JPH11307862A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH11307862A JPH11307862A JP10110597A JP11059798A JPH11307862A JP H11307862 A JPH11307862 A JP H11307862A JP 10110597 A JP10110597 A JP 10110597A JP 11059798 A JP11059798 A JP 11059798A JP H11307862 A JPH11307862 A JP H11307862A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
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- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水平アクティブテーパ型スポットサイズ変換
レーザにおける、テーパ長を短かくすることによる光フ
ァイバとの結合効率の低減の問題をを改善した半導体レ
ーザ。 【解決手段】 共振器が第一の幅を有する実質的に矩形
の活性層領域１０５と、第一の幅より狭い第二の幅を有
する実質的に矩形の活性層領域１０７が一体として接合
された構成であり、前記第二の活性層領域において、レ
ーザ光の導波モードと放射モードとが干渉する。
レーザにおける、テーパ長を短かくすることによる光フ
ァイバとの結合効率の低減の問題をを改善した半導体レ
ーザ。 【解決手段】 共振器が第一の幅を有する実質的に矩形
の活性層領域１０５と、第一の幅より狭い第二の幅を有
する実質的に矩形の活性層領域１０７が一体として接合
された構成であり、前記第二の活性層領域において、レ
ーザ光の導波モードと放射モードとが干渉する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザに関
し、特に高出力・高効率特性及び単一モード性に優れ、
且つ光ファイバーとの結合に優れる半導体レーザに関す
る。
し、特に高出力・高効率特性及び単一モード性に優れ、
且つ光ファイバーとの結合に優れる半導体レーザに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザダイオードや半導体スイッ
チ等の半導体光導波路デバイス（一方の光機能デバイ
ス）と、単一モード光ファイバ（他方の光機能デバイ
ス）との間を光結合させる場合、光導波路デバイスの端
面と光ファイバとを直接に突き合せ結合（バットジョイ
ント）させると、互いの光導波路光波のスポットサイズ
が異なっている為に、直接突き合せ部の結合損失が問題
になる。
チ等の半導体光導波路デバイス（一方の光機能デバイ
ス）と、単一モード光ファイバ（他方の光機能デバイ
ス）との間を光結合させる場合、光導波路デバイスの端
面と光ファイバとを直接に突き合せ結合（バットジョイ
ント）させると、互いの光導波路光波のスポットサイズ
が異なっている為に、直接突き合せ部の結合損失が問題
になる。
【０００３】通常、半導体光デバイスの光波スポットサ
イズ（モード径）は１μｍ程度であり、これに対して光
ファイバのスッポットサイズは約５μｍであるので、こ
の場合の結合損失は約１０ｄＢになる。そこで、従来
は、レンズによりスポットサイズを変換することで光半
導体デバイスと光ファイバとの結合損失を低減化する方
法が、一般的にとられている。
イズ（モード径）は１μｍ程度であり、これに対して光
ファイバのスッポットサイズは約５μｍであるので、こ
の場合の結合損失は約１０ｄＢになる。そこで、従来
は、レンズによりスポットサイズを変換することで光半
導体デバイスと光ファイバとの結合損失を低減化する方
法が、一般的にとられている。
【０００４】しかしながら、レンズ等のアライメントの
トレランスが小さく、アセンブリの困難さから、一つ一
つのモジュールにかかるコストが高くなる。特に近年半
導体レーザダイオードの適用分野が基幹伝送系から、加
入者系、LAN、データリンク等のシステムに急速に広が
りつつある為、安価で大量の半導体レーザダイオードモ
ジュールが必要になっている。更にこれらのモジュール
コストの大部分がアセンブリの困難さにある為、部品点
数の削減とパッシブアライメントによる容易なアセンブ
リに変更している。
トレランスが小さく、アセンブリの困難さから、一つ一
つのモジュールにかかるコストが高くなる。特に近年半
導体レーザダイオードの適用分野が基幹伝送系から、加
入者系、LAN、データリンク等のシステムに急速に広が
りつつある為、安価で大量の半導体レーザダイオードモ
