JPH11307524A - ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH11307524A JPH11307524A JP10114616A JP11461698A JPH11307524A JP H11307524 A JPH11307524 A JP H11307524A JP 10114616 A JP10114616 A JP 10114616A JP 11461698 A JP11461698 A JP 11461698A JP H11307524 A JPH11307524 A JP H11307524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- sensitive composition
- radiation
- pattern
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】化学増幅系ポジ型感放射線組成物において、解
像度を低下させることなく高感度化を実現する。 【解決手段】化学増幅系ポジ型感放射線組成物に、酸と
反応して水を発生する水発生剤を添加し、放射線未照射
領域よりも照射領域における酸の拡散を大きくすること
により、感放射線組成物の解像度を低下させることな
く、高感度化を実現する。
像度を低下させることなく高感度化を実現する。 【解決手段】化学増幅系ポジ型感放射線組成物に、酸と
反応して水を発生する水発生剤を添加し、放射線未照射
領域よりも照射領域における酸の拡散を大きくすること
により、感放射線組成物の解像度を低下させることな
く、高感度化を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置，光ディ
スク，磁気ヘッド，液晶素子等の微細加工に用いられ
る、レーザ光，紫外線，遠紫外線，Ｘ線，電子線等の放
射線を利用した超微細パターン形成に適用可能なポジ型
感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法に
関する。
スク，磁気ヘッド，液晶素子等の微細加工に用いられ
る、レーザ光，紫外線，遠紫外線，Ｘ線，電子線等の放
射線を利用した超微細パターン形成に適用可能なポジ型
感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外線，Ｘ線，電子線等の放射線を利用
した微細パターン形成には、特開平6−214395号，特開
平6−287174 号に記載のような、放射線照射部のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を酸触媒反応で増大させる、い
わゆる化学増幅系ポジ型感放射線組成物が利用されてい
る。
した微細パターン形成には、特開平6−214395号，特開
平6−287174 号に記載のような、放射線照射部のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を酸触媒反応で増大させる、い
わゆる化学増幅系ポジ型感放射線組成物が利用されてい
る。
【０００３】化学増幅系ポジ型感放射線組成物を用いた
パターン形成プロセスは以下のとおりである。まず、感
放射線組成物の塗膜を加工基板上に形成し、パターン状
放射線の照射により上記塗膜に潜像を形成する。次い
で、加熱することにより、放射線領域において酸を触媒
とする反応を誘起し、当該照射部の現像液に対する溶解
性を増大させる。加熱後に、アルカリ水溶液を用いて現
像し、レジスト微細パターンを形成する。
パターン形成プロセスは以下のとおりである。まず、感
放射線組成物の塗膜を加工基板上に形成し、パターン状
放射線の照射により上記塗膜に潜像を形成する。次い
で、加熱することにより、放射線領域において酸を触媒
とする反応を誘起し、当該照射部の現像液に対する溶解
性を増大させる。加熱後に、アルカリ水溶液を用いて現
像し、レジスト微細パターンを形成する。
【０００４】化学増幅系ポジ型感放射線組成物を用いた
パターン形成においては、放射線照射により発生させた
極微量の酸が、放射線照射後の加熱工程で拡散して多数
回の化学反応を誘起させる。このため、化学増幅系ポジ
型感放射線組成物は、溶解性変化反応を放射線で直接誘
起する従来型感放射線組成物と比較して、高い感度を有
