ヘッド/媒体境界における磁束案内30の磁
化の方向M1は、磁束を直接磁束案内30の中に導入さ
せ、バイアス構造および横断トラックの非対称を減らす
方法の必要性を省略している。他に、記録ヘッド10の総
消費電力は、トンネル・センサが比較的高いインピーダ
ンス構造物であるから比較的低い。消費電力の低い記録
へッドは、多数の平行溝が存在するテープ・ヘッドにと
って役に立つ。
【0034】本発明の前述の詳細説明は、例示の目的で
示したものであり、網羅的にしたり、本発明を開示した
精密な実施形態に限定したりするつもりはない。したが
って、本発明の範囲を付記した特許請求の範囲により規
定してある。
【図面の簡単な説明】
【図1】記録媒体との近接触用途に対して頑健な動作を
与える記録ヘッドの読取り部分の断面図を示す。
【図2】記録媒体のトラックを横断する方向に取った磁
束案内およびピン留め磁性膜を示す図である。
【図3】スピン・トンネル検知素子の層を備えた記録ヘ
ッドのシールドに囲まれた層の詳細図である。
【符号の説明】
10 記録ヘッド 22 記録媒体 30 磁束案内 32 磁性膜 36 導体層 38 導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラング・ティ・トラン アメリカ合衆国カリフォルニア州サラトガ ウッドブリー・コート 5085 (72)発明者 トーマス・シー・アンソニー アメリカ合衆国カリフォルニア州サニーベ イル ピメント・アベニュー 1161

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】記録ヘッドと記録媒体との間の境界から分
    離されているスピン・トンネル検知素子を有する記録ヘ
    ッドであって、スピン・トンネル検知素子が記録媒体か
    ら発せられる磁束を境界から離れスピン・トンネル検知
    素子の活動領域まで導く磁束案内として働く磁性素子を
    備えていることを特徴とする記録ヘッド。
  2. 【請求項2】磁束案内は、磁束案内の磁化の向きを設定
    する一対の安定化領域に結合されていることを特徴とす
    る請求項1に記載の記録ヘッド。
  3. 【請求項3】安定化領域に結合されていない磁束案内の
    区域は、活動領域を形成していることを特徴とする請求
    項2に記載の記録ヘッド。
  4. 【請求項4】安定化領域は反強磁性材料から構成されて
    いることを特徴とする請求項2に記載の記録ヘッド。
  5. 【請求項5】安定化領域は一対の永久磁石を備えている
    ことを特徴とする請求項2に記載の記録ヘッド。
  6. 【請求項6】スピン・トンネル検知素子は更に、ピン留
    め磁性膜および介在誘電体障壁を備えていることを特徴
    とする請求項2に記載の記録ヘッド。
  7. 【請求項7】ピン留め磁性膜は、磁束案内の向きに実質
    的に垂直な磁化の向きを備えていることを特徴とする請
    求項6に記載の記録ヘッド。
  8. 【請求項8】ピン留め磁性膜は、反強磁性材料の層に結
    合されている軟磁性膜を備えていることを特徴とする請
    求項6に記載の記録ヘッド。
  9. 【請求項9】軟磁性膜はパーマロイ層から構成されてい
    ることを特徴とする請求項8に記載の記録ヘッド。
  10. 【請求項10】軟磁性膜はニッケル鉄の層から構成され
    ていることを特徴とする請求項8に記載の記録ヘッド。
  11. 【請求項11】反強磁性材料はマンガン系材料であるこ
    とを特徴とする請求項8に記載の記録ヘッド。
  12. 【請求項12】反強磁性材料は酸化ニッケルであること
    を特徴とする請求項8に記載の記録ヘッド。
  13. 【請求項13】反強磁性材料はテルビウム鉄であること
    を特徴とする請求項8に記載の記録ヘッド。
  14. 【請求項14】スピン・トンネル検知素子が所定電位に
    維持されているシールドに囲まれ、磁束案内が所定電位
    に維持されて磁束案内とシールドとの間の短絡を防止し
    ていることを特徴とする請求項1に記載の記録ヘッド。
  15. 【請求項15】磁束案内は軟磁性膜から構成されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録ヘッド。
  16. 【請求項16】磁束案内はパーマロイ層から構成されて
    いることを特徴とする請求項1に記載の記録ヘッド。
  17. 【請求項17】磁束案内はニッケル鉄の層から構成され
    ていることを特徴とする請求項1に記載の記録ヘッド。
  18. 【請求項18】更に、導体層が境界から分離されて記録
    媒体と記録ヘッドとの間の短絡を防止するように、スピ
    ン・トンネル検知素子との電気的接続を行なう一対の導
    体層を備えていることを特徴とする請求項1に記載の記
    録ヘッド。
JP10341064A 1997-11-20 1998-11-13 近接触動作用頑強記録ヘッド Pending JPH11316916A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/974,420 US5930087A (en) 1997-11-20 1997-11-20 Robust recording head for near-contact operation
US974,420 1997-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11316916A true JPH11316916A (ja) 1999-11-16