ジュールが必要になっている。更にこれらのモジュール
コストの大部分がアセンブリの困難さにある為、部品点
数の削減とパッシブアライメントによる容易なアセンブ
リに変更している。
【０００５】この為、様々な種類の光結合デバイスや光
結合デバイスを半導体レーザダイオードと集積化した光
源が開発されている。特に、例えば「1997 Internation
al Conference on Indium Phosphide and Related Mate
rial,Conference Proceedings, p.657」に記載されてい
る様な共振器全体が活性層領域で構成されている水平ア
クティブテーパ型スポットサイズ変換レーザは、優れた
温度特性や高い収率が実現できる。
結合デバイスを半導体レーザダイオードと集積化した光
源が開発されている。特に、例えば「1997 Internation
al Conference on Indium Phosphide and Related Mate
rial,Conference Proceedings, p.657」に記載されてい
る様な共振器全体が活性層領域で構成されている水平ア
クティブテーパ型スポットサイズ変換レーザは、優れた
温度特性や高い収率が実現できる。
【０００６】この水平アクティブテーパ型スポットサイ
ズ変換レーザについて、図９（Ａ）に構成図を示す。こ
れは図９（Ｂ）に示すテーパ状活性層領域を用いて、光
出射面に近い領域で活性層幅が狭くなるようにしている
ことが特徴である。この様な半導体レーザでは、共振器
全体が活性な領域である為に、素子長を比較的短くする
ことが可能であり、収率の点で有利である。又従来の均
一な活性層幅を有する半導体レーザと同じ製造工程によ
り作製が可能であることも特徴である。
ズ変換レーザについて、図９（Ａ）に構成図を示す。こ
れは図９（Ｂ）に示すテーパ状活性層領域を用いて、光
出射面に近い領域で活性層幅が狭くなるようにしている
ことが特徴である。この様な半導体レーザでは、共振器
全体が活性な領域である為に、素子長を比較的短くする
ことが可能であり、収率の点で有利である。又従来の均
一な活性層幅を有する半導体レーザと同じ製造工程によ
り作製が可能であることも特徴である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な水平
アクティブテーパ型スポットサイズ変換レーザで、一定
の共振器長でテーパ長を短くすると活性層体積が増加す
る為に利得が増大し、閾値電流や高温での動作電流は低
減されるが、一方テーパ長が短いほど放射モードへの結
合が増大し、光ファイバとの結合効率が減少するという
問題点がある。
アクティブテーパ型スポットサイズ変換レーザで、一定
の共振器長でテーパ長を短くすると活性層体積が増加す
る為に利得が増大し、閾値電流や高温での動作電流は低
減されるが、一方テーパ長が短いほど放射モードへの結
合が増大し、光ファイバとの結合効率が減少するという
問題点がある。
【０００８】短いテーパ長においても光ファイバとの高
結合効率を実現する為の機能を付加することにより高温
低閾値、高結合効率の面を両立できる半導体レーザが必
要とされる。本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
結合効率が高い半導体レーザの構成を提供することにあ
る。
結合効率を実現する為の機能を付加することにより高温
低閾値、高結合効率の面を両立できる半導体レーザが必
要とされる。本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
結合効率が高い半導体レーザの構成を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、その共振器が第一の幅を有する実質的に矩形の活性
層領域と、第一の幅より狭い第二の幅を有する実質的に
矩形の活性層領域が一体として接合された構成であり、
前記第二の活性層領域において、レーザ光の導波モード
と放射モードとが干渉することを特徴とする。
は、その共振器が第一の幅を有する実質的に矩形の活性
層領域と、第一の幅より狭い第二の幅を有する実質的に
矩形の活性層領域が一体として接合された構成であり、
前記第二の活性層領域において、レーザ光の導波モード
と放射モードとが干渉することを特徴とする。
【００１０】又前記第二の活性層領域の長さが、前記導
波モードと放射モードの位相を同じに設定することで決
定されることを特徴とする。
波モードと放射モードの位相を同じに設定することで決
定されることを特徴とする。
【００１１】更に前記半導体レーザにおいて、第二の活
性層領域に回折格子を設けた構造を有することを特徴と
