JPH1131669A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1131669A JPH1131669A JP18485597A JP18485597A JPH1131669A JP H1131669 A JPH1131669 A JP H1131669A JP 18485597 A JP18485597 A JP 18485597A JP 18485597 A JP18485597 A JP 18485597A JP H1131669 A JPH1131669 A JP H1131669A
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- metal film
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的安価な材料で十分なバリア性を有する
三元系金属膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供
する。 【解決手段】 窒素を含む雰囲気中でＴｉをスパッタリ
ングし、シリコン基板１上にＴｉＮからなる二元系金属
膜４を形成する。このとき、成膜条件を制御し、二元系
金属膜４の膜密度を５．２ｇ／ｃｍ3 以下とする。その
後、例えばＨ2 とＳｉ2 Ｈ6 との混合ガス中で１００〜
６００℃に保持する表面処理（アニール）を施すことに
より、二元系金属膜４中にＳｉを導入して、三元系金属
膜５を形成する。
三元系金属膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供
する。 【解決手段】 窒素を含む雰囲気中でＴｉをスパッタリ
ングし、シリコン基板１上にＴｉＮからなる二元系金属
膜４を形成する。このとき、成膜条件を制御し、二元系
金属膜４の膜密度を５．２ｇ／ｃｍ3 以下とする。その
後、例えばＨ2 とＳｉ2 Ｈ6 との混合ガス中で１００〜
６００℃に保持する表面処理（アニール）を施すことに
より、二元系金属膜４中にＳｉを導入して、三元系金属
膜５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、三元系金属からな
るバリアメタルを有する半導体装置の製造方法に関す
る。
るバリアメタルを有する半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、互いに
接触する２つの層を構成する元素が化学反応したり又は
相互拡散すると、所望の特性（例えば電気抵抗等の特
性）が変化し、半導体装置の性能が劣化してしまうこと
がある。このため、２つの層の間にバリアメタルを設
け、このバリアメタルにより両側の層からの元素の拡散
を防止している。
接触する２つの層を構成する元素が化学反応したり又は
相互拡散すると、所望の特性（例えば電気抵抗等の特
性）が変化し、半導体装置の性能が劣化してしまうこと
がある。このため、２つの層の間にバリアメタルを設
け、このバリアメタルにより両側の層からの元素の拡散
を防止している。
【０００３】バリアメタルは、一般的に、高融点金属又
は高融点金属の窒化物若しくはシリサイドの単層又は積
層構造からなる。高融点金属の窒化物としては例えばＴ
ｉＮ、ＷＮ及びＴａＮ等の二元系金属が使用され、高融
点金属のシリサイドとしてはＴｉＳｉ及びＮｉＳｉ等の
二元系金属が使用される。図８，図９は従来の半導体装
置のバリアメタル及び配線の形成方法を工程順に示す断
面図である。
は高融点金属の窒化物若しくはシリサイドの単層又は積
層構造からなる。高融点金属の窒化物としては例えばＴ
ｉＮ、ＷＮ及びＴａＮ等の二元系金属が使用され、高融
点金属のシリサイドとしてはＴｉＳｉ及びＮｉＳｉ等の
二元系金属が使用される。図８，図９は従来の半導体装
置のバリアメタル及び配線の形成方法を工程順に示す断
面図である。
【０００４】まず、図８（ａ）に示すように、シリコン
基板３１に所定の素子を構成する不純物拡散層３２を形
成した後、基板３１上にシリコン酸化（ＳｉＯ2 ）膜３
３を形成する。そして、このシリコン酸化膜３３にコン
タクトホール３３ａを選択的に形成する。次に、Ｎ2 を
含む雰囲気中でＴｉをスパッタリングすることにより、
全面にＴｉＮ膜３４を形成する。
基板３１に所定の素子を構成する不純物拡散層３２を形
成した後、基板３１上にシリコン酸化（ＳｉＯ2 ）膜３
３を形成する。そして、このシリコン酸化膜３３にコン
タクトホール３３ａを選択的に形成する。次に、Ｎ2 を
含む雰囲気中でＴｉをスパッタリングすることにより、
全面にＴｉＮ膜３４を形成する。
【０００５】次に、シリコン基板３１を酸素雰囲気中で
約４５０℃の温度で約３０分間保持するアニールを施
し、ＴｉＮ膜３４中に酸素を充填して、図８（ｂ）に示
すように、バリアメタル３５を得る。通常、ＣＶＤ法又
はＰＶＤ法により形成したＴｉＮ膜３４は柱状の結晶構
造を有し、各結晶の間に比較的大きな隙間が存在する。
このＴｉＮ膜３４に対し上述の条件でアニールを実施す
ると、ＴｉＮ膜３４の結晶間に酸素が進入してＴｉＮ膜
３４の組織が密になり、ＴｉＮ膜３４がバリア性を有す
るバリアメタル３５となる。
約４５０℃の温度で約３０分間保持するアニールを施
し、ＴｉＮ膜３４中に酸素を充填して、図８（ｂ）に示
すように、バリアメタル３５を得る。通常、ＣＶＤ法又
はＰＶＤ法により形成したＴｉＮ膜３４は柱状の結晶構
造を有し、各結晶の間に比較的大きな隙間が存在する。
このＴｉＮ膜３４に対し上述の条件でアニールを実施す
ると、ＴｉＮ膜３４の結晶間に酸素が進入してＴｉＮ膜
３４の組織が密になり、ＴｉＮ膜３４がバリア性を有す
るバリアメタル３５となる。
【０００６】その後、ＣＶＤ法等により、コンタクトホ
ール３３ａを埋め込むようにして全面にタングステン
（Ｗ）膜３６を形成する。次に、図９（ａ）に示すよう
に、タングステン膜３６をエッチバックし、コンタクト
ホール３３ａ内にのみタングステン膜３６を残存させ
て、他の領域のタングステン膜３６を除去する。
ール３３ａを埋め込むようにして全面にタングステン
（Ｗ）膜３６を形成する。次に、図９（ａ）に示すよう
に、タングステン膜３６をエッチバックし、コンタクト
ホール３３ａ内にのみタングステン膜３６を残存させ
て、他の領域のタングステン膜３６を除去する。
【０００７】次いで、図９（ｂ）に示すように、全面に
