JPH11311630A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH11311630A JPH11311630A JP10117698A JP11769898A JPH11311630A JP H11311630 A JPH11311630 A JP H11311630A JP 10117698 A JP10117698 A JP 10117698A JP 11769898 A JP11769898 A JP 11769898A JP H11311630 A JPH11311630 A JP H11311630A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- semiconductor acceleration
- stopper
- support member
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
とのズレを軽減し、温度特性の良い半導体加速度センサ
を提供する。 【解決手段】 中央部1aと中央部1aの外周縁から四
方に延在して成る梁部1bとから成る撓み部1と、中央
部1aにネック部2aを介して懸架支持される重り部2
bと、内周側面に梁部1bが連結されて成る枠状のフレ
ーム3と、フレーム3の下面を支持し、重り部2bの外
周縁を切り込み部4を介して包囲する支持部材5とを有
して構成されている。また、梁部1bの所定の箇所には
ピエゾ抵抗6が形成され、ピエゾ抵抗6と電気的に接続
されるように配線10が形成されている。また、梁部1
bと重り部2bとの間には、重り部2bの外周縁からネ
ック部2aまで延在する切り込み溝7が形成されて半導
体加速度センサチップを構成している。そして、重り部
2bに対応する箇所に凹部8aが形成された下部ストッ
パ8が支持部材5に接合されている。ここで、支持部材
5と下部ストッパ8との間には応力緩衝層9が設けられ
ている。
Description
は家電製品等に用いられる両持ち梁構造の半導体加速度
センサに関するものである。
方式と両持ち梁方式とが提案されている。検出方法とし
ては、機械的な歪みを電気抵抗の変化として検出する方
法と、静電容量の変化による検出方法とがある。例え
ば、特開平6-109755号公報には機械的な歪みを電気抵抗
の変化として検出する両持ち梁方式の加速度センサが開
示されている。
を示す概略斜視図である。この半導体加速度センサは、
中央部1aと中央部1aの外周縁から四方に延在して成
る梁部1bとから成る撓み部1と、中央部1aにネック
部2aを介して懸架支持される重り部2bと、内周側面
に梁部1bが連結されて成る枠状のフレーム3と、フレ
ーム3の下面を支持し、重り部2bの外周縁を切り込み
部4を介して包囲する支持部材5とを有して構成されて
いる。
抗6が形成され、ピエゾ抵抗6と電気的に接続されるよ
うに配線10が形成されている。また、梁部1bと重り
部2bとの間には、重り部2bの外周縁からネック部2
aまで延在する切り込み溝7が形成されて半導体加速度
センサチップを構成している。
8aが形成されたガラスストッパである下部ストッパ8
が、半導体加速度センサチップの下面、即ち、支持部材
5に接合されている。この下部ストッパ8により、必要
以上に大きな加速度が重り部2bに印加された場合(下
方向)に重り部2bの変位を制限することによりセンサ
チップの破壊を防ぐことができる。また、重り部2bと
下部ストッパ8との間に凹部8aによる隙間を設けるこ
とにより、この部分にある空気のダンピング効果を利用
して良好な周波数特性を実現することができる。
部ストッパ8はガラスで構成され、シリコンとガラスは
約400℃に加熱され、陽極接合により接合される。
に加速度が加わると、重り部2bと連動する撓み部1が
撓み、この撓みによりピエゾ抵抗6の抵抗値が変化し、
この抵抗値の変化を電気信号に変換することにより加速
度を検出する。
半導体加速度センサは、一定の半導体チップ体積内で重
り部2bの体積を最大限に確保することができ、かつ、
梁部1bの有効長さを長くとることができるため、小型
で高感度な半導体加速度センサを実現することができ
る。
長いため、周囲温度の変化に非常に敏感となる。
ラス(アメリカ・コーニング社の商標)の熱膨張率を示
したものであり、400℃を基準としている。図3よりわ
かるように、シリコンとパイレックスガラスの熱膨張率
は異なり、シリコンの方がよく縮む。
ラスの膨張率の差を各温度にプロットしたものである。
ここで、チップの一辺を5mmとした場合には、50℃で約
0.5μmのズレ、0℃で約0.375μmのズレ、-40℃で約0.25
μmのズレが発生する。
のズレが半導体加速度センサに与える影響について示す
概略模式図である。図5より、パイレックスガラスとシ
リコンとが接合されている部分(下部ストッパ8と支持
部材5とが接合されている部分)は、400℃(陽極接合
される温度)においては同じ長さであるが、温度が下が
るに従い、パイレックスガラスとシリコンとの間で上記
のズレが発生する。
とは陽極接合により強固に接合されているため、応力は
構造的に柔軟性のある撓み部1に集中することになり、
撓み部1は図5に示すような引っ張り応力を受ける。
れており、この応力変化を感度として検出してしまい、
この応力(ズレ)は温度により変化するため、温度の温
度特性に大きく影響するという問題があった。
であり、その目的とするところは、半導体加速度センサ
チップとガラスストッパとのズレを軽減し、温度特性の
良い半導体加速度センサを提供することにある。
重り部と該重り部を懸架支持する撓み部と該撓み部を支
