JPH04216556A - パターン形成法 - Google Patents

パターン形成法

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JPH04216556A
JPH04216556A JP2403343A JP40334390A JPH04216556A JP H04216556 A JPH04216556 A JP H04216556A JP 2403343 A JP2403343 A JP 2403343A JP 40334390 A JP40334390 A JP 40334390A JP H04216556 A JPH04216556 A JP H04216556A
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JP
Japan
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radiation
alcohol
sensitive composition
crosslinked
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP2403343A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaichi Uchino
正市 内野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to JP2403343A priority Critical patent/JPH04216556A/ja
Publication of JPH04216556A publication Critical patent/JPH04216556A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線、電子線、イオ
ンビーム又はＸ線等の放射線に感応する組成物及びそれ
を用いたパターン形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体素子製作には、ナフトキノ
ンジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型レジストと
ｇ−線縮小投影露光装置を組み合わせたリソグラフィが
適用されている。しかし、このリソグラフィでは線幅０
．３μｍ以下パターン形成は困難であり、さらに集積度
の進んだ素子製作のために、微細加工性の優れたホトリ
ソグラフィとして短波長光（ＫｒＦエキシマレーザ）を
用いたリソグラフィが注目されている。上記ポジ型ホト
レジストはこの露光波長（２４８ｎｍ）では吸収が強す
ぎ、レジスト膜が通常の膜厚では、その表面から裏面ま
で十分に感光することができないため、微細パターンの
形成が困難である。また、アジド化合物とポリビニルフ
ェノールからなるネガ型レジストにおいても、吸収が強
いため実質的に使用できる膜厚が制限される。
【０００３】短波長光を利用するリソグラフィに適した
レジストとして、アルカリ可溶性樹脂、放射線照射によ
り酸を発生する化合物及び酸によりポリマーと架橋反応
する化合物（架橋剤）の混合系からなる放射線感応性組
成物が特開昭６２−１６４０４５に記載されている。ま
た、将来のリソグラフィにおいては微細パターン形成が
電子線による直接描画によってなされる可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、酸に
より架橋するアルカリ可溶性樹脂が含まれているため微
弱な酸の存在、例えば弱酸性のポリマが存在しても架橋
が生じ、熱安定性に問題があった。また、電子線直接描
画によるパターン形成の場合は、レジストの感度が十分
でなく、生産性が低いという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、保存性に優れた、高感度
かつ高解像性を有する放射線感応性組成物を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、その放射線感応性組成
物を用いたパターン形成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、（１）脂環
式アルコール及び複素環式アルコールからなる群から選
ばれた少なくとも一種のアルコール、アルカリ可溶性高
分子化合物並びに放射線の照射により酸を発生する酸前
駆体を含むことを特徴とする非架橋型放射線感応性組成
物、（２）上記１記載の非架橋型放射線感応性組成物に
おいて、上記アルコールが脂環式アルコールである非架
橋型放射線感応性組成物、（３）上記２記載の非架橋型
放射線感応性組成物において、上記脂環式アルコールが
、ノルボルネオール及び２−アルキル−２−アダマンタ