Ｔｉ膜３７を形成し、更にその上にアルミニウム合金膜
３８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法によ
り、アルミニウム合金膜３８、Ｔｉ膜３７及びバリアメ
タル３５をエッチングして所定の配線パターンを形成す
る。このようにして、下層配線が完成する。その後、全
面に絶縁膜を形成した後、上記と同様にコンタクトホー
ルの形成工程、ＴｉＮ膜の形成工程、アニール工程、タ
ングステン膜の形成工程、エッチバック、Ｔｉ膜の形成
工程、アルミニウム合金膜の形成工程及びエッチング工
程を経て、上層配線を形成する。また、必要に応じて、
更に上層の配線を形成する。このようにして、半導体装
置の多層配線が完成する。
Ｔｉ膜３７を形成し、更にその上にアルミニウム合金膜
３８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法によ
り、アルミニウム合金膜３８、Ｔｉ膜３７及びバリアメ
タル３５をエッチングして所定の配線パターンを形成す
る。このようにして、下層配線が完成する。その後、全
面に絶縁膜を形成した後、上記と同様にコンタクトホー
ルの形成工程、ＴｉＮ膜の形成工程、アニール工程、タ
ングステン膜の形成工程、エッチバック、Ｔｉ膜の形成
工程、アルミニウム合金膜の形成工程及びエッチング工
程を経て、上層配線を形成する。また、必要に応じて、
更に上層の配線を形成する。このようにして、半導体装
置の多層配線が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た二元系金属をコンタクトホールのバリアメタルに用い
る方法では、コンタクトホールの微細化が進むのに伴っ
て被覆性が低下するという問題点がある。このため、バ
リアメタルとして、成膜時にアモルファス状であるＴｉ
ＳｉＮ及びＷＳｉＮ等の三元系金属を使用することが検
討されている。
た二元系金属をコンタクトホールのバリアメタルに用い
る方法では、コンタクトホールの微細化が進むのに伴っ
て被覆性が低下するという問題点がある。このため、バ
リアメタルとして、成膜時にアモルファス状であるＴｉ
ＳｉＮ及びＷＳｉＮ等の三元系金属を使用することが検
討されている。
【０００９】この種の三元系金属膜は、ＴｉＳｉ2 、Ｔ
ｉＳｉ、ＴｉＳｉ0.6 又はＷＳｉ等の二元系金属からな
るターゲットを用いてＮ2 又はＡｒ雰囲気中でスパッタ
を行うＰＶＤ法や、ＴｉＣｌ4 又はＳｉ2 Ｈ6 雰囲気中
に有機金属（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5 ）2 ）4 ：tetrakis(di
ethylamino)titanium等）ガスを供給するＣＶＤ法によ
り形成することができる。しかし、いずれの方法におい
ても、膜組成の制御が困難であり、従来の二元系金属膜
からなるバリアメタル以上のバリア性が得られていない
のが現状である。また、三元系金属膜の形成には、ター
ゲット材料として新規で高価な二元系金属を使用するの
で、二元系金属からなるバリアメタルを形成する従来方
法に比べて製造コストが高いという問題点がある。
ｉＳｉ、ＴｉＳｉ0.6 又はＷＳｉ等の二元系金属からな
るターゲットを用いてＮ2 又はＡｒ雰囲気中でスパッタ
を行うＰＶＤ法や、ＴｉＣｌ4 又はＳｉ2 Ｈ6 雰囲気中
に有機金属（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5 ）2 ）4 ：tetrakis(di
ethylamino)titanium等）ガスを供給するＣＶＤ法によ
り形成することができる。しかし、いずれの方法におい
ても、膜組成の制御が困難であり、従来の二元系金属膜
からなるバリアメタル以上のバリア性が得られていない
のが現状である。また、三元系金属膜の形成には、ター
ゲット材料として新規で高価な二元系金属を使用するの
で、二元系金属からなるバリアメタルを形成する従来方
法に比べて製造コストが高いという問題点がある。
【００１０】本発明の目的は、比較的安価な材料で十分
なバリア性を有する三元系金属膜を形成できる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
なバリア性を有する三元系金属膜を形成できる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、半導体
基板上に二元系金属膜を形成する工程と、周期表の第II
I 族、第IV族及び第Ｖ族の元素のうちから選択されたい
ずれか１種の元素を含む水素化物又は有機化合物の雰囲
気中で前記二元系金属膜を表面処理して三元系金属膜と
する工程とを有し、前記二元系金属膜の膜密度を制御す
ることにより前記三元系金属膜の組成を制御することを
特徴とする半導体装置の製造方法により解決する。
基板上に二元系金属膜を形成する工程と、周期表の第II
I 族、第IV族及び第Ｖ族の元素のうちから選択されたい
ずれか１種の元素を含む水素化物又は有機化合物の雰囲
気中で前記二元系金属膜を表面処理して三元系金属膜と
する工程とを有し、前記二元系金属膜の膜密度を制御す
ることにより前記三元系金属膜の組成を制御することを
特徴とする半導体装置の製造方法により解決する。
【００１２】以下、本発明の作用について説明する。本
発明においては、まず、半導体基板上にＴｉＮ等の二元
系金属膜を形成する。二元系金属は、例えばＴｉ等の高
融点金属をターゲットとし、Ｎ2 を含む雰囲気中でスパ
ッタリングすることにより、比較的容易に形成すること
ができる。また、ＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ2 ＮＨ（Ｃ
Ｈ3 ）ガス又はＮＨ3 ガスとを用いたＣＶＤ法によって
も、比較的容易に形成することができる。
発明においては、まず、半導体基板上にＴｉＮ等の二元
系金属膜を形成する。二元系金属は、例えばＴｉ等の高
融点金属をターゲットとし、Ｎ2 を含む雰囲気中でスパ
ッタリングすることにより、比較的容易に形成すること
ができる。また、ＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ2 ＮＨ（Ｃ
Ｈ3 ）ガス又はＮＨ3 ガスとを用いたＣＶＤ法によって
も、比較的容易に形成することができる。
【００１３】このようなＰＶＤ法やＣＶＤ法により形成