持する支持部と前記撓み部に形成された撓みによる抵抗
変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗と前記重り部と前
記撓み部との間に形成された切り込み溝とを有して成る
半導体加速度センサチップと、該半導体加速度センサチ
ップに接合されたガラスストッパとを有して成る半導体
加速度センサにおいて、前記半導体加速度センサチップ
と前記ガラスストッパとを応力緩衝層を介して接合した
ことを特徴とするものである。
導体加速度センサにおいて、前記応力緩衝層がアルミニ
ウム層であることを特徴とするものである。
導体加速度センサにおいて、前記応力緩衝層が有機系接
着剤であることを特徴とするものである。
て図面に基づき説明する。図1は、本発明の一実施の形
態に係る半導体加速度センサを示す概略断面図である。
本実施の形態に係る半導体加速度センサは、従来例とし
て図2,図5に示す半導体加速度センサにおいて、支持
部材5と下部ストッパ8との間に応力緩衝層9を介在さ
せた構成である。
リコンとガラス(本実施の形態においてはパイレックス
ガラスを用いた)とを接合でき、シリコン,ガラスより
も柔らかく、塑性変形し、かつ、粘性に富む材料が望ま
しい。これは、温度変化による熱膨張のズレを、この応
力緩衝層9により吸収するためである。
ては、例えばアルミニウム(Al)層があり、支持部材
5の下面(下部ストッパ8との接合面側)または下部ス
トッパ8の上面(支持部材5との接合面側)にスパッタ
リング等により1μm〜10μm程度のアルミニウム層を形
成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によ
り所定形状にパターニングすることにより形成できる。
の材料としては、有機系接着剤があり、支持部材5の下
面または下部ストッパ8の上面に有機系接着剤を塗布す
ることにより応力緩衝層9を形成する。支持部材5と下
部ストッパ8との接合は、加熱等により有機系接着剤を
固化させることにより行われる。
支持部材5と下部ストッパ8との間に介在させることに
より、シリコンとガラスとの間で生じるズレにより発生
する応力を吸収または軽減することができ、温度特性を
良くすることができる。
り部と該重り部を懸架支持する撓み部と該撓み部を支持
する支持部と前記撓み部に形成された撓みによる抵抗変
化を電気信号に変換するピエゾ抵抗と前記重り部と前記
撓み部との間に形成された切り込み溝とを有して成る半
導体加速度センサチップと、該半導体加速度センサチッ
プに接合されたガラスストッパとを有して成る半導体加
速度センサにおいて、前記半導体加速度センサチップと
前記ガラスストッパとを応力緩衝層を介して接合したの
で、この応力緩衝層により半導体加速度センサチップと
ガラスストッパとの間で生じるズレにより発生する応力
を吸収または軽減することができ、温度特性を良くする
ことができ、半導体加速度センサチップとガラスストッ
パとのズレを軽減し、温度特性の良い半導体加速度セン
サを提供することができた。
サを示す概略断面図である。
視図である。
熱膨張率を示す特性図である。
熱収縮差を示す特性図である。
体加速度センサに与える影響について示す概略模式図で
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】 重り部と該重り部を懸架支持する撓み部
と該撓み部を支持する支持部と前記撓み部に形成された
撓みによる抵抗変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗と
前記重り部と前記撓み部との間に形成された切り込み溝
とを有して成る半導体加速度センサチップと、該半導体
加速度センサチップに接合されたガラスストッパとを有
して成る半導体加速度センサにおいて、前記半導体加速
度センサチップと前記ガラスストッパとを応力緩衝層を
介して接合したことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項2】 前記応力緩衝層がアルミニウム層である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項3】 前記応力緩衝層が有機系接着剤であるこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10117698A JPH11311630A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10117698A JPH11311630A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11311630A true JPH11311630A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14718098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10117698A Pending JPH11311630A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11311630A (ja) |
-
1998
- 1998-04-28 JP JP10117698A patent/JPH11311630A/ja active Pending
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Legal Events
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