する。
性層領域に回折格子を設けた構造を有することを特徴と
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の半導体レーザについ
て、添付図面を参照して以下に詳細を説明する。最初に
本発明の第一の実施形態にかかる半導体レーザについて
説明する。
て、添付図面を参照して以下に詳細を説明する。最初に
本発明の第一の実施形態にかかる半導体レーザについて
説明する。
【００１３】図１に半導体レーザの構成を示す。図１を
参照して、本構成はｎ−ＩｎＰ基板１０８上に設けられ
たｎ−ＩｎＰクラッド層１０９の上に活性層領域１０１
として、図２に示す共振器が設けられている。この共振
器は３００μｍの共振器長のうち、光出射面側の６０μ
ｍをその幅が０．６μｍである第二の幅を有する活性層
領域１０７とし、他方の端面側はその幅が１．２μｍで
ある第一の幅を有する活性層領域１０５である。
参照して、本構成はｎ−ＩｎＰ基板１０８上に設けられ
たｎ−ＩｎＰクラッド層１０９の上に活性層領域１０１
として、図２に示す共振器が設けられている。この共振
器は３００μｍの共振器長のうち、光出射面側の６０μ
ｍをその幅が０．６μｍである第二の幅を有する活性層
領域１０７とし、他方の端面側はその幅が１．２μｍで
ある第一の幅を有する活性層領域１０５である。
【００１４】本発明の半導体レーザの製造方法を示す。
図３(Ａ)を参照して、n-InP基板１０８上にn-InPクラッ
ド層１０９、活性層１０1、p-InPクラッド層１１０を形
成する。活性層は歪み多重量子井戸層により構成され、
１．３μｍ帯波長で発振するように設計している。次に
上記の様に作製したウエハに対して、図３(Ｂ)に示す様
に作製すべき共振器の形状に対応した幅３．２μｍと
２．６μｍの直線状のＳｉＯ２マスク１１６を形成し、
図３(Ｃ)に示すようなストライプメサをウエットエッチ
ングにより形成する。このときサイドエッチングにより
活性層幅は各々１．２μｍ、０．６μｍになる。続いて
図４(Ａ)に示すように、有機金属気相成長法(ＭＯＶＰ
Ｅ)によりp-InP電流ブロック層１１３、n-InP電流ブロ
ック層１１４を成長させた後、ＳｉＯ２マスクをエッチ
ング除去し図４(Ｂ)に示すようにp-InP埋め込み層１１
２、p-InGaAsPコンタクト層１１５をＭＯＶＰＥにより
成長させる。この様にして作製したウエハに対して、通
常の電極プロセスにより電極を形成させ、劈開により３
００μｍの長さに切り出し、前面には反射率３０％であ
る低反射率膜１０３を、後面には反射率９５％である高
反射率膜１０２を形成させる。以上の工程により作製し
た半導体レーザの構成が図１である。
図３(Ａ)を参照して、n-InP基板１０８上にn-InPクラッ
ド層１０９、活性層１０1、p-InPクラッド層１１０を形
成する。活性層は歪み多重量子井戸層により構成され、
１．３μｍ帯波長で発振するように設計している。次に
上記の様に作製したウエハに対して、図３(Ｂ)に示す様
に作製すべき共振器の形状に対応した幅３．２μｍと
２．６μｍの直線状のＳｉＯ２マスク１１６を形成し、
図３(Ｃ)に示すようなストライプメサをウエットエッチ
ングにより形成する。このときサイドエッチングにより
活性層幅は各々１．２μｍ、０．６μｍになる。続いて
図４(Ａ)に示すように、有機金属気相成長法(ＭＯＶＰ
Ｅ)によりp-InP電流ブロック層１１３、n-InP電流ブロ
ック層１１４を成長させた後、ＳｉＯ２マスクをエッチ
ング除去し図４(Ｂ)に示すようにp-InP埋め込み層１１
２、p-InGaAsPコンタクト層１１５をＭＯＶＰＥにより
成長させる。この様にして作製したウエハに対して、通
常の電極プロセスにより電極を形成させ、劈開により３
００μｍの長さに切り出し、前面には反射率３０％であ
る低反射率膜１０３を、後面には反射率９５％である高
反射率膜１０２を形成させる。以上の工程により作製し
た半導体レーザの構成が図１である。
【００１５】本発明である半導体レーザの動作について
示す。図２を参照して、第一の幅を有する活性層領域１
０５から伝搬した光は、第一と第二の幅を有する活性層
領域との接合部で第二の幅を有する活性層領域１０７の
導波モードと放射モードに結合する。この２つのモード
は伝搬定数が異なる為、第二の幅を有する活性層領域に
沿って伝搬するに従い干渉する。２つのモードが同位相
になるように第二の幅を有する活性層領域の長さ決定す
ると、端面でのスポットサイズが最も拡大されファイバ
ーへの結合効率が増大する。
示す。図２を参照して、第一の幅を有する活性層領域１
０５から伝搬した光は、第一と第二の幅を有する活性層
領域との接合部で第二の幅を有する活性層領域１０７の