したＴｉＮ膜等の二元系金属膜は柱状の結晶構造を有す
ることが知られている。この柱状結晶構造を有する二元
系金属膜を、第III 族〜第Ｖ族から選択された元素を含
む水素化物又は有機化合物の雰囲気中で表面処理（アニ
ール）する。これにより、二元系金属膜中にＳｉ、Ｂ又
はＰ等の元素が進入して、バリア性が高い三元系金属膜
が形成できる。
したＴｉＮ膜等の二元系金属膜は柱状の結晶構造を有す
ることが知られている。この柱状結晶構造を有する二元
系金属膜を、第III 族〜第Ｖ族から選択された元素を含
む水素化物又は有機化合物の雰囲気中で表面処理（アニ
ール）する。これにより、二元系金属膜中にＳｉ、Ｂ又
はＰ等の元素が進入して、バリア性が高い三元系金属膜
が形成できる。
【００１４】この場合、二元系金属の結晶間の隙間を増
やせば、その分だけＳｉ、Ｂ又はＰが膜内に入りやすく
なる。従って、二元系金属膜の形成時には、その膜密度
が小さくなるように（例えば、５．２ｇ／ｃｍ3 以下と
なるように）成膜条件を制御することが必要である。二
元系金属膜の膜密度は、例えばＰＶＤ法によりＴｉＮ膜
を成膜する際に、プラズマ密度を変えることによって制
御することができる。すなわち、チャンバ内に供給する
ガスの組成や、印加電圧及び磁界の強さを変化させるこ
とによりプラズマ密度を調整し、二元系金属膜の膜密度
を一定の値以下に制御する。また、ＣＶＤ法で形成する
場合は、例えば成膜時の基板温度を調整することによ
り、膜密度を一定の値以下に制御することができる。
やせば、その分だけＳｉ、Ｂ又はＰが膜内に入りやすく
なる。従って、二元系金属膜の形成時には、その膜密度
が小さくなるように（例えば、５．２ｇ／ｃｍ3 以下と
なるように）成膜条件を制御することが必要である。二
元系金属膜の膜密度は、例えばＰＶＤ法によりＴｉＮ膜
を成膜する際に、プラズマ密度を変えることによって制
御することができる。すなわち、チャンバ内に供給する
ガスの組成や、印加電圧及び磁界の強さを変化させるこ
とによりプラズマ密度を調整し、二元系金属膜の膜密度
を一定の値以下に制御する。また、ＣＶＤ法で形成する
場合は、例えば成膜時の基板温度を調整することによ
り、膜密度を一定の値以下に制御することができる。
【００１５】その後、第III 族〜第Ｖ族の元素、例えば
Ｓｉ、Ｂ又はＰ等を含む水素化物又は有機化合物の雰囲
気中で前記二元系金属膜を表面処理する。これにより、
二元系金属膜の柱状結晶の隙間にＳｉ、Ｂ又はＰ等が進
入し、三元系金属膜が形成される。このように、本発明
においては、基板上に二元系金属膜を形成した後、所定
の元素を含む水素化物又は有機化合物の雰囲気中で前記
二元系金属膜を表面処理して三元系金属膜を形成するの
で、新規で高価な二元系金属を材料に使用する必要がな
くなり、製造コストを低減することができる。また、膜
密度を一定の値以下となるように制御して二元系金属膜
を形成するので、膜中にＳｉ等の元素が比較的多量に入
り、優れたバリア性を有する三元系金属膜が形成され
る。
Ｓｉ、Ｂ又はＰ等を含む水素化物又は有機化合物の雰囲
気中で前記二元系金属膜を表面処理する。これにより、
二元系金属膜の柱状結晶の隙間にＳｉ、Ｂ又はＰ等が進
入し、三元系金属膜が形成される。このように、本発明
においては、基板上に二元系金属膜を形成した後、所定
の元素を含む水素化物又は有機化合物の雰囲気中で前記
二元系金属膜を表面処理して三元系金属膜を形成するの
で、新規で高価な二元系金属を材料に使用する必要がな
くなり、製造コストを低減することができる。また、膜
密度を一定の値以下となるように制御して二元系金属膜
を形成するので、膜中にＳｉ等の元素が比較的多量に入
り、優れたバリア性を有する三元系金属膜が形成され
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明方法の実施に使用す
る装置を示す模式図である。この装置は、半導体基板
（ウェハ）１２上に二元系金属膜を形成するためのスパ
ッタチャンバ１０と、半導体基板１２上の二元系金属膜
をアニール（表面処理）するためのアニールチャンバ２
０とを有している。スパッタチャンバ１０とアニールチ
ャンバ２０との間には開閉可能であり、且つ閉じた状態
では両者の間を気密的に分離するシャッター１８が設け
られている。また、スパッタチャンバ１０の入口部及び
アニールチャンバ２０の出口部にも、開閉可能であり、
且つ閉じた状態ではチャンバ１０，２０の気密性を保持
するシャッター１１，２１が設けられている。
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明方法の実施に使用す
る装置を示す模式図である。この装置は、半導体基板
（ウェハ）１２上に二元系金属膜を形成するためのスパ
ッタチャンバ１０と、半導体基板１２上の二元系金属膜
をアニール（表面処理）するためのアニールチャンバ２
０とを有している。スパッタチャンバ１０とアニールチ
ャンバ２０との間には開閉可能であり、且つ閉じた状態
では両者の間を気密的に分離するシャッター１８が設け
られている。また、スパッタチャンバ１０の入口部及び
アニールチャンバ２０の出口部にも、開閉可能であり、
且つ閉じた状態ではチャンバ１０，２０の気密性を保持
するシャッター１１，２１が設けられている。
【００１７】スパッタチャンバ１０はＮ2 （窒素ガス）
及びＡｒ（アルゴンガス）を供給するガス供給部（図示
せず）と、チャンバ１０内を排気する排気ポンプ（図示
せず）とに接続されている。チャンバ１０内にはシリコ
ン基板１２が載置される基板載置台１３が配置されてお
り、この基板載置台１３の上方にターゲット１５を配置
するようになっている。また、チャンバ１０内には、タ
ーゲット１５と基板１２との間に磁界を印加するための
磁石１４が設けられている。
及びＡｒ（アルゴンガス）を供給するガス供給部（図示
せず）と、チャンバ１０内を排気する排気ポンプ（図示
せず）とに接続されている。チャンバ１０内にはシリコ
ン基板１２が載置される基板載置台１３が配置されてお
り、この基板載置台１３の上方にターゲット１５を配置
するようになっている。また、チャンバ１０内には、タ
ーゲット１５と基板１２との間に磁界を印加するための
磁石１４が設けられている。
【００１８】一方、アニールチャンバ２０は、ガス供給
部（図示せず）と排気ポンプ（図示せず）とに接続され