している。現在、この化学増幅系ポジ型感放射線組成物
は、高感度な感放射線特性が要求される電子線，Ｘ線，
ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、並びにＡｒＦ（１９３ｎｍ）リ
ソグラフィの必須材料となっている。
パターン形成においては、放射線照射により発生させた
極微量の酸が、放射線照射後の加熱工程で拡散して多数
回の化学反応を誘起させる。このため、化学増幅系ポジ
型感放射線組成物は、溶解性変化反応を放射線で直接誘
起する従来型感放射線組成物と比較して、高い感度を有
している。現在、この化学増幅系ポジ型感放射線組成物
は、高感度な感放射線特性が要求される電子線，Ｘ線，
ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、並びにＡｒＦ（１９３ｎｍ）リ
ソグラフィの必須材料となっている。
【０００５】上記のような化学増幅系ポジ型感放射線組
成物としては、例えばアルカリ可溶性樹脂の水酸基ある
いはカルボン酸基をｔ−ブチル基，テトラヒドロピラニ
ル基、またはエトキシエチル基等で保護した高分子と、
放射線照射によって酸を発生する酸発生剤からなる組成
物が知られている。
成物としては、例えばアルカリ可溶性樹脂の水酸基ある
いはカルボン酸基をｔ−ブチル基，テトラヒドロピラニ
ル基、またはエトキシエチル基等で保護した高分子と、
放射線照射によって酸を発生する酸発生剤からなる組成
物が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の化学増幅系ポジ
型感放射線組成物においては、放射線照射後の熱処理工
程において、酸が等方的に拡散するために、酸の拡散を
大きくして高感度化すると、放射線未照射部にも酸が拡
散してしまい、解像度が低下するという問題があった。
このため０.２μｍ 以下の極微細パターン形成を、高感
度（低放射線照射量）でしかも高寸法精度で形成するこ
とは困難であった。
型感放射線組成物においては、放射線照射後の熱処理工
程において、酸が等方的に拡散するために、酸の拡散を
大きくして高感度化すると、放射線未照射部にも酸が拡
散してしまい、解像度が低下するという問題があった。
このため０.２μｍ 以下の極微細パターン形成を、高感
度（低放射線照射量）でしかも高寸法精度で形成するこ
とは困難であった。
【０００７】本発明の目的は、熱処理工程において、放
射線照射部における酸の拡散を未照射部における酸拡散
よりも大きくするという、異方性酸拡散機構を組み込ん
だポジ型感放射線組成物を提供し、０.２μｍ 以下の微
細パターンを高寸法精度で形成する方法を実現すること
にある。
射線照射部における酸の拡散を未照射部における酸拡散
よりも大きくするという、異方性酸拡散機構を組み込ん
だポジ型感放射線組成物を提供し、０.２μｍ 以下の微
細パターンを高寸法精度で形成する方法を実現すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、放射線照射
により酸を発生する酸発生剤，アルカリ可溶性高分子の
フェノール水酸基またはカルボン酸基が保護された高分
子，酸と反応して水を発生する水発生剤を含むことを特
徴とするポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパタ
ーン形成方法によって達成される。
により酸を発生する酸発生剤，アルカリ可溶性高分子の
フェノール水酸基またはカルボン酸基が保護された高分
子，酸と反応して水を発生する水発生剤を含むことを特
徴とするポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパタ
ーン形成方法によって達成される。
【０００９】化学増幅系ポジ型感放射線組成物を用いた
パターン形成においては、高感度化を実現する上で酸の
拡散は極めて重要であるが、通常、酸は等方的に拡散す
るので、酸の拡散を大きくして高感度化を図ろうとする
と、放射線未照射部にも酸が拡散してしまい、解像度が
低下する。本発明で用いる水発生剤は、放射線照射によ
って発生した酸と反応して放射線照射部に選択的に水を
発生し、放射線照射部における酸の拡散を大きくする作
用を有する。
パターン形成においては、高感度化を実現する上で酸の
拡散は極めて重要であるが、通常、酸は等方的に拡散す