導波モードと放射モードに結合する。この２つのモード
は伝搬定数が異なる為、第二の幅を有する活性層領域に
沿って伝搬するに従い干渉する。２つのモードが同位相
になるように第二の幅を有する活性層領域の長さ決定す
ると、端面でのスポットサイズが最も拡大されファイバ
ーへの結合効率が増大する。
【００１６】本発明である半導体レーザの効果について
示す。上記製造方法により作製した半導体レーザを評価
したところ、１．３１μｍで発振し、電流―光出力特性
を評価したところ室温で発振閾値電流４．０ｍＡ、効率
０．６Ｗ／Ａ、８５℃で発振閾値電流１５．０ｍＡ、効
率０．４Ｗ／Ａであった。又８５℃においても４０ｍＷ
以上の光出力が得られた。コア径１０μｍの単一モード
光ファイバとの結合効率を測定した結果、最大で４．０
ｄＢの結合効率が得られた。又半導体レーザと光ファイ
バの位置ずれにより結合効率が１ｄＢ減少する位置は、
約２．５μｍであった。一方、同様な工程で６０μｍ長
の従来技術であるテーパ状活性層領域を用いて半導体レ
ーザを作製したところ、光ファイバとの結合効率は最大
で６．０ｄＢと約２ｄＢ悪化した。
示す。上記製造方法により作製した半導体レーザを評価
したところ、１．３１μｍで発振し、電流―光出力特性
を評価したところ室温で発振閾値電流４．０ｍＡ、効率
０．６Ｗ／Ａ、８５℃で発振閾値電流１５．０ｍＡ、効
率０．４Ｗ／Ａであった。又８５℃においても４０ｍＷ
以上の光出力が得られた。コア径１０μｍの単一モード
光ファイバとの結合効率を測定した結果、最大で４．０
ｄＢの結合効率が得られた。又半導体レーザと光ファイ
バの位置ずれにより結合効率が１ｄＢ減少する位置は、
約２．５μｍであった。一方、同様な工程で６０μｍ長
の従来技術であるテーパ状活性層領域を用いて半導体レ
ーザを作製したところ、光ファイバとの結合効率は最大
で６．０ｄＢと約２ｄＢ悪化した。
【００１７】図５に第二の幅を有する活性層領域の長さ
（変換器長：Ｌ）を変化させて単一モード光ファイバと
の結合損失を３次元ビーム伝搬法（3D-Beam Propagatio
nMethod (ＢＰＭ)）を用いて計算した結果を示す。導波
モードと放射モードの位相関係から変換器長：Ｌの変化
に伴い結合効率が減衰振動する。計算結果から変換器長
を６０μｍに設定すると従来のテーパ状活性層領域を利
用する場合より約２ｄＢの結合効率が改善できる。
（変換器長：Ｌ）を変化させて単一モード光ファイバと
の結合損失を３次元ビーム伝搬法（3D-Beam Propagatio
nMethod (ＢＰＭ)）を用いて計算した結果を示す。導波
モードと放射モードの位相関係から変換器長：Ｌの変化
に伴い結合効率が減衰振動する。計算結果から変換器長
を６０μｍに設定すると従来のテーパ状活性層領域を利
用する場合より約２ｄＢの結合効率が改善できる。
【００１８】更に、半導体レーザではレーザ光が共振器
内を１往復する間に受ける導波路損失を小さくする必要
がある。図６に前端面で反射された光が再び第一の幅を
有する活性層領域１０５に結合する場合の結合効率を２
次元ＢＰＭで計算した結果を示す。図５の計算結果と同
様に導波モードと放射モードの位相関係から変換器長：
Ｌの変化に伴い結合効率が減衰振動する。光ファイバへ
の結合効率が最大となるように変換器長；Ｌを６０μｍ
とした場合、導波モードと放射モードの位相が逆相に近
くビーム径が細くなり、第一の幅を有する活性層領域１
０５に結合し易くなる。その結果、スポットサイズ変換
領域が６０μｍと従来のテーパ状活性層の１／５以下と
短く、また、半導体レーザの共振器内を１往復するのに
約０．２ｄＢと小さな損失になり、高温でも低閾値、高
効率、高結合効率の半導体レーザが実現可能である。
内を１往復する間に受ける導波路損失を小さくする必要
がある。図６に前端面で反射された光が再び第一の幅を
有する活性層領域１０５に結合する場合の結合効率を２
次元ＢＰＭで計算した結果を示す。図５の計算結果と同
様に導波モードと放射モードの位相関係から変換器長：
Ｌの変化に伴い結合効率が減衰振動する。光ファイバへ
の結合効率が最大となるように変換器長；Ｌを６０μｍ
とした場合、導波モードと放射モードの位相が逆相に近
くビーム径が細くなり、第一の幅を有する活性層領域１
０５に結合し易くなる。その結果、スポットサイズ変換
領域が６０μｍと従来のテーパ状活性層の１／５以下と
短く、また、半導体レーザの共振器内を１往復するのに
約０．２ｄＢと小さな損失になり、高温でも低閾値、高
効率、高結合効率の半導体レーザが実現可能である。
【００１９】次に、本発明の第二の実施形態にかかる半
導体レーザ装置について説明する。図７に半導体レーザ
の構成を示す。図７を参照して、この共振器は３００μ