ており、ガス供給部から第III 族〜第Ｖ族の元素（例え
ば、Ｓｉ、Ｂ又はＰ等）を含む水素化物又は有機化合物
を含有するガスが供給されるようになっている。また、
アニールチャンバ２０内にはヒータ２３が設けられてい
て、このヒータ２３によりチャンバ２０内に載置された
基板１２を所望の温度に加熱するようになっている。
部（図示せず）と排気ポンプ（図示せず）とに接続され
ており、ガス供給部から第III 族〜第Ｖ族の元素（例え
ば、Ｓｉ、Ｂ又はＰ等）を含む水素化物又は有機化合物
を含有するガスが供給されるようになっている。また、
アニールチャンバ２０内にはヒータ２３が設けられてい
て、このヒータ２３によりチャンバ２０内に載置された
基板１２を所望の温度に加熱するようになっている。
【００１９】図２，３は本発明の第１の実施の形態の半
導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。ま
ず、図２（ａ）に示すように、公知の方法により、所定
の不純物拡散層２が形成されたシリコン基板１上にシリ
コン酸化膜３を形成し、このシリコン酸化膜３にコンタ
クトホール３ａを選択的に形成する。
導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。ま
ず、図２（ａ）に示すように、公知の方法により、所定
の不純物拡散層２が形成されたシリコン基板１上にシリ
コン酸化膜３を形成し、このシリコン酸化膜３にコンタ
クトホール３ａを選択的に形成する。
【００２０】次に、シリコン基板１を図１に示す装置の
スパッタチャンバ１０内に載置する、チャンバ１０内に
はＴｉターゲットを配置しておく。そして、スパッタチ
ャンバ１０内を高真空にした後、ガス供給部からチャン
バ１０内にＮ2 ガス及びＡｒガスを供給し、Ｔｉターゲ
ット１５を陽極、ウェハ載置台１３を陰極にして電圧を
印加してスパッタリングする。これにより、基板１２上
の全面にＴｉＮからなる二元系金属膜４を形成される。
このとき、二元系金属膜の膜密度が５．２ｇ／ｃｍ3 以
下となるように、Ｎ2 とＡｒとの混合比、磁力及びパワ
ー等を調整する。
スパッタチャンバ１０内に載置する、チャンバ１０内に
はＴｉターゲットを配置しておく。そして、スパッタチ
ャンバ１０内を高真空にした後、ガス供給部からチャン
バ１０内にＮ2 ガス及びＡｒガスを供給し、Ｔｉターゲ
ット１５を陽極、ウェハ載置台１３を陰極にして電圧を
印加してスパッタリングする。これにより、基板１２上
の全面にＴｉＮからなる二元系金属膜４を形成される。
このとき、二元系金属膜の膜密度が５．２ｇ／ｃｍ3 以
下となるように、Ｎ2 とＡｒとの混合比、磁力及びパワ
ー等を調整する。
【００２１】二元系金属膜４の材料としては、上記のＴ
ｉの他に、Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｉ及びＣｒなどの高
融点金属を使用することができる。この場合も、二元系
金属膜の膜密度がバルクのときの値よりも十分小さくな
るようにする。次に、基板１をスパッタチャンバ１０か
らアニールチャンバ２０に移動させて、基板１をアニー
ルチャンバ２０内に載置する。そして、アニールチャン
バ２０内に第III 族〜第Ｖ族のいずれか１種の元素の水
素化物又は有機化合物を含むガス、例えばＨ2 とＳｉ2
Ｈ6 との混合ガスを導入し、ヒータ２３により１００〜
６００℃の温度に加熱して、１〜２０分間保持する。
ｉの他に、Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｉ及びＣｒなどの高
融点金属を使用することができる。この場合も、二元系
金属膜の膜密度がバルクのときの値よりも十分小さくな
るようにする。次に、基板１をスパッタチャンバ１０か
らアニールチャンバ２０に移動させて、基板１をアニー
ルチャンバ２０内に載置する。そして、アニールチャン
バ２０内に第III 族〜第Ｖ族のいずれか１種の元素の水
素化物又は有機化合物を含むガス、例えばＨ2 とＳｉ2
Ｈ6 との混合ガスを導入し、ヒータ２３により１００〜
６００℃の温度に加熱して、１〜２０分間保持する。
【００２２】第IV族のＳｉを含有する水素化物として
は、例えば、ＳｉＨ4 （シラン）、Ｓｉ2 Ｈ6 （ジシラ
ン）、Ｓｉ3 Ｈ8 （トリシラン）等がある。Ｓｉを含有
する有機化合物としては、ＳｉＨ3 （ＣＨ3 ）（メチル
シラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 （テトラシラン）、ＳｉＯ
Ｈ（ＣＨ3 ）4 （トリメチルシラノール）、Ｓｉ（ＳＣ
Ｈ3 ）（ＣＨ3 ）3 （トリメチル（トリフルオロメタン
スルホニルオキシ）シラン）、Ｓｉ（ＣＮ）（ＣＨ3 ）
3 （シアノトリメチルシラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ） 3 （Ｃ
Ｈ2 ＣＯＯＣ2 Ｈ5 ）（（エトキシカルボニルメチル）
トリメチルシラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 （Ｃ3 Ｈ5 ）
（アリルトリメチルシラン）、ＳｉＨ2 （ＣＨ3 ）
2 （ジメチルシラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 （テトラエチ
ルシラン）、ＳｉＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 （トリエチルシラ
ン）及びＳｉ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 （テトラフェニルシラン）
等がある。
は、例えば、ＳｉＨ4 （シラン）、Ｓｉ2 Ｈ6 （ジシラ
ン）、Ｓｉ3 Ｈ8 （トリシラン）等がある。Ｓｉを含有
する有機化合物としては、ＳｉＨ3 （ＣＨ3 ）（メチル
シラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 （テトラシラン）、ＳｉＯ
Ｈ（ＣＨ3 ）4 （トリメチルシラノール）、Ｓｉ（ＳＣ
Ｈ3 ）（ＣＨ3 ）3 （トリメチル（トリフルオロメタン
スルホニルオキシ）シラン）、Ｓｉ（ＣＮ）（ＣＨ3 ）
3 （シアノトリメチルシラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ） 3 （Ｃ