るので、酸の拡散を大きくして高感度化を図ろうとする
と、放射線未照射部にも酸が拡散してしまい、解像度が
低下する。本発明で用いる水発生剤は、放射線照射によ
って発生した酸と反応して放射線照射部に選択的に水を
発生し、放射線照射部における酸の拡散を大きくする作
用を有する。
【００１０】実際、ａ，ａ′，ａ″−トリヒドロキシ−
１，３，５−トリ（イソプロピル）ベンゼン（水発生
剤），ポリ（４−ヒドロキシスチレン，ジフェニルヨー
ドニウムトリフレートからなる組成物を用いて、加熱温
度１００℃における放射線照射部と未照射部の酸拡散係
数を測定することにより、未照射部よりも照射部におけ
る酸拡散係数が約１桁大きくなることを見出した。
１，３，５−トリ（イソプロピル）ベンゼン（水発生
剤），ポリ（４−ヒドロキシスチレン，ジフェニルヨー
ドニウムトリフレートからなる組成物を用いて、加熱温
度１００℃における放射線照射部と未照射部の酸拡散係
数を測定することにより、未照射部よりも照射部におけ
る酸拡散係数が約１桁大きくなることを見出した。
【００１１】本発明の特徴は、この放射線照射部と未照
射部における酸拡散の差を、化学増幅系ポジ型感放射線
組成物に適用することにより、従来トレードオフの関係
にあった化学増幅系ポジ型感放射線組成物の高感度化と
高解像度化を両立させることにある。
射部における酸拡散の差を、化学増幅系ポジ型感放射線
組成物に適用することにより、従来トレードオフの関係
にあった化学増幅系ポジ型感放射線組成物の高感度化と
高解像度化を両立させることにある。
【００１２】本発明の水発生剤としては、酸触媒による
分子内または分子間脱水反応で水を効率よく発生する脂
環式アルコール化合物を用いることができる。脂環式ア
ルコール化合物の中でも２級または３級脂環式アルコー
ルは酸との反応性が高く、極微量の酸で水を発生するの
でより好ましい化合物である。また、化１から化７で表
される脂環式アルコール化合物は、レジスト溶媒に対す
る溶解度が高く、且つ効率よく水を発生するので本発明
に利用できる好ましい水発生剤である。さらに、脂環式
アルコール化合物の中でも、脂環式多価アルコールは、
一分子当たりの水の発生量を大きくできるので、より好
ましい水発生剤として本発明に利用できる。
分子内または分子間脱水反応で水を効率よく発生する脂
環式アルコール化合物を用いることができる。脂環式ア
ルコール化合物の中でも２級または３級脂環式アルコー
ルは酸との反応性が高く、極微量の酸で水を発生するの
でより好ましい化合物である。また、化１から化７で表
される脂環式アルコール化合物は、レジスト溶媒に対す
る溶解度が高く、且つ効率よく水を発生するので本発明
に利用できる好ましい水発生剤である。さらに、脂環式
アルコール化合物の中でも、脂環式多価アルコールは、
一分子当たりの水の発生量を大きくできるので、より好
ましい水発生剤として本発明に利用できる。
【００１３】
【化１】
【００１４】
【化２】
【００１５】
【化３】
【００１６】
【化４】
【００１７】
【化５】
【００１８】
【化６】
【００１９】
【化７】
【００２０】脂環式アルコール化合物の含有量として
は、感放射線組成物固形分１００重量部に対し０.５ か
ら３０重量部が好ましく、１０から２５重量部の範囲が
より好ましい。含有量が０.５％ 以下の場合には、異方
性酸拡散がほとんど誘起されず、３０％以上の場合には
塗膜を形成した際に脂環式アルコール化合物が層分離す
るためである。
は、感放射線組成物固形分１００重量部に対し０.５ か
ら３０重量部が好ましく、１０から２５重量部の範囲が
より好ましい。含有量が０.５％ 以下の場合には、異方
性酸拡散がほとんど誘起されず、３０％以上の場合には
塗膜を形成した際に脂環式アルコール化合物が層分離す
るためである。
【００２１】本発明に利用できる化学増幅系ポジ型感放
射線組成物としては、アルカリ可溶性高分子のカルボン
酸基やフェノール水酸基をｔ−ブチル基，テトラヒドロ
ピラニル基、またはエトキシエチル基等で保護した高分
子と酸発生剤を含む組成物を用いることができる。ま
た、本発明で利用できる化学増幅系ポジ型感放射線組成
物として、フェノール化合物の水酸基をｔ−ブチル基，
テトラヒドロピラニル基、またはエトキシエチル基等で
保護した化合物，アルカリ可溶性高分子，酸発生剤から
なる組成物を用いることもできる。