ノール（ここにアルキルは炭素数が４以下のアルキルで
ある）からなる群から選ばれた少なくとも一種のアルコ
ールであることを特徴とする非架橋型放射性感応性組成
物、（４）上記１記載の非架橋型放射線感応性組成物に
おいて、上記アルコールが複素環式アルコールである非
架橋型放射線感応性組成物、（５）上記４記載の非架橋
型放射線感応性組成物において、上記複素環式アルコー
ルがジオキサンジオールである非架橋型放射性感応性組
成物、（６）上記１から５のいずれかに記載の非架橋型
放射線感応性組成物において、上記アルカリ可溶性高分
子化合物がフェノール樹脂である非架橋型放射性感応性
組成物、（７）上記１から６のいずれかに記載の非架橋
型放射線感応性組成物において、上記アルカリ可溶性高
分子化合物と上記アルコールとの組成比は、重量比で、
１対０．０３から１の範囲であることを特徴とする非架
橋型放射性感応性組成物によって達成される。
【０００７】上記他の目的は、（８）基板上に、上記１
から７のいずれかに記載の非架橋型放射線感応性組成物
を塗布して塗膜を形成する工程、該塗膜に、所望のパタ
ーンの放射線を照射する工程、所望のパターンの放射線
照射により形成された潜像の形成をさらに促進させるた
め、該塗膜を加熱処理する工程、アルカリ性現像液を用
いて現像し、ネガ型パターンを得る工程を有することを
特徴とするパターン形成法、（９）基板上に、上記１か
ら７のいずれかに記載の非架橋型放射線感応性組成物を
塗布して塗膜を形成する工程、該塗膜に、所望のパター
ンの放射線を照射する工程、該所望のパターンの放射線
照射により、上記酸前駆体より生成した酸を触媒として
、上記アルコールを脱水反応により親油性の化合物とし
、該塗膜のアルカリ水溶液への溶解度を減少させ、現像
によりネガ型パターンを形成する工程を有することを特
徴とするパターン形成法、（１０）上記８又は９記載の
パターン形成法において、上記アルコールは、脂環式ア
ルコールであることを特徴とするパターン形成法、（１
１）上記８又は９記載のパターン形成法において、上記
アルコールは、複素環式アルコールであることを特徴と
するパターン形成法によって達成される。
【０００８】上記のアルコールは、脂環式アルコールの
みでも、複素環式アルコールのみでも、両者を混合して
用いても、さらにこれらに２級又は３級アルコールを混
合して用いてもよい。
【０００９】本発明で用いられる脂環式アルコールとし
ては、例えば、２−アダマンタノール、２−メチル−２
−アダマンタノール、２−エチル−２−アダマンタノー
ル、２−プロピル−２−アダマンタノール、２−ブチル
−２−アダマンタノール、ｅｘｏ−ノルボルネオール、
ｅｎｄｏ−ノルボルネオール、ボルネオール、ＤＬ−イ
ソボルネオール、テルピネン−４−オール、Ｓ−シス−
ベルベノール、イソピノカンフェノール、ピナンジオー
ル等が挙げられる。
【００１０】本発明で用いられる複素環式アルコールと
しては、例えば１，４−ジオキサン−２，３−ジオール
、５−メチル−１，４−ジオキサン−２，３−ジオール
、５，６−ジメチル−１，４−ジオキサン−２，３−ジ
オール、ＤＬ−ｅｘｏ−ヒドロキシトロピノン、４−ヒ
ドロキシ−４−フェニルピペリジン、３−キヌシリジノ
ール、４−クロマノール、チオクロマン−４−オール、
ＤＬ−マバロン酸ラクトン等が挙げられる。複素環式ア
ルコールは、複素環にＯ又はＳを含むものが好ましい。
【００１１】本発明においては、上記アルコールとして
、脂環式アルコール、複素環式アルコールの他に、さら
に２級又は３級アルコールを加えて用いてもよい。この
ようなアルコールとしては、フェニルメタノール誘導体
がある。このフェニルメタノール誘導体としては、例え
ばジフェニルメタノール、４，４’−ジフルオロジフェ
ニルメタノール、４，４’−ジクロロジフェニルメタノ
ール、４，４’−ジメチル−ジフェニルメタノール、４
，４’−ジメトキシジフェニルメタノール、トリフェニ
ルメタノール、１−フエニルエチルアルコール、１，２
−ジフェニルエチレングリコール、テトラフェニルエチ
レングリコール、α，α’−ジヒドロキシ−ｐ−ジイソ
プロピルベンゼン、α，α’−ジヒドロキシ−ｍ−ジイ
ソプロピルベンゼン等が挙げられる。この他の２級又は
３級アルコールとしては、１−ナフチルエタノール等が
挙げられる。
【００１２】本発明における望ましいアルカリ可溶性高
分子化合物としては、ノボラック樹脂、ポリ（ｐ−ヒド
ロキシスチレン）、ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン
共重合体、ポリメチルグルタルイミド等の高分子化合物
が挙げられる。
【００１３】本発明で用いられる酸前駆体としては、ト
リアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩
等のオニウム塩を用いることが望ましい。オニウム塩の