Ｈ2 ＣＯＯＣ2 Ｈ5 ）（（エトキシカルボニルメチル）
トリメチルシラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 （Ｃ3 Ｈ5 ）
（アリルトリメチルシラン）、ＳｉＨ2 （ＣＨ3 ）
2 （ジメチルシラン）、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 （テトラエチ
ルシラン）、ＳｉＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 （トリエチルシラ
ン）及びＳｉ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 （テトラフェニルシラン）
等がある。
【００２３】また、第III 族のＢを含有する水素化物と
しては、例えば、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラン）、Ｂ4 Ｈ10（テ
トラボラン）、Ｂ5 Ｈ9 （ペンタボラン）、Ｂ6 Ｈ
10（ヘキサボラン）及びＢ10Ｈ14（デカボラン）等があ
る。更に、第Ｖ族のＰを含有する水素化物としては、例
えば、Ｐ2 Ｈ4 （ジホスフィン）及びＰＨ3 （ホスフィ
ン）等がある。Ｐを含有する有機化合物としては、Ｐ
（ＣＮ）3 （トリシアノリン）、Ｐ（ＳＣＮ）3 （トリ
ス（チオシアナト）ホスフィン）等がある。
しては、例えば、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラン）、Ｂ4 Ｈ10（テ
トラボラン）、Ｂ5 Ｈ9 （ペンタボラン）、Ｂ6 Ｈ
10（ヘキサボラン）及びＢ10Ｈ14（デカボラン）等があ
る。更に、第Ｖ族のＰを含有する水素化物としては、例
えば、Ｐ2 Ｈ4 （ジホスフィン）及びＰＨ3 （ホスフィ
ン）等がある。Ｐを含有する有機化合物としては、Ｐ
（ＣＮ）3 （トリシアノリン）、Ｐ（ＳＣＮ）3 （トリ
ス（チオシアナト）ホスフィン）等がある。
【００２４】これらの第III 族〜第Ｖ族の元素を含む水
素化物又は有機化合物の雰囲気中でのアニール処理によ
り、ＴｉＮからなる二元系金属膜４の柱状結晶の間に、
Ｓｉ、Ｂ又はＰ等が侵入して、図２（ｂ）に示すよう
に、二元系金属膜４が十分なバリア性を備えた三元系金
属膜５となる。その後、ＣＶＤ法等により、コンタクト
ホール３ａを埋め込むようにして全面にタングステン膜
６を形成する。そして、このタングステン膜６をエッチ
バックして、図３（ａ）に示すように、コンタクトホー
ル３ａ内にのみタングステン膜６を残存させ、他の領域
のタングステン膜６を除去する。
素化物又は有機化合物の雰囲気中でのアニール処理によ
り、ＴｉＮからなる二元系金属膜４の柱状結晶の間に、
Ｓｉ、Ｂ又はＰ等が侵入して、図２（ｂ）に示すよう
に、二元系金属膜４が十分なバリア性を備えた三元系金
属膜５となる。その後、ＣＶＤ法等により、コンタクト
ホール３ａを埋め込むようにして全面にタングステン膜
６を形成する。そして、このタングステン膜６をエッチ
バックして、図３（ａ）に示すように、コンタクトホー
ル３ａ内にのみタングステン膜６を残存させ、他の領域
のタングステン膜６を除去する。
【００２５】次いで、図３（ｂ）に示すように、全面に
Ｔｉ膜７を形成し、このＴｉ膜７上にアルミニウム合金
膜８を形成した後、フォトリソグラフィ法により、アル
ミニウム合金膜８、Ｔｉ膜７及び三元系金属膜５をエッ
チングして所定の配線パターンを形成する。その後、上
記と同様にして、基板１上の全面に絶縁膜を形成し、コ
ンタクトホール形成工程、二元系金属膜形成工程、アニ
ールによる三元系金属膜形成工程、タングステン膜形成
工程、エッチバック、Ｔｉ膜形成工程、アルミニウム合
金膜形成工程及びエッチング工程を経て、上層配線を形
成する。また、必要に応じて、更に上層の配線を形成す
る。このようにして、半導体装置の多層配線が完成す
る。
Ｔｉ膜７を形成し、このＴｉ膜７上にアルミニウム合金
膜８を形成した後、フォトリソグラフィ法により、アル
ミニウム合金膜８、Ｔｉ膜７及び三元系金属膜５をエッ
チングして所定の配線パターンを形成する。その後、上
記と同様にして、基板１上の全面に絶縁膜を形成し、コ
ンタクトホール形成工程、二元系金属膜形成工程、アニ
ールによる三元系金属膜形成工程、タングステン膜形成
工程、エッチバック、Ｔｉ膜形成工程、アルミニウム合
金膜形成工程及びエッチング工程を経て、上層配線を形
成する。また、必要に応じて、更に上層の配線を形成す
る。このようにして、半導体装置の多層配線が完成す
る。
【００２６】本実施の形態においては、上述の如く膜密
度が５．２ｇ／ｃｍ3 以下のＴｉＮからなる二元系金属
膜４を形成した後、第III 族〜第Ｖ族の元素を含有する
水素化物又は有機化合物のガス雰囲気中で二元系金属膜
４を表面処理（アニール）するので、ＴｉＮの柱状結晶
の隙間に例えばシリコン、ポリシリコン、アモルファス
シリコン、シリコン金属化合物、ボロン、ボロン金属化
合物、リン又はリン化合物が析出し、十分なバリア性を
備えた三元系金属膜５が形成される。これにより、半導
体装置の信頼性が向上するという効果が得られる。ま
た、Ｔｉをターゲットとして使用し、Ｎ2 を含む雰囲気
中でスパッタリングすることにより二元系金属膜を形成
するので、材料コストが比較的安価であり、半導体装置
の製造コストが低減されるという利点もある。
度が５．２ｇ／ｃｍ3 以下のＴｉＮからなる二元系金属
膜４を形成した後、第III 族〜第Ｖ族の元素を含有する
水素化物又は有機化合物のガス雰囲気中で二元系金属膜
４を表面処理（アニール）するので、ＴｉＮの柱状結晶
の隙間に例えばシリコン、ポリシリコン、アモルファス
シリコン、シリコン金属化合物、ボロン、ボロン金属化
合物、リン又はリン化合物が析出し、十分なバリア性を
備えた三元系金属膜５が形成される。これにより、半導
体装置の信頼性が向上するという効果が得られる。ま
た、Ｔｉをターゲットとして使用し、Ｎ2 を含む雰囲気
中でスパッタリングすることにより二元系金属膜を形成
するので、材料コストが比較的安価であり、半導体装置
の製造コストが低減されるという利点もある。
【００２７】なお、上述の実施の形態においては、Ｓｉ
等を含有する水素化物の雰囲気中でアニールする場合に
ついて説明したが、前記雰囲気中でプラズマ励起を行な