射線組成物としては、アルカリ可溶性高分子のカルボン
酸基やフェノール水酸基をｔ−ブチル基，テトラヒドロ
ピラニル基、またはエトキシエチル基等で保護した高分
子と酸発生剤を含む組成物を用いることができる。ま
た、本発明で利用できる化学増幅系ポジ型感放射線組成
物として、フェノール化合物の水酸基をｔ−ブチル基，
テトラヒドロピラニル基、またはエトキシエチル基等で
保護した化合物，アルカリ可溶性高分子，酸発生剤から
なる組成物を用いることもできる。
【００２２】本発明に用いる酸発生剤としては、トリフ
ルオロメタンスルホン酸，ノナフルオロブタンスルホン
酸，ヘキサフルオロアンチモン酸等、超強酸を発生する
オニウム塩，イミド化合物等をあげることができる。ま
た、放射線照射によって強酸である硫酸，ベンゼンスル
ホン酸，トルエンスルホン酸，過塩素酸，メタンスルホ
ン酸，エタンスルホン酸，ナフタレンスルホン酸を発生
するオニウム塩，イミド化合物，芳香族スルホン酸エス
テルも酸発生剤として用いることができる。酸発生剤含
有量としては、感放射線組成物固形分１００重量部に対
し０.５ から３０重量部が好ましく、１０から２５重量
部の範囲がより好ましい。
ルオロメタンスルホン酸，ノナフルオロブタンスルホン
酸，ヘキサフルオロアンチモン酸等、超強酸を発生する
オニウム塩，イミド化合物等をあげることができる。ま
た、放射線照射によって強酸である硫酸，ベンゼンスル
ホン酸，トルエンスルホン酸，過塩素酸，メタンスルホ
ン酸，エタンスルホン酸，ナフタレンスルホン酸を発生
するオニウム塩，イミド化合物，芳香族スルホン酸エス
テルも酸発生剤として用いることができる。酸発生剤含
有量としては、感放射線組成物固形分１００重量部に対
し０.５ から３０重量部が好ましく、１０から２５重量
部の範囲がより好ましい。
【００２３】また、本発明の水発生剤はＡｒＦエキシマ
レーザ光（波長１９３ｎｍ）をほとんど吸収しないの
で、ＡｒＦ用ポジ型レジストの透過率を低下させること
なく、レジストに異方性酸拡散を付与できるという利点
がある。
レーザ光（波長１９３ｎｍ）をほとんど吸収しないの
で、ＡｒＦ用ポジ型レジストの透過率を低下させること
なく、レジストに異方性酸拡散を付与できるという利点
がある。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明を比較例と実施例を用い
て、以下に詳細に説明する。
て、以下に詳細に説明する。
【００２５】（比較例１）ポリ(４−ビニルフェノール)
のフェノール水酸基をテトラヒドロピラニル基で部分保
護した高分子：１００重量部，ジフェニルヨードニウム
トルエンスルホン酸塩：５重量部をシクロヘキサノンに
溶解して、固形分濃度約１０重量パーセントの化学増幅
系ポジ型感放射線組成物溶液を調合した後、これを孔径
０.２μｍのテフロンメンブレムフィルターを用いて濾
過し、パターン形成材料を得た。次に、パターン形成材
料をシリコン基板上に回転塗布後、１００℃，２分間熱
処理して膜厚０.５μｍ のレジスト膜を形成した。次い
で、日立製電子線描画装置（加速電圧５０ｋＶ）を用い
て、パターン状電子線を照射した後、８０℃，２分間熱
処理して、水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８ 重
量パーセントを含む水溶液で３０秒間現像を行ったとこ
ろ、電子線照射量１０μＣ／cm2 で０.１５μｍの線／
間隔の微細パターンが形成された。
のフェノール水酸基をテトラヒドロピラニル基で部分保
護した高分子：１００重量部，ジフェニルヨードニウム
トルエンスルホン酸塩：５重量部をシクロヘキサノンに
溶解して、固形分濃度約１０重量パーセントの化学増幅
系ポジ型感放射線組成物溶液を調合した後、これを孔径
０.２μｍのテフロンメンブレムフィルターを用いて濾
過し、パターン形成材料を得た。次に、パターン形成材
料をシリコン基板上に回転塗布後、１００℃，２分間熱
処理して膜厚０.５μｍ のレジスト膜を形成した。次い
で、日立製電子線描画装置（加速電圧５０ｋＶ）を用い
て、パターン状電子線を照射した後、８０℃，２分間熱
処理して、水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８ 重
量パーセントを含む水溶液で３０秒間現像を行ったとこ