ｍの共振器長のうち、光出射面側の６０μｍをその幅が
０．６μｍである第二の幅を有する活性層領域６０７を
設け、又他方の端面側にはその幅が１．２μｍである第
一の幅を有する活性層領域６０５を設けている。更に図
８を参照して、第二の幅を有する活性層領域６０７の下
のみに周期２０４．３ｎｍで回折格子が形成されてい
る。第二の幅を有する活性層領域６０７にのみ回折格子
を形成させることにより、図９に示した従来技術と同様
な単一モード性に加えて、単一モードファイバとの高結
合効率が実現できる。
導体レーザ装置について説明する。図７に半導体レーザ
の構成を示す。図７を参照して、この共振器は３００μ
ｍの共振器長のうち、光出射面側の６０μｍをその幅が
０．６μｍである第二の幅を有する活性層領域６０７を
設け、又他方の端面側にはその幅が１．２μｍである第
一の幅を有する活性層領域６０５を設けている。更に図
８を参照して、第二の幅を有する活性層領域６０７の下
のみに周期２０４．３ｎｍで回折格子が形成されてい
る。第二の幅を有する活性層領域６０７にのみ回折格子
を形成させることにより、図９に示した従来技術と同様
な単一モード性に加えて、単一モードファイバとの高結
合効率が実現できる。
【００２０】本発明の半導体レーザの製造方法について
示す。本発明の半導体レーザの作製工程についてはn-In
P基板６０８上に電子ビーム露光により回折格子を設け
る以外は第一の実施形態にかかる半導体レーザ作製工程
と同じである。
示す。本発明の半導体レーザの作製工程についてはn-In
P基板６０８上に電子ビーム露光により回折格子を設け
る以外は第一の実施形態にかかる半導体レーザ作製工程
と同じである。
【００２１】本発明の半導体レーザの効果について示
す。上記製造方法により作製した半導体レーザを評価し
たところ、１．３１μｍで発振し、単一モード発振の安
定性の指標となる副モード抑圧比は４５ｄＢとなる。電
流―光出力特性を測定については、室温で発振閾値電流
４．０ｍＡ、効率０．５Ｗ／Ａ、８５℃で発振閾値電流
１５．０ｍＡ、効率０．３８Ｗ／Ａとなる。又８５℃に
おいても４０ｍＷ以上の光出力が得られる。コア径１０
μｍの単一モード光ファイバとの結合効率の測定につい
ては、最大で４．０ｄＢの結合効率が得られる。又半導
体レーザと光ファイバの位置ずれにより結合効率が１ｄ
Ｂ減少する位置は、約２．５μｍである。
す。上記製造方法により作製した半導体レーザを評価し
たところ、１．３１μｍで発振し、単一モード発振の安
定性の指標となる副モード抑圧比は４５ｄＢとなる。電
流―光出力特性を測定については、室温で発振閾値電流
４．０ｍＡ、効率０．５Ｗ／Ａ、８５℃で発振閾値電流
１５．０ｍＡ、効率０．３８Ｗ／Ａとなる。又８５℃に
おいても４０ｍＷ以上の光出力が得られる。コア径１０
μｍの単一モード光ファイバとの結合効率の測定につい
ては、最大で４．０ｄＢの結合効率が得られる。又半導
体レーザと光ファイバの位置ずれにより結合効率が１ｄ
Ｂ減少する位置は、約２．５μｍである。
【００２２】
【発明の効果】本発明である半導体レーザ構造を用いる
ことにより、高温でも低閾値、高効率で且つ単一モード
ファイバとの高効率な結合が実現できる。更に、第二の
幅を有する活性層領域に回折格子を設けた構造を用いる
ことにより、単一モード安定性を向上できる。
ことにより、高温でも低閾値、高効率で且つ単一モード
ファイバとの高効率な結合が実現できる。更に、第二の
幅を有する活性層領域に回折格子を設けた構造を用いる
ことにより、単一モード安定性を向上できる。
【図１】本発明の第一の実施形態を説明する為の構成図
である。
である。
【図２】本発明の第一の実施形態を説明する為の活性層
の形状を示す図である。
の形状を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施形態における製作工程を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明の第一の実施形態における製作工程を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明の第一の実施形態と光ファイバーとの結
合効率を示す図である。
合効率を示す図である。
【図６】本発明の第一の実施形態と光ファイバーとの結
合効率を示す図である。
合効率を示す図である。
【図７】本発明の第二の実施形態を説明する為の構成図
である。
である。
【図８】本発明の第二の実施形態を説明する為の活性層
の形状を示す図である。
の形状を示す図である。
【図９】従来の技術である水平アクティブテーパ型スポ
ットサイズ変換レーザである。図９（Ａ）はその構成