ったり、又は光を照射することにより、アニールを行な
ってもよい。以下、本実施の形態の半導体装置の製造方
法により実際に三元系金属膜を形成し、Ｓｉの充填の程
度を調べた結果について説明する。
等を含有する水素化物の雰囲気中でアニールする場合に
ついて説明したが、前記雰囲気中でプラズマ励起を行な
ったり、又は光を照射することにより、アニールを行な
ってもよい。以下、本実施の形態の半導体装置の製造方
法により実際に三元系金属膜を形成し、Ｓｉの充填の程
度を調べた結果について説明する。
【００２８】まず、シリコン基板上にシリコン酸化膜を
形成し、スパッタ法によりシリコン酸化膜上にＴｉＮ膜
を４００ｎｍの厚さに形成した。その後、シリコン基板
をチャンバ内に配置し、Ｓｉ2 Ｈ6 を４０５ｃｃｍ、Ｈ
2 を１０００ｃｃｍの流量でアニールチャンバ内に供給
し、圧力が１０Torrの雰囲気中で基板を５００℃の温度
に１０分間保持するアニール処理を実施して三元系金属
膜を形成した。
形成し、スパッタ法によりシリコン酸化膜上にＴｉＮ膜
を４００ｎｍの厚さに形成した。その後、シリコン基板
をチャンバ内に配置し、Ｓｉ2 Ｈ6 を４０５ｃｃｍ、Ｈ
2 を１０００ｃｃｍの流量でアニールチャンバ内に供給
し、圧力が１０Torrの雰囲気中で基板を５００℃の温度
に１０分間保持するアニール処理を実施して三元系金属
膜を形成した。
【００２９】その後、この三元系金属膜中のＳｉ量を調
べるために、ＳＩＭＳ（SecondaryIon Mass Spectromet
ry ）で深さ方向におけるＳｉの分布を調べた。図４
（ａ）は、横軸にＴｉＮ膜の表面からの深さ（ｎｍ）を
とり、縦軸に測定強度をとって、ＴｉＮからなる二元系
金属膜４を成膜した直後におけるＳＩＭＳの分析結果を
示す図である。また、図４（ｂ）は、二元系金属膜４に
対しアニール処理を施して三元系金属膜５とした後のＳ
ＩＭＳの分析結果を示す図である。この図４（ａ），
（ｂ）から、アニール処理によりＴｉＮ膜中に多量のＳ
ｉが充填されていることがわかる。なお、ＳＩＭＳで
は、Ｔｉに比べてＳｉの検出感度が高いため、例えば図
４（ｂ）では表面近傍でＴｉよりもＳｉを多く検出して
いる。
べるために、ＳＩＭＳ（SecondaryIon Mass Spectromet
ry ）で深さ方向におけるＳｉの分布を調べた。図４
（ａ）は、横軸にＴｉＮ膜の表面からの深さ（ｎｍ）を
とり、縦軸に測定強度をとって、ＴｉＮからなる二元系
金属膜４を成膜した直後におけるＳＩＭＳの分析結果を
示す図である。また、図４（ｂ）は、二元系金属膜４に
対しアニール処理を施して三元系金属膜５とした後のＳ
ＩＭＳの分析結果を示す図である。この図４（ａ），
（ｂ）から、アニール処理によりＴｉＮ膜中に多量のＳ
ｉが充填されていることがわかる。なお、ＳＩＭＳで
は、Ｔｉに比べてＳｉの検出感度が高いため、例えば図
４（ｂ）では表面近傍でＴｉよりもＳｉを多く検出して
いる。
【００３０】また、アニール後の半導体装置に電極を設
けて電圧を印加し、リーク電流を測定したところ、同じ
膜厚の二元系金属膜（ＴｉＮ膜）に比べてリーク電流は
約１／１０に減少した。なお、上述の実施の形態におい
ては、バリアメタルがＴｉＳｉＮからなる三元系金属の
単層の場合について説明したが、例えば図５に示すよう
に、バリアメタルを、Ｔｉ膜５ａとＴｉＳｉＮ膜５ｂと
の２層構造としてもよく、バリアメタルをＴｉＳｉＮ膜
を含む３層以上の多層構造としてもよい。
けて電圧を印加し、リーク電流を測定したところ、同じ
膜厚の二元系金属膜（ＴｉＮ膜）に比べてリーク電流は
約１／１０に減少した。なお、上述の実施の形態におい
ては、バリアメタルがＴｉＳｉＮからなる三元系金属の
単層の場合について説明したが、例えば図５に示すよう
に、バリアメタルを、Ｔｉ膜５ａとＴｉＳｉＮ膜５ｂと
の２層構造としてもよく、バリアメタルをＴｉＳｉＮ膜
を含む３層以上の多層構造としてもよい。
【００３１】更に、上述の実施の形態においては、Ｓｉ
Ｈ4 又はＳｉ2 Ｈ4 等を含む雰囲気中で加熱することに
よりアニールする場合について説明したが、ＳｉＨ4 又
はＳｉ2 Ｈ4 等を含むガスをプラズマ励起することによ
りアニールしてもよく、更に、ＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ4
等を含む雰囲気中で光を照射することによりアニールし
てもよい。
Ｈ4 又はＳｉ2 Ｈ4 等を含む雰囲気中で加熱することに
よりアニールする場合について説明したが、ＳｉＨ4 又
はＳｉ2 Ｈ4 等を含むガスをプラズマ励起することによ
りアニールしてもよく、更に、ＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ4
等を含む雰囲気中で光を照射することによりアニールし
てもよい。
【００３２】以下、ＰＶＤ法により二元系金属膜を形成
するときの条件と膜密度との関係を調べた結果について
説明する。シリコン基板上にＳｉＯ2 膜を形成し、この
ＳｉＯ2 膜上に下記表１に示す条件でＴｉＮ膜を４００
ｎｍの厚さに形成した。そして、各試料のＴｉＮ膜の膜
密度を調べた。その結果を下記表１に併せて示す。な
お、膜密度は、重量と体積とから算出した。
するときの条件と膜密度との関係を調べた結果について
説明する。シリコン基板上にＳｉＯ2 膜を形成し、この
ＳｉＯ2 膜上に下記表１に示す条件でＴｉＮ膜を４００
ｎｍの厚さに形成した。そして、各試料のＴｉＮ膜の膜
密度を調べた。その結果を下記表１に併せて示す。な
お、膜密度は、重量と体積とから算出した。
【００３３】また、各試料を大気に曝した後、ＳＩＭＳ
で深さ方向における酸素の分布を調べた。その結果を図
６（ａ）〜（ｄ）に示す。
で深さ方向における酸素の分布を調べた。その結果を図
６（ａ）〜（ｄ）に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】この表１に示すように、プラズマ密度、す
なわちパワー、ガス組成及び磁石の種類等のスパッタリ
ング時の条件を制御することにより、二元系金属膜の膜
密度を制御することができる。また、図６から、ＴｉＮ
膜の膜密度が５．３ｇ／ｃｍ 2 と大きい場合は、膜中に
進入する酸素量が少なく、膜中に隙間が少ないことがわ
かる。従って、アニールを行っても膜中に進入するＳ
ｉ、Ｂ又はＰ等の量が少なく、十分なバリア性を有する