ろ、電子線照射量１０μＣ／cm2 で０.１５μｍの線／
間隔の微細パターンが形成された。
【００２６】（実施例１）比較例１で示した化学増幅系
ポジ型感放射線組成物に、酸との反応により水を発生す
る水発生剤を添加した組成物溶液、すなわちポリ(４−
ビニルフェノール)のフェノール水酸基をテトラヒドロ
ピラニル基で部分保護した高分子：１００重量部、１，
３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）シク
ロヘキサン：２０重量部、ジフェニルヨードニウムトル
エンスルホン酸塩：５重量部をシクロヘキサノンに溶解
して、固形分濃度約１０重量パーセントの化学増幅系ポ
ジ型感放射線組成物溶液を、シリコン基板上に回転塗布
後、１００℃，２分間熱処理して膜厚０.５μｍ のレジ
スト膜を形成した。次いで、日立製電子線描画装置（加
速電圧５０ｋＶ）を用いて、パターン状電子線を照射し
た後、８０℃，２分間熱処理して、水酸化テトラメチル
アンモニウム２.３８ 重量パーセントを含む水溶液で３
０秒間現像を行ったところ、比較例１の組成物を用いた
パターン形成に必要な電子線照射量の、半分の電子線照
射量７μＣ／cm2で０.１５μｍの線／間隔の微細パター
ンが形成された。
ポジ型感放射線組成物に、酸との反応により水を発生す
る水発生剤を添加した組成物溶液、すなわちポリ(４−
ビニルフェノール)のフェノール水酸基をテトラヒドロ
ピラニル基で部分保護した高分子：１００重量部、１，
３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）シク
ロヘキサン：２０重量部、ジフェニルヨードニウムトル
エンスルホン酸塩：５重量部をシクロヘキサノンに溶解
して、固形分濃度約１０重量パーセントの化学増幅系ポ
ジ型感放射線組成物溶液を、シリコン基板上に回転塗布
後、１００℃，２分間熱処理して膜厚０.５μｍ のレジ
スト膜を形成した。次いで、日立製電子線描画装置（加
速電圧５０ｋＶ）を用いて、パターン状電子線を照射し
た後、８０℃，２分間熱処理して、水酸化テトラメチル
アンモニウム２.３８ 重量パーセントを含む水溶液で３
０秒間現像を行ったところ、比較例１の組成物を用いた
パターン形成に必要な電子線照射量の、半分の電子線照
射量７μＣ／cm2で０.１５μｍの線／間隔の微細パター
ンが形成された。
【００２７】（実施例２）実施例１で用いた水発生剤
〔１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）シクロヘキサン〕の代わりに、１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサン、１，３−
ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサ
ン、１，３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ペンチ
ル）シクロヘキサンをそれぞれを含む感放射線組成物を
用いた場合も実施例１と同様の効果、すなわち高感度化
が認められた。
〔１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）シクロヘキサン〕の代わりに、１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサン、１，３−
ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサ
ン、１，３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ペンチ
ル）シクロヘキサンをそれぞれを含む感放射線組成物を
用いた場合も実施例１と同様の効果、すなわち高感度化
が認められた。
【００２８】（比較例２）１−エトキシエチル化〔ノル
ボルナン−２−メタノール変性５−メチレンビシクロ
〔２.２.１〕ヘプト−２−エン−無水マレイン酸共重合
体〕１００重量部，酸発生剤トリメチルスルホニウムト
リフレート５重量部をシクロヘキサノン600重量部に溶
解し、孔径０.２０μｍ のテフロンフィルターを用いて
濾過し、レジスト溶液とした。
ボルナン−２−メタノール変性５−メチレンビシクロ
〔２.２.１〕ヘプト−２−エン−無水マレイン酸共重合
体〕１００重量部，酸発生剤トリメチルスルホニウムト