図、図９（Ｂ）は活性層の形状を示す。
ットサイズ変換レーザである。図９（Ａ）はその構成
図、図９（Ｂ）は活性層の形状を示す。
【符号の説明】 １０１ 活性層 ６０１ 活性層 ７０１ 活性層 １０２ 高反射率膜 ６０２ 高反射率膜 ７０２ 高反射率膜 １０３ 低反射率膜 ６０３ 低反射率膜 ７０３ 低反射率膜 １０４ 電極 ６０４ 電極 １０５ 第一の幅を有する活性層領域 ６０５ 第一の幅を有する活性層領域 ７０５ 第一の幅を有する活性層領域 ７０６ テーパ状活性層領域 １０７ 第二の幅を有する活性層領域 ６０７ 第二の幅を有する活性層領域 １０８ ｎ−ＩｎＰ基板 ６０８ ｎ−ＩｎＰ基板 ７０８ ｎ−ＩｎＰ基板 １０９ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ６０９ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １１０ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７１０ ｎ−ＩｎＰ埋込み層 １１２ ｐ−ＩｎＰ埋込み層 ６１２ ｐ−ＩｎＰ埋込み層 ７１２ ｐ−ＩｎＰ埋込み層 １１３ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 ６１３ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 ７１３ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 １１４ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 ６１４ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 ７１４ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 １１５ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ６１５ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １１６ ＳｉＯ２マスク ６１７ 回折格子
Claims (7)
- 【請求項１】 共振器が第一の幅を有する実質的に矩形
の活性層領域と、第一の幅より狭い第二の幅を有する実
質的に矩形の活性層領域が一体として接合されているこ
とを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記第二の活性層領域において、レーザ
光の導波モードと放射モードとが干渉することを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記第二の活性層領域の長さが、前記導
波モードと放射モードの位相を同じに設定することで決
定されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体
レーザ。 - 【請求項４】 単一モード光ファイバとの結合効率にお
いて、結合効率が５.０ｄＢ以下である請求項１乃至３
のうちのいづれかに記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 前記共振器内をレーザ光が往復する間に
受ける導波路損失が約０．３ｄＢ以下である請求項１乃
至３のうちのいづれかに記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 前記第二の活性層領域に回折格子を設け
た請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 単一モード発振安定性において、副モー
ド抑圧比が５０ｄＢ以下である前記請求項６記載の半導
体レーザ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10110597A JPH11307862A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 半導体レーザ |
| FR9904966A FR2777710A1 (fr) | 1998-04-21 | 1999-04-20 | Dispositif de laser a semi-conducteur capable de reduire la perte de couplage par rapport a une fibre optique |