Family

ID=25522020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10341064A Pending JPH11316916A (ja) 1997-11-20 1998-11-13 近接触動作用頑強記録ヘッド

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5930087A (ja)
EP (1) EP0918319B1 (ja)
JP (1) JPH11316916A (ja)
DE (1) DE69830555T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6552882B1 (en) 1998-09-01 2003-04-22 Nec Corporation Information reproduction head apparatus and information recording/reproduction system
US6930862B2 (en) * 2002-01-07 2005-08-16 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Shielded extraordinary magnetoresistance head
US7161773B2 (en) * 2002-01-18 2007-01-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS)
JP2007158369A (ja) * 2002-11-01 2007-06-21 Nec Corp 磁気抵抗デバイス及びその製造方法
US7742263B2 (en) 2002-11-01 2010-06-22 Nec Corporation Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same
US20110085261A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive magnetic head having a non-magnetic part on a medium facing surface side of the sensor

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6064552A (en) * 1997-03-18 2000-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode
JPH11354859A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Read Rite Smi Kk 磁気抵抗素子と磁気ヘッド
US6219212B1 (en) 1998-09-08 2001-04-17 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer
US6137661A (en) * 1998-10-19 2000-10-24 Read-Rite Corporation System for providing a magnetoresistive head having higher efficiency
JP3180785B2 (ja) * 1998-11-27 2001-06-25 日本電気株式会社 ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドおよび磁気記憶装置
KR100594158B1 (ko) * 1999-03-25 2006-06-28 삼성전자주식회사 자기헤드 장치 및 제조방법
CN1214414C (zh) * 1999-07-22 2005-08-10 皇家菲利浦电子有限公司 磁性沟道结器件的制造方法
US6510030B1 (en) 1999-08-17 2003-01-21 Seagate Technology, Llc Transducing head and method for forming a recessed shield for a transducing head
JP3468419B2 (ja) * 2000-03-17 2003-11-17 Tdk株式会社 トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
US6519124B1 (en) * 2000-03-27 2003-02-11 Tdk Corporation Magnetic tunnel junction read head using a hybrid, low-magnetization flux guide
US6785100B2 (en) * 2000-04-10 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic head comprising a multilayer magnetoresistive device and a yoke for introducing magnetic flux from a medium to the magnetoresistive device
US6504689B1 (en) * 2000-07-12 2003-01-07 International Business Machines Corporation Tunnel junction read head with flux guide coupled to and magnetically extending a recessed free layer to an air bearing surface
JP3839227B2 (ja) 2000-07-28 2006-11-01 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気記録情報の再生方法及び磁気記録方法
US6680827B2 (en) * 2000-08-07 2004-01-20 Tdk Corporation Dual spin valve CPP MR with flux guide between free layers thereof
US6542343B1 (en) 2000-08-09 2003-04-01 International Business Machines Corporation Tunnel valve head design to lower resistance
US6809900B2 (en) * 2001-01-25 2004-10-26 Seagate Technology Llc Write head with magnetization controlled by spin-polarized electron current
US6661626B2 (en) 2001-03-20 2003-12-09 International Business Machines Corporation Tunnel valve sensor having a pinned layer structure with an iron oxide (Fe3O4) layer
US6597546B2 (en) 2001-04-19 2003-07-22 International Business Machines Corporation Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide
US6833982B2 (en) 2001-05-03 2004-12-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel junction sensor with a free layer biased by longitudinal layers interfacing top surfaces of free layer extensions which extend beyond an active region of the sensor
US6721139B2 (en) 2001-05-31 2004-04-13 International Business Machines Corporation Tunnel valve sensor with narrow gap flux guide employing a lamination of FeN and NiFeMo
US6724587B2 (en) 2001-06-11 2004-04-20 International Business Machines Corporation Low temperature yoke type tunnel valve sensor
US7057864B2 (en) * 2001-07-10 2006-06-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for achieving physical connection between the flux guide and the free layer and that insulates the flux guide from the shields
CN100520915C (zh) * 2001-07-24 2009-07-29 希捷科技有限公司 用于高各向异性介质的写入磁头
US6657825B2 (en) * 2001-08-02 2003-12-02 International Business Machines Corporation Self aligned magnetoresistive flux guide read head with exchange bias underneath free layer
US6756648B2 (en) * 2002-03-25 2004-06-29 International Business Machines Corporation System and method for stabilizing a magnetic tunnel junction sensor
JP2004087024A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッド
JP4065787B2 (ja) * 2002-08-30 2008-03-26 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
US20080043376A1 (en) * 2002-09-13 2008-02-21 Hitachi, Ltd. Magnetic resistive head and magnetic recording apparatus
JP4564706B2 (ja) * 2002-09-13 2010-10-20 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気抵抗効果磁気ヘッド及び磁気記録装置
US6943997B2 (en) * 2003-09-09 2005-09-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Sensor with improved stabilization and track definition
US7652855B2 (en) * 2006-11-09 2010-01-26 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic sensor with extended free layer and overlaid leads
US7935435B2 (en) * 2008-08-08 2011-05-03 Seagate Technology Llc Magnetic memory cell construction
US8390283B2 (en) 2009-09-25 2013-03-05 Everspin Technologies, Inc. Three axis magnetic field sensor
US8518734B2 (en) 2010-03-31 2013-08-27 Everspin Technologies, Inc. Process integration of a single chip three axis magnetic field sensor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG55066A1 (en) * 1993-10-06 1999-06-22 Koninkl Philips Electronics Nv Magneto-resistance device and magnetic head employing such a device
WO1996011469A1 (en) * 1994-10-05 1996-04-18 Philips Electronics N.V. Magnetic multilayer device including a resonant-tunneling double-barrier structure
US5493467A (en) * 1994-12-27 1996-02-20 International Business Machines Corporation Yoke spin valve MR read head
US5629922A (en) * 1995-02-22 1997-05-13 Massachusetts Institute Of Technology Electron tunneling device using ferromagnetic thin films
JP3217703B2 (ja) * 1995-09-01 2001-10-15 株式会社東芝 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
US5695864A (en) * 1995-09-28 1997-12-09 International Business Machines Corporation Electronic device using magnetic components
US5627704A (en) * 1996-02-12 1997-05-06 Read-Rite Corporation Thin film giant magnetoresistive CPP transducer with flux guide yoke structure
EP0789250A3 (en) * 1996-02-12 1997-10-01 Read Rite Corp Giant magnetoresistive thin film transducer with a flow guide structure
US5696656A (en) * 1996-09-06 1997-12-09 International Business Machines Corporation Highly sensitive orthogonal spin valve read head
US5757056A (en) * 1996-11-12 1998-05-26 University Of Delaware Multiple magnetic tunnel structures
US5801984A (en) * 1996-11-27 1998-09-01 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction device with ferromagnetic multilayer having fixed magnetic moment