三元系金属膜を形成することができない。一方、ＴｉＮ
膜の膜密度を５．２ｇ／ｃｍ3 以下とすることにより、
結晶間の隙間が増加し、ＴｉＮ膜の深部までＳｉ等が進
入するようになって、厚さ方向で組成が均一であり十分
なバリア性を有する三元系金属膜が形成できる。
なわちパワー、ガス組成及び磁石の種類等のスパッタリ
ング時の条件を制御することにより、二元系金属膜の膜
密度を制御することができる。また、図６から、ＴｉＮ
膜の膜密度が５．３ｇ／ｃｍ 2 と大きい場合は、膜中に
進入する酸素量が少なく、膜中に隙間が少ないことがわ
かる。従って、アニールを行っても膜中に進入するＳ
ｉ、Ｂ又はＰ等の量が少なく、十分なバリア性を有する
三元系金属膜を形成することができない。一方、ＴｉＮ
膜の膜密度を５．２ｇ／ｃｍ3 以下とすることにより、
結晶間の隙間が増加し、ＴｉＮ膜の深部までＳｉ等が進
入するようになって、厚さ方向で組成が均一であり十分
なバリア性を有する三元系金属膜が形成できる。
【００３６】（第２の実施の形態）図７は本発明の第２
の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
本実施の形態は、ＣＶＤ法によりバリアメタルを形成す
る場合に適用した例を示す。ＣＶＤチャンバ２５内には
シリコン基板１２を載置する基板載置台２６が配置さ
れ、この基板載置台２６に内蔵されたヒータ２８により
基板１２を所望の温度に制御するようになっている。基
板載置台２６の上方にはシャワー（ガスディフーザー）
２７が配置されており、このシャワー２７を介して基板
１２の周囲にＴｉＣｌ4 ガスと、ＮＨ2 ＮＨ（ＣＨ3 ）
（メチルヒドラジン）又はＮＨ3 とが供給される。
の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
本実施の形態は、ＣＶＤ法によりバリアメタルを形成す
る場合に適用した例を示す。ＣＶＤチャンバ２５内には
シリコン基板１２を載置する基板載置台２６が配置さ
れ、この基板載置台２６に内蔵されたヒータ２８により
基板１２を所望の温度に制御するようになっている。基
板載置台２６の上方にはシャワー（ガスディフーザー）
２７が配置されており、このシャワー２７を介して基板
１２の周囲にＴｉＣｌ4 ガスと、ＮＨ2 ＮＨ（ＣＨ3 ）
（メチルヒドラジン）又はＮＨ3 とが供給される。
【００３７】チャンバ２５内にＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ2
ＮＨ（ＣＨ3 ）ガスとを供給してＴｉＮ膜を形成する場
合、ヒータ２８に通電して成膜温度を５００℃以下にす
ることにより、膜密度を５．２ｇ／ｃｍ3 以下とするこ
とができる。また、チャンバ２５内にＴｉＣｌ4 とＮＨ
3 とを供給してＴｉＮ膜を形成する場合は、成膜温度を
７００℃以下にすることにより、膜密度を５．２ｇ／ｃ
ｍ3 以下にすることができる。
ＮＨ（ＣＨ3 ）ガスとを供給してＴｉＮ膜を形成する場
合、ヒータ２８に通電して成膜温度を５００℃以下にす
ることにより、膜密度を５．２ｇ／ｃｍ3 以下とするこ
とができる。また、チャンバ２５内にＴｉＣｌ4 とＮＨ
3 とを供給してＴｉＮ膜を形成する場合は、成膜温度を
７００℃以下にすることにより、膜密度を５．２ｇ／ｃ
ｍ3 以下にすることができる。
【００３８】このようにしてＴｉＮからなる二元系金属
膜を形成した後、第１の実施の形態と同様にＳｉ、Ｂ又
はＰ等を含む水酸化物又は有機化合物の雰囲気中で表面
処理を施し、三元系金属膜を形成する。本実施の形態に
おいても、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
膜を形成した後、第１の実施の形態と同様にＳｉ、Ｂ又
はＰ等を含む水酸化物又は有機化合物の雰囲気中で表面
処理を施し、三元系金属膜を形成する。本実施の形態に
おいても、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板上に二元系金属膜を形成した後、第III 族〜
第Ｖ族の元素のうちから選択された１種の元素を含む水
素化物又は有機化合物の雰囲気中で表面処理するので、
新規で高価な二元系金属を材料とすることなく、三元系
金属膜を形成することができる。また、前記二元系金属
膜の膜密度を所定の値以下に制御することで、前記二元
系金属膜の膜中に前記元素が十分に進入し、バリア性が
高い三元系金属膜が形成される。これにより、高密度化
された半導体装置の製造コストを低減できるとともに、
歩留まり及び信頼性が向上し、特性の安定化に多大な貢
献をなすという効果が得られる。
半導体基板上に二元系金属膜を形成した後、第III 族〜
第Ｖ族の元素のうちから選択された１種の元素を含む水
素化物又は有機化合物の雰囲気中で表面処理するので、
新規で高価な二元系金属を材料とすることなく、三元系
金属膜を形成することができる。また、前記二元系金属
膜の膜密度を所定の値以下に制御することで、前記二元
系金属膜の膜中に前記元素が十分に進入し、バリア性が
高い三元系金属膜が形成される。これにより、高密度化
された半導体装置の製造コストを低減できるとともに、
歩留まり及び信頼性が向上し、特性の安定化に多大な貢
献をなすという効果が得られる。
【図１】本発明の実施に使用する装置を示す模式図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造
方法を工程順に示す断面図（その１）である。
方法を工程順に示す断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造
方法を工程順に示す断面図（その２）である。
方法を工程順に示す断面図（その２）である。
【図４】（ａ）はＴｉＮからなる二元系金属膜を成膜し
た直後におけるＳＩＭＳの分析結果を示す図、（ｂ）は
アニール処理を施して三元系金属膜とした後のＳＩＭＳ
の分析結果を示す図である。
た直後におけるＳＩＭＳの分析結果を示す図、（ｂ）は
アニール処理を施して三元系金属膜とした後のＳＩＭＳ
の分析結果を示す図である。
【図５】バリアメタルを２層構造とした例を示す断面図
である。
である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は膜密度が異なるＴｉＮ膜の酸
素分布をＳＩＭＳで調べた結果を示す図である。