対アニオンとしてはトリフルオロメタンスルホン酸、ト
リフルオロ酢酸、トルエンスルホン酸、テトラフルオロ
ホウ素酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、ヘキサフルオ
ロヒ素酸等のようなルイス酸が用いられる。またこれ以
外にも酸前駆体として芳香族スルホン酸エステルや前記
特開昭６２−１６４０４記載のハロゲン化有機化合物等
を用いることもできる。
【００１４】本発明においては、アルコール、酸前駆体
、アルカリ可溶性高分子化合物は、それぞれ一種類の化
合物でも良く、二種以上の化合物を混合して用いても良
い。
【００１５】本発明の放射線感応性組成物において、ア
ルカリ可溶性高分子化合物とアルコールとの組成比は重
量比で１：０．０３〜１の範囲であることが好ましい。 アルコールの量がこの範囲よりも大きいと層分離が起こ
るために均一な塗膜が形成ができず、小さいと塗膜の不
溶化が十分進行しないためである。さらにまた、酸前駆
体の含有量はアルコールに対し、０．１〜１００重量％
の範囲の量を用いることが好ましく、０．５〜５０重量
％の範囲の量を用いることがより好ましい。放射線の照
射により形成された潜像の形成をさらに促進させるため
の塗膜の加熱処理は、６０℃から１２０℃の温度範囲で
行うことが好ましく、７０℃から１００℃の温度範囲で
行うことがより好ましい。加熱時間は、１分から１０分
の範囲であることが好ましく、１分から３分の範囲であ
ることがより好ましい。
【００１６】
【作用】本発明の放射線感応性組成物に含まれている複
素環式アルコール等のアルコールは、強い酸の存在下、
加熱をすると効率的に脱水反応を起こし親油性の化合物
を生成する。このため放射線照射後の加熱により、放射
線照射領域は、酸前駆体から発生した酸により脱水反応
が誘起されるので、アルカリ現像液に不溶性になる。す
なわち、本発明の放射線感応性組成物はネガ型の組成物
として作用する。また、放射線照射によって生じた酸は
脱水反応の触媒として働くので、潜像形成のための放射
線の照射量は僅かでよいため、本発明の放射線感応性組
成物は高感度である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて説明する。 〈実施例１〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂と、１，４−ジオキ
サン−２，３−ジオールと、ジフェニルヨードニウムト
リフレートとを、１００：２０：２．５の重量比で酢酸
２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃
で５分間ベークして厚さ０．７μｍの塗布膜を形成した
。この膜に、６００ＷのＨｇ−Ｘｅランプからの光を干
渉フィルタ（最大透過波長；λｍａｘ＝２４８ｎｍ、半
値幅；Δλ＝１９．５ｎｍ、透過率；Ｔ＝２５％；日本
真空光学（株）製）とテストパターン用マスクを介して
露光した。露光後８０℃で２分間ベークした後、水酸化
テトラメチルアンモニウムの２．３８ｗｔ．％水溶液（
東京応化工業（株）製、商品名ＮＭＤ−３）で塗布膜を
現像した。この操作により未露光部分の塗膜は除去され
、露光により不溶化した塗膜のみがウェハ上に残った。 その結果１０ｍＪ／ｃｍ２で、残留膜厚０．７μｍでテ
ストパターンに忠実な、良好なネガ型パターンを得るこ
とができた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室温で放
置した後にレジスト特性を評価したところ、感度、解像
性は放置前と比較して、なんらの変化も見られなかった
。
【００１８】 〈実施例２〜６〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂と、１，４−ジオキ
サン−２，３−ジオールと、トリフェニルスルフォニウ
ムトリフレートとを、下記の重量比で酢酸２−エトキシ
エチルに溶解させてホトレジスト溶液を調製した。 １００：３０：２．５　　　　（実施例２）１００：２
０：２．５　　　　（実施例３）１００：１０：２．５
　　　　（実施例４）１００：２０：０．５　　　　（
実施例５）１００：２０：５　　　　　　　　（実施例
６）
【００１９】露光前ベ−クを８０℃で５分間、露光
後ベークを８０℃で２分間行ったこと以外は実施例１と
同様にしてパターン形成を行なった。その結果、下記の
照射量でで、いずれもテストパターンに忠実な、良好な
ネガ型パターンを得ることができた。 １５ｍＪ／ｃｍ２　　　　　　　　　　（実施例２）２
０ｍＪ／ｃｍ２　　　　　　　　　　（実施例３）２５
ｍＪ／ｃｍ２　　　　　　　　　　（実施例４）８０ｍ
Ｊ／ｃｍ２　　　　　　　　　　（実施例５）５ｍＪ／
ｃｍ２　　　　　　　　　　（実施例６）また、本レジ
スト溶液を１ヶ月間室温で放置した後にレジスト特性を
評価したところ、いずれも感度、解像性は放置前と比較