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6552882B1 (en) 1998-09-01 2003-04-22 Nec Corporation Information reproduction head apparatus and information recording/reproduction system
US6930862B2 (en) * 2002-01-07 2005-08-16 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Shielded extraordinary magnetoresistance head
US7161773B2 (en) * 2002-01-18 2007-01-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS)
JP2007158369A (ja) * 2002-11-01 2007-06-21 Nec Corp 磁気抵抗デバイス及びその製造方法
US7742263B2 (en) 2002-11-01 2010-06-22 Nec Corporation Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same
US20110085261A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive magnetic head having a non-magnetic part on a medium facing surface side of the sensor
US8514526B2 (en) * 2009-10-14 2013-08-20 HGST Netherlands B.V. Magnetoresistive magnetic head having a non-magnetic part on a medium facing surface side of the sensor

Also Published As

Publication number Publication date
DE69830555D1 (de) 2005-07-21
US5930087A (en) 1999-07-27
EP0918319A1 (en) 1999-05-26
EP0918319B1 (en) 2005-06-15
DE69830555T2 (de) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11316916A (ja) 近接触動作用頑強記録ヘッド
US6456465B1 (en) Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield
KR100295289B1 (ko) 후방자속가이드로서의감지층을갖는자기터널접합부자기저항판독헤드
US8027129B2 (en) Current perpendicular to plane magnetoresistive sensor pre-product with current confining path precursor
EP0843303B1 (en) Spin-valve GMR sensor with inbound exchange stabilization
US6741431B2 (en) Magnetic head and magnetic recording/reproduction device
JPH07272225A (ja) 磁気抵抗性ヘッド
JP2010272199A (ja) スピン蓄積磁気センサのための三端子設計
US20080102316A1 (en) Magneto-resistive magnetic read head and storage apparatus using the same magnetic read head
US6191925B1 (en) Dual element read with shaped elements
US7170723B2 (en) Magnetic disk apparatus using magnetic head having magnetoresistive film
US7349186B2 (en) Magnetic read head
US6452759B2 (en) Yoke-type magnetoresistive (MR) head, yoke-type MR composite thin film head, and magnetic storage apparatus
US6999270B2 (en) Magnetic head and a magnetic disk drive
EP0573155B1 (en) Magnetoresistive transducer conductor configuration
US5894384A (en) Magnetoresistance effect head in which a magnetoresistance effect element and a soft magnetic film form a single magnetic circuit
JPH07176019A (ja) 扁形磁気抵抗ヘッド
US20070127162A1 (en) Magnetic head device provided with lead electrode electrically connected to upper shield layer and lower shield layer
JPH11259824A (ja) 磁気記録再生装置及びそれに用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
US6317302B1 (en) Thin-film magnetic read head with locally reduced exchange coupling
JPH09282616A (ja) 磁気ヘッド及び磁気記録装置
US20070127163A1 (en) Magnetic head device provided with lead electrode electrically connected to upper shield layer and lower shield layer
US6980402B2 (en) Magnetic head
JP2004295953A (ja) 磁気ヘッド
JP2008130112A (ja) 磁気抵抗効果型再生磁気ヘッド及びその再生磁気ヘッドを用いた磁気記録装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050609

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050614

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051109

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070605