| US09/294,967 US6542532B1 (en) | 1998-04-21 | 1999-04-20 | Semiconductor laser device capable of reducing coupling loss respect to optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10110597A JPH11307862A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307862A true JPH11307862A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14539897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10110597A Pending JPH11307862A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 半導体レーザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6542532B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11307862A (ja) |
| FR (1) | FR2777710A1 (ja) |
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| US11837838B1 (en) * | 2020-01-31 | 2023-12-05 | Freedom Photonics Llc | Laser having tapered region |
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| JPS6189690A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ |
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| US4783788A (en) * | 1985-12-16 | 1988-11-08 | Lytel Incorporated | High power semiconductor lasers |
| GB2195822B (en) * | 1986-09-30 | 1990-01-24 | Stc Plc | Injection lasers |
| EP0558089B1 (en) * | 1992-02-28 | 2002-06-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical integrated device and method of manufacture thereof, and light receiver using said device |
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| JP3510305B2 (ja) | 1994-02-22 | 2004-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ |
| JPH0961652A (ja) | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光導波路およびその作製方法 |
| JP3710559B2 (ja) | 1996-07-01 | 2005-10-26 | 富士通株式会社 | 発光半導体装置 |
-
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- 1998-04-21 JP JP10110597A patent/JPH11307862A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-20 US US09/294,967 patent/US6542532B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-20 FR FR9904966A patent/FR2777710A1/fr active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2777710A1 (fr) | 1999-10-22 |
| US6542532B1 (en) | 2003-04-01 |
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