リフレート５重量部をシクロヘキサノン600重量部に溶
解し、孔径０.２０μｍ のテフロンフィルターを用いて
濾過し、レジスト溶液とした。
【００２９】ヘキサメチルジシラザンで処理したシリコ
ン基板上に、上記のレジスト溶液を回転塗布し、塗布後
８０℃で２分間加熱処理して、膜厚０.４０μｍ のレジ
スト膜を形成した。ＡｒＦエキシマレーザーステッパー
(ニコン製，０.５５ＮＡ）により、マスクを介して露光
を行い、その後８０℃で２分間露光後ベークを行った。
現像はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
（０.１１９ 重量％）で、２３℃で１２０秒間行い、続
けて６０秒間純水でリンスした。その結果、露光量３０
ｍＪ／cm2 のときに、レジスト膜の露光部のみが現像液
に溶解除去され、ポジ型の０.２０μｍラインアンドス
ペースパターンが得られた。
ン基板上に、上記のレジスト溶液を回転塗布し、塗布後
８０℃で２分間加熱処理して、膜厚０.４０μｍ のレジ
スト膜を形成した。ＡｒＦエキシマレーザーステッパー
(ニコン製，０.５５ＮＡ）により、マスクを介して露光
を行い、その後８０℃で２分間露光後ベークを行った。
現像はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
（０.１１９ 重量％）で、２３℃で１２０秒間行い、続
けて６０秒間純水でリンスした。その結果、露光量３０
ｍＪ／cm2 のときに、レジスト膜の露光部のみが現像液
に溶解除去され、ポジ型の０.２０μｍラインアンドス
ペースパターンが得られた。
【００３０】なおこのレジストを、フッ化リチウム基板
上に同条件で塗布して、吸収スペクトルを真空紫外分光
装置（ＡＲＣ社製）で測定したところ、１９３ｎｍの透
過率は５８％であった。
上に同条件で塗布して、吸収スペクトルを真空紫外分光
装置（ＡＲＣ社製）で測定したところ、１９３ｎｍの透
過率は５８％であった。
【００３１】（実施例３）１−エトキシエチル化〔ノル
ボルナン−２−メタノール変性５−メチレンビシクロ
〔２.２.１〕ヘプト−２−エン−無水マレイン酸共重合
体〕１００重量部、酸発生剤トリメチルスルホニウムト
リフレート５重量部、１，３，５−トリス（２−ヒドロ
キシ−２−プロピル）シクロヘキサン１５重量部をシク
ロヘキサノン６００重量部に溶解し、孔径０.２０μｍ
のテフロンフィルターを用いて濾過し、レジスト溶液と
した。
ボルナン−２−メタノール変性５−メチレンビシクロ
〔２.２.１〕ヘプト−２−エン−無水マレイン酸共重合
体〕１００重量部、酸発生剤トリメチルスルホニウムト
リフレート５重量部、１，３，５−トリス（２−ヒドロ
キシ−２−プロピル）シクロヘキサン１５重量部をシク
ロヘキサノン６００重量部に溶解し、孔径０.２０μｍ
のテフロンフィルターを用いて濾過し、レジスト溶液と
した。
【００３２】ヘキサメチルジシラザンで処理したシリコ
ン基板上に、上記のレジスト溶液を回転塗布し、塗布後
８０℃で２分間加熱処理して、膜厚０.４０μｍ のレジ
スト膜を形成した。ＡｒＦエキシマレーザーステッパー
(ニコン製，０.５５ＮＡ）により、マスクを介して露光
を行い、その後８０℃で２分間露光後ベークを行った。
現像はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
(０.１１９重量％）で、２３℃で１２０秒間行い、続け
て６０秒間純水でリンスした。その結果、比較例２の露
光量の半分の露光量１５ｍＪ／cm2 のときに、レジスト
膜の露光部のみが現像液に溶解除去され、ポジ型の０.
２０μｍ ラインアンドスペースパターンが得られた。
ン基板上に、上記のレジスト溶液を回転塗布し、塗布後
８０℃で２分間加熱処理して、膜厚０.４０μｍ のレジ
スト膜を形成した。ＡｒＦエキシマレーザーステッパー
(ニコン製，０.５５ＮＡ）により、マスクを介して露光
を行い、その後８０℃で２分間露光後ベークを行った。
現像はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
(０.１１９重量％）で、２３℃で１２０秒間行い、続け
て６０秒間純水でリンスした。その結果、比較例２の露
光量の半分の露光量１５ｍＪ／cm2 のときに、レジスト
膜の露光部のみが現像液に溶解除去され、ポジ型の０.