して、なんらの変化も見られなかった。
【００２０】〈実施例７〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂と、１，４−ジオキ
サン−２，３−ジオールと、１，２，３−トリ（メタン
スルフォニロキシ）ベンゼンとを、１００：２０：２．
５の重量比で酢酸２−エトキシエチルに溶解させてホト
レジスト溶液を調製した。露光前ベークを８０℃で５分
間、露光後ベークを８０℃で２分間行ったこと以外は実
施例１と同様にしてパターン形成を行なった。その結果
、３０ｍＪ／ｃｍ２で、テストパターンに忠実な、良好
なネガ型パターンを得ることができた。また、本レジス
ト溶液を１ヶ月間室温で放置した後にレジスト特性を評
価したところ、感度、解像性は放置前と比較して、なん
らの変化も見られなかった。
【００２１】〈実施例８〉 ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）と、１，４−ジオキサ
ン−２，３−ジオールと、ジフェニルヨードニウムトリ
フレートとを、１００：２０：２．５の重量比で酢酸２
−エトキシエチルに溶解させてホトレジスト溶液を調製
した。露光前ベークを８０℃で５分間、露光後ベークを
８０℃で２分間行ったこと以外は実施例１と同様にして
パターン形成を行なった。その結果、２０ｍＪ／ｃｍ２
で、テストパターンに忠実な、良好なネガ型パターンを
得ることができた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室
温で放置した後にレジスト特性を評価したところ、感度
、解像性は放置前と比較して、なんらの変化も見られな
かった。
【００２２】〈実施例９〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂と、１，４−ジオキ
サン−２，３−ジオールと、トリフェニルスルフォニウ
ムトリフレートとを、１００：２０：２．５の重量比で
酢酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶
液を調製し、膜厚０．７μｍの塗膜を形成した後、Ｈｇ
−Ｘｅランプからの紫外線露光の代わりに加速電圧２５
ｋＶ電子線描画装置を用いて微細パターンの描画を行な
ったことを除いて実施例１の方法を繰り返した。その結
果、電子線照射量１０μＣ／ｃｍ２で、残留膜厚０．７
μｍで良好なネガ型パターンを得ることができた。また
、本レジスト溶液を１ヶ月間室温で放置した後にレジス
ト特性を評価したところ、感度、解像性は放置前と比較
して、なんらの変化も見られなかった。
【００２３】〈実施例１０〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂と、４−クロマノー
ルと、トリフェニルスルフォニウムトリフレートとを、
１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エトキシエチ
ルに溶解させてホトレジスト溶液を調製した。露光前ベ
ークを８０℃で５分間、露光後ベークを８０℃で２分間
行ったこと以外は実施例１と同様にしてパターン形成を
行なった。その結果、０．５ｍＪ／ｃｍ２で、テストパ
ターンに忠実な、良好なネガ型パターンを得ることがで
きた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室温で放置した
後にレジスト特性を評価したところ、感度、解像性は放
置前と比較して、なんらの変化も見られなかった。
【００２４】〈実施例１１〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂と、チオクロマン−
４−オールと、トリフェニルスルフォニウムトリフレー
トとを、１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エト
キシエチルに溶解させてホトレジスト溶液を調製した。 露光前ベークを８０℃で５分間、露光後ベークを８０℃
で２分間行ったこと以外は実施例１と同様にしてパター
ン形成を行なった。その結果、１．５ｍＪ／ｃｍ２で、
テストパターンに忠実な、良好なネガ型パターンを得る
ことができた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室温で
放置した後にレジスト特性を評価したところ、感度、解
像性は放置前と比較して、なんらの変化も見られなかっ
た。
【００２５】〈実施例１２〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、２−メチル−２−
アダマンタノール、ジフェニルヨードニウムトリフレー
トを、１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エトキ
シエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を調製したこ
と以外は、実施例１と同様にしてパターン形成を行なっ
た。その結果、１．０ｍＪ／ｃｍ２で、残留膜厚０．７
μｍでテストパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得
ることができた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室温
で放置した後にレジスト特性を評価したところ、感度、
解像性は放置前と比較して、なんらの変化も見られなか
った。
【００２６】〈実施例１３〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、ｅｘｏ−ノルボル
ネオール、ジフェニルヨードニウムトリフレートを、１
００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エトキシエチル
に溶解させてホトレジスト溶液を調製したこと以外は、
実施例１と同様にしてパターン形成を行なった。その結
果、１０ｍＪ／ｃｍ２で、テストパタンに忠実な、良好
なネガ型パタンを得ることができた。また、本レジスト
溶液を１ヶ月間室温で放置した後にレジスト特性を評価
したところ、感度、解像性は放置前と比較して、なんら
の変化も見られなかった。
【００２７】〈実施例１４〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、ｅｎｄｏ−ノルボ
ルネオール、ジフェニルヨードニウムトリフレートを、
１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エトキシエチ
ルに溶解させてホトレジスト溶液を調製したこと以外は
、実施例１と同様にしてパターン形成を行なった。その
結果、１０ｍＪ／ｃｍ２で、テストパタンに忠実な、良
好なネガ型パタンを得ることができた。また、本レジス
ト溶液を１ヶ月間室温で放置した後にレジスト特性を評
価したところ、感度、解像性は放置前と比較して、なん
らの変化も見られなかった。
【００２８】〈実施例１５〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、２−メチル−２−
アダマンタノール、トリフェニルスルフォニウムトリフ
レートを、１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エ
トキシエチルに溶解させてホトレジスト溶液を調製した
。露光前ベークを８０℃で５分間、露光後ベークを８０
℃で２分間行ったこと以外は実施例１と同様にしてパタ
ーン形成を行なった。その結果、１ｍＪ／ｃｍ２で、テ
ストパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることが
できた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室温で放置し
た後にレジスト特性を評価したところ、感度、解像性は
放置前と比較して、なんらの変化も見られなかった。
【００２９】〈実施例１６〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、２−メチル−２−
アダマンタノール、１，２，３−トリ（メタンスルフォ
ニロキシ）ベンゼンを、１００：２０：２．５の重量比
で酢酸２−エトキシエチルに溶解させてホトレジスト溶
液を調製した。露光前ベークを８０℃で５分間、露光後
ベークを８０℃で２分間行ったこと以外は実施例１と同
様にしてパターン形成を行なった。その結果、４ｍＪ／
ｃｍ２で、テストパタンに忠実な、良好なネガ型パタン
を得ることができた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間
室温で放置した後にレジスト特性を評価したところ、感
度、解像性は放置前と比較して、なんらの変化も見られ
なかった。
【００３０】〈実施例１７〉 ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、２−メチル−２−ア
ダマンタノール、ジフェニルヨードニウムトリフレート
を、１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エトキシ
エチルに溶解させてホトレジスト溶液を調製した。露光
前ベークを８０℃で５分間、露光後ベークを８０℃で２
分間行ったこと以外は実施例１と同様にしてパターン形
成を行なった。その結果、４ｍＪ／ｃｍ２で、テストパ
タンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることができた
。ができた。また、本レジスト溶液を１ヶ月間室温で放