素分布をＳＩＭＳで調べた結果を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図８】従来の半導体装置のバリアメタル及び配線の形
成方法を工程順に示す断面図（その１）である。
成方法を工程順に示す断面図（その１）である。
【図９】従来の半導体装置のバリアメタル及び配線の形
成方法を工程順に示す断面図（その２）である。
成方法を工程順に示す断面図（その２）である。
１，１２，３１ シリコン基板 ２，３２ 不純物拡散層 ３．３３ シリコン酸化膜 ４ 二元系金属膜 ５ 三元系金属膜 ６，３６ タングステン膜 ７，３７ Ｔｉ膜 ８，３８ アルミニウム合金膜 １０ スパッタチャンバ １３，２６ 基板載置台 １４ 磁石 １５ ターゲット ２３，２８ ヒータ ２５ ＣＶＤチャンバ
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に二元系金属膜を形成する
工程と、 周期表の第III 族、第IV族及び第Ｖ族の元素のうちから
選択されたいずれか１種の元素を含む水素化物又は有機
化合物の雰囲気中で前記二元系金属膜を表面処理して三
元系金属膜とする工程とを有し、 前記二元系金属膜の膜密度を制御することにより前記三
元系金属膜の組成を制御することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記二元系金属膜は、膜密度が５．２ｇ
／ｃｍ3 以下のＴｉＮ膜からなることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記二元系金属膜をＣＶＤ法により形成
し、基板温度を調整することにより前記二元系金属膜の
膜密度を制御することを特徴とする請求項１又は２に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記二元系金属膜をＰＶＤ法により形成
し、プラズマ密度を制御することにより前記二元系金属
膜の膜密度を制御することを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記ＰＶＤ法は、窒素雰囲気中で高融点
金属をスパッタリングするものであることを特徴とする
請求項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記表面処理は、前記雰囲気中のガスを
プラズマ励起して行なうものであることを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記表面処理は、前記雰囲気中で加熱し
て行なうものであることを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記表面処理は、前記雰囲気中で前記二
元系金属膜に光を照射して行なうものであることを特徴
とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18485597A JPH1131669A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18485597A JPH1131669A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131669A true JPH1131669A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16160494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18485597A Withdrawn JPH1131669A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156024A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Tokyo Electron Ltd | ＴｉＮ系薄膜およびその成膜方法、成膜装置、ＴｉＮ系薄膜を含む膜構造体およびその製造方法、ならびに半導体装置 |
| WO2013190765A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社アルバック | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
| US10134673B2 (en) | 2016-09-23 | 2018-11-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP18485597A patent/JPH1131669A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156024A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Tokyo Electron Ltd | ＴｉＮ系薄膜およびその成膜方法、成膜装置、ＴｉＮ系薄膜を含む膜構造体およびその製造方法、ならびに半導体装置 |
| WO2013190765A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社アルバック | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
| KR20150013749A (ko) * | 2012-06-22 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 알박 | 하드마스크 및 하드마스크의 제조방법 |
| JPWO2013190765A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-02-08 | 株式会社アルバック | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
| US10134673B2 (en) | 2016-09-23 | 2018-11-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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