２０μｍ ラインアンドスペースパターンが得られた。
【００３３】なおこのレジストを、フッ化リチウム基板
上に同条件で塗布して、吸収スペクトルを真空紫外分光
装置（ＡＲＣ社製）で測定したところ、１９３ｎｍの透
過率は比較例２のレジストと同様５８％であった。本実
施例から、脂環式アルコールを水発生剤として添加する
ことにより、１９３ｎｍにおける透過率ならびに解像性
を全く変えることなく、感度を２倍にできることが分か
った。
上に同条件で塗布して、吸収スペクトルを真空紫外分光
装置（ＡＲＣ社製）で測定したところ、１９３ｎｍの透
過率は比較例２のレジストと同様５８％であった。本実
施例から、脂環式アルコールを水発生剤として添加する
ことにより、１９３ｎｍにおける透過率ならびに解像性
を全く変えることなく、感度を２倍にできることが分か
った。
【００３４】（実施例４）実施例３で用いた水発生剤
〔１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）シクロヘキサン〕の代わりに、１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサン，１，３−
ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサ
ン，１，３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ペンチ
ル）シクロヘキサンをそれぞれを含む感放射線組成物を
用いた場合も実施例３と同様の効果、すなわち高感度化
が認められた。
〔１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）シクロヘキサン〕の代わりに、１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサン，１，３−
ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）シクロヘキサ
ン，１，３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ペンチ
ル）シクロヘキサンをそれぞれを含む感放射線組成物を
用いた場合も実施例３と同様の効果、すなわち高感度化
が認められた。
【００３５】
【発明の効果】本発明の適用により、電子線直接描画，
紫外線露光（ＫｒＦならびにＡｒＦエキシマレーザース
テッパー）によるパターン状放射線照射による０.２μ
ｍ 以下のパターン形成を高精度で行えるようになっ
た。
紫外線露光（ＫｒＦならびにＡｒＦエキシマレーザース
テッパー）によるパターン状放射線照射による０.２μ
ｍ 以下のパターン形成を高精度で行えるようになっ
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 孝司 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】放射線照射により酸を発生する酸発生剤，
アルカリ可溶性高分子のフェノール水酸基またはカルボ
ン酸基が保護された高分子，酸と反応して水を発生する
水発生剤を含むことを特徴とするポジ型感放射線組成
物。 - 【請求項２】請求項１記載の水発生剤が、脂環式アルコ
ールであることを特徴とするポジ型感放射線組成物。 - 【請求項３】請求項２記載の脂環式アルコール化合物が
２級または３級アルコールであることを特徴とするポジ
型感放射線組成物。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれか記載のポジ型
感放射線組成物を含むレジスト膜にパターン形成のため
の放射線を照射し、現像処理することを特徴とするパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114616A JPH11307524A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114616A JPH11307524A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307524A true JPH11307524A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14642324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10114616A Pending JPH11307524A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101015859B1 (ko) | 2008-10-07 | 2011-02-23 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP10114616A patent/JPH11307524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101015859B1 (ko) | 2008-10-07 | 2011-02-23 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2675138B2 (ja) | ポジチブ及びネガチブ処理感放射線混合物及びレリーフパターンの作製方法 | |
| JP2661671B2 (ja) | パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法 | |
| JP3486341B2 (ja) | 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成法 | |
| JPH05249676A (ja) | フォトレジスト組成物及びフォトレジスト像形成方法 | |
| JPH0225850A (ja) | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法 | |
| US5532113A (en) | Method of making microelectronic structures utilzing photoresists containing C3 C12 water soluble sugar crosslinking agents | |
| JP3300089B2 (ja) | ポジ型放射感応性混合物 | |
| JPH05262874A (ja) | 酸に対して不安定な保護基を有するオリゴマー化合物、およびこの化合物を用いて製造したポジ型放射線感応性混合物 | |
| JPH06242605A (ja) | ポジ型放射感応性混合物 | |
| JPH05181264A (ja) | 酸不安定基を含有する感放射線混合物およびレリーフパターン、レリーフ画像の作製方法 | |
| JPH0415463B2 (ja) | ||
| JP3042701B2 (ja) | パターン形成法 | |
| JPH05262699A (ja) | 酸に対して不安定な保護基を有する化合物、およびこの化合物を用いて製造したポジ型放射線感応性混合物 | |
| JPH08262720A (ja) | 可塑剤を含む放射線感応性組成物 | |
| JP2935306B2 (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JPH07219216A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法 | |
| JPH11102072A (ja) | ポジ型レジスト及びこれを用いたフォトマスクの製造方法 | |
| KR100236840B1 (ko) | 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물 | |
| JPH02248952A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH11307524A (ja) | ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH04216556A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH03253858A (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JPH11249290A (ja) | ポジ型感放射線組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH07104473A (ja) | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタン形成法 | |
| JP2000171976A (ja) | パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法 |