置した後にレジスト特性を評価したところ、感度、解像
性は放置前と比較して、なんらの変化も見られなかった
。
【００３１】〈実施例１８〉 ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、２−メチル−２−
アダマンタノール、トリフェニルスルフォニウムトリフ
レートを、１００：２０：２．５の重量比で酢酸２−エ
トキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を調製し
、膜厚０．７μｍの塗膜を形成した後、Ｈｇ−Ｘｅラン
プからの紫外線露光の代わりに加速電圧２５ｋＶ電子線
描画装置を用いて微細パタンの描画を行なったことを除
いて実施例１の方法を繰り返した。その結果、電子線照
射量１μＣ／ｃｍ２で、残留膜厚０．７μｍで良好なネ
ガ型パタンを得ることができた。また、本レジスト溶液
を１ヶ月間室温で放置した後にレジスト特性を評価した
ところ、感度、解像性は放置前と比較して、なんらの変
化も見られなかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の放射線感応性組成物は、紫外線
、電子線、Ｘ線その他放射線に対して優れた感度を有し
、かつ安定性に優れる。また本発明のパターン形成法は
、安定に高感度でパターンを形成することができる。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】脂環式アルコール及び複素環式アルコール
    からなる群から選ばれた少なくとも一種のアルコール、
    アルカリ可溶性高分子化合物並びに放射線の照射により
    酸を発生する酸前駆体を含むことを特徴とする非架橋型
    放射線感応性組成物。
  2. 【請求項２】請求項１記載の非架橋型放射線感応性組成
    物において、上記アルコールが脂環式アルコールである
    非架橋型放射線感応性組成物。
  3. 【請求項３】請求項２記載の非架橋型放射線感応性組成
    物において、上記脂環式アルコールが、ノルボルネオー
    ル及び２−アルキル−２−アダマンタノール（ここにア
    ルキルは炭素数が４以下のアルキルである）からなる群
    から選ばれた少なくとも一種のアルコールであることを
    特徴とする非架橋型放射性感応性組成物。
  4. 【請求項４】請求項１記載の非架橋型放射線感応性組成
    物において、上記アルコールが複素環式アルコールであ
    る非架橋型放射線感応性組成物。
  5. 【請求項５】請求項４記載の非架橋型放射線感応性組成
    物において、上記複素環式アルコールがジオキサンジオ
    ールである非架橋型放射性感応性組成物。
  6. 【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載の非架橋
    型放射線感応性組成物において、上記アルカリ可溶性高
    分子化合物がフェノール樹脂である非架橋型放射性感応
    性組成物。
  7. 【請求項７】請求項１から６のいずれかに記載の非架橋
    型放射線感応性組成物において、上記アルカリ可溶性高
    分子化合物と上記アルコールとの組成比は、重量比で、
    １対０．０３から１の範囲であることを特徴とする非架
    橋型放射性感応性組成物。
  8. 【請求項８】基板上に、請求項１から７のいずれかに記
    載の非架橋型放射線感応性組成物を塗布して塗膜を形成
    する工程、該塗膜に、所望のパターンの放射線を照射す
    る工程、所望のパターンの放射線照射により形成された
    潜像の形成をさらに促進させるため、該塗膜を加熱処理
    する工程、アルカリ性現像液を用いて現像し、ネガ型パ
    ターンを得る工程を有することを特徴とするパターン形
    成法。
  9. 【請求項９】基板上に、請求項１から７のいずれかに記
    載の非架橋型放射線感応性組成物を塗布して塗膜を形成
    する工程、該塗膜に、所望のパターンの放射線を照射す
    る工程、該所望のパターンの放射線照射により、上記酸
    前駆体より生成した酸を触媒として、上記アルコールを
    脱水反応により親油性の化合物とし、該塗膜のアルカリ
    水溶液への溶解度を減少させ、現像によりネガ型パター
    ンを形成する工程を有することを特徴とするパターン形
    成法。
  10. 【請求項１０】請求項８又は９記載のパターン形成法に
    おいて、上記アルコールは、脂環式アルコールであるこ
    とを特徴とするパターン形成法。
  11. 【請求項１１】請求項８又は９記載のパターン形成法に
    おいて、上記アルコールは、複素環式アルコールである
    ことを特徴とするパターン形成法。
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